UNIVERSIDADE ESTADUAL PAULISTA

"JÚLIO DE MESQUITA FILHO"

Faculdade de Engenharia
Campus de Ilha Solteira
Departamento de Engenharia Elétrica

Laboratório de Eletrônica

Diodo Zener

Prof: Luis Carlos Origa de Oliveira

Alunos:
- Marcos Aurélio de C. Soares 200524491
- Guilherme Pulcinelli Palloni 200524371

Outubro de 2007
1. Objetivos

1. Traçar a curva característica de um diodo Zener e determinar a tensão de ruptura.

2. Testar o circuito regulador a diodo Zener e determinar a regulação de tensão.

2. Introdução Teórica

Um díodo zener é constituído por uma junção PN de material semicondutor (silício ou

germânio) e por dois terminais, o Ânodo (A) e o Cátodo (K).

Se desejarmos alimentar uma carga qualquer com uma tensão invariável,

perfeitamente isenta de qualquer variação ou flutuação, nada mais há do que montar o
sistema constituído pelo díodo zener (polarizado inversamente) e a resistência limitadora R,
de tal modo que o díodo fique em paralelo com a carga.
Para que o díodo zener estabilize a tensão nos seus terminais deve-se ter em atenção
o seguinte:
O díodo zener tem que se encontrar polarizado inversamente (A → − e K → +).
A tensão de alimentação do circuito tem que ser superior à tensão de zener (UZ) do
díodo.
A carga ou cargas do circuito têm que estar ligadas em paralelo com o díodo zener.
A utilização do díodo zener é limitada pelos seguintes parâmetros:
• Vz – Tensão de zener (este valor é geralmente especificado para uma determinada
corrente de teste IZT);
• Izmáx – Corrente de zener máxima;
• Izmin – Corrente de zener mínima;
• Pz – Potência de dissipação (PZ = VZ x IZ).
Desde que a potência não seja ultrapassada, o díodo zener pode trabalhar dentro da
zona de ruptura sem ser destruído.

Efeito de zener – ao aplicar ao díodo uma tensão inversa de determinado valor

(VZ) é rompida a estrutura atómica do díodo e vencida a zona neutra, originando assim a
corrente eléctrica inversa. Este efeito verifica-se geralmente para tensões inversas VR <5
Volt e o seu valor pode ser variado através do grau de dopagem (percentagem de
impurezas) do silício ou do germânio.

Efeito de avalanche – Para tensões inversas VR >7 Volt, a condução do díodo é

explicada exclusivamente pelo efeito de avalanche. Quando se aumenta o valor da tensão
inversa, aumenta também a velocidade das cargas eléctricas (electrões). A velocidade
atingida pode ser suficiente para libertar electrões dos átomos semicondutores, através do
choque. Estes novos electrões libertados e acelerados libertam outros, originando uma
reacção em cadeia, à qual se dá o nome de efeito de avalanche.
Para tensões inversas VR, entre 5V e 7V, a condução do díodo é explicada
cumulativamente pelos dois efeitos (efeito de zener e efeito de avalanche).

3. Materiais e Métodos

• Materiais:

- Unidade PU-2000;

-Multímetro;

-Diodo Zener;

-Fonte DC;

-Resistores.

• Métodos:

Na primeira etapa, montamos o circuito a seguir no protoboard.

Figura 1 – Circuito para a primeira etapa

Ajustamos a tensão de Vi, conforme mostra a tabela 1.

Medimos a tensão nos terminais do diodo Zener (Vz).
Calculamos Iz através da equação 1.

Vi − Vz
Iz = (1)
R6

Na segunda etapa do experimento, montamos o circuito a seguir no protoboard.

Figura 2 – Circuito para a segunda etapa

Ajustamos a tensão de Vi, conforme mostra a tabela 2.

Medimos a tensão nos terminais do diodo Zener (Vz) para cada resistência(R) da tabela.
A regulação, dada pela equação 2, também foi calculada, e esta colocada na tabela 2.

V ( Rinf inita ) − V ( R )
R (%) = 100 (2)
V ( Rinf inita )

4. Resultados Experimentais

Montamos a tabela 1, com os dados obtidos na primeira etapa do experimento.

Tabela 1 – Dados obtidos na primeira etapa

Vi (V) 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
Vz (V) -1 -1,8 -3 -3,75 -4,2 -4,5 -4,6 -4,75 -4,75 -4,8
Iz (mA) 0 0 0 0 5,33 10 16 21,66 28,33 34,66

Com os dados da tabela 1, graficamos uma curva característica V x I do diodo

Zener. Lembrando sempre que as correntes e tensões são negativas.
 5

0
-6 -5 -4 -3 -2 -1 0
-5

Corrente Zener (mA)

-10

-15

-20

-25

-30

-35
Tensão Zener (V)

Gráfico 1 – Vz x Iz

Portanto. Analisando o gráfico verificamos que a tensão de ruptura está em torno de -4,2 V.

Montamos a tabela 2, com os dados obtidos na segunda etapa do experimento.

Tabela 2 – Dados obtidos na segunda etapa

Vi (V) 5 6 7 8 9 10
Vz (Rinf) (V) -4,2 -4,5 -4,6 -4,75 -4,75 -4,8
Vz(R=800Ω) (V) -3,8 -4,3 -4,5 -4,6 -4,7 -4,75
Vz(R=400Ω) (V) -3,5 -4,0 -4,4 -4,5 -4,6 -4,75
Vz(R=150Ω) (V) -2,5 -3,0 -3,4 -3,8 -4,2 -4,35
Regulação (%) 40,4 33,33 35,29 20 13,09 9,37
7

• Gráficos:
Regulação (% ) x Vi (V)

50

40
Regulação (%)

30

20

10

0
-12 -10 -8 -6 -4 -2 0
Tensão de Entrada (V)
 Gráfico 2 – Regulação (%) x Vi (V), para R=150Ω

Vz x Vi

-4,3
-12 -10 -8 -6 -4 -2 -4,4 0
-4,5

Tensão Zener (V)

-4,6
-4,7
-4,8
-4,9
-5
-5,1
-5,2
-5,3
Tensão de Entrada (V)

Gráfico 3 – Tensão Zener x Tensão de Entrada para Rinf inita

Vz x Vi

0
-12 -10 -8 -6 -4 -2 0
-1
Tensão Zener (V)

-2

-3

-4

-5

-6
Tensão de Entrada (V)

Gráfico 4 – Tensão Zener x Tensão de Entrada para R=800Ω

Vz x Vi

0
-12 -10 -8 -6 -4 -2 0
-1
Tensão Zener (V)

-2

-3

-4

-5

-6
Tensão de Entrada (V)

Gráfico 5 – Tensão Zener x Tensão de Entrada para R=400Ω

 Vz x Vi

0
-12 -10 -8 -6 -4 -2 0
-1

Tensão Zener (V)

-2

-3

-4

-5
Tensão de Entrada (V)

Gráfico 6 – Tensão Zener x Tensão de Entrada para R=150Ω

5 . Conclusão

Foi observado que realmente o diodo zener se comportou como mostrado em teoria
começou a conduzir corrente quando a tensão Vi sobrepôs a tensão Vz do diodo zener. O
aumento da corrente a partir de sobreposto Vz é relativamente grande e tende a crescer a
medida que aumentamos a voltagem. Provamos também uma maior taxa de Regulação para
níveis mais baixos de tensão.

6. Referências Bibliográficas

Maluíno A.P. – “Eletrônica”, vol. 1 – Mac Graw-Hill