A.

U : 2021/2022
 Introduction
Le transistor a été inventé en 1948 par les physiciens Américains J. Bardeen,
W. Schockley et W. Brattain, chercheurs à la compagnie Bell Téléphone. Ils ont
reçu le prix Nobel de physique en 1956.
On distingue plusieurs types de transistors:
• Les transistors bipolaires
Met en jeu le déplacement des deux types de porteurs (électrons et trous)
Exemple : le transistor à jonctions
• Les transistors unipolaires
Met en jeu le déplacement d’un seul type de porteurs (électrons ou trous)
Exemple : les transistors à effet de champ (FET)
 Introduction

 Le transistor fait partie des composants que l'on retrouve sans

exception dans toutes les applications de l'électronique.
– Amplification de tension,
– Amplification de courant,
– Amplification de puissance,
– Interrupteur,
– Oscillateurs,
– Convertisseurs DC-DC, DC-AC,…
– Micro-contrôleurs, – micro-processeurs, etc...
Il existe plusieurs types de transistor :
* Bipolaire
* MOSFET
* IGBT
Nous nous intéresserons ici au Transistor Bipolaire.
 Structure du Transistor Bipolaire
Le Transistor Bipolaire est un monocristal qui possède deux jonction P-N, il comporte
deux régions dopés de la même manière , séparée par une très mince région dopé
différemment, la région centrale peut être soit de type N soit de type P. Les trois
régions sont appelées émetteur, base et collecteur .
Le matériau de la base est faiblement dopé, et très étroit comparé aux matériaux du
collecteur et de l’émetteur qui sont fortement dopés .

Structure interne

Symbole
 Structure du Transistor

Un transistor à jonctions est constitué essentiellement de deux

diodes mises dos à dos. Deux configurations sont possibles: PNP
ou NPN.
Nous nous limiterons à expliquer le fonctionnement des
transistors NPN. La même explication est valable pour les
transistors PNP à condition d’intervertir les rôles joués par les
électrons et les trous ainsi que les signes des courants et des
tensions.
Principe de fonctionnement
Effet transistor (cas NPN)
 Polarisée de la jonction base-émetteur (BE) en direct .
 Polarisée de la jonction base collecteur (BC) en inverse.
1 - BE est polarisée en direct, un courant d’électrons arrive à la base (B).
2- la jonction BC est polarisé en inverse=> extension de la ZCE(pratiquement sur
toute la base).
3- la majorité des électrons injecté dans la base (type P) n’ont pas le temps de se
recombiner car ils sont catapultés par la jonction BC polarisée en inverse
4- on quantifie l’effet transistor par le coefficient d’injection α: Ic= αIe avec α≈0,95 à
0,99
Principe de fonctionnement
Effet transistor (cas NPN)

Illustration de l’action du Transistor bipolaire à jonction

Relation entre les courants
 Relation entre les courants
Un transistor peut être considérer comme un nœud de courant.

La loi des nœuds permet d'écrire :

Le gain direct en courant :

Avec :
α≈0,95 à 0,99
Relation entre les courants
 Exemple d’utilisation

Un transistor utilisé comme interrupteur dans une alarme:

 Exemple d’utilisation

Un transistor utilisé comme interrupteur dans une alarme:

* En ouvrant l’interrupteur S, la sonnerie se déclenche.
* Aussi longtemps que IB entre dans la base, le courant entre C et E n’est
pas gêné.
* L’interruption de IB fait que le transistor ouvre pratiquement le circuit et le
courant ne peut que passer dans la sonnerie qui se déclenche.
 Analyse des courants et des tensions

D’autre part:
Montages fondamentaux

Il existe trois montage de base:

• Montage Emetteur commun
• Montage base commune
• Montage collecteur commun
A- montage base commune :
Montage fondamentaux

B- montage collecteur commun :

C- montage émetteur commun :

Caractéristique de sortie

3 modes de fonctionnement possibles

suivant le point de fonctionnement
Saturation: interrupteur fermé
Linéaire: une source de courant
Bloqué: interrupteur ouvert
Caractéristique de sortie

On remarque que :
- lorsque Ib = 0, Ic est sensiblement égal à 0 quel que soit Vce.
- lorsque Ib augmente, Ic augmente proportionnellement à Ib .
- il existe des valeurs maximales à ne pas dépasser sous peine de
destruction de transistor. Ces valeurs sont Ic maximal, Vce maximal
et la puissance maximale que le transistor peut dissiper
(P = Vce · Ic).
Droite de charge

Droites de charges :
Le point de fonctionnement est déterminé par les caractéristiques du
transistor et par les lois de Kirchhoff appliquées au circuit
Droite de charge
 Polarisation du Transistor

 Polarisation par la base

Une méthode plus pratique est l’utilisation de Vcc comme source unique de
polarisation

Loi des tensions de kirchhoff

Donc
 Polarisation du Transistor

 Polarisation par l’Emetteur

Un circuit de polarisation par l’émetteur utilise à la fois une tension

d’alimentation positive est une tension d’alimentation négative .

Donc

Avec:
Polarisation du Transistor

 Polarisation par l’Emetteur

En substituant pour IB

Puisque
Polarisation du Transistor

 Polarisation par l’Emetteur

La tension à l’émetteur par rapport à la masse est

La tension à la base par rapport à la masse est

La tension au collecteur par rapport à la masse est

En soustrayant VE de VC et en utilisant l’approximation

Polarisation du Transistor

 Polarisation par diviseur de tension

Transistor NPN avec polarisation par diviseur de tension

Connaissant la valeur de la tension à la base, on peut trouver la

tension à l’émetteur, égale à VB moins la valeur de la chute de
tension entre la base et l’émetteur VBE
Polarisation du Transistor

 Polarisation par diviseur de tension

Une fois que nous connaissons IE, nous pouvons trouver les autres valeurs
du circuit.

A partir des valeurs connue des tensions VC et VE, nous pouvons déterminer
VCE

Nous pouvons aussi exprimer Vce en termes de Ic, en utilisant la loi des
tensions de kirchhoff:

Puisque
Polarisation du Transistor

 Polarisation avec rétroaction au collecteur

La résistance de la base RB est branchée au collecteur plutôt qu’à
Vcc .
Si IC essaie d’augmenter, la chute de tension aux bornes de RC
augmente, Causant une diminution de la tension VC. lorsque VC
diminue, la tension aux bornes de RB diminue, ce qui fait également
diminuer IB. La diminution du courant IB produit une diminution en
IC qui à son tour, diminue la tension aux bornes de RC pour ainsi
compenser la diminution en VC.

Supposons que IC >> IB la tension au collecteur est

 Polarisation du Transistor

 Polarisation avec rétroaction au collecteur

En substituant les termes IB et VC à l’équation précédente

Polarisation du Transistor

 Polarisation avec rétroaction au collecteur

Puisque l’émetteur est commun à la masse VCE = VC

Polarisation du Transistor
Le transistor en petits signaux ou régime dynamique
Montage émetteur commun
Lorsque le transistor est polarisé dans la région active, une tension alternative
peut lui être appliquée de la jonction émetteur pour produire des fluctuations
du courant de collecteur
* Les accès d’entrée et de sortie sont et
* Les capacités C1et C2 sont des capacités de liaison respectivement à
l’entrée et à la sortie.
Le transistor en petits signaux ou régime dynamique
Etude en statique (en régime continu)

 La source sinusoïdale est court-circuitée.

 Les capacités de découplage présentent une impédance infinie.
Schéma électrique en continu

Les circuits de polarisations fixent les valeurs des tensions

VBE, VCE et des courants IB, IC (voir étude précédente)
Le transistor en petits signaux ou régime dynamique
Etude dynamique (en régime sinusoïdal)
 La source continue est court-circuitée.
 Les capacités de liaison présentent une impédance nulle à la fréquence de
fonctionnement.
Schéma électrique en régime sinusoïdal
 Le transistor en petits signaux ou régime dynamique
Analyse du circuit : tension composite de sortie

• La tension de sortie est donc un signal composite, somme de la composante

continue VCE0 et de la composante alternative vCE )
v CE = v CE + VCE0
La droite de charge dynamique
• La droite de charge dynamique Δ’’ est la droite passant par le point de fonctionnement
P dans le réseau (IC , VCE) et de pente
Le transistor en petits signaux ou régime dynamique
Nous avons pris l'habitude d'analyser les circuits électroniques de deux manières
différentes. La première analyse en courants et tensions continues DC, et la
deuxième en courants et tensions alternatives AC, soit une analyse du signal. En
prenant l'exemple d'un montage de sortie à transistor, cela donne :
Le transistor en petits signaux ou régime dynamique
Circuits Équivalents c.a À Transistor

Afin de visualiser le fonctionnement d’un transistor dans un circuit

amplificateur, il est souvent utile de représenter ce dernier par un circuit
équivalent .
Un circuit équivalent utilise différents paramètres interne de transistor
pour représenter son fonctionnement.
Dans cette partie, nous analyserons une représentations par circuit

équivalent basé sur les paramètres hybrides ou paramètres h .

Le transistor en petits signaux ou régime dynamique

En régime dynamique, le transistor peut être considéré comme le

quadripôle suivant :

En utilisant les paramètres hybrides :

Le transistor en petits signaux ou régime dynamique

Schéma équivalent :
Le schéma électrique équivalent est celui représenté ci-dessous .

Les significations des paramètres hybrides se déterminent à l'aide du réseau de

caractéristique du transistor.
Le transistor en petits signaux ou régime dynamique
Amplificateur à faible signaux
 le courant sinusoïdale au collecteur augmente, la tension au collecteur
diminue .
 le courant au collecteur varie au –dessus et au dessous de sa valeur de point
Q en phase avec le courant à la base.
 la tension sinusoïdale entre le collecteur et l’émetteur varie au- dessus et
au- dessous de sa valeur de point Q avec un déphasage de 180° par rapport à
la base.
 un transistor produit toujours une inversion de phase entre la tension à la
base et la tension au collecteur.
 Le transistor en petits signaux ou régime dynamique
Détermination graphique des paramètres hij autour du point de fonctionnement
Le transistor en petits signaux ou régime dynamique
Amplificateur à faible signaux
Les condensateurs se comportent comme des courts- circuits pour la tension
du signal. La tension de la source sinusoïdale fait osciller la tension à la
base au-dessus et au-dessous de son niveau de polarisation c.c . Par
conséquent, la variation en courant à la base produit une variation plus
grande en courant au collecteur à cause du gain en courant du transistor.
Le transistor en petits signaux ou régime dynamique

Nous obtenons la droite de charge dynamique à l'aide du schéma équivalent AC.

Cette droite de charge dynamique va nous permettre de déterminer les limites de
fonctionnement de l'étage de puissance, comme par exemple l'amplitude maximale
du signal de sortie uSMAX.
Le transistor en petits signaux ou régime dynamique

En l'absence de signal, le transistor fonctionne au point de repos Q. En présence

de grands signaux, le point de repos Q dévie sur la droite de charge dynamique
plutôt que sur la droite de charge statique. Du fait que le signal devient de grande
amplitude, il va entraîner une excursion de courant AC qui va couvrir la majorité
des caractéristiques tension - courant des composants actifs.

Si l’amplitude du signal d’entrée est trop

grande, les formes d’onde sont écrêtés au
blocage et à la saturation.
Caractéristique électrique de l’amplificateur en fonctionnement alternatif
Vérification d’un transistor au multimètre
Vérification d’un transistor au multimètre