Les systèmes Photovoltaïques

1. La cellule photovoltaïque
La cellule solaire photovoltaïqueest l’élément de base d’un module photovoltaïque dont
son rôle est d’assurer la conversion de l'énergie solaire en électricitépar l’effet
photoélectrique.

1.1 . L’effet photoélectrique

Ce phénomène est basé sur l’absorption des photons dans un matériau semi-conducteur
fournissant par la suite, dans un circuit externe, des charges électriques.
La cellule PV est formé par deux couches fines de silicium l’une dopée N et l’autre dopée
P assemblées et liées à deux électrodes métalliques qui sont les bornes positive (+) et négative
(–)de la celluleoù se faitla récupération du courant produit par la différence de potentiel de la
jonction PN.
D’une part, le dopage N n’est qu’une augmentation de densité en électrons dans le
silicium et cela se fait en ajoutant un élément pentavalent (c’est-à-dire un élément contenant
plus d’électrons que le silicium) comme le phosphore qui possède 5 électrons. Après
l’accomplissement des liaisons covalentes, le dernier électron libre rend la charge globale
négative.
D’autre part, le dopage P consiste à rendre les trous majoritaires en adjacent un élément
trivalent (en d'autres termes un élément contient moins d’électrons que le silicium) comme le
bore dont sa couche de valence est constituée par 3 électrons.L’excès de trou rend la charge
globale positive.
L’assemblage de deux faces permet l’accumulation des charges négatives dans la zone P
et des charges positives dans la zone N. Par conséquent, un champ électriquepermanent est
crié dans le matériau, ce champ n’autorise la circulation des électrons que dans un seul sens.
 Figure 1. 1. L’effet photovoltaïque

Sous exposition à la lumière, la face dopée N de la cellule absorbe les photons qui apporte
une quantité d’énergie provoquant la libération des électrons. Sous l’effet du champ électrique
interne, ces électrons se déplacent vers la face supérieure laissant la place à des trous qui
migrent en direction opposée. Dans la zone entourant la jonction PN, les charges électriques
se recombinent.

1.2 . Schéma équivalent

quivalent d
d’une cellule photovoltaïque

Figure 1. 2. Circuit équivalent d’une cellule photovoltaïque

Comme indiqué dans la figure2. 1, la cellule photovoltaïque

ue peut être considérée en tant
qu’une source de courant générant un courant par l’effet photovoltaïque(photoélectrique)
(photoélectrique)Iph
en parallèle avec une diodeD imposant la circulation de ce courant dans un seul sens et une
résistance de shunt ou de fuite
fuiteRsh prenant en compte les fuites inévitables de courants arrivés
entre les bornes de la cellule.
Tous ces composants en série avec une résistance Rs faisant référence aux différentes
résistances électriques
iques que le courant rencontre sur so
sonn parcours (résistanceintrinsèque des
couches, résistance des contacts).
 3. Différents types de technologies de cellules photovoltaïques
La pureté et la nature de matériau utilisée ainsi que les procédés de fabrication sont les
principales différences
ences entre les technologies des cellules photovoltaïques qui sont
essentiellement :

3.1 . La technologie de silicium cristallin (mono et poly)

Cette technologie occupe une part très importante sur le marché d’un pourcentage
atteignant jusqu’à 90% de la totali
totalité des panneaux. Elle se diverge en deux catégories suivant
le procédé de purification et de solidification employé:

Silicium monocristallin composé d’un seul cristal

ordonné de grande pureté et sous la même orientation
cristallographique.. Ce type de cellule, en couleur
bleue foncé, est caractérisé par un rendement
important (14% à 19%),
), une durée de vie élevée et une
bonne conservation des caractéri
caractéristiques à long terme.
pourtant le cout de production esttropch
esttropcher vu la
complexité de procédé de fabricat
fabrication adoptée.

Figure 2. 1. Panneau en silicium monocristallin

Silicium poly cristallin dont les cristaux de

silicium sont associés en prenant différentes formes et
sens. Par conséquent orientation
cristallographiquedifférente.
différente. De point de vue
rendement, ce type est moins efficace que le silicium
monocristallin (10% à 15%).
). Par contre, sa durée de
vie est plus élevée et sa conservation des paramètres
au fil du temps est
st plus considérable avec un co
cout
réduit.

Figure 2. 2. Panneau en silicium poly cristallin

 3.2 . La technologie de couche mince
Cette technologie est basée sur la déposition des matériaux semi
semi-conducteurs
conducteurs en couche
mince (thin film) par un procédé bien déterminé sur un support comme le ve
verre, les
polymères, l'aluminium. La couche de semi- conducteur varieentre quelques nanomètres à des
dizaines de micromètresd'épaisseur contre centaines en silicium cristallin réalisant un gain au
niveau d’usage de matériau.
Parmi les catégories de cette technologie, on distingue :

Silicium amorphe
CdTeS (Tellure de cadmium
cadmium-Sulfure de cadmium)
GaAs (Arséniure
niure de gallium)
CIS, CIGS et CIGSS (Alliages de cuivre iridium di séléniure).

Silicium amorphe ayant unestructure atomique

désordonnéepar
par rapport à celles de cristal. Malgré son
fonctionnement sous condition défavorable à titre
d'exemple un niveau d’éclairement minimal, le rendement
de ce type de cellule est faible entre 5% et 10
10%. Les
caractéristiques de la cellule diminuent avec le temps et la
durée de vie est plus basse. Cependant
ependant, le cout est inférieur
au reste des technologies avec un poids léger et une
adaptation aux surfaces courbées.

Figure 2. 3. Panneau en silicium amorphe

4. Association des cellules solaires photovoltaïques

Les cellules
les sont associées en série et/ou rarement en parallèle pour obtenir un module
de telles propriétésélectriques
électriques suivant une configuration qui varie d’un fabricant à un autre.
L’assemblage de plusieurs modules mécaniquement et électriquement forme un panne
panneau.
Une rangée est composée d’un ensemble des panneaux liés électriquement en série.
Le raccordement d’une multitude des rangées électriquement en parallèle constitue un
champ ou une installation photovoltaïque destiné
destinée à fournir l’énergie demandée.
 Figure 3. 1. Assemblage d’un générateur photovoltaïque

4.1 . Association en série

L’accroissement de la tension d’un générateur PV exige un regroupement série de Ns
cellules. Dans ce cas,, les cellules sont parcourues par le même courant et la tension résultante
est la somme des tensions élémentaires de chaque cellule. De cette façon la tension à vide
dugénérateur PV est égale à :
𝑉𝑂𝐶 = 𝑁𝑠 × 𝑉𝑒

Avec :

VOC : La tension à vide d’un générateur PV en [V]

NS : Le nombre des cellules connectées en série

Ve : La tension à vide d’une cellule en [V]

Figure 3.2. Caractéristiques résultantes d’un groupement de Ns cellules en série

 4.2 Association en parallèle
L’augmentation du courant de sortie d’un générateur PV nécessite l’association parallèle
de Np cellules. La mise en parallèle d’un groupement des cellules implique la soumission de
la même tension et la circulation d’un courant résultant par l’addition des courants de chaque
cellule. Le courant de court-circuit devient :

𝐼𝑆𝐶 = 𝑁𝑝 × 𝐼𝑆𝐶 𝑐𝑒𝑙𝑙

Avec :

ISC: Le courant de court-circuit d’un générateur PV en [A]

NP : Le nombre des cellules branchées en parallèle

ISC cell: Le courant de court-circuit d’une cellule en [A]

Figure 3.3. Caractéristiques résultant d’un groupement de Np cellules en parallèle

5. Propriétés électriques d’une cellule photovoltaïque

5.1 .Caractéristiques d’une cellule PV
La courbe ci-dessous montre la caractéristique courant-tension d’une cellule PV qui
représente la variation du courant en fonction de la tension depuis le courant de court-circuit
noté Isc jusqu’à la tension à vide notéeVoc mettant en évidence le point de puissance
maximale caractérisé par le courant de puissance maximale noté Impp et la tension de
puissance maximale notée Vmpp.
La puissance délivrée par la cellule en fonction de la tension est tracées aussi sur un
graphe appelé caractéristique puissance-tensionsur lequel mentionné que dans lacondition de
court-circuit la puissance est nulle, puis elle augmente progressivement jusqu’à atteindre la
puissance maximale pour chuter et revenir nulle dans lacondition de circuit ouvert.
Ces propriétés sont établies dans des conditions d'essai normalisées STC (Standard Test
Conditions) dans lesquelles l’irradiation à 1000 W/m2 et la température à 25°C.

Figure 4. 1. Caractéristique courant-tension caractéristique puissance-tension

Les propriétés électriques extraites de ces courbes sont comme suit :

ISC : Le courant de court-circuit
VOC: La tension à vide
Pmpp : La puissance maximale produite
Impp : Le courant produit au point de puissance maximum
Vmpp : La tension au point de puissance maximum
Un paramètre appelé FF (fil factor), déterminant la forme de la courbe de caractéristique
courant-tension, est défini comme suit :
𝑉𝑚𝑝𝑝 × 𝐼𝑚𝑝𝑝
𝐹𝐹 =
𝑉𝑐𝑜 × 𝐼𝑐𝑐

Les changements de ces propriétés sont dus par la variation de niveau d’éclairement et la
température.

5.2 . Effet de niveau d’éclairement sur la cellule

Le niveau d’éclairement représente la quantité d’énergie solaire reçue perpendiculairement
à la surface de la cellule en W/m2.
 Il est à savoir que l’irradiation moyenne à l’espace extra-atmosphérique
atmosphérique de la Terre est
d’environ 1367 W/m² .cette valeur subit une diminution en traversant l’atmosphère à cause
des propriétés physiques et des relations géométriques relatives au milieu.
Le rayonnement global incident à la cellule est la somme :
 d’un rayonnement direct associé aux faisceaux directement reçus du soleil en
lignes droites parallèles les uns aux autres.
 d’un rayonnement diffus issu de la dispersion d’un rayon, par l’atmosphère (air,
nébulosité, aérosols)
aérosols),, en un ensemble des rayons dans toutes les directions.
 et d’un rayonnement réfléchi par un obstacle qui est accordé à un coefficient
albédo qui est le rapport entre l’énergie solaire reçue et réfléchie suivant
l’environnement du site.

Figure 4. 2. Différentes Types de rayonnement solaire

Le niveau d’éclairement a une influence significative

ive sur le courant délivrée par la cellule
PV. En effet des expériences sont faites prouvent la correspondance entre le courant de court
court-
circuit et l’éclairement contre une variation négligeable au niveau la tension.
L’évolution des caractéristiques courant
courant-tension et puissance-tension
tension en fonction
fon du
niveau d’éclairement sont illustrés sur le graphe ci
ci-dessous :
 Figure 4. 3. Les caractéristique puissance-tension et courant-tension en fonction d’éclairement

5.3 . Effet de la température sur la cellule

La température de la cellule a un effet sur ses caractéristiques et cette température elle-
même dépend de la ventilation de site. En fait, une part de l’énergie radiative est convertie en
électricité, cette part est déterminée par le rendement de la cellule qui varie entre 5% et 19%
suivant la technologie et une autre part sera dissipée sous forme de chaleur et le résiduel sera
réfléchie.
La variation de la température de la cellule affecte, dans un premier temps, la tension et
bien précisément la tension à vide qui subit une diminution lorsque celle-ci augmente et dans
un deuxième temps la puissance qui est le produit du courant et de la tension.En appliquant la
même règle, l’élévation de la température induit une diminution de la puissance. Alors que le
courant est peu sensible à ces changements. .
Les propriétés électriques d’une cellule sur plage de variation de température sont
illustrées ci-dessous :

Figure 4. 4. Les caractéristique puissance-tension et courant-tension en fonction de la température

Les paramètres liés à la température sont comme suit :

μVco : Le coefficient de température sur Voc en mV/°C

muIsc : Le coefficient de température sur Isc en mA/°C
muPmpp : Le coefficient de température sur Pmpp en %/°C