Capítulo 2 – Dispositivos Semicondutores de Potência 18

Capítulo 2

Dispositivos Semicondutores de Potência

2.1. Introdução
Os dispositivos semicondutores de potência têm passado por constantes
evoluções tecnológicas e se tornado cada vez mais comuns comercialmente, de
maneira que é extremamente importante entender o comportamento de suas
camadas semicondutoras (dopagem), modelos, tipos, características de disparo
e chaveamento, circuitos equivalentes, cargas e ligações. Na Figura 1-5 do
Capítulo 1, pode ser observada uma distribuição de valores práticos para a
tensão de bloqueio, a corrente de condução e a freqüência de comutação de
alguns dispositivos semicondutores de potência.

Em geral, tais dispositivos são divididos em seis tipos: diodos de potência;

tiristores; transistores de junção bipolares (BJTs); MOSFETs de potência;
transistores bipolares de porta isolada (IGBTs); transistores de indução estática
(SITs). Os tiristores ainda podem ser subdivididos em vários tipos, tais como:
controlado de silício (SCR); indução estática (SITH); desligamento pelo gatilho
(GTO); controlado por MOS (MCT); condução em ambos os sentidos (TRIAC);
controlado de silício ativado por luz (LASCR); condução reversa (RCT);
desligamento auxiliado pelo gatilho (GATT); controlados por FET (FET-CTHs).

2.2. Diodos de Potência

2.2.1. Generalidades
Os diodos semicondutores de potência (Ver Figura 1-6) atuam como
chaves, nas aplicações da Eletrônica de Potência, desenvolvendo vários tipos de
funções, tais como:

a. Chaveamento nos retificadores;

b. Comutação em reguladores chaveados (Free-Wheeling);
c. Inversão de carga de capacitores;
d. Isolação de tensões;
e. Transferência de energia entre componentes do circuito;
f. Recuperação de energia da carga para a fonte.

Apesar de considerados como chaves ideais, na maioria destas aplicações,

os diodos de potência reais têm certas características diferentes das ideais,
possuindo limitações práticas. Com relação aos diodos de sinais, os diodos de
potência guardam algumas semelhanças. Contudo, possuem maiores
capacidades de potência e velocidades de chaveamento bem menores.

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2.2.2. Aspectos Construtivos

Os diodos semicondutores de potência são dispositivos de dois terminais

com uma junção pn, formada, comumente, por fusão, difusão e crescimento
epitaxial, que, dentro de seus limites de tensão e corrente, permitem a passagem
de corrente elétrica em um único sentido de condução. Em geral, detalhes de
funcionamento desprezados para os diodos de sinal, podem ser significativos
nos diodos de potência. A Figura 2-1 mostra um modelo simplificado da
estrutura interna e o símbolo de um diodo de potência.

Figura 2-1 – Estrutura interna e símbolo de um diodo de potência.

Devido à maior concentração de portadores, a resistência da região de

transição (junção) do semicondutor é bem maior que a do restante do
dispositivo. Desta maneira, ao aplicar uma tensão entre as regiões P e N, a
diferença de potencial aparecerá através da junção. Na verdade, a estrutura
interna de um diodo de potência é um pouco diferente da apresentada,
existindo uma região N intermediária de baixa dopagem, cuja função é permitir
tensões mais elevadas, através do alargamento da região de junção, que
mantém o equilíbrio da carga, diminuindo o campo elétrico. Já, as camadas dos
contatos externos dos diodos de potência são altamente dopadas, tornando os
contatos com características ôhmicas e não semicondutoras. Há também um
contorno arredondado, entre as regiões de anodo e catodo, com a função de
eliminar o efeito de pontas, criando campos elétricos mais suaves.

2.2.3. Características de Operação

Quando o potencial do catodo é positivo, em relação ao do anodo, diz-se
que o diodo está reversamente polarizado e, nestas condições, mais portadores
positivos (lacunas) migram para o lado N e vice-versa, aumentando a largura
da junção. Por difusão ou efeito térmico, uma dada quantidade de portadores
minoritários penetra na junção, sendo acelerados, pelo campo elétrico, até a
outra região do componente. Esta pequena corrente reversa, também chamada
de corrente de fuga, aumenta com a temperatura e com a amplitude da tensão
reversa, até atingir a tensão Zener ou de avalanche. Nesta tensão, há um campo
elétrico muito intenso, fazendo os portadores em atingir grandes velocidades,
de modo que, ao se chocarem com átomos da estrutura, estes portadores
produzirão outros, que, também acelerados, darão origem ao chamado efeito
avalanche. Com isso, a corrente aumenta sem redução significativa da tensão na
junção, produzindo um pico de potência que destrói o dispositivo.

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O diodo está diretamente polarizado, quando o potencial do anodo é

positivo, em relação ao do catodo. Nesta situação, ocorre um estreitamento da
região de transição e, se a tensão aplicada superar o valor natural para a
condução, chamado de barreira de potencial ou tensão de limiar (Vγ), os
portadores negativos do lado N serão atraídos pelo potencial positivo do anodo
e vice-versa, levando o componente à condução. Conduzindo, o diodo possui
uma queda de tensão (Vγ), no sentido direto, relativamente pequena, cuja
amplitude, em torno de 1V, depende da fabricação e da temperatura da junção.
O diodo pode ser modelado por diversos circuitos equivalentes, sendo, o mais
comum, aquele que o representa pela associação em série de um diodo ideal,
uma fonte de tensão (Vγ) e um resistor (RD). A Figura 2-2 apresenta este modelo
e as curvas características v-i, ideal e real, para um diodo de potência.

Figura 2-2 – Modelos e curvas características v-i, ideais e reais, de um diodo de potência.

No modelo equivalente do diodo, a fonte é responsável pela barreira de

potencial à condução e pela queda de tensão direta, quando já conduzindo, e o
resistor representa a resistência ôhmica do dispositivo, dissipando calor, por
efeito joule. Já, o diodo ideal funciona apenas como chave, dando o sentido de
condução da corrente elétrica. A curva real ou prática do diodo, mostrada na
Figura 2-2 pode ser expressa pela equação do diodo Schockley, apresentada na
Equação 2-1, onde: ID e VD são a corrente e a tensão no diodo, Is é a corrente de
fuga, n é o coeficiente de emissão e VT é a tensão térmica, sendo k a constante
de Boltzmann, T a temperatura absoluta e q a carga do elétron.

( )
I D = I s ⋅ e VD /n⋅VT − 1 , VT =
k⋅T
q
[2-1]

É comum dividir a curva real do diodo em três regiões, a saber:

− Região de polarização direta: Nesta região, a tensão sobre o diodo (VD) é

positiva. Caso VD seja menor que Vγ, a corrente no diodo (ID) será muito
pequena. O diodo só conduzirá plenamente se VD for maior que Vγ.

− Região de polarização reversa: Aqui, VD é negativa. Para VD negativo e com

módulo bem maior que VT, ID será constante, no sentido reverso e igual a Is.

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− Região de ruptura reversa: Nesta região, a tensão reversa é muito alta,

excedendo uma tensão específica, denominada tensão de ruptura reversa
(VBR). Com isso, a corrente reversa aumenta rapidamente, para pequenas
variações na tensão reversa. A operação na região de ruptura reversa não
será destrutiva, se a potência dissipada for limitada, pelo controle da corrente
reversa, dentro dos níveis especificados nas folhas de dados dos fabricantes.

No caso real, no estado de bloqueio, a junção do diodo pode ser analisada

como um capacitor, cuja carga é aquela presente na própria a região da junção.
Já, no estado de condução, não existe tal carga. Todavia, devido à alta dopagem
da camada P, existe uma penetração de lacunas na região N por difusão. Além
disso, à medida que cresce a corrente, mais lacunas são injetadas na região N
intermediária, que possui baixa densidade, atraindo elétrons da extremidade da
região N de maior concentração, para manter a neutralidade da carga. Desta
forma, cria-se uma carga espacial no catodo, que terá de ser removida, por
recombinação, para permitir a passagem para o estado de bloqueio.

Na realidade, o comportamento dinâmico de um diodo de potência é bem

diferente daquele de uma chave ideal, conforme se pode observar na Figura 2-3,
onde uma tensão degrau de entrada (vi) é aplicada a uma carga resistiva,
através de um diodo (outros tipos de cargas podem alterar as formas de onda).

Figura 2-3 – Curvas características de chaveamento de um diodo de potência.

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Capítulo 2 – Dispositivos Semicondutores de Potência 22

A corrente, na região da junção diretamente polarizada, é devida aos

portadores majoritários e minoritários. Durante o intervalo de tempo t1,
remove-se a carga acumulada na junção. Neste momento, ainda não houve
injeção significativa de portadores, de maneira que a resistência da parte
intermediária da região N é elevada, produzindo um pico de tensão direta
(Vpd). Indutâncias parasitas do componente e das conexões também colaboram
com esta sobretensão. Durante t2, tem-se a chegada dos portadores e a tensão
reduz bastante, para cerca de 1V (Von).

Uma vez que o diodo esteja em condução e sua corrente seja reduzida a
zero, em função de um comportamento do próprio circuito ou pela aplicação de
uma tensão reversa, o diodo continuará conduzindo, devido aos portadores
minoritários, que permanecem armazenados nos semicondutores e na junção. A
redução de Von se deve à diminuição da queda ôhmica. O bloqueio do diodo é
iniciado quando a corrente reversa atinge seu pico negativo (Irr), causado pela
retirada do excesso de portadores. A taxa de variação da corrente, associada às
indutâncias do circuito, provoca uma sobretensão negativa (Vpr).

Desta forma, no desligamento, antes de reiniciar a formação da barreira de

potencial da junção, a carga espacial presente deve ser removida, pela
neutralização dos portadores minoritários, através da sua recombinação com as
cargas opostas. Este processo requer um certo tempo, denominado tempo de
recuperação reversa (trr), medido a partir do cruzamento inicial da corrente do
diodo com o zero (modo de condução para modo de bloqueio), até 25% da
corrente reversa máxima e é dependente da temperatura da junção, da taxa de
decaimento da corrente direta e do valor desta corrente, antes do chaveamento.
O trr é formado por dois componentes, a saber: t4 é o tempo entre o cruzamento
com o zero e o Irr, sendo originado pelo armazenamento de cargas na região da
junção; t5 é o tempo corrido de Irr a 0,25⋅⋅Irr, causado pelo armazenamento de
cargas no material semicondutor.

A soma, que representa o trr, é dada por:

t rr = t 4 + t 5 [2-2]

A relação entre t5 e t4 é conhecida como fator de suavidade, a saber:

t4
S= [2-3]
t5

Observando a taxa de variação da corrente reversa, na Figura 2-3, tem-se:

d
I rr = t a ⋅ ir [2-4]
dt

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Das Equações 2-2, 2-3 e 2-4, observa-se:

 t  d
I rr =  rr  ⋅ i r [2-5]
 S + 1  dt

A carga de recuperação reversa armazenada (Qrr) é a quantidade de

portadores de cargas que fluem pelo diodo, no sentido reverso, devido à
mudança do modo de condução para o modo de bloqueio, sendo dada pela área
abrangida pela corrente de recuperação (região cinza na Figura 2-3):

t rr ⋅ I rr
Q rr ≅ [2-6]
2

Substituindo a Equação 2-5 na Equação 2-6, obtém-se:

 t 2rr  d
Q rr =  ⋅ i [2-7]
 2 ⋅ (S + 1)  dt r
 

Na prática, é necessário conhecer as expressões de trr e Irr, de modo que,

usando as Equações 2-5 e 2-7, tem-se:

2 ⋅ Q rr ⋅ (1 + S)
t rr = [2-8]
d
ir
dt

d 
2 ⋅ Q rr ⋅  i r 
 dt 
I rr = [2-9]
S+1

A partir das Equações 2-8 e 2-9, nota-se que o tempo de recuperação

reversa (trr) e o pico de corrente de recuperação reversa (trr) dependem da carga
armazenada (Qrr) e da taxa de variação da corrente reversa (dir/dt). Já a carga
armazenada depende da temperatura da junção e da corrente direta do diodo
(Id), antes do chaveamento (mais especificamente, da taxa de decaimento da
corrente direta (did/dt) e do valor desta corrente). Parâmetros como Irr, Qrr e S
são de grande importância nos projetos, sendo, normalmente, incluídos nas
folhas de dados dos diodos. Além disso, deve-se notar que, se um diodo estiver
no modo reverso, a aplicação de uma tensão direta forçaria uma corrente no
sentido direto. Todavia, é preciso um certo tempo, denominado tempo de
recuperação direta (trf) ou tempo limite de religamento, antes que os portadores
majoritários, distribuídos na junção, possam contribuir no fluxo de corrente.
Caso a taxa de crescimento desta corrente direta seja elevada, o diodo pode
falhar. Assim, o tempo de recuperação direta limita a velocidade de
chaveamento dos diodos.

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Capítulo 2 – Dispositivos Semicondutores de Potência 24

Os tempos de recuperação reversa e direta são extremamente importantes,

visto que determinam o comportamento dos diodos de potência e,
conseqüentemente, os circuitos e aplicações, em que são empregados. Um
exemplo claro da influência destes tempos, sobre o funcionamento dos circuitos
com diodos, é mostrado na Figura 2-4, a qual destaca as formas de onda
observadas, durante a operação de liga/desliga da chave (CH), considerando,
ou não, o uso do indutor de limitação (LS).

Figura 2-4 – Efeitos dos tempos de recuperação, nos circuitos com diodos.

Inicialmente (t = 0), a chave é ligada, por um tempo suficiente, para

estabelecer um regime permanente, no circuito. Com isso, a corrente nominal
(IN = VS / R) flui, através da carga, e o diodo de comutação ou Free-Wheeling
(Dm) é reversamente polarizado. Em seguida (t = t1), chave é desligada e Dm
conduzirá IN; pois, devido ao comportamento indutivo da carga e aos intervalos
de tempo considerados serem muito curtos, a corrente da carga pode ser
considerada constante (fonte de corrente). Por fim (t = t2), a chave é novamente
ligada e Dm, que estava em condução, se comporta como um curto-circuito.

Caso LS não seja utilizado, as taxas de crescimento, para D1, e decaimento,

para Dm, da corrente direta seriam bastante elevadas, tendendo ao infinito.
Assim, de acordo com a Equação 2-9, o pico da corrente reversa (Irr) de Dm seria
muito alto, podendo danificar os dois diodos. Este problema pode ser resolvido
usando LS. Na prática, também deve ser considerado o tempo de recuperação
direta dos diodos, controlando a taxa de variação da corrente direta.

Considerando que a taxa de crescimento da corrente de D1 é igual à de

decaimento de Dm, observando a malha fechada VS-CH-D1-Dm, tem-se:

d d V d
VS = L S ⋅ i Dm = L S ⋅ i D1 ∴ S = i Dm [2-10]
dt dt L S dt

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Capítulo 2 – Dispositivos Semicondutores de Potência 25

Como trr é o tempo de recuperação reversa do diodo Dm e observando a

Equação 2-10, tem-se que sua corrente de pico reversa (Irr) é:

d t ⋅ VS
I rr = t rr ⋅ i Dm = rr [2-11]
dt LS

A corrente de pico (IP), através do indutor de limitação (LS), é:

t rr ⋅ VS
I P = I N + I rr ∴ I P = I N + [2-12]
LS

Considerando uma recuperação abrupta de Dm, ele é desligado

subitamente, ao ser atingido o valor de pico (IP) da corrente i1, interrompendo o
fluxo de corrente. No entanto, a corrente de carga não muda instantaneamente
de IN para IP, devido ao caráter indutivo da carga empregada. Com isso, ocorre
um excesso de energia armazenada em LS, que induz uma elevada tensão
reversa em Dm, a qual pode danificá-lo. Esta energia excedente é dada por:

WR =
1
2
[
⋅ L S ⋅ (I N + I rr )2 − I N
2
] [2-13]

Este excesso de energia pode ser drenado pelo ramo do circuito disposto
paralelamente a Dm, que contém um capacitor (CS) em série com um resistor
(RS). A função de RS é amortecer eventuais oscilações transitórias. Sendo Vadm a
tensão reversa admissível do diodo e desconsiderando os efeitos de LS e RS, nos
períodos transitórios, o valor de CS pode ser obtido, aproximadamente, por:

1 2 2 ⋅ WR
WR = ⋅ C S ⋅ Vadm ∴CS = [2-14]
2 2
Vadm

2.2.4. Tipos

Em muitas aplicações, a forma de recuperação e as técnicas de fabricação

dos diodos de potência determinam se diodos mais baratos podem ser
utilizados. Assim, de acordo com as características de operação e as limitações
práticas, os diodos de potência podem ser classificados em três tipos, a saber:

a. Genéricos: Estes diodos são, geralmente, fabricados por difusão, sendo

fornecidos com faixas que podem ir de menos de 1 A até 5 kA e de 50 V a 5
kA, além de um tempo de recuperação reversa elevado, da ordem de 100 µs.
Sendo assim, são utilizados em aplicações de baixa velocidade, onde o tempo
de chaveamento não é crítico, tais como: retificadores e conversores com
freqüência de entrada de até 1 kHz e conversores comutados pela rede.

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Capítulo 2 – Dispositivos Semicondutores de Potência 26

b. Alta velocidade: Seu tempo de recuperação é baixo, 0,1 a 5 µs, sendo, por
isso, chamados, também, de diodos de recuperação rápida. Possuem faixas
de menos de 1 A até 1 kA e de 50 V a 3 kV. São essenciais no chaveamento de
conversores CC-CC e CC-CA. Em especificações acima de 400 V, estes
dispositivos são feitos por difusão. Já, abaixo de 400 V, são fabricados diodos
epitaxiais, com velocidades de chaveamento bem superiores.

c. Schottky: Nestes componentes, o problema do armazenamento de carga na

junção PN é eliminado simulando o comportamento da junção por uma
barreira de potencial, criada pelo contato de uma camada metálica (anodo)
depositada em uma fina camada epitaxial de silício tipo N (catodo). A
retificação depende apenas dos portadores majoritários, não havendo
recombinação do excesso de minoritários. Assim, a carga recuperada é bem
menor, pois a recuperação é devida, somente, à capacitância própria da
junção semicondutora, sendo independente da taxa de corrente reversa. Os
valores nominais são limitados a 100 V, 60A, o tempo de recuperação é
bastante pequeno e há uma baixa queda de tensão, em sentido direto, sendo
que a corrente de fuga aumenta com a faixa de tensão e vice-versa. São
comuns em fontes CC de altas correntes e baixas tensões.

2.2.5. Ligações

De acordo com as aplicações, pode ser necessário aumentar a capacidade

de operação dos diodos de potência, tanto com relação à tensão, quanto no que
se refere à corrente. Esta maior capacidade de operação dos diodos é obtida
através de ligações, série ou paralelo, destes componentes, no circuito.

Em aplicações de alta tensão, como HVDC, diodos comerciais podem não

atender as especificações de tensão de bloqueio reverso, sendo preciso conectá-
los em série, de modo a dividir sobre eles a tensão reversa aplicada. Todavia,
esta ligação não pode ser efetuada somente pela conexão de diodos, como na
Figura 2-5, pois, na prática, mesmo que os diodos sejam de um só tipo, as suas
curvas v-i (Figura 2-5) serão diferentes, em virtude das tolerâncias de
fabricação. Assim, polarizados diretamente, os diodos conduzem a mesma
corrente e possuem uma queda de tensão direta, praticamente, idêntica; já,
reversamente polarizados, como têm de conduzir a mesma corrente de fuga
(IS), apresentam tensões reversas (VD1 e VD2) bastante distintas.

Figura 2-5 – Diodos ligados em série e suas curvas características v-i.

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Uma forma simples de solucionar esse problema é inserir uma rede de

resistores, ao circuito da Figura 2-5, de maneira que haja uma mesma tensão
(VD1 = VD2 = VS / 2), sobre os diodos, o que dá origem a diferentes correntes de
fuga (Figura 2-6). A corrente de fuga total (IST) é dividida por um diodo e seu
resistor. Devido a eventuais desconformidades, nas curvas v-i dos diodos
empregados, a tensões sobre os mesmos podem ser um pouco diferentes.
Observando a lei de Ohm para a corrente de cada resistor (IRX = VDX / RX) e
considerando valores iguais para os resistores (R1 = R2 = R), tais tensões sobre
os diodos são encontradas a partir do sistema de equações abaixo:

VD1 + VD2 = VS [2-15]

VD1 − VD2 = R ⋅ (I S2 − I S1 ) [2-16]

É importante observar que o a rede resistiva, inserida ao circuito dos

diodos em série, é responsável apenas pela divisão de tensão em regime
permanente. Sob condições dinâmicas, como em chaveamento de cargas, além
dos resistores da rede, é necessário conectar, também em paralelo com os
diodos, uma associação série de um capacitor (CS) com um resistor (RS),
conforme indica a parte tracejada do circuito da Figura 2-6.

Figura 2-6 – Diodos ligados em série com rede de divisão de tensão.

Em alta potência, os diodos necessitam de uma maior capacidade de

condução de corrente, de modo que são conectados em paralelo. Com isso, a
corrente se divide de acordo com a queda de tensão direta (Vγ) sobre cada
diodo, sendo comum empregar diodos de mesmo tipo ou que possuam um
mesmo Vγ. Para obter uma divisão de corrente uniforme, também são utilizados
indutores e/ou resistores, conectados em série com os diodos. Os resistores não
são muito aconselháveis, devido às perdas de potência que introduzem.

Assim como no caso dos diodos ligados em série, o uso de resistores só é

responsável pelo regime permanente. Sob condições transitórias, são utilizados
indutores acoplados, dispostos em série com os resistores e diodos de cada ramo
(Figura 2-7). Aumentando a corrente sobre D1, a tensão sobre L1 (L1⋅di/dt)
também aumenta, induzindo outra tensão, mas de polaridade oposta, em L2.
Isto acarreta uma baixa impedância no ramo de D2, deslocando a corrente para
este ramo. O grande problema deste tipo de arranjo é o fato dos indutores
gerarem picos de tensão, que os tornam grandes e caros.

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Capítulo 2 – Dispositivos Semicondutores de Potência 28

Figura 2-7 – Diodos ligados em paralelo com rede de divisão de corrente.

2.3. Tiristores
Usado em baixas freqüências (< 1khz) e alta potência (> 10MVA).

Características do tiristor:

Figura 2-8 – Estrutura do tiristor

Figura 2-9 – Curva de resposta estática do tiristor.

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Capítulo 2 – Dispositivos Semicondutores de Potência 29

Modelo do tiristor com dois transistores:

Figura 2-10 – Modelo do tiristor com dois transistores

iC 1 i
Ganho de corrente do transistores: α 1 = ; α2 = C2
i E1 iE2
Ico é a corrente de fuga, gerada termicamente.

Corrente que passa pelo SCR: iA = iC1 + iC2 + ICO = αiE1+ αiE2 +ICO

Mas: iA = iE1 = iE2

I CO
∴ iA = ( α1 + α2)iA + ICO ⇒ i A =
1 − (α 1 + α 2 )

Existem várias formas de fazer com que α1 + α2 → 1, a saber:

2.3.1 Formas de disparo do tiristor:

1. Disparo devido à tensão VAK:

Figura 2-11 – Curva de resposta do DIAC.

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Capítulo 2 – Dispositivos Semicondutores de Potência 30

2. Disparo devido à taxa de variação de tensão (dV/dt):

Figura 2-12 – Efeito de disparo do capacitor interno do tiristor

Se a tensão Anodo-Catodo variar → a corrente no capacitor será:

dV AK
iC = C
dt

A capacidade da junção J2 é função da tensão aplicada, isto é:

dV AK dC
iC = C + V AC
dt dt

Para que VAC aumente, dC/dt tem de ser negativo. Mas, se dVAK/dt for muito
grande, pode ser que se produza uma corrente tal que α1 + α2 → 1.

Proteção contra disparo por dV/dt:

a) RC entre “gate-catodo”;
b) Circuito Snubber - RC entre Anodo-catodo.

3. Disparo por temperatura:

O aumento muito acentuado da temperatura faz crescer ICO, e muda o

ponto de operação, como também se faz α1 + α2 ≈ 1. Deve-se usar proteção
utilizando os dissipadores térmicos.

4. Disparo por injeção de corrente de base (“Gate”):

É o método mais eficaz de disparo. A injeção de corrente no “gate” força o

α1 + α2 ≈ 1.

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Capítulo 2 – Dispositivos Semicondutores de Potência 31

Figura 2-13 – Família de curvas do tiristor para diferentes correntes de gate.

Onde: IH = corrente mínima, em que o tiristor mantém o estado de condução.

Características de TURN-ON:

Figura 2-14 – Resposta dinâmica do disparo do tiristor.

Considerações no projeto do circuito do Gate:

− O sinal do gate deve ser removido depois que o ton;
− Enquanto VAK < 0, iG = 0, pois, se iG ≠ 0, a corrente de fuga aumenta;
− A largura do pulso do gate tG > ton.

5. Disparo por luz ou laser:

LAS (Light Activated Switch)

LASCR ( Light Activated Controller Rectifier)

Figura 2-15 – Disparo do tiristor por efeito luminoso.

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Capítulo 2 – Dispositivos Semicondutores de Potência 32

2.3.2 Limitação de di/dt:

Figura 2-16 – Efeito de limitações de di/dt.

2.3.4 Proteção contra dV/dt:

Figura 2-17 – Efeito de dv/dt por maniobra.

− dV/dt devido à tensão aplicada.
dV
Ex.: v = 2 sen wt → = 2Vw
dt MAX

− dV/dt devido à manobra.

Existem duas formas de proteção contra dV/dt:

a) Sem a utilização do SNUBBER:

Figura 2-18 – Formas de proteção contra dv/dt.

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Capítulo 2 – Dispositivos Semicondutores de Potência 33

b) Com a utilização do SNUBBER:

Figura 2-19 – Exemplo de disparo por maniobra.

Resolvendo o circuito:

 −t  L
V AK = 2V  1 − e τ  , onde: τ =
  R AK
t
dV AK R AK − dV AK
= 2Ve τ , sendo: , em t = 0, igual a:
dt L dt MAX
dV AK R AK
= 2V
dt MAX L
dV AK 30 ⋅ 10 −3
Para os valores dados: = −6
⋅ 400 = 2,4 ⋅ 10 6V / µs
dt MAX 5 ⋅ 10

dV
Com o aumento de L: = 300V / µs ⇒ L = 40mH
dt típi cos

Outra possibilidade é diminuir RAK, no transitório, colocando um

capacitor no circuito SNUBBER:

Figura 2-20 – Circuito de proteção “Snubber”.

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Capítulo 2 – Dispositivos Semicondutores de Potência 34

2.3.5 Circuito de disparo do tiristor:

Figura 2-21 – Família de curvas para diferentes temperaturas

Figura 2-22 – Circuito de disparo de gate.

Circuito de acoplamento:

Figura 2-23 – Diferentes alternativas de disparo de tiristores.

2.4. Transistores
Os transistores em geral podem ser classificados em:

− Transistor de Junção Bipolar;

− Transistor de Efeito de Campo;
− IGBT.

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Capítulo 2 – Dispositivos Semicondutores de Potência 35

2.4.1. Transistor de Junção Bipolar

Transistor NPN. Transistor PNP.

Figura 2-24 – Circuito de Polarização.

Figura 2-25 - Regioes de trabalho do transistor bipolar

Das Figuras acima, temos:

IE = I C + I B

β = hFE = IC/IB

IC = βIB + ICEO

IE = IB (1 + β) + ICEO, onde: ICEO → 0

IE ≈ (1 + β)⋅⋅IB

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Capítulo 2 – Dispositivos Semicondutores de Potência 36

 1 β+1
I E ≈ I C  1 +  = I C
 β β

αI E = I C

Modelo do transistor NPN, para grandes sinais em operação CC:

Figura 2-26 - Modelo do transistor NPN

Usando o circuito em emissor comum:

VB − VBE
IB =
RB

RC
VC = VCE = VCC − I C R C = VCC − β (VB − VBE )
RB

Com o transistor es na região ativa, tem-se:

VCE ≥ VBE

Quando VCB = 0 e VBE = VCE, a máxima corrente de coletor acontece:

VCC − VCE VCC − VBE

I CM = =
RC RC

I CM
I BM =
β

I B >> I BM → VBE ↑ ; I C ↑ ; VCE ↓ ; VCE < VBE

O transistor satura quando VCE = 0,4 a 0,5 V, então:

VCC − VCE(sat)
I CS =
RC

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Capítulo 2 – Dispositivos Semicondutores de Potência 37

β
IBS = ICS/β

O fator de saturação (FS) é dado por:

FS = IB / IBS

A potência de perda do transistor (PT):

PT = VBE⋅IB + VCE⋅IC

Características de chaveamento:

Figura 2-27 – Modelo dinâmico do transistor

Figura 2-28 – Diagrama de tempos da resposta de um transistor a um pulso.

Dos gráficos acima, tem-se:

− td: Tempo de retardo ou de carga do capacitor de junção BE;

− tr: Tempo de subida ou necessário para ic em atingir ICS;
− ts: Tempo de estocagem ou necessário para IB retirar as cargas da junção BE;
− tf: Tempo de queda ou decorrido até IC cair de ICS para zero.

ton = td+tr

toff = ts+tf

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Capítulo 2 – Dispositivos Semicondutores de Potência 38

O controle da corrente de base pode ser feito aumentando a velocidade de

chaveamento (diminuindo o ton e toff):

Figura 2-29 – Alternativa de melhorar a resposta do transistor.

V1 − VBE V − VBE R R C
I B1 = ⇒ I BS = 1 ⇒ τ 1 = 1 2 1 ⇒ t 1 ≥ 5τ 1
R1 R1 + R2 R1 + R2

τ 2 = R 2 C 2 ⇒ t 2 ≥ 5τ 2

A freqüência máxima de chaveamento é:

1 1 0.2
fs = = =
T t1 + t2 τ1 + τ2

Controle de anti-saturação:

Figura 2-30 – Forma de evitar a saturação do transistor.

VB − VD1 − VBE
IB = I1 = ⇒ IC = IL = β ⋅ IB
RB

Assim que D2 passa ao estado on, tem-se:

VCE = VBE - VD1 - VD2

VCC − VCE VCC − VBE − VD1 + VD2

IL = =
RC RC

IC = βIB = β(I1 - IC + IL)

β
IC = (I 1 + I L )
1+β

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Capítulo 2 – Dispositivos Semicondutores de Potência 39

2.4.2. Mosfet de Potência

É um dispositivo controlado por tensão, com baixo tempo de comutação

(da ordem de nanossegundos) e utilizado em aplicações de baixa potência e
altas freqüências.

Mosfet tipo depleção (Canal N):

Mosfet tipo Enhancement (Canal N):

Figura 2-31 – Tipos de transistores Mosfets

Características de estado estático:

Figura 2-32 – Características de estado estático

As regiões de operação, mostradas na figura anterior, são:

− Corte: Vgs < Vt;

− Ativa: Vds ≥ Vgs – Vt;

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Capítulo 2 – Dispositivos Semicondutores de Potência 36

− Saturação ou Ôhmica: VDS ≤ VGS – VT.

Modelo do mosfet:

Figura 2-33 –Modelo estático do transistor mosfet.

Considerando VDS constante:

∆I
gm =
∆VGS

O valor de ro é:

∆VDS
ro =
∆I D

Onde:

− ro → MΩ na região de corte;
− ro → mΩ na região de saturação.

Características de chaveamento:

Figura 2-34 – Modelo dinâmico do mosfets.

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Capítulo 2 – Dispositivos Semicondutores de Potência 41

Figura 2-35 – Resposta dinâmica do transistor ao chavemento

Projeto do circuito atuador de gate do transistor mosfet:

Figura 2-36 – Circuito acionamento com comparador

− É um circuito atuador para baixas freqüências (velocidades de chaveamento);
− R1 e projetado para limitar a corrente do coletor do LM311;
− A resposta da chave depende de R1 (R1 grande, resposta lenta).

Atuador de gate com saída na configuração TOTEM POLE:

Figura 2-36 – Atuador de gate com saída na configuração TOTEM POLE

Circuito de gate com isolamento elétrico:

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Capítulo 2 – Dispositivos Semicondutores de Potência 42

Figura 2-37 Circuito de gate com isolamento elétrico:

Isolamento usando um simples transformador (para 0<D<0.5):

Figura 2-38 Isolamento usando um simples transformador

Para ciclo de trabalho D arbitrário:

Figura 2-39 Para ciclo de trabalho D arbitrário:

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Capítulo 2 – Dispositivos Semicondutores de Potência 40

High voltage bridge driver (ir2110):

Características:

− Trabalha até 500v;

− 2 A de pico de saída por canal;
− 25 ns de tempo de chaveamento;
− Freqüência máxima de 1 Mhz;
− Entrada de controle CMOS e
comparadores Schmitt Triggres;
− Fonte de polarização 10-20 V;
− Consumo de 15 mA para 15 V.
Figura 2-40 Driver de 500V para dois
transistores

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