PROGRAMADOR/LECTOR MANUAL DE MEMORIAS UV-EPROM 27C128, 256 Y 512

5V
(SÓLO LAS LOCALIDADES 0 - 255)

5V
Salida de datos
R3R4R5R6R7R8R9R10
10k10k10k10k10k10k10k10k R20
10k

12
14
16
18
B+ B-

3
5
7
9
Localidad de la memoria (8 bits)
U2:B U2:A

Y3
Y2
Y1
Y0

Y3
Y2
Y1
Y0
74LS244 74LS244
10
11
12
13
14
15
16
9

R21 R22 R23 R24 R25 R26 R27 R28

OE

OE
A3
A2
A1
A0

A3
A2
A1
A0
DSW2 220R 220R 220R 220R 220R 220R 220R 220R
OFF

8
6
4
2
19

17
15
13
11
DIPSW_8
ON

B - U1 B11-
10
A0 D0
B+ B-
8
7
6
5
4
3
2
1

9 12
A1 D1
8 13
A2 D2
7 15
A3 D3
6 16

5V
A4 D4
5 17
A5 D5 GND
4 18
A6 D6
GND 3 19
B+ 25
A7 D7
24
A8 B+

12
14
16
18
A9

3
5
7
9
21
Bit más significativo (B+ ) 23
A10
A11 U3:B U3:A

Y3
Y2
Y1
Y0

Y3
Y2
Y1
Y0
2
Bit menos significativo (B- ) 26
A12 74LS244 74LS244
27
A13 R11
R12
R13
R14
R15
R16
R17
R18
A14 10k10k10k10k10k10k10k10k
GND

OE

OE
A3
A2
A1
A0

A3
A2
A1
A0
20
SW1 22
CE
12V OE
1

8
6
4
2
19

17
15
13
11
VPP
Vpp 5V
SW-SPDT 27C256
12V

Salida de datos
5V

(Lectura) SW2

SW-SPDT

10
11
12
13
14
15
16
BAT2 BAT1 B-

9
12V 5V Entrada de datos B+
DSW3

OFF
(Escritura) R19
DIPSW_8
10k

ON
GND
Entrada de datos

8
7
6
5
4
3
2
1
5V

GND

Ing. Genaro Alfredo Alcázar Marín Instituto Tecnológico de Cuautla V 1.3 19/11/2014
GND