Eletronica Industrial

CENTRO DE FORMAÇÃO PROFISSIONAL PEDRO MARTINS GUERRA
ELETRÔNICA
INDUSTRIAL
Itabira
2005
Presidente da FIEMG
Robson Braga de Andrade
Gestor do SENAI
Petrônio Machado Zica
Diretor Regional do SENAI e

Superintendente de Conhecimento e Tecnologia
Alexandre Magno Leão dos Santos
Gerente de Educação e Tecnologia

Edmar Fernando de Alcântara
Elaboração
Equipe Técnica - Núcleo Eletroeletrônica
Unidade Operacional
Centro de Formação Profissional Pedro Martins Guerra

Sumário
APRESENTAÇÃO ........................................................................................ 05
1. FÍSICA DOS SEMICONDUTORES .......................................................... 06

1.1 Condução dos semicondutores ........................................................... 08
1.2 Dopagem de semicondutores ............................................................. 08
2. DIODO DE JUNÇÃO ................................................................................ 11

2.1 Junção PN ........................................................................................... 11
2.2 Diodo de junção ideal .......................................................................... 14
2.3 Diodo de junção real ........................................................................... 14
2.4 Comportamento do diodo em AC ........................................................ 17
2.5 Regime máximo do diodo em CC ....................................................... 18
2.6 Efeito da temperatura na característica .............................................. 19
2.7 Resistência do diodo ........................................................................... 19
2.8 Tempo de chaveamento do diodo ....................................................... 19
2.9 Classificação dos diodos ..................................................................... 20
3. RETIFICADORES ..................................................................................... 26
3.1 Retificador de 1/2 onda ....................................................................... 26
3.2 Retificador de onda completa .............................................................. 30
3.3 Retificador em ponte .......................................................................... 32
3.4 Filtros .................................................................................................. 35
4. TRANSITOR BIPOLAR DE JUNÇÃO (TBJ) ........................................... 41
5. AMPLIFICADORES DE POTÊNCIA ........................................................ 50

5.1 Dissipadores de calor ......................................................................... 51
6. JFET ......................................................................................................... 53
7. ELETRÔNICA DE POTÊNCIA ........... ..................................................... 56

7.1Diodos .................................................................................................. 57
8. TIRISTORES ..................................................................................................... 61
8.1 O SCR .......................................................................................................... 61
8.2 TRIAC ........................................................................................................... 66
9. CHAVES CONTROLÁVEIS ..................................................................... 68

9.1 GTO .................................................................................................... 68
9.2 IGBT – Transitor bipolar de porta isolada ........................................... 69
10. UJT .......................................................................................................... 74

10.1 Geradores de pulsos: circuitos de disparo para tiristores e triacs .... 76
10.2 Gerador de pulsos sincronizados com a alimentação ......................... 78
11. CIRCUITO INTEGRADO TCA 780/785 ....................................................... 81
12. RETIFICADORES .................................................................................. 95

12.1 Retificadores não controlados .......................................................... 95
12.2 Retificadores controlados ................................................................. 99
13. INVERSORES ........................................................................................ 107

13.1 Inversores não autônomos ............................................................... 107
13.2 Inversores autônomos ...................................................................... 108
13.3 Modulação PWM ............................................................................... 110
13.4 Inversores monofásicos .................................................................... 113
13.5 Inversores trifásicos .......................................................................... 118
14. EXEMPLO DE APLICAÇÃO .................................................................. 120

14.1 A evolução do controle de velocidade .............................................. 120
14.2 Controle escalar ................................................................................ 121
14.3 O modo de controle vetorial .............................................................. 126
15. EXERCÍCIOS E PROBLEMAS .............................................................. 131
REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS ............................................................ 142

Eletrônica Industrial
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Apresentação
“Muda a forma de trabalhar, agir, sentir, pensar na chamada sociedade do

conhecimento.”
Peter Drucker
O ingresso na sociedade da informação exige mudanças profundas em todos os

perfis profissionais, especialmente naqueles diretamente envolvidos na produção,
coleta, disseminação e uso da informação.
O SENAI, maior rede privada de educação profissional do país,sabe disso , e

consciente do seu papel formativo , educa o trabalhador sob a égide do conceito
da competência:” formar o profissional com responsabilidade no processo
produtivo, com iniciativa na resolução de problemas, com conhecimentos
técnicos aprofundados, flexibilidade e criatividade, empreendedorismo e
consciência da necessidade de educação continuada.”
Vivemos numa sociedade da informação. O conhecimento , na sua área

tecnológica, amplia-se e se multiplica a cada dia. Uma constante atualização se
faz necessária. Para o SENAI, cuidar do seu acervo bibliográfico, da sua infovia,
da conexão de suas escolas à rede mundial de informações – Internet - é tão
importante quanto zelar pela produção de material didático.
Isto porque, nos embates diários,instrutores e alunos , nas diversas oficinas e

laboratórios do SENAI, fazem com que as informações, contidas nos materiais
didáticos, tomem sentido e se concretizem em múltiplos conhecimentos.
O SENAI deseja , por meio dos diversos materiais didáticos, aguçar a sua
curiosidade, responder às suas demandas de informações e construir links entre
os diversos conhecimentos, tão importantes para sua formação continuada !
Gerência de Educação e Tecnologia
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Curso Técnico de Manutenção em Equipamentos de Mineração
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1. FÍSICA DOS SEMICONDUTORES

1.1CONDUÇÃO NOS SEMICONDUTORES
Estrutura atômica
Qualquer substância ou material conhecido pode ser subdividido em partes cada

vez menores, até que se chegue à menor delas, a molécula. Pode-se então definir
como molécula “a menor partícula a qual se pode dividir um corpo sem que
este perca suas propriedades fundamentais”. A partir do ponto em que se
descobriu à molécula, conseguiu-se subdividi-la ainda mais, mas desta feita não é
mais possível conseguir que o material conserve suas propriedades
fundamentais.
A estas subdivisões da molécula deu-se o nome de ÁTOMO, palavra de origem

grega, que significa A=não TOMO=divisão, ÁTOMO=NÃO DIVISÍVEL.
O átomo é formado por um grande número de partículas, dentre as quais,

podemos destacar:
- ELÉTRONS: parte do átomo com carga elétrica negativa (-).

- PRÓTONS: parte do átomo com carga elétrica positiva (+).
- NÊUTRONS: parte do átomo que não tem carga elétrica.
Os prótons e os nêutrons constituem o chamado núcleo do átomo tendo em seu

redor, num movimento de rotação, os elétrons, dispostos em órbitas concêntricas.
É importante lembrar que somente a camada periférica de um átomo pode

apresentar-se incompleta, as demais estão sempre completas.
Os elétrons que se encontram nesta camada periférica, são chamados de

elétrons de valência, e possuem a característica de serem quase que
completamente livres, para participar de fenômenos químicos e elétricos.
ELÉTRON DE VALÊNCIA: elétrons da camada externa,

responsáveis pela atividade química ou elétrica do elemento.
Quando um grupo de átomos esta disposto simetricamente entre si, um elétron de

valência muitas vezes gira em torno de dois núcleos, ao invés de um só. Quando
isto acontece, os elétrons de valência unem os átomos nos quais giram ao redor,
a este tipo de ligação dá-se o nome de ligação covalente.
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LIGAÇÃO COVALENTE: união entre dois átomos

através de seus elétrons de valência.
Se, num material, após todas as ligações covalentes terem se realizado, ainda
restarem elétrons que não possuem uniões firmes, estes são denominados de
elétrons livres. Quanto maior o número de elétrons livres, maior a condutividade.
A partir desse conceito podemos então definir:
- CONDUTOR: material que possui grande quantidade de elétrons livres.
- ISOLANTE: material que possui pouca ou nenhuma quantidade de

elétrons livres.
- SEMICONDUTOR: existem certos materiais, com moléculas especiais,

que se situam entre os dois grupos e não são nem bons condutores,
nem bons isolantes, chamam-se semicondutores, pois possuem
elétrons livres, mas em pequena quantidade. Destes materiais os mais
conhecidos são: o Germânio (Ge) e o Silício (Si).
O número de valência destes dois elementos equivale ao número ou quantidade

de elétrons na última camada periférica. Estes átomos possuem uma outra
particularidade, que é a de se combinarem entre si, para formar o que
denominamos de estrutura cristalina.
Estrutura cristalina
O Ge por problemas de limitações (temperatura) teve o seu uso abandonado e o

silício passou a ser o cristal mais utilizado para a fabricação de componentes
eletrônicos. O silício é um elemento químico pertencente ao quarto grupo da
tabela periódica. Cada átomo possui 14 elétrons na coroa. A camada mais interna
é ocupada somente por dois elétrons e a seguinte por oito. Os quatro elétrons
restantes circulam numa terceira camada eletrônica. Portanto nesta terceira
camada para que o átomo atingisse a estabilidade química, seriam necessários
mais quatro elétrons. No estado sólido e sob condições adequadas de fabricação,
o silício constitui uma rede cristalina, onde cada átomo tem quatro átomos
vizinhos eqüidistantes, interligados por pontes de pares de elétrons, ligação
covalente; e todos os elétrons de valência dos átomos de silício, na estrutura
cristalina, são envolvidos pelas ligações entre átomos. Estão, desse modo, presos
em um lugar, sendo denominados elétrons presos.
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Conceito de lacuna
A rede cristalina se encontra sempre a uma temperatura acima do zero absoluto,

ou seja, contém sempre determinada quantidade de energia térmica. O resultado
da presença dessa energia térmica é que os átomos e os elétrons vibram em
torno de suas posições de repouso, o que tem como conseqüência o
aparecimento de forças mecânicas adicionais na rede cristalina. Se a energia
introduzida for tão elevada que supere as forças de ligação, alguns elétrons
poderão escapar de suas ligações covalentes. Tais elétrons ficam livres de seus
átomos e com isso se tornam móveis; são denominados, então, elétrons livres e
estão, do mesmo modo como as moléculas de um gás, em permanente
movimento. Ao mesmo tempo, estão sempre colidindo com os átomos da
estrutura em oscilação, modificando constantemente a direção do movimento.
Aparece um movimento em ziguezague irregular desses elétrons, no qual, em

termos de valores médios não há direção predominante.
Quando um elétron abandona uma ligação covalente, fica faltando, nesse lugar,
uma carga elétrica negativa, provocando então a formação de uma lacuna.
Verifica-se que essa lacuna, ou seja, uma carga negativa faltante na ligação da
rede, também pode ser considerada como uma partícula autônoma, carregada
positivamente.
Existem, pois, com a introdução de calor, elétrons livres e lacunas de igual

número, e ambas as espécies de portadores contribuem para a condutividade do
semicondutor.
1.2 DOPAGEM DE SEMICONDUTORES

Semicondutor intrínseco
É uma estrutura cristalina formada somente por átomos do mesmo cristal, sendo,
portanto um material semicondutor muito puro. A natureza dos semicondutores é
tal que mesmo quantidades muito pequenas de certas impurezas podem alterar
drasticamente suas propriedades elétricas. Por esta razão, um semicondutor não
seria chamado verdadeiramente intrínseco, a menos que, o nível de impurezas
fosse muito pequeno. A figura 01 ilustra a estrutura cristalina do Si, a qual é
idêntica a do Ge.
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Figura 01 – A estrutura do silício numa representação bidimensional.
Semicondutor extrínseco
Na aplicação da eletrônica, o material semicondutor é dopado, isto é,

propositalmente são adicionadas certas impurezas para resultar, em uma
predominante condução de elétrons ou lacunas, qualquer que seja o requerido.
As impurezas usadas são geralmente de dois tipos: uma delas é formada por
elementos que possuem três elétrons de valência e a outra por um elemento que
possui cinco elétrons de valência. A primeira é chamada de impureza tipo-P, e a
outra é chamada de impureza tipo-N, após a impureza ter sido adicionada, o
material é então denominado um semicondutor extrínseco.
Dopagem do semicondutor
A dopagem é um processo químico que tem por finalidade introduzir átomos

estranhos a uma substância na sua estrutura cristalina; podendo esta ser do tipo
N ou do tipo P, o que dará origem ao cristal N ou então ao cristal P, conforme
apresentado a seguir:
Dopagem em tipo N (cristal N)
Quando o processo de dopagem introduz na estrutura cristalina do Ge ou do Si

uma quantidade de átomos com mais de quatro elétrons na última camada,
forma-se uma nova estrutura cristalina denominada de cristal N. Tomemos como
exemplo, a introdução de átomos de fósforo, que possuem cinco elétrons na
última camada, dos cinco elétrons externos do fósforo, quatro encontram um
elétron no cristal, que possibilita a ligação covalente, o quinto elétron do fósforo
não forma ligação covalente porque não encontra um elétron na estrutura que
possibilite esta formação. Este elétron isolado tem a característica de se libertar
facilmente do átomo, passando a vagar livremente dentro da estrutura do cristal,
constituindo-se um portador livre de carga elétrica. Veja na figura 02:
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Figura 02
Dopagem em tipo P (cristal P)
A utilização de átomos com menos de quatro elétrons na última camada, originará

um tipo de estrutura chamada de cristal P, tomando como base o átomo de índio,
por exemplo, verifica-se a falta de um elétron para que os elementos com quatro
elétrons (Si ou Ge) se combinem de forma covalente. Veja na figura 03:
Figura 03
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2. DIODO DE JUNÇÃO
2.1. JUNÇÃO PN
Se unirmos cristais do tipo P a cristais do tipo N, de maneira a constituirmos um
cristal único (junção na qual é mantida a continuidade da estrutura cristalina), esta
junção será denominada de JUNÇÃO PN ou DIODO DE JUNÇÃO.
Observações:
Nos elementos tipo N, os elétrons serão denominados portadores

majoritários de carga, existindo também nesses elementos os portadores
minoritários de carga que são as lacunas.
Nos elementos tipo P, as lacunas serão denominadas portadores

majoritários de carga, existindo também nesses elementos os portadores
minoritários de carga que são os elétrons.
O material N apresenta um grande número de elétrons e o material P um grande

número de lacunas logo, quando dispostos a formar uma junção PN como na
figura 04, haverá passagem de lacunas do elemento P ao N e de elétrons do N
para o P durante a difusão, as áreas que se encontram em torno da junção,
ficarão livres dos portadores de carga (elétrons e lacunas), devido à
recombinação entre esses portadores e suas conseqüentes anulações. Com a
formação de íons positivos de um dos lados da junção e negativos do outro,
teremos um decréscimo nas correntes, o que é facilmente compreendido se
lembrarmos que um elétron que tentar passar através da junção vindo do lado N,
encontrará uma barreira negativa do lado P, que o repelirá; dando-se o mesmo
com as lacunas, ficando claro que neste material ocorrerá um equilíbrio de cargas
em torno da junção.
Com o acúmulo de íons positivos de um dos lados da junção e negativos do outro,

se estabelecerá uma região de carga espacial ou região de cargas. Devido a
pouca quantidade de cargas móveis esta região é chamada de REGIÃO DE
DEPLEXÃO.
As cargas que se formaram nesta região de espaço de cargas dão origem a uma
diferença de potencial Vo, e esta diferença de potencial pode ser
esquematicamente representada por uma bateria, associada à junção.
Dentro da região de cargas existe uma carga positiva no lado de tipo N, e uma
carga negativa no lado do tipo P, e isto dá origem a uma barreira de potencial.
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Junção
P N
+ + + - - -
+ + + - - -
Barreira de Potencial
Figura 04 – Junção PN
Junção PN polarizada inversamente
A junção PN tem propriedades de retificadores, e se a conectamos a uma fonte

de tensão, chamada de fonte de polarização, poderemos observar como tal
dispositivo opera, na figura 05, temos uma bateria conectada aos terminais da
junção, de tal forma que o pólo positivo está ligado ao material N, e o negativo ao
material P. Assim, os portadores majoritários são atraídos pela bateria, ou seja, as
lacunas do material P são atraídas pelo pólo negativo da bateria e os elétrons do
material N pelo positivo.
Como estes portadores se afastam da junção à largura da barreira de potencial é

aumentada, e quando a força de resistência do campo da barreira se iguala à da
tensão aplicada, surge uma nova condição de equilíbrio, pois, nestas condições,
os campos internos (da barreira) e externo (da tensão aplicada) somam-se; onde
com a barreira aumentada, não pode haver fluxo de corrente, pois a barreira age
como se fora um isolante
Junção
P N
+ + + - - + + - - -
+ + + - - + + - - -
Barreira
- +
Bateria de Polarização
Figura 05 – Junção PN polarizada inversamente
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Junção PN polarizada diretamente
Ocorre polarização direta quando o pólo positivo da bateria está ligado ao material
P e o negativo ao material N, nesta situação a maioria dos portadores majoritários
são repelidos em direção à junção (claro que uma lacuna não existe fisicamente,
e quando falamos em movimento de lacuna subentende-se que um elétron se
move no sentido oposto a ela).
Junção
P N
+ + + - - -
+ + + - - -
Barreira
+ -
Bateria
Figura 06 – Junção PN polarizada diretamente
O primeiro efeito disto é a neutralização de alguns íons doadores e receptores, e

conseqüentemente uma redução na barreira de potencial. Até aqui, a corrente
somente aumentou ligeiramente. Um aumento da tensão eventualmente reduzirá
o potencial da barreira a zero, e então elétrons e lacunas irão se mover através da
junção, os elétrons recombinando-se com elétrons no lado de tipo N assim, uma
corrente agora flui através da junção. E esta corrente é aumenta rapidamente com
somente um pequeno aumento adicional na tensão.
A corrente que flui quando uma polarização direta é aplicada é chamada de

corrente direta, e consiste essencialmente de um fluxo de portadores em maioria
de cada um dos lados através da junção. Estes portadores em maioria que
cruzam a junção, tornam-se no outro lado portadores em minoria. Na figura 07
temos uma representação da junção não polarizada.
P N
B.P.
Figura 07 – Junção PN não polarizada
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Até agora tínhamos visto, para efeito de explicação, um modelo teórico onde
destacávamos os materiais P e N e os portadores de cargas. No entanto, nos
circuitos usamos uma representação simbólica, como indica a figura 08.
Ânodo Cátodo
+ -
Corrente I
Figura 08 – Símbolo do diodo de junção
O símbolo usado quer dizer que o fluxo de corrente é do material P para o

material N, ou seja, do anodo para o catodo e os sinais mais (+) e menos (-)
indicam a polarização direta que produzirá tal corrente.
2.2. DIODO DE JUNÇÃO IDEAL
Como diodo de junção ideal, se compreende um diodo que apresenta

características especiais, conduzindo ou bloqueando completamente.
Condução no diodo ideal
Um diodo ideal, polarizado diretamente, deve conduzir a corrente elétrica sem

apresentar resistência, comportando-se como um interruptor fechado, o qual
equivale ao circuito do diodo ideal em condução.
Bloqueio do diodo ideal
Polarizando inversamente um diodo semicondutor, ideal, deve-se comportar como

um isolante perfeito, impedindo completamente a circulação de corrente. A
condição de bloqueio de um diodo também pode ser denominada de corte do
diodo, por que o diodo corta a circulação de corrente; comportando-se como um
interruptor aberto, o qual equivale ao circuito do diodo ideal em corte.
2.3. DIODO DE JUNÇÃO REAL

O diodo de junção real apresenta algumas diferenças em relação ao diodo de
junção ideal. Estas diferenças existem porque o processo de purificação dos
cristais semicondutores para fabricação de componentes eletrônicos não é
perfeito. Após a purificação ainda existe nos cristais uma pequena quantidade de
impurezas originárias da formação do material na natureza. Estas impurezas,
chamadas de portadores minoritários, resultantes da deficiência na purificação
fazem com que as características de condução e bloqueio dos diodos reais se
distanciem dos ideais.
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Condução no diodo real
Dois fatores diferenciam o diodo real no sentido de condução:
A barreira de potencial
A resistência interna
A barreira de potencial, existente na junção dos cristais, faz com que o diodo
entre em condução efetiva apenas a partir do momento em que a tensão da
bateria externa atinge um valor maior que a tensão da barreira de potencial, veja
na figura 09:
+ -
V > 0,7 V
Figura 09 – Diodo Real
A resistência interna é devida ao fato de que o cristal dopado não é um condutor

perfeito; esta, na condução, normalmente é menor que 1 , como na maioria dos
casos em que o diodo é utilizado, as tensões e resistências externas do circuito
são muito maiores que os valores internos do diodo (0,7v e ; 1 ), podemos
normalmente considerar o diodo real igual ao ideal no sentido de condução, sem
provocar um erro significativo.
Bloqueio no diodo real
O diodo real polarizado inversamente, não é capaz de impedir completamente a

existência de corrente no sentido inverso, fluindo uma pequena corrente inversa
(que é desprezível), sendo esta denominada de corrente de fuga, é da ordem de
alguns microampéres. Isto significa que no sentido inverso o diodo apresenta uma
resistência elevadíssima (vários Mega Ohms).
Como a corrente de fuga é muito pequena comparada com a corrente de

condução, a resistência inversa do diodo pode ser desprezada na análise da
grande maioria dos circuitos, considerando-se o diodo como ideal.
A figura 10, representa a curva característica de um diodo, com polarização direta

e reserva.
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Vd = Tensão direta Id = Corrente direta
Vr = Tensão reversa Ir = Corrente reversa

Figura 10 - Curva característica do Diodo Real
A curva da figura 10 será a mesma para os elementos de germânio e silício.

Como já se sabe, pode ser polarizado diretamente ou reversamente. Em
polarização direta o germânio começa a conduzir com cerca de 0,3V, e o silício
com cerca de 0,6V. Podemos notar pela curva (em polarização direta), que para
pequenos valores de tensão Vd, quase não temos Id, passando a existir corrente
somente quando atingirmos as características de condução do germânio e do
silício. Em polarização reversa, notamos que para pequenos valores de tensão a
corrente Ir é aproximadamente constante. Se aumentarmos Vr até próximo da
tensão de ruptura, notaremos que Ir quase não apresenta variações, sendo ainda
de pequeno valor. Ao atingirmos a tensão de ruptura, ocorrerá o efeito avalanche
(Break Down), que consiste no seguinte:
A tensão reversa aplicada à junção, aumenta a barreira de potencial, e

conseqüentemente um elétron minoritário presente nesta região será acelerado
devido ao campo elétrico. Com o aumento gradativo da tensão reversa, mais e
mais elétrons são acelerados, dando origem a novos elétrons livres e a
posteriores aumentos de corrente. Pois bem, elevando-se a corrente, mais
portadores serão liberados, estabelecendo-se um ciclo que culminará com a
ruptura do elemento semicondutor (Break Down).
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2.4 COMPORTAMENTO DO DIODO EM AC

Considerando inicialmente o primeiro semiciclo da tensão alternada, de 0 a .
Neste intervalo, a tensão é positiva e o diodo fica polarizado diretamente,
deixando passar uma corrente que tem a mesma forma de onda senoidal da
tensão aplicada, com exceção da parte inicial e final do semiciclo, que apresenta
alguma distorção, devido ao fato de que a característica do diodo não é linear
nesta região, (figura 11).
Figura 11
No semiciclo seguinte, de a 2 , a tensão se torna negativa, e o diodo é

polarizado inversamente; agora ele oferece uma resistência muito alta à
passagem da corrente, circulando somente a corrente de fuga, que pode ser
desprezada em comparação com a corrente direta, (figura 12).
Figura 12
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2.5 REGIME MÁXIMO DO DIODO EM CC

Os regimes máximos do diodo em CC estabelecem os limites da tensão e
corrente que podem ser aplicados ao componente em circuitos de corrente
contínua, sem provocar danos a sua estrutura. Analisando o comportamento do
diodo em condução e bloqueio verifica-se que os fatores que dependem
diretamente do circuito ao qual o diodo está conectado são:
Corrente de condução ( If )
Tensão reversa ( Vr )
Pois a tensão de condução Vd não depende do circuito (0,7 V para o silício e 0,3
V para o germânio) e a corrente de fuga depende apenas do material do diodo
(alguns microamperes).
Corrente máxima de condução:
A corrente de condução máxima de cada tipo de diodo é dada pelo fabricante em

folhetos técnicos, nestes folhetos, a corrente máxima de condução aparece
designada pela sigla If.
Tensão reversa máxima:
As tensões reversas colocam o diodo em bloqueio. Nesta condição toda a tensão

aplicada ao circuito fica aplicada sobre o diodo. Cada diodo tem a estrutura
preparada para suportar um determinado valor de tensão reversa. Aplicando um
valor de tensão reversa superior ao especificado para cada diodo, a corrente de
fuga aumenta excessivamente e o diodo é danificado. Os fabricantes de diodos
fornecem em folhetos técnicos o valor característico de tensão máxima que o
diodo suporta sem sofrer a ruptura. Este valor aparece designado pela sigla Vr.
Na tabela a seguir encontram-se as especificações básicas de alguns diodos

retificadores (25º C).
Diodos Corrente direta máxima ( A ) Tensão de pico inversa ( V )

IN 4606 0,2 70
BY 126 1,0 650
DY 127 1,0 1250
BYX 10 2,0 800
IN 4001 1,0 50
IN 4004 1,0 400
IN 4007 1,0 1000
IN 1615 R 5,0 600
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2.6 EFEITO DA TEMPERATURA NA CARACTERÍSTICA

Uma junção PN sofre influência da temperatura. A temperatura máxima do
elemento silício, está por volta de 150º C, enquanto que a do germânio acha-se
por volta de 100º C. para cada aumento de 1º C na temperatura, teremos em
decorrência, uma queda na tensão direta, cerca de 2,5 mV / º C.
2.7 RESISTÊNCIA DO DIODO

Resistência estática
A partir da característica direta do diodo podemos observar que não é um

elemento ôhmico e sua resistência é em função do ponto de operação. A
resistência estática é também denominada resistência contínua e é significativa
para circuitos com pontos de operação fixos.
Resistência dinâmica
A resistência dinâmica é determinada a partir das variações em torno do ponto

quiescente, ambas as resistências dependem do ponto de trabalho, porém,
convém lembrar que a resistência dinâmica tem interesse para regiões de
pequenas variações de tensão e corrente, e não em toda a característica do
diodo.
A resistência que um diodo oferece em polarização direta é denominada

resistência direta e é extremamente baixa; da ordem de algumas dezenas de
ohms, e a resistência reversa apresenta valores da ordem de algumas dezenas
de milhões de ohms.
2.8 TEMPO DE CHAVEAMENTO DO DIODO

Quando o diodo passa da condição reversa para a condição direta ou vice versa,
há a passagem por um transitório, decorrendo certo intervalo de tempo antes que
o diodo volte ao regime estacionário. O tempo de recuperação direta tfr é a
diferença de tempos entre o ponto que corresponde a 10% do valor final da
tensão do diodo e o ponto que corresponde a 90% do valor final da tensão; na
maioria das aplicações, o tfr não constitui na prática um problema sério e, assim,
consideramos apenas a mais importante situação, que é a recuperação reversa.
Tempo de recuperação reversa do diodo:
Quando uma tensão externa polariza diretamente uma junção PN, a densidade de
portadores minoritários em regime permanente é muito grande; estes, em cada
caso, foram fornecidos pelo outro lado da junção, onde, sendo majoritários, são
fornecidos abundantemente. Se a tensão externa é repentinamente alterada
(invertida) de direta para reversa em um circuito cujo diodo é atravessado por
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uma corrente direta, a nova corrente (reversa) do doido não cairá imediatamente
para seu valor de regime permanente, pois a corrente não pode atingir seu valor
de regime enquanto a distribuição de portadores minoritários irão tornar a
densidade de portadores minoritários injetados ou em excesso quase nula.
Durante este intervalo de tempo o diodo continuará conduzindo facilmente, e a

corrente será determinada pela resistência externa no circuito do diodo.
2.9 CLASSIFICAÇÃO DOS DIODOS

Diodo Zener
Diodos projetados com capacidades adequadas de dissipação de potência para

operar na região de ruptura podem ser empregados como dispositivos de
tensão constante, tensão de referência ou de avalanche.
Ânodo Cátodo
+ -
Figura 13 – Simbologia do Diodo Zenner
Os diodos zener são usados da seguinte forma: a fonte V e o resistor R são

selecionados de maneira que, inicialmente, o diodo esteja operando na região de
ruptura. A tensão sobre o diodo, que é também a tensão na carga R1, é igual a
Vz, e a corrente do diodo é denominada Iz. O diodo irá regular, agora, a tensão na
carga contra as variações de corrente (na carga) e também contra as variações
de tensão na fonte de alimentação, pois na região de ruptura, grandes variações
na corrente do diodo produzem pequenas variações na tensão (do diodo); além
disso, como existem mudanças na corrente de carga ou na tensão de
alimentação, a corrente do doido “se acomodará” a estas mudanças para manter
a tensão na carga aproximadamente constante.
Como os diodos zener são empregados para tensões superiores a 2V; abaixo
desta tensão é comum o uso de diodos polarizados diretamente para serem
usados como reguladores de tensão, e como referência; pois a característica volt-
ampére de um diodo polarizado diretamente é igual à característica reversa,
exceto que, para a característica direta, o joelho ocorre para uma tensão mais
baixa. Para alcançar tensões maiores, colocamos vários diodos em série. Tal
conjunto de diodos, encapsulados como um único dispositivo, é encontrado com
tensões de até 5V, sendo às vezes preferidos aos diodos zener polarizados
reversamente, que em baixas tensões tem valores muito altos de resistência
dinâmica.
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____________________________________________________________
As características elétricas do diodo zener são:
- Tensão Zener
- Potência Zener
- Coeficiente de temperatura
- Tolerância
- Tensão Zener: a tensão zener (tensão de ruptura) dos diodos zener depende do
processo de fabricação e da resistividade da junção semicondutora. Os diodos
zener são fabricados para valores de tensão zener da ordem de 2V até algumas
dezenas de volts.
- Potência Zener: o diodo zener funciona na região de ruptura, apresentando um

valor determinado de tensão sobre seus terminais (Vz), sendo percorrido por um
uma corrente inversa.
Nestas condições verifica-se que o componente dissipa potência em forma de

calor. A potência é dada pelo produto de tensão e corrente:
P=V.I POTÊNCIA
Pz = Vz . Iz POTÊNCIA ZENER
O valor da potência determina a dissipação máxima que o componente pode

suportar, o que possui uma relação direta como a região de funcionamento do
zener, a qual é definida por dois valores de corrente, uma vez que sua tensão
inversa é constante; sendo estas:
- Iz máximo
- Iz mínimo
O valor de Iz máximo é definido pela potência zener:
Iz máx = Pz
Vz
O valor de Iz mínimo é definido como 10% do valor de Iz máximo.
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- Tolerância: a tolerância do diodo zener informa a variação que pode existir entre
o valor especificado e o valor real da tensão reversa do diodo zener. Isto
significa que um diodo zener de 12V pode ter uma tensão reversa real, por
exemplo, de 11,5V.
Varicap
Os varicaps são diodos semicondutores especiais que substituem os

capacitadores variáveis, em circuitos de alta frequência. Nestes diodos
aproveitam-se as características da capacidade da junção PN quando polarizada
reversamente, pois um aumento da tensão reversa aplicada ao diodo, faz com
que haja um aumento da largura da barreira de potencial e conseqüentemente
uma diminuição da capacidade da junção.
Este tipo de diodo é indicado para moduladores de FM, sintonizadores de FM,

controle de frequência, etc.
Figura 16 – Símbolo do varicap
Diodo emissor de luz - LED
O diodo do tipo LED é um diodo semicondutor que apresenta emissão de luz

regida pelo fenômeno da eletroluminescência. Assim como é necessário fornecer
energia para gerar o par elétron-lacuna, da mesma maneira a energia é liberada
quando um elétron se recombina com uma lacuna. Esta energia liberada é
transferida para o cristal sob forma de calor. Em outros semicondutores tais como
o arseneto de gálio, há uma quantidade considerável de recombinação direta.
Nestas circunstâncias a energia liberada pelo elétron, ao cair da banda de

condução para a banda de valência, aparece em forma de radiação. Um diodo
que funcione nestas condições é chamado de Diodo Emissor de Luz (LED),

embora a maior parte da radiação emitida esteja na faixa do infravermelho. A
eficiência do processo de geração de luz aumenta com a corrente injetada e com
a diminuição da temperatura. A luz está concentrada perto da junção devido ao
fato de que a maior parte dos portadores se recombinam nas vizinhanças da
mesma. O diodo emissor de luz, identificado comunente como LED é
representado pelo símbolo apresentado na figura 17.
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Figura 17 – Símbolo do LED
Os LED são encontrados com as mais diversas formas e dimensões, conforme

mostra a figura 18.
Figura 18 – Tipos mais comuns de Diodo
O catodo de um LED, de formato redondo, pode ser identificado por um “corte” na

base do encapsulamento. (figura 19)
CATODO
Figura 19 - Corte no lado do Catodo ( Vista de baixo )
Características do LED
- Corrente direta nominal (If): É um valor de corrente de condução indicado pelo

fabricante no qual o LED apresenta um rendimento luminoso ótimo (normalmente
20mA).
-Tensão direta nominal (Vf): Especificação que define a queda da tensão típica do
diodo no sentido de condução. A queda de tensão nominal (Vf) ocorre no
componente quando a corrente direta tem valor nominal (If).
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- Tensão reversa máxima (Vr): Especificação que determina o valor máximo de

tensão, que o LED suporta, no sentido inverso sem sofrer ruptura. A tensão
inversa máxima dos LED’s é pequena, da ordem de 5V.
A tabela abaixo apresenta as características de alguns LED.
LED COR Vf a If = 20 mA If máx.

LD 30C Vermelho 1,6V 100mA
LD 37I Verde 2,4V 60mA
LD 3I1 amarelo 2,4V 60mA
LED bicolor
O LED bicolor consiste, na verdade, de dois LED’s colocados dentro de uma

mesma cápsula.
Estes LED’s têm três terminais. (figura 20)
Figura 20 - LED bicolor
LED infra-vermelho
A luz infra-vermelha é um tipo de irradiação que não é visível ao olho humano,

este tipo de luz é usado principalmente em alarmes, controle remoto, etc. Assim
os LED’s que emitem esta luz, funcionam como os outros, porém não se pode
observar visualmente se estão ligados ou não.
Fotodiodo
O fotodiodo é um diodo semicondutor com junção PN cuja característica é operar

na polarização inversa da junção. Na polarização inversa a corrente é
praticamente nula, porém, se o cristal for devidamente dopado, o número de
portadores aumenta tremendamente sob luz incidente, pois esta fornece energia
sob forma de fótons. E este é o princípio básico do funcionamento de um
fotodiodo.
A aplicação do fotodiodo se verifica em leitura de cartões, circuitos digitais,

acopladores ópticos, etc.
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Figura 21 – Símbolo do fotodiodo
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3. RETIFICADORES
3.1 RETIFICADORES DE ½ ONDA
A retificação de meia onda é um processo de transformação de CA em CC, que
permite o aproveitamento de apenas um semiciclo da tensão de entrada, na
carga, (figura 22).
1 ciclo
TENSÃO NA
CIRCUITO RETIFIDADOR CARGA
ENTRADA DE MEIA ONDA
Figura 22 - Entrada e Saída na retificação de ½ onda
Funcionamento
Primeiro semiciclo
Durante o primeiro semiciclo a tensão é positiva no ponto A, com relação ao ponto

B. esta polaridade de tensão de entrada coloca o diodo em condução, permitindo
a circulação de corrente. (figura 23)
Figura 23
A tensão sobre a carga assume a mesma forma da tensão de entrada, (figura 24).
Figura 24
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O valor de pico de tensão sobre a carga é menor que o valor do pico de tensão da
entrada, porque o diodo, durante a condução, apresenta uma pequena queda de
tensão Vd (0,7 para o silício e 0,3V para o germânio). Entretanto, na maioria dos
casos, a queda de tensão sobre o diodo pode ser desprezada porque o seu valor
é muito pequeno em relação ao valor total do pico de tensão sobre a carga.
Segundo semiciclo
Durante o segundo semiciclo, a tensão de entrada é negativa no ponto A, com

relação ao ponto B, esta polaridade de tensão de entrada coloca o diodo em
bloqueio, logo não há corrente, (figura. 25).
Figura 25
Nesta condição toda a tensão de entrada é aplicada sobre o diodo, que atua
como interruptor aberto, e a tensão na carga é nula porque não há circulação de
corrente, (figura 26).
Figura 26
Observa-se que para cada ciclo completo da tensão de entrada, apenas um

semiciclo passa para a carga, enquanto o outro semiciclo fica sobre o diodo. Os
gráficos da figura 27 ilustram o que foi descrito.
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Tensão na
entrada
Tensão no
Diodo
Tensão na
carga
Figura 27 - Tensão de entrada x diodo x saída
Retificação de meia onda com tensão de saída negativa
Dependendo da forma como o diodo está colocado no circuito retificador, pode-se

obter uma tensão CC positiva ou negativa em relação ao terra.
Tensão e corrente CC de saída da retificação de meia onda.
Tensão de saída
A tensão na carga, apesar de ser contínua, não é constante, recebendo o nome

de contínua pulsante. O valor médio DC de um sinal alternado senoidal é nulo,
assim se conectarmos um voltímetro DC para medir um sinal senoidal, a leitura
indicada pelo aparelho será zero. Se medirmos, com um medidor DC, o sinal da
figura 26, que é um sinal retificado de meia onda, pulsante e senoidal, o medidor
fornecerá o valor DC do sinal também denominado valor contínuo.
Tensão Média
Figura 28 – Tensão de saída e tensão média
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O valor DC é dado pela relação abaixo:
Vdc = 1 / x (Em)
Esta relação representa a área sob a curva, dividida pelo período da onda
retificada.
É importante notar que num circuito retificador de meia onda, quando o diodo for
polarizado reversamente, aparece uma tensão em seus terminais denominada
tensão de pico reversa. E de acordo com a aplicação da Segunda Lei de
Kirchhoff, em um retificador de ½ onda, determinamos que o valor da tensão de
pico é o valor máximo da tensão alternada aplicada.
Corrente de saída
Na retificação de meia onda a corrente de saída também é pulsante, uma vez que
a tensão sobre a carga é pulsante, isto implica que a corrente média na saída
(sobre a carga) é uma média entre os períodos de existência e inexistência de
corrente, (figura 28.1).
I média
Figura 28.1 – Corrente média de saída
Inconvenientes da retificação de meia onda:
A retificação de meia onda apresenta alguns inconvenientes, decorrentes da sua

condição de funcionamento.
- O rendimento é baixo (45%) em relação à tensão eficaz de entrada
- Nas retificações com transformador existe um mau aproveitamento da

capacidade de transformação porque a corrente circula em apenas um semiciclo
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3.2 RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA

É um processo de conversão de corrente alternada em corrente contínua que faz
o aproveitamento dos dois semiciclos da tensão de entrada, (figura 29).
1 ciclo
TENSÃO NA
CIRCUITO RETIFIDADOR CARGA
ENTRADA DE MEIA ONDA
Figura 29 – Corrente média de saída
O circuito retificador de onda completa é o mais empregado nos equipamentos

eletrônicos porque realiza um melhor aproveitamento da energia aplicada na
entrada. Esta retificação pode ser realizada de duas maneiras distintas:
- Empregando um transformador com derivação central e dois diodos.

- Empregando quatro diodos ligados em ponte.
Retificação de onda completa com dois diodos.
A retificação de onda completa com derivação central, é a denominação técnica

do circuito retificador de onda completa que emprega dois diodos com um
transformador com derivação central. A figura 31 apresenta a configuração deste
tipo de circuito retificador.
Figura 30 – Retificador de onda completa com 2 diodos
Este tipo de retificação também é chamado de retificação de onda completa

CENTER TAPE, a expressão significa DERIVAÇÃO CENTRAL.
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Funcionamento
O princípio de funcionamento do circuito retificador de onda completa pode ser

facilmente compreendido, considerando-se cada um dos semiciclos da tensão de
entrada isoladamente, conforme mostra a figura 31.
Tensão na
entrada
Tensão no
Diodo D1
Tensão
no
Diodo D2
Tensão na
carga
Figura 31
Para tensões de entrada acima de 10Vca pode-se desconsiderar a queda de

tensão no diodo, desenvolvendo a equação como:
Vcc = 2 Em – Vd desconsiderando Vd têm-se:

π
Vcc = 2 . Em como Em = Vca . 2

π
Vcc = 2 . Vca . 2__ simplificando: 2 / π têm-se:

π
Vcc = 2 . Vca . 0,45

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Corrente de saída
A corrente média na saída da retificação de onda completa depende da tensão

média:
IDC = Vdc
RL
Relação entre freqüência de entrada e freqüência de saída:
Na retificação de onda completa cada ciclo da tensão CA de entrada é

transformado em dois semiciclos de tensão sobre a carga. Desta forma, a
freqüência dos picos de tensão sobre a carga é o dobro da freqüência da rede,
(figura 32).
Figura 32
3.3 RETIFICADOR EM PONTE

A retificação em ponte com quatro diodos entrega à carga uma onda completa
sem que seja necessário utilizar um transformador com derivação central. A figura
33 apresenta a configuração da retificação de onda completa em ponte.
Figura 33
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Funcionamento
Primeiro Semiciclo
Considerando a tensão positiva no terminal de entrada superior, teremos:
Diodo 1 – anodo positivo em relação ao catodo = CONDUÇÃO
Diodo 2 – catodo positivo em relação ao anodo = BLOQUEIO
Diodo 3 – catodo negativo em relação ao anodo = CONDUÇÃO
Diodo 4 – anodo negativo em relação ao catodo = BLOQUEIO
Segundo Semiciclo
No segundo semiciclo ocorre a intervensão da polaridade nos terminais de

entrada do circuito, onde teremos:
Diodo 1 = anodo negativo em relação ao catodo – BLOQUEIO
Diodo 2 = catodo negativo em relação ao anodo – CONDUÇÃO
Diodo 3 = catodo positivo em relação ao anodo – BLOQUEIO
Diodo 4 = anodo positivo em relação ao catodo – CONDUÇÃO
A ponte retificadora entrega à carga, os dois semiciclos, da mesma forma que a

retificação de ponto central, com uma freqüência da CC pulsante igual ao dobro
da freqüência da rede.
A ponte retificadora também pode ser representada em esquema conforme

mostra a figura 34
Figura 34
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Tensão e corrente CC de saída da retificação em ponte
Tensão de Saída
A ponte retificadora fornece na saída o mesmo tipo de forma de onda que a

retificação com derivação central, contudo, há uma diferença em termos de
tensão de pico sobre a carga, devido ao fato de que na ponte retificadora em cada
semiciclo existem dois diodos em série, o que implica que o pico de tensão sobre
a carga é 1,4V menor que o pico de tensão na entrada (para diodos de Si), (figura
35).
Para tensões acima de 20 Vca na entrada da ponte pode-se desconsiderar as

quedas de tensão nos diodos (2Vd) de forma que o desenvolvimento da equação
resulta em:
Tensão CC média Vcc = 2 x Em – 2Vd = 2 . Em

na saída π π
Para uma mesma tensão de saída, a retificação em ponte usa apenas uma
tensão no secundário, enquanto que a retificação com derivação central,
necessita de duas tensões, com o terminal central comum. As figuras 36 e 37
mostram claramente o que foi descrito:
Figura 36
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Figura 37
Conseqüentemente o transformador é melhor aproveitado nas retificações em

ponte porque o secundário trabalha integralmente nos dois semiciclos.
Corrente de saída
A Corrente de saída é dada pela mesma equação utilizada na retificação de ponto

médio:
IDC = Vdc
RL (carga)
3.4 FILTROS
Uma tensão alternada, após ser retificada, reduz-se a uma tensão contínua
pulsativa, ou seja, ainda guarda em si as alternâncias da CA. Contudo, a corrente
contínua CC que desejamos não pode conter oscilações, e para evitá-las usamos
um circuito de filtro, (figura 38).
Figura 38 – Circuito retificador de1/2 onda com filtro
A filtragem é freqüentemente realizada colocando-se um capacitor ligado em

paralelo com a carga. Este sistema baseia-se no fato de que o capacitor
armazena energia durante o período de condução do diodo, e fornece esta
mesma energia para a carga durante o período em que o diodo está cortado.
Desse modo, o tempo durante o qual a corrente passa pela carga RL, é
prolongado e a ondulação é consideravelmente menor. A tensão de ondulação é
definida a partir do seu valor médio ou CC.
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Filtro capacitivo
Tanto o retificador de meia onda quanto o de onda completa, apresentam como

resultados, correntes contínuas, porém pulsantes, como mostra a figura 39.
Figura 39 - Saída de um retificador sem filtro
Se conectarmos um capacitor em paralelo com a carga, como mostra a figura 40,

observaremos uma diminuição na variação (ou na ondulação) da tensão de saída.
Figura 40
A tensão de saída com o capacitor é mostrada na figura 41.
Figura 41
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Durante o meio ciclo em que o anodo for positivo em relação ao catodo, do diodo,
o diodo conduz e o capacitor C se carrega simultaneamente com o valor da
tensão aplicada.
Durante o semiciclo seguinte, quando o anodo for negativo em relação ao catodo,

o diodo corta e o capacitor C descarrega-se através da resistência de carga.
É fácil notar que o tempo de descarga da associação RL x C é que vai determinar

o valor da tensão mínima, Vpmin.
Quanto maior for o tempo de descarga da associação maior será a constante de

tempo e, portanto, maior será o valor mínimo e menor a ondulação. A figura 42,
mostra a tensão de saída com três capacitores de filtro cujas capacitâncias são
respectivamente C1 < C2 < C3.
Figura 42
Essa ondulação recebe o nome de tensão de ripple, e seu valor pico a pico é
dado por:
Vrpp = Vp – Vpmin.
As figuras 43 e 44 mostram respectivamente a tensão de saída na carga e a

tensão de ripple.
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Figura 43
Figura 44
Ripple: fator, tensão e percentagem
Para uma melhor compreensão do equacionamento do fenômeno e para uma

melhor visualização do circuito, analisaremos a forma de onda da figura 45, que
se aproxima em muito, da tensão de saída de um circuito com filtro.
Figura 45
Essa figura mostra um sinal contínuo e constante Vdc, somado a uma senoide.
Medindo esta tensão com o voltímetro DC, obteríamos o valor médio ou contínuo,
isto é, Vdc; se medirmos essa mesma tensão com um voltímetro AC, mediríamos
somente o valor eficaz da senóide, que é a ondulação indesejável.
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Por definição a expressão matemática E a percentagem de ripple é dada pela

do fator de ripple é: relação:
r = tensão eficaz de ripple

% r = 100 . r
tensão contínua
% r = 100 . Vref
r = Vr eficaz
Vdc
Vdc
Capacitor de filtro em onda completa:
Do mesmo modo que no circuito de meia onda, o capacitor de filtro vai ligado em
paralelo com a carga. A figura 47 mostra a forma de onda que resulta após
conectarmos o capacitor de filtro em retificadores de onda completa. Deve-se
notar que o sinal filtrado apresenta um nível DC e um sinal de ripple em cima.
Figura 46
Figura 47
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Analisando a figura 48, que mostra um retificador de onda completa com filtro e
sua forma de onda, podemos destacar dois tempos particulares.
Figura 48
O intervalo Tc é o intervalo de tempo em que o capacitor se carrega e o intervalo

de tempo Td é o intervalo de tempo em que o capacitor se descarrega através da
resistência de carga, onde o valor do capacitor e o valor da resistência de carga,
influenciam no intervalo de tempo Td da descarga, e obviamente no valor da
tensão de ripple, no fator de ripple, no valor contínuo Vdc, etc...
O valor contínuo ou Vdc é dado por: E o valor eficaz da tensão de ripple é

dado por:
Vdc = Vp - 1/2 Vrpp (1) Vref = Vrp = 1/2 Vrpp (2)

2 2
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4. TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNÇÃO ( TBJ )

Após o estudo do diodo de junção, que é o componente essencial de dois
terminais, vamos agora começar a abordar dispositivos semicondutores de três
terminais. Eles são muito mais utilizados e de funções mais complexas, que vão
desde amplificação de sinais até a lógica digital. O nome transistor bipolar reflete
o fato de que o fluxo de corrente nestes elementos ser direcional, ou seja, uma
parte é formada por elétrons e outra por lacunas.
Outro fato curioso está no nome: o prefixo TRANS vem da palavra inglesa
TRANSFER e o sufixo SISTOR de RESISTOR. Combinando ambas, temos algo
semelhante a resistor de transferência. À medida que nos aprofundamos no
estudo do dispositivo mostraremos esta característica fundamental.
Enfim, o transistor de junção (que fora desenvolvido no início da década de 50)

revolucionou a tecnologia até alcançar o estágio atual. Para se ter uma idéia do
significado da invenção do transistor, historiadores da ciência referem-se à nossa
época como a Era do Transistor!
Estrutura física
A figura 49, mostra duas estruturas cristalinas: uma NPN e outra PNP.
Visualmente percebem-se três regiões: emissor, base e coletor. O emissor é
dopado fortemente, pois, dele partem os elétrons para a outra região, a base. Na
base, que é fina e fracamente dopada, a maioria dos elétrons injetados pelo
emissor passa para o coletor. O coletor é a maior das três regiões, pois nele é
gerada uma quantidade de calor maior, e é assim designado pelo fato dos
elétrons da base convergirem para lá (diz-se que o coletor junta os elétrons da
base). O nível de dopagem do coletor é intermediário, está entre o da base e o do
emissor.
Figura 49 - Estruturas físicas
Modos de operação – polarização
Fazemos a abordagem dos transistores de silício pelos mesmos motivos que nos
levaram a fazer tal escolha para o diodo, objeto de nossos estudos anteriores.
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Tais motivos eram as especificações de tensão/corrente mais altas e a menor

sensibilidade à temperatura. Lembre-se, também, que a 25ºC a barreira de
potencial era aproximadamente 0,7V. Na figura 50 temos a ilustração da estrutura
cristalina NPN com as regiões sombreadas.
CAMADA DE DEPLEÇÃO
-- -- - - - -
E -- -- - - - - C
-- -- - - - -
-- -- - - - -
Figura 50
Observe, nas figuras anteriores, que existem duas junções nas estruturas
cristalinas: uma entre base-coletor e outra entre base-emissor. O diodo situado
entre a base-emissor é denominado diodo emissor e o outro, entre base-coletor,
diodo coletor. Como são dois diodos, temos quatro hipóteses para polarização
simultânea de todos eles. Veja o quadro a seguir:
Denominação do modo de
polarização Diodo emissor Diodo coletor
Corte Reverso Reverso
Não se aplica Reverso Direto
Ativo Direto Reverso
Saturação Direto Direto
Os modos de corte e saturação são aqueles em que o transistor é usado para

operar como chave eletrônica em circuitos lógicos (por exemplo, em
computadores). No modo ativo, o transistor opera como fonte de corrente e é
capaz de amplificar sinais. Vejamos, adiante, a descrição da operação em cada
um dos modos.
Modo ativo do transistor NPN – polarização direta-reversa – Esta situação

está ilustrada na figura 51, duas fontes de tensão externas são usadas para
estabelecer as condições de operação. A tensão Vbe faz com que a base tipo P
esteja em um potencial mais alto do que o emissor tipo N; portanto, se a d.d.p.
entre as duas regiões for aproximadamente 0,7V, este diodo está diretamente
polarizado. A tensão na junção base-coletor Vcb faz com que o coletor tipo N
esteja em um potencial mais alto do que a base tipo P; portanto, este diodo está
reversamente polarizado.
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E C
N P N
RE RC
VBB B VCC
Figura 51
Relação entre as correntes Ib, Ic e Ie
Você já tem conhecimento sobre a ordem de grandeza entre as correntes que

circulam no transistor polarizado direta e reversamente. Esta relação depende do
nível de dopagem entre as regiões constituintes do transistor. Como foi
mencionado, a base, o coletor e o emissor são fraca, média e intensamente
dopados, respectivamente. Na prática, os transistores modernos de baixa
potência têm corrente de coletor, que são cerca de 99% da corrente de emissor.
Portanto, resta à base 1%.
Dados estes percentuais, é razoável admitir e relacioná-las por meio de números

adimensionais denominados e . A relação mede quão próxima a corrente de
coletor Ic está de Ie, ou seja, é o quociente entre elas. é a razão entre Ic e Ib, e
basicamente nos permite dizer o quanto os portadores majoritários do emissor (os
elétrons) fluem pelo coletor e qual a taxa se recombina na base.
Matematicamente, temos:
= Ic e = Ic
Ie Ib
Obs.:
É freqüente o uso de hfe (índices maiúsculos) para representar o envolvendo Ic
e Ib contínuos. Muitos se referem a ele como cc. O ca é representado por hfe
(índices minúsculos).
Simbologia
Apesar de estarmos estudando a estrutura transistora tipo NPN, na figura 52,

apresentamos a seguir os símbolos de ambos os tipos.
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Figura 52 – Simbologias
Conexões do transistor bipolar
Nossa avaliação do funcionamento do transistor tem sido realizada sob o circuito

montado com a estrutura cristalina NPN. Existem configurações típicas
elaboradas com o TBJ e é essencial aprender a reconhecê-las apenas com um
olhar lançado sobre um circuito transistorizado. São três as configurações com
terminal em comum: base, emissor e coletor.
Observe-as na figura 53:
Figura 53
Obs.: Se você retornar à ilustração da estrutura cristalina NPN em

funcionamento, verá que se trata de uma configuração em base comum, pois este
terminal é comum a Vbb e a Vcc.
Análise na configuração Emissor-Comum (EC)
Entre as três configurações do TBJ, a mais utilizada, na prática, é a em emissor

comum, requerendo assim uma análise mais cuidadosa. Faremos o emprego da
estrutura cristalina do TBJ NPN pela última vez, pois daqui para frente sempre
empregaremos o símbolo em nossas análises.
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____________________________________________________________
Para analisar a ligação EC, primeiramente colocamos o transistor na vertical, com
o emissor em baixo. Cuidamos para que esse terminal seja realmente comum às
duas fontes, ligando os negativos nele. Dois resistores Rb e Rc limitam a corrente

na base e no coletor, nessa ordem. Veja a ilustração da figura 54.
RC
N
RB VCC1
VBB N
Figura 54
Especificações de um TBJ
Pretendemos, aqui, apresentar algumas especificações úteis do transistor bipolar.
Deixamos claro que o uso do manual do fabricante ou Databook é de vital

importância e que o aluno não deve se contentar em saber apenas as
especificações que apresentaremos. O quadro abaixo apresenta as principais
características de um TBJ com a descrição de cada uma.
Descrição (o fabricante pode fornecer valores mínimos,

Parâmetro
típicos ou máximos)
Ib Corrente de base
Ic Corrente de coletor
Ie Corrente de emissor
Pd Potencia dissipada
Vceo Tensão de coletor ao emissor com a base aberta
Vcbo Tensão de coletor à base com emissor aberto
Vebo Tensão de emisor à base com o coletor aberto
P Fator de degradação
Rthj Resistência térmica da junção
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As três primeiras especificações são óbvias. Especificar a potência Pd é
importante para evitar o inconveniente de destruir o transistor por excessiva
dissipação de calor. Matematicamente, podemos encontrá-la por:
Pd = Vce . Ic
Esta não é toda a potência que o transistor dissipa, mas está próxima dela, pois
as componentes da potência dissipada nos diodos emissor e coletor são
desprezíveis em comparação com ela.
As três tensões: Vceo, Vcbo e Vebo são importantes na escolha do transistor.

Vceo e Vebo são boas aproximações para as tensões de ruptura dos diodos
coletor e emissor, respectivamente.
Todas as especificações de componentes eletrônicos são feitas a determinadas

temperaturas. P mede o fator de degradação da especificação de potência à
medida que nos distanciamos das temperaturas ideais de funcionamento.
O último parâmetro é importante para a escolha do irradiador de calor, visto que,

em algumas circunstâncias, a quantidade de calor gerada na junção não é
trocada com o meio ambiente. Nestas circunstâncias, o irradiador de calor bem-
dimensionado muitas vezes resolve o problema.
O transistor como chave
O primeiro circuito que estudamos com o transistor é a configuração típica de uma

chave. Com um projeto consistente, o transistor opera apenas no modo de
saturação e corte. Esta aplicação é o princípio do funcionamento dos
computadores e circuitos digitais. Estude-a com atenção e perspicácia, pois
futuramente você entrará em contato direto com os circuitos digitais e a base da
operação destes será vista aqui.
Esquema do circuito
A chave eletrônica com o transistor é feita usando-se o terminal da base como

controle e a saída é retirada no coletor, ambos relativos ao terra. Veja a figura 55:
Figura 55
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O controle é, tipicamente, um sinal quadrado que varia de 0 a um nível fixo, que é
5V para circuitos denominados TTL (Transistor – Transistor Lógico). Quando o
sinal de controle está em 0V, a malha da base está submetida a 0V de d.d.p.;
portanto, não há corrente na base e, por conseguinte, no coletor também não.
Como Ic = 0A, a queda de tensão em Rc é nula e, para que a lei de Kirchhoff das
tensões continue válida, Vce tem de assumir o valor da fonte Vcc, chave aberta.
No instante em que i pulso sobe para o nível alto – nível fixo de tensão – há
corrente na base e, se esta corrente for suficientemente alta, o transistor entra na
região de saturação tornando Vce próximo à 0V. A corrente circulante no coletor é
Icsat e, de coletor para emissor, o transistor se assemelha a uma chave fechada.
Novamente para a lei de Kirchhoff permanecer inalterada, o resistor de coletor Rc
tem entre seus terminais a tensão da fonte Vcc.
É importante observar que, o sinal quadrado de saída é exatamente o oposto ao

do controle. Isto é devido às condições em que ocorrem os chaveamentos.
Quando controle = 0V, a saída = Vcc. Caso contrário, se controle = Vbb, a saída =
0V. Por isso, os sinais são recíprocos.
Condição suficiente para o funcionamento da chave eletrônica
A condição necessária e essencial é que a corrente Ib seja grande o suficiente

para levar Ic à saturação. Os profissionais que projetam chaves a transistor usam
uma regra superdimensionada para escolha dos resistores Rb e Rc. Eles adotam
um = 10; este praticamente não se encontra, mesmo em transistores de
potência que são conhecidos por terem betas pequenos. Dessa maneira
dividimos o projeto em três etapas:
1ª etapa – O resistor Rc normalmente é a carga que se deseja acionar. É

imprescindível conhecer sua resistência elétrica ou a corrente de funcionamento.
Esta corrente deverá ser tida como Icsat.
2ª etapa – Podemos calcular Ib usando um beta crítico igual a 10. portanto, Ib =

Icsat/10.
3ª etapa – Encontramos o valor de Rb usando a lei de Ohm, já que sabemos que

a tensão nos terminais dele deve ser Vbb – 0,7V e Ib, acabamos de encontrar:
Rb = (Vbb – 0,7V) / Ib.
Acionando carga com o transistor
No estudo feito acima, buscamos especificar um resistor de base que o transistor

saturasse irremediavelmente. Na prática, a chave é muito usada para acionar
relés, motores CC de pequena capacidade, lâmpadas de baixa potência, LED’s
indicadores etc. Veja um exemplo do acionamento por relés:
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Usando relés ligar (ou desligar) cargas CA, figura 56
VCC
RC
RB
VBE
D2
Figura 56
Obs.:
Toda vez que um transistor chavear cargas indutivas é necessário acrescentar um
diodo, reversamente polarizado, em paralelo com a carga. Isto porque quando a
carga está sendo acionada (transistor saturado) a indutância da carga recebe
energia da fonte. Durante o desligamento (transistor indo para o corte) ocorre a
inversão da tensão nos terminais da carga (lei de Lenz) para manter a corrente
circulando no mesmo sentido. Essa tensão pode ser suficientemente alta e
destruir o diodo coletor. O diodo D, faz o retorno da corrente e dissipa a energia
armazenada na indutância da carga, protegendo o transistor.
Outra aplicação importante do transistor, é como fonte de corrente, pois nesta, o

transistor é capaz de amplificar sinais CA, veremos um pouco à frente, em nossos
estudos, como polarizar circuitos transistorizados na região ativa e prepará-los
para a amplificação.
Outros transistores especiais
Fototransistor
É um transistor otimizado para operar a partir da luz. Existe uma janela

transparente para incidência de luz (fótons). A luz converge para a junção base-
coletor reversa, diodo reverso, e quebra ligações covalentes na banda de
valência. Os elétrons são elevados à banda de condução e podem circular lá
como intensidade da luz adequada ao funcionamento do dispositivo, aquela que
possui o comprimento de onda certo e pode ser visível ou não. Veja na figura 57
sua simbologia.
Figura 57 – Simbologia do Fototransistor
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Optoacoplador com fototransistor
Como o fototransistor é um receptor de luz e atua somente na presença dela, os

fabricantes oferecem um pequeno CI que incorpora o par emissor-receptor. Este
par é bastante aplicado na isolação elétrica entre circuitos eletrônicos.
Transistor multiemissor e multicoletor
A figura 58 mostra a sua simbologia
Figura 58
Obs.: No caso do transistor multiemissor, basta que um dos transistores tenha o

emissor colocado, por exemplo, no terra para que todas as bases estejam em
0,7V. De forma equivalente, se no símbolo um dos emissores vai ao terra, a base
assume 0,7V de potencial e circulam as correntes Ic e Ib correspondentes à
quantidade de emissores em condução.
No caso do multicoletor é necessário que pelo menos um dos transistores tenha

o coletor em Vcc, através de Rc, para existir Ib e Ie.
Transistor Darlington – Consiste em uma conexão de dois transistores. O

emissor do primeiro vai à base do segundo; os coletores são ligados juntos. O
emissor do segundo e a conexão em comum dos coletores são: a base, o emissor
e o coletor do Darlington, respectivamente. A razão principal da conexão é a
obtenção de um transistor cujo beta é o produto de 1 e 2.
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5. AMPLIFICADORES DE POTÊNCIA
Os estágios amplificadores, estudados até este ponto, tratam da amplificação de
sinais com maior ênfase no ponto de vista de tensão. Porém, para que possamos
aplicar estes sinais à carga, que geralmente têm valor de resistência baixo, alguns
poucos Ohms, é necessário que eles sofram também uma amplificação de
corrente.
Do exposto, entende-se claramente que os sinais a serem amplificados passam

por estágios amplificadores de tensão e corrente, isto é, são amplificadores em
potência para acionar a carga. Os transistores do estágio final de amplificação
(potência) dissipam grande quantidade de calor, visto que, neste, a potência do
sinal é elevada (acima de 0,5W).
Deve-se tomar cuidado de montá-los em irradiadores de calor (dissipadores), a

fim de que possam trocar de calor com o meio externo, evitando a sua destruição
por dissipação excessiva de potência.
Os transistores dos estágios iniciais são de potência inferior (abaixo de 0,5W) e

não necessitam de dissipadores. Estes estágios recebem a denominação de pré-
amplificadores.
Os amplificadores de potência que discutiremos operam em três classes distintas,

que são: A, B e AB.
Definições
Ganho de tensão (Av)
Conforme já estudado, o ganho de tensão é a relação entre a tensão de saída e a

tensão de entrada
Ganho de corrente (Ai)
O ganho de corrente é a relação entre as correntes CA’s de coletor e de base,

podendo ser aproximada ao com erro desprezível.
Ganho de potência (Ap)
O ganho de potência é a relação entre a potência de saída (Po) e a potência de

entrada (Pin) de um amplificador.
Potência de carga (Pl)
Correspondente ao valor de potência CA na saída do amplificador, isto é, sobre a

carga.
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Potência de dissipação do transistor (Pd)
Deve-se tomar o cuidado de especificar a potência do transistor como sendo

maior que a potência quiescente (Pdq), visto que a condição de dissipação de
potência ocorre quando não há sinal na entrada do mesmo, ou seja, Pd diminui à
medida que a tensão pico a pico na carga aumenta.
Rendimento ou eficiência do amplificador em porcentagem ( %)
Corresponde à relação entre a potência CA em RL com a potência entregue pela

fonte Vcc.
5.1DISSIPADORES DE CALOR
A potência desenvolvida sob forma de calor no coletor dos transistores de saída é

muito alta, fazendo valer algumas considerações importantes. Por exemplo, à
temperatura ambiente (25ºC), a troca de calor entre o meio ambiente e a cápsula
(invólucro) do transistor, que poderá ser metálica ou plástica, pode ser suficiente
para uma determinada condição de funcionamento do equipamento.
Porém, com o aumento desta temperatura, esta troca de calor para a mesma
condição anterior de trabalho poderá não ser tão eficiente, fazendo com que os
transistores permaneçam quentes por uma faixa de tempo, tendo como
conseqüência o suprimento de uma corrente reversa nos terminais de coletor.
Esta corrente somada ao nível quiescente, faz com que a dissipação de potência
nos transistores seja ainda maior. Este efeito é cumulativo e termina por levar os
transistores à destruição. A este fenômeno denominamos deriva térmica.
Uma forma de minimizar este efeito é fazer com que a área de superfície do
encapsulamento do transistor seja aumentada. Para isso utilizamos os
dissipadores de calor, que são massas metálicas (chapas de metal) de modelos
variados, podendo ou não ser alteradas, com o propósito de melhorar a
transferência de calor do encapsulamento para o meio ambiente. Em alguns
casos, o terminal de coletor é conectado a uma placa metálica ou à carcaça do
encapsulamento, a fim de facilitar a conexão com o dissipador e melhorar a
dissipação de calor. Quando isso acontece, é necessário, às vezes, isolar o
terminal de coletor do terra do circuito. Para isso, são utilizados isoladores de
mica, por se tratar de um material que é bom isolante elétrico e condutor térmico.
Outros acessórios são amplamente utilizados, como, por exemplo, isoladores

plásticos (buchas) para isolar terminais e/ou parafusos de fixação, pasta térmica
para reduzir a resistência térmica entre o dissipador e o encapsulamento, entre
outros. A figura 59 a seguir ilustram alguns tipos de transistores e dissipadores de
comum utilização.
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6. JFET
JFET - TRANSISTORES DE JUNÇÃO POR EFEITO DE CAMPO
( Junction Field Effect Transistor )
É um dispositivo semicondutor que requer um campo elétrico para o controle de

sua corrente de operação. É, também, conhecido como transistor unipolar, por
possuir apenas um tipo de portador de corrente (elétrons ou lacunas).
Comparação entre FET e Transistor Bipolar:
- O FET tem impedância de entrada muitas vezes maior;

- O FET tem comutação mais rápida;
- O FET apresenta elevada sensibilidade térmica;
- O FET quase não gera ruídos;
- O FET tem ganhos e potências de trabalho menores.
A figura 60, mostra a seção em corte de um JFET canal N. A região denominada

substrato é feita de material do tipo P, no qual está incrustado o material do tipo N
para produzir o canal. Os terminais nas extremidades do canal são conhecidos
como dreno (D – drain) e fonte (S – source). No centro do material tipo N existe
outra região tipo P, denominada porta (G – gate).
G
SUBSTRATO
P P
CANAL
N
S
Figura 60
Polarização de um FET
Normalmente o substrato é conectado internamente ao terminal de porta. Como

veremos, isso aumenta o controle sobre o canal.
Não há necessidade de resistência na porta, pois em ambos os casos a junção

porta-canal deve estar reversamente polarizada. A polarização direta na porta-
canal não tem significado, em termos de controle da corrente Ids, e deve ser
evitada para manutenção das características do JFET.
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Princípio de funcionamento
Junção porta-canal com polarização reversa Vgs = 0V
Circulará uma corrente no canal (Iids) que será diretamente proporcional ao valor
Vds aplicado. O canal comporta-se como um resistor e, devido ao sentido da
corrente, o potencial no dreno (D) será mais positivo que na fonte (S), para o
JFET canal tipo N. se o JFET for canal do tipo P, o potencial em (D) será mais
negativo que em (S).
Fazer Vgs = 0V significa conectar a porta à fonte eletricamente. A corrente Ids

provoca, internamente, quedas de tensão bem distribuídas e isto reverte a
polarização da junção porta-canal de forma variada. A camada de depleção será
esticada em direção ao dreno e estreitada na fonte (para o JFET canal N).
Esta polarização produz uma região de depleção no canal que limita a corrente
através dele. Quanto maior a queda de tensão no canal (Vds maior), mais larga é
a região de depleção que se forma e mais reduzida será a corrente. Estes dois
efeitos se opõem e, a partir de uma determinada tensão Vds, eles estarão em
equilíbrio e a corrente Ids permanecerá constante. Esta tensão é conhecida como
tensão de pinçamento (pinch-off) e simbolizada por Vp. A corrente remanescente
é denominada corrente máxima do dreno Idss, especificada para Vds > Vp e Vgs
= 0V. perceba os detalhes na figura 61.
G SUBSTRATO
P P
S
Figura 61
Junção porta-canal com polarização reversa Vgs < 0
Nestas condições, a camada de depleção se alargará devido à polarização

reversa adicional imprimida pela fonte Vgs. O campo elétrico formado pela
camada de depleção provocará o estreitamento do canal e, conseqüentemente,
um aumento na sua resistência e diminuição na corrente Ids. Assim, variações na
tensão entre a porta e a fonte refletem-se em variações na corrente do canal.
Outra vez, devido à queda de tensão interna no canal, a camada de depleção

será mais “esticada” em direção ao dreno.
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Se continuarmos a aumentar (negativamente) Vgs, será atingido um valor no qual
a região de depleção ocupará todo o canal. Com esse valor de Vgs o canal fica
completamente deplecionado de portadores de carga – elétrons no canal N e
lacunas no canal P; o canal em efeito desaparece. Essa tensão Vgs é
denominada tensão de corte Vgs(corte) ou Vgs(off), a qual obviamente é negativa
para o JFET canal N e positiva para o canal P.
Polarização direta da junção porta-canal Vgs > 0
O JFET não foi otimizado para funcionar deste modo. Esta polarização produz
corrente pelo canal, o que pode danificá-lo. Ademais, a junção porta-canal não
pode exceder a 0,7V, já que ela basicamente é um diodo.
Simbologia
Veja na figura 62, a simbologia dos JFET´s
D D
G G
S S
CANAL N SIMÉTRICO CANAL P SIMÉTRICO

Figura 62
Algumas terminologias importantes
Idss: corrente máxima que um JFET pode conduzir. Dada para um

determinado valor de Vds e Vgs = 0V.
Igss: corrente reversa na junção porta-canal
Vgs(corte) = Vgs(off) : valor de tensão reversa na junção porta-canal, que

fecha completamente o canal e torna Id = 0A.
Vp: tensão de pinch-off, pinçamento ou constrição. Valor de tensão Vds a

partir da qual a corrente Id torna-se constante.
BV : máxima tensão que pode ser aplicada à junção porta-canal.
BVdss: máxima tensão que pode ser aplicada entre dreno e fonte.
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7. ELETRÔNICA DE POTÊNCIA
Os dispositivos semicondutores de potência, também chamados interruptores
estáticos, constituem parte fundamental dos conversores de potência. Operando
como chaves, eles atuam sobre o fluxo de energia elétrica com um mínimo de
perdas. Recentemente, a tecnologia de dispositivos de potência sofreu grandes
avanços. Novos tipos de interruptores com maiores capacidades de tensão e
corrente, maiores velocidades e maior facilidade de controle foram desenvolvidos,
o que não somente viabilizou o emprego de conversores em novas aplicações
como também possibilitou o surgimento de novas topologias de conversores.
Em princípio, os interruptores de potência podem ser agrupados em três classes

principais:
− Diodos: possuem ligamento e desligamento dependentes do circuito de

potência;
− Tiristores: podem ser ligados pelo circuito de comando mas seu desligamento
depende do circuito de potência;
− Chaves Controláveis: podem ser ligadas ou desligadas pelo circuito de
comando.
O SCR e o TRIAC são os componentes que representam a classe de tiristores de

potência. Na classe de chaves controláveis de potência se enquadram o BJT –
Bipolar Transistor ou transistor bipolar, o GTO – Gate Turn Of Thyristor, o Power
MOSFET e o IGBT – Insulated Gate Bipolar Transistor. Há também outros
componentes em desenvolvimento, como o MCT – MOS Controled Thyristor, mas
ainda não disponíveis comercialmente em larga escala.
A tabela seguinte resume as características dos interruptores de potência com

relação à controlabilidade do ligamento e desligamento.
DESLIGAMENTO (BLOQUEIO)
Espontâneo Comandado
Espontâneo Diodo Tiristor – Dual
LIGAMENTO
(DISPARO) BJT, IGBT, GTO,
Comandado SCR, TRIAC
MCT
Tabela 7
Os semicondutores de potência possuem características estáticas e dinâmicas.

As características estáticas referem-se ao comportamento do componente sob
condições de corrente e tensão fixas, isto é, sua característica v x i. As
características dinâmicas referem-se aos processos de ligamento e desligamento
do componente, isto é , v x t e i x t.
Mesmo operando como chaves, os interruptores estáticos reais apresentam

perdas que podem ser denominadas:
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− Perdas por condução: são causadas pelas quedas de tensão no estado de
condução do dispositivo;
− Perdas por comutação: são causadas pelos tempos não nulos de

chaveamento, durante os quais ocorrem tensões e correntes elevadas
simultaneamente nos dispositivos. Em altas freqüências estas perdas tornam-
se significativas e podem limitar a máxima freqüência de trabalho do
conversor;
− Perdas por corrente de fuga: são causadas pelas correntes de fuga no estado
de bloqueio dos dispositivos. Esta perda normalmente é muito pequena e por
isso desprezada.
Cada dispositivo apresenta particularidades que os tornam adequados ou não a

determinada aplicação. A seguir será apresentado o estudo mais detalhado de
cada dispositivo semicondutor de potência.
7.1. DIODOS
Observe a figura seguinte.

iD
vD
0
Figura 7.1 – Característica estática do diodo ideal.
No caso real, quando o diodo está diretamente polarizado, apenas uma pequena
queda de tensão direta fica sobre seus terminais (de 1V a 2V nos diodos de
potência, aproximadamente). Quando o diodo está reversamente polarizado,
apenas uma pequena corrente de fuga flui de catodo para anodo. Em ambos os
casos ocorrem perdas por condução e por corrente de fuga, respectivamente.
O processo de ligamento do diodo é extremamente rápido e se aproxima do caso

ideal. Os manuais dificilmente trazem informações sobre os tempos de ligamento.
A inevitável presença de indutâncias parasitas no circuito e da capacitância de

junção provoca a geração de oscilações de tensão e corrente no circuito, devido
ao corte abrupto da corrente de recuperação IRRM . Estas oscilações (“ringing”)
são prejudiciais, pois geram perdas nas resistências série do circuito e também
interferência eletromagnética (EMI). Por isso, as indutâncias parasitas devem ser
minimizadas, o que se obtém reduzindo ao máximo o comprimento das ligações.
Do ponto de vista construtivo, há dois tipos de diodos de potência: os diodos PN e

os diodos Schottky. Os diodos PN são constituídos pela junção de dois
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semicondutores (P-N), enquanto os diodos Schottky são formados por uma
junção metal- semicondutor.
Os diodos Schottky apresentam quedas de tensão direta muito menores do que

os diodos PN, da ordem de 0,3V a 0,8V apenas, contra 1V a 2,2V dos diodos PN.
Além disso, por serem dispositivos de portadores majoritários , são muito mais
rápidos. Entretanto, os diodos Schottky não suportam tensões reversas elevadas,
e somente são encontrados para tensões até 100V. A figura seguinte ilustra o
símbolo dos diodos PN e Schottky.
Figura 7.2 – Símbolos dos Diodos PN e Schottky
7.1.1 DIODOS SCHOTTKY
Devido à sua pequena queda de tensão direta e alta velocidade, são muito
empregados em conversores com pequenas tensões de saída (fontes chaveadas
e conversores CC-CC). São disponíveis com especificações de tensão até 100V e
especificações de corrente desde alguns ampères até centenas de ampères nos
dispositivos de menor tensão.
7.1.2 DIODOS DE FREQÜÊNCIA DE LINHA
Ou simplesmente diodos de linha, são projetados para possuírem a menor queda

de tensão direta possível, a fim de minimizar as perdas por condução, e por isso
são bastante lentos (“Standard recovery”). Entretanto, como operam em 50 ou 60
Hz, seu tempo de comutação não é crítico, e usualmente os manuais de
fabricantes não o especificam. Esses diodos podem suportar tensões de até
vários Kilovolts e correntes de vários Kiloampères.
7.1.3 DIODOS RÁPIDOS
Esses diodos são projetados para operar em altas freqüências, possuindo tempos
de recuperação reduzidos. A designação “Soft-recovery” é utilizada para indicar
que o componente possui reduzida taxa de variação da corrente no intervalo tb
da característica dinâmica. Isto é importante para minimizar sobretensões
(“ringing”) nas indutâncias série parasitas do circuito. Com relação ao tempo de
recuperação reversa, os diodos rápidos podem ser sub-classificados como:
− Fast Recovery: Possuem trr de 200ns a 2 s;

− Ultrafast Recovery: Possuem trr menores que 100ns.
Para efeito ilustrativo, a tabela seguinte mostra os dados principais de alguns

diodos de potência comerciais.
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Código VRRM IFAV VF Trr
Diodos de linha
1N 5408 800V 3A 1,2V -
SKN100/12 1200V 125 A 1,55V -
SKN6000/06 600V 6000 A 1,3V -
Diodos Rápidos
SKN3F20/8 800V 20 A 2,15 250ns
SKN340F/18 1800V 400 A 1,9V 2200ns
BY359-1500 1500V 6,5 A 2,6V 600ns
Diodos Ultra-Rápidos
UF4007 1000V 1A 1,7V 50ns
MUR840 400V 8A 1,25V 50ns
BYT16P-400 400V 16 A 1,5V 35ns
RHRG30120 1200V 30 A 2,25V 70ns
Diodos Schottky
MBRD835L 35V 8A 0,41V -
IN5822 40V 3A 0.52V -
STPS12045TV 45V 60 A 0,67V -
Tabela 7.1
A seguir estão os significados dos parâmetros mais importantes:

VRRM − Tensão reversa repetitiva
VRSM − Tensão reversa não repetitiva
VR ou PIV − Tensão reversa contínua
VF − Queda de tensão direta com o diodo em condução
IFSM − Corrente de surto direta não repetitiva (único)
IFM ou IFRM − Corrente de surto direta repetitiva
IF ou IFAV − Valor médio da corrente direta
IFRMS − Valor eficaz da corrente direta
i2 t − Este valor é utilizado para selecionar o fusível de proteção, que deve

2
possuir um i t menor do que o do diodo.
IR − Corrente reversa máxima (corrente de fuga)
trr − Tempo de recuperação reversa
IRM − Pico da corrente de recuperação reversa, é dado para valores de

temperatura, IF e diF / dt específicos.
Qrr
− Carga que flui para o circuito durante o intervalo trr.
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PTOT − Dissipação de potência no diodo.
TJ − Faixa de temperatura de operação da junção.
Rthjc ou RθJC − Resistência térmica entre a junção – encapsulamento em ºc/w.
rT − Resistência ôhmica do diodo.
CT − Capacitância de junção.
LS
− Indutância série.
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8. TIRISTORES
Tiristor é o nome usado para designar uma família de componentes de quatro
camadas (P-N-P-N). Nesta seção serão abordados os tiristores SCR e TRIAC.
Embora o GTO seja também um tiristor, ele será abordado na seção de chaves
controláveis.
8.1 O SCR
O SCR – Silicon Controled Rectifier – é o mais antigo dispositivo semicondutor de
potência, possui construção simples, ainda hoje é o dispositivo capaz de
manipular as mais altas potências. É possível encontrar no mercado dispositivos
que podem suportar vários Kilovolts e vários Kiloampères. Entretanto, como
mencionado na tabela 1, somente seu ligamento pode ser controlado.
A figura seguinte mostra o símbolo do SCR, juntamente com sua característica

estática (idealizada).
Figura 8.1 – O SCR e sua característica estática
Além de possuir anodo e catodo como os diodos, o SCR possui um terminal de

controle, o gate. Desta forma, o SCR comporta-se como um “diodo controlável”,
sendo capaz de bloquear tensões positivas e negativas. No estado de condução
do SCR real, a queda de tensão direta (VT) é bastante pequena, da ordem de 1 a
3V, mesmo nos dispositivos capazes de suportar vários Kilovolts.
O ligamento do SCR é feito através do terminal Gate (porta ou gatilho), onde deve
ser aplicado um pulso de corrente positiva em relação ao catodo, com amplitude e
duração suficientes. O SCR entrará em condução se estiver sob polarização
direta anodo – catodo, e manterá seu estado de condução se, antes de ser
retirada a corrente de gate, a corrente de anodo for superior ao valor chamado
corrente de travamento (latching), IL . Caso contrário o SCR retoma o estado de
bloqueio.
A figura seguinte ilustra o processo de ligamento do SCR. Como pode ser

observado, existe um tempo de atraso td entre o estabelecimento da corrente de
gate e o início do crescimento da corrente de anodo. O tempo tr refere-se ao
intervalo de decaimento da tensão anodo-catodo de 90% para 10% de seu valor
inicial. O tempo de ligamento ton é a soma de td e tr.
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Figura 8.2 – Processo de ligamento do SCR
No processo de ligamento, é importante limitar a taxa de crescimento da corrente

(di/dt) no dispositivo, sob pena de formação de pontos quentes (“hot spots”)
próximos ao gate com a conseqüente destruição do componente.
Não é possível realizar o desligamento do componente pelo terminal de gate.

Inclusive, após o disparo, a corrente de gate pode ser retirada sem comprometer
a condição de condução do SCR. Há dois meios de efetuar o bloqueio do SCR:
Comutação natural: neste caso, a corrente de anodo naturalmente cai abaixo do

valor mínimo chamado corrente de manutenção IH – (Holding Current), o que dá
início à comutação. Em aplicações CA, isto ocorre automaticamente nas
passagens por zero da forma de onda corrente.
Comutação forçada: neste caso, o tiristor é reversamente polarizado por um

circuito auxiliar (chamado circuito de comutação forçada) ou, às vezes, pelo
próprio circuito de potência. O processo de bloqueio é semelhante ao dos diodos.
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A figura seguinte ilustra o processo de bloqueio do SCR, juntamente com a

indicação dos tempos relevantes.
Figura 8.3 – Processo de bloqueio do SCR
Após completo o processo de comutação, é importante limitar a taxa de subida da

tensão no dispositivo (dv/dt), sob pena de ligamento indevido. Devido à presença
da capacitância de junção, a corrente de deslocamento causada por uma taxa
dv/dt elevada pode provocar o disparo acidental do SCR. Para evitar esse
problema, deve ser externamente ligado ao SCR um circuito que reduza essa
taxa, chamado circuito “snubber”, o qual consiste num circuito RC série.
Dependendo das necessidades da aplicação, vários tipos de SCRs são

disponíveis:
SCRs de freqüência de rede: também conhecidos por “phase control SCRs”, são
utilizados em retificadores controlados e como chave eletrônica CA. Os
parâmetros mais importantes são as capacidades de tensão e corrente e a queda
de tensão direta. Em favor de uma pequena queda de tensão direta, o tempo de
comutação tq não é otimizado, variando entre 50 e 300 s. Este tipo de SCR pode
ser encontrado para operar em tensões de até 5-12kV e correntes de até 3-4kA,
aproximadamente.
SCRs rápidos: também conhecidos por “inverter type SCRs”, são projetados para
utilização em choppers e inversores, e desta forma possuem um tempo de
comutação reduzido (2 a 50 s) . A utilização destes tiristores está sendo
abandonada devido à performance muito superior dos transistores IGBT e
MOSFET de potência. Apenas são utilizados em potências muito elevadas.
Os tempos de ligamento e desligamento dos SCR são relativamente elevados, o
que produz consideráveis perdas por comutação. Por isso, a utilização de SCRs é
restrita a aplicações de freqüência não muito elevadas.
A necessidade de circuitos de comutação forçada e a menor velocidade são as

grandes desvantagens dos SCRs. Nos dias de hoje, devido aos avanços na
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tecnologia dos transistores de potência MOSFET e IGBT, o SCR tem sua
utilização restrita a circuitos retificadores de linha, relés de estado sólido e
conversores de altíssimas potências (na casa das dezenas de MVA), como
transmissão de energia CC em alta tensão (HVDC), acionamento de grandes
motores de vários MVA, ETC.
A tabela seguinte ilustra resumidamente as características de alguns dispositivos.
VRRM /
Código ITAV VT tq
VDRM
Tiristores de linha
1600V 20 A 1,3V 110 s
30TPS16
800V 180 A 1,35V 100 s
180RKI80
1600V 1745 A 1,62V 200 s
ST1230C16
Tiristores Rápidos
1200V 71 A 2,40V 25
IRFK7212
800V 150 A 2,45V 20
SKFH150/8
Tabela 8.1
A seguir estão os significados dos parâmetros mais importantes.
VDRM − Tensão direta repetitiva
VRRM − Tensão reversa repetitiva
VRSM − Tensão de surto reversa não repetitiva
VR − Tensão reversa contínua
VT − Queda de tensão direta com o SCR em condução
(dv/dt)cr − Máxima taxa de crescimento da tensão
ITSM − Corrente de surto direta não repetitiva
ITM ou ITRM − Corrente de surto direta repetitiva
IT ou ITAV − Corrente direta média
ITRMS − Corrente direta eficaz
- Este valor é utilizado para selecionar o fusível de proteção, que

i2 t deve possuir um i2t menor do que o do SCR.
____________________________________________________________64/142
____________________________________________________________
IR − Corrente reversa (corrente de fuga)
IRD − Corrente direta com o SCR bloqueado (corrente de fuga)
IL − Corrente de travamento (latching current)
IH − Corrente de manutenção (holding current)
(di / dt) cr − Máxima taxa de crescimento da corrente
tq − Tempo de comutação
tgr − Tempo de recuperação de gate
td ou tgd − Tempo de atraso no ligamento
tr ou tgr − Tempo de decaimento da tensão anodo – catodo
tON ou tgt − Tempo de ligamento
trr − Tempo de recuperação reversa

− Pico da corrente de recuperação reversa, é dado para valores de
IRM
temperatura, IF e diF / dt específicos.
Qrr − Carga que flui para no circuito durante o intervalo trr
PTOT ou PD(AV) − Dissipação de potência
Tj − Faixa de temperatura de operação da junção
Rthjc ou R JC − Resistência térmica entre a junção – encapsulamento em ºC / W
rT − Resistência ôhmica do tiristor
IGT − Mínima corrente de gate para o disparo
VGT − Mínima tensão de gate para o disparo
VGRM − Tensão reversa que pode ser aplicada à junção G-K

− Máxima corrente de gate que certamente não provocará o disparo
IGD
(“gate non-trigger current”)
− Máxima tensão de gate que certamente não provocará o disparo
VGD
(“gate non-trigger voltage”)
PGM − Pico de potência de gate
PG(AV) − Potência média de gate
IGTM ou IGSM − Corrente de gate
____________________________________________________________65/142
____________________________________________________________
8.2 TRIAC
O TRIAC – “Thyristor AC” pode ser interpretado como a conexão de dois SCRs
em anti-paralelo. O componente é bidirecional em corrente e tensão, possuindo
os terminais de carga MT1 e MT2 (MT = “Main Terminal”), bem como o terminal de
gate.
O maior problema do TRIAC é que sua capacidade de dv/dt é muito baixa,

tipicamente 5 a 20V / s, contra 100 a 1000 V/ s nos SCRs. Além disso,
somente estão disponíveis dispositivos para correntes de apenas
aproximadamente 40 Arms. Esses fatores seriamente limitam sua capacidade de
controle de potência, mas não impedem sua ampla e difundida utilização em
aplicações CA de baixa potência.
A figura seguinte mostra o símbolo do TRIAC, juntamente com sua característica

estática idealizada. Como pode ser observado, é um dispositivo que opera em
todos os quadrantes do plano v x i. Sendo um tiristor, possui característica de
travamento, isto é, uma vez em condução a corrente de gate pode ser retirada.
Figura 8.4 – O TRIAC e sua característica v x i
O processo de bloqueio é similar ao do SCR. Embora com sensibilidades

diferentes, o TRIAC pode ser disparado tanto com correntes positivas quanto
negativas no gate, mas sempre em relação a MT1. Como o TRIAC pode conduzir
em ambas as direções, em aplicações CA ele somente dispõe de um breve
intervalo de tempo para recuperar sua condição de bloqueio na passagem por
zero da forma de onda senoidal de corrente, o que limita seu emprego confiável
em freqüências de até 60HZ.
Quando aplicado no controle de cargas indutivas, o atraso da corrente em relação
a tensão implica que quando a corrente cai abaixo da corrente de manutenção IH
e o TRIAC bloqueia, surge sobre os terminais do mesmo certa tensão. Se esta
tensão surge muito rapidamente, o TRIAC retoma o estado de condução e o
controle é perdido. A fim de evitar esse problema, a taxa dv / dt de subida da
tensão deve ser limitada através de uma rede RC série ligada aos terminais do
componente (circuito “snubber”).
Na prática, em aplicações de alta potência, quando é necessário efetuar o

controle bidirecional de correntes mais elevadas, utilizam-se dois SCRs ligados
em anti-paralelo.
____________________________________________________________66/142
____________________________________________________________
A designação dos parâmetros dos TRIACs são semelhantes às dos tiristores. A

tabela seguinte mostra resumidamente as características de alguns dispositivos.
VRRM /
Código ITRMS VT dv/dt(cr)
VDRM
T2500DFP 400V 6A 2v 10 V/ s
2N6344 800V 12 A 1,55V 5V/ s
BCR30GMI2 600V 30 A 1,6V 20V/ s
Tabela 9.2
____________________________________________________________67/142
____________________________________________________________
9. CHAVES CONTROLÁVEIS
As chaves controláveis possuem o disparo e o bloqueio controláveis através de
um terminal apropriado. Na prática, as chaves apresentam tempos de ligamento e
desligamento não nulos, quedas de tensão no estado de condução e corrente de
fuga no estado de bloqueio. Esses fatores fazem com que ocorram perdas de
energia no dispositivo tanto no estado de condução quanto durante as
comutações. Normalmente, as perdas causadas pelas correntes de fuga são
pequenas e por isso desconsideradas. Outro aspecto não ideal é que certa
potência é necessária para comandar o dispositivo, chegando a ser um problema
em certos dispositivos semicondutores.
9.1 GTO
O GTO é um tiristor que possui capacidade de desligamento através do terminal
de gate. Seus símbolos mais comuns e sua característica estática v x i idealizada
estão mostrados na figura seguinte.
a) GTO b) Característica Estática
Figura 9.1 – O GTO e sua característica estática
Assim como o SCR, basta um pulso de corrente positiva em seu gate para o
ligamento, o qual é mantido mesmo após retirada a corrente de gate. O GTO
também desliga caso a corrente de anodo caia abaixo do valor mínimo de
manutenção (IH) .
Para efetuar o desligamento do GTO, um pulso de corrente negativa deve ser

aplicado no gate. Embora o GTO não necessite de circuitos de comutação
forçada como os SCRs, a corrente que deve ser aplicada ao gate para efetuar o
desligamento é grande, apenas de 2 a 5 vezes menor do que a corrente de anodo
a ser comutada. Isto faz com que os circuitos de acionamento de gate sejam
maiores, mais complexos e mais caros, o que é uma séria desvantagem. Além
disso, os GTOs não toleram altas taxas de crescimento de tensão (dv/dt), o que
traz a necessidade da utilização obrigatória de circuitos snubbers de
desligamento. A partir de certo valor da corrente de anodo, o controle do
desligamento pelo gate é perdido, portanto cuidados devem ser tomados para que
sobrecorrentes não estejam presentes. Em outras palavras: o GTO é capaz de
suportar surtos de corrente mas não é capaz de cortá-los através do gate. A
capacidade de bloqueio de tensão no sentido reverso é muito pequena, isto é, o
GTO praticamente não é capaz de bloquear tensões negativas.
____________________________________________________________68/142
____________________________________________________________
A queda de tensão direta dos GTO é ligeiramente maior do que a dos SCRs (de
2v a 3v), e a capacidade de controle de potência é quase tão elevada quanto:
existem GTOs capazes de bloquear vários Kilovolts e conduzir vários
kiloampères. Os tempos de desligamento são menores do que o dos SCRs
(tipicamente de 5 a 25 s), de maneira que os GTOs podem operar em
freqüências maiores.
Devido a essas características, os GTOs somente são utilizados em aplicações

de altíssimas potências (vários MVA), como em choppers e inversores trifásicos
para tração elétrica, por exemplo.
A tabela seguinte ilustra resumidamente as características de alguns dispositivos.
Código VDRM ITAV VT tq dv/dt(cr)

FG1000BV-90BA 4500V 400 A 4V 20 s 1000V/ s
FG6000AU-120D 6000V 1500A 6V 30 s 1000V/ s
Tabela 9.1
9.2 IGBT – TRANSISTOR BIPOLAR DE PORTA ISOLADA
O surgimento do “Insulated Gate Bipolar Transistor” – IGBT – no final dos anos 80

representou um enorme avanço na área da eletrônica de potência. Embora com
velocidades menores do que as do MOSFET, o IGBT é mais rápido do que o
transistor bipolar, e pode controlar potências muito mais elevadas do que o
MOSFET. Há disponíveis hoje IGBTs com capacidade de tensão de 1700V e 600
A, e mais recentemente dispositivos de 3,3kv e 1000 A . Os tempos de comutação
variam desde 0,2 s nos IGBTs de menor potência até 2 s nos de maior potência,
aproximadamente.
A figura seguinte mostra os símbolos mais usuais do IGBT, juntamente com sua
característica estática idealizada.
Figura 9.2 – O IGBT e sua característica estática idealizada
Os terminais do IGBT são: gate, coletor e emissor. Como pode ser notado nos
símbolos, o IGBT, assim como o MOSFET, possui o terminal de controle (gate)
____________________________________________________________69/142
____________________________________________________________
isolado, ou seja, é um dispositivo controlado por tensão. Isto significa circuitos de
acionamento de gate menores, mais simples e mais baratos do que os utilizados
nos BJTs.
O IGBT reúne características do transistor bipolar e do MOSFET. Na realidade, a

característica de entrada do IGBT é a mesma do MOSFET, enquanto a
característica de saída é similar à do BJT. Esta última confere ao IGBT quedas de
tensão coletor-emissor pequenas (1.5 a 3.5V), mesmo nos dispositivos com maior
capacidade de bloqueio de tensão.
Ao contrário do MOSFET, IGBT não possui internamente o diodo intrínseco.

Pode-se adquirir IGBTs com ou sem o diodo anti-paralelo. Por outro lado, o IGBT
possui internamente um tiristor parasita. Caso esse tiristor entre em condução, o
controle do IGBT será perdido, o que pode levá-lo à destruição. Esse fenômeno é
conhecido por “latch-up”, que pode ser provocado por excesso de corrente de
coletor ou dvce / dt excessivo. Nas gerações atuais de IGBT esse problema foi
minimizado: o latch-up dificilmente ocorre. São os chamados “latch-up free
IGBTS”.
O ligamento do IGBT é feito de maneira similar à do MOSFET: deve-se carregar a

capacitância gate-emissor com uma tensão suficiente. O desligamento é efetuado
fazendo-se VGE inferior ao valor de limiar V ce(th). Normalmente se utilizam as
tensões 0 e 15V ou –15 e +15V para efetuar o comando do IGBT.
Assim como nos MOSFETs, os tempos de comutação são diretamente

relacionados com a velocidade de carga da capacitância CGE . Variando-se a
resistência externa de gate pode-se alterar o comportamento dinâmico do IGBT.
A maior fonte de perdas por comutação no IGBT é a presença da “cauda de
corrente” (“current tailing”) no desligamento. Nas gerações atuais, esse problema
foi reduzido, mas ainda persiste. A figura seguinte ilustra esse fenômeno.
Figura 9.3 – Cauda de

corrente no desligamento do IGBT
Nos manuais, as perdas por chaveamento dos IGBTs são especificadas

explicitamente (parâmetros Eon e Eoff) em mJ (mWs). Estas especificações são
válidas para condições pré-estabelecidas, devendo ser corrigidas de acordo com
a situação de interesse.
Os IGBTs são os dispositivos mais utilizados em inversores e choppers de

pequena e média potência, existindo módulos de IGBTs com uma ponte trifásica
____________________________________________________________70/142
____________________________________________________________
completa integrada. Além de módulos meia –ponte (“half – bridge”), etc. Esses
módulos facilitam a montagem e levam a indutâncias parasitas menores,
entretanto, caso um dos IGBTs se danifique, todo o módulo é perdido. Há
também os chamados IPMs – módulos de potência inteligentes (“Inteligent Power
Modules”), que integram o circuito de potência, circuitos de proteção e os drives
de gate dos IGBTs.
Para fins ilustrativos a tabela seguinte traz os dados de alguns transistores IGBTs.
CÓDIGO VCES IC @ (º c) VCE(on) PD 25ºC E(on) + E(off)

IRG4BC30W 600V 12 A @100ºC 2.7V 100W 0.35mJ
IRG4PC50KD 600V 30 A @100ºC 1.84V 104W 3.0mJ
IRG4PH50KD 1200V 24 A @100ºC 2.77V 200W 8.36mJ
APT60GF120JRD 1200V 60 A @90ºC 4.1V 520W 19mJ
SKM500GA123D 1200V 400A @80ºC 3.7V 2700W 53mJ
CM1200HB-66H 3300V 1200 A @25ºC 3.6V 1563W

Tabela 9.2
Os significados dos parâmetros mais importantes estão mostrados a seguir.
VCES - Tensão coletor – emissor estando o gate em curto com o emissor
- Tensão coletor – gate estando o gate ligado ao emissor por de

VCGR
um resistor
V(BR) CES - Tensão de ruptura coletor-emissor com VGE=0
VCE(sat) - Máxima tensão coletor – emissor quando em saturação
VCE(on) - Máxima tensão coletor – emissor quando em saturação
IC - Corrente DC de coletor
- Corrente de surto de coletor (válida para uma dada largura de
ICM
pulso)
- Corrente de coletor com gate ligado ao emissor (corrente de
ICES fuga)
IGES - Corrente gate – emissor com VCE= 0 (corrente de fuga)
PD - Potência máxima dissipada (normalmente a 25ºc)
Eon - Perda de energia no ligamento

Eoff - Perda de energia no desligamento
Ets - Perda total de energia no chaveamento
____________________________________________________________71/142
____________________________________________________________
td(on) - Tempo de atraso no ligamento
tr - Tempo de subida da corrente
td (off) - Tempo de atraso no desligamento
tf - Tempo de queda da corrente
Qg - Carga total de gate (gate-emissor mais gate-coletor)
Qge - Carga gate-emissor

Qgc - Carga gate-coletor
Ciss - Capacitância de entrada
Coss - Capacitância de saída
Crss - Capacitância gate-coletor (capacitância reversa)
LCE - Indutância interna
R JC - Resistência térmica junção – ambiente
TJ - Temperatura da pastilha
A tabela seguinte efetua uma comparação entre os interruptores de potência

controláveis.
MOSFET IGBT BIPOLAR GTO

COMANDADO
TENSÃO TENSÃO CORRENTE CORRENTE
POR:
POTÊNCIA
NECESSÁRIA
MÍNIMA MÍNIMA ELEVADA ELEVADA
PARA
COMANDAR
COMPLEXO
COMPLEXO
elevados
elevadas
CIRCUITO DE pulsos de
SIMPLES SIMPLES correntes de
COMANDO corrente
base positivas e
positivas e
negativas
negativas
MÉDIA/ALTA MÉDIA
ELEVADA em
pequeno severo
CAPACIDADE baixas tensões
compromisso com os compromisso MUITO ALTA
DE CORRENTE BAIXA em altas
tempos de com os tempos
tensões
comutação de comutação
MÉDIA/ALTA
BAIXA/MÉDIA
depende do
PERDAS POR depende do
compromisso ALTA
COMUTAÇÃO MUITO BAIXAS compromisso com as
Com as perdas
perdas de condução
de condução
____________________________________________________________72/142
____________________________________________________________
VELOCIDADE
DE MUITO ALTA ALTA MÉDIA/ALTA BAIXA
CHAVEAMENTO
Tabela 9.3
____________________________________________________________73/142
____________________________________________________________
10. UJT
O transistor unijunção, ou diodo de dupla base, é um dispositivo semicondutor
que possui uma junção PN com uma base de baixa dopagem e alta resistividade
como mostra a figura seguinte. Devido ao seu comportamento bi – estável, é
utilizado com freqüência em circuitos geradores de pulso, sincronismo,
temporizadores, etc.
Figura 10.1 – 1 = Estrutura 2 = Símbolo
A base, de material N, tem dois terminais (B1 E B2) e que, por estar pouco
dopada, apresenta uma alta resistência (de 5 a 10k). Aplica-se, normalmente,
entre B2 E B1 uma polarização VBB. A camada P é chamada de emissor (E) e o
circuito equivalente deste dispositivo está mostrado na figura seguinte.
Figura10.2 – Circuito equivalente.
Com o emissor aberto, temos uma tensão V1 sobre RB1, dada por:
____________________________________________________________74/142
____________________________________________________________
V1 = RB1/ RB1 + RB2 . VBB; onde η = RB1 /RB1 + RB2 . ou, V1 = ηVBB.
O parâmetro η é característico do UJT e tem seu valor normalmente próximo de

0,5. Aplicando-se agora uma tensão positiva no emissor, o diodo permanecerá
cortado até um valor máximo VE = VP = VI + Vf . A partir deste valor o diodo
começa a conduzir e a injetar corrente na região de base. Isto faz com que sejam
criados portadores (lacunas e elétrons) nesta região e seja reduzida a resistência
RB1. Esta redução de RB1 será tanto maior quanto maior for a corrente injetada na
região da base.
Estando o diodo injetando corrente na região de base a tensão VE pode ser

reduzida sem que o mesmo pare de conduzir. Ao menor valor de VE que ainda
mantém a injeção de corrente chamamos Vmin. Tensões de emissor inferiores a
Vmin, levam à interrupção da corrente e, conseqüentemente, cortam a condução
do UJT.
Resumindo, o UJT possui dois estados distintos: CONDUÇÃO e CORTE. Para

cada um destes estados podemos construir um circuito equivalente.
Figura 11.3 Condução Figura 11.4 – Corte

Início da condução: VE > V1 + Vf Levado ao corte: VE < Vmin
Mantendo-se em condução: VE > Vmin Depois de cortado: VE < V1 + Vf
____________________________________________________________75/142
____________________________________________________________
η = 0,5)
Figura 10.5 – Curva característica do UJT (η
Vp = tensão de disparo do UJT
Vp = η VBB + Vf = ≅ η VBB
Se η ≅ 0,5 Vp ≅ 0,5 VBB
Observação: Para VBB = 0, a curva do UJT é praticamente a mesma obtida com a

polarização direta de um diodo comum – junção PN.
10.1 GERADORES DE PULSOS: CIRCUITOS DE DISPARO PARA

TIRISTORES E TRIACS
O Transistor unijunção (UJT) é freqüentemente utilizado nos circuitos para
disparar os diodos controlados.
Figura 10.6 - Oscilador de relaxação com UJT
____________________________________________________________76/142
____________________________________________________________
Quando o circuito é ligado à alimentação, o capacitor C inicia um processo de

carga através de RV , aumentando exponencialmente sua tensão, em direção ao
potencial VBB . Enquanto o potencial de emissor VE, for inferior à tensão de
disparo, Vp, a resistência entre E e B1 é muito alta e o capacitor continua seu
processo de carga.
Quando a tensão de disparo é alcançada, a resistência entre E e B1 fica muito

baixa (igual à do diodo EB1 polarizado diretamente) e o capacitor se descarrega
rápidamente através de E – B1 e R1 (que também é de valor baixo). A descarga
de C gera um pulso rápido em B1, que tem amplitude e duração adequadas para
disparar tiristores e triacs. Após a descarga completa de C, o UJT pára de
conduzir entre E e B1, e o capacitor inicia um novo processo de carga, repetindo
o ciclo, gerando outro pulso, daí a um certo intervalo definido pela constante de
tempo RV . C.
Figura 10.7 - Formas de ondas em E(VE) e em B1(VB1)

VBB = Tensão de alimentação
Vp ≅ η VBB = tensão típica de disparo do UJT
ve = tensão de extinção do UJT;
(tensão onde cessa a condução entre E e B1)
T = 1/f = período da oscilação.
Desprezando Ve e o tempo de descarga, tp, o período e a freqüência são dados

por:
t = RVC ln __1___ e f = _________1_________

1-η RVC ln 1_
1- η
Observa-se que a forma de onda gerada no EMISSOR é do tipo “dente se Serra”.

A freqüência pode ser variada atuando em RV, uma vez que este resistor influi no
tempo de carga de C: RV grande, tempo de carga grande, período aumenta a
freqüência diminui. Se RV for pequeno, ocorre o inverso.
____________________________________________________________77/142
____________________________________________________________
O pulso de curta duração que aparece em B1, pode ser ligado diretamente no
gatilho do tiristor a ser disparado, ou então através de um transformador de
pulsos, como mostrado a seguir.
Figura 11.8
10.2 GERADOR DE PULSOS SINCRONIZADO COM A

ALIMENTAÇÃO
Quando tiristores ou triacs são usados em corrente alternada para o controle de
fase sobre uma carga qualquer, é necessário que o circuito de disparo esteja
sincronizado com a rede que alimenta o circuito. Se não houver este sincronismo,
em cada semiciclo positivo, o tiristor (ou triac) dispara em um ângulo de fase
diferente (quando receber o primeiro pulso no gatilho depois de ter iniciado o
semiciclo positivo). Desta forma seria impossível definir uma corrente específica
de carga, devido à variação contínua e aleatória do ângulo de disparo do
dispositivo.
O circuito mostrado a seguir funciona em sincronismo com a tensão de

alimentação.
Figura 10.9 – es = Em sen ωt

Gerador de Pulsos Sincronizados com a Alimentação
A operação do circuito pode ser descrita da seguinte forma: o capacitor C está

inicialmente descarregado, e durante os semiciclos positivos, a tensão aplicada à
____________________________________________________________78/142
____________________________________________________________
combinação em série, RV e C, é VZ. No início do semiciclo positivo o capacitor
inicia sua carga, e a tensão sobre ele aumenta exponencialmente, até que a
tensão de emissor do UJT, VE, atinja o valor de disparo, V ≅ η VBB ≅ 0,5Vz.
Quando este valor é atingido, o capacitor se descarrega, gerando um pulso que é
aplicado ao gatilho.
Neste instante o tiristor começa a conduzir, fazendo circular corrente em RL, até
que a tensão de anodo chegue a zero, em 180º, quando volta a desligar, por
comutação natural. Enquanto a tensão Vz for positiva o circuito continua gerando
pulsos e ativando o tiristor. Isto não altera a situação já descrita, uma vez que
apenas o primeiro pulso é suficiente para disparar o tiristor.
O sincronismo é conseguido quando a tensão de alimentação chega a zero no

final do semiciclo positivo (180º).
Neste ponto, a tensão aplicada sobre o zener e, portanto, sobre o UJT é nula. Isto
forçará o capacitor a se descarregar totalmente, não importa que tensão esteja
sobre o mesmo neste instante. Isto porque, se a tensão que alimenta o UJT é
nula, então a tensão de disparo, Vp, é igual à tensão de barreira do diodo Emissor
– Base1, que é aproximadamente 0,5 volts.
Deste ponto (180º) até o início do próximo semiciclo positivo (360º = 0º) o diodo
Zener está diretamente polarizado. Portanto a tensão Vz será – 0,7v e o UJT não
poderá gerar pulsos neste intervalo. Ao iniciar-se o próximo semiciclo positivo, o
capacitor C inicia seu processo de carga partindo de uma condição de carga
inicial nula. Portanto, se Rv não tiver sido alterado, o ponto de disparo (ou ângulo
de disparo , θd) será o mesmo do semiciclo positivo anterior, uma vez que a
constante de tempo não foi alterada nem o valor da tensão de disparo, nem a
condição inicial de carga. Então, o fato do capacitor iniciar seu processo de carga
a partir da condição de carga inicial nula, em cada semiciclo positivo, constitui o
sincronismo do gerador de pulsos.
____________________________________________________________79/142
____________________________________________________________
Figura 10.10 - Formas de onda sobre Vz, VE, no tiristor (TH) e na carga, RL
____________________________________________________________80/142
____________________________________________________________
11. CIRCUITO INTEGRADO TCA 780/785

O C.I. TCA 780/TCA785
Com a evolução tecnológica ocorrida no período entre décadas de 70 e 80, e com

a necessidade de redução de espaço físico ocupado pelos dispositivos de disparo
de chaves estáticas, foi criado um circuito integrado capaz de satisfazer a maioria
das aplicações industriais no ramo de eletrônica de potência e controle de
potência.
Este circuito eletrônico foi batizado com o apelido de TCA 780 e o seu sucessor
de TCA 785.
Trata-se de um circuito integrado analógico monolítico, desenvolvido para

controlar o ângulo de disparo de tiristores, triacs, e transistores continuamente
entre 0º e 180º.
O ponto de chaveamento é regulado por alguns componentes ligados

externamente aos seus pinos que permitirão um grande número de opções de
funcionamento, em espaço reduzido. Dentre as principais características,
destacam-se:
− Largo campo de aplicações devido à possibilidade de controle externo;
− Operação em circuitos trifásicos empregando 3 CI’s;
− Compatível com LSL – (lógica digital de elevada imunidade a ruídos);
− Duração de pulso de disparo controlado por apenas um capacitor externo;
− Detecção de passagem de tensão por 0 volts;
− Indicado para aplicação de conversores tensão – freqüência (VCO);
− Possibilidade de inibição de pulsos de disparo;
− Tensão de alimentação de 8 a 18V;
− Consumo interno de corrente baixo (5mA).
____________________________________________________________81/142
____________________________________________________________
Seu circuito interno e pinagem aparecem na figura a seguir.
Figura 11.1 – Circuito integrado de disparo TCA785
11.1 ANÁLISE DE BLOCOS E FUNCIONAMENTO

O circuito interno será explicado apenas para fixar o conceito do disparo por
pulsos. Além disso, o conhecimento de como o TCA 785 funciona, ajudará a
entender os circuitos de disparo e como projetá-los. A figura seguinte mostra uma
parte do diagrama de blocos do TCA785.
____________________________________________________________82/142
____________________________________________________________
Figura 11.2 - Detalhe parcial do TCA785
Todo circuito de disparo, em retificadores controlados, deve ser sincronizado

com a rede, ou ocorrerá o disparo aleatório dos tiristores, uma vez que cada pulso
será aplicado num instante diferente, que não está relacionado com a tensão da
rede.
Um ponto de referência para sincronismo é a passagem da rede por zero. Isto

ocorre cada 8,33 ms, aproximadamente, em redes de 60Hz. No TCA 785, existe
um detector de passagem por zero (bloco DPZ), que gera um pulso de
sincronismo toda vez que a tensão da rede passa por zero. A entrada para a
tensão de referência de sincronismo é no pino 5, como mostra a figura seguinte.
Figura 11.3 - Referência para o detector de passagem por zero
A fonte de alimentação para os circuitos internos é de 3,1V, regulada pelo próprio

TCA785, a partir da tensão de alimentação do circuito integrado (Vs). Isto permite
que o CI possa ser alimentado com diversos níveis de tensão (8V Vs 18V).
A tensão de 3,1V está também disponível externamente (pino 8), podendo ser
filtrada (por C8) para reduzir a ondulação.
____________________________________________________________83/142
____________________________________________________________
A base de sincronismo é um gerador de rampa, cuja característica é ajustada por

RR eCR, nos pinos 9 e 10, respectivamente.
O gerador de rampa fornece uma tensão que varia linearmente com o tempo
(reta). Ou seja, a tensão dobra se o intervalo de tempo dobrar. Em outras
palavras, a tensão cresce proporcionalmente ao aumento do tempo, como se vê,
no exemplo.
Figura 11.4 - Saída de um gerador de rampa.
Pelo gráfico da figura, quando a variação de tempo for de 0,1s (por exemplo, de
0s a 0,1s ou de 0,2s a 0,3s), a variação de tensão será sempre a mesma (0,1V).
Um capacitor é regido pela expressão:
iC = C. _dv_
dt
Onde dv é uma pequena variação de tensão e dt uma pequena variação de

tempo.
A interpretação da equação do capacitor é que, havendo variação da tensão no

tempo (dv/dt), haverá corrente circulando pelo capacitor. Além disso, essa
corrente será proporcional ao valor do capacitor.
Exemplo
Se dv = 100mV e dt = 0,1ms, isso significa que, em 0,1ms, a tensão nos terminais

do capacitor variou de 100mV. Neste caso, sendo o capacitor de 1 F, de acordo
com a expressão acima, a corrente pelo capacitor será de:
____________________________________________________________84/142
____________________________________________________________
6 3
IC = C. dv IC = 1x10 – x 100x10- Ic = 1mA
3
dt 0,1x10-
De tudo isso, conclui-se que, se a corrente que flui pelo capacitor for constante, a
variação de tensão será proporcional à variação do tempo, ou seja:
IC = C. dv dv = IC . dt
dt C
Assim, com Ic constante, a tensão aumentará segundo uma reta em relação ao

tempo.
No TCA785, ocorre justamente o descrito acima. O capacitor CR é carregado

linearmente através de uma fonte de corrente constante, cujo valor pode ser
controlado por RR, segundo a expressão:
VCCint . K
iCR =
RR
Onde K = 1,1 e VCCint = 3,1V.
Os valores mínimo e máximo de ICR, respectivamente, 10 A e 1000 A, devem ser

observados. O mesmo ocorre com RR, que deve estar entre 3k e 300k .
Finalmente, a tensão VCR da rampa, no capacitor CR, cresce linearmente com o

tempo, conforme a equação:
ICR .t
VCR =
CR
Para o correto funcionamento do circuito, devem ser considerados os valores

mínimo e máximo de CR, respectivamente, 500pF e 1 F. Um valor elevado de CR
tornaria a descarga do mesmo muito lenta, comprometendo o novo ciclo de carga
e, conseqüentemente, o sincronismo do disparo.
Exemplo
Se RR = 100K e CR = 0,1 F, tem-se:
ICR = VCCint . K ICR = 3,1 x 1,1 ICR = 34,1 A

3
RR 100 x 10
____________________________________________________________85/142
____________________________________________________________
6
VCR = ICR . t VCR = 34,1x10– . t VCR = 341.t
6
CR 0,1x10-
A tensão da rampa VCR é comparada com a tensão de controle VC, no pino 11 do

TCA785.
Figura 11.5 - Comparador de Disparo do TCA785
No instante t0, correspondente ao ângulo de disparo em relação ao sinal da

rede, quando as tensões se igualarem (VCR = VC), a mudança de estado na saída
VD do bloco Comparador de Disparo indicará ao bloco Lógica de Formação de
Pulsos, que um pulso de disparo deve ser acoplado a uma de suas saídas.
A tensão da rampa VCR está limitada a (VS – 2) V, ou seja, 2V abaixo da tensão de

alimentação.
O capacitor continua a se carregar até que, no próximo cruzamento por zero, o

Detector de Passagem por Zero informe o evento ao Registrador de
Sincronismo. Este registrador irá gerar um pulso de sincronismo que saturará T1.
Com T1 saturado, o capacitor do pino 10(CR) descarregar-se-á rapidamente,
ficando preparado para o início da próxima rampa. A informação de passagem por
zero só é liberada após a descarga de CR , que é monitorada pelo bloco A2
(Monitor de Descarga de CR).
O TCA785 possui uma saída Q1(pino14) e outra Q2(pino 15) defasadas em 180º.
Enquanto Q1 serve para disparar um SCR no semiciclo positivo, Q2 pode ser
usada para disparar um segundo SCR no semiciclo negativo. Mas há ainda outras
saídas, que logo serão explicadas.
Com as informações dos circuitos anteriores, o bloco Lógica de Formação dos

Pulsos encarrega-se de colocar nas saídas a forma de pulso selecionada. A
duração dos pulsos depende de C12 e do coeficiente , conforme a tabela abaixo
(em valores aproximados):
____________________________________________________________86/142
____________________________________________________________
C12 Aberto 150pF 220pF 330pF 680pF 1000pF Curto
β = 620 s/nF 30 s 93 s 136 s 205 s 422 s 620 s 180º - ∝
Tabela 11.1
Com o pino 12 aberto, assim que a rampa se igualar à tensão de controle (pino
11), será acoplado um pulso de duração = 30 s na saída Q 2 (pino 15), se a
tensão da rede estiver no semiciclo positivo. Caso a tensão da rede esteja no
semiciclo negativo, o pulso será acoplado na saída Q1 (pino14).
Se o pino 12 estiver curto-circuitado à terra, a largura dos pulsos será fixa,

estendendo-se do instante do disparo até o início do próximo semiciclo. Com isso,
consegue-se um pulso longo, de duração 180º - , que é utilizado para garantir o
disparo do tiristor em aplicações com carga indutiva.
Para cada valor de C12 mostrado na tabela, tem-se pulsos com outras durações,
dadas pelo parâmetro .
A figura seguinte mostra a formação dos pulsos em duas opções de duração dos
mesmos.
____________________________________________________________87/142
____________________________________________________________
Figura 11.6 - Formação dos pulsos de disparo

Exemplo
Observe o TCA785 da figura seguinte.
____________________________________________________________88/142
____________________________________________________________
RR = 100k e CR = 47nF, com pino 12 aberto. Desenhe as formas de onda nos

pinos 14 e 15, considerando uma tensão de controle VC = 3,5V.
A tensão no capacitor CR cresce linearmente com o tempo, conforme a equação:
VCR = ICR .t
CR
O período da rampa em CR é de 8,33ms (1/2 período de 60 Hz). O valor máximo

da tensão em CR será, portanto:
VCRmax = 8,33 x 10-3 x ICR VCRmax = 177234.ICR

47 x 10-9
Mas,
ICR = VCCint . K ICR = 3,1 x 1,1 ICR = 34,1µA

3
RR 100 x 10
Assim:
VCRmax = 177234.ICR vCRmax = 177234 x 34,1 x 10-6 VCRmax = 6V
Como a tensão de controle é VC = 3,5V, o disparo ocorrerá em:
T 0 = VC . C t0 = 3,5x47x10-9 t0 = 4,82ms
ICR 34,1X10-6
____________________________________________________________89/142
____________________________________________________________
Finalmente, as formas de onda nos pinos 14 e 15 estão mostradas a seguir:
Figura 12.7 - Formas de onda nas saídas Q1 e Q2 do TCA785
O TCA785 tem outras opções para os pulsos de saída. As saídas Q1 (pino 4) e Q2

(pino 2) são complementares (com sinal lógico invertido) em relação às saídas Q1
(pino 14) Q2 (pino 15), respectivamente. A figura seguinte mostra os pulsos Q1, Q2
e os seus complementares Q1 e Q2 .
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____________________________________________________________
Figura 12.8 - Pulsos nas saídas normais e complementares
Q1 e Q2 são saídas em coletor aberto, ou seja, com transistores internos que

recebem sinais nas suas respectivas bases, mas que só conduzirão quando
polarizados corretamente, através dos resistores externos R2 e R4, como no
circuito da figura seguinte.
Figura 11.9 - Polarização das saídas complementares
Os valores de R2 e R4 devem ser corretamente calculados, levando-se em conta

que a corrente máxima de saída nos coletores dos transistores é de 10mA.
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O aterramento do pino 13 resulta em pulsos de longa duração (180º - ∝) nas
saídas Q1 e Q2 , de modo semelhante ao que ocorre com o pino 12 para as
saídas Q1 e Q2.
Existem, ainda duas saídas auxiliares QU (pino 3) e QZ (pino 7), também em

coletor aberto.
A saída QU é análoga à saída Q1, diferindo apenas pelo fato de que, em QU a

duração do pulso é constante e igual a 180º (8,33ms em 60Hz).
A saída QZ é igual a uma associação lógica NOR das saídas Q1 e Q2, sendo útil
no disparo de TRIACS.
Na figura seguinte estão ilustradas as formas de onda das saídas QU eQZ.
Figura 11.10 - Saídas auxiliares QU E QZ
Uma opção muito importante no TCA785 é a possibilidade de bloqueio das

saídas. As saídas estarão liberadas apenas se o pino 6 tiver tensão superior à 4V.
Por outro lado, estará garantido o bloqueio dos pulsos se a tensão no pino 6 for
inferior a 2,5V.
Quando há defeito em um equipamento que use tiristores, ou no sistema por ele

controlado, é muitas vezes interessante bloquear o funcionamento dos tiristores.
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A idéia é que um alarme, que indique uma condição defeituosa, possa atuar no
pino 6 do TCA785, evitando causar maiores danos ao equipamento ou ao
sistema.
A condição de bloqueio no pino 6 pode ser feita com uma chave de operação
manual, comum contato de relê ou ainda, usando a saída de um transistor NPN.
Exemplo
A figura seguinte mostra um circuito para o bloqueio das saídas do TCA785 com
transistor NPN.
BC547
βmin = 125
VCEsat ≤ 0,25
Enquanto não chegar nenhum sinal de bloqueio, o transistor permanece cortado,

fazendo com que a tensão no pino 6 seja de 5V, deixando as saídas do TCA785
liberadas. Com o sinal de bloqueio, o transistor satura e a tensão no pino 6 cai
abaixo de 2,5V, bloqueando as saídas do TCA785.
Portanto, basta calcular RC e RB para que o circuito satisfaça essas condições.
A corrente de base será:
IB = Vbloq – VBE IB = 5 - 0,7 IB = 4,3

RB RB RB
Para IB = 10 A, obtem-se RB = 430k . Escolhendo-se um valor comercial

próximo, RB = 390K , resultará em IB = 11 A.
A corrente de coletor mínima será:
ICmin = min . IB ICmin = 125x11x10-6 ICmin = 1,38mA
O valor de RCmin para garantir a saturação do transistor e o bloqueio do TCA785

será:
RCmin = VCC – VCEsat RCmin = 5 – 0,25 RCmin = 3.442

3
ICsat 1,38x10-
Será escolhido o valor comercial RC = 3k9 .

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____________________________________________________________
12. RETIFICADORES
12.1 RETIFICADORES NÃO CONTROLADOS
12.1.1 RETIFICADOR TRIFÁSICO DE ½ ONDA NÃO CONTROLADO
O retificador trifásico de ½ onda pode ser visualizado como a ligação em paralelo

de três retificadores monofásicos de1/2 onda. A carga é ligada ao neutro da fonte
trifásica, como pode ser observado na figura seguinte.
Figura 12.1 - Retificador trifásico de ½ onda
Desta forma, a tensão sobre a carga é composta por porções das tensões fase-
neutro. Como os catodos dos diodos estão unidos, ou seja, estão no mesmo
potencial, conduzirá aquele que tiver a maior tensão em seu anodo,
conseqüentemente colocando este potencial em seu catodo e forçando os outros
dois diodos a se bloquearem.
A figura seguinte mostra as formas de onda das tensões trIfásicas RN,SN,TN

juntamente com a tensão de saída do retificador. Como as tensões trifásicas são
defasadas entre si 120º, a cada instante apenas uma delas é mais positiva do que
as outras. Por exemplo: quando a tensão da fase R é a mais positiva, o diodo D1
conduz. No instante em que a tensão da fase S supera a amplitude da tensão RN,
D2 entra em condução forçando D1 ao corte, e assim por diante.
Figura 12.2 – Formas de onda do circuito da Figura 12.1
A duração de cada ondulação da tensão de saída é 120º, porque este é também o

intervalo no qual uma tensão fase-neutro permanece mais positiva do que as
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demais. Devido a isto, a freqüência do riple da tensão de saída é três vezes a
freqüência da fonte CA ( retificador de 3 pulsos):
ƒ ripple = 3 . ƒ rede
Cada diodo conduz 120º por ciclo, a corrente média em cada diodo é igual a 1/3
da corrente média que circula na carga:
I Dmed = 1 . I Omed
3
Aplicando-se a definição de valor eficaz sobre a curva de corrente do diodo,

chega-se a:
I Drms = IOmed
√3
A tensão média na carga pode ser encontrada aplicando-se a definição à forma

de onda da tensão:
π/6
5π
Vomed = 1 ωt)dt
V FN max sen(ω
T π/6
Que resulta em :
VOmed = 1,17 . V FNrms
A corrente média na carga é dada pela expressão:
I Omed = VOmed
R
A forma de onda da tensão sobre o diodo pode ser visualizada na figura 12.3,
onde observa-se que ela é composta por trechos de tensões fase-fase. Isto
porque o diodo que conduz leva o potencial de seu anodo para o catodo dos
outros dois que estão bloqueados, que então ficam submetidos a uma diferença
de potencial fase-fase de catodo para anodo.
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Figura 12.3 – Forma de onda da tensão no diodo
Cada diodo deve portanto suportar o pico da tensão fase-fase, ou seja, a

especificação da tensão de pico inversa (PIV ou VRRM) deve ser superior a :
PIV = 2 . VFFrms
Lembrando que VFFrms = 3 . VFNrms.
A seqüência das tensões fase-fase mostradas na figura anterior depende

basicamente da seqüência de fase da fonte CA. São 6 os números de
combinações das tensões fase-fase, que são defasadas entre si 60º.
Cargas indutivas
No retificador monofásico de ½ onda, a presença de uma parcela indutiva na

carga faz com que surja um trecho de tensão negativa na carga. No retificador
trifásico, a forma de onda da tensão de saída não se altera em presença de
indutância na carga. Isto ocorre porque neste retificador é a fonte responsável
pela comutação dos diodos, isto é, um dado diodo conduzirá obrigatoriamente
quando a tensão em seu anodo ficar mais positiva, obrigando o diodo que
conduzia anteriormente a cortar.
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____________________________________________________________
12.1.2 RETIFICADOR TRIFÁSICO DE ONDA COMPLETA NÃO CONTROLADO
O circuito do retificador trifásico de onda completa pode ser visualizado na figura

seguinte.
Figura 12.4 – Retificador trifásico de onda completa
Como pode ser observado, o neutro da fonte CA não é ligado ao circuito

retificador.
Os diodos D1, D2 e D3 constituem o chamado grupo positivo (ou poli-catódico), e

os diodos D2, D4, D6 o grupo negativo (ou poli anódico). Os diodos conduzem
sempre dois a dois : um diodo do grupo positivo e um do grupo negativo. No
grupo positivo, conduzirá o diodo que possuir a tensão mais positiva em seu
anodo em relação ao neutro. No grupo negativo, conduzirá o diodo que possuir a
tensão mais negativa em seu anodo em relação ao neutro. A Figura 6.5 mostra a
forma de onda da tensão de saída do retificador, juntamente com a forma de onda
da tensão num dos diodos.
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____________________________________________________________
Figura 12.5 – Formas de onda do circuito da figura anterior
Como são 6 as tensões fase-fase, e estando elas defasadas entre si 60º, para
cada ciclo da rede CA há 6 ondulações na tensão de saída retificada (retificador
de 6 pulsos), ou seja:
ƒ ripple = 6 . ƒ rede
Da mesma forma que no retificador 3 de ½ onda, cada diodo conduz durante

120º, assim:
I Dmed = 1 . I Omed
3
I Drms = I Omed
3
Através da forma de onda da tensão no diodo observa-se que a tensão de pico

inversa é expressa por:
PIV = 2 . VFFrms
Aplicando-se a definição de valor médio obtém-se a tensão média de saída do

retificador:
VOmed = 1,35 . VFFrms
A corrente média de saída é :
I Omed = V Omed
R
12.2 RETIFICADORES CONTROLADOS

Uma das principais aplicações dos retificadores controlados é o acionamento de
motores de corrente contínua, onde o ajuste da velocidade e torque é realizado
através da variação da tensão média retificada de saída.
O modelo do circuito de armadura do motor CC com excitação independente ou

série é do tipo RLE, onde a resistência e a indutância representam o enrolamento
e a fonte de tensão contínua E representa f.c.e.m. Esta tensão é gerada
internamente devido ao movimento de rotação que faz com que haja variação do
fluxo magnético nos condutores dos enrolamentos. Esta tensão é proporcional à
velocidade angular do eixo, sendo nula quando a armadura estiver estacionária.
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____________________________________________________________
A variação da tensão média retificada é realizada através do ajuste do ângulo de
disparo dos tiristores do retificador, que por sua vez é realizado por um circuito de
comando apropriado.
Uma outra aplicação que apresenta o mesmo circuito equivalente de carga é o

carregamento de baterias. Neste caso a indutância é adicionada ao circuito com a
finalidade de filtrar a corrente.
12.2.1 RETIFICADOR TRIFÁSICO ½ ONDA CONTROLADO
O circuito do retificador trifásico de1/2 onda controlado com carga RLE está
mostrado na figura seguinte.
Figura 12.6 – Retificador trifásico de ½ onda controlado
As formas de onda de tensão e corrente para regime de condução descontínua e

carga RLE estão mostrados na figura seguinte. O circuito de comando do
retificador deve fornecer os pulsos no instante adequado, devendo estar
sincronizado com as tensões trifásicas
Figura 12.7 – Formas de onda do retificador da figura anterior

– Condução Descontínua –
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____________________________________________________________
É importante notar que o ângulo de disparo dos retificadores trifásicos controlados
por definição é contado a partir do cruzamento das tensões fase-neutro, isto é, a
partir de 30º. A seguir estão as definições dos ângulos indicados na figura
anterior.
θ = ângulo de cruzamento das fases = 30º
α = ângulo de disparo com referência em θ
α’ = ângulo de disparo com referência em 0: α’ = α + 30º
= ângulo de extinção da corrente com referência em 0
= ângulo com corrente nula
= ângulo de condução
Observa-se que a corrente na carga chega a zero antes do disparo do tiristor

seguinte. Assim, há um período em que i0 = 0 e a tensão de saída fica igual à
tensão da f.c.e.m. E do motor.
O regime de condução é determinado da seguinte forma:
< α’ + 120º Condução Descontínua

> α’ + 120º Condução Contínua
O valor do ângulo de extinção da corrente β somente pode ser encontrado por

métodos numéricos ou gráficos, uma vez que não existe uma solução analítica
que possa expressá-lo.
α'= α + 30o para o retificador trifásico de ½ onda

α'= α + 60o para o retificador trifásico de onda completa
Isto ocorre porque nestes retificadores α é contado a partir do cruzamento das

tensões de alimentação, e o ábaco foi construído com base na passagem da
tensão por zero.
As expressões da tensão e corrente média na carga para condução contínua são:
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____________________________________________________________
As formas de onda de tensão e corrente na carga para regime de condução
contínua estão mostradas na figura seguinte.
Figura 12.8 – Formas de onda do retificador da figura anterior

– Condução Contínua –
As expressões da tensão e corrente média na carga para condução contínua são:
12.2.2 RETIFICADOR TRIFÁSICO ONDA COMPLETA TOTALMENTE

CONTROLADO
O circuito do retificador trifásico de onda completa, totalmente controlado, com

carga RLE está mostrado na figura 12.9. Esta configuração é também conhecida
por ponte de Graetz.
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____________________________________________________________
Figura 12.9 – Retificador trifásico de onda completa, em ponte totalmente controlada
Observe as formas de onda de tensão e corrente na carga para o regime de

condução contínua. Neste retificador, o ângulo de disparo é contado a partir do
cruzamento das tensões fase-fase, ou seja, a partir de 60º. Desta forma tem-se α’
= α + 60º.
Os tiristores devem ser disparados aos pares, na seqüência correta,

sincronizados com a seqüência de fases da fonte CA. Os pulsos de reforço são
necessários para iniciar o funcionamento do retificador e garantir operação
correta.
As expressões de tensão e corrente média na carga para o modo de condução

contínua são:
É interessante observar que para ângulos de disparo menores que 60º a

condução é sempre contínua, mesmo com carga puramente resistiva.
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____________________________________________________________
Figura 12.10 – Formas de onda do retificador da Figura 12.9

– Condução Contínua –
policatódico polianódico
Figura 12.11 - Seqüência de disparo dos tiristores
Para o modo de condução descontínua, a expressão da tensão média na carga é:
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____________________________________________________________
12.2.3 RETIFICADOR TRIFÁSICO ONDA COMPLETA EM PONTE MISTA
O circuito do retificador trifásico de onda completa em ponte mista pode ser

observado na figura seguinte. Da mesma forma que na ponte mista monofásica, a
tensão na carga não pode ficar negativa devido ao efeito de roda livre, causado
pela condução espontânea dos diodos.
Figura 12.12 – Retificar trifásico em ponte mista
Figura 12.13 – Tensão de saída para ângulos de disparo menores que 60º
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Figura 12.14 - Pulsos de disparo dos tiristores
A forma de onda da tensão de saída possui diferenças para ângulos de disparo

maiores que 60º e menores que 60º. A figura 12.15 mostra as formas de onda
para ângulos de disparo menores de 60º. Quando é atingido o cruzamento das
tensões fase-fase em t = 60º , o diodo da fase correspondente entra
espontaneamente em condução. Não há etapa de roda livre.
Figura 12.15 – Tensão de saída para ângulos de disparo maiores que 60º
Quando o ângulo de disparo é superior a 60º ocorre a etapa de roda livre, onde o
diodo conduz juntamente com o tiristor do mesmo braço.
A tensão média retificada é dada pela expressão:
VOmed = 0,675 . VFFrms . (1 + cos α)
A corrente média em cada semicondutor é igual a um terço da corrente média na

carga.
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____________________________________________________________
13. INVERSORES
Os conversores CC - CA ou Inversores são utilizados para obter em sua saída
uma tensão CA variável e/ou regulada a partir de uma fonte CC de entrada, como
ilustrado na figura seguinte.
Figura 14.1 – Conversor CC - CA
Os inversores estáticos de potência possuem muitas aplicações nas áreas

industrial e comercial, tais como:
− Acionamento de motores CA a velocidade variável;

− UPS – Fonte ininterrupta de energia (“No – Break”);
− Aquecimento indutivo – Fornos;
− Transmissão de energia em CC a alta tensão – HVDC;
− Filtros Ativos de Potência;
− etc.
13.1 INVERSORES NÃO-AUTÔNOMOS

Os inversores não-autônomos utilizam tiristores e operam ligados à rede elétrica
CA, a qual é responsável pela comutação dos dispositivos, daí o seu nome. A
freqüência de funcionamento é fixa e igual à freqüência da rede. O controle do
fluxo de energia do lado CC para o lado CA pode ser efetuado através da
variação do ângulo de disparo dos tiristores, que deve ser maior que 90º para o
funcionamento no modo inversor.
Atualmente, a utilização de inversores não autônomos é restrita a aplicações de

potências muito elevadas, como nos sistemas HVDC. A Figura seguinte ilustra um
circuito típico. O indutor é necessário para fazer a interface entre as fontes CC e
CA.
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____________________________________________________________
Figura 13.2 – Inversor não autônomo trifásico
13.2 INVERSORES AUTÔNOMOS

Nos inversores autônomos, a comutação das chaves é determinada pelo circuito
de comando, ou seja, esses inversores utilizam chaves com disparo e bloqueio
comandáveis. Desta forma, os inversores autônomos operam independentemente
da rede elétrica, e podem gerar em sua saída tensões com freqüências
ajustáveis. Devido ao grande desenvolvimento dos semicondutores de potência
nos últimos anos, atualmente a maior parte dos inversores comerciais utilizam
transistores IGBT, ficando os tiristores reservados às aplicações de altíssimas
potências. Os transistores IGBT são muito mais fáceis de se comandar, pois sua
característica de entrada é a mesma de um MOSFET, ou seja, são dispositivos
comandados por tensão. Além disso, os transistores IGBT são muito mais
rápidos, permitindo a operação em freqüências mais elevadas com menores
perdas. Já os tiristores, por outro lado, possuem apenas o disparo comandado, o
que exige caros e complexos circuitos auxiliares de comutação forçada.
Com relação à característica da saída, os inversores podem ser:
Inversores de tensão (VSI – “Voltage Source Inverters”) : nos inversores VSI,

a tensão de saída é a variável imposta, ficando a corrente dependente da
necessidade da carga;
Inversores de corrente – CSI – “Current Source Inverters”: já nos inversores

CSI, a corrente de saída é imposta pelo inversor. Normalmente são utilizados em
aplicações de potências mais elevadas.
A figura seguinte mostra uma classificação geral dos inversores estáticos de

potência.
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____________________________________________________________
Figura 13.3 – Classificação dos Inversores
Quadrantes de Operação
De um modo geral, a corrente de saída de um inversor VSI não estará em fase

com a tensão gerada, possivelmente pela carga possuir uma parcela indutiva ou
características não lineares.
a) Tensão e corrente na carga b) Quadrantes de operação
Figura 14.4 – Tensão de corrente de saída do inversor
Nos intervalos 1 e 3 mostrados da figura a, tensão e corrente possuem a mesma

polaridade, o que indica que o fluxo de energia é do inversor para a carga, ou seja
do lado CC para o lado CA (modo inversor). Já nos intervalos 4 e 2, tensão e
corrente possuem polaridades opostas, o que indica o fluxo de energia da carga
para a fonte, ou seja, do lado CA para o lado CC (modo retificador). A figura b
resume os quadrantes de operação do inversor.
Desta forma, para que a carga seja alimentada adequadamente, o inversor deve
ser capaz de operar nos quatro quadrantes do plano v x i.
13.3 MODULAÇÃO PWM

Operação Sob Modulação Por Largura de Pulsos – PWM
Esta técnica é a que produz a tensão de saída mais próxima de um senóide. A

amplitude da componente fundamental da tensão é variada através da largura dos
pulsos, as quais por sua vez dependem do valor da tensão de controle – Vcontrol,
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____________________________________________________________
que é o sinal modulante da portadora Vtri. Há basicamente duas formas de PWM:
dois e três níveis.
PWM de 2 Níveis
A figura seguinte mostra os sinais referentes à modulação PWM de dois níveis.
Figura 13.5 – Modulação PWM de dois níveis
Através do espectro de freqüência mostrado, é possível observar que a tensão de

saída possui componentes harmônicas de alta freqüência e pequena amplitude,
as quais são muito mais facilmente filtráveis.
A freqüência de chaveamento é igual à freqüência da portadora, que pode variar

desde 3kHz nos inversores de grande potência até 20kHz nos de menor potência,
aproximadamente. Entretanto, devido à maior freqüência de chaveamento, as
perdas por comutação são também maiores.
O índice de modulação em amplitude – ma é definido como a relação entre a
amplitude da tensão modulante Vcontrol e a amplitude da portadora Vtri:
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____________________________________________________________
A amplitude da componente fundamental da tensão é dada por:
vol = ma . Vd
Desde que ma < 1.
O índice de modulação em freqüência é definido como a relação entre a

freqüência da portadora e a freqüência de Vcontrol.
m ƒ = ƒs
ƒl
As componentes harmônicas aparecem em grupos centrados em mf, 2.mf, 3.m f ...

etc. Se mf é um inteiro ímpar, as harmônicas pares são eliminadas da forma de
onda da tensão de saída, ficando apenas as ímpares.
PWM de 3 Níveis
A figura seguinte mostra os sinais referentes à modulação PWM de três níveis.
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____________________________________________________________
Figura 13.6 – Modulação PWM em três níveis
São utilizadas duas tensões de controle: V control e –Vcontrol, cada uma gerando um
sinal de comparação que é aplicado às chaves do inversor. A forma de onda da
tensão resultante na saída do inversor possui três níveis: +Vd,-Vd e zero, daí o
nome da técnica.
Em relação à modulação PWM de 2 níveis, o conteúdo harmônico da tensão de

saída é menor, como pode ser observado na figura anterior. É interessante
observar que os harmônicos aparecem em grupos centrados em 2.mf, 4.mf , 6.mf,
etc., ou seja, o primeiro grupo de harmônicos aparece centrado numa freqüência
que é o dobro da freqüência em relação à modulação PWM de 2 níveis.
A mesma expressão define a amplitude da componente fundamental da tensão de

saída:
vol = ma . Vd
____________________________________________________________111/142
____________________________________________________________
13.4 INVERSORES MONOFÁSICOS
De um modo geral, os inversores monofásicos podem ser controlados para
gerarem tensões PWM de 2 e 3 níveis, Phase-Shift ou onda quadrada. O método
utilizado deverá levar em conta as necessidades da carga e o compromisso entre
freqüência de chaveamento e perdas por comutação nos dispositivos.
Os inversores podem ser implementados com tiristores (SCRs E GTOs) ou com

transistores. Devido à necessidade de circuitos de comutação forçada, os
inversores a SCR são mais complexos, e por isso hoje possuem aplicações muito
específicas. Neste texto somente serão estudados inversores implementados com
transistores.
Na figura seguinte, os SCRs T1 a T4 e os diodos D1 a D4 são as chaves principais

do circuito, enquanto os tiristores T1A a T4A são chaves auxiliares que juntamente
com as malhas RL formam os circuitos de comutação forçada.
Figura 13.7 – Inversor monofásico em ponte a SCRs
Inversor Monofásico em Ponte Completa
A figura seguinte mostra o circuito de potência do inversor monofásico em ponte

completa implementado com transistores IGBT.
Figura 13.8 – Inversor monofásico em ponte completa a IGBTs
De acordo com as polaridades de tensão e corrente na carga, há as seguintes

possibilidades de condução das chaves:
Chaves em
Configuração vo io Fluxo de Energia
Condução
____________________________________________________________112/142
____________________________________________________________
1 +E + T1, T4 Fonte → Carga
2 +E - D1, D4 Carga → Fonte
3 -E - T2, T3 Fonte → Carga
4 -E + D2, D3 Carga → Fonte
5 0 + (T1, D3) OU (T4, D2) Recirculando
6 0 - (T3, D1) OU (T2, D4) Recirculando
Tabela 13.1
Resumindo, sempre que a tensão tiver a mesma polaridade da corrente, estarão

conduzindo dois transistores opostos. Sempre que a tensão na carga tiver
polaridade contrária à corrente, estarão conduzindo dois diodos opostos. Sempre
que a tensão na carga for zero, estarão conduzindo um transistor e um diodo.
Operação em Deslocamento de Fase – Phase Shift
A figura seguinte mostra a forma de onda de tensão de saída do inversor

operando no modo de deslocamento de fase, juntamente com a forma de onda da
corrente numa carga tipo resistor – indutor. Os números indicados na figura
correspondem aos da Tabela 13.1.
Figura 13.9 – Tensão e corrente na carga

– Operação em Phase-Shift –
Devido ao defasamento causado pela presença da parcela indutiva na carga,

surgem etapas (2 e 4) onde tensão e corrente possuem polaridades opostas, o
que indica fluxo de energia no sentido CA para o CC. Estas etapas não
ocorreriam caso a carga fosse puramente resistiva.
Observa-se que a forma de onda da corrente é não senoidal, fato que deriva do
grande conteúdo harmônico presente na forma de onda da tensão de saída do
inversor. A freqüência de chaveamento é a mesma da tensão gerada,
normalmente 60Hz.
____________________________________________________________113/142
____________________________________________________________
Operação em Modulação PWM
A operação sob modulação PWM permite uma forma de onda de corrente menos
distorcida, ou seja mais senoidal, o que é muito importante quando a carga é um
motor CA. À medida que a freqüência de chaveamento é elevada, a filtragem da
tensão exige filtros de menor tamanho. No caso da carga ser um motor CA, a
corrente tende a ficar mais senoidal, devido ao efeito de filtragem efetuado pela
indutância do enrolamento do estator.
Figura 13.10 – a) Tensão PWM e sua componente fundamental

b) Corrente numa carga indutiva
c) Corrente na carga indutiva para uma maior freqüência de
chaveamento
A figura a mostra a forma de onda da tensão PWM (3 níveis), juntamente com sua
componente fundamental. A figura b mostra a forma de onda de corrente para
uma freqüência de chaveamento maior.
As configurações assumidas são as indicadas na tabela 13.1. Sendo a freqüência

de chaveamento maior, essas configurações se alternarão também com maior
freqüência.
____________________________________________________________114/142
____________________________________________________________
Inversor Monofásico em Meia Ponte – Half Bridge
A figura seguinte mostra o circuito de potência do inversor monofásico em meia

ponte implementado com transistores IGBT.
Figura 13.11 - Inversor monofásico em Meia Ponte a IGBTs
Esta configuração somente pode operar sob o esquema de onda quadrada e

PWM de dois níveis porque não é possível impor tensão nula na carga e manter a
continuidade da corrente ao mesmo tempo. Com carga resistiva não há essa
restrição.
A tensão instantânea aplicada à carga assume os valores +E/2 e -E/2 devido ao

divisor de tensão capacitivo formado por C1 e C2. A vantagem é a economia de
dois transistores e dois diodos.
Chaves em
Configuração vo io Fluxo de Energia
Condução
1 +E/2 + T1 Fonte → Carga
2 +E/2 - D1 Carga → Fonte
3 -E/2 - T2 Fonte → Carga
4 -E/2 + D2 Carga → Fonte
Tabela 13.2
Inversor Monofásico Push - Pull
A figura seguinte mostra o circuito de potência do inversor monofásico Push –

Pull.
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____________________________________________________________
Figura 13.12 - Inversor Monofásico tipo Push - Pull
A utilização do transformador permite o ajuste da tensão de saída, o que é útil p.

ex em UPSs (“No-Breaks”) que utilizam tensões de bateria (12V, 24V, p.ex.). A
amplitude da tensão secundária é igual a n.E, onde n é a relação de espiras.
O transformador projetado para a freqüência fundamental da onda de tensão

(normalmente 50 ou 60Hz), e não para a freqüência de chaveamento. Devido ao
efeito auto-transformador no primário, cada semicondutor deve suportar o dobro
da tensão contínua E.

Configuração vo io Chaves em Condução Fluxo de Energia

1 +n.E + T1 Fonte → Carga
2 +n.E - D1 Carga → Fonte
3 -n.E - T2 Fonte → Carga
4 -n.E + D2 Carga → Fonte
Tabela 14.3
____________________________________________________________116/142
____________________________________________________________
13.5 INVERSORES TRIFÁSICOS

A figura seguinte mostra o circuito de potência do inversor trifásico em ponte
completa, o mais utilizado.
Figura 13.13 - Inversor trifásico em ponte a transistores IGBT
O esquema de operação normalmente utilizado é o PWM, pois a operação em

onda quadrada não permite o ajuste da amplitude da componente fundamental da
tensão de saída.
Operação em PWM
A Figura seguinte mostra a forma de geração do PWM trifásico, bem como a

tensão de saída de uma das fases do inversor e seu respectivo espectro de
freqüências.
____________________________________________________________117/142
____________________________________________________________
Figura 13.13 – Modulação PWM trifásica senoidal
____________________________________________________________118/142
____________________________________________________________
14. EXEMPLO DE APLICAÇÃO
Veremos, a partir de agora, as principais filosofias do controle de velocidade:
− Acionamento CC;
− Conversores escalares e
− Conversores vetoriais.
14.1 A EVOLUÇÃO DO CONTROLE DE VELOCIDADE
Altamente empregados na indústria, os acionamentos CC se consagraram como

ícones de seu tempo.
Inicialmente utilizados em controle de velocidade, os acionamentos CC se

mostraram bem efetivos. Verdadeiros painéis compostos por numerosas placas
compunham os imensos acionamentos CC. Placas de sincronismo, controle,
retificação e disparo, transistores, diodos, acopladores ópticos, amplificadores
operacionais e tiristores, vocabulário comum da era de ouro dos acionamentos
CC, faziam parte do dia-a-dia dos engenheiros e técnicos de Engenharia,
Manutenção e Produção.
Acionamento CC
No motor CC, o campo magnético é gerado a partir da corrente da bobina de

campo no estator. Este campo magnético deve estar sempre orientado
angularmente com o campo magnético gerado pela bobina de armadura do rotor.
Nesta condição, conhecendo as orientações de campo, é gerado o torque
máximo.
É o comutador mecânico das escovas (montado dentro do motor) que mantém a

orientação do campo magnético, portanto, mantém o posicionamento correto do
rotor em relação ao estator.
Com a orientação de campo alcançada, o torque do motor CC é controlado

através da variação da corrente de armadura e mantendo-se a magnetização
constante.
Seu declínio começou a partir da evolução dos conversores de freqüência CA.
Motor Motor
Características Motor DC
assíncrono síncrono
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____________________________________________________________
CA CA
Potência [kW] 7,5 8,3 7,5
Rotação [rpm] 2900 3200 3000
Tipo/Tamanho DFV132M2 GFVN 160N DFY 112ML
Proteção IP 54 IP 44 IP 65
Ventilação Ventilador Ventilador Superfície
Comprimento[mm] 400 625 390
Peso Total[Kg] 66 105 38,6
Peso do rotor[kg] 17 29 8,2

-4 2
Jmot[10 kgm ] 280 496 87,4
Torque Nominal[Nm] 24,7 24,7 24
Torque máximo 2,6.MN/1,8.MN 1,6.MN 3.MN

2
Acel. Ang.Max.[1/s ] 1588 797 8238
Máx.Perf.Din.[%] 20 10 100
Tempo de Acel.[ms] 191 420 38
Tabela 14.1
14.2 O CONTROLE ESCALAR

Baseada na performance dos acionamentos CC, a tecnologia de conversores de
corrente alternada evoluiu proporcionando as mesmas características de controle
de velocidade e de torque, mas usufruindo das vantagens oferecidas pelos
motores assíncronos trifásicos.
O primeiro passo desta evolução foram os Conversores de Freqüência com

controle ESCALAR (ou v/f) e chaveamento PWM.
Figura 14.1
A tecnologia do controle escalar se baseia na utilização das variáveis de controle:

Tensão[V] e Freqüência [f].
Alimenta-se o conversor de Freqüência com tensão trifásica senoidal e freqüência

de rede (60Hz); esta tensão de entrada é retificada no primeiro bloco do
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____________________________________________________________
conversor (o bloco Retificador) transformando a tensão alternada senoidal em
tensão contínua com intensidade igual a1,35 x Ventrada, alimentando assim
diretamente o Circuito Intermediário que é constituído pelo barramento de
corrente contínua, pelo banco de capacitores e pelo Circuito Chopper de
Frenagem, além do Circuito Intermediário.
O retificador também fornece tensão de alimentação para o Circuito de Controle

do Conversor de Freqüência.
Figura 14.2 – Circuito de blocos do conversor de freqüência escalar com chaveamento

PWM
O Circuito Intermediário alimenta o terceiro bloco do Conversor de Freqüência, o
bloco Inversor. Composto por circuitos IGBT, é o bloco Inversor o responsável
direto pelo fornecimento da forma de onda PWM de saída do Conversor de
Freqüência.
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____________________________________________________________
Figura 14.3 – Descrição do processo PWM senoidal
No modo de controle Escalar (também conhecido por V/F)são utilizadas como

variáveis, a Tensão e a Freqüência; estas são aplicadas diretamente à bobina do
estator do motor assíncrono trifásico fornecendo ao motor uma relação V/f
correspondente.
Podemos observar no gráfico da figura seguinte que, até a freqüência fN

(freqüência nominal de rede = 60Hz) também chamada de freqüência de inflexão
e tensão nominal (VN), o torque (TN) é constante, e acima do valor de rede corre
a redução do torque do motor.
Figura 14.4 – Curva V/f, onde: TN = Torque Nominal

f = Freqüência Nominal
A queda do torque do motor assíncrono trifásico acontece devido às

características físicas do motor e não do conversor, mas como através do modo
de controle Escalar não é possível se efetuar o controle de torque, não há a
possibilidade de se corrigir este efeito no motor.
Algo similar ao torque ocorre à potência do motor (PN): com o aumento da

relação tensão e freqüência, a potência aumenta proporcionalmente até a
freqüência fN (Freqüência Nominal = 60Hz) chegando nesse instante à potência
nominal do motor.
A partir daí mesmo que se aumente a freqüência (desde que não se aumente a
tensão de rede de alimentação do conversor) a potência do motor permanece a
mesma.
Há a possibilidade de ajustes de otimização da curva através de parâmetros. A

maioria dos conversores de Freqüência vem pré – ajustados de fábrica,
normalmente são ajustes com valores médios para atender a uma gama de
____________________________________________________________122/142
____________________________________________________________
motores, e há também a possibilidade de se otimizar alguns ajustes e estes
podem ser alterados através do software de comunicação PC – Conversor ou
através de um controle manual.
Estes ajustes visam ajustar, da melhor maneira possível, as características do

motor e sua aplicação ao Conversor de Freqüência.
Exemplo
O cliente possui um transportador, cuja característica é de conjugado exigido

constante em toda a faixa de rotação.
A faixa de rotação exigida no eixo do motor é de 100 a 2100 rpm e o conjugado

exigido nessa faixa é de 13Nm.
1.Calcular a potência exigida
P = M(Nm) x n(rpm)
9550
P = 13 x 2100/9550
P = 2,9kW
2. Escolher o motor e conversor Motor: DZ100L4
3. Escolher a curva de funcionamento do conversor
4. Determinar a faixa de freqüência de trabalho do motor para 100rpm:

(100/1700) x 60 = 3,5Hz
para 2100rpm:
(2100/1700) x 60 = 74Hz logo a faixa de trabalho do motor será 3,5 – 74Hz
5. Determinar o conjugado fornecido pelo motor na faixa de3,5 – 74Hz
Cn = 9550 x Pn
nm Cn/Cmáx = 3
Cn = 3 x 9550/1700 Cmáx = 51Nm
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____________________________________________________________
Cn = 17Nm
Portanto, na faixa de100 a 1700 rpm o motor pode fornecer Cn = 17Nm e Cmáx =
51Nm, satisfazendo a aplicação.
Para 60Hz:
Cn = 17Nm e Cmáx = 51Nm
Para 74Hz,
Cn = Cn(60Hz) x 60/74
Cn = 17 x 0,81
Cn = 14Nm
Cmáx = Cmáx(60Hz) x (60/74)2
Cmáx = 51 x 0,65574
Cmáx = 34
Portanto, o conversor pode fornecer, na faixa de trabalho de3,5 a 60 Hz e de 60 a

74Hz, o conjugado exigido pela carga que é de 13Nm.
14.3 O MODO DE CONTROLE VETORIAL
No funcionamento dos Conversores de Freqüência Escalares (V/f) basicamente

utiliza-se da tensão de saída (V) e da freqüência de saída (f) para controle e
variação de velocidade.
VFC – Controle de Fluxo CFC – Controle de Fluxo

Características
por Tensão por Corrente
Sem realimentação encoder:
min. 150% em 0,5 Hz, Com realimentação encoder:
Torque máximo
com realimentação encoder: min. 160% com vel. Zero
min. 150% com vel. zero
Tempo aumento torque aproximadamente 8 ms aproximadamente 2 ms
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____________________________________________________________
VFC – Controle de Fluxo CFC – Controle de Fluxo
Características
por Tensão por Corrente
Precisão de rotação muito bom atende altas demandas
Controle de torque não Sim
Tipos de acionamentos individual ou em grupo acionamentos individuais

Conversores MOVIDRIVE MDF, MDV MDV, MDS
e MOVIDRIVE Compact MCF, MCV MCV, MCS
Tabela 14.2
Apesar de eficiente, o modo de controle Escalar (V/f) possui algumas limitações:
− Não utiliza a orientação do campo magnético;
− Ignora as características técnicas do motor;
− Não possui controle de torque;
− Possui baixa dinâmica.
Visando melhorar a performance e as condições de funcionamento dos

Conversores de Freqüência Escalares, foi desenvolvido um novo modo de
controle, VFC – Voltage Flux Control, ou seja, um modo de controle que
diferentemente do modo Escalar, efetua a leitura da corrente do estator e do
modelo matemático do motor e assim define o escorregamento, que é corrigido
através do controle da tensão do estator através de funções específicas já
gravadas internamente no microprocessador MC do Conversor de Freqüência.
____________________________________________________________125/142
____________________________________________________________
Figura 14.5
Automaticamente, são introduzidas as variáveis do sistema e do motor para

otimizar desde o tempo de resposta do motor, até sua estabilidade em relação à
velocidade.
Muito eficiente e também eficaz para atender às mais variadas aplicações, o

modo de controle VFC mostrou-nos a possibilidade do incremento de suas
características através (não da Tensão) e sim da Corrente.
A dinâmica proporcionada aos motores assíncronos trifásicos através do modo de

controle VFC é similar à performance dos motores CC. Com o objetivo de
aumentar ainda mais sua dinâmica e por conseqüência sua performance, a SEW–
EURODRIVE desenvolveu um modo de controle revolucionário e surpreendente,
o modo de controle CFC – Current Flux Control, que mediante a leitura da
corrente, da posição angular do rotor (encoder) e do modelo matemático do
motor, controla a corrente fornecida ao estator do motor em função de uma
reserva de tensão (aprox.50V).
Com o modo de controle CFC, a dinâmica e performance do motor assíncrono
trifásico ficam similares às de servomotores síncronos.
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Num comparativo entre os dois modos de controle (VFC & CFC) ambos vetoriais
em malha fechada (com realimentação através de enconder) pode-se notar
claramente a evolução em dinâmica proporcionada pelo modo de controle CFC
(Controle de Fluxo por Corrente).
Figura 14.6 – Tempo de resposta de torque no motor – modo VFC x modo CFC
Outro aspecto importantíssimo da nova geração de Conversores de Freqüência é

sua metodologia de colocação em Operação, bem simples e rápida.
Baseia-se na utilização de softwares de parametrização que, além de possibilitar

a comunicação PC – Conversor de forma bem simples, faz sua otimização
simples e rapidamente, proporcionando ao motor dinâmica, estabilidade e
precisão.
Nestes softwares já estão incluídos os modelos matemáticos dos motores

assíncronos trifásicos, não sendo necessário incluir nenhum dado, apenas
selecionar seu modelo e sua tensão de alimentação.
A dinâmica proporcionada a estes motores é em função do seu modo de controle

vetorial: este modo de controle é o responsável direto pelo modelamento do fluxo
magnético do motor (Φ). Veja alguns motores e as curvas de Torque x Rotação
nas figuras seguintes.
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____________________________________________________________
Figura 14.7 – Linha MOVIDRIVE e motores SEW-EURODRIVE
Figura 14.8 – Curva de torque (M) x rotação (n)
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No ambiente de parametrização são selecionados os motores utilizados, o modo
de operação desejado e são introduzidas as informações básicas como o tipo do
motor, freqüência e corrente. A partir desse ponto, são fornecidos ao sistema os
dados do modelamento matemático do motor e são calculados os parâmetros
usuais e de controle, proporcionando uma otimização da performance do motor.
Além disso, o MOVITOOLS possui um controle de movimentos seqüenciais, que

assume funções de um controlador lógico programável (CLP), podendo ser
aplicado no controle de simples programação através do IPOSplus .
A comprovação da eficiência desta parametrização pode ser visualizada através

do programa de visualização gráfica Scope, que auxilia a rápida colocação em
operação através da visualização das curvas de tensão, corrente e etc. A análise
dos resultados de processo possibilita a visualização e acompanhamento do
comportamento da carga.
Argumentos à parte, a evolução dos Conversores de Freqüência trouxe benefícios

em todos os segmentos, dentro e fora da indústria.
Equipamentos aprimorados tecnologicamente que apresentam maior tecnologia

empregada, são mais confiáveis, proporcionam maior dinâmica, possuem
precisão da ordem de minutos de grau (atendendo as mais rígidas solicitações de
tolerância) e são muito mais compactos, além de oferecer a disponibilidade de
Service24h em todo território nacional. Ou seja, hoje oferecem um nível de
segurança incomparável a qualquer outro sistema de controle de posicionamento
e variação de velocidade.
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____________________________________________________________
15. EXERCICIOS E PROBLEMAS

1 – Um transformador 127/15V, é utilizado com um diodo de silício ( VD =
0,7) que é ligado ao lado secundário para fornecer energia CC a uma certa
carga elétrica de 20W .
Nestas condições, determine os valores de : ID ,PIV, potência média
dissipada na carga .
2 – Um retificador tipo meia onda recebe energia de fonte CA 127V 60Hz,e

alimenta três lâmpadas incandescentes de 100W /127V 60Hz cada .
Se as lâmpadas são ligadas em série, determine os valores de ID,PIV e a
tensão que cada lâmpada receberá?
3 – Se no problema da questão anterior as lâmpadas forem respectivamente

de 60 W , 40 W , e 100 W , quais seriam os novos valores ?
4 – Desejando utilizar seu disc men no automóvel, um aluno produziu um

redutor de tensão de 12V para 4,5 V em vários formatos e está em dúvida
sobre qual escolher . Dentre as 4 opções abaixo qual a que você escolheria,
se a potência do disc men é de 200mW?
D1 1N4001
166
A( ) C( )
DISC DISC
4,5V MEN 12V MEN
12V 100
DZ1
5,2V
1W
84 78
B( ) D( )
DISC DZ1
DISC
4,5V MEN 3.9V MEN
12V 100
12V 1W
D1 1N4001
5 - No circuito a seguir , desenhe a forma de onda de tensão que a carga de

100 recebe:
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____________________________________________________________
4 : 1 200
120V
60 Hz DZ1
12V 100
A corrente na carga é contínua ou alternada?
6 - O circuito mostrado a seguir , é muito utilizado em ferramentas manuais

e pequenos eletrodomésticos:
D
VAC
Motor
chave universal
Analise o circuito e tente entender como este circuito controla a potência entregue
ao motor, ou a outra carga qualquer?
Será que este circuito simples pode controlar a velocidade de um motor de

corrente contínua?
Por que este circuito não funciona se o motor for do tipo de indução?
8 – No circuito mostrado a seguir, qual a função do diodo em paralelo com o

enrolamento do relé?
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____________________________________________________________
Vcc
D
1
2
Q1 relé
A) Retificar a onda gerada na bobina
B) Regular a tensão produzida pela lei de Lenz nos terminais da bobina
C) Proteger o dispositivo chaveador (transistor ) contra queima e destruição

devido ao aparecimento da tensão reversa entre o coletor e o emissor do
transistor, provendo um caminho alternativo para o escoamento da corrente que
atravessa a bobina do relé
D) Evitar que haja uma corrente em sentido contrário na bobina do relé
9 – O componente de chaveamento mostrado a seguir é um:
A) IGBT
B) GTO
C) TRIAC
D) FET DE POTÊNCIA
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____________________________________________________________
10 – A maior desvantagem do uso do IGBT é :
A) Apresenta um tempo de condução com cargas muito indutivas maior que as

outras chaves controláveis
B) Necessita de uma tensão elevada aplicada ao gate
C) Precisa de uma fonte de corrente para alimentar o gate , onde Ig é da ordem

de 0,1 a 0,3 vezes Ic
D) Não suporta tensões reversas entre o emissor e o gate , o que causa a queima
do componente com maior facilidade
11 – Corrente de manutenção de dispositivos chaveadores é aquela que :
A) deve ser adotada para que o técnico do setor elétrico possa prestar o serviço
de manutenção com segurança
B) Deve estar o dispositivo de chaveamento conduzindo continuamente, enquanto

o técnico do setor elétrico presta a manutenção no equipamento
C) deve ser atingida, para garantir o desligamento do dispositivo
D) é a menor corrente que circulando através do dispositivo ainda o mantém em

condução
12 – Os esboços abaixo representam dois tipos de máquinas de solda

empregados no setor industrial :
D
T1 Eletrodo
R
+
S D
T
D -
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____________________________________________________________
Esboço de máquina de solda empregando a regulagem de corrente através de
ajuste de posição do núcleo.
T1
R Th
Eletrodo
S Th
T Th -
Esboço de máquina de solda empregando a regulagem de corrente através de

ajuste do ângulo de disparo dos dispositivos de chaveamento
Analise os dois esboços acima, pormenorizando as vantagens e/ou desvantagens

de cada um.
13 – O circuito RC série, que normalmente é colocado em paralelo com o

dispositivo eletrônico de chaveamento, tem a função de:
A) Criar um caminho alternativo de corrente , evitando sobrecarga da chave

estática
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____________________________________________________________
B) Criar um caminho alternativo de corrente principalmente as que aparecem
devido à variações transitórias de tensão entre anodo e gate , evitando que o
dispositivo possa ser disparado acidentalmente
C) Bloquear níveis de corrente contínua e deixar que somente os níveis de

corrente alternada cheguem à carga
D) evitar que pontos ou zonas quentes sejam criadas na estrutura interna do

dispositivo que poderiam leva-lo à queima
14 – Os circuitos de corrente alternada que empregam o SCR no controle de

potência normalmente são mais simples que aqueles utilizados em corrente
contínua.
Tal afirmativa é falsa ou verdadeira?
O que você entende por comutação natural? E comutação forçada?
15 – O circuito a seguir emprega o SCR em corrente contínua:
12V 6W
CH1 CH2
Q1 Q2
12V 5K6 3,3 F 5K6
TIC 106 TIC 106
1K 1K
Trata-se de um circuito de comutação forçada e emprega como elemento básico o

capacitor.
Analise como se processa o ligamento de Q1 e o seu desligamento.
Para que o circuito possa funcionar, é preciso que CH1 esteja o tempo todo
fechado? Explique.
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____________________________________________________________
16 – O circuito a seguir emprega o SCR em corrente alternada:
CH1
127V/100w
Rede TIC106
127Vac 220
1k
Trata-se de um circuito de comutação natural.
Analise como se processa o ligamento e o desligamento do SCR.
Para que o circuito possa funcionar ininterruptamente, é necessário que CH1

fique fechada o tempo todo? Explique?
17 – compare o circuito a seguir com o da questão 16:
CH1
127V/100w
D1
Rede TIC106B
127Vac 220
1k
Em se tratando do componente SCR, que vantagem este circuito apresenta em

relação ao anterior?
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____________________________________________________________
18 – Veja o circuito a seguir:
D1 D2
CH1
127V/100w
F = 2A
Rede TIC106B
127Vac
180
D4 D3 1k
Analise o circuito, e construa a forma de onda da tensão sobre a lâmpada.
19 – Veja o circuito a seguir:
D1 D2 CH1
F = 2A
Rede TIC106B
127Vac
180
127V/100W
D4 D3 1k
Analise o circuito, e construa a forma de onda da tensão sobre a lâmpada.
Qual a diferença deste circuito para o da questão 18?
____________________________________________________________137/142
____________________________________________________________
20 – Analise o circuito a seguir:
127V/100W 1K D1 180 TIC106B

Rede
127Vac
Q2
TIC106B Q1 D2 1K
Analise o circuito e desenvolva a forma de onda de tensão e corrente na carga?
21 – O circuito mostrado na figura a seguir é similar ao da questão anterior?
127V/100W CH
Q1 TIC226B 100
Rede
127Vac
100
0,1 F
Que nome recebe o circuito RC colocado em paralelo com o TRIAC?
____________________________________________________________138/142
____________________________________________________________
22 – Um retificador trifásico de meia onda , alimenta uma carga puramente
resistiva de valor 10 . Se a tensão entre fase e neutro é 127V , determine o
valor da tensão média na carga e da corrente média em cada diodo.
23 – Se o retificador da questão 22 for substituído por um do tipo onda

completa , quais seriam os novos valores?
24 – Dado o inversor a seguir, explique como se processa a conversão CC

para CA
2 : 1
220V
OSCILADOR
Qual a função do oscilador neste esquema?
Analise e explique como se processa o ligamento do motor , e o seu

desligamento?
Qual a função do transformador neste circuito?
____________________________________________________________139/142
____________________________________________________________
Referências Bibliográficas
1. ALMEIDA, José Luiz Antunes – Eletrônica Analógica – Dispositivos
Semicondutores: Tiristores – Controle de Potência em C.C. e C.A.
8ª Edição – Editora Érica – São Paulo – 1996
2. BARBOSA, Eduardo Fernandes, ARAÚJO, Ricardo Gonzaga M. –

Eletrônica Industrial – Experiências de Laboratório –
FURMARC/UCMG – BH – 1982
3. SABER ELETRÔNICA – Ano 38 – nº 356 – setembro/2002 –

Editora Saber Ltda
4. FILHO, Prof. Rubens M. Santos – Curso de Extensão em Eletrônica de

Potência – Senai – BH – Junho/Julho – 1999 – CEFET - MG
SENAI. MG. Eletrônica
____________________________________________________________140/142

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CENTRO DE FORMAÇÃO PROFISSIONAL PEDRO MARTINS GUERRA

Diretor Regional do SENAI e

Gerente de Educação e Tecnologia

Centro de Formação Profissional Pedro Martins Guerra

1. FÍSICA DOS SEMICONDUTORES .......................................................... 06

2. DIODO DE JUNÇÃO ................................................................................ 11

4. TRANSITOR BIPOLAR DE JUNÇÃO (TBJ) ........................................... 41

5. AMPLIFICADORES DE POTÊNCIA ........................................................ 50

7. ELETRÔNICA DE POTÊNCIA ........... ..................................................... 56

9. CHAVES CONTROLÁVEIS ..................................................................... 68

10. UJT .......................................................................................................... 74

11. CIRCUITO INTEGRADO TCA 780/785 ....................................................... 81

12. RETIFICADORES .................................................................................. 95

13. INVERSORES ........................................................................................ 107

14. EXEMPLO DE APLICAÇÃO .................................................................. 120

15. EXERCÍCIOS E PROBLEMAS .............................................................. 131

REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS ............................................................ 142

“Muda a forma de trabalhar, agir, sentir, pensar na chamada sociedade do

O ingresso na sociedade da informação exige mudanças profundas em todos os

O SENAI, maior rede privada de educação profissional do país,sabe disso , e

Vivemos numa sociedade da informação. O conhecimento , na sua área

Isto porque, nos embates diários,instrutores e alunos , nas diversas oficinas e

Gerência de Educação e Tecnologia

1. FÍSICA DOS SEMICONDUTORES

Qualquer substância ou material conhecido pode ser subdividido em partes cada

A estas subdivisões da molécula deu-se o nome de ÁTOMO, palavra de origem

O átomo é formado por um grande número de partículas, dentre as quais,

- ELÉTRONS: parte do átomo com carga elétrica negativa (-).

Os prótons e os nêutrons constituem o chamado núcleo do átomo tendo em seu

É importante lembrar que somente a camada periférica de um átomo pode

Os elétrons que se encontram nesta camada periférica, são chamados de

ELÉTRON DE VALÊNCIA: elétrons da camada externa,

Quando um grupo de átomos esta disposto simetricamente entre si, um elétron de

LIGAÇÃO COVALENTE: união entre dois átomos

A partir desse conceito podemos então definir:

- CONDUTOR: material que possui grande quantidade de elétrons livres.

- ISOLANTE: material que possui pouca ou nenhuma quantidade de

- SEMICONDUTOR: existem certos materiais, com moléculas especiais,

O número de valência destes dois elementos equivale ao número ou quantidade

O Ge por problemas de limitações (temperatura) teve o seu uso abandonado e o

A rede cristalina se encontra sempre a uma temperatura acima do zero absoluto,

Aparece um movimento em ziguezague irregular desses elétrons, no qual, em

Existem, pois, com a introdução de calor, elétrons livres e lacunas de igual

1.2 DOPAGEM DE SEMICONDUTORES

Figura 01 – A estrutura do silício numa representação bidimensional.

Na aplicação da eletrônica, o material semicondutor é dopado, isto é,

A dopagem é um processo químico que tem por finalidade introduzir átomos

Dopagem em tipo N (cristal N)

Quando o processo de dopagem introduz na estrutura cristalina do Ge ou do Si

Dopagem em tipo P (cristal P)

A utilização de átomos com menos de quatro elétrons na última camada, originará

Nos elementos tipo N, os elétrons serão denominados portadores

Nos elementos tipo P, as lacunas serão denominadas portadores

O material N apresenta um grande número de elétrons e o material P um grande

Com o acúmulo de íons positivos de um dos lados da junção e negativos do outro,

Junção PN polarizada inversamente

A junção PN tem propriedades de retificadores, e se a conectamos a uma fonte

Como estes portadores se afastam da junção à largura da barreira de potencial é

Figura 05 – Junção PN polarizada inversamente