Exercice 1

EXERCICE 1
Pour toutes les questions on utilisera les grandeurs suivantes :
Charge élémentaire : q = 1.6 10-19 C. ;
Pour le silicium à la température ambiante : T0 = 300 K ; kBT0 = 0.025 eV.
 Hauteur de la bande interdite : 1.12 eV ;

 permittivité : 1.0 10-12 F/cm.
 Nombre intrinsèque ni(T0) = 1010 cm-3.
 Mobilité des porteurs négatifs : 1.3 103 cm2.V-1.s-1. ;
 Mobilité des porteurs positifs : 4.5 102 cm2.V-1.s-1. ; Durée de vie des porteurs
minoritaires : 0.10 µs.
 On supposera que les mobilités évoluent proportionnellement à T-3/2.
Première partie.
 Figure 1
Une résistance R est reliée à un générateur délivrant un courant constant I = 8.0 mA par deux
fils conducteurs de 1.0 m de longueur et de section 0.10 mm2.
1°) Quel est le type des porteurs responsables de la conduction ?
2°) D’où part un porteur et ou arrive-t-il ?
3°) Sachant que la densité des porteurs dans le conducteur est 8.0 1022 cm-3 , calculer leur
vitesse de dérive (m/s).
4°) En négligeant son temps de transit dans la résistance , à quelle date un porteur parti de la
source le 19 décembre à 8 h retrouvera la source.
5°) La résistivité du conducteur est 1.6 10-6 . cm., la valeur de la résistance R est 47 , quelle
est la différence de potentiel entre les points A et B ?
Deuxième partie.
6°) La résistance R est constituée par un échantillon de silicium P de 2.0 mm de long et de

section 1.0 mm2 , quel est le dopage du semiconducteur (cm-3) ?
7°) Calculer le coefficient de température (VAB/T en mV/°C) de la tension aux bornes du

générateur de courant ?
Troisième partie.
On considère D : une diode PN abrupte idéale en silicium à la température ambiante T0
8°) A partir des expressions de la position du niveau de Fermi dans un semiconducteur P et de

la position du niveau de Fermi dans un semiconducteur N, établir l’expression de l’énergie de
la barrière de potentiel de la jonction PN non polarisée en fonction des dopages des parties P
et N et du nombre intrinsèque.
9°) Le dopage de la partie P étant 100 fois plus grand que le dopage de la partie N, en déduire
l’expression de la densité N des impuretés donneuses en fonction de la tension de barrière de
la jonction non polarisée. Cette tension étant de 0.65 V. ; calculer le dopage de la partie N
(cm-3).
10°) A partir de l’hypothèse de SHOCKLEY, établir l’expression et calculer l’épaisseur de la

zone désertée (µm) et l’amplitude maximale du champ électrique dans cette zone (kV/cm).
11°) Le dopage de la partie P étant supposé égal à 5.0 1016 cm-3 et le dopage de la partie N à
5.0 1014 cm-3 ; calculer le courant inverse par unité de surface (A/cm2) de la jonction à la
température ambiante.
Quatrième partie.

 Figure 2
12°) La diode D présente à la température ambiante une résistance série de 3.0  et un

courant de saturation théorique de 3.0 10-13 A. Elle est placée en série avec l’échantillon de
silicium P de résistance 47  (figure 2). Calculer la tension aux bornes du générateur de
courant et calculer le coefficient de température VAB/T (mV/°C) sachant que le courant
de saturation de la jonction peut se mettre sous la forme : A T3 exp-(Eg/kBT) où A est une
constante indépendante de la température. Quelle est une utilisation possible de ce
montage ?
EXERCICE 2
Questions
1. Donner les définitions (2 lignes maximum) du niveau du vide, du travail de sortie, et

de l’affinité électronique,
2. On réalise un contact entre un métal et un semiconducteur de type " N " dont le
dopage est constant, quelle condition doivent présenter le métal et le semiconducteur
pour réaliser une barrière métal-semiconducteur ?
3. Le métal utilisé à un travail de sortie de 4.7 eV et le semiconducteur présente une
affinité électronique de 4.0 eV, calculer le dopage du semiconducteur (atomes/cm3)
pour que le potentiel de la barrière qui s’oppose au passage des électrons du
semiconducteur vers le métal soit de 0.53 V. (on prendra kT0 = 0.025 eV et Nc = 10 25
m-3) .
4. Démontrer la relation que relie le potentiel de barrière à l'épaisseur de la zone désertée
qui existe dans le semiconducteur. Sachant que q = 1.6 10-19 C, que le dopage du
semiconducteur est de 1.0 1016 cm-3 et sa permittivité 10-12 F/cm, en déduire la valeur
de la capacité par unité de surface (pF/cm2) de la barrière non polarisée.
5. Que faut-il faire pour polariser la barrière métal-semiconducteur en direct. Calculer la
tension à appliquer pour obtenir un courant direct un million de fois plus grand que le
courant d'émission des électrons du métal vers le semiconducteur.
6. Sachant que la valeur du champ d'avalanche dans le semiconducteur utilisé est de
l'ordre de 100 kV/cm, en déduire la valeur approximative de la tension de claquage
inverse de la barrière métal-semiconducteur envisagée.
7. Dire en quelques lignes (5 maximum), ce qu’il faut faire pour réaliser un contact
ohmique avec le métal et le semiconducteur précédents.
EXERCICE
Dans tout l’exercice proposé on prendra :
m0 : masse de l’électron : 0.91 10-30 kg.
q : charge élémentaire : 1.6 10-19 C.
T0 : température ambiante : 293 K ; kT0 : 25.3 meV.

0 : permittivité du vide : 8.85 10-14 F/cm.
N0 : 2.5 1025 m-3 .
On considère l’arséniure d’indium (InAs) pour lequel on connaît la hauteur de la bande

interdite : 0.36 eV, la mobilité des électrons : 33 103 cm2/V/s, la mobilité des trous 4.6 102
cm2/V/s, la masse effective des électrons 0.023 m0, la masse effective des trous 0.4 m0, et la
permittivité relative 14.6. On supposera que les mobilités ne varient pas en fonction de la
densité des impuretés présentes dans le semiconducteur et qu’elles évoluent
proportionnellement à T-3/2 :
1°) Calculer le nombre intrinsèque (cm-3) de l’InAs à la température ambiante.
2°) Calculer la résistivité (.cm) de l’InAs à la température ambiante.
A partir de maintenant on dope l’InAs de telle façon que les porteurs négatifs soient dix mille
fois plus nombreux que les porteurs positifs et on envisage la température ambiante (pour
simplifier les calculs, on prendra ni(T0) = 2.0 1014 cm-3) :
3°) Calculer la densité (cm-3) des porteurs positifs et des porteurs négatifs.
4°) Calculer la résistivité (.cm) de l’InAs dopé.
On réalise une diode PN abrupte de 100 µm de côté en InAs dont la tension de barrière est de
0.45 V à T0 (dopage de la partie N : 2.0 1016 cm-3) et la durée de vie des porteurs minoritaires
10 µs.
5°) Calculer le dopage (cm-3) de la région P ;
6°) Calculer la capacité (pF) de la jonction lorqu’elle n’est pas polarisée ;
7°) Calculer son courant (nA) de saturation.
On veillera particulièrement à donner les réponses numériques dans les unités demandées.

Exercice 1

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Pour toutes les questions on utilisera les grandeurs suivantes :

Charge élémentaire : q = 1.6 10-19 C. ;

Pour le silicium à la température ambiante : T0 = 300 K ; kBT0 = 0.025 eV.

 Hauteur de la bande interdite : 1.12 eV ;

1°) Quel est le type des porteurs responsables de la conduction ?

2°) D’où part un porteur et ou arrive-t-il ?

6°) La résistance R est constituée par un échantillon de silicium P de 2.0 mm de long et de

7°) Calculer le coefficient de température (VAB/T en mV/°C) de la tension aux bornes du

On considère D : une diode PN abrupte idéale en silicium à la température ambiante T0

8°) A partir des expressions de la position du niveau de Fermi dans un semiconducteur P et de

10°) A partir de l’hypothèse de SHOCKLEY, établir l’expression et calculer l’épaisseur de la

12°) La diode D présente à la température ambiante une résistance série de 3.0  et un

1. Donner les définitions (2 lignes maximum) du niveau du vide, du travail de sortie, et

Dans tout l’exercice proposé on prendra :

m0 : masse de l’électron : 0.91 10-30 kg.

q : charge élémentaire : 1.6 10-19 C.

T0 : température ambiante : 293 K ; kT0 : 25.3 meV.

N0 : 2.5 1025 m-3 .

On considère l’arséniure d’indium (InAs) pour lequel on connaît la hauteur de la bande

1°) Calculer le nombre intrinsèque (cm-3) de l’InAs à la température ambiante.

2°) Calculer la résistivité (.cm) de l’InAs à la température ambiante.

4°) Calculer la résistivité (.cm) de l’InAs dopé.

5°) Calculer le dopage (cm-3) de la région P ;

6°) Calculer la capacité (pF) de la jonction lorqu’elle n’est pas polarisée ;

7°) Calculer son courant (nA) de saturation.

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