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ソニーが、新型メモリーの製品化に向けて動き出している。それが、ソニーセミコンダクタソリューションズが開発中の抵抗変化型メモリー（ReRAM）だ。NANDフラッシュメモリーより高速で、DRAMとNANDフラッシュメモリーのギャップを埋める不揮発性メモリーである「ストレージ・クラス・メモリー（SCM）」に向ける。SCM向けReRAMが製品化されれば、ソニーグループにとって新しいカテゴリーの製品、すなわち新規事業になる。
製品化を目指しているのは、ソニーセミコンダクタソリューションズが開発した、集積化に向くクロスポイント構造のReRAMを基にする。2017年6月に半導体（VLSI）関連の国際会議「2017 Symposium on VLSI Technology」（VLSIシンポジウム）で、100Gビット級の集積化が可能とする技術として発表済みである（関連記事）。フラッシュメモリー関係の世界最大級のイベント「Flash Memory Summit（FMS） 2019」（2019年8月6～8日、米国サンタクララ）では、ReRAM向けのドライバー技術を発表するなど、製品化に向けて開発が進んでいる様子がうかがえた。
ソニーが開発した、100Gビット級の集積化が可能とするReRAMのセル構造（出典：日経エレクトロニクス2017年8月号）
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