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Polycopié de Cours: DISPOSITIFS OPTOELECTRONIQUES

Book · May 2021

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1 author:

Samir Ghouali
University Mustapha Stambouli of Mascara
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 REPUBLIQUE ALGERIENNE DEMOCRATIQUE ET POPULAIRE
MINISTERE DE L’ENSEIGNEMENT SUPERIEUR ET DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE

UNIVERSITE MUSTAPHA STAMBOULI DE MASCARA

FACULTÉ DES SCIENCES ET DES TECHNOLOGIES

Polycopié de Cours

DISPOSITIFS
OPTOELECTRONIQUES

Ce cours est destiné aux étudiants de 3ème année licence

Electronique

Présenté par:
Samir Ghouali

Algérie
2021
 Avant-Propos
--------------------------------

Ce fascicule pédagogique met à la disposition des étudiants électroniciens, un cours sur les
notions fondamentales de l'optoélectronique, visant à les préparer pour entamer les différentes
spécialités de cette vaste discipline. Ce cours a pour but donc d'enseigner les éléments de base de la
physique des interactions lumière-matière dans les semi-conducteurs et de présenter leurs
applications les plus courantes dans le domaine de la génération et de la détection de lumière. Une
importance particulière est donc donnée au contenu physique des développements théoriques plutôt
qu'à leur aspect mathématique. Pour cette raison, les développements théoriques sont, parfois au
détriment de leur rigueur, fortement simplifiés par rapport à ceux rencontrés dans la plupart des livres
traitant de l'optique des semi-conducteurs et plus exactement l’étude des dispositifs
optoélectroniques.
L’optoélectronique désigne un des domaines regroupant les composants et les applications
faisant appel aux plus récentes technologies dans le domaine de l'optique, de l'électronique et des
matériaux. La découverte du LASER et de la fibre optique ont été des étapes très importantes dans ce
développement. Le terme photonique est plus générique et décrit tout composant ou équipement dans
lequel a lieu une production, un transport, une transformation ou une détection de photons, toutes les
applications LASER en font partie. Le terme Optoélectronique est plus particulièrement utilisé dans
le domaine des Télécommunications et en électronique et dans les applications grand public comme
les lecteurs optiques. On rencontre aussi le terme Optronique. Comprendre la nature de la lumière a
toujours été une préoccupation essentielle des scientifiques. La lumière peut être caractérisée à la fois
comme une onde dans le spectre électromagnétique ou une particule, le photon. L’avantage de l’étude
des dispositifs d’optoélectroniques par rapport à d’autres technologies est obtenu grâce aux propriétés
suivantes :
 Les courtes longueurs d'onde, qui correspondent à des très hautes fréquences et qui s'étendent des
rayons 𝑋 mous jusqu'à l'infrarouge lointain, permettant la réalisation de transmissions optiques de
très grande capacité, la fabrication d’instruments de métrologie et de capteurs.
 La nature quantique des photons qui leur permet de se regrouper sans limitation de nombre, ce
phénomène est à la base du rayonnement cohérent LASER. À cause de cette propriété, les
photons peuvent se propager et se croiser dans l'espace sans échanger d'énergie, cette propriété
permet aussi de stocker de l'information de très haute densité sur une très petite surface.
 Les effets optiques dans des matériaux spécifiques permettant de réaliser des fonctions comme le
filtrage, la modulation, l’amplification et la conversion optique.
 L’existence de supports d'information comme la fibre optique possédant des très faibles
pertes, permettant de véhiculer à la vitesse de la lumière une grande quantité
d'informations avec une bonne confidentialité.

i
 Grâce au progrès de l'optique intégré et des nouveaux composants semi-conducteurs, des
systèmes entièrement optiques verront le jour utilisant pleinement le spectre lumineux, la rapidité
et la cohérence des processus quantiques.
Cet ouvrage est organisé comme suit :
Un premier chapitre traite du caractère électromagnétique de la lumière, l’interaction lumière-
semi-conducteur, propriétés de la lumière, flux lumineux, flux luminance, dualité onde-particule de la
lumière, aperçu sur le spectre du rayonnement électromagnétique ainsi que les différents types
d’interaction lumière-matière à savoir : la photoconductivité, photo-ionisation, photoélectrons ainsi
que le phénomène photovoltaïque. Ce chapitre est aussi consacré à la nature corpusculaire de la
lumière à travers le photon.
Dans un deuxième chapitre, on traite les propriétés électroniques et optiques des semi-
conducteurs, on va détailler en quelque sorte la structure de bandes des semi-conducteurs ainsi que
les processus radiatifs et non radiatifs dans ces derniers, on détaille ainsi des phénomènes très connus
dans ce monde à savoir l’absorption et l’émission de la lumière.
Dans un troisième chapitre, on va étudier les dispositifs émetteurs de lumières, en se basant
beaucoup plus sur les diodes électroluminescentes LED ainsi que les LASERs, un bref historique
introduit les coefficients d’Einstein et le phénomène d’émission stimulée. Le gain du LASER est
calculé à partir des propriétés des substances actives et du pompage. Le LASER en tant que source
est analysé pour différents types de fonctionnement ainsi que les principales catégories de LASERs.
Les détecteurs optiques à semi-conducteurs sont décrits au chapitre quatre, ces composants sont
utilisés dans les transmissions optiques, en détection infrarouge et dans la capture d’images. Les
composants comme les photorésistances, photodiodes PIN et à avalanche PDA sont étudiées,
phototransistors, cellules photovoltaïques, les afficheurs à cristaux liquides.
Le dernier chapitre traite de l’optique guidée. Les guides optiques rectangulaires sont à la base
de la technologie optique intégrée en très fort développement. Les principales propriétés des fibres
optiques sont abordées comme le caractère multi mode et monomode, la dispersion temporelle et les
phénomènes non linéaires. Les problèmes de raccordement entre fibres optiques sont décrits. Ce
chapitre se termine par quelques exemples de capteurs à fibres optiques.
Le contenu de ce polycopié est enseigné au département d’Électrotechnique de la Faculté des
Sciences et de la Technologie à l’Université Mustapha Stambouli de Mascara. Ce fascicule est
destiné aux étudiants de la troisième année Electronique et d‛autres filières. Le contenu de ce
polycopié est conforme au dernier canevas/programme du module dispositifs optoélectroniques
recommandé et établit par le Ministère de l'Enseignement Supérieur et de la Recherche Scientifique
(MESRS).
J‛espère que ce modeste travail sera utile et bénéfique à tous ceux qui ont à apprendre ou à
enseigner le module dispositifs optoélectroniques.

ii
Résumé

Cet ouvrage est organisé comme suit : Un premier chapitre traite du caractère
électromagnétique de la lumière, l’interaction lumière-semi-conducteur, propriétés de la lumière ainsi
que les différents types d’interaction lumière-matière à savoir : la photoconductivité, photo-
ionisation, photoélectrons ainsi que l’interaction photovoltaïque. Dans un deuxième chapitre, on traite
les propriétés électroniques et optiques des semi-conducteurs. Dans un troisième chapitre, on va
étudier les dispositifs émetteurs de lumières, en se basant beaucoup plus sur les diodes
électroluminescentes LED ainsi que les LASERs. Les détecteurs optiques à semi-conducteurs sont
décrits au chapitre quatre. Le dernier chapitre traite de l’optique guidée. Les guides optiques
rectangulaires sont à la base de la technologie optique intégrée en très fort développement. Les
principales propriétés des fibres optiques sont abordées comme le caractère multi mode et
monomode, la dispersion temporelle et les phénomènes non linéaires. Les problèmes de
raccordement entre fibres optiques sont décrits. Ce chapitre se termine par quelques exemples de
capteurs à fibres optiques.

Mots-clés

Optoélectronique, Lumière, Matière, Semi-conducteur, bandes d’énergies, absorption, émissions,

capteurs de lumières, émetteur de lumière, LASER, LED, Photodiodes, Phototransistors, Fibres
Optiques.

iii
Notations et Abréviations

(lx) Le lux
AlGaAs Aluminium gallium arsenide
APD An avalanche photodiode
AsGa Arsenic de Galium
cd Candela
CDS Cadmium sulfide
CMS Composant Monté en Surface
DEL Diode Electroluminescente
E-M Onde électromagnétique
FDDI Fiber Data Distributed Interface
FDDI Fibre Distributed Data Interface
FIR Far Infra-Red
FPGA Field-Programmable Gate Array
FTTH Fiber to the Home
Ge Germanium
GI Gradient d'indice
GTL Gaine Technique de Logement
HgCdTe Mercury cadmium telluride
InSb Indium antimonide
JGL Jonction Graduelle Linéaire
LASER Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation Light Emitting
LED Diode Electroluminescente
lm Lumens
MIR Mid Infra-Red
MOS Metal Oxide Semiconductor
MQW Multiple Quantum Well
PBO point de branchement optique
PDEL Puissance d’une DEL
PINFET A fin field-effect transistor
PN ions Positif/ions Negatifs
RVB initiales de Rouge-Vert-Bleu
SC Semi-Conducteur
SCH Separate Confinement Heterostructure
Si Silicium
SI saut d'indice
SQW Single Quantum Well
UIT-T (Union Internationale des Télécommunications)
VCSEL Vertical Cavity Surface Emitting Laser
ZCE Zone de Charge d’espace

iv
 Table des matières
Avant-Propos ............................................................................................................................ i
Résumé................................................................................................................................... iii
Mots-clés ................................................................................................................................ iii
Notations et Abréviations ........................................................................................................ iv
Chapitre I: Interaction Lumière-Semi-conducteur
Rappels ................................................................................................................................................ 2
I.1. Propriétés de la lumière et dualité lumière-matière ................................................................. 2
I.1.1. Aspect ondulatoire de la lumière ........................................................................................... 3
I.1.2. Aspect particulaire de la lumière ........................................................................................... 4
a. Qu'est-ce qu'un photon ? ............................................................................................................ 4
I.1.3. Historique et description de la lumière ................................................................................. 5
a. Comment quantifier la lumière ? ................................................................................................ 5
b. Flux lumineux .............................................................................................................................. 5
c. Quantité de lumière .................................................................................................................... 6
d. Intensité lumineuse .................................................................................................................... 6
e. Éclairement ................................................................................................................................. 6
f. Luminance .................................................................................................................................... 7
I.1.4. Phénomènes lumineux .......................................................................................................... 8
a. Spectre électromagnétique ......................................................................................................... 8
b. Source lumineuse........................................................................................................................ 9
c. Types de milieux .......................................................................................................................... 9
d. Système optique ......................................................................................................................... 9
e. Faisceaux lumineux ..................................................................................................................... 9
I.1.5. Différents types d’interactions lumière- matière ................................................................ 10
a. Généralités ................................................................................................................................ 10
Conclusion ......................................................................................................................................... 13
Chapitre II: Propriétés électronique et optique des semi-conducteurs
II.1. Propriétés électroniques des semi-conducteurs..................................................................... 15
II.1.1. Introduction ........................................................................................................................ 15
II.1.2. Jonction PN ......................................................................................................................... 15
a. Jonction abrupte à l’équilibre thermodynamique .................................................................... 16
b. Caractéristiques de la ZCE ......................................................................................................... 18
II.2. Notions sur les bandes d'énergie, absorption et emission ..................................................... 22
 II.2.1. Historique............................................................................................................................ 22
II.2.2. Notions sur les bandes d'énergie ........................................................................................ 23
a. Bandes de conduction, bande de valence et zone interdite ..................................................... 23
Rappels .......................................................................................................................................... 24
Conclusion ..................................................................................................................................... 26
Chapitre III: Emetteurs de lumière
III.1. Introduction............................................................................................................................ 28
III.2. Rappels ................................................................................................................................... 28
III.2.1. Jonction P-N à l'équilibre ....................................................................................................... 28
III.3. Emetteurs de lumière ............................................................................................................. 28
III.3.1. Matériaux semi-conducteurs pour les émetteurs de lumières ......................................... 29
a. Rendement interne d’électroluminescence ............................................................................. 29
b. Jonctions semi-conductrices pour émetteurs........................................................................... 30
c. Gain et spectre d'électroluminescence du milieu semi-conducteur......................................... 30
III.4. Diodes électroluminescentes (LED (Ligh Emetting Diode)) .................................................... 32
III.4.1. Caractéristiques principales ............................................................................................... 32
III.4.2. Diodes Electroluminescentes DEL ...................................................................................... 34
a. Rendement externe d’une DEL ................................................................................................. 35
b. Caractéristiques d'une DEL ....................................................................................................... 36
c. Différents types de LEDs émettant dans le domaine visible ..................................................... 37
d. Applications des DELs ............................................................................................................... 38
e. Avantages et inconvénients ...................................................................................................... 39
III.5. Diodes LASERs ........................................................................................................................ 39
III.5.1. Structure des Diodes LASERs ............................................................................................. 40
a. Guidage par le gain et guidage par l'indice ............................................................................... 40
b. Structures à puits quantiques ................................................................................................... 41
c. Amplification de la lumière dans une diode LASER ................................................................... 42
III.5.2. Différents types de LASER .................................................................................................. 45
a. LASERs à solide .......................................................................................................................... 45
b. LASERs à fibre ............................................................................................................................ 45
c. LASERs à semi-conducteur ........................................................................................................ 45
d. LASERs à Gaz ............................................................................................................................. 45
e. Matériaux utilisés pour les diodes LASERs ................................................................................ 45
III.5.4. Application des Diodes LASERs .......................................................................................... 46
 a. Diodes LASER en Télécommunications ..................................................................................... 46
b. Répéteurs .................................................................................................................................. 46
c. Diodes LASER de pompe............................................................................................................ 47
d. LASERs VCSEL ........................................................................................................................... 47
Conclusion ......................................................................................................................................... 47
Chapitre IV: Détecteurs de lumière
Introduction ...................................................................................................................................... 50
IV.1. Détecteurs de lumière à semi-conducteurs ........................................................................... 50
IV.1.1. Absorption dans les semi-conducteurs ............................................................................. 50
a. Matériaux semi-conducteurs utilisés pour ces détecteurs ....................................................... 50
b. Coefficient d’absorption et sensibilité des détecteurs ............................................................. 51
c. Sensibilité .................................................................................................................................. 52
IV.2. Photo détecteurs ................................................................................................................... 53
IV.2.1. Photoconducteurs ............................................................................................................. 53
IV.2.2. Photodiodes ....................................................................................................................... 54
a. Photodiode PIN ......................................................................................................................... 55
b. Photodiode à avalanche PDA .................................................................................................... 57
c. Photodiode Schottky ................................................................................................................. 59
d. Le phototransistor..................................................................................................................... 59
IV.2.2.5. Cellule solaire Photovoltaïque ........................................................................................ 61
f. Afficheurs à cristaux liquides (afficheurs LCD: Liquid Cristal Display) ....................................... 67
g. Photomultiplicateur .................................................................................................................. 68
h. Capteurs d’images..................................................................................................................... 69
Conclusion ......................................................................................................................................... 70
Chapitre V: Fibres optiques
V.1. Introduction ............................................................................................................................ 72
V.2. Constitution et principe de transmission ................................................................................ 73
V.3. Technologie de la fibre optique .............................................................................................. 74
V.4. Types de fibres optiques ......................................................................................................... 74
V.4.1. Fibre mono mode ............................................................................................................... 75
V.4.2. Fibre multi mode ................................................................................................................ 75
V.5. Propriétés d’une fibre optique................................................................................................ 76
V.5.1. Condition de guidage dans une fibre .................................................................................. 76
V.5.2. Ouverture numérique d’une fibre optique : (ON) .............................................................. 77
 V.5.3. Longueur d’onde de coupure ............................................................................................. 78
V.5.4. Atténuation du signal ......................................................................................................... 78
V.5.5. Dispersion ........................................................................................................................... 80
V.5.6. Bande passante d’une fibre optique .................................................................................. 81
a. Signal analogique ...................................................................................................................... 81
b. Signal numérique ...................................................................................................................... 82
V.6. Raccordement entre fibres optiques ...................................................................................... 83
V.6.1. Types de raccordements..................................................................................................... 83
a. Soudure optique........................................................................................................................ 84
b. Raccordement FTTH : les prises terminales optiques ............................................................... 84
c. Brassage optique ....................................................................................................................... 85
V.6.2. Pertes aux raccordements .................................................................................................. 85
V.6.3. Quelques connecteurs optiques ......................................................................................... 86
a. Connecteur ST ........................................................................................................................... 86
b. Connecteur SC ........................................................................................................................... 86
c. Connecteur MIC......................................................................................................................... 86
d. Connecteur Souriau .................................................................................................................. 86
e. Connecteur VFO ........................................................................................................................ 86
f. Connecteur MPO ....................................................................................................................... 87
Conclusion ......................................................................................................................................... 87
Références ........................................................................................................................................ 88
 Chapitre I:
Interaction
lumière-semi-conducteur
Chapitre I: Interaction lumière-semi-conducteur
Rappels
Avant d’examiner attentivement les interactions lumière-matière, nous proposons ci-dessous un
rappel des automatismes employés pour représenter la lumière. Logiquement, décrite par les formules
de Maxwell, la lumière est constituée d’ondes électromagnétiques combinées aux relations
constitutives caractérisant le milieu dans lequel elle se répand.

Lumière = onde électromagnétique Equations de Maxwell

Dans le vide :

La combinaison des deux équations de Maxwell donne la formule d’onde dont le résultat le
plus simple est une onde périodique progressive (onde de propagation) défini par un vecteur d’onde
attaché à la fréquence par la vitesse de la lumière c. Comme l’équation d’onde est une équation
linéaire, toutes ses résultats peuvent être séparés en somme de telles ondes périodiques (ou modes
électromagnétiques). Les ondes sont analysées ici en figure complexe symbolique.

L’énergie transportée par l’onde E est donnée par le vecteur de Poynting 𝑆 = 𝐸 𝑥 𝐻 et est donc
simplement proportionnelle au carré de l’amplitude du champ. Comme l’amplitude A peut avoir
n’importe quelle valeur, l’énergie de l’onde électromagnétique (E-M) de pulsation donnée 𝜔, est une
quantité qui peut varier de manière continue.

I.1. Propriétés de la lumière et dualité lumière-matière

La conception corpusculaire de la lumière s’oppose à une conception ondulatoire, comme celle
de Christiaan Huygens ou de Robert Hooke qui estimaient la lumière comme une vibration
transversale, analogue à la vibration d’une corde. Après leur analyse des phénomènes d’interférence
et de diffraction Thomas Young et Augustin Fresnel établirent une base cohérente à cette conception
ondulatoire qui se compléta dans la seconde moitié du XIX ème siècle, lorsque James Clerk Maxwell
proposé des équations portant son nom, qui présentaient la lumière comme une onde

2
électromagnétique formée par un champ électrique et un champ magnétique, oscillant et se
propageant dans l’espace à une grande vitesse, de l’ordre de 300.000 kilomètres par seconde.
Ainsi, à la fin du XIXème siècle, la théorie électromagnétique paraissait confirmer de manière
certaine la double nature de la lumière et donnait un premier exemple de théorie unifiée, permettant
de d’analyser par les mêmes équations des phénomènes aussi changeants que l’électricité, le
magnétisme, les ondes radio ou lumineuses.

Figure I.1. Aspects Ondulatoire et Corpusculaire de la lumière.

Quelques manifestations ne peuvent être expliquées qu'en considérant leurs spécificités

ondulatoires et particulaires. Ces deux phénomènes ne s'opposent pas, ils sont complémentaires.
L’observation du phénomène ondulatoire correspond à l'étude du flux de particules, et, l'aspect
corpusculaire correspond à celui d’une particule distinctive constituant ce flux. La lumière en est
l'exemple le plus connu. Il n'est pas possible de considérer la lumière comme un phénomène
exclusivement ondulatoire ou particulaire, chaque description est incomplète sans l'autre. En fonction
des phénomènes étudiés, on ne considérera que l'un ou l'autre de ces aspects.

I.1.1. Aspect ondulatoire de la lumière

Jusqu'au début du XXème siècle, la lumière était une onde. Les arguments en faveur de la nature
ondulatoire de la lumière étaient aussi bien théoriques que pratiques:
 James Clerk Maxwell (physicien et mathématicien écossais) démontra, grâce aux équations qui
portent son nom, que la lumière était une onde électromagnétique.
 De nombreux phénomènes tels que les interférences et la diffraction ne peuvent être expliqués
que si la lumière est une onde.
 Ainsi, comme toute onde, la lumière est définie par une célérité, une longueur, une période et
donc une fréquence.
La lumière correspond aux ondes électromagnétiques de longueurs d'ondes visibles par l’œil
humain. La couleur perçue par l’œil dépend de cette longueur d'onde.

3
 Figure I.2. L’aspect ondulatoire de la lumière est à l'origine de phénomènes d'interférences.

I.1.2. Aspect particulaire de la lumière

Au début du XXème siècle, l'étude des interactions de la lumière avec la matière amène à la
découverte d’un certains nombres de phénomènes qui ne peuvent pas être expliqués par la nature
ondulatoire.
Einstein interpréta l'effet photoélectrique (émission d'électrons par une matière exposée à une
lumière ou un autre rayonnement électromagnétique). Il posa comme l'hypothèse que l'énergie de la
lumière est quantifiée et que chaque quanta d'énergie est associé à une particule de lumière qui fut
nommée "photon". Ainsi, certains phénomènes nécessitent de considérer que la lumière est composée
d'un flux de photons.
L'aspect corpusculaire de la lumière explique sa faculté à se propager dans le vide, ce qui n'est
pas le cas d'une onde mécanique (déplacement de la déformation de la matière uniquement, pas de
propagation dans l'espace).

a. Qu'est-ce qu'un photon ?

Un photon correspond à un quantum d'énergie électromagnétique qui présente des
caractéristiques particulaires. C'est à dire qu'ils sont capables d’interagir avec d'autres particules
élémentaires. Cependant, à la différence de nombreuses particules élémentaires, il n'a pas de masse.
L’énergie déployée par un photon est caractérisée de la manière suivante :
𝑬 = 𝒉. 𝒗 (I.1)

Avec :
E est l'énergie en joules
h, la constante de Planck en 6.63.10-34 J.s
ν, la fréquence de l'onde en hertz
Ainsi, l'énergie d'un photon est inversement proportionnelle à sa longueur d'onde. Plus la
longueur d'onde est faible plus l'énergie est grande. Ainsi un rayonnement rouge est moins
énergétique qu'un rayonnement violet.

4
 I.1.3. Historique et description de la lumière
Dès le XVIème siècle les savants étudiant la lumière se disputent deux théories qu'ils pensent
opposées :
 La lumière est un phénomène ondulatoire. Cette thèse est défendue par Christian Huygens
(mathématicien, astronome et physicien néerlandais). Théorie qu'il publia dans le traité de la
lumière.
 La lumière est un phénomène corpusculaire. Cette théorie proposée pour la première fois par
Pierre Gassendi (mathématicien, philosophe et astronome français) au début du XVIème siècle et
très fortement défendue par Isaac Newton (philosophe, mathématicien, physicien, alchimiste,
astronome anglais).
 Du fait de la grande renommée de Newton, la théorie corpusculaire fut alors privilégiée par le
monde scientifique de l'époque pendant environ un siècle. Cependant devant l'incapacité de la
théorie corpusculaire à expliquer les phénomènes de diffraction, d'interférences ou encore de
polarisation, cette théorie fut mise de côté au profit de la description ondulatoire proposée par
Huygens.
 Cette théorie est renforcée par les travaux de Thomas Young (physicien et médecin britannique)
sur la diffraction et interférences de la lumière (fentes de Young), ainsi que les travaux d'Augustin
Fresnel (ingénieur et physicien français) sur la polarisation de la lumière.
 Ce n'est qu'à la fin du XVIème siècle que Maxwell démontre formellement les caractéristiques
ondulatoires de la lumière.
La théorie corpusculaire jusqu'alors mise de côté, est finalement revalorisée par Albert Einstein
(physicien théoricien d'origine allemande) grâce aux connaissances en physique quantique
notamment. Ce n'est qu'à ce moment-là, finalement assez récemment, que le monde scientifique
reconnait la dualité onde corpuscule de la lumière.

a. Comment quantifier la lumière ?

Les caractéristiques de l'onde lumineuse sont étudiées en optique géométrique et ondulatoire.
La photométrie, quant à elle, s’attelle à la caractérisation de l'intensité lumineuse.

b. Flux lumineux
Le flux lumineux est la grandeur photométrique qui caractérise la puissance lumineuse d'une
source, telle qu'elle est perçue par l'œil humain. Le flux lumineux est le flux énergétique, c'est-à-dire
la puissance électromagnétique rayonnée, pondéré par la sensibilité de l'œil humain, normalisée par la
fonction d'efficacité lumineuse spectrale, aux différentes longueurs d'onde.

5
 En effet, un rayonnement électromagnétique monochromatique produit une sensation visuelle
d'intensité très variable selon la longueur d'onde, et une sensation nulle en dehors du spectre visible.
Les rayonnements invisibles pour l’œil humain, tels que les infrarouges et ultraviolets, qui peuvent
pourtant cumuler une puissance rayonnée considérable dans de nombreux cas, n'ont aucune influence
dans le calcul ou la mesure du flux lumineux. D’une manière très simplifiée, on peut résume le flux
lumineux dans la figure suivante.
Tableau I.1. Flux lumineux.

c. Quantité de lumière
Cela correspond à un flux lumineux détecté par l’œil par unité de temps. Son unité est donc le
lumen seconde (lm.s). Elle tient compte de la sensibilité de l’œil qui diffère selon la longueur d'onde.
Elle correspond à un nombre de photon sauf que les photons ne sont pas équivalents suivant leur
longueur d'onde. Certaines longueurs d'ondes sont vues plus intensément que d'autres (l’œil humain
est très sensible aux longueurs d'ondes vert-jaune), et certaines pas du tout (infrarouge,
ultraviolets…).

d. Intensité lumineuse
L’intensité lumineuse exprime la capacité à éclairer d'une source de lumière. Il s'agit de la
grandeur de base de la photométrie, discipline scientifique qui étudie les caractéristiques des sources
lumineuses telles qu'elles sont perçues par l’œil humain. Dans le domaine de l'éclairage, on préfère
souvent indiquer le flux lumineux pour quantifier les performances d'une
ampoule. Il est cependant intéressant de connaître la notion d'intensité
lumineuse, et la notion d'éclairement qui en découle directement.
Cela permet en effet de choisir le type d'ampoule LED le mieux
adapté à une situation donnée. Une bougie éclaire avec une intensité
horizontale d'environ 1 candela.

e. Éclairement
L’éclairement lumineux est la grandeur définie par la photométrie correspondant à la sensation
humaine sur la manière dont une surface est éclairée. Pour qu'un objet qui ne produit pas de lumière

6
par lui-même soit visible, il faut qu'il reçoive de la lumière. Plus il en reçoit, plus il est clair, et visible
distinctement. La photométrie définit rigoureusement la lumière reçue, afin de pouvoir calculer cette
grandeur, connaissant l'intensité lumineuse des sources de lumière, leur distance et leur direction.
L'éclairement lumineux est la seule grandeur photométrique directement mesurable. Dans le
Système international d'unités, il s’exprime en lux (lx).
Tableau I.2. Eclairement lumineux.

f. Luminance
La luminance est une mesure photométrique de l'intensité lumineuse par unité de surface de
lumière voyageant dans une direction donnée. Il décrit la quantité de lumière qui traverse, est émise
ou réfléchie par une zone particulière et se situe dans un angle solide donné. La luminosité est le
terme pour l’impression subjective de l’étalon de mesure de luminance objectif.
L'unité SI pour la luminance est la candela par mètre carré (𝑐𝑑/𝑚2 ), telle que définie par le
système international d'unités pour le système métrique moderne. Pour bien illustrer cette mesure, ci-
joint une bougie de type chauffe-plat, imagée avec une caméra à luminance; les fausses couleurs
indiquent les niveaux de luminance par la barre de droite.

Figure I.3. Luminance.

7
 I.1.4. Phénomènes lumineux
C’est l’ensemble des phénomènes au quels l’œil est sensible. Pour être visible un objet doit
pouvoir faire parvenir de la lumière à l’œil.

a. Spectre électromagnétique
Le spectre électromagnétique est le classement des rayonnements électromagnétiques par
fréquence, longueur d'onde dans le vide.

Figure I.4. Régions approximatives en fréquence et en longueur d'onde du spectre électromagnétique.

Domaine Visible

Figure I.5. Applications dans le domaine visible du spectre électromagnétique.

8
 b. Source lumineuse
Source primaire : Emet elle-même de la lumière ; Exemple : Lampe, soleil, bougie.
Source secondaire : Réfléchir de la lumière ; Exemple : Miroir, line.
Remarque : La lumière se propage dans un milieu transparent.

c. Types de milieux
Milieux transparent : On voit nettement les objets ; Exemple : Air, eau, verre.
Milieu opaque : on ne voit pas les objets ; Exemple : Mur, bois, carton.
Milieux translucide : laisse passer la lumière mais on ne voit pas nettement ; Exemple : Verre dépoli.

d. Système optique
C’est l’ensemble des milieux transparents d’indices de réfractions différents séparés par des
dioptres pan ou sphérique.

Figure I.6. Milieux transparents d’indices de réfractions différents séparés par des dioptres sphériques.

e. Faisceaux lumineux
C’est l’ensemble des rayons lumineux.
Un faisceau lumineux est constitué d'un ensemble de rayons. Il peut être :
 Parallèle si les rayons qui le constituent sont parallèles,
 Convergent si les rayons qui le constituent, convergent vers un même point,
 Divergent si les rayons qui le constituent, semblent provenir d'un même point.

Figure I.7. Différentes formes d’un Faisceau lumineux.

9
 I.1.5. Différents types d’interactions lumière- matière

a. Généralités

Types de rayonnement
On distingue trois types de rayonnement:
 Rayonnement électromagnétique ou photons; comme rayonnement gamma, rayonnement X
et la lumière, ...etc.
 Particules chargées; comme les protons, particules alpha, ...etc.
 Particules non chargées; comme les neutrons, faisceaux d’atomes ou de molécules, ...etc.

Rayonnement ionisant et non ionisant

Un rayonnement particulaire ou électromagnétique est ionisant lorsqu'il est susceptible
d'arracher des électrons de la matière. Pour cela, il est nécessaire que l'énergie individuelle des
particules ou des photons soit supérieure à l'énergie de liaison minimale des électrons du milieu
considéré.

Interaction avec la matière

Figure I.8. Interaction photo-matière.

Quand un rayonnement passe à travers la matière, il peut y avoir les interactions suivantes:
 Interactions avec l’atome pour un rayonnement dont la longueur d’onde est de l’ordre de la
dimension de l’atome (quelques angströms). Dans la majorité des cas l’interaction se fait avec les
électrons atomiques, comme par exemple; l’effet photoélectrique ou l’effet de Compton.
 Interactions avec le noyau atomique pour un rayonnement de longueur d’onde de l’ordre de la
dimension du noyau (quelques fermis), c’est le cas des réactions nucléaires.
 Interactions avec les nucléons, pour un rayonnement d’énergie élevée, c’est le cas des
bombardements des particules dans les accélérateurs de particules de haute énergie.

10
 D’une manière générale; chaque interaction a une certaine probabilité de se produire. Cette
probabilité dépend de la nature et de l’énergie du rayonnement.
En ce qui concerne le développement de notre cours (Suivant le canevas), on va s’intéresser à
quatre interactions lumière – matière à savoir la photoconductivité, la photo-ionisation, photoélectron
ainsi que le phénomène photovoltaïque.

Photoconductivité
La photoconductivité survient chaque fois que la résistance électrique d'un corps varie lorsqu'on
l'éclaire avec un rayonnement électromagnétique appartenant à tous les domaines du spectre
lumineux (domaine visible, ultra-violet et infrarouge). Ce phénomène s'observe sur les matériaux
semi-conducteurs hautement résistifs. Une lumière avec une fréquence (donc une énergie) suffisante
va restituer suffisamment d'énergie aux électrons de la bande de valence pour atteindre la bande de
conduction. Les électrons résultants et leurs trous associés vont permettre la conductivité électrique,
donc la diminution de la résistance.
Un matériau photoélectrique peut l'être de manière intrinsèque ou extrinsèque. Dans le 1 er cas,
seuls les électrons dans la bande de valence du matériau pourront être excités, et un photon doit avoir
suffisamment d'énergie pour exciter les électrons à travers la bande interdite. Dans le 2 eme cas, des
impuretés sont ajoutées au matériau, celles-ci possédant un état énergétique proche de celui de la
bande de conduction. Cela a pour effet de faciliter le transfert des électrons, et le matériau a besoin de
photons moins énergétiques, donc une longueur d'onde plus grande, et une plage d'utilisation plus
importante.
Les applications de cette photoconductivité sont multiples, on peut citer par exemple les
capteurs de luminosité.

Photo-ionisation
La photo ionisation est le processus physique dans lequel un ion est formé à partir de
l'interaction d'un photon avec un atome ou une molécule, pour être plus explicite, La photo ionisation
est le processus qui fait briller des filaments autrefois invisibles dans l'espace lointain.

Figure I.9. La photo ionisation dans l’espace.

11
 Toutes les interactions entre un photon et un atome ou une molécule ne se traduiront forcement
pas par une photo ionisation. La probabilité de photo ionisation est liée à la section efficace de photo
ionisation de l'espèce, qui dépend de l'énergie du photon (elle est proportionnelle à son nombre
d'onde) et de l'espèce considérée. Dans le cas des molécules, la section efficace de photo ionisation
peut être estimée par examen des facteurs de Franck-Condon entre une molécule à l'état fondamental
et l'ion cible. Pour les énergies photoniques inférieures au seuil d'ionisation, la section efficace de
photo ionisation est proche de zéro. Mais avec le développement des lasers pulsés, il est devenu
possible de créer une lumière extrêmement intense et cohérente où une ionisation multi-photon peut
se produire.

Figure I.10. La photo ionisation au niveau d’une particule.

On trouve aussi l’ionisation multi-photons, dans ce cas-là, Plusieurs photons d'énergie en

dessous du seuil d'ionisation peuvent en fait combiner leurs énergies pour ioniser un atome. Cette
probabilité décroît rapidement avec le nombre de photons requis, mais le développement de lasers
pulsés très intenses le permet toujours. Dans le régime perturbateur la probabilité d'absorption de N
photons dépend de l'intensité de lumière laser 𝐼 en 𝐼 𝑁 . Pour des intensités plus élevées, cette
dépendance devient invalide en raison de l’effet AC Stark qui se produit alors.

Photoélectron
L’effet photoélectrique désigne en premier lieu l'émission d'électrons par un matériau soumis à
l'action de la lumière. Par extension, il regroupe parfois l'ensemble des phénomènes électriques d’un
matériau provoqué par l'action de la lumière. On distinguera alors deux effets : des électrons sont
éjectés du matériau (émission photoélectrique) et une modification de la conductivité du matériau
(photoconductivité, effet photovoltaïque lorsqu'il est en œuvre au sein d'une cellule photovoltaïque).
Lorsque l'effet photoélectrique se manifeste, toute l'énergie du photon incident se transmet à
l'électron des couches profondes. Une quantité d'énergie minimale est nécessaire pour extraire
l'électron de l'atome, l'énergie excédentaire est transmise à l'électron sous forme d'énergie cinétique.

12
 Figure I.11. Un schéma montrant l'émission d'électrons depuis une plaque métallique. L'émission de
chaque électron (particules rouges) requiert une quantité minimale d'énergie, laquelle est apportée par un photon
(ondulations bleues).

Pour simplifier les choses, on peut dire que l’effet photoélectron se provoque lorsqu’une onde
électromagnétique (Lumière) incidente éjecte des électrons d’un matériau donné, figure I.12.

Figure I.12. Une onde électromagnétique incidente éjecte les électrons d’un matériau.

Photovoltaïque
La photovoltaïque est la conversion de la lumière en électricité à l'aide de matériaux semi-conducteurs
qui présentent l'effet photovoltaïque, un phénomène étudié en physique, en photochimie et en
électrochimie. L'effet photovoltaïque est utilisé commercialement pour la production d'électricité et
comme capteurs photoélectriques.

Conclusion
D’après ce qu’on a vu jusqu’à maintenant, c’est que la lumière est considérée comme un
phénomène ondulatoire-corpusculaire, donc caractérisée par sa longueur d’onde (qui définit la
couleur dans le spectre électromagnétique. De façon générale, les atomes ont tendance à s’associer
pour former des molécules stables par mise en commun d’électrons. Lorsque la lumière arrive sur la
matière, ces atomes et molécules peuvent réagir de diverses manières. Nous avons présenté dans ce
chapitre une étude générale sur la lumière autant qu’une onde (Aspect Ondulatoire) et un photon
(Aspects Corpusculaire) où on a détaillé beaucoup plus les propriétés de la lumière (Flux lumineux,
flux luminance, spectre électromagnétique…) ainsi que les différents types d’interactions lumière –
matière (photoconductivité, photo-ionisation, photoélectron, photovoltaïque).

13
 Chapitre II:
Propriétés électronique et
optique des semi-conducteurs
Chapitre II: Propriétés électronique et optique des semi-conducteurs
II.1. Propriétés électroniques des semi-conducteurs
II.1.1. Introduction
Ce chapitre est consacré à un rappel des principes de base de la physique de semi-conducteurs.
Nous passons brièvement en revue les modèles de l'électron. Ceci nous permet d'introduire les
concepts de base de la physique des semi-conducteurs tels que la structure de bande des diagrammes
d'énergie. Des notions, utiles pour la compréhension des interactions lumière-matière.
Cette partie traite entre autres les interactions entre lumière et semi- conducteur, on va détailler
en quelque sorte les dispositifs électroniques à base de semi-conducteurs ainsi que les aspects
physiques de la lumière. On traite aussi les jonctions PN (Révision pour les étudiants) qui sont
primordiale pour la bonne compréhension de la suite des interactions entre la lumière et les semi-
conducteurs.

II.1.2. Jonction PN
Une jonction PN correspond à la réunion de deux semi-conducteurs, l’un dopé type N
(contenant des électrons libres) et l’autre dopé type P (contenant des trous (emplacements libres))
tous deux électriquement neutres.
Lors de cette mise en contact, les électrons de la zone N sont dirigés vers la zone P car les
électrons sont attirés par la zone « P » Positive (zone P) et compensent les trous existant dans cette
zone par phénomène de diffusion (et inversement, les trous de la zone P sont entraînés vers les
électrons de la zone N) se neutralisant les uns les autres.

Figure II.1. Jonction PN à l’équilibre.

Une jonction PN est réalisée par la juxtaposition de deux régions de types différents soit du
même semi-conducteur, soit de deux semi-conducteurs différents.

Figure II.2. Différentes Variétés de Jonction PN.

15
 Dans le modèle unidimensionnel, la distribution des impuretés dans une jonction sera étudiée
uniquement selon un axe Ox. La figure 2.3, nous montre trois sortes de jonctions (Jonction réelle,
abrupte et graduelle) :

Figure II.3. Profil de dopage dans une jonction PN.

 Une jonction abrupte où le passage de la région N à la région P se fait d’une façon brutale dans le
plan 𝑥𝑗 , le passage de la région P à la région N s'effectue sur une épaisseur infiniment fine.
 Une jonction graduelle (ou progressive) où le passage de la région N à la région P se fait d’une
manière graduelle, un cas intéressant de ce type de jonction, est la jonction graduelle linéaire
(JGL).
 Dans le cas d’une jonction abrupte, on peut parler de plan de jonction, plan où le semi-conducteur
change de type.

a. Jonction abrupte à l’équilibre thermodynamique

Avant la réalisation de la jonction, les deux matériaux P et N étaient quasi-neutres
électriquement, la figure II.4 illustre cela :

Figure II.4. Modèle représentant la neutralité électrique dans les matériaux SC(P) et SC(N).

16
 Quand on réalise la jonction PN, les trous majoritaires dans la région P diffusent dans la région
N où ils sont minoritaires et les électrons majoritaires dans la région N diffusent dans la région P :
c’est un régime transitoire.
Les trous et les électrons diffusés de part et d’autre de la jonction laissent derrière eux des
charges fixes non compensées : des charges côté P et des charges  côté N, ce qui donne naissance à
une zone de charge d’espace (ZCE).

Figure II.5. Jonction PN : Formation de la ZCE.

La zone ZCE est dépourvu de porteurs libres (hypothèse de Schokley)*, elle est constituée
d’ions donneurs et accepteurs non compensés. Ces ions créent donc un champ électrique qui va
s’opposer à la diffusion de porteurs libres majoritaires de part et d’autre de la jonction, donc au
courant des majoritaires IM orienté de P vers N. Par contre ce champ favorise le passage de porteurs
minoritaires (charges minoritaires très proche de la jonction) à travers la ZCE, donnant lieu à un
courant de minoritaires Im orienté de N vers P, figure II.6.
L’équilibre de la jonction qui se traduit par un courant des minoritaires Im égale et opposé au
courant des majoritaires IM (IM=Im) est atteint par l’établissement d’une barrière de potentiel constante
Vd au niveau de la zone de charge d’espace ZCE, figure II.7.

Figure II.6. Jonction PN en régime transitoire.

17
 Figure II.7. Jonction PN en régime d’équilibre.

Hypothèses de Schokley:

 La densité des charges mobiles dans la ZCE est négligeable devant la densité des charges fixes.
On admet qu'il n'y a pas de charges mobiles dans la ZCE. C'est l'hypothèse de la zone totalement
désertée de porteurs majoritaires.
 La ZCE s'étend : de - xp à 0 du côté "P" et de 0 à xn du côté "N"
W = xp + xn : épaisseur de la ZCE en m
 Aux plans x = -xp et x = xn le semi-conducteur passe brutalement de l'état neutre à l'état déserté.

b. Caractéristiques de la ZCE

Charge d’Espace
Essayons maintenant de déterminer la densité de charge électrique existant
dans le domaine [-xP, xN]. La zone chargée négativement s’étend du point x=0 à x=-xP du côté P et la
zone chargée positivement s’étend du point x=0 à x=xN du côté N. La densité de charge totale en un
point x est donnée par :
(x)  e p(x)  n(x)  ND (x)  N A (x) (II.1)

Si nous considérons que les concentrations de dopage ND et NA sont uniformes dans tout le
volume des semi-conducteurs N respectivement P, nous aurons:
𝒙 < −𝒙𝑷 𝒆𝒕 𝒙 > 𝒙𝑵 ∶ (𝒙) = 𝟎
−𝒙𝑷  𝒙 < 𝟎 ∶ (𝒙) = − 𝒆𝑵𝑨 (II.2)

𝟎 < 𝒙  𝒙𝑵 ∶ (𝒙) = 𝒆𝑵𝑫

On peut illustrer ces trois équations en un tracé dit tracé de la densité de charge volumétrique
(x) est donné par la figure II.8:

18
 Figure II.8. Densité de charge volumique.

Diagramme d’énergie dans une jonction PN

Les concentrations de porteurs de charges côté N de la jonction sont données par:
𝑬𝒄𝒏 −𝑬𝑭
𝒏𝒏 = 𝑵𝒄 . 𝒆𝒙𝒑 − (II.3)
𝑲𝑻

Et
𝑬𝒄𝒑 −𝑬𝑭
𝒏𝒑 = 𝑵𝒄 . 𝒆𝒙𝒑 − 𝑲𝑻
(II.4)
Avec : K est la constante de Boltzmann
T est la température (en Kelvin)
De même, nous avons :
𝑬𝒄𝒏 = −𝒆𝑽𝒏 (II.5)
Et
𝑬𝒄𝒑 = −𝒆𝑽𝒑 (II.6)

Ce qui donne :

𝑲𝑻 𝑵𝑨 𝑵𝑫
𝑽𝒏 − 𝑽𝒑 = 𝑽𝒅 = . 𝒍𝒐𝒈 (II.7)
𝒆 𝒏𝟐𝒊

Figure II.9. Diagramme d’énergie dans une jonction PN à l’équilibre thermodynamique.

19
 Densité de porteurs de charges aux limites de la ZCE

𝒏𝟐𝒊
- Dans la région N, nous avons nn  ND et Pn=
𝑵𝑫
𝒏𝟐𝒊
- Dans la région P, nous avons Pp  NA et np=
𝑵𝑨

Et en tenant compte de l’expression de Vd, nous aurons:

𝒆 𝑽𝒅
Pn= Pp .exp − (II.8)
𝑲𝑻

Et
𝒆 𝑽𝒅
np= nn .exp − (II.9)
𝑲𝑻

Par conséquence, on peut dire que toute variation du potentiel V d entraîne une variation des
densités de porteurs minoritaires aux limites de la ZCE.

Jonction PN polarisée

Polarisation directe : Va > 0

Si la tension passe de la zone N à la zone P, la jonction est alimentée en sens direct.

Figure II.10. Jonction polarisée.

En simplifiant la figure II.10, on obtient :

Figure II.11. Figure simplifiée d’une jonction polarisée.

On peut dire que les parties P et N sont des conducteurs, donc la quasi-totalité de la tension Va
se trouve appliquée au niveau de la zone de charge d’espace (ZCE). Sur les figures II.12.a ainsi que la
figure II.12.b, nous représente le diagramme de potentiel ainsi que le diagramme d’énergie:

20
 Figure II.12.a. Diagramme de potentiel dans une jonction PN polarisée.

Figure II.12.b. Diagramme d’énergie dans une jonction PN polarisée.

A partir d’une barrière de potentiel Vd’= Vs (la tension de seuil), les électrons majoritaires dans N
transitent facilement vers la partie P et les trous majoritaires dans P transitent facilement dans N;
conséquence, nous aurons un courant de diffusion Id des électrons et des protons :

𝑰𝒅 = 𝑰𝒅𝒆 + 𝑰𝒅𝒑 (II.10)

Avec Id est appelé courant direct de la jonction PN.

Polarisation inverse : Va < 0

Si la tension passe de la zone P à la zone N, la jonction est alimentée en sens inverse.

Figure II.13. Jonction PN polarisée en Inverse.

a. Courant traversant la ZCE

L’expression de courant établit ci- dessus restera valable:

𝒒 𝑽𝒂
𝑰𝒅 = 𝑰𝒔 . ( 𝒆𝒙𝒑 − 𝟏) (II.11)
𝑲𝑻

21
 La polarisation est négative, Va < 0, ce qui donne : 𝐼𝑑  𝐼𝑖  𝐼𝑠 (nA), le courant inverse 𝐼𝑖 n’est
que le courant de saturation de la diode en valeur absolue, il est donc quasi-indépendant de la tension
de polarisation Va.

b. Claquage de la jonction PN

Si on continue à augmenter la tension de polarisation inverse Va jusqu’à une certaine valeur Vc:
appelée tension de claquage (breakdown voltage en Anglais), le courant inverse croît très
brusquement : c’est le phénomène de claquage inverse, la figure II.14 illustre cela :

Figure II.14. Claquage inverse de la jonction PN.

Ce claquage peut être destructif si on ne limite pas l’augmentation du courant inverse par un
élément extérieur, tel qu’une résistance par exemple.

II.2. Notions sur les bandes d'énergie, absorption et emission

II.2.1. Historique

Albert Einstein 1879-1955 Niels Bohr 1885-1962 Paul Dirac 1902-1984

Emission stimulée. Traitement quantique de Fondements de
l'interaction matière l'électrodynamique
rayonnement. quantique, règle d'or de Fermi.

22
 Edward Purcell Enrico Fermi 1901–1954 Edwin Jaynes
1912-1997 1922–1998
Effet Purcell. Règle d'or de Fermi. Modèle de Jaynes-Cummings.

L'émission spontanée et l'absorption sont les deux mécanismes d'interaction entre la matière et
la lumière en 1916, Einstein calculant l'équilibre thermodynamique entre les niveaux excités d'un
atome placé dans ce même corps noir et le champ électromagnétique en présence est conduit à
postuler l'existence d'un nouveau mécanisme d'émission lumineuse, l'émission stimulée. Ce qui
donnera naissance cinquante ans plus tard au premier dispositif à émission stimulée, le maser dans les
micro-ondes (1952-1954) et dans les longueurs d'ondes optiques en 1960 : le LASER.
Au début du XXème siècle, les nouveaux outils théoriques de l'électrodynamique quantique
permettent de mieux comprendre ces mécanismes et de prédire les valeurs numériques de nombreux
paramètres (temps de vie, force d'oscillateur, etc.…). Paradoxalement, alors que l'absorption et
l'émission stimulée peuvent se comprendre dans le cadre d'une théorie semi-classique, l'émission
spontanée se révélera être un effet complètement quantique.

II.2.2. Notions sur les bandes d'énergie

a. Bandes de conduction, bande de valence et zone interdite

Dans un atome isolé, les électrons sont répartis sur différentes couches correspondant à des
niveaux d’énergie quantifiés (programme de seconde: couches K, L, M).
Dans un cristal, les niveaux d’énergie des atomes le constituant « se chevauchent » et se
mélangent de sorte que les niveaux d’énergie accessibles aux électrons sont beaucoup plus larges et
constituent ce qu’on appelle des « bandes » d’énergie (chaque bande est en fait constituée de
multiples niveaux d’énergie discrets autorisés).

23
Rappels
Les atomes sont constitués de niveaux énergétiques discrets.
 La bande de valence dans laquelle les électrons ne font que participer aux liaisons inter atomiques
conférant au cristal sa solidité.
 La bande de conduction dans laquelle les électrons sont libres de se mouvoir et de conduire ainsi
un courant électrique.
 La bande interdite séparant les bandes de valence et de conduction dans laquelle on ne trouve
aucun électron (pas de niveau d’énergie).
Un matériau est conducteur, isolant ou semi-conducteur selon le remplissage de ces bandes :
 Conducteur : la bande de conduction est partiellement remplie et ces électrons peuvent en
présence d’un champ électrique acquérir une énergie supplémentaire et peupler des niveaux
d’énergie supérieure disponibles dans la bande de conduction. Un courant électrique peut donc
passer.
 Isolant : aucun électron ne se trouve dans la bande de conduction et la bande interdite est trop
large pour permettre à des électrons de passer de la bande de valence à la bande de conduction,
même en présence d’un champ électrique. Aucun courant ne peut passer.
 Semi-conducteur : dans ces matériaux, la bande interdite est moins large et un électron peut
acquérir grâce à l’agitation thermique (liée à la température ambiante) une énergie suffisante pour
« sauter » de la bande de valence à la bande de conduction, laissant un trou (charge +) dans la
bande de valence. Sous l’action d’un champ électrique, les électrons situés dans la bande de
conduction et les trous situés dans la bande de valence peuvent acquérir un mouvement collectif :
le solide devient conducteur.

Figure II.15. Schéma des bandes d'énergies dans le cas d'un matériau isolant, semi-conducteur puis
conducteur, de gauche à droite

24
 Qui sont peuplés par les électrons selon une statistique de Fermi-Dirac.

𝟏
𝒇(𝑬) = (𝑬− 𝑬𝒇 ) (II.12)
𝒆𝒙𝒑 𝑲𝑩 𝑻 +𝟏

Que l'on peut souvent approximer par une statistique de Maxwell-Boltzmann pour les couches
supérieures quand E > 𝐸𝑓 , Ps : KB =K (constante de Boltzmann).

Figure II.16. Statistique d'occupation Energétique d’un atome.

L'expérience nous dit que de la lumière peut être émise ou absorbée par un atome. Nous avons
vu que l'énergie lumineuse est quantifiée par quanta d'énergie E=h.ν. Il est assez raisonnable de
décrire l'émission ou l'absorption de lumière comme l'émission ou l'absorption d'un quanta d'énergie
lumineuse.
Cette énergie étant transférée à l'atome sous forme de la promotion d'un électron d'énergie E1
vers un état d'énergie E2, par conservation de l'énergie:
| 𝑬𝟐 − 𝑬𝟏 | = 𝒉. 𝒗 (II.13)

𝑬𝟐 > 𝑬𝟏 Absorption

𝑬𝟐 < 𝑬𝟏 Émission

Figure II.17. Phénomènes d’absorption et d’émission.

25
Ou plus généralement :

Figure II.18. Phénomènes d’absorption et d’émission (Version Standard).

Conclusion
Au début des années 50, l’idée de transmettre des signaux à haut débit en utilisant des porteuses
dans les régions optiques était déjà établie. Malheureusement, n’étaient disponibles ni source de
lumière, ni milieu de transmission appropriés. Suite à l’invention des dispositifs émetteurs/ récepteurs
de lumières, l’attention des chercheurs s’est focalisée sur le développement d’un milieu de
transmission adéquate. Jusqu’à la fin des années 60, le concept de confinement de la lumière, ainsi
que la possibilité d’utiliser des milieux de transmissions 100% optiques étaient largement diffusés.
La suite de ce cours traite l’ensemble des émetteurs/ récepteurs de lumières ainsi qu’une étude
détaillée de la fibre optique qui représente un moyen très efficace dans une transmission de données.

26
 Chapitre III:
Emetteurs de lumière
Chapitre III: Emetteurs de lumière
III.1. Introduction
Dans un premier temps (Chapitre I et II), on a pu voir tout ce qui se passe en matière
d’interactions entre lumières (Aspects Ondulatoires et Corpusculaires) et les semi- conducteurs. Pour
comprendre les dispositifs dits optoélectroniques, cette section étudiera d’une manière détaillée les
émetteurs de lumière (LED(s), LASER, afficheurs LCD…).

III.2. Rappels
III.2.1. Jonction P-N à l'équilibre
Une jonction PN à l'équilibre (figure III.1). La zone N renferme une certaine quantité
d'électrons libres, alors que la zone P contient des trous.

Figure III.1. Jonction PN à l’équilibre.

Après voisinage de la jonction, les électrons libres de la zone N vont diffuser vers la zone P et
réciproquement, les trous de la zone P vont diffuser vers la zone N. Il y a recombinaison chaque fois
qu'un électron rencontre un trou. Au repos, il existe donc au voisinage de la jonction une zone dans
laquelle il n'y a plus de porteurs libres : du côté N il ne reste plus d'électrons libres et il ne subsiste
que des atomes ionisés positivement. De même du côté P, il ne subsiste que des atomes ionisés
négativement. Il en résulte la création d'une zone de charge d'espace. Il s'établit ainsi une barrière de
potentiel qui repousse les trous vers la zone P et les électrons vers la zone N.

III.3. Emetteurs de lumière

Les sources optiques à semi-conducteurs sont très utilisées pour plusieurs aspects : du fait de
leurs petites tailles, des émissions à des longueurs d'onde λ dans le visible et l'infrarouge, un bon
rendement, la possibilité de moduler le courant, une faible consommation, d'une facile intégration et
d'un prix intéressant.
A cause de la structure de bande qui est une propriété interne des semi-conducteurs, tous les
matériaux semi-conducteurs ne sont pas adaptés pour des émetteurs optiques, en général la structure

28
de bande doit être directe. Les diodes électroluminescentes, DEL, constituent les composants les plus
simples, tout le spectre visible est couvert, elles peuvent être modulées par le courant jusqu'à des
fréquences de l'ordre de 100 MHz.

III.3.1. Matériaux semi-conducteurs pour les émetteurs de lumières

Dans les émetteurs dits classiques les transitions ont lieu entre niveaux d'énergie discrets,
comme on l'a vu au chapitre précèdent, les transitions ont lieu entre bandes d'énergie séparé par une
bande d'énergie interdite appelée aussi gap.
Un photon peut être émis dans un semi-conducteur si un électron transite de la bande de
conduction à la bande de valence, il s'agit d'une recombinaison électron-trou.
La différence d'énergie entre les deux bandes est l'énergie de gap Eg. Ce phénomène est appelé
électroluminescence. Dans ce cas l'énergie du photon est donnée par :
𝒉𝝂 ≈ 𝑬𝒈 (eV) = 𝟏, 𝟐𝟒 / 𝝀 (µm) (III.1)

Le rayonnement émis par le semi-conducteur autour de la longueur d'onde centrale d’émission

λ0, présente une largeur spectrale ∆λ. Le semi-conducteur doit vérifier une autre condition: il faut que
la transition de l’entrer la bande de conduction et la bande de valence soit directe, c’est à dire sans
changement de vecteur d’onde, ou impulsion, de l’électron. Ceci exclut un certain nombre de semi-
conducteurs simples comme le Silicium Si, ou le Germanium Ge.
Certains matériaux à structure indirecte peuvent aussi être utilisés, par exemple GaP très
fortement dopé, mais en général ils possèdent des rendements beaucoup plus faibles.

Figure III.2. Transition directe et indirecte : émission d'un photon par recombinaison électron-trou dans une
transition directe radiative (gauche) et transition non-radiative indirecte (droite).

a. Rendement interne d’électroluminescence

Le rendement interne d’électroluminescence est défini par :
𝟏⁄
𝝉𝒓
ηi = 𝟏⁄ + 𝟏⁄ (III.2)
𝝉𝒓 𝝉𝒏𝒓

29
 Où 𝜏𝑟 est la durée de vie des porteurs, électrons et trous, avant recombinaison radiative,
l'inverse 1⁄𝜏𝑟 correspond au taux de recombinaisons radiatives. 𝜏𝑛𝑟 est le temps de vie des porteurs
avant recombinaison non radiative. Par exemple pour Si 𝜏𝑟𝑆𝑖 =10 ms et pour AsGa 𝜏𝑟𝐴𝑠𝐺𝑎 =10 ns,
pour Si et AsGa 𝜏𝑛𝑟 =10 ns. Donc d'après l'expression du rendement un semi-conducteur à bande
indirecte, ici Si, possède un rendement très inférieur, ηSi=0,005%, par rapport à un semi-conducteur à
bande directe, ici AsGa est ηAsGa=50%.
Pour avoir une émission significative, il faut créer une densité de porteurs en excès ∆N, obtenue
par le courant d’injection I dans une diode, le taux de densité de porteurs R en excès s'exprime alors
par :
𝑹 = ∆𝑵 / 𝝉 = 𝑰 /𝒆 𝒗𝒐𝒍 (III.3)

Avec
𝟏
= 𝟏⁄𝝉𝒓 + 𝟏⁄𝝉𝒏𝒓 (III.4)
𝝉

τ est le temps de recombinaison total et vol est le volume de la zone active. La puissance Pint à
l’intérieur du composant sera alors:
𝑷𝒊𝒏𝒕 = 𝒉 𝝂. 𝑹. 𝒗𝒐𝒍. 𝜼𝒊 (III.5)

Exemple :
Si on considère pour AsGa ηi=50%, τ= ns et ∆N=1017 cm3.
On trouve une densité de puissance par unité de volume p = 230 kW.cm-3.

b. Jonctions semi-conductrices pour émetteurs

Les diodes à semi-conducteur sont constituées de jonctions entre des matériaux dopés N et des
matériaux dopés P. Elles peuvent être de type homo-jonction, mêmes éléments, ou de type
hétérojonction éléments différents. La zone d'émission, appelée zone active est constituée par un
matériau choisi en fonction de sa longueur d'onde d'émission λ0.
Dans une hétérojonction la zone active, où il y'a émission de lumière, est entourée par deux
matériaux de type non radiatif de gap plus grand et en général aussi d'indice de réfraction plus petit
ce qui permet un double confinement, confinement électronique et confinement optique. En effet les
électrons sont piégés par les barrières de potentiel dans la zone active et les photons ne peuvent pas
traverser les jonctions par effet de guidage à cause de la différence d'indice de réfraction.

c. Gain et spectre d'électroluminescence du milieu semi-conducteur

Pour obtenir une émission permanente de lumière il faut maintenir un gain positif dans le
milieu semi-conducteur, il faut créer une différence de population ∆N positive entre les niveaux

30
d'énergie E2 et E1 situés dans les bandes, les niveaux supérieurs dans la bande conduction et les
niveaux inférieurs dans la bande valence: 𝒉𝝂 = 𝑬𝟐 − 𝑬𝟏

Bande de
conduction

Bande de
valence

Figure III.3. Transition radiative entre bande de conduction et bande de valence.

Les électrons dans la bande de conduction et les trous dans la bande de valence obéissent à la
statistique de Fermi-Dirac dont les probabilités d’occupation fc(E) et fv(E) en fonction des niveaux
d’énergie E2 et E1 sont respectivement (Vu précédemment : II.2.2):
𝟏
𝒇𝒄 (𝑬𝟐 ) = 𝑬𝟐 −𝑬𝒇𝒄 (III.6)
𝐞𝐱𝐩( )+𝟏
𝑲𝑩 𝑻

Et
𝟏
𝒇𝒗 (𝑬𝟏 ) = 𝑬𝟏 −𝑬𝒇𝒗 (III.7)
𝐞𝐱𝐩( )+𝟏
𝑲𝑩 𝑻

Où 𝐸𝑓𝑐 est le pseudo-niveau de Fermi de la bande de conduction et 𝐸𝑓𝑣 est celui de la

bande de valence, T est la température. La probabilité de transition entre les deux
niveaux est proportionnelle au produit de la probabilité d’occupation d'un électron au
niveau haut par la probabilité de non-occupation au niveau bas c'est à dire la probabilité
d'avoir un trou:
𝑷𝒓 𝟐 → 𝟏 = 𝒇𝒄(𝑬𝟐) [𝟏 − 𝒇𝒗(𝑬𝟏)] (III.8)

Spectre d'émission de luminescence

Le spectre d'émission ∆λ dépend de la structure de bande et de la température T. On peut
évaluer la largeur du spectre en considérant la distribution de Fermi-Dirac des électrons et des trous
en bas de bande de conduction et en haut de bande de valence.
Cette distribution correspond approximativement à une étendue en énergie de 𝐾𝐵 T. Donc les
transitions correspondront au maximum à 2𝐾𝐵 T, si l'on considère la largeur à mi-hauteur on obtient
une formule approchée :
𝑲𝑩 𝑻
∆ν ≈ 𝟏, 𝟓 (III.9)
𝒉

𝛌𝟐 𝑲𝑩 𝑻
Et ∆λ ≈ 𝟏, 𝟓 (III.10)
𝒉

31
 Figure III.4. Spectres d’électroluminescence.

Les progrès réalisés dans les domaines de l'optoélectronique et de la photo-électricité ont abouti
à la commercialisation de composants massivement utilisés dans l'industrie, notamment les diodes
électroluminescentes (LED).

III.4. Diodes électroluminescentes (LED (Ligh Emetting Diode))

Le passage d’un courant dans une jonction PN provoque une dissipation d’énergie,
habituellement sous forme thermique; en choisissant correctement les matériaux, on peut obtenir
aussi un rayonnement lumineux dans un spectre électromagnétique soit visible ou infrarouge.

Figure III.5. Les différents couleurs des LED’s.

III.4.1. Caractéristiques principales

L’alimentation la plus simple à mettre en œuvre est une polarisation continue: la LED se
comporte comme une diode classique, qui se polarise en direct pour éclairer, avec un courant de
polarisation de 10 mA qui représente la valeur classique à 20mA suivant les composants, pour une
tension de seuils de 1,5V (valeur classique) à 3,5V suivant les composants.
La première caractéristique à prendre en compte pour ces diodes est la longueur d’ondes
d’émission: lumière visible (380 nm à 770 nm) ou infrarouge (770 nm à 1100 nm) pour les
télécommandes par exemple.
L’éclairement, précisé par l’intensité visuelle en mcd (milli candela) pour les DEL’s émettant
dans le visible, et par la valeur du flux lumineux (en mW) pour les diodes infrarouges,
est évidemment une donnée importante, l’objectif étant de produire un rayonnement.

32
 Si l’objectif est une transmission d’information vers un autre système électronique, les diodes
étant généralement commandées en tout ou rien, les temps de commutation nécessaire pour établir et
couper le courant dans le composant définira le débit d’information maximal (en bit par secondes).
La tension de seuil de la diode peut être une grandeur importante pour un système alimenté par
batterie d’accumulateur (une tension de seuil de 3,5 V nécessitera un élévateur de tension si
l’alimentation est composée de deux accumulateurs de 1,2 V en série). La tension aux bornes de la
diode dépend également beaucoup du courant dans la diode.
Donc c’est le courant qui impose l’éclairement de la diode. Si on dispose d’une source de
tension (ce qui est généralement le cas), deux options sont possibles:
 Limiter le courant par une résistance comme le montrent les figures suivantes:

Figure III.6. Limitation du courant par une résistance dans un montage à DEL

La figure à gauche, on suppose que la sortie du circuit numérique soit capable d’absorber le
courant nécessaire à la DEL (ce qui est généralement dans le cas avec FPGA), à droite une adaptation
à l’aide d’un transistor est nécessaire. Dans les deux cas des pertes importantes ont lieu au niveau de
la résistance, ce qui peut être pénalisant pour un système alimenté par batterie. On trouvera aussi
souvent les LED’s alimentées par un système dit à découpage, comme le montre l’exemple suivant:

Figure III.7. Système à découpage.

La bascule RS est régulièrement mise au NL1 par le train d’impulsion à une fréquence fixe sur
son entrée S, ce qui met le transistor MOS en conduction et provoque la croissance du courant dans la
DEL, croissance limitée par l’inductance. Lorsque le courant, mesuré aux bornes de la résistance
atteint la valeur de consigne, la bascule est mise au NL0, bloquant le transistor. L’énergie

33
emmagasinée dans l’inductance est alors restituée dans la LED. Le cycle recommence lors de
l’apparition d’une nouvelle impulsion sur l’entrée S de la bascule. La résistance de mesure étant de
faible valeur, les pertes sont également très faibles dans ce cas-là. Si l’inductance est de valeur
suffisamment importante, le courant est presque continu dans la DEL.

III.4.2. Diodes Electroluminescentes DEL

Depuis 1956, on sait qu'une jonction PN parcourue par un courant direct émet une radiation
lumineuse. Cependant, en raison de difficultés technologiques, il a fallu attendre 1964 pour voir
apparaître sur le marché des diodes émettant une radiation lumineuse dans le visible.
Une diode électroluminescente, DEL, Light Emitting Diode LED, est formée par une jonction
P-N suffisamment dopée. Le rayonnement est émis au niveau de la jonction lorsque la diode est
polarisée en direct.

Figure III.8. Jonction PN polarisée en direct.

Le courant d'injection Id amène des électrons qui au niveau de la jonction peuvent effectuer une
recombinaison électron-trou donnant un photon.
A l'intérieur du matériau, il y a injection de trous dans la zone N et d'électrons dans la zone P,
c'est le phénomène d'injection des porteurs minoritaires. Statistiquement, un certain nombre de
porteurs minoritaires se recombinent en libérant de l'énergie.
En effet, lorsqu'un électron libre rencontre un trou, l’énergie de cet électron passe donc de la
bande de conduction à la bande de valence du matériau P, libérant par conséquent une énergie égale à

34
la différence entre ces deux bandes (largeur de bande interdite ou band gap). Une partie de cette
énergie est libérée sous forme de lumière (photon) et le reste sous forme de chaleur.

Figure III.9. Emission d’un photon lors de la recombinaison d’un électron et d’un trou.

Ce phénomène est caractérisé par le rendement quantique interne ηi de la DEL défini

précédemment et qui peut aussi s'exprimer par :
𝒏𝒐𝒎𝒃𝒓𝒆 𝒅𝒆 𝒑𝒉𝒐𝒕𝒐𝒏𝒔 𝒄𝒓é𝒆𝒔 à 𝒍′𝒊𝒏𝒕é𝒓𝒊𝒆𝒖𝒓
ηi = 10% < ηiDEL < 30% (III.11)
𝒏𝒐𝒎𝒃𝒓𝒆 𝒅′é𝒍𝒆𝒄𝒕𝒓𝒐𝒏𝒔 𝒊𝒏𝒋𝒆𝒄𝒕é𝒔 (𝒄𝒐𝒖𝒓𝒂𝒏𝒕)

Avec une puissance interne émise au niveau de la jonction :

𝑰𝒅
𝑷𝒊𝒏𝒕 = 𝜼𝒊 . 𝒉. 𝒗 (III.12)
𝒆

a. Rendement externe d’une DEL

La puissance émise par une DEL, PDEL, doit aussi tenir compte des pertes par réflexion à
l'intérieur du semi-conducteur, et aussi des pertes par absorption du matériau. Le facteur de réflexion
en incidence normale correspond au facteur de réflexion de Fresnel 𝑅𝐹 est définît comme suit :
(𝒏𝒔𝒄 −𝒏𝒂𝒊𝒓 )𝟐
𝑹𝑭 = (III.13)
(𝒏𝒔𝒄 +𝒏𝒂𝒊𝒓 )𝟐

Où 𝑛𝑠𝑐 est l'indice de réfraction du semi-conducteur, typiquement 𝑛𝑠𝑐 ≈3,5 et celui de l'air 𝑛𝑎𝑖𝑟 ≈
1, ce qui donne un facteur 𝑅𝐹 ≈ 30%.
Les réflexions internes sont importantes surtout pour des angles d'incidence faibles. On trouve
en intégrant sur les angles une formule approchée du rendement externe 𝜂𝑒𝑥𝑡 :
𝟒 𝒏𝒔𝒄 𝟏
𝜼𝒆𝒙𝒕 = 𝜼𝒊𝒏𝒕 𝜼𝒆𝒙𝒕 ≈ 𝟏, 𝟑% 𝜼𝒊𝒏𝒕 (III.14)
(𝒏𝒔𝒄 +𝟏)𝟐 𝟐𝒏𝒔𝒄 𝟐

Ce qui donne pour la puissance émise :

𝑷𝑫𝑬𝑳 = 𝜼𝒆𝒙𝒕 𝑷𝒊𝒏𝒕 (III.15)

En général on place un hémisphère en plastique au-dessus de la DEL d'indice intermédiaire

𝑛𝑎𝑖𝑟 <n1<𝑛𝑠𝑐 afin de diminuer les réflexions. Par exemple n1 ≈ 2 pour 𝑛𝑠𝑐 ≈ 3,5 dans AsGa.

35
 Le plastique joue le rôle d'un traitement antireflet, et il sert aussi de lentille pour modifier le
diagramme de rayonnement. Une expression approchée dans ce cas donne pour le rendement externe:

𝒏𝟐𝟏
𝜼𝒆𝒙𝒕 = 𝜼𝒊𝒏𝒕 ; 𝜼𝒆𝒙𝒕 ≈ 𝟐𝟎% 𝜼𝒊𝒏𝒕 (III.16)
(𝒏𝒔𝒄 +𝟏)𝟐

Figure III.10. Rayons optiques traversant les matériaux d'indice différent dans une DEL.

Une DEL peut fonctionner en émission par la surface ‘surface emitting’, c'est le cas le plus
fréquent dans les composants à bas coût de type homo-jonction, ou en émission par la tranche ‘Edge
emitting’, de type hétérojonction pour les applications les plus performantes afin d'obtenir un
meilleur rendement.

Figure III.11. Hétérojonction émission par la facette. Figure III.12. Homo-jonction émission par la surface.

b. Caractéristiques d'une DEL

Paramètres électriques
 Le courant d'injection 𝐼𝑑 exprimé usuellement en mA.
𝑬𝑮𝑨𝑷 𝟏,𝟐𝟒
 La tension de diode 𝑉𝑑 (V), pratiquement égale à ( )= (µm) puisque les matériaux sont
𝒆 𝝀

fortement dopés.

Paramètres optiques
 La puissance optique P exprimée usuellement en mW, de l'ordre de quelques mW.
 L’intensité optique dans l'axe I0 en mW. Sr-1 et qui dépend de la forme du diagramme de
rayonnement de la DEL.

36
 Figure III.13. Puissance de sortie en fonction du courant d'injection pour une DEL.

 L’ouverture angulaire à mi- intensité ∆θ pour le diagramme de rayonnement qui dépend de la

présence d'une lentille elle vaut typiquement 20°. Une DEL émettant par la surface sans optique
émet un diagramme de rayonnement Lambertien.

Figure III.14. DEL émettant par la surface sans lentille.

Figure III.15. DEL munie d'une lentille hémisphérique.

Figure III.16. DEL munie d'une lentille parabolique.

c. Différents types de LED émettant dans le domaine visible

Les constructeurs proposent un choix important de LED émettant dans le visible:
 DEL de couleurs différentes, rouge, jaune, verte, orange, bleue et même blanche. Leur luminosité
est de l’ordre de 10 mcd pour un courant de 10 mA. Il est à noter que ces diodes présentes des

37
 tensions de seuil différentes, en conséquence de quoi il est déconseillé de les brancher en
parallèle; On peut ajouter quelques ordres de grandeurs pour des LED émettant dans le visible
comme ça une idée plus claire, polarisées par un courant de 20 mA: LED rouge 1,6V, LED
orange 2,0V, LED jaune 2,4V, LED verte 2,4V, LED bleue 3,0V et une LED blanche 3,5V.
 DEL faible consommation, pour les systèmes alimentés sur batterie par exemple, qui présente une
luminosité de 2 mcd pour un courant de 2 mA.
 DEL à haute luminosité pour l’éclairage (torche électrique) ou les DEL concurrencent par leur
bon rendement les ampoules à incandescence et allogènes; la luminosité d’une DEL blanche
atteint 300 mcd pour un courant de 20 Ma.
 DEL clignotantes (fréquence de l’ordre de 3 Hz), ce qui permet de faire l’économie d’un
générateur de signaux carrés.
 DEL bicolores (3 broches) et arc-en-ciel (6 broches), la commande étant envoyée sur une des
broches suivant la couleur désirée.
 DEL avec résistance intégrée (le constructeur précise alors la tension d’alimentation en fonction
de la luminosité désirée).
 Afficheurs sept segments et pavés lumineux (bargraphes et matrices).

d. Applications
Les grands domaines d'application des DEL sont l'affichage et l'éclairage dans le visible et la
transmission d'information dans le visible et le proche infrarouge. Dans le domaine de l'affichage on
dispose de DEL émettant dans les principales couleurs du spectre visible et notamment le rouge, le
vert et le bleu utilisés dans les systèmes RVB permettant de réaliser des grands écrans lumineux
pouvant afficher des images télévision.
Les DEL d'affichage sont aussi très utilisées dans les feux tricolores et aussi pour les feux de
signalisation pour les automobiles. Les télécommandes en espace libre utilisent surtout des DEL
émettant dans le proche infrarouge autour de λ≈900 nm en AsGa ou AlGaAs.
Utilisées aussi pour réaliser des liaisons entre périphériques informatiques par transmission
infrarouge en espace libre. Il s'agit de liaisons avec une portée de quelques mètres et en vue, par
exemple à l'intérieur d'une pièce. Pour la transmission sur fibre optique en silice on utilise les DEL. Il
existe une norme pour ce type de transmission, la norme FDDI (Fiber Data Distributed Interface), sur
des courtes distances dans les réseaux locaux de type Ethernet jusqu'à 100 Mb.s-1 à une longueur
d'onde λ=1300 nm.
Sur fibre optique polymère on utilise des DEL émettant dans le rouge à 630 nm et dans le vert à
540 nm. Du fait de leur spectre large les DEL ne peuvent pas être utilisées dans les transmissions par
fibre optique sur une longue distance à cause du problème de la dispersion de la fibre optique (On le
verra au dernier chapitre).

38
 e. Avantages et Inconvénients

Avantages
 Petite taille: on peut par exemple construire des LED de la taille d'un pixel (ce qui ouvre la
possibilité d'utiliser des diodes pour construire des écrans de haute résolution.
 Facilité de montage sur un circuit imprimé, traditionnel ou CMS (Composant Monté en Surface).
 Consommation inférieure aux lampes à incandescence et du même ordre de grandeur que les
tubes fluorescents.
 Excellente résistance mécanique (chocs, écrasement, vibrations).
 Taille beaucoup plus réduite que les lampes classiques ce qui offre la possibilité de réaliser des
sources de lumière très ponctuelles, de faible à très faible consommation.
 En assemblant plusieurs LED, on peut réaliser des éclairages avec des formes novatrices.
 Durée de vie (20000 à 50000 heures environ) beaucoup plus longue qu’une lampe à
incandescence (1000 heures) ou qu'une lampe halogène (2000 heures).
 Vu leur puissance, les LED classiques ne chauffent presque pas et ne brûlent pas les doigts.

Inconvénients
 Les LED, comme tout composant électronique, ont des limites maximales de température de
fonctionnement ce qui conditionne en partie la durée de vie des lampes à LED.
 La dissipation thermique des composants des ampoules à LED est un facteur limitant leur montée
en puissance.
 L'efficacité lumineuse de certaines LED baisse rapidement (comme pour la plupart des
technologies lumineuses) pour ne plus produire en fin de vie que 20% de la quantité de lumière
initiale, mais pour les LED les plus performantes du marché, la quantité de lumière produite en fin
de vie serait encore d'au moins 70%.
 Le processus de fabrication d'une LED est très coûteux en énergie (mais une production à grande
échelle comme actuellement permet de réduire massivement ce coût).

III.5. Diodes LASERs

Un rayon LASER est composé d’une lumière monochromatique (une seule longueur d’onde),
dont les rayons sont tous en phase (on parle de lumière cohérente). On obtient ainsi un rayonnement
de haute énergie dont les applications sont aussi variables, on peut citer par exemple la découpe de
métaux, la télémétrie et la lecture de disques optiques, le pointage ou bien les télécommunications
(liaison par fibre optique).

39
 III.5.1. Structure des Diodes LASERs
Le mot LASER est un procédé d’amplification de la lumière, défini en anglais par l’acronyme
LASER : Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation. En français signifie
L’amplification de la lumière par émission stimulée de photons produit une lumière qui est
monochromatique, directionnelle, cohérente et de haute intensité.

a. Guidage par le gain et guidage par l'indice

La diode LASER est un composant similaire à la diode électroluminescente, car elle est
constituée d'une jonction p-n réalisée sur des matériaux à gap direct avec une région active où les
porteurs injectés, par forte polarisation directe de la diode, se recombinent de façon radiative,
produisant une lumière cohérente issue d’émissions stimulées de photons. Les mêmes matériaux et
alliages utilisés pour les DEL sont aussi utilisés pour les diodes LASER appelés aussi LASERs à
semi-conducteurs.
Les premières diodes LASER réalisées étaient des homo-jonctions sans confinement latéral,
utilisées en régime impulsionnel à cause du faible rendement provoquant un échauffement important
de la zone active.

Figure III.17. Structure de base d’une diode LASER.

Dans les diodes LASERs actuelles à hétérojonctions l'émission se fait par les faces. Le
confinement est à la fois électronique et optique se fait dans la direction perpendiculaire aux
jonctions. Dans la direction parallèle aux jonctions le confinement par guidage peut être de deux
types:
 Guidage par le gain : dans ce cas le courant électronique est confiné dans une région définie par
des zones environnantes passivées par bombardement protonique.
 Guidage par l'indice : le courant électrique est confiné latéralement par des jonctions bloquantes,
le faisceau optique est confiné à cause de la différence d'indice de réfraction. Actuellement on
rencontre surtout des diodes LASER de ce type. Dans la plupart des composants la dimension de
la zone active reflète la nécessité d'avoir une émission sur un seul mode spatial ce qui implique
des dimensions transverses très petites.

40
 Figure III.18. Guidage par le gain. Figure III.19. Guidage par l'indice.

b. Structures à puits quantiques

Afin d'augmenter le rendement des LASERs à semi-conducteurs, on réalise des structures à
puits quantiques, les électrons sont confinés dans des couches d'épaisseur fine 𝑑𝑄 ≈0,2 nm, situées
dans la zone active du LASER.
Les puits quantiques peuvent se présenter sous forme de couches contraintes ‘Strained layers
Str’, soit à partir d’une seule couche et appelée SQW, ou plusieurs couches MQW, ceci est afin
d'obtenir une valeur très précise et spécifiée de la longueur d'onde d'émission λ avec un gain élevé.
Les électrons dans ces couches très fines sont soumis à des effets essentiellement quantiques ce qui
induit des niveaux d'énergie discrets en faible nombre et donc une quantité d'électrons plus petite
pour réaliser l'inversion de population.
Les structures à base de puits quantiques permettent un meilleur confinement latéral, ceci
permet d’augmenter les performances au niveau du courant de seuil, du rendement, de la bande
passante et de la puissance. Pour ces LASERs les courants de seuil Is sont faibles typiquement de
quelques mA, et les rendements élevés.

Figure III.20. Exemple de zone active avec 3 puits quantiques.

Avec ce genre de LASER, on trouve typiquement les valeurs comme suit: L=500µm, w=10
µm, d= 0,2 µm, 𝑑𝑄 = 0,5 nm.

41
 c. Amplification de la lumière dans une diode LASER
Dans un premier temps le processus d’émission spontanée va prédominer. Les premiers
photons créés dans la zone active sont obtenus par émissions spontanées. Ensuite les ondes qui se
propagent vers les faces miroirs vont être amplifiées par stimulation d’autres photons. Dès que la
lumière induite dépasse la lumière absorbée dans le milieu amplificateur (absorption par porteurs
libres (effet Auger) et par défauts dans le matériau), l’oscillation LASER commence. Si on désigne
par 𝑝 () le coefficient d’absorption par porteurs libres, qui est de l’ordre de 100 cm-1, et par 𝑔() le
gain de la cavité par émission stimulée, pour que le LASER oscille et l’émission LASER apparaisse
il faut que le gain compense les pertes par absorption et que le coefficient net d’absorption (3.17) soit
positif :
𝑨() = [ 𝒈 () − 𝒑 ()] (III.17)

Cavité optique résonnante (Fabry- Pérot)

La région active de la diode, comprise entre les régions N et P, est quasi neutre. Elle est
équivalente à une cavité optique résonnante (cavité Fabry- Pérot) qui consiste en un guide d’ondes
délimité par deux faces clivées perpendiculairement au plan de la jonction qui forment. Deux miroirs
semi-transparents de facteurs de réflexion 𝑅1 et 𝑅2 (figure III.21), le clivage consistant à réaliser une
cassure nette et parallèle à un plan réticulaire. Les autres côtés de la structure sont rugueux pour
éviter des réflexions sur les autres faces de la structure.

Figure III.21. Cavité optique d’une diode LASER.

 La longueur L de cette cavité résonante est un multiple entier de la demi-longueur d’onde des
photons créés par émission stimulée pour que les ondes stationnaires qui peuvent se former pour
certaines longueurs d'onde discrètes subissent des réflexions multiples par les miroirs et
s’additionnent en phase pour former un signal de grande amplitude : La diode fonctionne alors
comme un amplificateur.

𝛌 𝛌
𝑳=𝒎 =𝒎 𝟎 (III.18)
𝟐 𝟐𝒏

Avec m un entier égal à 1, 2, 3,4,… et 𝛌𝟎 = 𝒄/𝒗 est la longueur d’onde de la radiation dans le vide.

 L’épaisseur d de la zone active est limitée par la longueur de diffusion des porteurs.

42
 Les dimensions types de la diode à homo-jonction sont: L : longueur de la diode: 200- 500 µm; l:
largeur de la diode: 100 - 300 µm ; d : épaisseur de zone active (au voisinage de la jonction): 0.1 –
0.3 µm.

Conditions de résonance
La condition d'émission LASER s’obtient en écrivant les conditions de résonance :
 Le gain sur un aller-retour, dans la cavité doit être supérieur aux pertes (figure III.22).
 Le déphasage sur un aller-retour doit être un multiple de 2π.

Figure III.22. Milieu amplificateur avec miroirs de coefficients de réflexion.

Soit : 𝑬0 𝒆 jwt = 𝒓1𝒓2 . 𝑬0 𝒆 j(wt-2KL)𝒆(𝒈−𝑷 )𝑳 (III.19)

𝝀𝟎
On a : 𝑳=𝒎 (III.20)
𝟐𝒏

donc : 𝟐𝑲𝑳 = 𝟐𝒎𝛑 𝐞𝐭 𝒆−𝑱𝟐𝑲𝑳 = 𝟏 (III.21)

Par conséquence on obtient pour l’intensité de lumière

𝟏 = (|𝒓𝟏 |𝟐 . |𝒓𝟐 |𝟐 )𝒆 𝟐 (𝒈−𝑷 )𝑳 (III.22)

Ou bien :

𝟏 = 𝑹𝟏 𝑹𝟐 𝒆 𝟐 (𝒈−𝑷 )𝑳 (III.23)

Ce qui constitue la condition d’oscillation pour que le gain compense les pertes par absorption
interne p et les pertes par transmission des miroirs 𝑅1 et 𝑅2 .
On obtient la condition de gain :
𝟏 𝟏
𝒈𝒔 (𝝀) = 𝑷 (𝝀) + 𝐥𝐧( ) (III.24)
𝟐𝑳 𝑹𝟏 𝑹𝟐

𝑔𝑠 est le gain seuil de la cavité, il représente le gain minimal que la région active doit fournir
pour que l’effet LASER se produise. Il est déterminé par la géométrie et les caractéristiques de la

43
cavité. L’expression montre, par exemple, que lorsque la longueur de la cavité décroît, ce gain seuil
augmente. Lorsque le gain est supérieur à 𝑔𝑠 , la cavité est en oscillation.
 La moindre émission stimulée présente une augmentation brutale du signal lumineux émis par la
diode.
 Il apparait une certaine directivité de l’émission dans la direction de la plus grande langueur du
milieu amplificateur.
 La cavité sélectionne un certain nombre de modes de résonance définis par 2nL=m.
 On dit que la diode est super radiante.
Ainsi, selon la densité de porteurs injectés, donc l’intensité du courant de polarisation de la
diode, les mécanismes de recombinaison des paires électron-trou dominants changent, il est donc
possible de définir trois régimes de fonctionnement :
 A faible niveau d’injection, l’émission spontanée domine l’émission stimulée. La diode
LASER fonctionne comme une diode électroluminescente (LED).
 Lorsque le niveau d’injection augmente, l’émission stimulée domine l’émission spontanée,
mais les pertes de la cavité sont supérieures au gain du milieu. La diode LASER opère
comme un amplificateur optique ou une diode super luminescente.
 A fort niveau d’injection, l’émission stimulée domine l’émission spontanée et le gain du
milieu est supérieur aux pertes de la cavité. La diode entre en régime d’oscillations LASER.
Le nombre de photons créés par seconde dans la zone active est proportionnel au courant
injecté. L'effet LASER s'établit lorsque le gain est supérieur aux pertes, c'est-à-dire lorsque le nombre
d'électrons injectés est supérieur à un certain seuil. La valeur de 𝑔𝑠 correspond donc à un courant
seuil 𝑗𝑠 au-dessous duquel l’effet LASER n’apparait pas.
Dans la diode LASER à homo-jonction, le courant seuil 𝑗𝑠 est assez élevé. Il est de l’ordre de
3.104 à 5.104 A/cm2 à 300K pour le GaAs. Cette valeur élevée impose un fonctionnement en régime
pulsé à cause des problèmes thermiques.
Exemple d’application

Pour αp =10 cm-1, une surface avec un coefficient de réflexion de 30% et l’autre totalement
réfléchissante.

Déterminer le gain seuil d’une diode LASER au GaAs de 300µm de longueur.

-----------------------
Réponse:
On va utiliser cette loi :
𝟏 𝟏
𝐠 𝐬 (𝛌) = 𝐏 (𝛌) + 𝐥𝐧( )
𝟐𝐋 𝑅1 𝑅2

Donc

44
 1 1
g s = 10 + −4
𝑙𝑛
2. 300. 1𝑂 1. 0,3

Soit, le gain seuil est de :

𝐠 𝐬 ≈ 𝟓𝟎 𝒄𝒎−𝟏

III.5.2. Différents types de LASER

La très grande diversité des LASERs en rend difficile une classification claire. La classification
ci-dessous, basée essentiellement sur la nature du milieu amplificateur :

a. LASERs à solide
Le milieu amplificateur est un solide (cristal, verre).

b. LASERs à fibre
Au sens strict, les LASERs à fibre sont également des LASERs à solide : des ions métalliques
(néodyme, erbium, ytterbium, etc.).

c. LASERs à semi-conducteur
Le milieu actif est encore un solide (semi-conducteur), mais avec des propriétés et des
applications très différentes de celles des LASERs à solide.

d. LASERs à Gaz
Ces LASERs utilisent comme milieu amplificateur un gaz (CO2, hélium-néon (𝐻𝑒 − 𝑁𝑒))

e. Matériaux utilisés pour les diodes LASERs

Tableau III.1. Matériaux pour les diodes LASERs.
Tableau Zones de longueur
Zone active Substrat Applications
périodique confinement d'onde (nm)
Télécom et
III-V As Ga As Ga As Ga 904
pompe
Al Ga As Al Ga As As Ga 670 - 890 LASERS CD
In Ga As P In Ga P As Ga 670 - 900 Visualisation
In Ga As P In Ga P As Ga P 600 - 890 Visualisation
In Ga As P Al Ga In P As Ga 670 - 890 Visualisation
Al Ga In P Al Ga In P As Ga 560 - 660 Visualisation
LASERS FO et
In Ga As P In P In P 900 - 1800
pompe
In As Sb Pb In As Sb Pb In As 1900 - 3700 IR moyen
IV - VI Pb Sn Se Te Pb Sn Se Te Pb Te 4000 - 10500 IR lointain
II - VI Zn S Se As Ga 400 - 520 Bleu

45
 Figure III.23. De gauche à droite : pointeurs laser à 405, 473, 532, 593, 635 et 650nm

III.5.4. Application des Diodes LASERs

Pour l'enregistrement et pour la lecture optique, il s’agit de LASERs avec des longueurs d'onde
dans la gamme 750 nm < λ < 900 nm, le matériau est l'alliage 𝐺𝑎1−𝑥 𝐴𝐿𝑥 𝐴𝑠. L'énergie de gap en
fonction de la proportion stœchiométrique x s'exprime par :
𝐸𝑔 = 1,42 + 1,25. 𝑥 + 0,27. 𝑥 2 (eV) (III.25)
𝐺𝑎𝐴𝑙𝐴𝑠

a. Diodes LASER en Télécommunications

pour émetteurs dans les liaisons à fibres optiques, dans la première fenêtre à 𝜆𝐼 =850 nm
l'alliage 𝐺𝑎0,9 𝐴𝑙0,1 𝐴𝑠, de moins en moins utilisé, dans la deuxième fenêtre à 𝜆𝐼𝐼 =1310 nm en
𝐼𝑛𝑂,73 𝐺𝑎0,27 𝐴𝑠0,58 𝑃0,42 et dans la troisième fenêtre à𝜆𝐼𝐼𝐼 =1550 nm, en 𝐼𝑛𝑂,58 𝐺𝑎0,42 𝐴𝑠0,9 𝑃0,1.
L'énergie de gap de l'alliage 𝐼𝑛1−𝑋 𝐺𝑎𝑥 𝐴𝑠1−𝑦 𝑃𝑦 en fonction des proportions stœchiométriques 𝑥 et 𝑦
s'exprime par :
𝑬𝒈 = 𝟏, 𝟑𝟓 − 𝟏, 𝟗𝟖. 𝒙 + 𝟏, 𝟒𝟖. 𝒙𝟐 − 𝟎, 𝟓𝟔. 𝒙𝟑 (eV) (IIII.26)
𝑰𝒏𝑮𝒂𝑨𝒔𝑷

Et
𝒚 ≈ 𝟐, 𝟐. 𝒙 (III.27)

b. Répéteurs
Malgré la transparence importante de silice (4 % de perte par kilomètre), le signal a besoin
d’être amplifié tous les 50 ou 100 km dans des répéteurs. Il est dorénavant possible d’éviter la
conversion du signal optique en signal électronique à des fins d’amplification : les répéteurs sont
maintenant « tout optique ». Un répéteur est constitué d’une section de quelques dizaines de mètres
de fibre dopée à l’erbium (amplification à 1,55), pompée en continu à 980 nm. Il s’agit donc d’un
amplificateur à émission stimulée.

46
 c. Diodes LASERs de pompe
Il s'agit de LASERs pouvant émettre plusieurs watts. Ils sont utilisés dans les amplificateurs à
fibres optiques en erbium, EDFA, aux longueurs d’onde 900 nm et 1400 nm. Ils sont aussi utilisés
pour pomper des LASERs solides à 890 nm.

d. LASERs VCSEL
Ce type de LASER est appelé à émission par la surface de type VCSEL (Vertical Cavity
Surface-Emitting Laser), ce dernier est un type de semi-conducteur diode laser avec laser
perpendiculaire à émission de faisceau à partir de la surface supérieure, contrairement à des lasers à
semi-conducteurs à émission latérale classiques qui émettent à partir de surfaces formées par clivage
de la puce individuelle hors d'une tranche. Les VCSEL sont utilisés dans divers produits laser, y
compris les souris d'ordinateur, les communications par fibre optique, les imprimantes laser,
l’identification de visage, et des lunettes intelligentes.
Le concept de laser à cavité verticale a été proposé par K. Iga il y a maintenant trente ans et a
suscité depuis lors des recherches considérables, à l’origine de nombreuses innovations
technologiques pour obtenir des composants performants et à présent mâtures. Un tel engouement
s’explique par les performances prometteuses que peuvent atteindre ces composants à microcavité
grâce leurs propriétés : réalisation matricielle, émission monomode, faible courant de seuil laser,
bande passante étendue, compacité, qualité du faisceau.

Figure III.24. Schéma d’un VCSEL standard à pompage électrique.

Les diodes LASERs sont donc utilisées dans plusieurs domaines, particulièrement dans: Les
télécommunications optiques, la lecture de CD, l’holographie et le stockage de l’information dans les
disques optiques (CD ou DVD pour la musique comme pour l’informatique), les photocopieuses ou
les imprimantes LASER, les applications médicales et industrielles... (Lecteurs code barre), les
systèmes d’interconnexion optique par fibre ou en espace libre ainsi que d’autres applications.

Conclusion
La complexité des systèmes de transmission évolue rapidement de façon à offrir plus de
fiabilité. Les émetteurs optiques à semi-conducteurs, utilisés dans les liaisons, ont les propriétés

47
suivantes: petite taille, émission à des longueurs d’onde couvrant le visible et l’infrarouge et même
l’ultraviolet, bon rendement et tout cela avec une intégration facile. Après avoir vu l’essentiel des
composants émetteurs de lumières à savoir les diodes électroluminescentes ainsi que les diodes
LASERs, il est nécessaire de passer au quatrième chapitre où on va voir les dispositifs détecteurs de
lumières.

48
 Chapitre IV:
Détecteurs de lumière
Chapitre IV: Détecteurs de lumière
Introduction
Les semi-conducteurs peuvent également être utilisés pour détecter la lumière. Le principe en
est très simple. Imaginons que l’on place un semi-conducteur entre deux plaques d’un condensateur
aux bornes duquel est appliqué une différence de potentiels. Si le semi-conducteur est éclairé avec
une lumière dont la fréquence est supérieure à celle du gap, il y aura création de paires électron-trou.
Les électrons et les trous vont dériver en sens inverse dans le champ électrostatique et vont donc
créer un courant. La mesure de ce courant sera une mesure de la puissance lumineuse incidente sur le
semi-conducteur.

IV.1. Détecteurs de lumière à semi-conducteurs

Les détecteurs optoélectroniques couvrent aujourd'hui un grand domaine d'applications, comme
les transmissions par fibre optique, les systèmes de prise de vue, la détection infrarouge ou les
panneaux solaires. Plusieurs matériaux spécifiques, ont été développés pour leur réalisation. Les
performances des détecteurs à semi-conducteurs sont grandes, en effet ils peuvent détecter jusqu’à
quelques photons seulement avec des rendements proches de 100%. Ceci a permis le développement
des transmissions optiques à très longue distance.
Une autre propriété intéressante se situe au niveau de l'étendue spectrale du rayonnement
optique détectée. On trouve actuellement des détecteurs à semi-conducteurs travaillant de l'ultraviolet
proche autour de λ ≈ 100 nm, jusqu'à à l'infrarouge lointain autour de λ ≈ 100µm couvrant donc trois
ordres de grandeur en longueur d'onde.
En gros, on peut définir Les photorécepteurs comme étant des dispositifs photosensibles. Leur
fonctionnement est basé sur l’interaction photon–électron. Lorsque la radiation lumineuse est
absorbée par le matériau photosensible, elle cède son énergie aux électrons du matériau les faisant
passer vers des niveaux énergétiques supérieurs.

IV.1.1. Absorption dans les semi-conducteurs

a. Matériaux semi-conducteurs utilisés pour ces détecteurs

Les matériaux utilisés sont nombreux. Le Silicium Si, est utilisé dans le domaine visible, 450
nm < λ < 750 nm, et le proche infrarouge jusqu'à 1 µm. Le Germanium (Ge), est utilisé dans le
proche infrarouge, 900 nm < λ < 1700 nm.
La transmission par fibre optique, dans l’infrarouge proche, utilise trois fenêtres de
transmission, dans la première fenêtre à 𝜆𝐼 = 850 nm on dispose de photodiodes en Si, et dans la
deuxième, à 𝜆𝐼𝐼 = 1300 nm, et la troisième, à 𝜆𝐼𝐼𝐼 = 1550 nm, en 𝐼𝑛𝐺𝑎𝐴𝑠 et en Ge. On utilise surtout
𝐼𝑛𝐺𝑎𝐴𝑠 qui présente moins de bruit que G.

50
 Dans les applications infrarouges pour l'imagerie infrarouge ou la détection thermique, on
dispose de photoconducteurs ou de photodiodes constitués de matériaux spécifiques. L’alliage
𝐻𝑔𝐶𝑑𝑇𝑒 est très utilisé dans l'infrarouge moyen et lointain.
Une structure de composant simple est le photoconducteur qui fonctionne sur le principe d'un
changement de conductivité dans le matériau semi-conducteur, en fonction du
rayonnement incident. Ce composant est largement utilisé en détection thermique infrarouge.
Les photodiodes sont les éléments les plus sensibles et les plus rapides, elles peuvent être
utilisées en mode photoconducteur, par une jonction polarisée en inverse, par exemple dans les
transmissions ou en mode photovoltaïque, à l’aide d’une jonction non polarisée, par exemple dans les
cellules solaires.

b. Coefficient d’absorption et sensibilité des détecteurs

Le phénomène important qui détermine le rendement d'une photodiode est l’absorption
du matériau semi-conducteur, caractérisée par le coefficient d'absorption α, qui est défini par unité de
longueur habituellement en cm-1. La puissance absorbée dans le matériau sur une tranche comprise
entre 𝑧 et 𝑧 + 𝑑𝑧 en fonction de la profondeur 𝑧 sera fonction de ce coefficient:

𝒅𝑷𝒂𝒃𝒔 (𝒛) = 𝑷𝒊𝒏𝒄 {𝒆𝒙𝒑[−𝛂(𝛌). 𝐳]}𝒅𝒛 (IV.1)

Où 𝑃𝑖𝑛𝑐 est la puissance incidente arrivant sur la surface du détecteur. La puissance totale
absorbée sera l’intégrale de toutes ces puissances. Afin d’obtenir une détection efficace il faut une
épaisseur d’absorption 𝑧 = 𝑊 suffisante au moins supérieure à la longueur d'absorption 𝐿𝑎 = 𝛼 −1 .
Le coefficient d’absorption dépend de la longueur d’onde 𝜆 et donc aussi de l'énergie de gap 𝐸𝑔
dans le semi-conducteur. Si l’énergie du photon ℎ. 𝜈 est supérieure à 𝐸𝑔 il y a absorption. Pour une
détection il faut donc que la longueur d’onde soit inférieure à la longueur d’onde de coupure 𝜆𝑐 .
Si l'on exprime les énergies en électronvolt, avec 1𝑒𝑉 = 1,602. 10−19 𝐽, une relation utile pour
la longueur d’onde de coupure est :
𝟏,𝟐𝟒
𝝀𝒄 (𝝁𝒎) = (IV.2)
𝑬𝒈 (𝒆𝑽)

51
 Figure IV.1. Coefficients d’absorption dans différents semi-conducteurs.

On peut distinguer plusieurs zones dans la variation de l’absorption en fonction de la longueur

d’onde :
 Une zone d’absorption pour 𝜆 < 𝜆𝑐 où l’on peut considérer en première approximation 𝛼
constant.
 Une zone de transparence pour 𝜆 > 𝜆𝑐 .
 Une zone où 𝛼 devient très grand pour des longueurs d’onde petites et où pratiquement toute
l’absorption se fait à la surface avec un temps de recombinaison est très court.

c. Sensibilité
Un exemple de sensibilité pour les trois semi-conducteurs les plus utilisés comme détecteurs
dans les transmissions par fibre optique en fonction de la longueur d'onde 𝜆.

Figure IV.2. Sensibilités pour les trois semi-conducteurs utilisés comme Détecteurs dans les transmissions par
fibre optique en fonction de la longueur d'onde λ.

C’est qu’a maintenant qu’on va voir quelques dispositifs détecteurs de lumières.

52
IV.2. Photo détecteurs
Un photo détecteur (ou détecteur photosensible ou détecteur optique ou détecteur de lumière)
est un dispositif (détecteur) qui transforme la lumière qu'il absorbe en une grandeur mesurable
généralement un courant électrique ou une tension électrique.

IV.2.1. Photoconducteurs
Les détecteurs fonctionnant dans l’infrarouge sont principalement employés dans les trois
fenêtres de transmission de l’atmosphère: fenêtre NIR ‘Near Infra Red’ de 0,8 µm à 3 µm, fenêtre
MIR ‘Mid Infra Red’ de 3 µm à 20 µm, et la fenêtre FIR ‘Far Infra Red’ de 20 µm à 100 µm. Ces
détecteurs sont utilisés dans les caméras infrarouges pour la vision nocturne, dans la détection de
cibles chaudes, dans le contrôle non destructif, dans la métrologie et en astronomie. Ici on ne
considérera que les détecteurs de type quantique, photoconducteurs et photodiodes, et on ne traitera
pas les détecteurs thermiques comme les bolomètres.
Les photoconducteurs sont utilisés principalement en détection infrarouge. Dans le visible, dans
la fenêtre autour 0,5µm on peut utiliser le composé 𝐶𝑑𝑆. Dans le proche infrarouge le composé 𝐼𝑛𝑆𝑏
offre une sensibilité élevée et dans la région de 3-15 µm l’alliage 𝐻𝑔𝐶𝑑𝑇𝑒 est très utilisé.
Un photoconducteur est constitué par un film de matériau semi-conducteur possédant aux deux
extrémités des contacts ohmiques. Quand le rayonnement incident arrive sur la surface du
photoconducteur, les porteurs sont créés par:
 Des transitions de la bande de valence à la bande de conduction, cas intrinsèque.
 Des transitions de ou vers des niveaux situés dans la bande interdite cas extrinsèque.

Figure IV.3. Absorption de photons dans un semi-conducteur (Intrinsèque ℎ. 𝑣 > 𝐸𝑔 ; Extrinsèque ℎ. 𝑣 < 𝐸𝑔 ).

Dans le cas d’un photoconducteur intrinsèque la fréquence ν du rayonnement incident

doit vérifier la condition d’absorption à travers le gap: ℎ𝑣 ≈ 𝐸𝑔
La conductivité d’un semi-conducteur intrinsèque est fonction des concentrations des
porteurs, électrons 𝑁𝑒 et trous 𝑁ℎ :

53
 𝝈 = 𝒆(𝝁𝒆 . 𝑵𝒆 + 𝝁𝒉 . 𝑵𝒉 ) (IV.3)

𝜇𝑒 et 𝜇ℎ sont les mobilités des électrons et des trous respectivement. L'augmentation de la

conductivité σ est due à l'augmentation de la concentration des porteurs engendrée par l’absorption
des photons incidents.
Le phénomène de génération-recombinaison des porteurs à l’origine de ce bruit, possède deux
contributions équivalentes, celle due à la détection de photons et celle due à l’agitation thermique.
Pour un gain unitaire, 𝐺𝐼𝑝ℎ =1, on obtient une contribution double par rapport au cas de la photodiode,
où l’on ne considère que la contribution des photons.

Figure IV.4. Configuration et structure d'un photoconducteur.

IV.2.2. Photodiodes
Une photodiode est constituée par une jonction P-N. Entre les
zones P et N apparaît sous l'application d'un champ électrique une
zone de transition, appelée zone de charge d'espace (Vue dans les
chapitres précédents), qui permet la création et la séparation des
paires électron-trou.
Pour pouvoir augmenter le rendement quantique, la zone de
transition doit posséder une épaisseur W suffisante, mais dans les
photodiodes rapides la zone de transition ne doit pas être trop grande
afin de diminuer le temps de transit tr des porteurs, il existe donc un
compromis entre rendement et vitesse.
Les photodiodes peuvent prendre plusieurs formes et présentent des structures comme : PN,
PIN, métal semi-conducteur et à hétérojonctions.
Les photodiodes à avalanche, PDA, utilisent en plus la multiplication des porteurs par effet
d'avalanche afin de créer un gain.
Une photodiode peut être utilisée suivant deux modes :
 Mode photovoltaïque : qui correspond à une diode non polarisée en circuit ouvert. La lumière crée
des paires électron-trou dans la zone de charge d'espace, il se crée alors une différence de potentiel
à travers la jonction. C'est le cas des cellules solaires, dans ces composants de grande taille, la structure est
modifiée par rapport aux photodiodes classiques afin de permettre des rendements élevés sur une grande
gamme de longueurs d'onde.

54
 Mode photoconducteur : ici on applique une tension inverse, c'est le mode le plus utilisé pour les
longueurs d'onde dans le visible et dans le proche infrarouge (Vu précédemment dans la section
IV.2.1). Les photodiodes sont polarisées en inverse avec des tensions de l'ordre de 5V et
inférieures à la tension d'avalanche, afin de réduire le temps de transit et la capacité de jonction.
La caractéristique courant-tension d’une photodiode dans les deux modes pourra se présenter
comme suit:

Figure IV.5. Mode photovoltaïque.

Figure IV.6. Mode photoconducteur.

Des photodiodes rapides et de grande sensibilité sont nécessaires pour les transmissions par
fibre optique. Les structures des photodiodes les plus utilisées sont les photodiodes PIN et les
photodiodes à avalanche PDA. Les PDA ont un gain interne et représentent donc les récepteurs les
plus sensibles. Pour les applications à très fort débit, supérieur à 10Gb/s, la meilleure sensibilité est
obtenue pour les récepteurs qui associent une photodiode PIN et un transistor à effet de champ il
s’agit des structures PIN-FET. Les PIN possèdent en général une bande passante supérieure et des
courants de fuite plus faibles que les PDA.

a. Photodiode PIN
Les photodiodes PIN sont constituées par trois zones: une zone dopée P suivie d'une zone
intrinsèque I et d'une zone N d'où le nom du composant. Le composant est fabriqué sur un substrat,
par exemple pour un composant en 𝐼𝑛𝐺𝑎𝐴𝑠 on aura une zone P en 𝐼𝑛𝐺𝑎𝐴𝑠, une zone N- intrinsèque
𝐼𝑛𝐺𝑎𝐴𝑠 et une zone N en 𝐼𝑛𝑃 qui constitue le substrat.

55
 La largeur de la zone intrinsèque est optimisée afin de maximiser le rendement et aussi la
réponse en fréquence à travers la bande passante ∆f. Le rayonnement est presque entièrement absorbé
dans la zone intrinsèque I.

Rendement d'une photodiode PIN

On peut exprimer le photo courant I engendré dans la photodiode par:
𝒆
𝑰= [𝟏 − 𝐞𝐱𝐩(−𝜶𝑾)](𝟏 − 𝑹𝑭 )𝑷 (IV.4)
𝒉𝒗

Le terme multiplicatif devant la puissance optique 𝑃 représente en fait la sensibilité de la

photodiode 𝑆. W est la largeur de la zone d'absorption, 𝛼 le coefficient d'absorption. 𝑅𝐹 est le facteur
de réflexion Fresnel dû à l'interface air semi-conducteur donné par:
𝒏𝒔𝒄 −𝟏 𝟐
𝑹𝑭 = ( ) (IV.5)
𝒏𝒔𝒄 +𝟏

De l’ordre de 30% dans les semi-conducteurs compte tenu des indices 𝑛𝑠𝑐 ≈ 3.
Le rendement total et son approximation pour un composant rapide où 𝛼𝑊 << 1 est donné
par:
𝜼𝒕𝒐𝒕 = [𝟏 − 𝐞𝐱𝐩(−𝜶𝑾)](𝟏 − 𝑹) ≈ 𝜶𝑾. (𝟏 − 𝑹) (IV.6)

Figure IV.7. Photodiode PIN avec les différentes zones de fonctionnement, zone antireflet AR, zone dopée P,
zone intrinsèque I et zone dopée N, les niveaux d'énergie correspondants et le profil d'absorption.

On utilise deux configurations de photodiodes PIN rapides en 𝐼𝑛𝐺𝑎𝐴𝑠:

 PIN éclairée par l'avant ‘front illuminated’, qui correspond à la configuration habituelle. Ici la
lumière entre par la zone P, cette configuration nécessite de placer le contact en dehors de la zone
active.

56
 PIN éclairée par l'arrière ‘back-illuminated’, ici la lumière entre par la zone N, ceci
permet de placer le contact dans la zone P entièrement en dessous de la jonction de façon à rendre
la surface effective de la jonction constante.

Figure IV.8. Structure d'une photodiode PIN en Si éclairée face avant et face arrière montrant les contacts
ohmiques et les dimensions des zones P, I et N.

Temps de réponse d'une photodiode PIN

Les contributions au temps de réponse sont de différente nature :
 Temps de transit 𝑡𝑡𝑟 à travers la zone intrinsèque 10 𝑝𝑠 < 𝑡𝑡𝑟 < 100 𝑝𝑠.
Temps de diffusion 𝑡𝑑𝑖𝑓𝑓𝑢𝑠𝑖𝑜𝑛 à travers la zone intrinsèque, surtout quand W est grand alors
𝑡𝑑𝑖𝑓𝑓𝑢𝑠𝑖𝑜𝑛 ≈ 10 𝑛𝑠.

b. Photodiode à avalanche PDA

Dans une photodiode à avalanche PDA, les électrons crées dans la zone intrinsèque I
sont multipliés par effet d'avalanche. On caractérise cet effet par un gain d'avalanche appelé aussi
facteur de multiplication M ou gain d’avalanche, le courant engendré s’écrit de la façon suivante:
𝑰𝑷𝑫𝑨 = 𝑴. 𝑺(λ).𝑷𝑶𝒑𝒕 (IV.7)

Alors que pour une photodiode PIN on a :

𝑰𝑷𝑰𝑵 = 𝑺(λ).𝑷𝑶𝒑𝒕 (IV.8)

Pour obtenir l'effet d'avalanche il faut appliquer sur la PDA une tension inverse élevée. Le
facteur de multiplication 𝑀(𝑉) dépend de cette tension inverse. L’effet d’avalanche est déclenché
pour une tension inverse supérieure à la tension d’avalanche 𝑉𝐴 . Les tensions d'avalanche 𝑉𝐴 varient
typiquement de 10V à 100V, et les facteurs de multiplication 𝑀 de 1 à 100.

57
 Figure IV.9. Gain d'une PDA en 𝐼𝑛𝐺𝑎𝐴𝑠 en fonction de la tension appliquée 𝑉𝑅 .

Figure IV.10. Structure d'une photodiode à avalanche SAM-APD avec le profil du champ électrique, l'effet de
multiplication est obtenu au-delà du champ critique 𝐸𝐴 .

Pour que cette structure de photodiode fonctionne convenablement, il faut satisfaire les
conditions suivantes :
 Le champ électrique dans la zone de multiplication doit être suffisamment élevé afin de produire
un gain suffisant.
 Le champ électrique dans la zone d'absorption doit être suffisamment faible afin d'éviter les
transitions par effet tunnel.
 La zone intrinsèque doit être suffisamment étendue dans la zone d'absorption de façon à éliminer
les effets de diffusion.

58
 c. Photodiode Schottky

Figure IV.11. Diagramme d’énergie pour une photodiode Schottky.

Dans une photodiode Schottky, le flux lumineux qui traverse le métal de contact (transparent au
rayonnement dans le domaine du proche ultra-violet) est absorbé dans la ZCE côté semi-conducteur,
figure IV.11.
Les porteurs libres ainsi créés sont rapidement balayés par le champ électrique interne (𝐸𝑖 ) de la
jonction. A ce flux de porteurs crées par absorption, nous devons rajouter le flux d’électrons issus du
métal qui acquièrent de l’énergie et transitent vers le semi-conducteur par le champ électrique interne
𝐸𝑖 de la jonction à travers la barrière 𝑒𝑏 , augmentant ainsi le courant inverse de la jonction polarisée
en inverse par le potentiel 𝑉𝑝 .
Ce type de photodiode est très sensible dans l’ultra-violet et le bleu contrairement aux
photodiodes pin (à base de silicium) utilisées habituellement dans les systèmes de communication par
fibre optique, qui présentent une forte sensibilité dans le proche infrarouge.

d. Phototransistor
Un phototransistor est un transistor bipolaire dont la base est sensible au rayonnement
lumineux : c’est le courant photoélectrique qui constitue le courant de commande (ou courant de
base). La figure IV.12 montre une coupe transversale de la structure de ce composant ainsi que les
symboles représentatifs.

Figure IV.12. Structure et schémas d’un phototransistor.

59
 Le courant produit par le phototransistor 𝐼𝐶𝑝ℎ sous un éclairement précis est donné par
l’équation :
𝑰𝑪𝒑𝒉 =𝑰𝒑𝒉 + 𝑰𝑪𝑬𝟎 (IV.9)

Le courant de la base qui résulte de l’éclairement est multiplié par le facteur  du transistor :
(100 1000), ce qui explique la forte sensibilité de ce composant aux faibles éclairements d’une
part, et d’autres part le fort courant fournit par ce photorécepteur, comparativement à une photodiode
classique PN.
Sur la figure IV.13, nous avons représenté les caractéristiques de sortie 𝐼𝑐 (𝑉𝐶𝐸 ) pour
différents éclairements.

Figure IV.13. Caractéristiques 𝐼𝑐 (𝑉𝐶𝐸 ).

Remarques
 Le phototransistor a une sensibilité élevée aux faibles éclairements.
 Le phototransistor fournit un courant à sa sortie qui n’est pas parfaitement proportionnel à
l’intensité de l’éclairement absorbée : problème de non linéarité.
 Le phototransistor a un temps de réponse un peu élevé ce qui limite son utilisation dans les
applications qui demandent la haute fréquence.
 Dans certaines applications où on demande des niveaux de courants élevés, on préfère
utiliser le photo-Darlington (Le photo- Darlington est composé d'un phototransistor, suivi d'un
transistor normal qui amplifie le courant. Ce photo coupleur a une vitesse de commutation
moyenne), car il permet d’avoir un gain beaucoup plus important que celui du phototransistor.

Applications
1- Générateur de tension variable

Figure IV.14. Générateur de tension variable.

60
 2- Phototransistor en émetteur commun

Figure IV.15. Phototransistor en émetteur commun.

3- Détection d'un signal

Figure IV.16. Détection d’un signal.

IV.2.2.5. Cellule solaire Photovoltaïque

Contrairement aux photodiodes, ces cellules fonctionnent sans
polarisation extérieure. La figure IV.17, montre la structure d’une
cellule solaire.

Figure IV.17. Structure d’une cellule solaire.

61
 Principe de fonctionnement
Les porteurs de charges (é, 0) générés par l’absorption des photons dans la zone ZCE seront
séparés par le champ électrique interne de la jonction et y diffusent dans les zones p et n+ où ils sont
majoritaires.

Figure IV.18. Structure d’une cellule solaire avec éclairement.

Ensuite, ils seront collectés au niveau des contacts métalliques qui assurent la liaison électrique
avec le circuit extérieur donnant lieu à un courant photoélectrique 𝐼𝑝ℎ qui en parcourant une charge 𝑅
(batterie, moteur, résistance…), fait apparaître une différence de potentiel 𝑉 entre les deux faces de la
cellule comme c’est indiqué sur la figure IV.19.

Figure IV.19. Principe de fonctionnement d’une cellule solaire.

Schéma électrique équivalent

Figure IV.20. Schéma équivalent d’une cellule solaire.

 Le générateur (𝐼𝑝ℎ ) modélise le courant photoélectrique produit sous éclairement.

62
  La diode modélise le composant en obscurité.
 𝑅𝑠 : résistance série du composant, c’est la somme des résistances des zones de contact plus la
résistance de la zone intrinsèque.
 𝑅𝑝 : résistance parallèle qui modélise les courants parasites traversant la cellule dus aux
porteurs photo-générés puis recombiné.

Courant fourni par une cellule photovoltaïque

𝒒(𝑽+𝑹𝒔 𝑰)
𝑰 = 𝑰𝒑𝒉 − 𝑰𝒔 𝒆𝒙𝒑 [ − 𝟏] − (𝑽 + 𝑹𝒔 𝑰)/𝑹𝒑 (IV.10)
𝑲𝑻

Vue la très faible valeur de 𝑅𝑠 , ou peut négliger la chute de tension à ses bornes (𝑅𝑠 𝐼) devant la
tension de sortie 𝑉, et l’équation de courant devient alors :
𝒒𝑽
𝑰 = 𝑰𝒑𝒉 − 𝑰𝒔 𝒆𝒙𝒑 [ − 𝟏] − 𝑽/𝑹𝒑 (IV.11)
𝑲𝑻

Le schéma représentatif de la cellule est alors représenté par la figure IV.21.

Figure IV.21. Schéma équivalent simplifié.

Comme on peut ne pas tenir compte du faible courant traversant la très forte résistance 𝑅𝑝 , on
travaille avec l’équation de courant suivante :
𝒒𝑽
𝑰 = 𝑰𝒑𝒉 − 𝑰𝒔 𝒆𝒙𝒑 [ − 𝟏] (IV.12)
𝑲𝑻

Le schéma représentatif de la cellule encore simplifié est alors représenté par la figure IV.22.

Figure IV.22. Schéma équivalent encore simplifié.

63
 Paramètres d’une cellule solaire
Sous un éclairement donné, toute cellule photovoltaïque est caractérisée par une courbe
courant-tension-Puissance représentant l’ensemble des configurations électriques que peut prendre la
cellule. Trois grandeurs physiques définissent cette courbe:

Figure IV.23. Caractéristique et paramètres d’une cellule solaire (Courant-Tension-Puissance) d’une cellule
solaire au silicium.

 Sa tension à vide: 𝑉𝑐𝑜 . Cette valeur représenterait la tension générée par une cellule éclairée non
raccordée.
 Son courant court-circuit: 𝐼𝑐𝑐 . Cette valeur représenterait le courant généré par une cellule éclairée
raccordée à elle-même.
 Son point de puissance maximal: 𝑀𝑃𝑃 (en anglais : maximal power point) obtenu pour une
tension et un courant optimaux : 𝑉𝑜𝑝𝑡 , 𝐼𝑜𝑝𝑡 (parfois appelés aussi 𝑉𝑚𝑝𝑝 , 𝐼𝑚𝑝𝑝 ).

Remarque

Pour permettre une comparaison de l’efficacité de différentes cellules, on définit ces

caractéristiques dans des conditions de test bien précises (STC = Standard Test Conditions). Ces
conditions sont : émission lumineuse de 1 000 W/m², température de 25 °C, conditions spectrales Air
Mass 1.5 (composition du spectre identique au spectre solaire lorsqu’il traverse une épaisseur et
demie d’atmosphère, ce qui correspond à un angle d’incidence de 41.8° par rapport à l’horizontale).
Récapitulatif
La cellule peut être caractérisée par trois paramètres :

 Le courant de court –circuit 𝐼𝑐𝑐 ,

 La tension en circuit ouvert 𝑉𝑐𝑜 ,,

64
 Le facteur de forme 𝐹𝐹 ,, définit par le rapport de la puissance utile fournie par la cellule sur le
produit 𝐼𝑐𝑐 . 𝑉𝑐𝑜 . Pour les cellules de bonne performance : 0,75≤ 𝐼𝑐𝑐 , <1.
 Le rendement optique 𝜂 : rapport entre l’énergie électrique fournie et la puissance lumineuse
incidente.
𝑷𝒎𝒂𝒙
𝜼= ⁄𝑷 = 𝑭𝑭 . 𝑰𝑪𝑪 . 𝑽𝑪𝑶 /𝑷𝒊𝒏𝒄 (IV.13)
𝒊𝒏𝒄

En général, le rendement d’une cellule unique ne dépasse pas 15–16%, c’est pour cela on
associe des batteries de cellules pour arriver à une puissance électrique convenable. Actuellement les
cellules très consommées en grande quantité dans le marché du photovoltaïque sont à base de
silicium (𝑆𝑖) vue leur bas prix par comparaison aux cellules à base des matériaux tels que : 𝐺𝑎𝐴𝑠,
𝐶𝑑𝑇𝑒, 𝐶𝐼𝐺𝑆,…

Raccordement des cellules entre elles

Dans les conditions standardisées de test, la puissance maximale pour une cellule Si (silicium)
de 100cm² (10 sur 10) tourne aux alentours de 1,25 Watt. Cette cellule constitue donc un générateur
de très faible puissance, insuffisant pour les applications électriques courantes. Les modules sont
donc réalisés par association, en série et/ou en parallèle, de cellules élémentaires. La connexion en
série augmente la tension pour un même courant alors que la connexion en parallèle augmente le
courant pour une tension identique. Pour que l’électricité générée soit utilisable pour nos applications
électriques, il est donc nécessaire d’associer entre elles un grand nombre de cellules.

Association en série
Par association en série (appelée “String”), les cellules sont traversées par le même courant et la
tension résultante correspond à la somme des tensions générées par chacune des cellules.

Figure IV.24. Branchement de panneaux en série.

65
 Figure 4.25. Caractéristiques pour le branchement de panneaux en série.

Association en parallèle

Figure IV.26. Branchement de panneaux en parallèles.

Figure IV.27. Caractéristiques pour le branchement de panneaux en parallèles.

Par association en parallèle, les cellules sont soumises à la même tension et le courant
résultant correspond à la somme des courants générés par chacune des cellules.

66
 f. Afficheurs à cristaux liquides (afficheurs LCD: Liquid Cristal
Display)

Principe de l’afficheur
Le cœur de l’afficheur est constitué d’un cristal, d’épaisseur 20 µm, dans un état semi-liquide,
mis en « sandwich » entre deux plaques de verres. Sur la plaque de verre supérieure, de fines pistes
conductrices correspondant aux zones à afficher sont reliées à une électrode de commande. La plaque
de verre inférieure est couverte d’une zone conductrice reliée à une électrode commune. A l’état de
repos l’ensemble est translucide.

Figure IV.28. Principe de fonctionnement d’un afficheur LCD.

Si on applique une différence de potentiel alternative entre une des électrodes de commande et
l’électrode commune, la zone concernée devient opaque.

Figure IV.29. Principe de fonctionnement d’un afficheur LCD après application d’une différence de potentiel.

Le cristal ne produisant pas de lumière, pour permettre un affichage, il faut:

 Soit renvoyer la lumière ambiante par une surface réfléchissante placée contre la plaque
inférieure.
 Soit produire de la lumière à l’arrière de l’afficheur avec une DEL par exemple.
La tension appliquée doit impérativement ne pas présenter de composante continue, sous peine
de destruction de l’afficheur. Afin d’éviter d’avoir à générer une tension négative au niveau du
composant, on produit deux signaux carrés 0/𝑉𝑑𝑑 , de même fréquence, décalés d’une demi-période.
L’un de ses signaux est appliqué en permanence à l’électrode commune :

67
 Si on applique le même signal à une électrode de commande, la différence de potentiel entre cette
électrode et l’électrode commune est nulle, le segment n’est pas « affiché », il reste translucide ;
 Si on applique le signal en « opposition de phase » à l’électrode de commande, la différence de
potentiel est alternative (+/-) 𝑉𝑑𝑑 , le segment « s’affiche », il devient opaque.
La fréquence des signaux doit être supérieure à 30Hz pour éviter le scintillement et inférieure à
1kHz pour diminuer la consommation électrique.

Afficheurs LCD commercialisés

Deux types d’afficheurs sont classiquement commercialisés :

 Les afficheurs laissant accès à toutes les électrodes, sous forme de matrice de points (128 par 64
par exemple) ou de lignes (3 digits ½ ou 4 digits par exemple). L’utilisateur doit produire alors les
signaux carrés et les appliquer aux électrodes adéquates.
 Les afficheurs « intelligents » : le composant comprend un microcontrôleur permettant de gérer
l’affichage, la communication se faisant par un bus 8 bits, sur lequel on envoie le code
correspondant au caractère à afficher, et celui de l’endroit où l’on souhaite l’afficher. Une phase
d’initialisation est nécessaire afin de préciser le mode de communication (format 8 ou 4 bits) et le
mode d’affichage (une ligne ou deux lignes, curseur visible ou invisible etc…). Il est possible de
définir ses propres caractères.
Ce type d’afficheur est commercialisé en afficheurs de 1 ligne de 8 caractères (de 8 points par
5), à 4 lignes de 40 caractères, ou encore sous forme de matrice. Par rapport aux afficheurs 7
segments à LED, ils permettent :
 Une meilleure résolution avec l’affichage possible d’autres caractères que les chiffres;
 Une densité d’affichage plus grande (plus d’information sur la même surface);
 Une consommation nettement inférieure, surtout en l’absence de rétro éclairage;
 Ils sont par contre plus complexes à mettre en œuvre et nécessitent d’être pilotés par un
microcontrôleur.

g. Photomultiplicateur
Le photomultiplicateur est un dispositif permettant la détection de photons. Il se présente sous
la forme d'un tube électronique. Sous l’action de la lumière, des électrons sont arrachés d’un métal
par effet photoélectrique à une photocathode, le faible courant électrique ainsi généré est amplifié par
une série de dynodes utilisant le phénomène d'émission secondaire pour obtenir un gain important.
Ce détecteur permet de compter les photons individuellement. Il est sensible de l’ultraviolet à
l’infrarouge proche, le temps de réponse est de l’ordre de la nanoseconde (10−9 seconde).

68
 Figure IV.30. Schéma d’un photomultiplicateur

Les photons incidents traversent une photocathode, constituée d'une fenêtre de verre, sur
l'intérieur de laquelle est apposée une fine couche de métal ou de semi-conducteur. Lorsqu'un photon
atteint le semi-conducteur, il excite un électron de la bande de valence, qui est alors diffusé vers la
surface du semi-conducteur du fait de la différence de potentiel avec l'extérieur. Si l'énergie de
l'électron est supérieure au niveau énergétique du vide à l'intérieur du PM, alors il est éjecté du semi-
conducteur, et appelé « photoélectron ». Les photoélectrons quittent la photocathode et sont ensuite
focalisés par un jeu d’électrodes vers un électro multiplicateur, constitué d'une série de dynodes dont
le but est de transformer le photoélectron initial en un paquet d’électrons suffisant pour constituer un
signal électrique mesurable.
Une anode collecte les électrons secondaires émis par la dernière dynode à partir desquels elle
génère un courant électrique, recueilli en sortie du photomultiplicateur. Finalement, l’arrivée du
photon sur la cathode se traduit par une impulsion de charge suffisamment importante pour être
utilisée par un dispositif annexe, souvent composé d'un amplificateur et d'un discriminateur.

h. Capteurs d’images
Un capteur d’images est un composant électronique photosensible servant à convertir un
rayonnement électromagnétique (UV, visible ou IR) en un signal électrique analogique. Ce signal est
ensuite amplifié, puis numérisé par un convertisseur analogique-numérique et enfin traité pour
obtenir une image numérique.
Le capteur est donc le composant de base des appareils photo et des caméras numériques,
l'équivalent du film en photographie argentique. Le capteur photographique met à profit l’effet
photoélectrique, qui permet aux photons incidents d'arracher des électrons à chaque élément actif
d'une matrice de capteurs élémentaires constitués de photodiodes. Il est nettement plus efficace que
la pellicule: jusqu’à 99% (en théorie) et près de 50% (en pratique) des photons reçus permettent de
collecter un électron, contre environ 5% de photons qui révèlent le grain photo sensible de la
pellicule, d'où son essor initial en astrophotographie. Deux grandes familles de capteurs sont

69
disponibles: les CCD et les CMOS. Les CCD existent encore sur les marchés des appareils compacts
et les appareils à très haute résolution. Les appareils reflex les plus courants quant à eux l'ont
délaissé et utilisé majoritairement des capteurs CMOS.

Conclusion
Après avoir vu pratiquement l’ensemble des dispositifs émetteurs/ récepteurs de lumières, il est
nécessaire maintenant de passer au cinquième et dernier chapitre qui se réside en étude de la fibre
optique. La fibre optique constitue actuellement l’élément clef dans les télécommunications optiques
à grandes distances et dans la fabrication des capteurs très sensibles comme les capteurs de
température, de pression… Ses propriétés sont aussi exploitées d’une manière très large en médecine
(en chirurgie, en endoscopie pour éclairer l’intérieur du corps et transmettre les images jusqu’au
médecin), en aéronautique et en éclairage (espaces publics ou domestiques).

70
 Chapitre V:
Fibres optiques
Chapitre V: Fibres optiques
V.1. Introduction
Pour transmettre l'information émise par les sources optiques il faut disposer de milieux
matériels ayant des faibles pertes et pouvant guider la lumière. Le matériau privilégié est le verre de
grande pureté, qui est la silice 𝑆𝑖𝑂2 .
La transmission par guidage du faisceau optique dans un guide diélectrique évite la divergence
des faisceaux qui est un inconvénient dans la transmission en espace libre.
Une fibre optique est un fil en verre (ou en plastique) très fin (diamètre de quelques µm à une
centaine de µm) qui nous permet de faire circuler de la lumière transportant un grand débit
d’informations (données informatiques, sons, images, téléphone, visioconférence…) qui peut
atteindre les Tbit/s.
La fibre optique constitue actuellement l’élément important dans les
télécommunications optiques à grandes distances et dans la fabrication des
capteurs très sensibles comme les capteurs de température, de pression… Ses
propriétés sont aussi exploitées d’une manière très large en médecine (en
chirurgie, en endoscopie pour éclairer l’intérieur du corps et transmettre les
images jusqu’au médecin), en aéronautique et en éclairage (espaces publics ou
domestiques).

Figure V.1. Illustration schématique d'une ligne de transmission de données à fibre optique.

72
 Cette forte utilisation de la fibre optique est favorisée par le grand développement que connaît
l’industrie des composants optoélectroniques : les sources LASERs, les LEDs, les photodiodes, les
phototransistors.

V.2. Constitution et principe de transmission

Une fibre optique est un guide d'onde diélectrique de géométrie cylindrique. La lumière, est
confinée à l'intérieur du guide et se propage le long de l'axe de la fibre optique. La propagation se fait
sous forme de modes, seulement un nombre fini de modes se propage le long de la fibre.
La fibre optique est constituée d’un cœur cylindrique de silice dopée, entouré par une gaine
optique en silice dont l’indice de réfraction est plus faible que celui du cœur et le tout est protégé par
un revêtement en plastique, figure V.2.
Les principales qualités des fibres optiques sont : une faible absorption, une faible dispersion,
l’insensibilité aux parasites électromagnétiques, pas de rayonnement propre vers l'extérieur, une taille
réduite, un poids faible, l’isolation électrique totale et pas de déflagration en cas de rupture.

Figure V.2. Constitution d’une fibre optique.

Un rayon lumineux entrant dans la fibre optique avec un angle adéquat est guidé en subissant
de multiples réflexions totales internes à l’interface entre le cœur et la gaine, figure V.3.

Figure V.3. Principe de la transmission de la lumière dans une fibre optique.

La partie centrale d’une fibre optique est le cœur d'indice 𝑛𝑐 , elle est entourée par la gaine
constituée du même matériau mais d'indice légèrement inférieur 𝑛𝑔 . La condition de guidage impose
𝑛𝑔 < 𝑛𝑐 .
La gaine est en général entouré d'un matériau appelé le manteau protégeant la fibre des
polluants externes. On définit la différence d'indice relative ∆ par :

𝒏𝟐𝒄 −𝒏𝟐𝒈 𝒏𝒄 −𝒏𝒈

∆= ≈ (V.1)
𝟐𝒏𝟐𝒄 𝒏𝒄

73
 ∆ varie typiquement de 0,1% à quelques %. Le rayon de cœur est noté a et le rayon de gaine b,
Par exemple une fibre optique dénommée 50/125 possède un diamètre de cœur 2a = 50 µm et un
diamètre de gaine 2b = 125 µm. On distingue entre une fibre monomode et une fibre multi mode,
dans la première un seul mode peut se propager il s’agit de la fibre la plus performante pour les
télécommunications.
Remarques
 Possibilité qu’un rayon lumineux parcourt la fibre par son axe sans subir de réflexions.
 Toutes les réflexions subites par le rayon lumineux entrant dans la fibre se font avec le même
angle au niveau du dioptre 𝑛𝑔 /𝑛𝑐 .

V.3. Technologie de la fibre optique

Dans presque tous les procédés d’élaboration de la fibre optique, on élabore d’abord une
préforme vitreuse constituée d’un cœur et d’une gaine, figure V.4. Ensuite on étire les fibres (de la
taille d’un cheveu) par le procédé de fibrage, après on protège la fibre par un revêtement en plastique
contre toutes influences externes (mécaniques, électrique, optiques…), La figure V.5 montre un
touret de fibre optique.

Figure V.4. Préforme en verre de silice. Figure V.5. Touret de fibre optique.

V.4. Types de fibres optiques

On rencontre principalement deux structures de fibre optique suivant le type de profil d’indice.
La fibre optique à saut d'indice ‘SI’, où l’indice est constant dans le cœur et la fibre optique à
gradient d'indice ‘GI’, où le cœur possède un indice dépendant de la position, que l’on trouve dans les
fibres optiques multi modes.
D'autres profils existent, surtout dans les fibres monomodes, par exemple les structures avec
des profils en V ou en W qui correspondent à des utilisations particulières, la figure V.6 résume tout
cela.

74
 Figure V.6. Types de Fibres Optiques.

Remarque
Le mode de propagation exprime en quelque sorte le chemin optique possible suivi par la
lumière au cours de sa propagation dans la fibre.

V.4.1. Fibre mono mode

 Les fibres mono mode dans lesquelles la lumière suit un seul mode de propagation, c’est le mode
en ligne droite.
 Le cœur de la fibre mono mode a une taille en général qui ne dépasse pas 50µm.
 Vue la faible épaisseur de la fibre mono mode, seul la lumière LASER est utilisée comme source
d’impulsions optiques.
 La portée maximale de ce type de fibres peut atteindre 100 km avec un affaiblissement de
0,5dB/km. Ce type de fibre est très utilisé dans les liaisons intercontinentales.

V.4.2. Fibre multi mode

 A noter que la fibre multi mode possède un cœur très large (entre 100 et 300µm) et leur portée
maximale est d’environ 2 km avec un affaiblissement de 10 dB/km selon la technologie de
fabrication.de la fibre.
 Ce type de fibre est très utilisé dans les liaisons internes ou réseaux locales.
 Dans la fibre à Gradient d’indice, on a une variation progressive (ou graduelle) entre l’indice de
réfraction du cœur et celui de la gaine optique, en conséquence les rayons lumineux se propagent
dans la fibre en suivant des chemins optiques presque elliptiques.

75
 C’est la variation d’indice dans le cœur de la fibre qui définit la forme du chemin optique suivi
par les modes se propageant dans la fibre.
 Le diamètre de cœur de la fibre à Gradient d’indice a une taille intermédiaire (entre 50 et 100µm),
et leur portée maximale atteint 2 km avec un affaiblissement de 10 dB/km.
Tableau V.1. Comparaison entre une fibre multimode et une autre monomode.
Fibre Multimode Fibre monomode
cœur = 50, 62,5 ou 100 μm cœur < 10 μm
Bande passante < 1Ghz Bande passante > 1Ghz
Fibre à saut ou à gradient d’indice Fibre à saut d’indice

V.5. Propriétés d’une fibre optique

V.5.1. Condition de guidage dans une fibre
La lumière entrant dans la fibre ne sera guidée le long de ce support, que si l’incidence 𝑖 est
supérieure à l’angle limite 𝑖 = 𝑖𝑙𝑖𝑚 donné par :
𝒊𝒍𝒊𝒎 = 𝒂𝒓𝒄𝒔𝒊𝒏(𝒏𝒈 /𝒏𝒄 ) (V.2)

Figure V.7. Guidage d’un signal lumineux.

 La condition de guidage d’un signal sur l’angle d’incidence i : 𝑖 > arcsin(ng /nc ) ou condition de
guidage d’un signal.
 Cette condition de guidage d’un signal lumineux dans la fibre est nécessaire mais non suffisante.
 Si la lumière incidente forme un angle i tel que : 𝑖  arcsin(ng /nc )), la lumière est réfracté dans la
gaine optique de la fibre et ne sera donc pas transmise, figure V.8.

Figure V.8. Angle d’accéptance limite.

76
 V.5.2. Ouverture numérique d’une fibre optique : (ON)
La loi de Descartes appliquée au signal lumineux faisant un angle 0 avec l’axe de la fibre
donne :
𝒏𝟎 𝑺𝒊𝒏𝟎 = 𝒏𝒄 𝑺𝒊𝒏 = 𝒏𝒄 𝑪𝒐𝒔 𝒊 (V.3)

Seules les impulsions lumineuses d’incidences (0 ) contenues dans le cône d’acceptance
définie par l’angle limite 0𝑙𝑖𝑚 seront guidées dans la fibre, figure V.8, en effet:
A l’entrée de la fibre, l’incidence limite  = 0𝑙𝑖𝑚 correspond aux incidences internes 𝑖 = 𝑖𝑙𝑖𝑚
au niveau du dioptre gaine/cœur, ceci donne :

𝒏𝟎 𝑺𝒊𝒏𝟎𝒍𝒊𝒎 = 𝒏𝒄 𝑺𝒊𝒏𝒎𝒂𝒙 = 𝒏𝒄 𝑪𝒐𝒔 𝒊𝒍𝒊𝒎 = 𝒏𝒄 √𝟏 − 𝑺𝒊𝒏𝟐 𝒊𝒍𝒊𝒎 (V.4)

𝒏𝒈
𝒏𝟎 = 𝟏 et 𝑺𝒊𝒏𝟎𝒍𝒊𝒎 = 𝒏𝒄 √𝟏 − 𝑺𝒊𝒏𝟐 𝒊𝒍𝒊𝒎 = 𝒏𝒄 . √𝟏 − ( ⁄𝒏𝒄 )𝟐 (V.5)

𝑺𝒊𝒏𝟎𝒍𝒊𝒎 = √𝒏𝟐𝒄 − 𝒏𝟐𝒈 (V.6)

Par définition, l’ouverture numérique (ON) de la fibre optique n’est que le sinus de l’angle
d’acceptance limite 0𝑙𝑖𝑚 :

ON = 𝑺𝒊𝒏𝟎𝒍𝒊𝒎 = √𝒏𝟐𝒄 − 𝒏𝟐𝒈 (V.7)

Remarques

 Pour une fibre à gradient d’indice, l’ouverture numérique (ON) change dans le cœur de la fibre :
elle est maximale sur l’axe de la fibre et nulle au niveau du dioptre gaine/cœur.

ON(r) = 𝑺𝒊𝒏𝟎𝒍𝒊𝒎 (𝒓) = √𝒏𝟐𝒄 (𝒓) − 𝒏𝟐𝒈 (V.8)

 Plusieurs réfractions correspondant à plusieurs angles limites selon la position 𝑟 dans le cœur de
la fibre.
Dans le marché des fibres optiques, les producteurs fournissent une relation de deux paramètres
à savoir le paramètre différence relative d’indice  (vu Précédemment) et le paramètre (ON), la
relation entre les deux est :
ON = 𝒏𝒄 √𝟐 (V.9)

 La connaissance de l’écart relatif , nous permet de calculer automatiquement l’ouverture (ON) et

d’enduire alors l’angle d’acceptance limite 0𝑙𝑖𝑚 de la fibre.
 L’ouverture numérique (ON) détermine aussi la puissance lumineuse qu’on peut injecter dans la
fibre, en conséquence, plus l’écart entre l’indice du cœur et celui de la gaine est grand, plus
l’ouverture numérique est grande et plus la puissance injectée dans la fibre est importante.

77
 On peut injecter plus de puissance dans les fibres multimodes à saut d’indice que par rapport aux
autres types de fibres mais cet avantage est limité par les pertes considérables dans ce genre de
fibres.
Pour pouvoir continuer, on a besoin de définir encore plus d’autres longueurs à savoir :

V.5.3. Longueur d’onde de coupure

La longueur d’onde de coupure 𝑐 est celle au-dessus de laquelle la fibre devient monomode. Si
la longueur d’onde de propagation est inférieure à 𝑐 la fibre devient multi modes. Elle est définie
comme suit dont a est le rayon du cœur :
𝟐𝝅
𝒄 = 𝟐.𝟒𝟎𝟒 𝜶. 𝑶𝑵 (V.10)

V.5.4. Atténuation du signal

La lumière transmise dans la fibre optique subit toujours une atténuation (ou affaiblissement),
figure V.9, causée essentiellement par les pertes d’énergie au niveau de l’interface gaine/cœur et par
l’absorption due aux impuretés (𝐹𝑒, 𝐶𝑢, 𝐶𝑜, 𝑁𝑖, 𝑂𝐻 − …) présents dans le verre silice constituant le
cœur de la fibre. Ces pertes d’énergie doivent être minimisées sur des grandes distances pour pouvoir
récupérer toutes les impulsions à la sortie de la fibre.

Figure V.9. Atténuation d’un signal.

L’atténuation du signal dans une fibre de longueur 𝐿 par le coefficient  en dB/km.  est donné
par :
(). 𝑳 = 𝟏𝟎. 𝒍𝒐𝒈 (𝑷𝟎 / 𝑷𝑳 ) (V.11)

𝑃0 et 𝑃𝐿 sont respectivement les puissances à l’entrée et à la sortie d’une fibre de longueur 𝐿.

Donc, c’est rien que le rapport entre la puissance d’entrée et la puissance de sortie.  est encore
appelé coefficient d’affaiblissement du signal.
L’atténuation dans la fibre a plusieurs origines :
 Pertes par absorption moléculaire: elles sont causées par l’absorption des rayons optiques par la
silice et les impuretés contenus dans celle-ci.
 Pertes par micro courbures: elles sont dues principalement aux techniques de fabrication, elles se
traduisent par l’irrégularité de l’interface cœur-gaine. Lorsqu’un faisceau de rayons optiques
atteint l’interface cœur-gaine qui présente des irrégularités, chaque rayon incident est caractérisée
par sa trajectoire qui est imposée par le point de réflexion.

78
 Pertes par courbures: lorsqu’on courbe une fibre, l’angle d’incidence diminue, ce qui a pour
conséquence soit une conversion de mode, soit un rayonnement dans la gaine.
 Pertes par épissurage: elles sont dues au couplage des fibres.
L’atténuation de la lumière dans la fibre optique dépend fortement de la longueur d’onde ,
comme montre la figure V.10, elle est maximale dans le domaine des courtes longueurs l’onde
(domaine du proche ultra-violet du visible), diminue progressivement dans le domaine 𝐼𝑅 et présente
des minimums autour des longueurs d’onde  = 1,30m et  = 1,55m .
La transmission optique du signal sur les câbles à fibres monomodes (en silice) utilise
couramment les fenêtres optiques autour des longueurs  = 1,30m et  = 1,55m pour récupérer
les signaux avec le minimum de pertes.

Figure V.10. Atténuation dans une fibre de silice.

La fibre en silice (SiO2), présente trois bandes d’intérêts appelées fenêtres optiques:
 0.85μm (première fenêtre optique) :
o Composants électro-optiques bon marché.
o Transport d’informations sur de courtes distances (5 Km pour une perte par
absorption de 90% du signal et grande dispersion >25 ps²/Km).
 1.31μm (deuxième fenêtre optique) :
o Réseau de communication standard (80 Km).
o Dispersion nulle dans la fibre.
 1.55μm (troisième fenêtre optique) :
o Réseau de communication longue distance (105km avec une dispersion de
-20ps²/km).
o Amplificateur optique à fibre dopée en erbium.
Remarques
 Pour les fibres optiques multi modes, les opérateurs de télécommunication optiques utilisent la
fenêtre [850 - 1300nm].
 Pour minimiser cet effet négatif de l’affaiblissement du signal au cours de sa transmission sur les
grandes distances (supérieures en général à 500 km) on doit ré amplifier le signal d’une manière
périodique le long de la fibre optique.

79
 Au cours du calcul des paramètres d’une ligne de transmission optique, on doit tenir compte des
pertes d’énergie lumineuses au niveau de toutes les connexions entre fibres constituant la ligne
(soudures, épissures…) et entre fibres et modules électroniques constituant la ligne.

V.5.5. Dispersion
Le phénomène de dispersion se traduit par un élargissement des impulsions au cœur de leur
propagation, cet élargissement limite la bande passante du canal, figure V.11 et V.12 illustrent cela :

Figure V.11. Dispersion d’un signal analogique le long d’une fibre optique.

Figure V.12. Dispersion d’un signal numérique le long d’une fibre optique.

Il existe deux types de dispersion :

 La dispersion chromatique: qui résulte de la différence de vitesses de groupes des différentes
composantes spectrales du signal de transmission.
 La dispersion modale: qui résulte de la différence de temps de propagation des différentes modes
qui se propage dans la fibre multi modes.
La dispersion est une grandeur très importante pour les télécoms à grandes distances. Les fibres
monomodes en silice offrent actuellement la meilleure fiabilité et la plus grande bande passante que
toute autre fibre, indispensables pour une propagation du signal sur de longues distances.
Remarques

 La dispersion modale limitera donc largement le débit de transmission de la fibre mesuré en

Gbit/s.
 La dispersion intermodale calculée dans les fibres à saut d’indice est beaucoup plus grande que
celle relevée sur les fibres à gradient d’indice, ce qui limite leur utilisation dans les grandes
distantes, car on risque de perdre totalement l’information transmise.

80
 V.5.6. Bande passante d’une fibre optique
C’est ce paramètre, directement lié aux phénomènes de dispersion qui induit les limites
d’utilisation de la fibre optique.

Figure V.13. Les limites d’utilisation de la fibre optique.

Pour ne pas avoir un mélange d’informations et une perte, la fréquence d’émission est donc
limitée ce qui a pour conséquence de réduire la bande passante.

a. Signal analogique
Comme nous avons signalé, l'impulsion lumineuse émanée d’une diode LED comme exemple,
s'étale dans la fibre à cause de la dispersion. Afin de récupérer le signal à la sortie de la fibre avec le
maximum de ses caractéristiques, il faut maintenir donc sa période 𝑇 largement supérieure à
l’étalement 𝑇 : 𝑇 > 𝑇 et 𝑇 = 1/𝐹 (F = fréquence d’émission des impulsions). La fréquence 𝐹 ne
doit pas dépasser alors une certaine fréquence limite 𝐹 = 𝐹𝑙𝑖𝑚 = 1/𝑇.
Pratiquement, la fibre n’atteindra pas la fréquence 𝐹𝑙𝑖𝑚 , elle coupera le signal à une fréquence
𝐹𝑐 inférieure à 𝐹𝑙𝑖𝑚 et se comporte comme un filtre passe-bas de bande passante comprise entre
0(Hz) et une fréquence de coupure 𝐹𝑐 donnée par:
𝑷𝟎 = 𝑷𝑳 /𝟐 (V.12)

Avec : 𝑃𝐿 =la puissance maximale transmise par la fibre.

𝑃0 =la puissance transmise à la fréquence 𝐹𝑐 .

Pour 𝐹 = 𝐹𝑐 , nous aurons une chute de puissance de 3dB. C à d de la quantité 10log 𝑃0 / 𝑃𝐿 . En

conséquence, la bande passante est limité par la fréquence 𝐹 = 𝐹𝑐 , pour laquelle, nous aurons une
perte de puissance transmise de l’ordre de -3dB. C’est la bande de fréquences dans laquelle les
signaux sont correctement reçus. (Concernant le dB, on va ouvrir une petite parenthèse).
Remarque
Le décibel (dB) est une unité définie comme dix fois le logarithme décimal du rapport entre
deux puissances, utilisée dans les télécommunications, l'électronique et l'acoustique.
𝑷
𝑿𝒅𝒃 = 𝟏𝟎𝒍𝒐𝒈𝟏𝟎 ( 𝟏)
𝑷𝟐
(V.13)

81
Exemples numériques

Si 𝑃1 =100×𝑃0 , le rapport entre les deux puissances est de 100 = 102 ; ce qui correspond à
20 dB ;
Si 𝑃1 =2×𝑃0 , leur rapport est de 2 ≈ 100,3, ce qui correspond à 3 dB. Ainsi, multiplier par 2 une
puissance correspond à ajouter 3 dB.
Rapports des puissances et décibels

La connaissance de la variation de la puissance transmise 𝑃 en fonction de la fréquence, nous

permet de connaître facilement la valeur de la fréquence de coupure 𝐹𝑐 et donc la bande passante de
la fibre. Plusieurs applications ont montré que la bande passante 𝐹𝑏 du fibre est inversement
proportionnelle à la dispersion totale du signal:

𝑭𝒃 = 𝒌⁄𝑻 (V.14)

Avec 0,4k 0,5

b. Signal numérique
Pour la transmission des signaux numériques, les professionnels de la fibre optiques utilisent la
notion de débit d’informations transmis par le câble à fibre optique en équivalence à sa bande
passante.
En effet la dispersion (chromatique plus modale) va contraindre la transmission du signal
numérique à cause du recouvrement des impulsions successives (Figure V.12), ce qui impose un
espacement dans le temps suffisamment limite pour éviter le recouvrement de ces impulsions et par
suite récupérer l’ensemble de l’information transmise.
L'UIT-T (Union Internationale des Télécommunications) a instauré des normes internationales
pour les fibres optiques déployées dans les réseaux de télécommunications. Les recommandations
G.650 à G.655 portent sur les paramètres géométriques, mécaniques et optiques des fibres et sur les
tolérances admissibles sont mentionnées dans le tableau suivant:

82
 Tableau V.1. Exemples de caractéristiques de quelques fibres optiques de transmission.

V.6. Raccordement entre fibres optiques

V.6.1. Types de raccordements
Dans l'établissement d'une liaison de transmission par fibre optique (entre stations, entre
villes,…) on est contraint de relier plusieurs fibres entre elles pour couvrir la distance
demandée, ceci d’une part et d’autre part, raccorder la fibre aux circuits émetteur et récepteur
d’informations. Lors de la construction, la fibre optique est installée jusqu’à un boitier de terminaison
proche de votre logement, dans la rue pour les pavillons ou dans les parties communes pour les
immeubles. Ce boitier est appelé PBO (point de branchement optique). Le dernier câble à installer,
allant de ce boitier « PBO » jusqu’à la prise optique de votre box internet dans votre habitation est
appelé : le raccordement final.

83
 PBO dans les parties communes PBO Souterrain PBO Aérien
Figure V.14. Raccordement entre fibres optiques

a. Soudure optique
L'opération de soudure est essentielle lors de la phase de déploiement des infrastructures fibre
optique et aura un impact déterminant sur la qualité des réseaux. Une soudeuse fibre optique permet
en effet de réaliser une jointure par fusion de deux fibres optiques dans le but d'établir une connexion.
Celle-ci s'avère utile lors du déploiement des réseaux optiques pour établir des connexions entre les
fibres optiques.

Figure V.15. Soudure optique.

b. Raccordement FTTH : les prises terminales optiques

La prise terminale optique est la dernière partie du réseau FTTH et fait partie du câblage client
final. A installer directement chez l'abonné, généralement au niveau de la GTL (Gaine Technique de
Logement), ce boîtier permet d'être raccordé à la box opérateur. En outre, la PTO fibre permet d'avoir
accès au très haut débit.

84
 Figure V.16. Prise terminale optique FTTH.

c. Brassage optique
Un tiroir optique permet de raccorder des câbles pour ainsi en assurer leur distribution vers du
matériel actif ou d'autres câbles. Les tiroirs optiques sont à installer dans les baies ou répartiteurs et
répondent à diverses applications des réseaux fibrés. Les tiroirs coulissants sont dotés d'un système
de retenue de fin de course pour faciliter le raccordement en baie. Les tiroirs télescopiques offrent un
accès facilité aux cassettes et aux pigtails, simplifiant les interventions et maintenances. Les tiroirs
pivotants conviennent parfaitement à une utilisation en armoire de rue. Ils laissent un libre accès à
l'arrière du tiroir ce qui permet de faciliter l'installation et la maintenance des équipements.

Figure V.17. Brassage Optique.

V.6.2. Pertes aux raccordements

Il est indispensable de raccorder de nombreuses fibres pour les transmissions à grande distance.
Il est nécessaire aussi de couper les fibres à la longueur appropriée à chaque répéteur et de les
connecter à d’autres composants. Les figures suivantes montrent les déplacements qui peuvent
survenir lors d’une connexion bout à bout :

Longitudinal Latéral Désalignement d’angle Erreurs de concentricité

Figure V.18. Pertes aux raccordements.

85
 V.6.3. Quelques connecteurs optiques

a. Connecteur ST
 Système de verrouillage à baïonnette
 Possède une férule en céramique
 La perte d'insertion est entre 0,3 et 0,5 db

b. Connecteur SC
 Forme carré pour un clipsage du connecteur
 Système de verrouillage coulissant
 Utilisé pour les applications bureaux
 Perte d’insertion à 0,3 db

c. Connecteur MIC
 Utilisé pour les réseaux FDDI (Fibre Distributed Data
Interface)

d. Connecteur Souriau
 Multimode. Obsolète. Date des premiers réseaux
optiques en France pour la transmission PDH (TNLO
34MBit/s).

e. Connecteur VFO
 Verranne Fibre Optique
 Maximum 2.5GBits/s.

86
 f. Connecteur MPO
 Multi-fibre Push-On/Push Off
 Snap (couplage multiple push-pull)
 Intègre 12 (version la plus courante) ou 24 brins
optiques.

Conclusion
A la lecture de ce chapitre, nous pouvons dire que la fibre optique utilisée en tant que support
de propagation pour la lumière est devenue un élément clé de l’électronique et des
Télécommunications d’aujourd’hui. La fibre optique est loin d’être un milieu de transmission idéal.
Différentes sources de distorsion agissent sur les signaux envoyés ce qui rend difficile la tâche du
concepteur. Seule une compréhension approfondie de ces sources de distorsion permettra de
concevoir de systèmes plus robustes. La fibre possède des qualités non négligeables comme support
de transmission de l’information qui lui ont permis de s’imposer dans les réseaux de
télécommunications. Et plusieurs de ses défauts semblent pouvoir se corriger (la dispersion
chromatique par une fibre, l’atténuation…).

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 Références

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