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    TJB X IGBT X MOSFET

    Enviado por

    VÍCTOR DE OLIVEIRA MARQUES
    O documento compara três tipos de transistores de potência: TJB, IGBT e MOSFET. O TJB é o mais lento mas adequado para altas correntes. O IGBT é mais rápido que o TJB e adequado para altas correntes. O MOSFET é o mais rápido dos três e não possui corrente de cauda, tornando-o adequado para alta frequência de chaveamento.

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    TJB X IGBT X MOSFET

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    VÍCTOR DE OLIVEIRA MARQUES
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    O documento compara três tipos de transistores de potência: TJB, IGBT e MOSFET. O TJB é o mais lento mas adequado para altas correntes. O IGBT é mais rápido que o TJB e adequado para altas correntes. O MOSFET é o mais rápido dos três e não possui corrente de cauda, tornando-o adequado para alta frequência de chaveamento.

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    TJB x IGBT X MOSFET

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    O documento compara três tipos de transistores de potência: TJB, IGBT e MOSFET. O TJB é o mais lento mas adequado para altas correntes. O IGBT é mais rápido que o TJB e adequado para altas correntes. O MOSFET é o mais rápido dos três e não possui corrente de cauda, tornando-o adequado para alta frequência de chaveamento.

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    TJB x IGBT X MOSFET

    Transistor de IGBT (Insulated MOSFET (Metal Oxide


    Potência Gated Bipolar Semiconductor Field
    Transistor) Effect Transistor)
    Símbolo/terminais:

    B= base G= gate(gatilho) G= gate(gatilho)


    C= coletor C= coletor D= dreno
    E= emissor E= emissor S= source
    Dois riscos – Dois riscos – Dois riscos – impedância
    impedância de impedância de de entrada alta
    entrada alta entrada alta (acionamento por
    (acionamento por (acionamento por tensão)
    tensão) tensão) - Mais rápido que o TJB
    -Adequado para -Adequado para e o IGBT
    altas correntes altas correntes
    entre coletor e entre coletor e
    emissor emissor
    - E o mais lento - Mais rápido que
    o TJB e mais lento
    que o MOSFET

    Acionamento Acionamento em Acionamento em Acionamento em


    (corrente/tensão): corrente (Ib) tensão(vge) tensão(vgs)
    Gasto energético alto Baixo Baixo
    para acionamento:
    Complexidade para alto baixo Baixo
    acionamento:
    Tempo para entrar Rápido Rápido Rápido(mais lento que o
    em condução: IGBT)
    Capacitâncias (cgs, cgd e
    cds)demoram mais para
    serem descarregadas no
    processo de entrada em
    condução,em relação ao
    IGBt
    Tempo para + lento (~1 a 2us) Lento (~200 a Rápido(~40ms)
    bloqueio: 400ms)
    Possui corrente de sim sim Não(reduz perdas de
    cauda? comutação na abertura
    da chave e torna
    possível atuação em
    altas frequências de
    chaveamento)
    Frequência de 1 khz – 15 khz 1 khz a 35khz 20 khz a 100khz
    Chaveamento: (maiores perdas de (maiores perdas ((maiores perdas de
    chaveamento na de chaveamento chaveamento no
    abertura da chave – na abertura da fechamento da chave –
    corrente de cauda) chave – corrente tempo de descarga das
    de cauda capacitâncias
    intrínsecas)
    Resistência série em Muito pequena Muito pequena Considerável
    condução: rdson(~8mamper a
    400mamper)
    Queda de tensão vcesat vcesat despresivel
    em condução:
    Perdas de Pcon = vcesat * Ic Pcon = vccesat * ic Pcon = rdson * id2
    Condução: Adequados para Adequados para Limita aplicações de
    aplicações com altas aplicações com MOSFETs para altas
    correntes altas correntes correntes
    Perdas de Altas Altas Baixo
    Chaveamento: (corrente de cauda (corrente de cauda (adequado para
    – limita a frequência – limita a aplicações em
    de chaveamento) frequência de frequências de
    chaveamento) chaveamento mais
    elevados, permitindo a
    redução do peso e
    volume dos conversores
    eletrônicos – redução do
    tamanho dos indutores
    e capacitores)
    Aplicações: Circuitos chaveados Acionamento de Fontes de alimentação
    em baixa frequência motores
    (Industria)
    Conversor boost

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