Chapitre I :

Les composants de l’électronique de puissance

Chapitre I : Les composants de l’électronique de puissance

Introduction

Dés la naissance de l’électronique de puissance surtout après l’apparition des transistors en

1950 , les applications d’électroniques à base des composants actifs (diodes, transistors,
thyristors) sont plus en plus utilisées. L’évolution de cette technologie a fait naissance de
l’électronique de puissance utilisant les semi-conducteurs pour commuter les forts courants
sous des fortes tensions. Les conditions d’une bonne rentabilité de ces composants sont
présentées suivant leur état logique.

 Interrupteur ouvert i 0
 Interrupteur fermé v 0
I. Les diodes

La diode est le semi-conducteur élémentaire constitué par une seule jonction PN. La figure I.1
donne sa représentation symbolique et indique les conventions de signe adoptées pour le
courant et la tension.

Id A
Id
P
Vd Vd
N
K

Figure I.1 : Constitution et symbole d’une diode

I.1. Caractéristiques statique

La caractéristique statique d’une diode est donnée par la figure I.2.

Figure I.2 : Caractéristique statique d’une diode

2
Chapitre I : Les composants de l’électronique de puissance

I.2. Caractéristique idéale

Dans l’étude des circuits, on suppose que la diode est parfaite :

 Chute de tension directe nulle

 Courant inverse nul

Elle joue le rôle d’un interrupteur parfait :

 Sous polarisation négative, elle se comporte comme un interrupteur ouvert pour lequel
Id = 0 et Vd < 0.
 Dans le sens passant, elle n’oppose aucune résistance à la circulation du courant et une
tension nulle est relevée à ses bornes Vd = 0 et elle est dans ce cas assimilable à un
interrupteur fermé.

La caractéristique d’une diode parfaite sans seuil est représentée par la figure I.3.

Id
Direct :
interrupteur
fermé
Vd
Inverse :
interrupteur
ouvert

Figure I.3 : Caractéristique idéale de la diode

Remarque :

La diode est un interrupteur unidirectionnelle en courant et en tension (interrupteur à deux

segments) sa commutation est naturelle (commandé ni à la fermeture ni à l’ouverture).

II. Les thyristors

Le thyristor est un semi-conducteur à 3 jonctions. Outre l’anode A et la cathode K, ce

redresseur est muni d’une électrode de déblocage ou gâchette G (figure I.4).

3
Chapitre I : Les composants de l’électronique de puissance

K
Cathod Gâchette Ig
e N+ G
P Vak

N-
P Ia
métal
Anode A

Figure I.4 : Constitution et symbole d’un thyristor

II.1. Caractéristique statique

VRRM

VDRM

Figure I.5 : Caractéristique statique d’un thyristor

 Le redresseur est bloqué tant que la tension VAK à ses bornes est négative.
 Le courant de gâchette est nul Ig =0, le thyristor reste bloqué entre V RRM (tension
maximale inverse et la tension VDRM (valeur maximale directe).
 Le thyristor s’amorce si la tension directe appliquée dépasse VDRM : il y a amorçage de
thyristor par effet d’avalanche.
 Si on alimente la gâchette par un courant Ig strictement supérieur à 0, le thyristor
s’amorce sans que l’on atteigne la tension VDRM avec une tension positive à ses bornes.

Quand il est conducteur, le thyristor se comporte comme une diode, en effet après l’amorçage,
la gâchette perd son pouvoir de contrôle.

4
Chapitre I : Les composants de l’électronique de puissance

 Le thyristor ne peut revenir à l’état bloqué que par la diminution de courant I d au dessous
de la valeur de maintien IH. En sens inverse, le thyristor est bloqué tant que la tension
inverse ne dépasse pas VRRM.
 Les valeurs caractéristiques essentielles sont les mêmes que pour les diodes, il faut
simplement y rajouter le terme VDRM , valeur crête maximale de la tension directe que le

thyristor supporte à l'état bloqué, mais sachant que VDRM VRRM pour les thyristors usuels.

II.2. Caractéristique idéale

La caractéristique idéale du thyristor est donnée par la figure I.6.

Id
C

Blocage Amorçage

VAK
A O B

Figure I.6 : Caractéristique idéale d’un thyristor

Le thyristor est amorcé si la tension à ses bornes est positive et on applique un courant dans sa
gâchette.

Par contre, il retrouve son état bloqué soit par annulation du courant soit par application d’une
tension négative à ses bornes.

III. Le triac

Le triac est un interrupteur bidirectionnel contrôlable, peut être remplacé par deux thyristors
montés en tète bêche.

Figure I.7 : Symbole d’un triac

5
Chapitre I : Les composants de l’électronique de puissance

Quand on envoie une impulsion sur G, que la tension v soit positive ou négative, le triac
devient conducteur et laisse passer le courant i dans le sens ou la tension tend à le faire passer.
Il se comporte alors comme une diode. Il ne retrouve son état bloqué que lorsque i positif
s’annule. Les figures I.8 et I.9 présentent la caractéristique réelle et la caractéristique idéale du
triac.

Figure I.8 : Caractéristique réelle Figure I.9 : Caractéristique idéale

IV. Le thyristor GTO

Ce composant utilise les mêmes principes de fonctionnement que le thyristor vu plus haut, à
cela près qu'il peut être commandé à l'ouverture par l'envoi d'un courant négatif sur sa
gâchette (GTO = Gâte Turn Off).

Contrairement au thyristor décrit précédemment, le thyristor GTO (Gâte Turn Off), est un
interrupteur commandable, à la fois à l’ouverture et à la fermeture. Le symbole du GTO est :

Figure I.10 : Symbole du GTO

Datant du début des années 1980, le GTO (gate turn-off) peut être considéré comme un
thyristor muni d’une électrode d’extinction. A la fin des années 1990, il évolue pour devenir
IGCT, plus rapide avec des pertes plus faibles.

6
Chapitre I : Les composants de l’électronique de puissance

V. Transistor bipolaire

Un transistor bipolaire est constitué par la juxtaposition de trois zones semi-conductrices. On

réalise le transistor à partir des 2 configurations suivantes:
 Deux zones semi-conductrices N emprisonnant une mince couche P: transistor NPN
(figure I.11.b.
 Deux zones semi-conductrices P emprisonnant une mince couche N: transistor PNP
(figure I.11.a).
Le transistor comporte 3 connexions: Emétteur (E), Base (B), Collecteur (C).

IC IC

IB VCE
VC IB VCE
VC

VVBBE
V
VBBE
IE IE
(a) (b)
Figure I.11 : Symbole de transistor bipolaire

Le transistor est un semi- conducteur permettant:

 Un fonctionnement bloqué-saturé (commutation)
 Un fonctionnement en amplificateur de courant (linéaire)

V.1.Comportement statique

Figure I.12 : Caractéristique statique

7
Chapitre I : Les composants de l’électronique de puissance

IV.2. Caractéristique idéale

On va s’intéresser dans notre cours seulement à un fonctionnement bloqué-saturé

(commutation).

Ic
Direct :
interrupteur
fermé
Vc
Inverse :
interrupteur
ouvert

Figure I.13 : Caractéristique idéale du transistor bipolaire

VI. Transistor à effet de champ

Figure I.14 : Symbole de transistor à effet de champ

Toujours dans le cadre de l'électronique de puissance (puissance élevée fonctionnement en

commutation), on utilise essentiellement les composants de type MOSFET (Metal-Oxide-
Semiconductor Field-Effect-Transistor). Par rapport aux transistors bipolaires, ils présentent
l'avantage de consommer un courant de grille iG négligeable et de pouvoir fonctionner à des

fréquences nettement plus élevées. Par contre, la tension vDS à l'état passant est plus grande,
d'où une consommation plus importante au même courant.

8
Chapitre I : Les composants de l’électronique de puissance

VII. Transistor IGBT

Figure I.15 : Symbole de transistor IGBT

L'IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor ) est un transistor bipolaire à porte isolée. Il
associe les avantages des transistors bipolaires ( tensions et courants élevés ) et ceux des
transistors MOSFET ( rapidité des commutations, énergie de commande faible ), bien que, par
rapport à ces derniers, les fréquences maximales de fonctionnement restent tout de même plus
faibles.

VIII. Récapitulatif
Le choix d’un composant sera en général dicté par le mode de commande souhaité, la tension
de blocage nécessaire, la fréquence de commutation désirée et dans une moindre proportion,
du courant à conduire. On trouve encore des différences pour un type de composant selon un
point de fonctionnement donné (blocage, rapidité).

Composants Commande Blocage Pertes en Pertes en Fréquence

conduction commutation maximale
Diode non >10 KV Faibles nulles élevée
Thyristor on >10 KV Faibles élevées < 1 KHz
Bipolaire On/Off 1.2 KV Faibles élevées 10 KHz
MOSFET On/Off 600 V élevées Faibles 250 KHz
IGBT On/Off 4.5 KV moyennes moyennes 50 KHz
GTO On/Off >10 KV Faibles élevées < 1 KHz

Tableau I.1 : Caractéristiques des différents types des interrupteurs [3]

Il s’agit ici de valeurs habituelles pour des éléments commercialisés. En ce qui concerne les
fréquences maximales de fonctionnement, le problème est un peu plus compliqué car elles

9
Chapitre I : Les composants de l’électronique de puissance

dépendent aussi des calibres en tension et en courant des composants. Ainsi, pour les
thyristors usuels et les thyristors GTO de forte puissance, on ne dépasse pas le kHz.

On peut atteindre 3 kHz avec des thyristors dits "rapides", mais ceux-ci sont limités à 1500V
et 1500A. Dans le même ordre d'idées, les fréquences maximales sont de 5 à 10 kHz pour le
transistor bipolaire, de 20 à 50 kHz pour l'IGBT et de l'ordre de 100 kHz pour le MOSFET.

Conclusion :

L’objectif de ce chapitre n’est pas l’étude détaillé du fonctionnement des composants à semi
conducteurs. Mais l’étude de quelques propriétés des principaux composants utilisés en
électronique de puissance vue que la technologie des ces derniers évolue assez rapidement. En
restant au niveau des généralités, on peut classer les semi-conducteurs selon trois catégories
les diodes, les thyristors et les transistors qui sont les éléments de base des convertisseurs
étudiés dans les chapitres suivants.

10