DM CelsoColaco 2015 MEEC
DM CelsoColaco 2015 MEEC
DM CelsoColaco 2015 MEEC
Orientação cientı́fica
Professor Doutor Rui Filipe Marques Chibante
Professor Doutor Gaspar Mendes do Rego
i
Abstract
The aim of this thesis was to design, build and test a prototype of a high voltage
power supply. To manufacture long period fiber grating (LPG) in the so called
turning points, this power supply must be able to generate stable and small sized
electric arc discharges between tungsten electrodes .
Turning points are points of high sensitivity. This high sensitivity points are
fundamental in the development of optical fiber sensors, as like refractometric sen-
sors.
This power supply prototype employs of a BUCK converter, an DC-AC inverter
which supplies a high voltage transformer, the feedback circuit and PWM control
and a microcontroller for the power supply management.
Afterwards an optimization of the arc discharge parameters led to the manufactu-
ring of a long period fiber grading of less than 150 microns. This is an internationally
unmatched result regarding the use of the electric arc method.
Key-words: High voltage power supply, Long periode grating, optical fiber,
electric arc discharge.
iii
Conteúdo
1 Introdução 1
1.1 Contextualização . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
1.2 Objectivos da dissertação . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
1.3 Organização da dissertação . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
1.4 Estado da Arte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
1.5 Especificações . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
v
CONTEÚDO
6 Conclusão 101
ANEXOS 107
Esquemas 109
1.1 Aspecto de uma fibra óptica SMF-28 (acima) e uma LPG produzida
pelo método de arco eléctrico na fibra SMF-28(em baixo) . . . . . . 4
1.2 Bloco funcional do balastro electrónico Philips para lâmpadas de des-
carga MHN-TD 70W [14] . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
1.3 Diagrama de bloco da fonte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
vii
LISTA DE FIGURAS
xi
Acrónimos
xiii
LISTA DE TABELAS
1.1 Contextualização
O forte desenvolvimento da indústria na área das comunicações ópticas con-
tribuiu para o melhoramento das tecnologias das fibras ópticas, no sentido de um
progresso em direcção a uma maior aplicação. Uma dessas tecnologias, bem conhe-
cida, é a Rede de Perı́odo Longo (LPG – Long Periode Grating) que teve um enorme
impacto nas telecomunicações e nos sensores em fibra [1].
Essas redes desenvolveram-se e permitiram a evolução de novos sensores em fi-
bra óptica mais atractivos, ao oferecer uma série de vantagens quando comparados
com os sensores eléctricos convencionais. As suas principais propriedades são: trans-
missão com baixas perdas, imunidade a interferências electromagnéticas, baixo peso,
pequenas dimensões, isolamento eléctrico, resistência a temperaturas elevadas e uti-
lizações em diferentes meios quı́micos e aquosos, permitindo medições em áreas antes
não acessı́veis de um outro modo.
Existem diversas técnicas de fabricação para a LPG; uma dessas técnicas é a
de fabricação por arco eléctrico, a qual apresenta vantagens em relação à técnica
mais comummente usada e que se baseia na radiação ultravioleta, como sejam a sua
flexibilidade, baixo custo e o facto de poder, em princı́pio, ser aplicada a qualquer
tipo de fibra [2].
A fonte de alimentação de alta tensão é componente fundamental para a criação
da LPG, sendo responsável pela produção do arco eléctrico entre um par de eléctrodos.
1
CAPÍTULO 1. INTRODUÇÃO
O principal requisito exigido à fonte é permitir descargas eléctricas estáveis com di-
mensões reduzidas.
Como o ar atmosférico é o meio que rodeia os eléctrodos, a fonte terá que ter
capacidade de romper esse meio dieléctrico, produzindo descargas eléctricas na or-
dem das dezenas de kV e de regular, com elevada precisão, correntes na ordem das
dezenas de mA, por causa da relação directa que a corrente tem na temperatura do
arco e consequentemente nos efeitos produzidos na fibra óptica.
• Construção do protótipo;
• Escrita das LPGs, com objectivo de produzir redes nos chamados turning
points.
conta na concepção das placas de circuito impresso, para minimizar o ruı́do resul-
tante das interferências electromagnéticas.
No Capı́tulo V são descritos os ensaios realizados no laboratório da Unidade de
Optoelectrónica e Sistemas Electrónicos do INESC-Porto, e apresentados os respec-
tivos resultados. São explicados os vários passos na optimização dos parâmetros de
escrita que conduziram à fabricação das redes de perı́odo longo nos turning points
e ainda a caracterização das redes em função da variação do ı́ndice de refracção do
meio envolvente.
No Capı́tulo VI são apresentadas as conclusões de todo o trabalho ora desenvol-
vido.
A fabricação de uma LPG introduz uma modulação periódica que varia entre
100 µm e 1 mm [1] nas propriedades ópticas de uma fibra. A modulação periódica
pode ser obtida através da modificação permanente do ı́ndice de refracção do núcleo
da fibra, ou através de deformações mecânicas na mesma.
As primeiras LPGs foram propostas em 1995 por Ashish Vengsarkar: essas redes
foram produzidas através da modulação periódica do núcleo de fibras hidrogeniza-
das e dopadas com germânio com perı́odo de centenas de micrómetros. As primeiras
publicações a respeito desse tipo de rede surgiram em 1996 [3]; a aplicação inicial-
mente proposta para as LPGs objectivava a sua utilização como filtros de rejeição de
banda, e como equalizadores da curva de ganho de um amplificador em fibra dopada
com érbio [4].
As LPGs têm vindo a ser alvo de estudos e de uma ampla utilização como sensores
[5] [6]. Diversos autores estudaram teórica e experimentalmente o comportamento
de sensores de ı́ndices de refracção [7] [3] , com especial interesse na região onde o
ı́ndice de refracção do meio exterior é maior do que o da bainha da fibra óptica [8]
[9] , tendo sido reportadas resoluções na ordem de 10−3 a 10−5 unidade de ı́ndice de
refracção.
Devido à sensibilidade da LPG ao meio envolvente, é possı́vel a sua utilização
como sensores de ı́ndice de refracção de elevada resolução, o que possibilita uma
ampla variedade de aplicações.
A forma mais comum de gerar os arcos eléctricos tem sido a utilização de
máquinas de fusão de fibra óptica. A técnica de fabricação de LPG por arco eléctrico
consiste em posicionar uma fibra sem revestimento entre dois eléctrodos; sobre a fibra
é produzido por descarga eléctrica um arco com duração determinada, e de seguida a
Figura 1.1: Aspecto de uma fibra óptica SMF-28 (acima) e uma LPG produzida pelo método
de arco eléctrico na fibra SMF-28(em baixo)
Nos finais de 1999, Oleg Okhtnikov implementou uma das primeiras configurações
na Unidade de Optoelectrónica e Sistemas Electrónicos (UOSE) do INESC-Porto,
que consistiu na utilização de uma máquina de fusão da marca BICC, uma plata-
forma motorizada de traslação, uma roldana e uma plataforma de alinhamento de
três eixos para alinhamento da fibra.
Em 2001, foi desenvolvida e utilizada uma fonte na configuração de Francisco M.
Araújo.
Em 2003, foi desenvolvida uma outra fonte na UOSE por Filipe Pinto e Alberto
Maia, que, posteriormente, foi utilizada na configuração da fabricação de LPG por
Gaspar M. Rego; a fonte permitia a regulação de corrente e contemplava a possi-
bilidade de configuração para AC e DC. Verificou-se, todavia, que o protótipo de-
senvolvido não apresentava um circuito de realimentação da saı́da, mas, mais tarde,
um breve estudo do esquema indicava no sentido de que a ideia da realimentação já
se encontrava ali presente mas não chegou a ser implementada.
Em 2012, foi desenvolvida uma outra fonte por Pedro Torres no Instituto Po-
litécnico de Viana do Castelo (IPVC), que reutilizou algumas partes da fonte de
alimentação anteriormente desenvolvida em 2003.
As fontes comutadas de alta tensão têm um mercado muito especı́fico embora
existam inúmeros equipamentos eléctricos que utilizam comummente fontes de ali-
mentação comutadas convencionais; as fontes de alimentação de alta tensão têm
Figura 1.2: Bloco funcional do balastro electrónico Philips para lâmpadas de descarga
MHN-TD 70W [14]
A fonte de alta tensão proposta, neste trabalho, assenta em parte no bloco fun-
cional da figura 1.2, mas com modificações das secções referentes ao Commutator e
no circuito de realimentação. A inovação da fonte de alimentação ora desenvolvida
consiste em ter uma saı́da regulável, em alta tensão na ordem de 10 kV, uma corrente
alternada até 20 mA com duração do tempo de arco programável até 5 s, com uma
1.5 Especificações
A figura 1.3 mostra o diagrama de blocos da fonte de alta tensão. A fonte recebe
alimentação da rede e fornece, à saı́da, energia através de um transformador de alta
tensão; na saı́da existem os circuitos necessários para realimentar o sistema através
da medição de duas variáveis: tensão e corrente na carga.
As especificações dos sinais eléctricos de entrada e saı́da da fonte são apresentados
na tabela 1.1.
Temperatura
Comunicação Comando
kV mA
REDE
Tensão de entrada 85-265 VAC ou 120-370 VDC
Potência máxima 178 W
FONTE
Tensão de saı́da Até 10 kV
Tensão de impulso de ignição 25 kVpp
Corrente de saı́da Até 20 mA
Frequência 14 kHz
COMANDO
kV referência 0 – 10 V (analógico)
mA referência 0 – 10 V (analógico)
BUCK ligar/desligar 0 – 5 V (digital)
INVERSOR ligar/desligar 0 – 5 V (digital)
SAÍDA
Medição kV Amostragem da tensão por divisor resistivo
Medição mA Amostragem da corrente por resistência shunt
COMUNICAÇÃO
Tipo Conversor USB para RS232 opticamente isolado
Configuração Velocidade de comunicação: 19200 bps
Bits de dados: 8 bits
Bits de paragem:. 1 bits
Tipo de paridade: nenhuma
9
CAPÍTULO 2. REDES DE PERÍODO LONGO POR ARCO ELÉCTRICO
As fibras ópticas são guias de ondas cilı́ndricas concebidas em sı́lica, e que podem
ser compreendidas, por assim dizer, como guias de luz: a luz injectada numa das
extremidades percorre a fibra óptica até sair pela outra extremidade. As fibras
ópticas consistem num núcleo que é rodeado por uma bainha com ı́ndices de refracção
diferentes de forma a garantir a propagação da luz.
A transmissão da luz em fibras ópticas é baseada no fenómeno da reflexão interna
total. O núcleo que é normalmente feito de vidro, em que a sı́lica (SiO2) é dopada
com dióxido de germânio (GeO2), é o centro através do qual a luz viaja. A bainha
à volta do núcleo é feita de sı́lica. Tanto o núcleo como a bainha são materiais
dieléctricos (isolantes eléctricos) e transparentes, cuja escolha na combinação de
materiais é ditada pelos ı́ndices de refracção. Para que se obtenha a reflexão interna
total, o ı́ndice de refracção da bainha deve ser inferior ao ı́ndice de refracção do
núcleo. O revestimento em torno da bainha é uma camada de cobertura geralmente
feita de um material em plástico.
Existem diversos tipos de fibras ópticas, cada uma com caracterı́sticas particu-
lares e aplicações especı́ficas, e com possibilidade de escolha de diversos tipos de
perfis de ı́ndice de refracção. O mais simples é o perfil de ı́ndice degrau, cujo nome
é devido à mudança repentina do ı́ndice de refracção na interface núcleo-bainha.
A figura 2.2 mostra esquematicamente os perfis de ı́ndice de refracção e as secções
transversais de dois tipos de fibra, onde n corresponde aos ı́ndices de refracção do
núcleo (nnúcleo ) e da bainha (nbainha ).
As caracterı́sticas de propagação da luz através das fibras ópticas podem ser estu-
dadas a partir da aplicação das equações de Maxwell. Para tal, são determinadas as
distribuições do campo eléctrico e magnético que satisfazem o conjunto de equações
de Maxwell, bem como as condições limite impostas pela fronteira que define a região
de mudança dos ı́ndices de refracção – por exemplo, numa fibra óptica convencional
tais condições limite são aplicadas na interface entre o núcleo e a bainha da fibra
óptica[15].
Nos guias de onda são observadas soluções para o conjunto das equações de
Maxwell, as quais possuem um padrão transversal bem definido para a distribuição
do campo electromagnético que se propaga ao longo de seu comprimento. Tais
soluções são chamadas de modos, e cada qual é dotado de uma constante de pro-
pagação, uma distribuição de campo caracterı́stica no plano transversal e dois esta-
dos de polarização independentes[15].
bainha,m
λm = nnucleo
ef f −nef f (2.1)
Figura 2.4: Espectro a 400 µm de uma LPG por arco eléctrico em uma fibra comum
SMF-28
-5
Transmission (dB)
-10
R600-No ar
-15
R601-1,339
R605-1,388
R607-1,407
-20
R608-1,42
Figura 2.5: Espectro de uma LPG, quando submetida às várias concentrações de soluções
com ı́ndice de refracção de 1,339 a 1,42
Turning points Os chamados turning points são pontos em que existe uma in-
versão das curvas de dispersão correspondentes a cada modo. Para cada modo,
existe um perı́odo e um comprimento de onda de ressonância associado, no qual
as variações dos parâmetros externos se reflectem na variação da profundidade das
ressonâncias e não em variações de comprimento de onda. Contudo, na proximi-
dade dos turning points as redes de perı́odo longo apresentam elevada sensibilidade
(deslocamento em comprimento de onda) a variações de parâmetros fı́sicos, como a
temperatura ou a deformação.
Nas regiões dos turning points, o declive das curvas correspondente à fase troca
de sinal positivo para negativo. Para além do turning point inicial, e para cada
menor perı́odo da rede, passam a existir dois comprimentos de onda de ressonância
para cada modo da bainha. A figura 2.6 mostra, para o perı́odo de 193 µm de uma
LPG em fibra B/Ge, os dois comprimentos de onda resultantes próximos do turning
point e a figura 2.7 mostra o comportamento da dupla ressonância quando a LPG,
com perı́odo de 193 µm, é sujeita uma variação do ı́ndice de refracção externo.
Figura 2.6: Gráfico para uma LPG em fibra B/Ge da região (a cinzento) de turning points,
adaptado de [17]
Transmission (dB) -5
-10
-15
R100 - no ar
-20 R101 - 1,339
R103 - 1,358
Figura 2.7: Espectro de uma LPG em fibra B/Ge, com perı́odo de 193 µm no turning
point, quando submetida às concentrações de soluções com ı́ndice de refracção de 1,339 e
1,358
elástico.
limitado pelo perı́odo da máscara, essa técnica oferece maior precisão na resposta
espectral quando comparada com o método ponto-a-ponto. Contudo, esse processo
requer que a fibra seja hidrogenizada e posteriormente um tratamento térmico pós
fabrico para estabilizar a rede.
No método ponto-a-ponto, a rede é produzida de forma sucessiva: o processo
consiste em fazer passar um feixe de radiação UV de dimensões reduzidas através
de uma lente, garantindo assim elevada resolução espacial; após atravessar a lente,
o feixe é focado no núcleo da fibra onde se dá a alteração do ı́ndice de refracção. A
estrutura da rede é formada com a repetição do processo à medida que a fibra se
desloca por meio de uma plataforma de translação de precisão (semelhante à figura
2.9).
Figura 2.10: Gravação da rede pelo método de radiação UV com máscara de amplitude
Arco eléctrico É pelo efeito térmico criado por um arco eléctrico que este género
de LPG é produzido. O material que compõe a fibra é sujeito a um processo de
aquecimento e arrefecimento, periódicos, ao longo do comprimento. Esse processo
conduz a alterações nas caracterı́sticas da sı́lica que é responsável pelo acoplamento
entre os modos.
O fabrico da LPG por arco eléctrico consiste em posicionar uma fibra sem reves-
timento entre dois eléctrodos: uma das extremidades da fibra é fixa na plataforma
de translação, cujo movimento é controlado por computador, e na outra extremidade
é colocada uma massa de modo a manter a fibra sob uma tensão longitudinal cons-
tante. É, então, produzido sobre a fibra um arco através de uma descarga eléctrica
de corrente e duração determinadas, de seguida a fibra é movida por meio de uma
carruagem de translação de precisão. Tal procedimento é repetido diversas vezes, o
que dá origem a perturbações periódicas devido ao aquecimento local.
Cátodo Ánodo
Coluna do arco
Queda catódica
Tensão arco
Tensão da
coluna do arco
Queda anódica
Distância
Uma faı́sca entre os eléctrodos ocorre quando o campo eléctrico atinge a tensão de
ruptura (Vb ); a tensão de ruptura é o menor valor de tensão para que uma faı́sca seja
estabelecida entre os eléctrodos. A lei de Paschen estabelecida experimentalmente
em 1889 afirma que Vb = f (P d). Tal fórmula expressa que a tensão de ruptura
num campo uniforme (d0 /d→∞) é uma função exclusiva do produto da pressão e
do espaçamento entre eléctrodos.
B (P d)
Vb = (2.2)
ln lnA(P d)
(1+ λ1 )
As constantes A e B são os coeficientes de ionização de gases que correspondem
a A = 15 cm−1 Torr−1 e B = 365 V/cm·Torr para o ar seco. O λ é o coeficiente
de emissão secundária efectiva, relacionado com o material do cátodo que é de 0,01
para o tungsténio no ar.
Como exemplo, a tensão mı́nima que a fonte deve fornecer para iniciar uma des-
Eléctrodos A formação do arco que ocorre num espaço entre dois eléctrodos ori-
gina uma libertação de calor com temperaturas elevadas. O eléctrodo constituı́do
em material de tungsténio é utilizado por ser um excelente emissor de electrões e
por suportar altas temperaturas; o ponto de fusão do tungsténio ocorre acima dos
3500o C, um dos mais elevados entre os metais conhecidos.
A maioria das aplicações que utiliza eléctrodos de tungsténio contém um óxido
para melhorar a emissão de electrões, tais como o zircónio, tório, lantânio, irı́dio,
cério e misturas de óxidos. Os diferentes tipos de óxidos têm caracterı́sticas fı́sicas
que afectam o desempenho do eléctrodo de tungsténio. Com o calor, os óxidos
migram naturalmente do interior do tungsténio para a ponta do eléctrodo, acabando
por deixar sobre ponta do eléctrodo uma pelı́cula de liga de metal, após libertar o
componente óxido no arco.
Isto faz com que o eléctrodo possa ter uma temperatura diferente na ponta con-
soante o tipo de elemento que é utilizado. Os óxidos que são emitidos na ponta
do eléctrodo servem para melhorar o estabelecimento e a estabilidade do arco, bem
como possuem a capacidade de fornecer o mesmo nı́vel de emissões de electrões a
temperaturas mais baixas quando comparado com o eléctrodo de tungsténio puro.
Temperaturas mais baixas melhoram a longevidade do eléctrodo e favorecem a es-
tabilidade do arco.
A geometria e a qualidade do polimento da ponta do eléctrodo também auxiliam
no desempenho do arco formado entre o par de eléctrodos.
25
CAPÍTULO 3. PARTE TÉORICA DOS CIRCUITOS DA FONTE DE ALIMENTAÇÃO
Buck - Regulator
+Vin
Electrodes
HV Transformer
Voltage
Current Sensing
Sensing
ON/OFF Control
IC Inverter
Potência
PWM
Controller
U sense
ON/OFF
U Ref. I Ref.
Realimentação e PWM
DAC
Temp
Micro Controller
LCD
Optical-isolated
COM Interface ADC
Comando
Buck - Regulator
+Vin
Electrodes
HV Transformer
Voltage
Current Sensing
Sensing
Inverter
Vin Rcarga
Por exemplo, quando se pretende que uma corrente de 10 mA percorra uma carga
com uma resistência de 100 kΩ, num circuito alimentado por uma tensão elevada de
10000 V, será necessário um regulador com capacidade de provocar uma queda de
tensão de 9000 V aos seus terminais, de modo a que se alcance a corrente desejada
na carga.
P = I ·V (3.1)
Vin D C Rcarga
Vin D C Rload
PWM
Controller
Switch Position
A L
Vout
Pos A Pos B Pos A
t
B
Vin Rload
Vout
Avarage Voltage Output
A L
B
Vin C Rcarga
∆Vout,ripple
ESR = (3.4)
∆I L
Para fontes de alimentação de elevado desempenho, às vezes, é necessário pôr
em paralelo vários condensadores para obter uma resistência série equivalente sufici-
entemente baixa. O valor mı́nimo do condensador de saı́da pode ser calculado pela
equação (3.5) [21].
L · (IL,max )2
Cout = (3.5)
(Vout+ ∆V out,overshoot )2 −Vout 2
L
Vout
Vin D C Rload
Estados de Operação Há dois estados em que o circuito opera: (ton ) e (tof f ) do
MOSFET. Estes dois estados e as partes activas do circuito são expostos na figura
3.9.
VL
(Vin-Vout)
A
0 t
(-Vout)
iL ts
iL=iout
0 t
ton toff
VL VL
L L
iL + iL +
Vin C R Vout Vin C R Vout
- -
iin S1,S2
S1 S3
S3,S4
VAB
Vin A + - B
Carga
iAB Ts
VAB
S4 S2
Para gerar uma onda sinusoidal centrada em torno de zero Volt requer-se uma
tensão positiva e negativa alternada na carga, que pode ser feito a partir de uma
única tensão DC e através da utilização de quatro MOSFETs dispostos numa con-
figuração em ponte completa, e um circuito que gera a comutação complementar
entre os pares de MOSFETs: S1 e S2, S3 e S4, como mostrado na figura 3.11.
iin iin
S1 S3
VAB VAB
Vin A + - B Vin A - + B
Carga Carga
S2 S4
Figura 3.11: Funcionamento da ponte completa do inversor com comando em onda qua-
drada
Em que a queda de tensão do MOSFET entre o dreno e a source é Vds = Ron · Iin
1
f≈ (3.8)
1.453 · RT · CT
O valor final da equação pode variar ligeiramente devido aos diferentes tempos
de atraso do comparador interno.
Ton min
Cs = (3.9)
4 · Rs
1
PRsubber = · Vs 2 · Cs · fsw (3.10)
2
Em que:
Rs – Resistência snubber ;
Cs – Condensador snubber ;
Ton min – Valor de tempo mı́nimo em que o MOSFET está
ligado;
Vs – Tensão em torno do condensador;
fsw – Frequência de comutação.
C12
R1 L1 R2 L2
i1 n1:n2 i2
Rc
C1 C2
Lm
Em que:
Po · Dcma
Wa Ae = (3.11)
Kt · Bmax · f
Em que:
Vi(nom) · 108
Npri = (3.12)
4 · f · Bmax · Ae
Em que:
Npri – Número de espiras do primário;
Vi(nom) – Tensão nominal;
f – Frequência de trabalho do transformador;
Bmax – Densidade máxima de fluxo, em Gauss;
Ae – Área efectiva do núcleo, em cm2.
Npri Vin
= (3.13)
Nsec Vout
Assim como a escolha do núcleo magnético é importante, a escolha do tipo
de condutor também o é. Alguns efeitos eletromagnéticos tornam-se mais eviden-
tes a altas frequências, em particular, o efeito pelicular (skin effect) e o efeito de
proximidade dos conductores nos enrolamentos. As escolhas do tipo de secção do
enrolamento e dos diversos perfis tornam-se importantes. Existem conductores do
tipo fio cilı́ndrico, bandas planas em cobre, litzwire, ou até feitos na própria placa
de circuito impresso.
R2
VU sense = · Vout (3.14)
R1 + R2
HV Transformer Voltage
Sensing
R1
Current Sensing
Iout
Rshunt
R2
I sense U sense
Figura 3.15: Diagrama de blocos de uma fonte de alimentação variável em tensão e corrente
[24]
Num conversor existem três elementos que contribuem para o sistema realimen-
tado: o modulador, o filtro de saı́da e a malha de compensação que ao fechar a
malha do circuito contribui para a estabilidade do sistema.
Figura 3.17: Elementos que contribuem para um sistema com realimentação, adaptado de
[25]
3.2.1 O modulador
O bloco do modulador ilustrado na figura 3.18 integra um comparador. O am-
plificador de erro que se encontra ligado à entrada do comparador gera o sinal de
erro entre a tensão de referência e o valor de realimentação. A comparação do sinal
de erro e um sinal periódico do tipo dente-de-serra gera, à saı́da do comparador, um
sinal PWM. Um andar de saı́da (driver ) fornece o sinal PWM com nı́vel de tensão
adequado para controlar o MOSFET.
VIN
Ganhomodulador = (3.16)
∆Vosc
O valor de pico-a-pico da tensão do oscilador é geralmente indicado na folha das
caracterı́sticas técnicas do circuito integrado de PWM.
1
Fosc = (3.17)
CT · (0.7 · RT +3 · RD)
onde:
Fosc – Frequência de oscilação em Hz;
CT – Condensador em µF;
RT – Resistência em kilo-ohm;
RD – Resistência que determina o tempo morto.
Figura 3.22: Gráfico de Bode para exemplificar a margem de ganho e fase de um sistema
90o para o valor da fase. Esse aumento é necessário para neutralizar os efeitos do
filtro de saı́da com o pólo duplo.
1
1 s+ R2 ·C2
Ganhof iltrotipo2 = · (3.19)
R1 · C1 s · s + C1 +C2
R2 ·C1 ·C2
Devem ser seguidos os passos abaixo [25][26] descritos para calcular os pólos e
zeros, e calcular os valores dos componentes do filtro:
10
C2 = (3.21)
2π · R2 · fLC
C2
C1 = (3.22)
π · R2 · C2 · fLC − 1
Figura 3.24: Diagrama de Bode do filtro de compensação do tipo II, adaptado de [25]
Figura 3.25: Circuito com o filtro de compensação do tipo II, adaptado de [25]
1 1
R1 + R3 s + R2 ·C2 · s + (R1 +R)·C3
Ganhof iltrotipo3 = · (3.23)
R1 · R3 · C1 s · s + C1 +C2 · s + 1
R2 ·C1 ·C2 R3 ·C3
BW ∆Vosc
R2 = · · R1 (3.24)
fLC Vin
1
C2 = (3.25)
π · R2 · fLC
C2
C1 = (3.26)
2π · R2 · C2 · fESR − 1
R1
R3 = fSW
(3.27)
2·fLC −1
1
C3 = (3.28)
π · R3 · fsw
A figura 3.28 mostra o sistema fechado com a malha do circuito de compensação
do tipo III e a figura 3.27apresenta o diagrama de Bode do filtro.
Figura 3.27: Diagrama de Bode do filtro de compensação do tipo III, adaptado de [25]
Figura 3.30: Circuito simplificado com sinal positivo à entrada (VOU T =VIN )
Figura 3.31: Circuito simplificado com sinal negativo à entrada (VOU T = −VIN )
55
CAPÍTULO 4. CONSTRUÇÃO DA FONTE DE ALIMENTAÇÃO
Figura 4.2: Placas de circuitos impressos que constituem a fonte (fig. à esquerda). Mon-
tagem da fonte na versão protótipo numa base de suporte (fig. à direita)
4.1.1 Alimentação
da secção do comando.
Isolamento
Entrada rede eléctrica galvânico
85-265VAC – 50 Hz
F F
Filtro de Fonte principal +24V
N N
rede 24V 200W GNDBUCK
Ponto geral
de massas +15V
F
Fonte auxiliar GNDanalog
N -15V
+15V,-15V e 5V +5V
GNDdigital
A fonte de alimentação deve ser capaz de fornecer uma tensão e/ou uma corrente
constantes.
Para o cálculo dos demais componentes é necessário estabelecer alguns parâmetros.
A tensão máxima de saı́da da fonte é de 25 kV pico-a-pico, com uma caracterı́stica
de onda sinusoidal, o que equivale a uma tensão de 8839 Vrms com potência de 178
W.
Pela equação 3.11, o núcleo a escolher deve ter um produto de área da janela e
área do núcleo de no mı́nimo:
Parâmetros eléctricos
Vi(nominal) 19,4 V
Vout 8839 V
Iout 20 mA
Frequência 14 kHz
Núcleo do transformador
Material 3C90
B - densidade de fluxo 470 mT (4700 Gauss) a 25o C
380 mT (3800 Gauss) a 100o C
Tipo UR 39/35/15
Ae 149 mm2 (1.49 cm2 )
Com os dados da tabela 4.1 resulta então que o número de espiras do lado do
primário é (Eq. 3.12):
Com os parâmetros estipulados, torna-se possı́vel o envio dos dados para o fabri-
cante de transformadores. O transformador requer que o secundário seja produzido
e selado com resina. Durante a sua produção, a cura da resina requer um processo
de vácuo a fim de eliminar as bolhas de ar que possam existir entre os enrolamentos,
garantindo assim um elevado isolamento do transformador.
Núcleo do transformador
Marca Ferroxcube
Modelo UR39/35/15
Material 3C90
Enrolamento primário
n1 11 espiras
I1(max) 11 A
Enrolamento secundário
n2 5012 voltas
I2(max) 20 mA
Vout 8,9 kV@14 kHz
Configuração Full-bridge
Isolamento secundário 25 kVpp
178
P =U ·I ⇔I = = 8, 54 A
20, 85
I
Avarage Current Output
9,395
8,54 ΔIL
7,685
A figura 4.4 mostra a variação da corrente de ripple na ordem dos 20%, cujo
valor de ∆I é:
∆I = 8, 54 · 20% = 1, 71 A
A bobina L é calculada pela equação 3.3, para o pior caso, quando a razão cı́clica
é de 50%.
∆Vout,ripple 0, 10
ESR = = = 58 mΩ
∆IL 1, 71
Os valores finais para o conversor Buck são então uma bobina de 47 µH, com
corrente de saturação máxima de 12 A e um condensador de 100 µF – 63 V com
ESR de 55 mΩ. O dı́odo de freewheeling é o BYV79E, da NXP Semiconductor. O
esquema final do circuito BUCK é ilustrado na figura 4.5.
4.1.4 Inversor
1 1
f≈ ⇔ RT = = 4916 Ω
1.453 · RT · CT 1, 453 · 14000 · 10 · 10−9
Figura 4.7: Formas de onda nas gates dos MOSFETs do inversor - 20 V/div; 50 µs/div
1 1
PRsubber = · Vs 2 · Cs · fsw = · 242 · 100 · 10−9 · 14000 = 0, 4 W
2 2
1 1
PRsubber = · Vs 2 · Cs · fsw = · 242 · 12 · 10−9 · 100000 = 0, 36 W
2 2
Figura 4.8: Comparação da forma de onda em um dos MOSFETs do inversor sem snubber
RC (fig. à esquerda) e com snubber RC (fig. à direita) - 5V/div; 50µs/div
R2 R2
VU sense = · Vout ⇔ 10 = · 12500 ⇔ R2 = 80 kΩ
R1 + R2 100000000 + R2
10
VIsense = Rshunt · Iout ⇔ Rshunt = = 500 Ω
20 · 10−3
Figura 4.9: Transformador de alta tensão e a PCB de saı́da, com as resistências do divisor
de tensão e resistência de corrente
1 1
fosc = ⇔ RT = = 14, 3 kΩ
CT · (0, 7 · RT + 3 · RD) 100000 · 0, 7 · 1 · 10−9
Para que seja possı́vel um ajuste da frequência de oscilação, foi utilizada uma
resistência de 10 kΩ e uma resistência variável de 10 kΩ.
4.1.8 Realimentação
Buck - Regulator
+Vin
Electrodes
HV Transformer
Voltage
Current Sensing
Sensing
ON/OFF Control
IC Inverter
PWM
Controller
U sense
ON/OFF
U Ref. I Ref.
Ch. A Ch. B
Sig. OUT
O sistema em malha aberta para a tensão indica uma margem de fase de 14,3o ,
uma margem de ganho de 13 dB e uma largura de banda de 3,33 kHz.
4 0
2 0 1 0 0
0 0
P h a s e (d e g )
G M = 1 3 d B
M a g (d B )
-2 0
-1 0 0
-4 0 P M = 1 4 ,3 º
-2 0 0
-6 0
1 0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0
F re q (H z )
Para a malha de compensação da tensão, o filtro escolhido foi o tipo III com os
seguintes componentes:
R1 = 22, 1 kΩ
BW 3333
R2 = = = 6, 39 kΩ
fLC · ∆Vosc
Vin · R1 1680 · 3,5
24 · 22100
1 1
C2 = = = 29, 6 nF
π · R2 · fLC π · 6394 · 1680
C2 29, 6 · 10−9
C1 = = = 1, 07 nF
2 · πR2 · C2 · fESR − 1 2 · π6394 · 29, 6 · 10−9 · 24114 − 1
R1 22100
R3 = fSW
= 100000 = 768 Ω
2·fLC −1 2·1680 −1
1 1
C3 = = = 4, 14 nF
π · R3 · fsw π · 768 · 100000
C3 = 3, 9 nF .
4 0
2 0 1 0 0
0 0
P h a s e (d e g )
M a g (d B )
-2 0 G M = 3 5 d B -1 0 0
-4 0 P M = 3 4 ,3 º
-2 0 0
O p e n -L o o p
-6 0 S y s te m
1 0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 F ilte r
F re q (H z )
O sistema passou a ter uma margem de fase de 34,4o e uma margem de ganho
de 35 dB.
No sistema com a malha aberta para a corrente torna-se evidente o excesso de
largura de banda, ficando a dever-se a esse excesso também a dificuldade na leitura
da margem de fase e da margem de ganho.
4 0
2 0 1 0 0
0 0
P h a s e (d e g )
M a g (d B )
-2 0
-1 0 0
-4 0
-2 0 0
-6 0
1 0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0
F re q (H z )
R1 = 24, 3 kΩ
2 2
fESR BW ∆Vosc 24114 3333 3, 5
R2 = · · · R1 = · · · 24300 = 100 kΩ
fLC fESR Vin 1680 24114 24
10 10
C2 = = = 18, 95 nF
π · R2 · fLC π · 100000 · 1680
C2 18, 95 · 10−9
C1 = = = 1 nF
2 · π · R2 · C2 · fLC − 1 2 · π · 100000 · 18, 95 · 10−9 · 1680 − 1
4 0
2 0 1 0 0
0 0
P h a s e (d e g )
M a g (d B )
G M = 1 7 d B
-2 0
-1 0 0
-4 0
P M = 4 0 ,4 º
-2 0 0
O p e n - lo o p
-6 0 S y s te m
1 0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 F ilte r
F re q (H z )
O circuito de comando tem como função o controlo e execução das funções ine-
rentes ao funcionamento da fonte, e ainda exibe informações úteis no que respeita
aos parâmetros definidos pelo utilizador e medidos pelos sensores. Os parâmetros
podem ser introduzidos localmente através de um conjunto de botões, ou podem ser
remotamente introduzidos por uma porta de comunicação disponı́vel para esse fim.
A figura 4.15 ilustra os diversos circuitos que compoem controlo da fonte.
Inverter PWM
Enable Enable U Ref. I Ref.
D/A
Temp
Micro Controller
LCD
Optical-isolated
I Sense_dc
COM Interface ADC
U Sense_dc
Ecrã
O ecrã de cristais lı́quidos (LCD), com resolução de 128x64 pixéis (ver figura
4.16), apresenta uma tabela que permite visualizar os seguintes valores:
• Parâmetros introduzidos pelo utilizador na coluna SET;
• Informação dos valores actuais na coluna OUT;
• Tensão e a corrente;
• Tempos do perı́odo do disparo (tempo em que o arco está ligado e tempo em
que está desligado);
• Número de repetições das descargas a fazer em cada ciclo;
• Valores de temperatura e humidade relativos do ambiente.
Microcontrolador
A escolha dos valores de tensão e de corrente à saı́da é feita através das tensões
de referências fornecidas aos amplificadores operacionais de erro (Erro Amp) na
secção de realimentação e controlo PWM da fonte. Como os valores são tratados
digitalmente, do lado do microcontrolador há um sinal digital correspondente ao
valor de tensão e corrente de saı́da, o que implica depois uma conversão para sinais
analógicos.
Para que se proceda a essa conversão, é utilizado o conversor digital-analógico
(DAC) MCP4822, da Microchip Technology Inc, onde a comunicação entre o mi-
crocontrolador e o DAC é garantida através do protocolo SPI (Serial Peripheral
Interface).
11
U201A 5 *
4
1
R250
GainVCC-15V
=1+ ⇔ R2 = = 6, 94 kΩ 10M
AN_GND R2 1, 44
11
AN_GND
C-15V
As resistências escolhidas para R1 e R3 foram de 10 kΩ e para as resistências R2
e R4 foram de 6,81 kΩ, o que resulta no circuito ilustrado na figura 4.18.
PWM
R1
R3
10K
10K
+15V
+15V R254
220
4
R2
4
9
R4
8
LF444CM
11
I_DAC
-15V
-15V
O circuito de comando tem como função o controlo e execução das funções ine-
rentes ao funcionamento da fonte, e ainda exibe informações úteis no que respeita aos
parâmetros definidos pelo utilizador e medidos pelos sensores. Parte fundamental
do circuito de comando é o microcontrolador. Para fazer uso do microcontrolador é
necessário desenvolver o programa que controla determinados processos.
O programa foi desenvolvido no AVR Studio, que é um ambiente integrado de
desenvolvimento (IDE – Integrated Development Environment). No mesmo ambiente
o utilizador pode executar todos os procedimentos relativos ao desenvolvimento do
software para o microcontrolador (edição, compilação, simulação e gravação), o que
torna o trabalho de desenvolvimento mais produtivo.
O programa foi escrito em linguagem C e depois compilado. A compilação do
programa é feita com recurso ao compilador GCC para a criação do programa em
linguagem binária. No compilador o processo é realizado em duas fases. Na primeira
fase é verificado se há algum erro sintáctico na leitura do código fonte, na verificação
REPETIÇÕES tick++
for(;;)
for (repetição= 0; repetição < n_repetições; i++ )
true
true
true true
false
If (store ==1) Colocar valores na DAC
Limpa LCD Mostrar ON no display
Store = 0 Ligar BUCK e ponte H if(clock_millisecond >= 1000)
false false
true
Actualiza
LCD, valores medidos refresh
TEMPO DESLIGADO false
for (tempo_= 0; tempo < tempo_off; ) clock_millisecond = 0
false
true
Verificar USART
FIM FIM
4.4 Ensaios
Figura 4.20: Imagens no osciloscópio da corrente (azul) e tensão (vermelho) nos sensores
Figura 4.21: Modificação da ponta de prova para diminuir ruı́do nas medições
A cauda final na forma de onda observada, como ilustra a figura 4.23, à esquerda,
é devida à energia armazenada no condensador do conversor BUCK que se descarrega
após paragem do circuito PWM. Para que o corte da tensão à saı́da seja instantâneo,
modificou-se o circuito do inversor de forma a permitir que o arranque e a paragem
fossem
1
controlados pelo microcontrolador.
2
Na figura 4.23, à direita,
3
observa-se o 4
+15V
1 14 HV Transformer
B VCC VB1
2 13
COM HO1
3 12
CT VS1
4
RT
R1a 11
NC HV Out
100 RT 5 10
SD VB2
6 9
LO1 HO2
7 8
CT LO2 VS2
Q2a
FDV301N IRS2453
PB4 R2a
1k
GND
GND
baixo. Com o arco estabelecido a tensão mantém o seu valor constante Date:
até ao
A4
fim
11-01-2015 Sheet of
File: D:\Projectos Electronica\..\Hbridge_text.SchDoc
Drawn By:
do 1disparo. 2 3 4
Figura 4.26: Respostas da fonte na variação do valor da corrente de 30% para 60% para
valores de margem de fase de aproximadamente 60o , 40o e 20o .
Condensadores de bypass
Planos de massa
É suposto que a massa (referencial zero) num circuito esteja a um potencial nulo,
todavia isso não acontece. Quando correntes fluem pelas pistas dos circuitos impres-
sos e, como as pistas não têm resistência nula, diferentes potenciais de voltagem
aparecem em pontos diferentes dessas pistas, incluindo as pistas de massa.
Nos circuitos em corrente contı́nua ou em baixa frequência, a ligação da massa
é relativamente simples, mas o único parâmetro crı́tico é a resistência DC de um
condutor. Já nos circuitos que operam nas altas frequências é a indutância de um
condutor ou da pista do circuito impresso que assume um papel importante.
Nos conversores comutados, as elevadas correntes pulsadas fluem a alta frequência
e podem causar problemas se a indutância da pista for elevada. Os picos e vales
vistos, nas formas de onda de voltagem, nos condutores da massa resultam de cor-
rentes parasitas que são induzidas nas indutâncias das pistas do circuito impresso
(ver figura 4.31 à esquerda). A magnitude do pico será diferente nos diversos pontos
ao longo da pista e é maior perto do comutador de energia.
As correntes de comutação nas altas frequências tendem a fluir perto da superfı́cie
de um condutor (efeito pelicular), o que significa que as pistas de massa numa PCB
devem ser largas ou devem utilizar um plano de massa.
A figura 4.31, à direita, mostra uma boa prática para minimizar os problemas de
massa no sistema. As massas dos diversos circuitos são unidas em um único ponto,
impedindo, em boa parte, que as correntes parasitas fluam na massa de um circuito
e que não afectem as massas dos outros circuitos.
4.6 Montagem
89
CAPÍTULO 5. FABRICAÇÃO DE REDES DE PERÍODO LONGO POR DESCARGA
ELÉCTRICA
Figura 5.1: Montagem da configuração para produção de LPGs pelo método da descarga
eléctrica
Conforme ilustra a figura 5.1, a fabricação da LPG, por arco eléctrico, consiste
em posicionar uma fibra óptica sem revestimento entre dois eléctrodos (B). A fibra
deve ser limpa com acetona a fim de serem removidos os resı́duos e partı́culas de pó
que, eventualmente, permaneçam aderidos à fibra após a remoção do revestimento.
Devem ser limpas também as ranhuras das guias que garantem o posicionamento
correcto entre os eléctrodos durante o deslocamento da fibra.
Uma das extremidades da fibra é fixada na carruagem de translação (C) e na
outra extremidade é colocada uma massa (D), de modo a manter a fibra sob uma
tensão constante.
Com a corrente e duração programadas na fonte de alta tensão (A), é então pro-
duzida sobre a fibra um arco através de uma descarga eléctrica, e de seguida a fibra
é movida por meio da carruagem de translação de precisão (C). Tal procedimento é
repetido diversas vezes. Para adquirir o espectro da rede, numa das extremidades
da fibra é injectada luz proveniente de uma fonte de espectro largo (E), e na outra
extremidade é ligado o analisador de espectros ópticos (OSA).
Durante o fabrico das LPGs foram utilizadas dois tipos de fibras ópticas mo-
nomodo: uma fibra óptica SMF-28, da Corning, e uma fibra óptica codopada com
boro/germânio PS 1250/1500, da Fibercore. A tabela 5.1 indica as especificações de
ambas as fibras ópticas.
SMF 28 PS 1250/1500
att@1310 nm 0,35 dB/km 10,24 dB/km
att@1550 nm 0,22 dB/km 124,65 dB/km
cut-off wavelength 1260 nm 1150 nm
fiber diametrer 125,0 µm 125,2 µm
mode field diametrer 10,4 µm 9,6 µm
NA 0,14 0,13
A selecção dos parâmetros eléctricos para a produção do arco eléctrico são progra-
mados na fonte de alimentação de alta tensão. Ao longo das diversas experiências, os
parâmetros de corrente utilizados foram de 10 mA a 18 mA, com tempos de disparo
de 100 ms a 850 ms. O valor do parâmetro da tensão na fonte de alimentação foi
deixado no seu máximo porque é o arco eléctrico, que se forma entre os eléctrodos
a uma determinada distância, que mantém uma tensão constante, mesmo que os
valores de corrente sejam diferentes (ver figura 5.3).
Figura 5.3: Tensão (traço vermelho) constante para distâncias iguais entre eléctrodos.
Figura à esquerda com corrente (traço azul) de 12 mA e figura à direita com 20 mA.
Ao longo dos ensaios foi observado que a forma de onda da tensão do arco
eléctrico revela informações sobre o desempenho dos eléctrodos. A figura 5.4, à es-
querda, mostra que para eléctrodos desgastados ou com elevada oxidação na pontas,
a tensão de pico necessária para a re-ignição do arco é superior quando comparado
com a figura 5.4, à direita, em que, a tensão de pico de reignição é menor para
elétrodos novos.
Vpico Vpico
Figura 5.4: Formas de onda de tensão (traço vermelho) para os diferentes estados dos
eléctrodos. Figura à esquerda com electródos oxidados e figura à direita com electródos
novos.
A figura 5.5 ilustra a influência que diferentes parâmetros eléctricos têm na me-
lhoria da eficiência para cinco redes, com perı́odo de 400 µm na fibra SMF-28. A
fibra foi aqui alinhada e pré-tensionada com um peso de 5,2 g, e o espaçamento dado
entre os eléctrodos foi de 0,9 mm.
40
30
Transmission (dB) with offset
20
10
-30
800 900 1000 1100 1200 1300 1400 1500 1600 1700
Wavelength (nm)
Figura 5.5: Ensaios com diferentes valores de correntes e o tempos de disparo para redes
com perı́odo de 400 µm
Para o fabrico das LPGs foram utilizadas dois tipos de fibras ópticas; fibra óptica
SMF-28 e fibra codopada com boro/germânio PS 1250/1500. A fibra ópica PS
1250/1500 destaca-se por requer menos energia (menos corrente elétrica e a menor
duração de descargas) e um número menor de descargas para inscrever as redes.
A figura 5.6 apresenta quatro redes gravadas na fibra óptica SMF-28 com perı́odos
de 223µm, 217µm, 207µm e 197µm.
A figura 5.7 apresenta três redes gravadas na fibra óptica codopada PS 1250/1500
com perı́odos de 187µm, 180µm e 178µm.
15
223um
217um
207um
197um
10
Transmission (dB) with offset
-5
900 1000 1100 1200 1300 1400 1500 1600
Wavelength (nm)
20
15
Transmission (dB) with offset
10
187um
-5 180um
176um
A fabricação de redes de perı́odo longo nos turning points requer perı́odos in-
feriores a 200 µm para as fibras ópticas utilizadas. A figura 5.8 mostra uma rede
com perı́odo de 197 µm produzida em fibra SMF-28 e a figura 5.9 mostra uma rede
com perı́odo de 148 µm produzida em fibra PS 1250/1500. Ambas as fibras foram
mergulhadas em água para comprovar que a dupla ressonância pertence à região de
turning points.
-0.5
-1
Transmission (dB)
-1.5
X: 1543
Y: -1.697
-2
X: 1497
Y: -2.012
X: 1227 X: 1256
Y: -2.245 fora de água
Y: -2.267
-2.5 dentro de água
1150 1200 1250 1300 1350 1400 1450 1500 1550 1600
Wavelength (nm)
-1
-2
Transmission (dB)
-3
-4
X: 1253
-5 Y: -4.477 X: 1280
Y: -4.695 X: 1552
X: 1503 Y: -4.905
Y: -5.139
-6
-7
Fora de água
Dentro de água
-8
1200 1250 1300 1350 1400 1450 1500 1550 1600
Wavelength (nm)
Para as medições foram utilizadas oito diferentes soluções que consistiam numa
mistura de diferentes percentagens de água e etileno glicol puro, formando um con-
junto de diferentes ı́ndices de refracção. As soluções foram verificadas através de um
refractómetro de Abbe, que se baseia no princı́pio do ângulo crı́tico ou ângulo limite
de reflexão total.
As medições do espectro de transmissão da LPG foram adquiridas quando a
mesma se encontrava imersa nas soluções com os diferentes ı́ndices de refracção.
As redes utilizadas para este estudo foram previamente escritas, em duas fibras
SMF-28, com perı́odos de 540 µm e 197µm, e duas redes em fibra PS 1250/1500,
com perı́odos de 192 µm e 148 µm. Nesta experiência foi estudada a resposta da
transmissão espectral para vários ı́ndices de refracção com valores compreendidos
entre 1,33 e 1,42.
Os resultados são ilustrados nas figuras 5.11 e 5.12 para as LPGs em fibra óptica
SMF-28 e nas figuras 5.13 e 5.14 são ilustrados os resultados para as LPGs em fibra
óptica PS 1250/1500.
-5
Transmission (dB)
-10
X: 1538
Y: -13.24 R600-No ar
R601-1,339
-15 R602-1,3435
R603-1,358
R604-1,375
R605-1,388
R606-1,398
-20
R607-1,407
R608-1,42
X: 1544
Y: -22.96
Figura 5.11: Rede 540 µm SMF-28 (27x 15 mA, 200 ms, 5,2 g)
-0.5
Transmission (dB)
-1
no ar
1,333 água
-1.5 1,356
1,372
1,387
1,398
-2 1,405
1,416
1150 1200 1250 1300 1350 1400 1450 1500 1550 1600 1650
Wavelength (nm)
Figura 5.12: Rede 197 µm SMF-28 (400x 12,7 mA, 580 ms, 2 g)
-5
Transmission (dB)
-10
no ar
1,333 água
1,356
1,372
-15 1,387
1,398
1,405
1,416
-20
Figura 5.13: Rede 192 µm PS 1250/1500 (150x 13,8 mA, 320 ms, 2 g)
-1
Transmission (dB)
-2
no ar
1,333 água
-3
1,356
1,372
1,387
1,398
-4
1,405
1,416
-5
1200 1250 1300 1350 1400 1450 1500 1550 1600 1650
Wavelength (nm)
101
CAPÍTULO 6. CONCLUSÃO
A fonte desenvolvida produz alta tensão, o contacto directo com a saı́da tem
como consequência um choque eléctrico. Dependendo da corrente que atravessa o
corpo, do tempo e percurso da passagem dessa corrente, o choque eléctrico pode
provocar:
• Pequenas sensações;
• Queimaduras;
• Contracções musculares;
• Paralisia respiratória;
• Fibrilação cardı́aca;
• Paragem cardı́aca;
• MORTE.
[1] S. W. James and R. P. Tatam, “Optical fibre long-period grating sensors, cha-
racteristics and application,” Measurement Science and Technology 14, R49
(2003).
[7] C. Silva, J. M. P. Coelho, P. Caldas, and P. Jorge, “Fibre Sensing System Ba-
sed on Long-Period Gratings for Monitoring Aqueous Environments,” in Fiber
Optic Sensors (InTech, 2012), Chap. 13.
105
BIBLIOGRAFIA
[16] G. Rego, “Arc-Induced Long-Period Fibre Gratings. Fabrication and Their Ap-
plications in Optical Communications and Sensing,” Optical Communications
and Sensing, Ph.D. Thesis (2006).
[20] Y. Raizer, V. Kisin, and J. Allen, in Gas Discharge Physics, J. E. Allen, ed.,
(Springer Berlin Heidelberg, 1997).
[22] “Switch Mode Power Supply (SMPS) Topologies (Part I),”, accessed 2014.06.05,
http://ww1.microchip.com/downloads/en/AppNotes/01114A.pdf.
[25] D. Mattingly, “Designing Stable Compensation Networks for Single Phase Vol-
tage Mode Buck Regulators,” Technical Brief TB417.1 (2013).
[26] N. Safari, “Design of a DC/DC buck converter for ultra-low power applications
in 65nm CMOS Process,” Master thesis (2012).
107
Esquemas
109
110
Buck Frequency Adjust
C205
R208 R206 R221
C200
R200
R210 R211 75k R231 10k
100p 10k
R214 33n 6.34k
10k 10k 50k
C228 AN_GND C201 AN_GND
100k
VCC+15V 1n
VCC+15V VCC+15V VCC+15V R213
C202
VCC+15V 33p R204
4
D201 U200A C214 U200B 680k
4
4
FDH333 R223 3.9n 768
D202 LF444CM 100n 6 LF444CM U202A C209
4
R205 D200
FDH333 U200C 2 7 2 LF444CM
D203 56.2k
9 LF444CM 1 AN_GND R230 5 22.1k 1
8 3 3 100pF
R1 100k
VSENS 10 FDH333
R202 R224
11
FDH333 R212 VCC+15V
100k
11
11
R232 Voltage Reference 10k U204
100k
11
D206 1k VCC-15V VCC+15V 100k 16 15
FDH333 VREF VCC
VCC-15V VCC-15V VCC+15V 4 13
R217 OSC OUT VC
0 - 10V 3
4
10M U203A SYNC
VCC-15V R209 6
4
LF444CM RT
VCC-15V 2 7 11
R216 DISC OUT A
AN_GND 1 6 D207 5 14
CT OUT B
Fullwave rectrification Lowpass Filter + Gain Type III CompensationAN_GND 100k 3 7 9
CMPEN
Voltage Feedback Loop 100k 5 2
R218 IN+
U203B FDH333 1 8
IN- SS
11
100k LF444CM C221 C224
11
1n C227 12 10 D208 D205
APÊNDICE . ESQUEMAS
4
FDH333 LF444CM Level Shifter AN_GND PWM Stage
4
4
4
U201B 2 U201C
D210 6 LF444CM D211 1 R251 9 LF444CM 6
FDH333 7 3 8 7
R2 61.9k
ISENS 5 10 5 U202B
FDH333 LF444CM
100k
11
R249 R247
11
11
11
D212 49.9k Current Reference 10k
FDH333 R252 VCC-15V
1k VCC-15V VCC-15V
VCC-15V AN_GND 0 - 10V R250
VCC-15V 10M
AN_GND
AN_GND
Fullwave rectrification Low Pass Filter + Gain Type II Compensation
Current Feedback Loop
VCC+15V
C229
Cap Pol3 C230 VCC+24V
10uF 100n 63V
GND
U205 D1
PWM 2 1 FDH333
IN VCC
8
VB
4 R253 R14
NC
5 7 100
NC HO
R254 10R 1W R255
220 3 6 Q200 C14 180K
VSS VS
C231 IRFZ48N 12n
IR2117 L200
GND GND 100n 63V
Inductor
R291 47uH
C232
D214
AN_GND 0 GND HFA04TB60 100u
GND GND
BUCK Converter
Q202 Q203
IRFZ48N R14 IRFZ48N R14
VCC+15V 100 100
R262 R263
C237 12 C14 12 C14
C238 U208 C240 100n High Voltage Output
ZD200 ZD201
1 14 470n 100n
VCC VB1 18V0 1/2W 18V0 1/2W J1
100n 22u 2 13 C1
COM HO1 R278 HTR1 R4
3 12
CT VS1
H-Bridge Frequency Adjust 4 0 360R 2W
RT
R269 11 C245 6,6u Plug
NC
20k 5 10 470n R6 R7
SD VB2 J2
C246 6 9 10M - 5W 10k
LO1 HO2
7 8
LO2 VS2
100n
IRS2453 Q204 Q205 6:2400 Plug
IRFZ48N C14 IRFZ48N C14 GND
100n R8
R277 R9 100n 100M 3W
ZD202 12 R14 ZD203 12 R14
R279 100 R280 100
18V0 1/2W 10k 10k ISENS VSENS
18V0 1/2W
R10 R11
150 3W 37,5k
GND GND
GND
Selfoscillating 12 kHz H-Bridge
1 2 3 4 5 6 7 8
VCC_ISO VCC_ISO
C234
100nF VCC5V
R260 U206
1K@1Mhz C236 GND_ISO FT232RL R264 R261
20
4
C235 100nF 47k U207 47k
100pF 17 1 RXD
3V3OUT TXD
J200 5
RXD
VCC
A 1 GND_ISO GND_ISO 2 C239 A
VBUS DTR
VCCIO
2 16 9 R265 1n
D- USBDM DSR
3 3 0 VCC_ISO
D+ RTS
4 15 11 GND_ISO GND
GND USBDP CTS
10 R270
DCD
4-1437106-8 6 47k
RI
19 U209
RESET R274
R273 C241 C242 23 TXD
CBUS0
1K@1Mhz 27 22 47k
OSCI CBUS1 C248
C247 R275 47pF 47pF 13
CBUS2 1n
100pF 47k 14
CBUS3
12
CBUS4
28 GND_ISO GND
AGND
GND
GND
GND
NC
NC
TEST
7
8
25
18
21
24
R282 R283
1K 1K R281
GND_ISO 10M
J100
USB Interface VCC_ISO VCC_ISO GND_ISO GND PE7
VCC5V
J101
P100 Header 12 PF3
VCC5V VCC5V P102
B P101 J102 B
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
PF2
1
2
3
4
5
6
7
8
GND 1
2
Header 8
3
R103 PE0 C103 C104 C100 C101 C102 C117 C118
4
1k PE1 J103
5
PE2 C106 C105 100n PA7
6
PB4
PB5
PB6
PB7
PD4
PD5
PD6
PD7
PC0 22u 22u
7
PC1 100n 100n J104
8
I_ADC
PC2 PA6
V_ADC
9
PC3
10
PC4 GND GND GND GND GND GND GND
11
VCC5V R101 PC5 GND GND GND
12
6k8 PC6 GND
13 S100
PC7
14
PE6 PA0
Q100 15
PE3 R102 PE5 SW-PB
BSS138 16 C107
10R FUSE PE4
17
IC100 33p
R107 18
19 S101
PB0 10 51 PA0 GND GND
GND 20 PB0 (SS) PA0 (AD0)
6R2 SCK 11 50 PA1 PA1
PB1 (SCK) PA1 (AD1)
Header 20 PB2 12 49 PA2 SW-PB
PB2 (MOSI) PA2 (AD2) C108
MOSI 13 48 PA3 Buttons
PB3 (MISO) PA3 (AD3)
PB4 14 47 PA4 33p
PB4 (OC0) PA4 (AD4)
PB5 15 46 PA5
2
PB5 (OC1A) PA5 (AD5) S102
PB6 16 45 PA6 GND GND
PB6 (OC1B) PA6 (AD6)
C PB7 17 44 PA7 PA2 C
PB7 (OC2/OC1C) PA7 (AD7)
Q101 18 SW-PB
TOSC2/PG3 C109
32.768kHz 19 35 PC0 IC102
1
TOSC1/1PG4 PC0 (A8)
36 PC1 PB2 4 8 33p
PC1 (A9) SDI VOUTA
SCL 25 37 PC2 6
PD0 (SCL/INT0) PC2 (A10) VOUTB S103
VCC5V VCC5V SDA 26 38 PC3 PB0 2 GND GND
PD1 (SDA/INT1) PC3 (A11) CS
RXD 27 39 PC4 LCD SCK 3 PA3
PD2 (RXD1/INT2) PC4 (A12) SCK
P103 TXD 28 40 PC5 SW-PB
PD3 (TXD1/INT3) PC5 (A13) C110
TCK PD4 29 41 PC6 5
1 2 PD4 (IC1) PC6 (A14) LDAC
TDO PD5 30 42 PC7 33p
3 4 PD5 (XCK1) PC7 (A15)
TMS /RES PD6 31 1 7
5 6 PD6 (T1) VCC5V VDD AVSS S104
PD7 32 54 TDI GND GND
7 8 PD7 (T2) PF7 (ADC7/TDI)
TDI 55 TDO MCP4822-E/SN PA4
9 10 PF6 (ADC6/TDO)
PE0 2 56 TMS GND GND SW-PB
PE0 (RXD0/PDI) PF5 (ADC5/TMS) C111
JTAG PE1 3 57 TCK
PE1 (TXD0/PDO) PF4 (ADC4/TCK)
PE2 4 58 PF3 33p
PE2 (XCK0/AIN0) PF3 (ADC3)
GND LCD PE3 5 59 PF2
PE3 (OC3A/AIN1) PF2 (ADC2) S105
PE4 6 60 I_ADC ADC GND GND
PE4 (OC3B/INT4) PF1 (ADC1)
PE5 7 61 V_ADC PA5
PE5 (OC3C/INT5) PF0 (ADC0)
VCC5V PE6 8 SW-PB
PE6 (T3/INT6) C112
PE7 9
R104 PE7 (IC3/INT7)
33p
33 21 VCC5V
8
10k PG0 (WR) VCC VCC5V
34 52 GND GND
PG1 (RD) VCC
SCL 6 R105 43 64 R106
SCL PG2 (ALE) AVCC VCC5V
7 10k 62 U100
WP AREF
/RES 20 2 R100
RESET 10k VDD
3 5 SDA 1 22 10k
A2 SDA PEN GND C113 C114
D 2 C115 22p 53 1 /RES D
A1 GND 100n 100n RST
EEPROM
Array
1 23 63
2
A0 GND XTAL2 GND
24 3
XTAL1 VSS
IC101 Q102
4
24C64SM 16Mhz GND GND GND MCP130T-450I/TT Title
ATmega128-16AI GND
1
GND
GND GND
C116 22p Size Number Revision
A3
Date: 12-01-2015 Sheet of
File: D:\Projectos Electronica\..\HV_Display_v4.SchDoc
Drawn By:
111
1 2 3 4 5 6 7 8
Ficheiros de fabricação
113
APÊNDICE . FICHEIROS DE FABRICAÇÃO
119
APÊNDICE . FUNÇÕES DO PROGRAMA
timer.c
timer init(void)
timer start(void)
timer stop(void)
i2c routines.c
i2c start(void); – arranque da comunicação I2C
i2c repeatStart(void); – reiniciar comunicação I2C
i2c sendAddress(unsigned char) – enviar endereço
i2c sendData(unsigned char) – enviar dados
i2c receiveData ACK(void) – confirmar ACK
i2c receiveData NACK(void) – confirmar NACK
i2c stop(void) – parar comunicação I2C
key.c - Botões
void key init(void) – iniciação os parâmetros do porto dos botões
void key deinit(void) – desactivar porto dos botões
key state t key task(void) – antiressalto
key state t key state get(void) – atribui funções aos botões
uint8 t is button(void) – polling para verificar se um botão foi pressionado
uint8 t get button(void) – espera que um botão seja pressionado
uint8 t check key button(void) – validar botão pressionado
lcd graphics.c
void LCD drawLine (uint8 t x0,uint8 t y0,uint8 t x1,uint8 t y1)
void LCD drawCirc (uint8 t x1, uint8 t y1, uint8 t radius)
void LCD drawRect (uint8 t x1,uint8 t y1,uint8 t x2,uint8 t y2)
void LCD fillRect (uint8 t x1,uint8 t y1,uint8 t x2,uint8 t y2)