« Smart Systems »

3A ECM - PICSEL :
Photonique, Image, Communication, Signal Et sciences de la Lumière
système intelligent

Unité de
traitement

Capteurs

Actionneurs
Architecture générique d'un smart system

Actionneur
Interactions avec
l’environnement physique
Capteurs, Actionneurs
Systèmes de communication
Capteurs Actionneurs
 Capteur : définition
Un capteur est un organe de prélèvement d'information (parfois dispositif intelligent) qui
élabore à partir d'une grandeur physique, une autre grandeur physique de nature
différente (très souvent électrique).
Il assure ainsi la conversion d'une quantité mesurée en un signal interprétable relié à
la mesure par une relation simple.
Capteur : structure interne
Caracteristiques d'un capteur
Le choix d'un capteur dépend de ses spécifications métrologiques, ses
applications sont elles mêmes conditionnées par le comportement ou la
réponse du capteur à une entrée (mesurande) donnée.

On distingue usuellement les réponses statiques et dynamiques du

capteur :

Dans le premier cas l'entrée ne varie pas ou varie par paliers et la

grandeur de sortie est relevée lorsque tout effet transitoire a
disparu.

La réponse dynamique traduit le comportement transitoire

temporel du capteur, elle renseigne également sur son
comportement fréquentiel.

/113
 Conditionnement
La partie électronique analogique qui traite le signal de sortie des capteurs et
qui est souvent placé à proximité des capteurs porte le nom d’étage de
conditionnement du signal.

L’étage de conditionnement du signal des capteurs à un rôle très important. Il

converti en tension la grandeur de sortie du capteur, adapte l’impédance pour
le capteur et limite l’amplification en mode commun.

Il doit être optimisé pour éliminer les bruits électromagnétiques.

 Conditionneur
Le conditionneur est l'élément de sortie du capteur qui transforme les variations du
mesurande primaire ou secondaire en variations électriques exploitables (tension,
courant, ….).

/113
Types de conditionneurs
 Conditionneurs pour capteurs passifs
La réponse d’un capteur passif à la variation du mesurande ΔX se traduit
comme une variation d’impédance ΔR, ΔL, ΔC.

X Capteur (ou Z
ΔX transducteur) ΔZ

Exemples : Capteurs résistifs : jauges de contraintes, sondes température métalliques,

capteurs de déplacement,

Capteurs capacitifs : microphones, capteurs de déplacement, détecteurs

de proximité,

Capteurs inductifs : capteurs de déplacement, détecteurs de proximité,

/113
Nota : Pour obtenir une sortie équivalente à une variation de tension ΔV
ou de courant ΔI, il sera nécessaire d’ajouter un conditionneur de signal.

X Capteur (ou Z V
Conditionneur
ΔX transducteur) ΔZ ΔV

/113
 Conditionnement des capteurs
passifs
Variation d’impédance du capteur associée à une source de tension ou une source de courant
Grandeur exploitée = tension de sortie.

Les jauges de déformation, dites « jauges de contrainte », sont des résistances métalliques ou
semi-conductrices qui traduisent en variation de résistance une contrainte mécanique.
variations relatives de résistance R et de longueur L d’une jauge liées par :

K = facteur de jauge proche de 2 pour les jauges métalliques et de 40 à 200 pour les jauges à
semi-conducteurs au silicium.
Application aux capteurs résistifs : R  f ( X )

X = X0 + ΔX R = R0 + ΔR

ΔX ΔR

R0 correspond à la valeur à l’équilibre (à spécifier) et ΔR à la variation consécutive à une

variation du mesurande ΔX.

Nota : En général, le capteur fonctionne en petite variation : ΔR << R0

/113
1. Mesure directe 2 fils, 3 fils, 4 fils
Principe de mesure : une source de courant impose la valeur de l’intensité I traversant le
capteur et un voltmètre mesure la tension V à ses bornes.
V
La résistance du capteur R est donnée par : R 
I

I Rf
On mesure la tension V suivante :

V  (R f R R f )I  (2Rf  R )I
I V R La résistance “mesuréeˮ Rm est donc :

Rf V
Rm   2Rf  R
I

Inconvénient : La résistance des conducteurs de liaison Rf s’ajoute à la mesure de R et

en réalité ce montage mesure une résistance effective : Re = R + 2 Rf

/113
Mesure directe 2 fils, 3 fils, 4 fils

Le montage 4 fils permet de s’affranchir des valeurs des résistances des conducteurs de
liaison Rf.

I Rf

Rf On mesure directement la tensionV  RI

I
Iv = 0 A
La résistance “mesuréeˮ Rm est donc :
I V R
V
Rm   R
I
Rf

Rf

Inconvénient : Ce montage nécessite plus de câbles que le montage 2 fils.

/113
Mesure directe 2 fils, 3 fils, 4 fils

Le montage 3 fils est un bon compromis (nombre de câbles/résistante de liaision) mais il

nécessite la mesure de deux tensions.

I On mesure la tension V1
Rf
V1  (R f R R f )I  ( 2Rf  R )I
I
On mesure la tension V2
R
V2  Rf I
I V1 Iv = 0 A

Rf La différence des tensions V2 et V1 nous donne

Rf
V1  V2  (Rf  R )I
V2

La résistance “mesuréeˮ Rm est donc :

Rf
V1  V2
Rm   Rf  R
I

/113
Les ponts de mesure sont utilisés dans les applications suivantes :

• capteur de couple ou de pression. La grandeur physique mesurée engendre une variation de

la résistance d’un ou de plusieurs éléments du pont de Wheastone. Une mesure de la tension
différentielle aux bornes du pont délivre une tension proportionnelle à la grandeur physique à
mesurer.

• la quantité de carburant injectée dans un moteur thermique dépend de la masse de l’air et

du débit de l’air (débit massique). Le débit massique est déterminé par un montage en pont de
Wheastone. Un élément de ce pont est chauffé et son refroidissement par l’air aspiré est
proportionnel au débit massique. Une mesure de la tension différentielle aux bornes du pont
délivre une information sur le débit massique.

• capteur magnétique. Avec des magnétorésistances, la résistance est dépendante du champ

magnétique appliqué.
Polarisation du capteur par une tension
Montage potentiométrique simple

Principe de mesure : une source de tension alimente un pont diviseur de tension

avec une résistance fixe R et une autre représentant le capteur Rc.

1,0

0,8

0,6

V/VCC
0,4

0,2

0,0
0 5 10 15 20
R/R1

/113
=> sensibilité au bruit électromagnétique
Montage en pont
Montage en pont de Wheastone avec un élément sensible (quart de pont)
L’élément sensible (qui remplace Rc ) délivre une variation de résistance en fonction de la
grandeur à mesurer.
Avantages du montage en pont :

– si R = R0 alors V = 0,
–
– le signe de V donne le signe du mesurande,

– si R > R0 , V est positif et si R < R0 alors V est négatif.

Montage en pont à deux éléments sensibles (demi pont)
Quand on associe deux éléments sensibles, l’évolution de Vab en fonction de a est
linéaire:

Avantages du montage push-pull demi-pont :

– La composante continue de V est annulée,

–
– La variation de V avec ΔR est linéaire.
Montage en pont complet

Le montage délivre la tension : DVm  aE.

Ce montage, comparé aux précédents, est préférable puisqu’il délivre une
tension plus importante.
Polarisation du capteur par un courant
Circuit ¼ pont

Circuit ½ pont

Circuit pont complet

Linéarisation et amplification
5. Montage potentiométrique avec amplification du signal
Ce conditionneur est utilisé notamment pour les photorésistances (R = f(Φ))

A l’entrée de l’amplificateur
opérationnel, on a :
R
V  V
R  R1 cc
R2
V  V
R2  R3 cc

Or, on a : V V

R R2
donc : Vcc  Vs
R  R1 R2  R3

/113
 R  R3 1
On obtient alors : Vs  2 . V
R2 R1 cc
1
R

Pour une photorésistance la Conditionneur pour LDR

variation R = f(Φ)
12
est de la forme

Tension de sortie (V)

10 1
Vs  K ( )Vcc
R  ae b 8 R1
1
R
6

4
R diminue si l’intensité du flux
lumineux 2
augmente 0
100 1 000 10 000 100 000 1 000 000
Resistance (ohm)

/113
 Conditionneurs pour capteurs actifs
La réponse d’un capteur actif à la variation du mesurande ΔX se traduit par une
variation de tension : ΔV, de courant : ΔI ou de charge électrique ΔQ.

X Capteur (ou V
ΔX transducteur) ΔV

Exemples : Variation de tension : sondes température thermocouple,

Variation d’intensité : photodiode,…

Variation de charge : accéléromètre piézoélectrique

/113
Pour obtenir une sortie équivalente à une variation de tension ΔV ou de
courant ΔI, en théorie, il n’est pas nécessaire d’ajouter un conditionneur
de signal, cependant pour des questions d’adaptation d’impédance, un
conditionneur de signal est souvent nécessaire au montage.

Les capteurs piézoélectriques requièrent un amplificateur de charge qui

transforme la variation ΔQ en variation ΔV.

/113
 Conditionnement actif
Le capteur est une source de courant
=> étage de conditionnement = convertisseur courant tension.
courant de sortie du capteur converti par l’AOP.

tension en sortie du capteur faible (AOP parfait) => aucun courant ne circule dans les
éléments en parallèle du générateur de courant.
Le capteur est une source de charge
Ici aussi l’influence de l’impédance en parallèle du générateur de courant est rendue
négligeable par un AOP imposant une tension quasi nulle sur son entrée.
La résistance est remplacé par une capacité.
Les charges délivrées par le capteur apparasaisant sous forme de courant i sont transférées
dans la capacité C de la contre réaction de l’AOP.

montage convertisseur charge tension

Les charges q délivrées par le capteur sont traduites en tension
1. Capteurs sources de tension

Exemple : Thermocouple

Schéma électrique équivalent :

i
A
Rs Tension de sortie: vs = v –Rs I
v
Tension de sortie à vide : vs = v
v vs
Impédance de sortie : Rs

/113
 Mesure de la tension de sortie : Utilisation d’un voltmètre

i A
Impédance d’entrée du voltmètre : Re
Rs
v Re
Tension mesurée : v m  v
Rs  Re
v Re vs

Re
Si Rs élevée devant Re : v m  v  v
Rs

/113
Utilisation d’un montage adaptateur d’impédance – Amplificateur suiveur

Impédance d’entrée de l’AO : Ze = ∞

i+ = i- = 0

v+ = v-

v+ = v

Tension sortie : v s  v

/113
2. Capteurs sources de courant

Exemple : Photodiode

Schéma électrique équivalent :

i A

v
Courant de sortie: is  i 
Rs
i is

vs Rs Courant de court circuit : Icc = I

Impédance de sortie : Rs

/113
Mesure du courant de sortie :

i A

im Rs
Courant mesuré: i 
m R R i
i s e

vs Rs R
Re Si Rs faible devant Re alors i m  s i
Re

/113
Utilisation d’un montage adaptateur d’impédance – transducteur I-V

R1

1k
Rs est court-circuitée
LM32411
6 V-
-

OUT
7 S Tension sortie : v s  R1i
I 5
Rs + 4 U1B
V+

0
0

/113
3. Capteurs sources de charge

Exemple : accéléromètre piézoélectrique

Schéma électrique équivalent :

i A

im
q
q Tension sortie : vs 
Cs
vs Cs
Ze

/113
Utilisation d’un montage adaptateur d’impédance

LM32411
6 V-
- q
Tension sortie : vs 
7 S C
OUT
q 5
C3 + 4 U2B
V+

0
0

/113
Amplification d'instrumentation

Importance du taux de réjection en mode

commun
<=> deux tensions en sortie du câble de liaison dans un cas
ou la tension délivrée par le capteur est très perturbée.
L’enveloppe à basse fréquence représente le signal du secteur
qui apparaît par couplage capacitif.
Cette tension est commune aux deux sorties v1 et v2 et on la
qualifie de tension de mode commun.
La tension d’amplitude (plus faible dans notre cas) et de
fréquence plus élevée est la tension de mode différentiel.
Les deux ondes v1 et v2 ne sont pas identiques : les deux
tensions de mode différentiel apparaissent en opposition de
phase l’une par rapport à l’autre.
Générateurs équivalents permettant de reproduire ces mêmes tensions :

Un amplificateur est caractérisé par le taux de réjection du mode commun Trmc

qui qualifie l’amplification du mode différentiel par rapport au mode commun.

L’amplification du mode différentiel doit être la plus élevée possible

tandis que l’amplification de mode commun la plus faible possible.
Une application qui exige d’avoir des forts taux de réjection du mode commun est le relevé de
l’électrocardiogramme (ECG).

L’ECG est obtenu par le calcul des différences de plusieurs signaux issus des électrodes de mesures (en
général 12 électrodes) placées sur le corps du patient.
Lorsque le muscle cardiaque se déplace, il donne naissance à une tension et un courant qui correspond à
la dépolarisation du muscle cardiaque.
L’amplitude du signal est d’environ 1 mV .
Ce signal se superpose à un signal qui est délivré par la tension secteur par couplage capacitif.
L’amplitude de la tension secteur qui apparaît aux bornes du corps est de quelques volts (identique à
l’application d’un doigt sur une sonde d’oscilloscope en l’air).
La tache d’un amplificateur destiné à relever l’ECG est d’amplifier le signal qui est le reflet
du déplacement du muscle cardiaque (1 mV) tout en “réjectant” le signal du secteur.
Amplification d'instrumentation

Amplificateur différentiel
Avec un AOP idéal :
Capteurs / Actionneurs intégrés
Intérêt de l’intégration
Comment les réaliser ?
 A la base, il y a les matériaux semi-conducteurs

 Les semi-conducteurs forment le substrat sur lequel on fabrique les composants

électroniques, et particulièrement les transistors

 Le transistor est un dispositif qui, selon la tension qu'on lui applique, laisse ou non
passer les porteurs de charge électrique, => information de type OUI ou NON (1 ou 0).

 Les transistors sont de type bipolaires (TTL) et surtout de type MOS

 En couplant des transistors MOS de polarité opposée on obtient un circuit CMOS qui ne
consomme pas de courant au repos.
 En connectant plusieurs transistors les uns aux autres, on réalise des
circuits intégrés (« Puces » ou « Chip »)

 Les circuits intégrés se différencient en circuits logiques et en circuits

mémoires.

 Les microprocesseurs regroupent ces fonctions pour opérer des calculs

 L ’évolution des microprocesseurs plus ou moins programmables ou

dédiés à une application spécifique a conduit à d’autres alternatives:
microcontrôleurs, ASICs, DSP…
• L’électronique : Un domaine en évolution exponentielle…

En 1947 : le premier transistor

En 1957 : le premier CI (Texas / Kilby)

En 1971 : le premier Processeur

4004 d’INTEL : 15/11/1971

(2250 Transistors Bipolaires,
108 KHz, 4bits, 604 mots ad.)
Hier : le Pentium IV

42.106 TMOS
(taille d’un transistor: ~0,18m)
La « loi » empirique de Moore…

Taille des transistor  Taux d’intégration  Vitesse de calcul 

 et demain…
Transistor
25nm
La nano-électronique (10nm possible)

Couplage avec la micro-mécanique et l’optique (MEMS, MOEMS)…

 Les technologies émergentes

Electronique sur plastique

Electronique moléculaire
Une molécule comme composant
du sable au silicium

http://www.intel.com/pressroom/kits/chipmaking/45nm.htm
Le lingot est découpé en tranches (wafer pour les anglo-saxons) de faible épaisseur.
Ces tranches sont polies jusqu’à ce que les défauts de surface n’excèdent pas quelques couches
atomiques.
Les tranches sont ensuite envoyées en fonderie pour la fabrication proprement dite des circuits
intégrés.
On fabrique ainsi en parallèle plusieurs dizaines de circuits sur la même tranche.
 Les traitements effectués sur les tranches se résument à quelques étapes simples
plusieurs fois répétées :
Croissances ou dépôts de silice sur la surface de tranche : il s’agit de réaliser des isolations entre éléments
de différentes couches ou des grilles de transistors.
Lithographie : il s’agit de dessiner les motifs désirés dans le matériaux. Cela commence par le dépôt d’une
résine photo-sensible sur la surface de la tranche. Après exposition à travers un masque et développement
la résine est éliminée des endroits désirés. La résine restante servira de protection pour une attaque
chimique sélective de la tranche.
Implantation ionique : il s’agit de réaliser les dopages nécessaires au fonctionnement des transistors. La
silice au préalablement gravée par lithographie sert de masque naturel pour définir les zones où seront les
transistors.
Dépôts de métaux : il s’agit là de déposer uniformément sur la tranche une couche de métal qui servira à
réaliser des connections entre transistors.
La dernière étape de traitement de la tranche consiste à noyer les circuits dans un épais matériau de
protection, sauf aux endroits où l’on voudra souder des fils les reliant au monde extérieur.
Après différents test sur les tranches, les circuits sont découpés et, après être de nouveau testés, montés dans
un boîtier
Caractéristique des semi-conducteurs : la structure de bandes

Représentation simplifiée : E
Alternance de bandes
permises et interdites
Bande de conduction
•bandes d’énergie indiquent états Ec
possibles d’énergie potentielle des
e- dans le cristal. Bande interdite = « GAP»
Ev
•minimiser l’énergie => à
l’équilibre, les bandes permises
Bande de valence
sont occupées par les e- du solide
en commençant le « remplissage »
par les bandes les plus
« profondes ».
 Métal / Isolant / Semi-Conducteur

La conduction électrique implique que les e- puissent avoir accès à des états
infiniment proches du dernier état occupé à l’équilibre

B.P. vide

B.P. B.P. vide B.C.

B.I. kT Eg
B.P. B.V.

Métal Isolant Semi-cond. Semi-cond.

T=0K T°0K
 Densité de porteurs :
Nombre d’électrons dans une tranche de E à E+dE dn = De(E) fn(E,T) dE
=> À intégrer entre Ec et l’infini pour connaître la concentration
d’électrons dans la bande de conduction:
 Concentration intrinsèque de porteurs

SC intrinsèque
=> n=p=ni
=> np=ni² Loi d'action de masse
=> expression de ni concentration
intrinsèque de porteurs

Ec − E v
[
ni =√N c N v exp −
2 kT ]
 Notion de dopage

Dopage  introduire des impuretés de type et quantité contrôlés dans

les semi-conducteur pour favoriser :
la création d’électrons (semi-conducteur de type n )
La création de trous (semi-conducteur de type p).

Impuretés dopantes  niveaux peu profonds

donneurs (proches de BC)
ou accepteurs (proches de BV)
Semi-conducteur de type N Si Si Si

e-

Adjonction d’un élément pentavalent Si Si

=>il reste un électron libre (que 4 voisins Si) P+

Il y a plus d’e- libres que de t+ libre => type N

Si Si Si

E E

Bande de Conduction (BC)

Ec
Ed
Niveau donneur
EF EF

Les électrons sont

les porteurs
Ev
Bande de Valence (BV) majoritaires
0 1 0
f(E) dN(E)/dE
 Semi-conducteur de type P
Si Si Si

Adjonction d’un élément trivalent

=>il reste une liaison incomplète : un trou
Si Si
B-
Il y a moins d’e- libres que de t+ libre => type P
Valence incomplète

Si Si Si

E E

Bande de Conduction (BC)

Ec

EF EF
Ea Niveau accepteur
Les trous sont les
Ev
Bande de Valence (BV)
porteurs
0 0 dN(E)/dE
majoritaires
f(E)
 Bilan des courants liés au transport de charges

Électrons :
J n =J n ,C +J n , D
→ q →
J n =μn (q .n . E+kT grad n)=q . Dn ( n. E+grad n )
kT

Trous : J p =J p ,C +J p , D
→ q →
J p =μ p (q. p . E − kT grad p )=q . D p ( p . E − grad p )
kT
J tot =J n +J p
Total :
J tot =J n , C +J n, D +J p, C +J p , D
J tot =J tot
C +J tot
D
 La jonction PN

La jonction PN c’est-à-dire l’interface entre un SC de type P et un SC de

type N, est la pierre angulaire de la conception de quasiment l’ensemble
des composants micro-électronique (diodes, transistors…)
Équilibre: Répartition de Charges

— —
Type P : — —
— —
— — — Neutre P
p0P =N −a — — Contact :
—
2 —  Diff. des porteurs — —
n i —
n0P= 0 —
 Recombinaisons — —
pP — — — Z.C.E. zone de charge d'espace
— —
E n=p=0
+ + +
+ + +
Type N : + +
+ + +
n0N =N +d + Jdiff î Jcond +
2
+ + + Neutre N
n + Equilibre Jdiff = Jcond
p0N = 0
i +
+ +
nN + + +
+ — A- + D+

h+ e-
Structure de Bandes Ec Ec
EFn
EFp
Ev Ev
le niveau de Fermi reste
plat à l’équilibre
=> courbure des bandes E
d’énergie
Ec
qVd
Ec égalité des
EF potentiels des
EF 2 couches
Vd = potentiel Ev quand on les
de diffusion colle

Ev
Neutre P Z.C.E. Neutre N
 Jonction P/N Polarisée
P N
Vp VN • VN -VP = Vd - V
V
• Énergie potentielle des e- décalée de -qV

Polarisation directe : V > 0 Polarisation inverse V < 0

E
-qV e- qVd -qV

EFn qVd
-qV EFp
EFp -qV EFn

h+
Abaissement de la barrière
Augmentaion de la barrière
Courants de diffusion
Très faibles courants de conduction
 Transistor Bipolaire : structure

2 jonctions P/N tête-bêche reliées par une base très fine

Le courant principal circule entre l’émetteur et le collecteur,

l’intérêt du système est de contrôler le courant de collecteur Ic par
un courant de base :
Ib ~ 10-2Ic
c’est l’effet transistor.
 Transistor Bipolaire : structure

Transistor NPN intégré

création d'une zone fortement dopée N+ : "collecteur entérré " ou
"semelle de collecteur".
dépôt par épitaxie d'une couche "N" .
diffusion N+ pour obtenir l'accès à la semelle de collecteur.
diffusion P pour former la base.
diffusion N+ pour former l'émetteur.
réalisation de caissons isolants (SiO2) pour isolation
 Transistor bipolaire non polarisé

structure N+PN 
- électrons majoritaires dans l ’émetteur et le collecteur
- trous majoritaires dans la base.
deux jonctions à l'équilibre thermodynamique il n'y a aucun courant
,les niveaux de FERMI dans l'émetteur, la base, le collecteur sont
alignés
 Transistor bipolaire en polarisation normale

E/B est polarisée en direct

e- (mino) injectés dans B très fine => ils
atteignent la jonction B/C sans recombinaison => courant
d'électron de l'émetteur JnE
t+ injectés dans l'émetteur => courant de trous
d'émetteur JpE.
NDE >> NAB  JnE >> JpE.

 C/B polarisée en inverse

e- (mino) de B qui atteint la ZCE C/B est
propulsé vers C => courant inverse
+ courant créée par les mino injectés par E
réussissant à atteindre la jonction C/B.
si WB << LnB, 99 % des e- émis par l'émetteur
sont collectés, c'est l'effet transistor.
 Le transistor MOS

La performance du transistor dépend principalement de la taille de la grille : plus

celle-ci est petite, moins les électrons ont de chemin à parcourir dans le canal, plus le
système est rapide.
Principe de Fonctionnement
Caractéristiques electriques
 La technologie CMOS

La technologie CMOS (Complementary MOS), la plus répandue parmi toutes les

technologies semi-conducteurs, se caractérise par le fait que toutes les fonctions
logiques dans cette technologie sont réalisées moyennant l’utilisation d’une paire de
transistors MOS complémentaires
En logique complémentaire, un circuit est constitué de deux réseaux duaux :

 un réseau N, constitué exclusivement de transistors NMOS, branché entre la sortie et le

"moins de l’alimentation" (en général la masse) qui correspond au "0" logique,
 un réseau P, constitué exclusivement de transistors PMOS, branché entre la sortie et le "plus
de l’alimentation" (V DD) qui correspond au "1" logique,

 Pour être duaux les deux réseaux doivent satisfaire les principes suivants
 être commandés par les mêmes entrées ei, chaque entrée ei commandant au moins une paire
d’interrupteurs (un N et un P),
 quelque soit l’état des entrées ei, un seul réseau doit être passant à la fois.
 Il est toléré toutefois que les deux branches soient ouvertes en même temps.
Lorsque l’un conduit, l’autre est fermé, grâce à quoi une porte logique CMOS ne consomme de l’énergie
qu’au moment de la commutation.
Une autre force motrice du CMOS est
son dessin quasi symétrique entre les
transistors N et P, d’où sa meilleure
adaptation à la miniaturisation et à
l’automatisation de la conception des
circuits
Avantages CMOS / Bipolaire