Manua - Eletronica de Potencia

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Módulo

11 Eletrónica de Potência
Curso Profissional de Técnico de
Eletrónica, Automação e Comando
– 2016/17

Professor: Eng.º Francisco Martins


Eletrónica de Potência [Módulo 11]

1. INTRODUÇÃO
A eletrónica de potência, embora tenha uma amplitude muito vasta, abrange no entanto
basicamente o estudo das transformações e controlo da energia elétrica através de sistemas
conversores estáticos.
Pode assim sintetizar-se
um sistema eletrónico de
potência em dois blocos básicos
(fig. 1):
 Circuito de
potência
 Circuito de
comando.

Enquanto o circuito de
potência estabelece a ligação
entre a potência fornecida ao
sistema e a potência disponível Figura 1 – Esquema de blocos de um sistema eletrónico de potência
(transformada), o circuito de
comando realiza o controlo dessa transformação ou conversão de energia, com potências reduzidas.
Na conceção de conversores de potência elétrica, assume grande importância o tirístor ou mais
concretamente o retificador controlado de silício SCR, na função básica de comutar, funcionando no
regime de "tudo ou nada":
 Bloqueado — não deixa passar corrente apesar das tensões por vezes elevadas
aplicadas aos seus terminais (impedância infinita).
 Desbloqueado — deixa passar corrente originando nos seus terminais uma tensão
quase desprezável (impedância nula).

2. TIRÍSTOR
2.1. CONSTITUIÇÃO E PRINCÍPIO DE FUNCIONAMENTO
O SCR é constituído por quatro camadas de silício dopadas alternadamente com impurezas do
tipo P e do tipo N (fig. 2).
Com polarização direta (UA > UK), apenas a
junção (U2) fica polarizada inversamente, pelo que a
única corrente que circula no dispositivo é a corrente
inversa de saturação. Aumentando o valor da tensão
de polarização até um determinado valor UBO, tensão
de avalancha, rutura ou de condução, a corrente
cresce de forma abrupta. Esta forma de estabelecer a
condução do tirístor não é aconselhável. O SCR, até ao
valor de tensão UBO, comporta-se como um circuito
aberto, isto é, encontra-se no chamado estado de
Figura 2 — a) Constituição interna do SCR
bloqueio direto e inverso. Se com polarização direta
b) Símbolo
introduzirmos uma corrente através do terminal de
porta (G), designado de elétrodo de comando, contribuir-se-á para aumentar o número de portadores
de carga que predominam nessa zona P e que, juntamente com o cátodo K, forma a junção (JK).
Desta forma, quando se aumenta a concentração de eletrões nessa zona, facilita-se a multiplicação
por avalancha, ao serem atraídos para o ânodo (fig. 3). Logicamente que para se aumentar a

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[MÓDULO 11] Eletrónica de Potência

concentração de eletrões na camada de controlo deve ligar-se a porta a um potencial positivo


relativamente ao cátodo. Assim, controlando a corrente que atravessa a junção JK, isto é, a corrente
de porta, consegue variar-se a tensão de disparo do tirístor, porque esta agora depende do número
de eletrões que percorrem a junção JK polarizada diretamente. Logo que o SCR dispara (entra em
condução), a porta deixa de exercer qualquer tipo de controlo sobre o tirístor. A tensão ânodo-cátodo
(UAK) cai para um valor próximo dos 0,8 V para SCR de média/baixa potência. Esta tensão designa-
se por UFT.
Nesta situação, a forma de cortar a condução do tirístor consiste em diminuir a corrente que o
percorre a um valor inferior à corrente de manutenção IH.

2.2. CARACTERÍSTICAS DOS TIRÍSTORES


As características dos tirístores podem dividir-se em três
tipos distintos:
 Características estáticas;
 Características de comando;
 Características dinâmicas.
As características estáticas e de comando referem-se
respetivamente ao comportamento da zona ânodo-cátodo e da
junção porta-cátodo.

Figura 3 — Princípio de
2.2.1. CARACTERÍSTICAS funcionamento do tirístor
ESTÁTICAS
As características estáticas dizem respeito aos valores que determinam as possibilidades de
um determinado tirístor. Normalmente, de todas as características estáticas fornecidas pelos
fabricantes, as que a seguir se indicam são suficientes para se determinar o tipo de SCR necessário
para uma determinada utilização:
 URWM – tensão inversa máxima
 UFDM – tensão anódica direta máxima
 UFT – queda de tensão direta
 IFAV e Ief – respetivamente corrente média e eficaz
 IFD – corrente direta de fuga
 IR – corrente inversa de fuga
 IH – corrente mínima de manutenção
 TF – temperatura de funcionamento
No gráfico (fig. 4), representam-se todos os
parâmetros referidos anteriormente, e que podem dar
uma ideia sobre o comportamento do tirístor. O ponto A
diz respeito a um possível ponto de trabalho, para se
indicar qual seria a corrente através do tirístor, assim
como a queda de tensão para uma determinada carga. Na
figura 5, podem verificar-se as relações de fase existentes
entre os diversos valores de tensão e corrente (valores
estáticos), assim como o comportamento do tirístor na
região de avalancha com uma tensão de alimentação
igual a UFDM. Durante o semiciclo negativo, a tensão de Figura 4 – Representação de tensões e
alimentação URWM aparece entre ânodo e cátodo. correntes num único gráfico

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Enquanto o tirístor conduz, também surge uma tensão


ânodo-cátodo UFT da ordem dos 0,8 V
Quando a tensão de alimentação é inferior a UFDM,
e na ausência de sinal de porta, a forma de onda ânodo-
cátodo do tirístor é idêntica à representada na figura 6,
sendo as correntes direta de fuga IFD e inversa de fuga IR
que percorrem o tirístor praticamente iguais e
independentes da tensão de alimentação, embora
dependentes da temperatura da junção.

2.2.2. CARACTERÍSTICAS DE
COMANDO
As características de controlo determinam as
propriedades do circuito de comando do tirístor,
utilizando-se também uma série de símbolos para as
correntes e tensões, tal como acontece nas Figura 5 – Tensões e correntes num
características estáticas: tirístor quando atinge a tensão de disparo
 UGFS – tensão direta máxima
 UGRS – tensão inversa máxima
 IGFS – valor máximo da corrente
 UGT – tensão porta-cátodo de disparo para
uma determinada tensão
 UGNTM – tensão residual máxima que não
provoca o disparo
 IGT – corrente de porta de disparo para uma
determinada tensão
 IGNTM – corrente residual máxima que não
provoca o disparo
 PGFS – potência máxima
 PGAV – potência média
Os fabricantes de tirístores indicam um conjunto de
famílias de características de controlo de forma a poder
escolher-se corretamente o circuito de disparo a utilizar.
Uma determinada família de características de controlo
apresenta:
Figura 6 – Tensões e correntes num
 Curva de dispersão;
tirístor sem atingir a tensão de disparo
 Limite máximo de potência;
 Zona de funcionamento mínimo.

2.2.2.1. CURVA DE DISPERSÃO


A curva de dispersão representa a zona na qual
qualquer tirístor pode ser disparado, pertencendo a curva
de dispersão da figura 7 à família de características de
controlo de um tirístor. Todos os pontos tensão-corrente
que saem fora da zona da curva a ponteado não serão
capazes de disparar o tirístor. Figura 7 — Curva de dispersão de uma
família de características de controlo de
um SCR

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[MÓDULO 11] Eletrónica de Potência

2.2.2.2. LIMITE MÁXIMO DE


POTÊNCIA
O limite máximo de potência corresponde aos valores
de potência situados fora da zona a ponteado (fig. 8), não
devendo a porta por isso trabalhar com valores que
correspondam a essa zona, porque corre-se o risco de
destruir a junção JK.

2.2.2.3. ZONA DE Figura 8 — Curva de limite máximo de


potência
FUNCIONAMENTO MÍNIMO
Dentro da zona de potência admissível, existe uma
zona em que o disparo do tirístor pode ser incerto, devendo
eliminar-se essa parte da curva a ponteado. Na figura 9,
representa-se essa zona para diferentes valores de
temperatura (T1, T2 e T3), sendo T1 > T2 > T3. Assim, por
exemplo, para se provocar o disparo do tirístor a uma
temperatura de 25 °C necessitar-se-á de uma corrent e de
porta maior do que à temperatura de 75 °C.
As curvas de dispersão, limite máximo de potência e
zona de funcionamento mínimo podem representar-se Figura 9 — Zona mínima de
simultaneamente no gráfico da figura 10, onde se podem funcionamento
verificar três zonas:
A — representa a zona onde não está garantido o
disparo do tirístor;
B — representa a zona de disparo seguro,
correspondendo por isso à área de trabalho da porta;
C — corresponde à zona de trabalho capaz de
conduzir o tirístor à destruição.
A figura 11 representa as características reais de porta
de um tirístor BT 102 / 500 R publicadas por Miniwatt.

Figura 10 — Característica de controlo

2.2.3. CARACTERÍSTICAS
DINÂMICAS
Os valores dos componentes inseridos num circuito com
tirístor dependem do comportamento deste em regime
transitório, pelo que é necessário conhecer os parâmetros que
indicam o seu funcionamento em regime dinâmico, como, por
exemplo, o seu comportamento em relação a tensões e a
impulsos transitórios de corrente. Uma das características
estáticas do tirístor é a tensão URWM. Os fabricantes, para
tempos de aplicação relativamente curtos, fornecem limites de
picos de tensão que o componente pode suportar sem se
deteriorar, o mesmo acontecendo com a corrente média de
regime (IFAV), em que os cristais podem resistir a valores de Figura 11 — Características reais
de porta de um tirístor

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corrente muito superiores durante curtos períodos de


tempo. Para cada tirístor ou família de tirístores, os
fabricantes publicam curvas que nos indicam o número
de ciclos de corrente sinusoidal que o dispositivo pode
suportar para uma determinada corrente de pico,
conforme se pode verificar na curva da figura 12,
respeitante ao tirístor BT 102 / 500 R.

2.2.3.1. ÂNGULO DE CONDUÇÃO


Se considerarmos que o tirístor se comporta como Figura 12 — Curva indicando a corrente de
um interruptor, então pode provocar-se a sua condução pico máxima admissível não repetitiva em
função do número de ciclos para uma
em qualquer instante, bastando para tal que a d.d.p. do
corrente sinusoidal
ânodo em relação ao cátodo seja positiva. Na figura 13
pode ver-se que, quanto maior for o ângulo de condução a (ângulo para o qual se inicia a condução)
do tirístor com uma carga fixa, maior será o valor médio da corrente IFAV. A potência dissipada no
cristal é variável e depende da corrente que o percorre, assim como do tempo de condução.

Figura 13 - a) Curva da potência no cristal em função de a e de IFAV


b) Curva que indica a temperatura que atinge o fundo da cápsula em função de a e de IFAV

2.2.3.2. CARACTERÍSTICAS DE
COMUTAÇÃO
As características de comutação pertencem às designadas
características dinâmicas e compreendem o tempo de disparo do
tirístor ton e o tempo de bloqueio toff.
Tempo de disparo: as características intrínsecas das
junções NP que formam o tirístor dão origem a um atraso t1 no
estabelecimento da corrente ânodo-cátodo quando se lhe aplica um
sinal de comando na porta (fig. 14). Ao tempo t1 junta-se ainda
outro tempo t2 (normalmente maior), desde o início da condução
até ao momento em que esta se completa. Geralmente o tempo t1
designa-se de tempo de atraso e compreende o tempo que decorre
desde que se aplica o sinal de comando à porta até que a tensão Figura 14 - Indicação do tempo
de disparo
ânodo-cátodo do tirístor desça para 90% do seu valor inicial.
O tempo t2 (tempo de subida) é o tempo que decorre desde o instante em que a tensão
ânodo-cátodo cai de 90% da tensão inicial para 10%, sendo diretamente proporcional ao valor da

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[MÓDULO 11] Eletrónica de Potência

corrente que circula no tirístor. O tempo de disparo resulta da soma respetivamente dos tempos de
atraso e de subida, sendo da ordem dos µs.
Tempo de bloqueio: a partir do momento em que o tirístor entra em condução, as suas
junções sofrem uma elevação de temperatura, e a característica de controlo da porta não recupera
imediatamente uma vez interrompida a corrente principal. O atraso da porta no restabelecimento do
controlo designa-se de tempo de bloqueio, sendo diretamente proporcional à temperatura das
junções e ao valor da corrente direta. A rapidez com que se aplica ao tirístor a tensão inversa de
bloqueio URWM, após um período de condução, contribui para diminuir o tempo de bloqueio (fig. 15).

Figura 15 — a) Variação do tempo de bloqueio em função da temperatura das junções e


da tensão inversa URWM b) Variação do tempo de bloqueio em função da corrente direta

Como a corrente através do tirístor não se estabelece simultaneamente, senão por zonas
dentro da sua estrutura cristalina, então, se a velocidade de crescimento da corrente (∆i/dt) for
demasiado rápida, podem originar-se densidades elevadas de corrente em determinadas zonas das
junções, com a destruição desses locais e consequentemente a inutilização do componente. Por sua
vez, um aumento excessivo da tensão ânodo-cátodo pode provocar a condução do tirístor sem que
seja aplicado o sinal de controlo na porta, designando-se por ∆v/dt a velocidade de crescimento da
tensão direta aplicada ao tirístor. A expressão ∆v/∆t também é conhecida por fator de comutação,
sendo os valores usuais deste parâmetro da ordem dos 100 V/µs, embora se possam obter tirístores
com ∆v/∆t da ordem dos 250 a 300 V/µs.

2.3. OBTENÇÃO DAS CARACTERÍSTICAS DOS TIRÍSTORES


O comportamento de um SCR determina-se através do conhecimento das seguintes
características:
 Características ânodo-cátodo
 Características porta-cátodo
 Característica de condução
 Característica de comutação.

2.3.1. CARACTERÍSTICAS ÂNODO-CÁTODO


As características ânodo-cátodo dividem-se, respetivamente, em características diretas e
inversas. Com elas podem obter-se os valores dos parâmetros: UFD ; UFT ; URWM ; IFAV ; IH ; IFD e IR.

2.3.1.1. CARACTERÍSTICA DIRECTA


A figura 16 representa o circuito para a obtenção da característica direta ânodo-cátodo, assim
como a representação gráfica dessa curva. A porta encontra-se em circuito aberto, pelo que não
exerce nenhum controlo, enquanto a resistência R serve apenas para limitar a corrente no tirístor
quando se produz o seu basculamento. Partindo-se de zero da tensão de alimentação, podemos
obter todos os valores da queda de tensão direta UFD, antes da comutação do SCR, assim como os

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seus correspondentes valores de corrente de fuga direta IFD, incluindo a tensão UFDM (tensão que
produz a comutação sem necessidade de sinal de porta). Após o estabelecimento da condução, é
possível determinar a queda de tensão direta UFT para qualquer corrente direta IFAV. Se diminuirmos
gradualmente a tensão de alimentação UBB e portanto a corrente direta IFAV até ao instante em que se
dá o bloqueio, pode-mos ainda obter a corrente mínima de manutenção IH, que será a corrente
indicada pelo amperímetro no momento do bloqueio.

Figura 16 — a) Circuito para a obtenção da característica direta ânodo-cátodo do tirístor


b) Característica direta

2.3.1.2. CARACTERÍSTICA INVERSA


A característica inversa (fig. 17) obtém-se a partir do circuito
anterior (fig. 16), desde que se inverta a polaridade da fonte de
alimentação UBB. Verifica-se que a partir de um determinado valor
de UR a corrente IR cresce rapidamente, pelo que a continuação do
seu aumento pode levar o tirístor à região de avalancha.

2.3.2. CARACTERÍSTICAS PORTA-


Figura 17 — Característica
CÁTODO inversa ânodo-cátodo do tirístor

Também as características porta-cátodo podem ser diretas


e inversas. Com o circuito da figura 18 podemos determinar a
característica direta de porta, enquanto que para a característica
inversa bastará invertermos a polaridade da fonte de alimentação
UPP. O andamento das curvas é idêntico ao obtido para as
características direta e inversa de um díodo, com a diferença de
que a junção porta-cátodo de um SCR apresenta correntes de
fuga relativamente mais elevadas.

2.3.3. CARACTERÍSTICA DE
Figura 18 — Circuito para
CONDUÇÃO (DISPARO) obtenção da característica direta
de porta do SCR
A característica de disparo permite determinar os valores de
tensão e corrente necessários para se produzir o disparo do tirístor para diferentes valores de tensão
ânodo-cátodo (fig. 19-a).
Para se obter esta característica, parte-se de uma tensão fixa ânodo-cátodo através de UBB,
procedendo-se em seguida ao aumento de Upp até ao instante em que se produza a comutação do
tirístor. Repetindo a operação para diferentes valores de tensão ânodo-cátodo, obtém-se uma família

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[MÓDULO 11] Eletrónica de Potência

de curvas com andamento idêntico ao representado (fig. 19-b), podendo verificar-se que a partir de
um certo valor da corrente de porta o SCR se comporta como um díodo.

Figura 19 — a) Circuito para a obtenção da característica de disparo do SCR b)


Família de curvas características de disparo de um SCR

2.3.4. CARACTERÍSTICA DE COMUTAÇÃO


A característica de comutação refere-se aos tempos de disparo (ton) e de bloqueio (toff),
obtendo-se através de um circuito idêntico ao da figura 20.
A sua observação pode ser feita através de um osciloscópio ligado entre o ânodo e o cátodo.
As resistências R1 e R2 têm a função de limitar respetivamente a corrente direta através do tirístor e a
corrente inversa quando se lhe aplica a carga do condensador C.
O funcionamento do circuito é basicamente o seguinte:
 Com os interruptores I e P abertos, o tirístor encontra-se no estado de bloqueio, com a
tensão da fonte UBB aplicada diretamente aos terminais de ânodo e cátodo. O
osciloscópio indicará a tensão UFD. Premindo o interruptor P, o tirístor entrará em
condução, passando a tensão entre ânodo-cátodo para UFT, ficando o condensador
carregado. O tempo que o tirístor demora a passar do valor UFD a UFT será o tempo de
comutação (ton).
 Fechando-se o interruptor I, o condensador C aplica ao tirístor uma tensão de
polaridade contrária e aproximadamente do mesmo valor da tensão de alimentação,
anulando consequentemente a corrente de circulação, isto é, passa ao estado de
bloqueio. O tempo decorrido desde o instante em que se fecha I até que a tensão aos
terminais do tirístor volte a ser zero designa-se de tempo de bloqueio (toff).

Figura 20 — a) Circuito para a determinação dos tempos de comutação e de bloqueio b)


Aspeto da curva visualizada no osciloscópio

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3. TRIAC
3.1. INTRODUÇÃO
O triac, tal como o tirístor, é um elemento para o controlo da potência e que uma vez disparado
mantém-se no estado de condução até ao momento em que a tensão aos seus terminais de potência
seja praticamente nula. Permite o controlo de onda completa, apresentando como grande vantagem
relativamente ao tirístor o facto de poder ser disparado também nos semiciclos negativos. O disparo
do triac pode ser efetuado através de sinais uni e bidirecionais aplicados à porta, sendo a corrente
necessária para produzir a comutação superior à que efetua a comutação do tirístor ( ≅ 2 a 4 vezes
superior).

3.2. CONSTITUIÇÃO E PRINCÍPIO DE FUNCIONAMENTO


A figura 21 representa a estrutura interna de um triac, formada por seis camadas de
semicondutor. Os elétrodos aos quais se aplica a tensão principal denominam-se ânodo 2 (E1) ou
terminal 2 e ânodo 1 (E1) ou terminal 1. O elétrodo de controlo designa-se de porta (G).

Figura 21— Triac a) Estrutura interna b) Símbolo

Se dividirmos a estrutura interna de um triac segundo um eixo vertical (fig. 21), obteremos os
dois tirístores que o formam:
P2 — N2 — P1 — N1, para tensões de A2 positivas em relação a A1;
P1 — N2 — P2 — N3, para tensões de A2 negativas em relação a A1.
N4 e P1 formam a porta para as distintas polaridades deste terminal.

Polarizando-se o triac com uma tensão positiva em E2


relativamente a E1 com o terminal de porta sem ligar, e
aumentarmos o valor desta polarização, obter-se-á uma curva
característica idêntica à do tirístor em polarização direta.
Invertendo-se o sentido da polarização, então observar-se-á
uma curva simétrica da anterior em relação à origem (fig. 22).
Este método de disparo não é recomendável, devendo aplicar-
se um sinal de disparo adequado à porta.
O disparo do triac pode assim ser conseguido tanto com
o terminal E1 positivo em relação a E2 como na situação
Figura 22 — Característica estática
inversa, e com sinais positivos ou negativos de porta. Por este do triac
facto, o triac pode se disparado nos quadrantes I e III (fig. 22).

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[MÓDULO 11] Eletrónica de Potência

Assim, os métodos de disparo de um triac podem ser:


a) Terminal E2 positivo em relação a E1 e porta G positiva (disparo no quadrante I).
b) Terminal E2 positivo em relação a E1 e porta G negativa (disparo no quadrante I).
c) Terminal E2 negativo em relação a E1 e porta G positiva (disparo no quadrante III).
d) Terminal E2 negativo em relação a E1 e porta G negativa (disparo no quadrante III).

3.3. CARACTERÍSTICAS DOS TRIACS


As características do triac podem dividir-se, tal como no tirístor, em três grupos diferentes:
 Características estáticas (correspondentes ao comportamento da zona E1 - E2).
 Características de comando (correspondentes à zona E1 - porta).
 Características dinâmicas.

3.3.1. CARACTERÍSTICAS ESTÁTICAS


As características estáticas correspondem aos valores que determinam as possibilidades
máximas de um determinado triac, pelo que, na escolha deste
componente, as suas caraterísticas estáticas devem ser
superiores aos requisitos de tensão e corrente que o triac deve
cumprir. O triac apresenta os mesmos símbolos designativos
do tirístor para os valores de tensão e corrente, exceto o valor
de URWM (tensão inversa máxima) que não se considera neste
componente, pelo facto de conduzir nos dois sentidos, embora
se considere a tensão de inversão (UBO) entre E1 e E2 que
provoca o basculamento do dispositivo sem necessidade de
aplicação de sinal de porta.
No triac também não existe a corrente inversa de fuga Figura 23 — Representação dos
parâmetros das características
(IR), mas sim a corrente direta de fuga com sinal positivo ou
estáticas de um triac num único
negativo. O gráfico da figura 23 exemplifica uma forma prática gráfico (1.° e 3.° quadrantes)
de representar os parâmetros das características estáticas.

3.3.2. CARACTERÍSTICAS DE
COMANDO
Tal como no tirístor, estas características determinam as
propriedades do circuito de controlo do dispositivo,
especificando ainda os valores máximos de tensão-corrente de
porta que não podem ser superados, bem como os limites
mínimos de tensão e corrente que garantem o disparo de todos
os dispositivos pertencentes a uma mesma família. O gráfico
da figura 24 representa os parâmetros das características de
comando de um determinado triac (os sinais da tensão de
porta são relativos ao terminal E1).

Figura 24 — Representação dos


parâmetros das características de
comando

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Eletrónica de Potência [Módulo 11]

3.3.3. CARACTERÍSTICAS DINÂMICAS


O comportamento de um triac relativamente às tensões e correntes é análogo ao de um tirístor,
podendo verificar-se na figura 25a (curva que indica, para um determinado triac, a variação da
corrente admissível em função do tempo de duração de uma onda sinusoidal), que o valor da
corrente se pode exprimir em valores eficazes em vez de valores de pico, devido a que o triac pode
conduzir durante os semiciclos de uma corrente sinusoidal. Uma curva do género para o tirístor
expressa-se em valores de pico.

Figura 25a — Gráfico de variação da Figura 25b — Circuito para a obtenção


corrente admissível em função do tempo das características estáticas do triac no
de duração para uma determinada onda 1.° quadrante
sinusoidal (triac BTX 94/700)

3.4. DETERMINAÇÃO DAS CARACTERÍSTICAS DOS TRIACS


A forma de se obterem as características de um triac é idêntica à referida para um tirístor,
apenas com a diferença de que não se trata de características ânodo-cátodo, mas sim de
características E1-E2. A característica estática de um triac no 1.° quad rante pode ser conseguida
através do circuito de montagem (fig. 25), bastando depois inverter a polaridade da fonte de
alimentação para se determinar a mesma característica no 3.° quadrante.
As características de porta de um triac não se designam de porta-cátodo, mas sim porta-
terminal E1. Tendo em consideração a especial estrutura de um triac, para qualquer polaridade de
porta relativamente a E1, a característica resultante é semelhante à característica direta de um díodo
normal. A característica de disparo obtém-se nos quadrantes I e III. Em cada quadrante podem
construir-se também duas características de disparo:
 uma correspondente ao controlo positivo da
porta;
 outra correspondente ao controlo negativo
da porta.
A figura 26 representa a característica de disparo de
um triac para tensões negativas de porta. É de salientar
no entanto que para tensões de porta suficientemente
elevadas o triac comporta-se como um interruptor de
muito baixa resistência interna.

Figura 26 — Característica de disparo de


um triac

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[MÓDULO 11] Eletrónica de Potência

4. ELEMENTOS DE CONTROLO
4.1. INTRODUÇÃO
O controlo ou regulação da potência fornecida a uma carga através de um tirístor consegue-se
através do comando deste por variação do ângulo de condução, isto é, retardando o instante de
disparo mediante um circuito desfasador RC (por exemplo: por meio de um oscilador de relaxação
utilizando transístores UJT ou PUT). Este processo regulador da potência pode ser utilizado em
todas as aplicações que, de uma forma geral, requeiram o controlo da potência, tais como:
 Controlo da temperatura;
 Arranque de motores;
 Controlo da velocidade de motores.
O ângulo α para o qual se inicia a condução denomina-se de ângulo de disparo, enquanto o
ângulo θ durante o qual o tirístor se encontra em condução se designa de ângulo de condução.

4.2. CONTROLO ATRAVÉS DE REDES RC (COM CIRCUITO


DESFASADOR RC)
A forma mais simples de disparo de um tirístor ou de um triac é através da corrente contínua
(fig. 27). Por meio do potenciómetro P, regula-se a tensão contínua aplicada à porta e o ângulo de
condução do tirístor. Para além do facto de a porta permanecer constantemente a consumir energia,
este processo apresenta o grande inconveniente do controlo só se poder realizar desde 0° a 90°. Se
se ajustasse o controlo de disparo para que o tirístor basculasse a uma tensão instantânea ui, menor
que a tensão máxima u0 de alimentação, correspondente a um ângulo compreendido entre 90° e
180°, o tirístor comutaria logo ao mesmo valor inst antâneo ui, mas para um ângulo compreendido
entre os 0° e 90°, quer dizer, antes de atingir o v alor máximo u0 (fig. 28).

Figura 27 — Controlo de um tirístor através de corrente contínua

Para se evitar o problema resultante


do controlo com corrente contínua, de não
se poder controlar completamente o
ângulo de condução, pode recorrer-se ao
controlo horizontal ou ao controlo vertical
por meio da corrente alternada.
Figura 28 - Zona de controlo por meio de corrente
contínua

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Eletrónica de Potência [Módulo 11]

4.2.1. CONTROLO HORIZONTAL


Este tipo de controlo consiste em fazer variar o instante t em que a tensão de saída de um
circuito desfasador passa a ser positiva (fig. 29). Consegue-se através da variação de R do circuito
típico de utilização deste controlo (fig. 30).

Figura 29 - Princípio de funcionamento do controlo horizontal

Figura 30 - Circuito típico de controlo


horizontal de um tirístor

Figura 31 — Oscilogramas do circuito da figura 30

A tensão de saída do circuito desfasador será de fase variável e regulável pelo potenciómetro
R. Consegue-se variar o instante em que a tensão aplicada à porta passa de zero a positiva, que
será precisamente o momento em que o tirístor comuta (fig. 31).

4.2.2. CONTROLO VERTICAL


O princípio de funcionamento do controlo vertical (fig. 32) consiste em aplicar ao circuito de
comando do tirístor um sinal
alternado desfasado de 90°,
atrasado em relação à tensão
de alimentação do tirístor
(ânodo-cátodo), e que além
disso está sobreposta a uma
tensão contínua regulável.
Desta forma, consegue-
se variar também o instante
em que a tensão aplicada à
porta passa de zero a positiva,
momento no qual se produzirá Figura 32 — Princípio de funcionamento do controlo vertical

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[MÓDULO 11] Eletrónica de Potência

o basculamento do tirístor.
A figura 33 representa um circuito típico de utilização do controlo vertical. Neste caso, a
resistência do circuito desfasador não é variável, já que se ajusta para um valor fixo de 90°. A
variação do ãngulo de disparo consegue-se através da variação de U, podendo observar-se (fig. 34)
os oscilogramas correspondentes.

Figura 34 — Oscilogramas
Figura 33 — Circuito típico de correspondentes ao circuito da
controlo vertical de um tirístor figura 33

4.3. CONTROLO ATRAVÉS DE ELEMENTOS SEMICONDUTORES


4.3.1. DIAC
O diac (diode alternative current) é um dispositivo bidireccional (não tem polaridade). A sua
estrutura (fig. 35) é semelhante à de um triac, embora sem a camada semicondutora (tipo N) de porta
do triac. Se dividirmos a sua
estrutura segundo um eixo
vertical, também se podem
observar os dois tirístores que o
compõem:

P2-N2-P1-N1 para U21 > 0


P1-N2-P2-N3 para U21 <0

Na sua curva caracte-


rística (fig. 36) tensão-corrente,
pode verificar-se que quando a Figura 35 — Diac a) Estrutura interna b) Símbolo
d.d.p. aplicada aos seus
terminais atinge um determinado valor (UBO ou -UBO), que pode
ser aproximadamente 30 V, o diac entra em condução,
passando por uma zona de resistência negativa a outra de
baixa resistência positiva. O diac, após entrar em condução, a
tensão aos seus terminais passa para um valor aproximado dos
24 V. A sua utilização permite a realização de circuitos de
controlo simples, como é o caso do circuito da figura 37, que
corresponde ao controlo de um triac através de um diac. O
condensador C vai-se carregando através da resistência R até
se atingir uma tensão suficiente capaz de disparar o diac.
Nesse momento, o condensador descarrega-se através do diac
sobre a porta do triac, que por sua vez dispara. O ciclo de carga Figura 36 - Curva característica de
e descarga do condensador repete-se em cada semiperíodo da um diac

14

Página
Eletrónica de Potência [Módulo 11]

tensão de alimentação, sendo o momento de disparo controlado


através da constante de tempo RC, que é variável através de R.

4.3.2. Transístor UJT


O transístor UJT (transístor unijunção) é constituído por uma
barra de silício tipo N em cujos extremos se obtêm os terminais Figura 37 - Controlo de um triac
base 2 (B2) e base 1 (B1). Esta barra de silício inclui uma através de um diac
determinada dopagem característica, que lhe proporciona uma
resistência, designada de resistência interbases (RBB). Num ponto da barra mais próximo do terminal
B2 (fig. 38) encontra-se incrustado um material tipo P que forma uma junção PN com a barra, dando
origem ao terminal de emissor (E). Tendo em atenção a zona de intersecção do material tipo P com a
barra, então podemos considerar um divisor de tensão sobre a resistência RBB, formado pelas zonas
correspondentes da barra N compreendidas entre B2 - E e E - B1. Estas resistências assim obtidas
designam-se respetivamente de RB1 e RB2. A relação existente entre estas resistências é de grande
importância e define o parâmetro "η" como:
 
η= =
  + 

O parâmetro "η" depende principalmente do processo de fabrico, do grau de dopagem utilizado


e da geometria do elemento, sendo indicado pelo fabricante nos manuais caraterísticos.
A forma mais habitual de se
polarizar um UJT é através de
duas fontes de alimentação,
sendo UBB a que polariza as
bases e UEE a junção E - B,
(fig. 39). Se inicialmente
colocarmos UBB = 0, o
potenciómetro no seu valor
mínimo e aumentarmos Figura 38 — Transístor UJT a) Estrutura física b) Circuito equivalente
progressivamente a tensão c) Símbolo mais comum
UEE, a junção E - B1 comporta-
se como um díodo polarizado diretamente. O funcionamento difere substancialmente quando UBB é
diferente de zero. Neste caso, e para uma tensão de UEE = 0, circulará na barra de silício uma
corrente de tal valor que no cátodo do díodo se obterá uma tensão:

 =  = η 
 + 

Nesta situação, a junção PN fica polarizada


inversamente, circulando uma corrente inversa de emissor.
Consoante aumenta a tensão UEE, assim diminui a
polarização inversa do díodo e consequentemente a
corrente de emissor, até se atingir um ponto em que não
circula corrente. Esta tensão UEE terá valor igual a UK.
Continuando-se a aumentar a tensão UEE, o díodo
fica polarizado diretamente, começando a circular uma Figura 39 — Circuito para a obtenção
corrente de emissor. Quando a tensão UEE atinge o valor de das características do UJT
UK + 0,7 V, o emissor injeta portadores na região N do díodo, variando a resistência RB1, pelo que
esta diminui de valor até ficar praticamente nulo. Nesse instante, a tensão UEB1 cai bruscamente,
aumentando I, proporcionalmente, produzindo-se então o disparo do UJT.

15
[MÓDULO 11] Eletrónica de Potência

A tensão UEB1 correspondente ao disparo do componente designa-se de tensão de pico (Up) e


apresenta o seguinte valor:

= η .  + 0,7

A partir da expressão anterior, pode deduzir-se que a tensão de disparo do UJT depende da
tensão de alimentação UBB, pelo que variando esta
variamos também a tensão de pico. No gráfico (fig. 40),
pode observar-se o ponto de pico do UJT para uma dada
tensão de UBB, representando as linhas a tracejado o
disparo do dispositivo. Esta zona designa-se de resistência
negativa. No transístor em condução, se se aumentar o
valor de P a corrente IE diminui gradualmente, mantendo-
se praticamente constante a tensão UEB, até se atingir um
ponto de P que origina uma corrente IE inferior à corrente
Iv (corrente de vale), iniciando-se o estado de bloqueio do
UJT, aumentando UBE1 e diminuindo IE até ao valor da Figura 40 — Curvas características do
corrente de fuga do díodo. UJT

4.3.3. TRANSÍSTOR DE JUNÇÃO PROGRAMÁVEL


O transístor de junção programável (PUT), também designado de comutador controlado de
silício, é um componente cujo comportamento é idêntico ao UJT, com a diferença de que a relação η
se pode programar através de
um divisor de tensão externo.
Embora se conheça como
transístor, a sua estrutura é a de
um tirístor em que o terminal de
porta G se obtém do lado do
ânodo em vez do lado do cátodo
(fig. 41).
A forma habitual de se
polarizar o PUT é a indicada na
fig. 42-a), na qual o divisor de
tensão de porta é formado por Figura 41 — Transístor PUT a) Estrutura interna b) Símbolo
R1 e P Por aplicação do teorema
de Thévenin ao terminal de porta, obtém-se o circuito equivalente (fig. 42-b), em que:
  . 
 = .   =
 +   + 

Enquanto a tensão UAA


permanecer inferior a uma
determinada tensão de Us, a
corrente de ânodo IA será
praticamente insignificante,
estando o PUT no estado de
bloqueio. Se, por sua vez, a
tensão UAA superar Us de um
certo valor (tensão de offset —
Uoffset), processa-se uma injeção Figura 42 — Polarização do PUT a) Circuito completo b) Circuito
de portadores de carga no díodo equivalente

16

Página
Eletrónica de Potência [Módulo 11]

formado por A e GA, dando lugar a um efeito de avalancha


que provoca o disparo do PUT. O valor de UAK necessário
para provocar esse disparo designa-se de tensão de pico (Up),
por analogia com o UJT. A corrente IGA0 (fig. 43) representa a
corrente inversa da junção ânodo-porta com o terminal de
cátodo aberto.

4.3.4. TRIAC CONTROLADO POR


CIRCUITO INTEGRADO Figura 43 — Curva característica do
PUT para determinados valores de
Us e Rg
4.3.4.1. INTRODUÇÃO
O triac é utilizado principalmente como regulador da potência média fornecida a uma carga.
Contudo devido às suas características de condução bidireccional, só será vantajoso em relação ao
tirístor nas cargas que não necessitam da rectificação da corrente alternada (tais como: lâmpadas,
radiadores eléctricos, e em todos os casos que não possam ser controlados através da corrente
contínua, por exemplo, motores).
O controlo da potência fornecida à carga, tal como no tirístor, pode ser efectuado por variação
do ângulo de condução.
Embora o diac seja o elemento quase ideal para o controlo do triac, no entanto quando se
necessita de um controlo preciso, assim como a eliminação dos ruídos gerados pela comutação
(passagem do estado de bloqueio à condução e vice-versa), em vez de se utilizarem componentes
discretos, podem utilizar-se circuitos integrados já desenvolvidos actualmente para o efeito, como é o
caso do CI TDA 1024.
O CI TDA 1024 é utilizado como controlador de triacs ou tirístores em aplicações de "tudo ou
nada" e com cargas puramente resistivas.

4.3.4.2. CI TDA 1024


O CI TDA 1024 é um circuito integrado monolítico com encapsulamento DIL de 8 pinos (fig.
44), o qual incorpora as seguintes funções:

Figura 44 — Diagrama de blocos do TDA 1024

17
[MÓDULO 11] Eletrónica de Potência

 Uma fonte de alimentação de c.c. a partir da tensão da rede com limitador de zéner de tensão
nominal de 6,5 V e uma corrente superior a 30 mA, para alimentar a ponte em que se insere o
elemento sensor e o próprio circuito integrado.
 Um comparador com histerese variável, baseado num disparador Trigger-Schmitt, que
compara uma entrada de controlo proveniente do circuito sensor e uma tensão de referência
mostrada a partir da tensão de controlo procedente do pino 8. A tensão de histerese pode
variar entre 20 e 300 mV, por meio de uma resistência externa a ligar com o pino 3.
 Buffer incorporado entre a entrada de controlo e o comparador, apresentando elevada
impedância de entrada e uma baixa impedância de saída, conseguindo que a histerese do
circuito seja independente das variações da tensão de entrada.
 Detector de passagem por zero, que activa a sua saída quando a tensão aplicada ao pino 6
atinge o valor zero. A função deste circuito é proporcionar o disparo do triac quando for
solicitado, desde o instante da passagem por zero da sinusóide de entrada, obtendo-se com
isso dois efeitos:
o disparar o triac no momento em que é necessário comutar uma corrente de baixo
valor;
o induzir menores interferências da rede e de outros circuitos, devido ao valor reduzido
da corrente comutada.
 Circuito de controlo de porta que activa a saída do integrado quando o detector de passagem
por zero e a saída do comparador coincidem no seu nível activo.
 Etapa de saída que fornece o sinal de disparo ao triac.

Pelo facto de a aplicação do CI TDA 1024 ser limitada a cargas resistivas, utiliza-se
nomeadamente em situações de controlo de sistemas de acender/apagar (iluminação), circuitos de
aquecimento ou controlo de temperaturas em geral.

4.4. OSCILADORES DE RELAXAÇÃO


4.4.1. OSCILADOR DE RELAXAÇÃO COM UJT
Na figura 45, representa-se um circuito típico de oscilador de relaxação com UJT, sendo a
função da resistência R2 estabilizar termicamente o transístor. Quando se alimenta o circuito, o
condensador C carrega-se através de R1 + P com uma velocidade determinada pela constante de
tempo τ desses elementos (τ = RC), obedecendo à seguinte equação já conhecida:
 =  (1 −  /τ )

Decorrido um certo tempo t, a tensão aos terminais do condensador UC será igual à tensão de
pico do UJT, pelo que este entrará em condução, dando origem a uma corrente de emissor IE e
provocando a descarga do condensador através de R3. Na saída surgirá um impulso de tensão U02.
Através da expressão de carga do condensador, pode determinar-se o tempo ts que o
condensador demora a atingir a tensão Up:

 = −( + ). .  ! (1 − " ⁄ )$

Como o que se pretende é um circuito em que o flanco de subida do sinal em dente de serra
dure um determinado tempo ts, então bastará fixar o valor de um dos componentes (normalmente o
de C) para se obter o outro valor (R1 + P), através da expressão:

 +  = − /.  ! (1 − " ⁄ )$

18

Página
Eletrónica de Potência [Módulo 11]

Figura 45 - a) Circuito oscilador de relaxação com UJT b) Formas de onda do circuito


de relaxação

Conforme se vai descarregando C, o valor da corrente Ie vai baixando. Atingindo um valor


inferior a Iv, o UJT passa ao estado de bloqueio, iniciando-se um novo ciclo. O tempo tb durante o
qual se descarrega C obtém-se da expressão de descarga de um condensador através de uma
resistência:
% = &'( .  /τ

Substituindo-se Uc por Up e se a descarga se verificar até à tensão de vale (Uv) do UJT, então a
expressão anterior tomará a seguinte forma:
% = 
.  /τ

Por outro lado, a tensão U„ corresponde ao início da condução de um díodo polarizado


directamente. Admitindo Uv = 0,7 V, então:
0,7 = 
.  /τ

Sendo: τ = R3.C
Então: ) = −*+ . . , ! 0,7 −  ! 
-.

Considerando-se que o período T da onda de saída é a soma de ts e tb, e que o valor de tb é


desprezável face ao valor de ts, obtém-se a frequência de oscilação do circuito:

1 1
/= ≅
0 

Não considerando o valor de 0,7 V, então Up ≅ η . UBB.


Por substituição de Up na expressão:  = −( + ). .  ! (1 − " ⁄ )$ e aplicando as
propriedades logarítmicas, a expressão da frequência aproximada de oscilação será:

1 1
/≅ ≅
 2( + ). .  1
 ! 31 − η45

19
[MÓDULO 11] Eletrónica de Potência

Exercício
1) Utilizando um UJT (por exemplo, 2N2646), estabeleça um circuito oscilador de relaxação, de
frequência 200 Hz para disparar um SCR (por exemplo, do tipo TIP 106), a partir de uma
resistência RB1 = 33 Ω, sendo conhecidos os seguintes valores:
Transístor unijunção:
• Relação interbases mín. = 0,56 máx. = 0,75
• Resistência interbases RBB: mín. = 4,7 KΩ máx. = 9,1 KΩ
• Máxima intensidade de pico Ip: típico = 1 µA máx. = 5 µA
• Máxima intensidade de vale: Iv: típico = 6 mA mín. = 4 mA
Tirístor:
• Tensão porta-cátodo de disparo UGT = 1 V, para uma UD determinada.
• Tensão de porta que não provoca o disparo UGD = 0,2 V, para UDRM máx. a uma
temperatura determinada.
A tensão de polarização UBB do circuito é de 20 V

4.4.2. OSCILADOR DE RELAXAÇÃO COM PUT


O circuito oscilador típico com PUT (fig. 47) é muito
semelhante ao oscilador visto anteriormente com UJT,
apresentando como única diferença o divisor de tensão
formado por R3 e P e que permite programar a tensão de
disparo, sendo portanto a forma das ondas das tensões
de saída do circuito também muito idênticas.
Quando se alimenta o circuito, o terminal de porta
fica sujeito a uma tensão determinada por R3 e P, de
valor igual:

 = 66
(+ + )

Por outro lado, o condensador C começa a


Figura 47 - Oscilador de relaxação com
carregar através de R1, ficando os seus terminais sujeitos PUT
a uma d.d.p. de:
 = 66 . ,1 −  7/τ -

A carga do condensador continua até ao momento em que a tensão UC iguala a tensão Up,
instante em que se produz o disparo do PUT e consequentemente a descarga do condensador.
Como Up é igual à soma de Uoffset com Us, e como na maioria das situações Uoffset é de um valor
suficientemente pequeno, pode-se desprezá-lo, pelo que:
 = 66 . ,1 −  7/τ -

O tempo necessário para que o condensador atinja a tensão Us será igual a:


 = − . .  ! (1 −  ⁄66 )
Ou
 = − . .  ! (1 − ⁄(+ + ))

Da expressão anterior, pode concluir-se que o tempo ts é independente da tensão de


alimentação, dependendo apenas da constante de tempo e do divisor de tensão formado por R3 e P.

20

Página
Eletrónica de Potência [Módulo 11]

Assim, se pretendermos conceber um oscilador para um certo tempo ts, bastará fixar um valor
de C e determinar o valor de R1 em função do condensador. O PUT uma vez em condução provoca a
descarga do condensador C através de R2, até ao instante em que a corrente IA (intensidade média
máxima de ânodo) baixa a um valor inferior a Iv (corrente de vale), momento em que se inicia um
novo ciclo. Considerando-se que a tensão obtida pelo condensador C no momento de disparo do
PUT é igual a Us, e que no instante do bloqueio a tensão U, é igual a UAK (tensão ânodo-cátodo em
condução), então:
6 =  .  7⁄8

Como o valor de UAK é um dado fornecido pelo fabricante, sendo para o caso de um BRY 56 de
1,4 V, o tempo que demora a produzir-se a descarga será:
) = − . . (1,4 :; −  . :;

O tempo total do impulso dente de serra será:


0 =  + )

Se o valor de R2 for muito pequeno relativamente a R1, podemos desprezar o tempo tb, pelo
que, como consequência, a frequência de oscilação do circuito será:
1 1
/= ≅
0 

Exercício
2) Do manual de características do PUT (por exemplo, 2N60289), retiram-se os seguintes
parâmetros:
Us = 10 V
RG = 10 kΩ
Máxima intensidade de pico Ip: típico = 0,7 µA
máx. = 1 µA
Máxima intensidade de vale: Iv: típico = 270 µA
mín. = 25 µA
Sabendo que UBB = 20 V, C = 0,01 µF e RS = 100 Ω, calcule para uma frequência de
oscilação de 100 Hz:
a) RB1 e RB2;
b) Up;
c) Os valores máximo e mínimo de RT supondo Uv = 1 V;
d) O valor de RT para a frequência pretendida;
e) As formas de onda de UA, UG e UK.

5. MÉTODOS DE COMUTAÇÃO
5.1. INTRODUÇÃO
Na conceção de um circuito rectificador controlado com tirístor, além da importância que tem o
conhecimento da maneira como se estabelecem as condições para o início de condução do tirístor, é
também necessário saber-se de que forma se faz cessar essa condução e como se pode passar ao
estado de bloqueio.
As condições para que um tirístor passe ao estado de bloqueio são as seguintes:

21
[MÓDULO 11] Eletrónica de Potência

 que a intensidade de corrente de condução baixe a um valor inferior ao da corrente


mínima de manutenção (IH). Bloqueio por extinção natural;
 por inversão da tensão ânodo-cátodo, também designada por comutação.
A comutação do estado de condução ao estado de bloqueio pode ser feita através de dois
processos principais:
 comutação natural;
 comutação forçada.

5.2. COMUTAÇÃO NATURAL


Um tirístor dispara quando, tendo uma tensão suficiente entre ânodo-cátodo, recebe um
impulso através do terminal de porta de valor e duração adequados. Por sua vez, a corrente pode ser
interrompida através de um interruptor em série (fig. 49-a) ou através de um interruptor em paralelo
(fig. 49-b).
No caso do interruptor em série, este
só se abrirá durante o tempo necessário
para que se produza a extinção no tirístor,
permanecendo fechado quer durante o
tempo de condução quer durante o de
bloqueio. A sua função não é a de ligar ou Figura 49 — a) Disparo mediante interruptor em série b)
Disparo mediante interruptor em paralelo
desligar a carga da fonte de alimentação.
No caso do interruptor em paralelo, só se fechará para provocar um curto-circuito no tirístor
(entre ânodo e cátodo), desviando a corrente do tirístor e provocando assim a extinção natural deste.
O interruptor permanecerá aberto durante o período de tempo referente à condução.
Esta forma de comutação (interruptor mecânico) é pouco utilizada na prática, devido à
impossibilidade de se conseguirem operações de fecho e abertura com a suficiente rapidez. Assim, o
aumento da velocidade de crescimento da tensão direta (∆U/∆t) pode levar o tirístor a conduzir
mesmo sem tensão de porta, limitando-se por isso a sua utilização a circuitos que envolvam
correntes pequenas (por exemplo, circuitos de alarme e de comutação).

5.2.1. COMUTAÇÃO NATURAL POR TRANSÍSTOR


Esta comutação é muito mais precisa e segura (fig. 50). Produz-se através de um tran-sístor
em paralelo com o tirístor. O transístor faz de interruptor.

Figura 50 — Disparo por transístor a) Esquema b) Formas de onda

22

Página
Eletrónica de Potência [Módulo 11]

5.3. COMUTAÇÃO FORÇADA


Designa-se de comutação forçada todos aqueles métodos em que a corrente se vê forçada a
percorrer o tirístor em sentido inverso. A vantagem da comutação forçada reside no facto de o tempo
de bloqueio ser menor.

5.3.1. COMUTAÇÃO FORÇADA POR AUTOCOMUTAÇÃO


Pertencem a este grupo de
comutação todos os circuitos capazes de
bloquearem o tirístor de forma
automática, uma vez decorrido um tempo
predeterminado desde o momento da
aplicação do impulso de disparo. Os
mais utilizados são:
a) Circuito oscilante LC em
paralelo;
b) Circuito oscilante LC em
série.

Em relação ao circuito oscilante LC


em paralelo (fig. 51), supondo que o
tirístor está bloqueado, o condensador Figura 51 — Disparo por circuito oscilante LC em paralelo
a) Esquema b) Formas de onda
carrega-se com a polaridade indicada.
Quando se produz o disparo do
tirístor, o condensador descarrega-se
sobre este em sentido directo. Uma vez
descarregado, começa a carregar-se em
sentido oposto, devido à oscilação do
circuito LC, até que a corrente de carga é
maior que a corrente direta do tirístor,
momento em que se produz o bloqueio.
No circuito oscilante LC em série
(fig. 52), a corrente que circula quando o
tirístor dispara excita o circuito LC.
Decorrido o primeiro semiciclo da
oscilação, a corrente inverte-se e Figura 52 — Disparo por circuito oscilante LC em série a)
bloqueia o tirístor. Esquema b) Formas de onda

5.3.2. COMUTAÇÃO FORÇADA POR MEIOS EXTERIORES


Os circuitos elementares mais utilizados para a comutação forçada, produzindo-a sem
depender do tempo em que se faz o disparo, são:
a) Através da c.a.;
b) Por tirístor auxiliar;
c) Por gerador de impulsos.

23
[MÓDULO 11] Eletrónica de Potência

— Comutação por meio da c.a.

É o caso mais elementar, porque,


como já se referiu, o tirístor bloqueia
sempre que muda o sentido da tensão no
semiperíodo negativo (fig. 53). Deve ter-se
apenas em atenção que a frequência não
seja tão elevada que origine um tempo de
comutação superior ao do próprio período
da frequência.

Figura 53 — Disparo por c.a. a) Esquema b) Formas de


onda

— Comutação por tirístor auxiliar

O disparo do tirístor Th1 (fig. 54)


carrega o condensador com a polaridade
indicada. Fazendo disparar o tirístor Th2, a
armadura positiva do condensador fica
ligada à massa e o condensador tende a
descarregar sobre Th1 e portanto a
bloqueá-lo. O tirístor Th1 deve estar
dimensionado para suportar toda a
corrente da carga, enquanto o Th2, como
a sua função é apenas de interromper a
condução de Th1, poderá ser
dimensionado para uma corrente muito
mais pequena.
Se substituirmos o tirístor auxiliar
Th2 por um transístor (fig. 55-a), obtém-se
uma variante do circuito da figura 54.
Outra forma mais elementar de bloquear Figura 54 — Disparo por tirístor auxiliar a) Esquema
o tirístor consiste em substituir o tirístor b) Formas de onda
Th2 por um interruptor de pressão
(fig. 55-b).

Figura 55 — a) Comutação por transístor auxiliar b) Bloqueio


mediante interruptor de pressão

24

Página
Eletrónica de Potência [Módulo 11]

— Comutação por gerador de impulsos

A figura 56 representa o circuito de comutação por gerador de impulsos e os sinais resultantes


do seu funcionamento. Uma vez disparado o tirístor, consegue-se bloqueá-lo enviando um impulso
positivo através de um gerador de impulsos, pois o transformador está ligado ao cátodo do tirístor.

Figura 56 — Comutação por gerador de impulsos a) Esquema b) Formas de onda

6. CIRCUITOS DE APLICAÇÃO
Os circuitos em que os tirístores e os triacs encontram aplicação são principalmente aqueles
em que o componente conduz ou não (tudo ou nada) e nos de controlo de fase.
No primeiro caso, podem apresentar-se duas possibilidades, isto é, o tirístor ou o triac a
trabalhar como relés estáticos, substituindo por exemplo os contatores convencionais, ou então
trabalhando como variadores de potência na carga. Neste caso, conduzem um certo número de
semiciclos completos (o tirístor, semiciclos positivos, enquanto que o triac positivos e negativos),
permanecendo bloqueados outro determinado número de semiciclos.
Variando desta forma a relação entre o tempo de condução e de bloqueio, obtém-se o controlo
de potência média aplicada à carga.
Os circuitos de controlo de fase aplicam-se quase exclusivamente no controlo da potência na
carga, em todos aqueles casos em que a constante de tempo é relativamente pequena e não se
pode controlar a potência média na carga por ondas completas. O disparo do tirístor ou do triac
verifica-se num determinado ponto após o início do semiciclo. O controlo obtém-se variando o ponto
de disparo de cada semiciclo.

Figura 57 — Quadro resumo

25
[MÓDULO 11] Eletrónica de Potência

6.1. CIRCUITOS DE TUDO OU NADA


6.1.1. RELÉS ESTÁTICOS
Os relés e os contatores convencionais são substituídos em muitas ocasiões pelos tirístores e
triacs, pelo facto de estes apresentarem as seguintes vantagens:
 maior rapidez de resposta;
 menores dimensões;
 ausência de arco eléctrico entre os contactos.
Os circuitos que utilizam tirístores ou triacs como interruptores estáticos podem adoptar
disposições idênticas à indicada no esquema de blocos (fig. 58).

Figura 58 — Esquema de blocos relativo à utilização de tirístores ou triacs como relés estáticos

O tirístor ou o triac como elemento de controlo é comandado pelo seu correspondente circuito
de disparo, sendo este por sua vez comandado por um interruptor (no caso de o tirístor ou triac ser
utilizado como um relé no seu sentido estrito, ou então através de um sensor, por exemplo célula
fotoeléctrica, se se pretender comandar automaticamente o componente de potência.
A figura 59 representa um circuito prático em que o circuito de disparo do elemento de controlo
de potência é controlado por uma célula fotoeléctrica. Quando a célula (elemento sensor) está
iluminada, apresenta uma resistência baixa e o condensador C poderá carregar-se a uma tensão tal
que fará disparar o diac D (elemento de disparo), transmitindo
assim um impulso de corrente ao triac T, (elemento de controlo da
potência), fazendo com que a lâmpada (carga) se ilumine.
Quando sujeita à obscuridade, a célula fotoelétrica
apresentará uma resistência muito mais elevada que a resistência
R (em paralelo com C), pelo que a tensão alcançada pelo
condensador será insuficiente para colocar o diac em condução e
consequentemente poder fazer disparar o tirístor. A lâmpada Figura 59 — Relé fotoelétrico
com triac
permanecerá apagada.

6.1.2. CONTROLO DE POTÊNCIA SÍNCRONO E ASSÍNCRONO


É necessário por vezes que um circuito responda directamente em tudo ou nada, de forma a
manter uma determinada variável física num valor constante (por exemplo, a temperatura), regulando
a potência aplicada a um determinado conversor de energia. O funcionamento deste tipo de circuito
pode ser:
 síncrono;
 assíncrono.

26

Página
Eletrónica de Potência [Módulo 11]

A diferença reside respetivamente no facto de os elementos de controlo de potência


dispararem ou não quando a tensão da rede de alimentação do circuito passa por zero ou quando
tem um valor instantâneo qualquer.
Embora os circuitos com funcionamento assíncrono sejam mais económicos, originam no
entanto interferências de radiofrequência com o salto de tensão no elemento de controlo de potência
(tirístor ou triac), durante o processo de disparo, com o consequente crescimento rápido da corrente
na carga, pelo que necessitam normalmente de filtros de radiofrequência.
Os circuitos síncronos têm como vantagem, em relação aos circuitos assíncronos, o facto de
não produzirem interferências parasitas na comutação, uma vez que esta é feita quando a tensão de
alimentação passa entre zero e um valor muito próximo dele.
Os circuitos de controlo de potência síncrona são projectados para utilizações concretas e
normalmente com circuitos integrados, uma vez que apresentam certa complexidade.

6.1.2.1. CONTROLO DE POTÊNCIA SÍNCRONO


O esquema de blocos (fig. 60) indica um típico controlo de potência síncrono, constituído
fundamentalmente por:
 detetor de passagem por zero;
 gerador de impulsos;
 comparador.

Figura 60 — Esquema de blocos de um controlo típico de potência síncrono

Detetor de passagem por zero

É um bloco do conjunto de controlo, sendo a sua função a de fornecer um sinal quando a


tensão de alimentação passa por zero.
Num circuito elementar deste tipo (fig. 61), o sincronismo produz-se através de um tirístor que
ao disparar curto-circuita
o relé e o contacto
permanece aberto. Ao
cessar o sinal de disparo,
o tirístor conduz até que
a tensão rectificada
passe a zero, momento
em que este deixa de
conduzir, o relé excita-se
e fecha o seu contacto Figura 61 — Disparo sincronizado por tirístor e relé a) Circuito b) Formas de
disparando então o triac. onda

27
[MÓDULO 11] Eletrónica de Potência

Embora este circuito não seja aplicável em situações de elevada precisão, é frequente
encontrarem-se circuitos que efetuam esta operação com semicondutores ou elementos integrados.

Gerador de impulsos

O circuito de sincronismo necessita, para além do detector de passagem por zero, de um


circuito que produza os impulsos necessários para ligar o circuito de potência. A configuração deste
depende do tipo de carga (resistiva ou indutiva) e da ligação dos elementos de potência, trifásicos,
onda completa, meia onda, etc.
Embora existam vários métodos, normalmente o mais utilizado é o oscilador controlado por
tensão, capaz de enviar uma sucessão de impulsos em "salva" quando o detector de zero o indica.
Deve possuir as seguintes propriedades:
 tempo de oscilação suficientemente largo, de forma a permitir que o valor da tensão aos
terminais do tirístor ou triac produza o disparo;
 poder variar segundo o ciclo de trabalho da variável controlada (designado controlo por
relação de tempo, aplicável por exemplo ao controlo da velocidade de um motor);
 o valor do sinal seja adequado ao disparo.

Comparador

O comparador utiliza-se nos circuitos em que é preciso uma regulação (fig. 62), havendo por
isso a necessidade de se comparar automaticamente a variável controlada procedente do elemento
(por exemplo, um motor poder receber a tensão proporcional à velocidade de um dínamo
taquimétrico) sobre o qual se exerce a regulação, com aquela a que previamente se ajustou o
circuito.
Assim, por exemplo, quando se necessita que a etapa de potência actue para aumentar a
velocidade (caso do motor), o resultado da comparação dará um valor que permitirá que se produza
uma sucessão de frequentes impulsos rítmicos e por surtos ao detectar-se a pas-sagem por zero. Se
da comparação se deduzir que não é necessário ligar o circuito de potência, ainda que se detecte a
passagem por zero, produzir-se-á uma inibição e não haverá consequentemente a sucessão de
impulsos.
Um comparador é um circuito de funções semelhante a uma porta AND, deixando passar os
impulsos de comando se a tensão da rede passar por zero e se o circuito puder operar.

Figura 62 - Diagrama de blocos de uma operação de regulação

6.1.2.2. CIRCUITOS DE CONTROLO SÍNCRONO E ASSÍNCRONO


A figura 63 representa um circuito de controlo síncrono, que reúne os circuitos básicos
descritos anteriormente.
Quando a tensão na base do- transístor Q1 é elevada, distinta da passagem por zero da
corrente alternada, o transístor estará curto-circuitado. Ao passar por zero, o circuito oscila e produz
uma sucessão de impulsos aplicados à etapa de potência. O valor de Ucontrolo proporciona a
referência para se produzir os impulsos. Neste exemplo, a sucessão de impulsos é de curta duração,
pelo que se utiliza apenas em situações de carga resistiva.
A função do condensador C1 é ajustar o início da sucessão de impulsos relativamente à
passagem por zero da corrente alternada.

28

Página
Eletrónica de Potência [Módulo 11]

Figura 63 - Circuito de controlo síncrono com sucessão de impulsos de curta duração


a) Circuito b) Sinais

Controlo síncrono de um sistema trifásico

A figura 64 representa o diagrama de blocos para o controlo dos impulsos em rampa ou dente
de serra. O detector de passagem por zero, o condensador C e a resistência R fornecem um sinal
dente de serra em função da tensão alternada de alimentação do circuito. Este sinal juntamente com
o sinal de controlo, introduzidos num comparador, dão como resultado na sua saída um sinal de
onda quadrada cuja duração é igual ao tempo em que o dente de serra é superior ao da tensão de
controlo. Na fase seguinte, estes impulsos rectangulares convertem-se em impulsos de curta
duração que atacam a etapa de potência.

Figura 64 — Diagrama de blocos para o controlo de impulsos por rampa a) Circuito b) Sinais

29
[MÓDULO 11] Eletrónica de Potência

O bloco indicado na figura 64, assim como os respectivos circuitos, pode estar comercializado
em forma de C.I., tal como o exemplo prático da figura 65 que representa o controlo de um motor
trifásico.

Figura 65 — Controlo de um motor trifásico a) Circuito b) Sinais no circuito

Controlo assíncrono

No controlo assíncrono, como o disparo dos elementos de potência (tirístores e triacs) se pode
realizar em qualquer valor da tensão de alimentação, não são necessários circuitos de passagem por
zero e de sincronismos. O seu uso é muito limitado, sendo quase exclusivamente utilizado em
sistemas de comando, os quais se reduzem em muitas ocasiões à operação de colocar em
funcionamento os equipamentos, sobre os quais já não exerce alguma regulação uma vez postos em
funcionamento.
A figura 66 representa um comutador assíncrono monofásico acionado por triac, que ao ser
submetido à tensão U origina a carga do condensador C que ao atingir um determinado valor faz
bascular os transístores Q1 e Q2 que formam um disparador Schmitt. O aumento da tensão no
colector de Q2 satura o amplificador inversor 1, que fornece uma tensão adequada ao transformador
de impulsos. O condensador C inicia a descarga através do díodo D e da resistência R. Esta
descarga é rápida, mas, ao atingir um certo valor, o transístor Q1 volta ao seu estado inicial de
bloqueio e o transístor Q2 ao de saturação; baixa a tensão de colector e o amplificador deixa de
conduzir.
Este ciclo repete-se
continuamente, enquanto existir a
tensão U e os impulsos
chegarem à porta do triac,
independentemente do valor
instantâneo da tensão alternada.
Para o caso do comutador
trifásico, o princípio de comando Figura 66 — Comutador monofásico assíncrono acionado por triac

30

Página
Eletrónica de Potência [Módulo 11]

é o mesmo, representando a figura 67, respectivamente, o diagrama de blocos do controlo do circuito


de comando e circuito de potência.

Figura 67 — Comutador trifásico a) Circuito de comando b) Circuito de potência

Por sua vez, o circuito da figura 68 representa o circuito de


potência para o arranque Y-∆, de um motor trifásico de rotor em curto-
circuito. A tensão da rede de alimentação está ligada ao motor
permanentemente através dos triacs. No momento do arranque,
estando os enrolamentos ligados em estrela, a redução da tensão
obtém-se por controlo de tensão de fase. No segundo instante
(ligação em triângulo), o motor fica alimentado a plena tensão através
dos triacs. Figura 68 — Circuito de
potência para o arranque
estrela-triângulo

6.1.3. CIRCUITOS DE CONTROLO DE FASE


6.1.3.1. RETIFICADORES CONTROLADOS
Os circuitos retificadores controlados são aqueles que permitem obter uma tensão
unidireccional de saída cujo valor médio é variável e dependente do sinal de controlo (baixa
potência).
Normalmente este tipo de circuito aproveita as propriedades dos tirístores de poderem disparar
através de um sinal de controlo (sinal de disparo) num determinado instante da tensão de
alimentação.
Os rectificadores controlados práticos podem ser:
 monofásico de meia onda e onda completa;
 trifásico de meia onda e onda completa.
Tanto no controlo de meia onda como no de onda completa, a função do circuito de controlo é
a de produzir o impulso de disparo do SCR, existindo múltiplas formas de o realizar, sendo no
entanto a mais simples o controlo por variação do ângulo de condução.

Circuito retificador controlado monofásico de meia onda com tirístor

É um circuito idêntico ao retificador monofásico de meia onda com díodo, sendo agora este
substituído por um tirístor com o seu correspondente circuito de disparo (fig. 69).
Uma vez produzido o disparo do tirístor, este origina uma corrente pulsatória que ao mesmo
tempo está regulada pelos tempos de condução do SCR, comandados pelo circuito de controlo.

31
[MÓDULO 11] Eletrónica de Potência

No instante em que se produz o impulso de controlo,


origina-se o disparo do tirístor, caindo a sua tensão UAK
praticamente para 0 V, permitindo a passagem da corrente IL
que ao percorrer a carga RL determina a tensão URL.
O diagrama de variação da tensão com o tempo (fig. 70)
diz respeito a uma carga resistiva para um determinado atraso
do ângulo de disparo.
O valor da tensão média na carga para um determinado Figura 69 — Circuito rectificador
atraso na condução pode deduzir-se matematicamente: controlado monofásico de meia
&!<.= = 0,225 . @ . (1 + cos D) onda

Circuito retificador controlado monofásico de onda


completa com tirístor

Relativamente ao circuito normalmente utilizado para


este tipo de retificador controlado (fig. 71-a), basta substituir
dois dos quatro díodos que formam o circuito rectificador por
onde se fecha a corrente em cada semiciclo por dois tirístores.
Também se poderia substituir os quatro díodos por tirístores, o
que naturalmente tornaria o circuito mais caro e os circuitos de
disparo mais complicados. Figura 70 — Tensão na carga para
Este circuito admite uma variante (fig. 71-b), embora o um atraso (9) do ângulo de disparo
funcionamento de ambos os circuitos seja idêntico quando
ligados a uma carga resistiva.
Sempre que o circuito (fig. 71-b) se liga a uma carga bastante indutiva, necessita de um díodo
adicional (díodo de roda livre), ligado em paralelo (sentido inverso) com a carga. A sua função é a de
permitir a descarga da energia electromagnética armazenada na componente reactiva da carga. A
ausência deste díodo daria origem a uma onda de tensão idêntica à da figura 72.

Figura 71 — a) Circuito rectificador controlado monofásico de onda completa


b) Variante do rectificador controlado monofásico de onda completa

O circuito retificador controlado (fig. 71-a) não necessita do díodo de roda livre, pois os díodos
D, e D.2 estão ligados em série e em paralelo (sentido inverso) com a carga, pelo que realizam a
mesma função em relação à descarga da energia electromagnética. Esta montagem apresenta no
entanto o inconveniente de normalmente o seu circuito de disparo necessitar de um transformador de
impulsos.
A figura 73 representa as formas de onda características destes circuitos, para um determinado
atraso ϕ na condução dos tirístores. O valor médio da tensão na carga para um certo atraso na
condução (ϕ) pode deduzir-se matematicamente, podendo exprimir-se pela expressão:
&!<.= = 0,45 . @ . (1 + cos D)

32

Página
Eletrónica de Potência [Módulo 11]

Figura 72 — Forma de onda da tensão na


carga do circuito rectificador sem díodo de
roda livre

Figura 73 — Formas de onda de um


circuito rectificador controlado
monofá-sico de onda completa

6.1.3.2. CIRCUITOS RECTIFICADORES TRIFÁSICOS


Retificadores trifásicos não controlados

Nas instalações industriais, o fornecimento da energia eléctrica realiza-se através da rede


trifásica, pelo que será necessário dispor de rectificadores trifásicos para se obterem tensões
contínuas.

Rectificador trifásico de meia onda

A figura 74 representa um retificador trifásico de meia onda, que alimenta uma carga (resistiva
ou indutiva), necessitando esta montagem de um transformador com secundário em estrela,
acoplando-se o primário em triângulo para se evitar a perda de simetria das tensões da rede por
desequilíbrio nas fases do secundário.

Valor da corrente retificada na resistência de carga:


:&!< = (3⁄F). :G . sin 120° = (3⁄F). :G . 0,86 = 0,82 . :G

Corrente de pico rectificada: :G = G ⁄( + M< )


(rd — resistência direta do díodo)

Corrente eficaz:
: = :G . N(1⁄2) + (4⁄3 F). sin 120° = :G . N(1⁄2) + (4⁄3 F). (3⁄2) = :G . O(1⁄2) + ,2√3⁄3 F- = 0,84 :G

33
[MÓDULO 11] Eletrónica de Potência

Valor da tensão retificada na resistência de carga:


&!< = (3⁄F) . G . sin 120° = 0,82 G

Em função do valor eficaz U:


&!< = 0,82 √2 .  = 1,17 

A tensão inversa que os díodos terão de suportar:


Q = 2 . G . sin 120° = 2 × 0,866 ×  = √3 . G

Figura 74 — Retificador trifásico de meia onda

6.1.3.3. RECTIFICADORES TRIFÁSICOS CONTROLADOS


Retificador trifásico em ponte (onda completa) A figura 75 representa um retificador trifásico de
onda completa acoplado a um transformador com o secundário em estrela (embora também se
possa ligar com o secundário em triângulo), assim como as formas de onda das tensões e correntes
mais importantes.

34

Página
Eletrónica de Potência [Módulo 11]

Figura 75 — Retificador trifásico de onda completa com carga resistiva-indutiva

Valor da corrente retificada na resistência de carga:


:&!< = (6⁄F). :G . sin 30° = :G . (6⁄F). (1⁄2) = 0,96 . :G

Corrente de pico rectificada:


:G = G /( + 2M< )
(rd - resistência direta do díodo)

Corrente eficaz:
: = :G N(1⁄2) + (6⁄4F). sin 60° = :G . O(1⁄2) + (4⁄3 F). 3N3⁄24 = 0,91 . :G

Valor da tensão retificada na resistência de carga:


&!< = (6⁄F) . G . sin 30° = 0,95 . G

Em função do valor eficaz:


&!< = 0,95 . √2 .  = 1,34 . 

35
[MÓDULO 11] Eletrónica de Potência

A tensão inversa que os díodos terão de suportar:


Q = 2 . G . sin 60° = 2 × G . ,√3⁄2- = √3. G

Circuito retificador trifásico controlado de meia onda com tirístor

O circuito da figura 76 representa um retificador trifásico controlado


de meia onda, resultando da substituição de díodos por tirístores. O díodo
de roda livre colocado à saída tem como função evitar a inversão da
tensão em cargas muito indutivas.
Em relação à determinação da tensão média de saída neste circuito,
deve ter-se em consideração que a intensidade na carga se interrompe
sempre que a tensão da fase de alimentação correspondente ao tirístor
que está em condução passa por zero (fig. 77). Esta situação é válida
sempre que o ângulo de atraso na condução da cada tirístor ϕ seja maior
ou igual a um determinado ângulo λ, de valor π/2 - π/3 = π/6. Se esta
condição não se verificar, então a condução de corrente na carga será Figura 76 - Retificador
contínua, sobrevivendo à comutação da fase seguinte antes que se anule controlado trifásico de
a tensão da fase correspondente ao tirístor que estava em condução. meia onda
O valor da tensão média de saída pode deduzir-se
matematicamente, sendo expresso através da equação:
&!<.ϕ = 0,675 . @ . 1 − sin(D − F/3)$

Circuito retificador trifásico controlado de onda completa


com tirístor

A figura 78 representa o tipo de circuito normalmente utilizado


como retificador trifásico controlado de onda completa, em que Figura 77 — Forma de onda
apenas metade dos díodos foram substituídos por tirístores, tal como na carga de um retificador
se verificou com o circuito monofásico de onda completa, resultando controlado trifásico de meia
assim um circuito de disparo mais simples. onda

A figura 79 representa uma série de oscilogramas que se


podem obter num circuito deste tipo, para diversos ângulos de
atraso na condução. Pode ainda verificar-se que para ângulos
de atraso ϕ compreendidos entre 0° e 60°, cada um dos
tirístores conduz 120°. Para um ângulo ϕ maior que 60°, o
tempo de condução é de π a - ϕ.
O valor da tensão média de saída também se pode obter
por dedução matemática, sendo para 60° < ϕ < 180° dada pela
expressão:
&= = 0,675 . @ . (1 + cos D)

Figura 78 — Retificador controlado


trifásico de onda completa

36

Página
Eletrónica de Potência [Módulo 11]

Figura 79 — Oscilogramas obtidos na carga do circuito da figura 78, para distintos ângulos de atraso

6.1.4. REGULAÇÃO DE VELOCIDADE EM MOTORES DE C.C.


6.1.4.1. INTRODUÇÃO
Embora o circuito de potência possa incluir pontes retificadoras semicontroladas ou
retificadores controlados (meia onda ou onda completa), o circuito de potência do motor (fig. 80)
representa duas pontes trifásicas controladas em ligação
antiparalelo. Esta forma é bastante completa pelo facto de a
máquina poder trabalhar nos quatro quadrantes, ou seja,
como motor nos dois sentidos de rotação (1.° e 3.°
quadrantes) e como gerador, em ambos os sentidos (no 2.° e
4.° quadrantes), mas com a vantagem de se poder faz ê-lo
sem necessidade de comutação do induzido ou do campo. No
entanto o seu uso é limitado a grandes acionamentos, como Figura 80 — Duas pontes trifásicas
sejam, por exemplo, ascensores, gruas e máquinas de controladas em ligação antiparalelo

37
[MÓDULO 11] Eletrónica de Potência

extração.
Enquanto uma das pontes retificadoras trabalha, a outra fica bloqueada. Se se pretende uma
intensidade em sentido contrário, bloqueia-se a ponte que estava em serviço e entra em
funcionamento a outra.

6.1.4.2. CIRCUITO DE REGULAÇÃO


O circuito de regulação (fig. 81) é formado por um regulador para a velocidade e um regulador
para a corrente do rotor.
Como o binário motor é proporcional ao fluxo e à corrente do induzido, então se o fluxo se
mantiver constante, o binário será proporcional à corrente do induzido (rotor).
Se o motor funcionar com um número de rotações constante, o binário motor terá de ser igual
ao binário resistente da máquina de trabalho. Se o binário resistente aumentar, aumenta também o
binário motor e com este a intensidade de
corrente no rotor, admitindo-se que o número
de rotações continua constante. Por esta
razão, a tensão de saída do equipamento de
tirístores modifica-se para que a força contra-
electromotriz do induzido E’ = Ui - Ri . Ii,
proporcional à velocidade fique constante.
São os reguladores responsáveis pela
Figura 81 — Esquema de blocos de um sistema para a
realização desta operação de forma regulação de um motor de c.c
automática.
Um regulador de velocidade, ao detetar uma diferença entre o valor preestabelecido e o valor
atual (por exemplo, produzido por uma perturbação na rede de regulação), vai influir com o seu sinal
de saída no regulador de corrente. Isto faz com que os impulsos da etapa de comando modifiquem e
desta forma alterem a tensão de saída e consequentemente a corrente do induzido do motor. Esta
categoria de regulação designa-se de regulação da velocidade com regulação subordinada à
intensidade de corrente do rotor.

6.1.4.3. VALOR PREESTABELECIDO


Para regular a velocidade de um motor de c.c.
alimentado através de tirístores, é necessário dar um
determinado valor na entrada do regulador de
velocidade, que fixa a velocidade e é dado por uma
tensão, normalmente, de 0 V a 10 V. Esta tensão
obtém-se, por exemplo, através de um potenciómetro.
O valor preestabelecido e o valor fornecido pelo
dínamo taquimétrico comparam-se no ponto A (fig.
82). No entanto antes de chegarem ao comparador
equilibram-se através de resistências, para evitar as
diferenças entre os 10 V e 200 V. Se existir uma
diferença entre esses dois valores, altera a tensão de Figura 82 — Esquema de blocos do
regulador
saída do regulador de velocidade, a qual dá o valor
predeterminado para o regulador de corrente do rotor. Este compara-se com o valor momentâneo de
corrente do conversor de medida (também dentro do regulador), depois de passar as
correspondentes resistências. Se existir uma diferença entre ambas as correntes, alterará também o
valor da tensão de saída do regulador de corrente, o que ocasionará uma modificação da posição
dos impulsos da etapa de comando e consequentemente da tensão de saída do motor. O processo
de regulação termina quando a diferença entre os valores preestabelecido e atual for zero.

38

Página
Eletrónica de Potência [Módulo 11]

6.2. CIRCUITOS DE PROTECÇÃO DE TIRÍSTORES E TRIACS


Os circuitos de proteção de tirístores e triacs podem classificar-se em:
 proteções contra sobreintensidades;
 proteções contra correntes de sobrecarga;
 proteções contra induções parasitas magnéticas e eletromagnéticas;
 proteções do circuito de porta.

6.2.1. PROTECÇÕES CONTRA SOBREINTENSIDADES


No tirístor, se se ultrapassar a tensão inversa de pico não repetitiva (URSM), podem perfurar-se
as suas junções. Tensões transitórias em sentido direto aplicadas em situação de bloqueio podem
também afetar tirístores e triacs, provocando o disparo intempestivo se o valor dessas tensões
transitórias for superior ao de pico não repetitivo em situação de não condução. Simultaneamente,
também podem ser disparados em momentos inoportunos pelo crescimento demasiado rápido da
tensão entre os seus terminais de potência, isto é, valores excessivos de ∆v/∆t. Estas comutações
indesejáveis, para além de interferirem no funcionamento do circuito, podem originar a destruição do
tirístor ou do triac. Estas situações podem ser evitadas através da utilização de elementos
supressores (por exemplo, resistências não lineares — VDR, descarregadores de arcos elétricos).

6.2.1.1. CAUSAS DOS TRANSITÓRIOS DE TENSÃO


Os picos transitórios de tensão que surgem nos elementos semicondutores são normalmente
de curta duração, mas de grande amplitude e elevada velocidade de crescimento. As causas
principais destes picos transitórios de tensão são as seguintes:
 A alimentação principal: é difícil prever a aparição, duração e amplitude dos picos
transitórios produzidos pela alimentação principal, dependendo do equipamento, tipo de
alimentação e impedância de saída da fonte de alimentação. A duração do transitório é
inversamente proporcional à sua amplitude, sendo esta máxima nas linhas de
alimentação com alta impedância. Quando o equipamento está ligado a um
transformador, este funciona como filtro às induções parasitas que se produzem na rede
de alimentação, devendo então atuar-se ao nível das induções parasitas desenvolvidas
no próprio transformador. Normalmente os métodos de cálculo dos elementos
supressores de transitórios de tensão baseiam-se no pressuposto de que o
equipamento a proteger é alimentado através de um transformador, sendo por isso os
transitórios gerados neste. A condição mais difícil de proteger é a abertura do primário
do transformador em vazio, assim como o fecho/abertura de cargas muito indutivas. —
 Os contatores entre a alimentação de tensão e o equipamento: a abertura e o fecho
de contatores que comandam a alimentação de um determinado equipamento podem
produzir transitórios de elevada relação ∆v/∆t, podendo mesmo atingir valores da ordem
dos 1000 V/µs, conduzindo ao basculamento dos tirístores e triacs, mesmo quando a
amplitude do transitório não ultrapassa o valor máximo da tensão de pico que o
elemento suporta sem disparar.
 Comutações de outros tirístores ou triacs próximos: os tirístores ou triacs que
funcionam em circuitos de controlo da corrente alternada ou em retificadores
controlados originam frequentemente nas suas comutações transitórios de grande
amplitude e crescimento rápido da tensão.

39
[MÓDULO 11] Eletrónica de Potência

Estas sobretensões devem-se às características intrínsecas dos cristais que formam os


componentes e sobretudo à capacidade das junções, sendo o seu valor proporcional à corrente no
momento do disparo.
Nestas circunstâncias, os aumentos muito rápidos da tensão em relação ao tempo (∆v/∆t)
podem reduzir-se através da colocação de uma rede RC de valor adequado em paralelo com o
componente semicondutor (fig. 83).
O valor do condensador C pode determinar-se através da expressão:
 = 10 . :T6U /V
Sendo: C - capacidade do condensador (µF)
IFAV - corrente direta no momento do disparo (A)
Ui - tensão inversa de trabalho (URWM), no caso
do tirístor, ou tensão repetitiva máxima de
bloqueio (UDRM) no caso do triac, em (V).

O valor de R não sendo crítico deverá no entanto estar Figura 83 — Circuito para proteger
compreendido entre 5 e 100 Ω, tendo como função a de sobretensões resultantes das
amortecer o circuito ressonante formado por C e a indutância capacidades das junções
da linha de alimentação, isto é, evitar a sobreoscilação.

6.2.1.2. ESCOLHA DOS ELEMENTOS SUPRESSORES


Nos circuitos com tirístores ou triacs, tendo por finalidade protegê-los contra os transitórios,
pode optar-se pelas seguintes soluções:
 Escolha de semicondutores com valores de tensões inversas repetitivas (caso dos
tirístores) ou tensões de pico repetitivas na situação de bloqueio (caso dos triacs),
superiores ao valor máximo previsível do transitório. Esta situação é adequada nos
casos em que a tensão de alimentação é baixa, mas perfeitamente inaceitável quando a
tensão de alimentação é média ou alta.
 Utilização de circuitos supressores eficazes conjuntamente com semicondutores com
características máximas semelhantes às condições de alimentação. Esta solução
deverá ser utilizada quando não existe outra possibilidade, como por exemplo em
circuitos cuja tensão de alimentação seja muito próxima da tensão máxima que o
elemento semicondutor suporta. Circuitos supressores de características muito
ajustadas podem ser complexos e dispendiosos.
 Escolha de tirístores e triacs de características máximas duas a três vezes superiores à
tensão de alimentação. Pode ser a solução mais cómoda e também mais económica.

6.2.1.3. SUPRESSORES DE TRANSITÓRIOS


Os supressores podem ser dispositivos ou circuitos que se ligam nos terminais da alimentação,
em paralelo com o semicondutor ou em paralelo com a carga. A sua função é a de absorver ou
diminuir a energia resultante do transitório e consequentemente atenuar a sua amplitude (fig. 84).
Em condições normais de trabalho, a impedância da linha de distribuição (ZL) e do
equipamento (RL) é baixa, relativamente ao
supressor. Por isso, quando surge um transitório (a
sua frequência é relativamente elevada comparada
com a da linha de alimentação), a impedância de
ZL com RL aumenta, diminuindo simultaneamente a
do supressor. O seu efeito consiste portanto em
Figura 84 - Ação de um circuito supressor
evitar que os transitórios que se sobrepõem à

40

Página
Eletrónica de Potência [Módulo 11]

tensão da fonte de alimentação cheguem ao equipamento atenuados, de forma a não causarem


danos.
Os supressores podem ser classificados em cinco grupos:
 Grupos RC;
 Supressores de selénio;
 Resistências não lineares (VDR);
 Descarregadores de arcos eléctricos;
 Circuitos electrónicos de proteção.

Grupos RC

O circuito supressor RC é o
circuito de proteção mais utilizado,
tendo como vantagem o facto de a
sua ação ser independente da
amplitude da tensão de
alimentação (fig. 85).
É formado por um
condensador C em série com uma Figura 85 — Circuito supressor RC
resistência R, consistindo o seu
funcionamento no seguinte:
 Sendo a frequência de trabalho (frequência do sinal da linha de distribuição)
normalmente baixa, e a impedância ZL e RL reduzida em comparação com a do
condensador, então, quando surge um transitório (frequência mais elevada), a
impedância do conjunto ZL com RL aumenta, enquanto diminui a do condensador, pelo
que o impulso do transitório será atenuado pelo circuito supressor, chegando assim
amortecido à entrada do circuito protegido. A função de R é amortecer qualquer tipo de
oscilação que surja. A sua não colocação poderia eventualmente dar origem a que os
transitórios com elevada ∆v/∆t gerassem ressonância no circuito, pelo que uma
sobreoscilação consequente resultaria ainda mais nociva para o circuito do que o
próprio transitório.

Supressores de selénio

Os supressores de selénio são formados por um conjunto de placas de selénio ligadas em


série, de acordo com a tensão de trabalho do equipamento.
Podem ser ligados em paralelo com a alimentação do
circuito, com a carga ou em paralelo com cada dispositivo
semicondutor a proteger.
O seu funcionamento é semelhante ao de um díodo
zener, isto é, até uma determinada tensão UR a sua
característica inversa corresponde à de um díodo normal (fig.
86), apresentando portanto resistência elevada. Superando-se
esse nível de tensão, o supressor alcança a zona de
resistência negativa, absorvendo portanto a energia do
transitório.
Figura 86 — Característica inversa
Resistências não lineares de um supressor de selénio

Estes componentes são as resistências VDR, cuja ação é semelhante à dos supressores de
selénio. Devido sobretudo ao facto de terem uma resistência dinâmica elevada, bem como uma larga
tolerância dentro do mesmo tipo, são pouco utilizados.

41
[MÓDULO 11] Eletrónica de Potência

Descarregadores de arcos elétricos

São elementos que praticamente se curto-circuitam quando a d.d.p. aplicada aos seus
terminais atinge um valor característico. Atualmente existem descarregadores cuja tensão de rutura
não é superior a 70 V, em contraste com os iniciais que possuíam tensões mínimas de rutura de
1000 V. A sua ligação é feita como os restantes supressores (fig. 87), podendo incluir uma
resistência R em série.
A existência de um transitório cujo valor
exceda a tensão de rutura do descarregador
provoca uma queda de tensão nos seus terminais
para um valor muito baixo, ficando a resistência R
praticamente ligada aos terminais do equipamento,
enquanto dura o transitório. Assim, se a impedância
de Z, e R, for suficientemente elevada em relação
ao valor de R, o transitório chegará amortecido ao Figura 87 - Colocação do descarregador de
circuito que se pretende proteger. arcos elétricos

Circuitos eletrónicos de proteção

Os circuitos eletrónicos concebidos para proteção de outros circuitos eletrónicos são


normalmente bastante complexos, constituídos à base de tirístores.

6.2.2. PROTECÇÃO CONTRA CORRENTES DE SOBRECARGA


Os elementos utilizados são fusíveis ultra-rápidos e disjuntores mecânicos. Usam-se circuitos
eletrónicos limitadores de corrente também naqueles circuitos em que a sobrecarga seja normal
durante o funcionamento do equipamento (por exemplo, no arranque de motores).

6.2.2.1. DIFERENTES TIPOS DE SOBRECARGAS E ESCOLHA DO


ELEMENTO DE PROTECÇÃO
A escolha do elemento de proteção contra sobreintensidades depende da natureza destas,
podendo as diferentes sobrecargas que afetam o funcionamento dos semicondutores dividir-se em:
 Sobreíntensidades muito elevadas resultantes
de curto-circuitos: provêm normalmente de curtos-
circuitos causados na carga e cuja duração é muito
curta, havendo por isso a necessidade de se dispor
de elementos de proteção de alta velocidade de
reação.
A proteção dos dispositivos semicondutores
consegue-se nestas condições, com a utilização de
fusíveis ultra-rápidos especialmente concebidos
para o efeito. Os fabricantes de semicondutores
fornecem curvas características (fig. 88), que
proporcionam o valor do fusível em função da
corrente eficaz máxima e do tempo de duração
desta corrente.
 Sobrecarga de longa duração: um fusível com Figura 88 — Característica para
uma característica I2.t pode ser suficiente para fazer a escolha do fusível fornecida
a proteção contra curtos-circuitos na carga (valores pelo fabricante (família de
tirístores BT 101)

42

Página
Eletrónica de Potência [Módulo 11]

elevados de corrente durante curtos espaços de tempo), mas ineficaz quando se


produzem sobrecargas pouco elevadas e de duração anormal.
Para solucionar este tipo de situação, protegem-se os elementos semicondutores com
disjuntores de máxima intensidade. Uma combinação adequada fusível e disjuntor pode
evitar problemas que a utilização exclusiva de apenas um dos dispositivos pode não
resolver.

6.2.2.2. COLOCAÇÃO DOS ELEMENTOS DE PROTECÇÃO


A colocação de fusíveis de proteção pode fazer-se em cada ramo do circuito, ou unicamente
nas linhas de alimentação (fig. 89).

Figura 89 — Exemplos de
colocação de fusíveis de proteção:
a) Proteção na linha de
alimentação de um retificador em
ponte controlado
b) Proteção em cada ramo da
ponte retificadora
c) Proteção na linha de
alimentação no controlo de uma
carga através de dois tirístores em
antiparalelo
d) Proteção de cada ramo do
circuito c)

A colocação do fusível em cada ramo do circuito apresenta a vantagem de proteger


individualmente cada componente semicondutor, no entanto tem o inconveniente de encarecer a
instalação protetora.
A proteção colocada na linha de alimentação tem como vantagem uma maior economia no
custo da instalação, além de se poder colocar os fusíveis distantes do local onde se encontram os
elementos de controlo (tirístores e triacs).

6.2.3. PROTECÇÃO CONTRA INDUÇÕES PARASITAS


(MAGNÉTICAS E ELECTROMAGNÉTICAS)
Este tipo de proteção não se destina aos dispositivos tirístor ou triac, mas sim às interferências
que a utilização destes componentes podem provocar em dispositivos ou aparelhos colocados
próximos.
A utilização de tirístores e triacs, por exemplo, produz correntes parasitas que interferem com
outros circuitos. Estas correntes parasitas podem ser de origem magnética e eletromagnética.
As primeiras são produzidas pelos circuitos magnéticos dos transformadores que alimentam os
tirístores e triacs. As segundas são produzidas pelo crescimento brusco da corrente que se supõe
disparar um tirístor ou um triac, quando a tensão de alimentação não passa por zero (fig. 90).

43
[MÓDULO 11] Eletrónica de Potência

Estas correntes parasitas transmitem-se através da rede de alimentação e originam


interferências que podem ter frequências compreendidas entre as dezenas de kHz a dezenas de
MHz, produzindo consequentemente efeitos muito negativos em recetores (por exemplo, rádio e
televisão). Embora a sua
proteção seja de difícil
solução, utilizam-se no
entanto filtros LC, que
podem adotar
disposições às indicadas
na figura 91.

Figura 90 - Produção de correntes


parasitas eletromagnéticas

Figura 91 — Circuitos e proteção


típicos contra correntes parasitas
eletromagnéticas

6.2.4 PROTECÇÃO DO CIRCUITO DE PORTA


Quando se ataca um tirístor com uma corrente alternada, proveniente de um circuito
desfasador, deve ter-se em consideração que a tensão inversa que suporta a porta é sensivelmente
menor que a direta, devido às características construtivas da junção porta-cátodo.
As soluções mais utilizadas são as indicadas na figura 92 (a, b e c).

Figura 92 - Circuito de proteção de porta: a) com díodo em série b) com díodo paralelo c) com díodo zener
O díodo do circuito de proteção (fig. 92-a) opõe-se à passagem do semiciclo negativo para a
porta, gerado pelo circuito de controlo, uma vez que se encontra em série com o circuito.
O díodo do circuito de proteção (fig. 92-b) como se encontra em paralelo com o circuito de
porta-cátodo curto-circuita os semiciclos negativos que se vão aplicar à porta através de R.
A única tensão inversa que se aplica ao circuito porta-cátodo do tirístor é a tensão direta do
díodo. O circuito da figura 80-c, além de proteger o circuito porta-cátodo do tirístor contra tensões
inversas através do díodo D, protege-se também contra tensões diretas excessivas. Para o efeito, o
díodo zener deverá ter um valor de tensão menor que a máxima tensão direta porta-cátodo do tirístor
(UGFS).
Estas proteções deixam naturalmente de ter qualquer sentido quando se utilizam triacs como
elementos comutadores.

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Página
Eletrónica de Potência [Módulo 11]

ÍNDICE
1. INTRODUÇÃO ...................................................................................................................................................1
2. TIRÍSTOR ..........................................................................................................................................................1
2.1. CONSTITUIÇÃO E PRINCÍPIO DE FUNCIONAMENTO ....................................................................................1
2.2. CARACTERÍSTICAS DOS TIRÍSTORES .............................................................................................................2
2.2.1. CARACTERÍSTICAS ESTÁTICAS ..................................................................................................................2
2.2.2. CARACTERÍSTICAS DE COMANDO ............................................................................................................3
2.2.2.1. CURVA DE DISPERSÃO .........................................................................................................................3
2.2.2.2. LIMITE MÁXIMO DE POTÊNCIA ............................................................................................................4
2.2.2.3. ZONA DE FUNCIONAMENTO MÍNIMO.................................................................................................4
2.2.3. CARACTERÍSTICAS DINÂMICAS ................................................................................................................4
2.2.3.1. ÂNGULO DE CONDUÇÃO .....................................................................................................................5
2.2.3.2. CARACTERÍSTICAS DE COMUTAÇÃO .................................................................................................... 5
2.3. OBTENÇÃO DAS CARACTERÍSTICAS DOS TIRÍSTORES ..................................................................................6
2.3.1. CARACTERÍSTICAS ÂNODO-CÁTODO .......................................................................................................6
2.3.1.1. CARACTERÍSTICA DIRECTA ...................................................................................................................6
2.3.1.2. CARACTERÍSTICA INVERSA ...................................................................................................................7
2.3.2. CARACTERÍSTICAS PORTA-CÁTODO .........................................................................................................7
2.3.3. CARACTERÍSTICA DE CONDUÇÃO (DISPARO) ...........................................................................................7
2.3.4. CARACTERÍSTICA DE COMUTAÇÃO ..........................................................................................................8
3. TRIAC................................................................................................................................................................9
3.1. INTRODUÇÃO ...............................................................................................................................................9
3.2. CONSTITUIÇÃO E PRINCÍPIO DE FUNCIONAMENTO ....................................................................................9
3.3. CARACTERÍSTICAS DOS TRIACS ..................................................................................................................10
3.3.1. CARACTERÍSTICAS ESTÁTICAS ................................................................................................................10
3.3.2. CARACTERÍSTICAS DE COMANDO ..........................................................................................................10
3.3.3. CARACTERÍSTICAS DINÂMICAS ..............................................................................................................11
3.4. DETERMINAÇÃO DAS CARACTERÍSTICAS DOS TRIACS ...............................................................................11
4. ELEMENTOS DE CONTROLO ...........................................................................................................................12
4.1. INTRODUÇÃO .............................................................................................................................................12
4.2. CONTROLO ATRAVÉS DE REDES RC (COM CIRCUITO DESFASADOR RC) ....................................................12
4.2.1. CONTROLO HORIZONTAL.......................................................................................................................13
4.2.2. CONTROLO VERTICAL.............................................................................................................................13
4.3. CONTROLO ATRAVÉS DE ELEMENTOS SEMICONDUTORES .......................................................................14
4.3.1. DIAC ....................................................................................................................................................... 14
4.3.2. Transístor UJT ........................................................................................................................................15
4.3.3. TRANSÍSTOR DE JUNÇÃO PROGRAMÁVEL .............................................................................................16
4.3.4. TRIAC CONTROLADO POR CIRCUITO INTEGRADO .................................................................................17
4.3.4.1. INTRODUÇÃO .....................................................................................................................................17
4.3.4.2. CI TDA 1024 .......................................................................................................................................17
4.4. OSCILADORES DE RELAXAÇÃO ...................................................................................................................18

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[MÓDULO 11] Eletrónica de Potência

4.4.1. OSCILADOR DE RELAXAÇÃO COM UJT ...................................................................................................18


Exercício .................................................................................................................................................................20
4.4.2. OSCILADOR DE RELAXAÇÃO COM PUT ..................................................................................................20
Exercício .................................................................................................................................................................21
5. MÉTODOS DE COMUTAÇÃO ..........................................................................................................................21
5.1. INTRODUÇÃO .............................................................................................................................................21
5.2. COMUTAÇÃO NATURAL .............................................................................................................................22
5.2.1. COMUTAÇÃO NATURAL POR TRANSÍSTOR ............................................................................................22
5.3. COMUTAÇÃO FORÇADA ............................................................................................................................23
5.3.1. COMUTAÇÃO FORÇADA POR AUTOCOMUTAÇÃO.................................................................................23
5.3.2. COMUTAÇÃO FORÇADA POR MEIOS EXTERIORES.................................................................................23
6. CIRCUITOS DE APLICAÇÃO .............................................................................................................................25
6.1. CIRCUITOS DE TUDO OU NADA .................................................................................................................26
6.1.1. RELÉS ESTÁTICOS ...................................................................................................................................26
6.1.2. CONTROLO DE POTÊNCIA SÍNCRONO E ASSÍNCRONO ..........................................................................26
6.1.2.1. CONTROLO DE POTÊNCIA SÍNCRONO ................................................................................................27
6.1.2.2. CIRCUITOS DE CONTROLO SÍNCRONO E ASSÍNCRONO ......................................................................28
6.1.3. CIRCUITOS DE CONTROLO DE FASE .......................................................................................................31
6.1.3.1. RETIFICADORES CONTROLADOS ........................................................................................................31
6.1.3.2. CIRCUITOS RECTIFICADORES TRIFÁSICOS ..........................................................................................33
6.1.3.3. RECTIFICADORES TRIFÁSICOS CONTROLADOS...................................................................................34
6.1.4. REGULAÇÃO DE VELOCIDADE EM MOTORES DE C.C. ............................................................................37
6.1.4.1. INTRODUÇÃO .....................................................................................................................................37
6.1.4.2. CIRCUITO DE REGULAÇÃO .................................................................................................................38
6.1.4.3. VALOR PREESTABELECIDO .................................................................................................................38
6.2. CIRCUITOS DE PROTECÇÃO DE TIRÍSTORES E TRIACS ................................................................................39
6.2.1. PROTECÇÕES CONTRA SOBREINTENSIDADES ........................................................................................39
6.2.1.1. CAUSAS DOS TRANSITÓRIOS DE TENSÃO ..........................................................................................39
6.2.1.2. ESCOLHA DOS ELEMENTOS SUPRESSORES ........................................................................................40
6.2.1.3. SUPRESSORES DE TRANSITÓRIOS ......................................................................................................40
6.2.2. PROTECÇÃO CONTRA CORRENTES DE SOBRECARGA ............................................................................42
6.2.2.1. DIFERENTES TIPOS DE SOBRECARGAS E ESCOLHA DO ELEMENTO DE PROTECÇÃO..........................42
6.2.2.2. COLOCAÇÃO DOS ELEMENTOS DE PROTECÇÃO ................................................................................43
6.2.3. PROTECÇÃO CONTRA INDUÇÕES PARASITAS (MAGNÉTICAS E ELECTROMAGNÉTICAS) .......................43

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