ローレンス・バークレー国立研究所らの研究チームは、ゲート長1nmのトランジスタを作製し、デバイス動作を実証したと発表した。これまで報告された中では最小のトランジスタとなる。最近10年ほどの間に、半導体デバイスの微細化は限界に近づきつつあると指摘されてきた。現在製品化されている最先端のシリコントランジスタはゲート長10〜20nm程度だが、ゲート長5nmに達すると量子力学的な効果が大きくなり、デバイスの安定動作が困