Masterarbeit Lukas Furrer

Masterarbeit
Information and Communication Technologies
RF interface for high-power

MRI experiments
Autor:
Lukas Furrer
Betreuung:
Dr. Werner Baumberger

Dr. David Brunner
Dr. Markus Weiger
Auftraggeber:
Institut für Biomedizinische Technik ETH/UZH
Zürich, 12. Juni 2015

Erklärung betreffend das selbständige Verfassen einer
Masterthesis an der School of Engineering
Mit der Abgabe dieser Masterthesis versichert der/die Studierende, dass er/sie die Arbeit selbständig und
ohne fremde Hilfe verfasst hat
Der/die unterzeichnende Studierende erklärt, dass alle zitierten Quellen (auch Internetseiten) im Text
oder Anhang korrekt nachgewiesen sind, d.h. dass die Masterthesis keine Plagiate enthält, also keine
Teile, die teilweise oder vollständig aus einem fremden Text oder einer fremden Arbeit unter Vorgabe der
eigenen Urheberschaft bzw. ohne Quellenangabe übernommen worden sind.
Bei Verfehlungen aller Art treten der Paragraph 39 (Unredlichkeit und Verfahren bei Unredlichkeit) der
ZHAW Rahmenprüfungsordnung sowie die Bestimmungen der Disziplinarmassnahmen der
Hochschulordnung in Kraft.
Ort, Datum: Unterschriften:
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Das Original dieses Formulars ist bei der ZHAW-Version der abgegebenen Masterthesis zu Beginn der
Dokumentation mit Original-Unterschriften und -Datum (keine Kopie) einzufügen.
Zürcher Fachhochschule
Abstract
Advanced methods in magnetic resonance imaging present challenges to radiofrequency (RF)

electronics in the spectrometer. A core component in pulsed high-power MRI experiments ist
the transmit-receive (T/R) switch, that interfaces between power amplifier, RF coil and receiver.
Imaging of tissues that generate short living MR signal (e.g. bone) set the need of switching in less
than a microsecond. At the same time the low-noise amplifier is to be protected of spikes (video
leakage), to guarantee its full sensitivity at the start of signal aquisition.
In this work, an existing switch design was improved by a new PIN diode driver. Based on
simulations and step by step prototyping a driver circuit was developped, which combines
a differential operational amplifier with a bipolar transistor output stage. The switch state is
monitored using comparators and programmable logic for signal processing.
The resulting 8-channel T/R switch features a RF rise time of 350 ns at a video leakage of -65
dBm maximum. RF coil and receiver are isolated by 75 dB in transmit state and connected by a
through loss of 0.5 dB in receive state. Both switching and RF requirements are met by the new
design. Monitoring of the switch state and transmission of the critical signals over optical fiber
enhances safety in presence of strong electromagnetic fields during an MRI experiment. To verify
the operation of the T/R switch MR images have successfully been acquired using high bandwith
zero echo time (ZTE) imaging.
i
Zusammenfassung
Fortgeschrittene Bildgebungsverfahren in der Magnetresonanztomographie stellen erhöhte Anfor-

derungen an die Hochfrequenzelektronik im Spektrometer. Der Sende-Empfangs-Umschalter (T/R
Switch) als Schnittstelle zwischen Leistungsverstärker, Spule und Empfänger ist von zentraler
Bedeutung bei MR-Experimenten mit hoher HF-Pulsleistung. Die Aufnahme von Knochenge-
webe beispielsweise, das sehr kurzlebiges MR-Signal erzeugt, erfordert ein Umschalten von
Leistungspuls-Senden auf MR-Signal-Empfangen in weniger als einer Mikrosekunde. Der rausch-
arme Empfängsverstärker ist dabei vor Störimpulsen durch Schalttransiente (Video Leakage) zu
schützen, damit er seine volle Empfindlichkeit von Beginn der Messphase an hat.
In der vorliegenden Arbeit wurde ein bestehendes Switchdesign durch Auslegung eines neuen
pin-Dioden Treibers verbessert. Aus vorangehender Simulation und stufenweisem Prototypenbau
wurde eine Treiberschaltung entwickelt, die einen differenziellen Operationsverstärker mit einer
Endstufe aus bipolaren Transistoren kombiniert. Eine Zustandsüberwachung des T/R Switches
wurde durch Komparatoren und Signalauswertung in programmierbarer Logik implementiert.
Der realisierte 8-Kanal T/R Switch ereicht eine Schaltzeit von 350 ns bei einer Video Leakage“
”
von maximal -65 dBm. Mit einer Isolation von 75 dB zwischen Spule und Empfänger beim Senden
und einer Signaldämpfung von 0.5 dB beim Empfangen werden auch die Anforderungen an die
Hochfrequenzeigenschaften erfüllt. Die Überwachung des Schaltzustands, sowie die Übertragung
der kritischen Signale über Lichtwellenleiter, garantieren eine hohe Betriebssicherheit in Gegenwart
starker elektromagnetischer Felder bei einem MR-Experiment. Mit der erfolgreichen Aufnahme
von MR-Bildern durch das Bildgebungsverfahren Zero Echo Time“ (ZTE) konnte die Funktion
”
des T/R Switches verifiziert werden.
ii
Inhaltsverzeichnis
1 Einleitung 1
1.1 Wie eine MRT-Aufnahme entsteht . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
1.1.1 Physikalische Grundlagen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
1.1.2 Räumliche Kodierung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
1.2 Der T/R Switch . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
1.2.1 Funktionsprinzip des pin-Dioden T/R Switches . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
1.2.2 Anforderungen an den T/R Switch . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
1.2.3 Bestehende T/R Switches . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
2 Methoden 15
2.1 Design . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
2.2 Simulation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
2.3 Schaltung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
2.4 System . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
2.5 Layout . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
3 Resultate 24
3.1 Schaltverhalten . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
3.2 Hochfrequenzeigenschaften . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
3.3 Linearität . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
3.4 MR-Bilder . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
4 Diskussion 34
5 Fazit 37
6 Anhang 39
6.1 Bedienungsanleitung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
6.2 Aufgabenstellung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41
6.3 Schemata . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
iii
Abbildungsverzeichnis
1.1 Hauptbestandteile eines MR-Scanners . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2

1.2 Magnetisches Dipolmoment eines Atomkerns mit Spin . . . . . . . . . . . . . . . 2
1.3 Ausrichtung der Atomkerne im externen Magnetfeld . . . . . . . . . . . . . . . . 3
1.4 Präzession . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
1.5 Rotierender Dipol induziert Spannung in einer Spule . . . . . . . . . . . . . . . . 4
1.6 Gradientenspulen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
1.7 Spin Echo Sequenz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
1.8 Auswirkung des Gradients auf die Phasenlage der Kernspins . . . . . . . . . . . . 6
1.9 Räumliche Kodierung durch Phasenüberlagerung . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
1.10 Der k-Raum enthält die Ortsfrequenzen in x- und y-Richtung . . . . . . . . . . . . 7
1.11 Ein Duplexer verbindet Sender und Empfänger mit einer Antenne . . . . . . . . . 8
1.12 Schematischer Aufbau einer pin-Diode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
1.13 Serie SPST Switch . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
1.14 Shunt SPST Switch . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
1.15 λ/4-T/R Switch . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
1.16 T/R Switch mit π-Glied als λ/4-Ersatzschaltung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
1.17 T/R Switch mit differenzieller Ansteuerung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
2.1 8-Kanal T/R Switch . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

2.2 Simulation der Endstufe mit pin-Dioden T/R Switch . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
2.3 Ergebnis der Simulation der Endstufe mit pin-Dioden T/R Switch . . . . . . . . . 18
2.4 Schema der Treiberschaltung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
2.5 Systemübersicht . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
2.6 Blockschaltbild des 8-Kanal T/R Switches . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
2.7 Ausschnitt des Mainboard-Layouts . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
3.1 Messaufbau Schaltverhalten . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24

3.2 T/R Switch Schaltverhalten . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
3.3 Flankensymmetrie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
3.4 Durchgangsdämpfung TR→RX im Sendezustand . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
3.5 Isolation TX→RX im Sendezustand . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
3.6 Durchgangsdämpfung TR→TX im Empfangszustand . . . . . . . . . . . . . . . . 27
3.7 Isolation TR→TX im Empfangszustand . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
3.8 Aufbau Linearitätsmessung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
3.9 1dB-Kompressionspunkt des Leistungsverstärkers . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
3.10 Linearität des T/R Switches . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
3.11 Versuchsmessung im Philips Achieva 7T-Scanner . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
3.12 Kontrollsignale . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
3.13 Phantome mit Ringspule gemessen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
iv
Abbildungsverzeichnis
3.14 Fussgelenk mit Ringspule gemessen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32

3.15 Phantome mit Kopfspule gemessen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
3.16 Kopf mit Kopfspule gemessen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
v
1 Einleitung
Die Magnetresonanztomographie MRT (engl. Magnetic Resonance Imaging MRI) ist ein bildgebendes
Verfahren, das vor allem in der medizinschen Diagnostik zur Darstellung von Struktur und
Funktion der Gewebe und Organe im Körper eingesetzt wird. Der MR-Scanner ist ein High-tech
Messgerät, das Expertise in Gebieten wie Supraleiter-, Regelungs-, Hochfrequenztechnik, High-
speed Digitale Signalverarbeitung, Bildverarbeitungsalgorithmik und Physik in sich vereint.
Die namensgebende Kernspinresonanz ist die Grundlage für Magnetresonanztomopgraphie. Es

ist ein physikalischer Effekt, bei dem Atomkerne einer Materialprobe in einem konstanten Ma-
gnetfeld elektromagnetische Wechselfelder absorbieren und emittieren. Der Atomkern kann durch
einen leistungsstarken Hochfrequenzpuls angeregt werden, dessen Frequenz in Resonanz mit der
Eigenfrequenz des Kerns ist.
Nach der Anregung emittieren viele Atome gleichzeitig ein Signal, das während einer vom
untersuchten Gewebe abhängigen Dauer messbar ist. Da Anregung und Messung oft durch
dieselbe Antennespule erfolgen, ist eine Hochfrequenzschnittstelle (engl. radiofrequency RF interface)
zwischen Sender, Spule und Empfänger erforderlich. Ein Sende-Empfangs-Umschalter (engl.
transmit-receive T/R Switch) ist überall dort notwendig, wo sich Sender und Empfänger eine Antenne
teilen, ein prominentes Beispiel ist die Radartechnik. Wie beim Radar, wird auch im MR-Scanner
mit RF-Pulsleistungen im Kilowattbereich gearbeitet, um ein Signal hoher Güte zu erzielen. Bei
Aufnahmen von Weichteilen braucht man keine schnellen Schalter, weil das Signal Sekunden
bis mehrere Millisekunden lebt. Will man sich aber Festkörper oder grossmolekülige Substanzen
ansehen, zum Beispiel Knochen- oder Lungengewebe, ist schnelles Umschalten vom Sende- in
den Empfangsbetrieb entscheidend, damit möglichst viel Information des MR-Signals gemessen
werden kann, das innert Submillisekunden zerfällt.
Die MR-Technologie Forschungsgruppe des Instituts für Biomedizinische Technik der ETH Zürich
und der Universität Zürich befasst sich mit Hochfeld-MR, schneller und dynamischer MR-
Bildgebung, Empfängerdesign, Magnetfeldmessung und Signalverarbeitung. Ein eigenständig ent-
wickeltes und realisiertes MR-Spektrometer (Anrege- und Messeinheit) ersetzt das des klinischen
MR-Scanners, was fortgeschrittene MR-Experimente ermöglicht. Zurzeit sind diese Experimente
durch die relativ niedere RF Leistungsverträglichkeit des vorhandenen RF Interfaces limitiert.
Das Ziel dieser Arbeit sind das Design und der Bau eines 8-Kanal T/R Switches für hohe RF-
Pulsleistung mit schnellen Schaltzeiten, aufbauend auf einem vorhandenen Funktionsmuster. Der
Switch muss im Magnetfeld ausfallsicher arbeiten, zudem soll er über eine Zustandsüberwachung
verfügen, damit der Sender im Fehlerfall abgestellt werden kann. Die Funktion des Switchs soll
am Versuch im Philips Achieva 7 Tesla MR-Scanner des IBT verifiziert werden.
1
1 Einleitung
1.1 Wie eine MRT-Aufnahme entsteht
Dieser Abschnitt liefert Hintergrundinformation zur grundlegenden Funktionsweise eines MR-

Scanners. Er ist nicht Voraussetzung zum Verständnis der Arbeit und ist an den Laien in MR-
Technik gerichtet.
Abbildung 1.1: Hauptbestandteile eines MR-Scanners [1]
Das Blockschaltbild in Abb. 1.1 zeigt das Gesamtsystem eines MR-Scanners. Der Switch zwischen
Transmit amplifier“ und Receive amplifier“ ist die Komponente, von welcher in dieser Arbeit ein
” ”
Prototyp entwickelt und hergestellt wurde.
1.1.1 Physikalische Grundlagen
Die physikalische Grundlage der Magnetresonanztomographie bildet die Kernspinresonanz (engl.

nuclear magnetic resonance NMR). Unter Kernspin”versteht man die Drehung eines Atomkerns
”
um seine eigene Achse (vergleichbar mit der Erde). Einen solchen Eigendrehimpuls weisen Ker-
ne von Atomen mit ungerader Nukleonenzahl auf. Das trifft auf den Wasserstoffkern mit nur
einem Proton zu, welcher im menschlichen Körper aufgrund des hohen Wassergehalts auch am
häufigsten vorkommt. Durch die Eigenrotation des positiv geladenen Protons wird ein schwaches
Magnetfeld erzeugt. Zur Veranschaulichung kann der Atomkern im Sinne der klassischen Physik
als Kugelkreisel mit einem Drehimpuls und einem magnetischen Dipolmoment B angesehen
werden wie in Abb. 1.2 gezeigt.
Abbildung 1.2: Magnetisches Dipolmoment eines Atomkerns mit Spin [2]
2
Im Gegensatz zum Spielzeugkreisel verliert der Atomkern niemals an Schwung. Der Spin eines
Kerns ist konstant weil er eine fundamentale Eigenschaft der Elementarteilchen ist, aus denen er
zusammengesetzt ist.
Im Normalfall hat die Drehachse des magnetischen Dipols eine zufällige Orientierung im Raum,
so dass sich die magnetischen Momente in einem Körper aufheben. Werden die Atomkerne nun
einem starken statischen Magnetfeld B0 ausgesetzt, werden sich die Drehachsen parallel (energe-
tisch günstig, da niedriges Energieniveau) oder antiparallel (energetisch ungünstig, da höheres
Energieniveau) zum äusseren Magnetfeld ausrichten, wie Kompassnadeln. Die magnetischen
Momente summieren sich auf zur Nettomagnetisierung in z-Richtung Mz (Paramagnetismus).
Abbildung 1.3: Ausrichtung der Atomkerne im externen Magnetfeld [3]
Tatsächlich begeben sich nur geringfügig mehr Protonen in parallele als in antiparallele Richtung,
was die Signalstärke erheblich reduziert. Weil der Energieunterschied zwischen den zwei Orientie-
rungen von der Feldstärke B0 abhängt, steigt die Signalstärke und mit ihr das SNR (engl. Signal to
Noise Ratio) durch Erhöhen der Feldstärke.
Anhand des Kreisels lässt sich das Verhalten des Spins im Magnetfeld veranschaulichen. Auf einen
Kreisel in Schräglage wirkt die Schwerkraft, die ihn wieder in seine Ruhelage (energetisch günstig)
zurückbringen will. Der Drehimpuls wirkt der Schwerkraft entgegen und der Kreisel beginnt seine
Kreise zu ziehen. Eine Bewegung, die Präzession genannt wird. Nach und nach wird der Kreisel
durch Reibung gebremst, wodurch die Schräglage zunimmt und der Kreisel schliesslich umfällt.
Analog zur Schwerkraft wirkt das statische Magnetfeld und will das magnetische Moment des
Kerns in dessen Ruhelage (parallel bzw. antiparallel zu B0 ) bringen. Wie der Kreisel, vollführt der
Atomkern dabei eine Präzessionsbewegung und gibt Energie ab. Er wird nicht durch Reibung
gebremst”, sondern durch die Einwirkung fluktuierender Störfelder, die durch die benachbarten
”
Atome hervorgerufen werden. Dieser Ausrichtprozesses geschieht in einer materialabhängigen
Dauer T1 und wird deshalb T1-Relaxation genannt.
Abbildung 1.4: Präzession [4]
3
1 Einleitung
Die Präzession des Kerns findet mit einer charakteristischen Drehrate statt, die proportional zur
Feldstärke von B0 ist und den Namen Larmorfrequenz trägt [1].
γ
f Larmor = · B0
2·π
• f Larmor ist die Larmorfrequenz in Hertz [Hz],
• γ ist das gyromagnetische Verhältnis, eine Konstante spezifisch je nach Atomkern,
• B0 ist die magnetische Feldstärke in Tesla [T].
Protonen haben ein gyromagnetisches Verhältnis von γ = 42.58 MHz/T, was in einem 7T-Scanner
eine Larmorfrequenz von f Larmor ∼
= 298 MHz ergibt.
Durch Anregen mit einem Magnetfeld, das senkrecht zu B0 , also in der xy-Ebene, schwingt und
dessen Frequenz mit der Larmorfrequenz in Resonanz ist, werden alle Kerne phasensynchron aus
der Ruhelage gekippt. Ebenso wie der Atomkern bei der Angleichung an das äussere Magnet-
feld Energie abgibt, kann er durch die eingestrahlte RF-Energie wieder ausgelenkt werden. Bei
geeigneter Amplitude und Dauer beträgt der Kippwinkel gerade 90°, dann spricht man von einem
90°-Puls.
Auch hier gilt die Analogie zum Kreisel. Beschleunigt man die Präzessionsbewegung eines rotie-
renden Kreisels, indem man ihn mit dem Finger anschubst, also Energie zuführt, richtet sich der
Kreisel aus seiner Schräglage auf. Der Winkel zur Ruhelage in der Ebene wird grösser.
Ein unerwünschter Effekt, der nach der Auslenkung der Spins um 90° auftritt, ist die transversale
Relaxation (in der xy-Ebene). Durch den Anregungspuls präzedieren die Kerne phasensynchron.
Mit der Phase ist hier der Winkel zwischen der transversalen Magnetisierung MT von Kern A zu
Kern B gemeint. Dieser Winkel ist zu Beginn 0° und wird zunehmen, sobald die RF-Anregung
aufhört. Man sagt, die Spins dephasieren. Die Ursache liegt bei Feldinhomogenitäten beziehungs-
weise Einflüssen durch die Gewebestruktur, weshalb die Spins nicht exakt dieselbe Larmorfre-
quenz haben. Neben T1 wird ein Gewebe auch durch die Zeit T2 charakterisiert, in der die Spins
dephasieren (T2-Relaxation).
Abbildung 1.5: Rotierender Dipol induziert Spannung in einer Spule [5]
Die Änderung des magnetischen Flusses φ des in der Transversalebene rotierenden Dipols in-
duziert in der Messspule eine Wechselspannung nach dem Generatorprinzip, wie bei einem
Fahrradynamo. Ihre Amplitude gibt die Stärke der Transversalmagnetisierung MT an, die ihrer-
seits von der RF-Pulsfolge und dem Gewebetyp abhängig ist. Das Ziel der MR-Tomographie ist
die Erzeugung von Schichtbildern (beliebiger Orientierung) der räumlichen Transversalmagneti-
sierung MT (x,y,z).
4
1.1.2 Räumliche Kodierung
Die Kodierung des MR-Signals in Abhängigkeit vom Ort in x-,y- und z-Richtung wird durch
zusätzliche Gradientenfelder gelöst.
Abbildung 1.6: Gradientenspulen [6]
Die Gradientenspulen überlagern dem starken Magnetfeld ein viel schwächeres, linear verlaufen-
des Magnetfeld BG (x,y,z). Die z-Achse zeigt beim MR-Scanner üblicherweise in die Röhre hinein.
Diese Richtung hat bei der gängigsten Geometrie auch das starke Magnetfeld B0 .
Bei der Spin Echo Sequenz wird in einem ersten Schritt eine Schicht im Körper selektiert. Dazu wird
beispielsweise ein Gradient in z-Richtung angelegt, der bewirkt, dass das resultierende Magnetfeld
am Fussende des Patienten um wenige mT schwächer und am Kopfende entsprechend stärker als
7T ist. Dadurch haben die Atomkerne in z-Richtung linear verteilte Larmorfrequenzen. Mit einem
90°-Puls der gewünschten Frequenz kann eine Schicht im Körper selektiv angeregt werden. Die
Puls-Bandbreite und Gradientstärke bestimmen dabei die Breite der Schicht. Dieser erste Gradient
wird Schichtselektionsgradient genannt.
Abbildung 1.7: Spin Echo Sequenz (Die Rephasierung des Schicht- und die Dephasierung des Frequenz-Gradienten
fehlen in der Abbildung) [7]
5
1 Einleitung
Im nächsten Schritt wird der so genannte Phasengradient in y-Richtung angelegt. Dieser Gradient
bewirkt eine gezielte Dephasierung der Spins. So wird den Spins an der Bauchdecke des Patienten
kurzzeitig eine höhere Larmorfrequenz gegeben, wodurch diese an relativer Phase zu den Spins
im Rücken gewinnen, wie in Abb. 1.8 dargestellt.
Abbildung 1.8: Auswirkung des Gradients auf die Phasenlage der Kernspins [8]
Im Beispiel in Abb. 1.9 wird der oberste Spin bei entsprechender Stärke respektive Dauer des
Phasengradients gerade 3x360° gedreht, während der unterste Spin keine Phasenänderung erfährt.
In einem Körper, der über die y-Achse verteilt gleichmässig Signal erzeugt, heben sich die Spins
auf, es wird kein Signal gemessen. Ist das signalgebende Gewebe in einem Körper hingegen derart
verteilt, dass es in Abständen von einem Drittel der y-Achse Signal gibt, addieren sich die Spins zu
einem Summensignal der Ortsfrequenz k PE = 3 (engl. phase encoding PE) auf (schwarze Regionen
in der Abbildung erzeugen kein Signal).
Abbildung 1.9: Räumliche Kodierung durch Phasenüberlagerung [8]
Bei jeder Wiederholung der Puls Echo Sequenz kann eine neue Ortsfrequenz phasenkodiert werden.
Die Anzahl Wiederholungen bestimmt dadurch die Bildauflösung in der y-Richtung.
Bevor nun das Summensignal gemessen werden kann, muss der unerwünschte Effekt der Depha-
sierung (T2-Relaxation) der einzelnen Spins rückgängig gemacht werden. Ohne diese Massnahme
würden sich die Spins destruktiv Überlagern und das Signal versinkt im Rauschen. Man stelle sich
vor, die Phasenlagen der Spins driften auseinander, ganz wie durch einen Phasengradienten, nur
unkontrolliert, wegen Feldinhomogenitäten. Jetzt werden durch einen erneuten RF-Puls alle Spins
um 180° in der z-Richtung gekippt, also eine Spiegelung an der z-Achse. Dadurch driften die Spins
statt auseinander, wieder aufeinander zu. Die Spins rephasieren. Durch diesen 180°-Puls baut sich
ein messbares Spin Echo auf und klingt mit den weiter dephasierenden Spins wieder ab.
6
In einem letzten Schritt wird das Signal schliesslich gemessen, während ein Frequenzgradient oder
Auslesegradient in x-Richtung anliegt. Dieser Gradient bewirkt dasselbe wie der Phasengradient,
eine räumliche Kodierung durch Phasenüberlagerung, mit dem Unterschied, dass er während
des Auslesens kontinuierlich wirkt. So werden bei einem Auslesevorgang über die Zeit alle
Ortsfrequenzen in x-Richtung k FE (engl. frequency encoding FE) gemessen. Angefangen bei t=0 mit
DC-Ortsfrequenz (k PE = 0), das entspricht einem Summensignal des ganzen Körpers bis hin zu
den hohen Ortsfrequenzen und kleinen Gewebestrukturen. Die Bildauflösung in x-Richtung ist
durch die Samplingrate gegeben.
Abbildung 1.10: Der k-Raum enthält die Ortsfrequenzen in x- und y-Richtung [8]
Die gemessenen Samples werden zeilenweise (eine Zeile pro Anregung) in eine Matrix gefüllt,
die in der MRT-Physik k-Raum genannt wird. Diese Matrix enthält die Ortsfrequenzen in x-
und y-Richtung und entspricht damit der Fouriertransformierten des gesuchten Bildes. Durch
Ausführen einer zweidimensionalen Fouriertransformation liegt also direkt ein Bild der räumlichen
Verteilung der Signalintensität und damit ein Abbild der Gewebestruktur vor. Das Verfahren lässt
sich auch in drei Dimensionen anwenden durch aneinanderreihen vieler Schichtbilder. Ausser der
geschilderten Spin Echo Sequenz existieren viele komplexere Anrege- und Auslesesequenzen.
Das Zero Echo Time Imaging“ (ZTE) ist ein fortgeschrittenes MR-Bildgebungsverfahren, das
”
am IBT entwickelt wurde [9]. Der Vorteil dieses Verfahren ist, dass sich Gewebe mit kurzem
T2 (z.B. Knochen und Lunge) abbilden lassen. Erreicht wird dies, indem man noch vor dem
Anregungspuls die Gradienten in allen drei Richtung gleichzeitig aktiviert und das Signal misst,
bevor die Dephasierung der Spins das Signal verschwinden lässt. Damit spart man die Zeit, die
es für Phasenkodierung und den 180°-Puls braucht. Ein weiterer Vorteil dieses Verfahrens ist ein
reduzierter Lärmpegel, da die Gradientenspulen während eines Scans eingeschaltet bleiben und
die Gradientenfelder nur geringfügig ihre Richtung ändern.
Die Totzeit zwischen RF-Anregung und Messung bedeutet bei diesem Verfahren jedoch einen
Informationsverlust an niederen Ortsfrequenzen in der k-Raum-Mitte. Diese Informationslücke
wird bei der Bildrekonstruktion extrapoliert, die Fehler nehmen mit der Lückengrösse jedoch
überproportional zu. Stärkere Gradienten verbessern die Auflösung von Gewebe mit kurzem T2,
die tolerierbare Lücke wird dadurch allerdings kleiner. Es gilt daher, die Zeit von der Anregung
der Spins bis zum Empfangen des Signals möglichst kurz zu halten. Eine entscheidende Rolle
spielt dabei der T/R Switch, weil die Sendespule in diesem Setup zugleich die Empfangsspule
ist.
7
1 Einleitung
1.2 Der T/R Switch
Der T/R Switch ist eine Art von Duplexer. Ein Duplexer ist ein dreitoriges Netzwerk, das eine
bidirektionale (duplex) Kommunikation über einen einzelnen Übertragungskanal ermöglicht. In
der Hochfrequenztechnik isoliert er den Empfänger von Sender, wobei beide dieselbe Antenne
teilen. Duplexer können die Signalteilung durch orthogonal polarisierte Wellen oder im Zeitbereich
vornehmen. Ein Spezialfall stellt der Zirkulator dar, welcher ebenfalls als Duplexer eingesetzt wird.
Bei einer Signaltrennung im Frequenzbereich spricht man von einem Diplexer.
Abbildung 1.11: Ein Duplexer verbindet Sender und Empfänger mit einer Antenne [10]
Orthogonale Ausbreitungsmoden zur Isolation von Sender und Empfänger finden in der Mikrowel-
lentechnik (Hohlleiter) Anwendung und sind für die gegebene Anwendung nicht einsetzbar. Die
Signaltrennung muss demzufolge im Zeitbereich stattfinden, da eine Trennung im Frequenzbereich
durch das Funktionsprinzip der Kernspintomographie nicht möglich ist.
Als Schaltelement bietet sich die pin-Diode (positiv-intrinsisch-negativ-Diode) an. Dieser Halbleiter
findet hauptsächlich in der Hochfrequenztechnik als geichstromgesteuerter Widerstand oder
Schalter Verwendung.
Abbildung 1.12: Schematischer Aufbau einer pin-Diode [11]
Im Gegensatz zur gewöhnlichen pn-Diode schaltet die pin-Diode aufgrund der schwach dotierten
i-Schicht viel langsamer und wirkt deshalb im leitenden Zustand auf hochfrequente Ströme wie
ein Widerstand, der sich über den Vorwärtsgleichstrom IF einstellen lässt. Im sperrenden Zustand
verhält sich die pin-Diode wie eine kleine Kapazität (typisch kleiner als 1 pF). Charakterisiert wird
eine pin-Diode durch die Dicke der intrinsischen Schicht W und die Trägerlebensdauer τ.
8
1.2 Der T/R Switch
Der Zusammenhang zu den genannten Eigenschaften ist durch folgende Formeln gegeben [12].
Q = IF τ
W2
RS =
(µ N + µ P ) Q
eA
C=
W
• Q ist die in der Diode gespeicherte Ladung,
• RS ist der Seriewiderstand,
• C ist die Sperrkapazität,
• µ N ist die Elektronenmobilität,
• µ P ist die Löchermobilität,
• e ist die Dielektrizitätskonstante (meistens von Silizium),
• A ist die Fläche der Sperrschicht.
Vorteile der pin-Diode gegenüber einem Transistor als Schalter sind hohe Spannungsfestigkeit und
geringe Verluste. Der RF-Strom durch eine pin-Diode kann ein vielfaches des Steuergleichstroms
betragen. Nachteil ist der Schaltungsaufwand zum Steuern der pin-Diode (engl. biasing), da HF-
und Gleichstrom durch Spulen getrennt werden müssen.
Der Einsatz von HF-Transistoren als Schaltelement wurde zu Beginn dieser Arbeit diskutiert,
aber vor allem wegen zu kleiner Spannungsfestigkeit nicht weiter verfolgt. Bei einem Kilowatt
RF-Pulsleistung an 50 Ω liegt die Spitzenspannung bei über 300 V, was bereits einen ausser-
gewöhnlichen Transistor erfordert.
In dieser Anwendung will man die pin-Diode möglichst schnell vom leitenden in den sperrenden
Zustand bringen. Dazu müssen die Ladungsträger in der i-Schicht ausgeräumt werden, was durch
Entladen von Q geschieht. Die Trägerlebensdauer τ ist deshalb ein entscheidender Faktor für eine
schnelle Schaltzeit.
1.2.1 Funktionsprinzip des pin-Dioden T/R Switches
Es gibt grundsätzlich zwei Möglichkeiten, wie eine pin-Diode zum Schalten eines RF-Signals
eingesetzt werden kann. Bei der Einen wirkt die pin-Diode in Serie zur RF-Leitung.
Abbildung 1.13: Serie SPST Switch [13]
Abb. 1.13 enthält die Grundschaltung eines einpoligen Serieschalters (engl. Series single pole single
9
1 Einleitung
throw SPST switch). Die maximale Isolation hängt bei dieser Topologie von der Sperrkapazität
(kleiner ist besser) ab. Die Durchgangsdämpfung ist proportional zum Seriewiderstand.
Abbildung 1.14: Shunt SPST Switch [13]
Die zweite Möglichkeit besteht darin, die pin-Diode parallel zur RF-Leitung zu schalten (engl.
Shunt), wie in Abb. 1.14 dargestellt. Bei dieser Schaltungsvariante sind die Abhängigkeiten
bezüglich Isolation und Durchgangsdämpfung gerade umgekehrt zum Serie Switch. Die Shunt
Topologie macht in der Regel weniger Durchgangsdämpfung, weil kein Schaltelement in Serie zur
RF-Leitung ist.
Auf diesen beiden Grundschaltungen und Kombinationen daraus bauen alle pin-Dioden Swit-
ches auf. Bei der Untergruppe der Tuned Switches“ (angepasste Schalter) kommt ein λ/4-
”
Impedanztransformator zum Einsatz. Eine Leitung von der Länge eines Viertels der Wellenlänge
λ mit Wellenimpedanz Z0 transformiert zwischen Ein- und Ausgang gemäss folgender Formel
[14].
Z02
Zout =
Zin
Eine Eingansimpedanz Zin = 25 Ω wird also durch eine 50 Ω-Leitung einer Viertel-Wellenlänge in
eine Ausgangsimpedanz Zout = 100 Ω transformiert und umgekehrt. Diese Eigenschaft lässt sich
für eine schmalbandige Impedanzanpassung nutzen. Ein Leerlauf (Z = ∞ Ω) am Leitungsende
wird somit in einen Kurzschluss (Z = 0 Ω) transformiert.
Abbildung 1.15: λ/4-T/R Switch [13]
Der T/R Switch in Abb. 1.15 nutzt diese bemerkenswerte Eigenschaft der λ/4-Leitung, indem
der durch die leitende pin-Diode D2 verursachte Kurzschluss in einen isolierenden Leerlauf
transformiert wird. In diesem Fall ist der Transmitter über die ebenfalls leitende D1 mit der
Antenne verbunden. Durch umkehren der DC-Schaltspannung sperren beide pin-Dioden und das
10
1.2 Der T/R Switch
Signal wird von der Antenne zum Empfänger (engl. Receiver) geleitet. Im Empfangszustand hat
die λ/4-Leitung keine besondere Funktion.
Abbildung 1.16: T/R Switch mit π-Glied als λ/4-Ersatzschaltung [13]
Die λ/4-lange Leitung lässt sich auch durch ein π-Glied aus diskreten Elementen (engl. lumped
elements) ersetzen wie Abb. 1.16 zeigt, was vor allem Platz spart. Bei 300 MHz ist eine λ/4-
Mikrostreifenleitung auf FR4-Substrat rund 12.5 cm lang.
1.2.2 Anforderungen an den T/R Switch
Zu Beginn dieser Arbeit wurde ein Pflichtenheft für den 8-Kanal T/R Switch erstellt. Neben den
RF-Spezifikationen werden darin auch Ziele für die pin-Dioden Treiberelektronik, die Schutz- und
Überwachungsschaltung, ein optisches Interface sowie das mechanische Konzept festgelegt. Die
folgende Liste enthält dieses Pflichtenheft.
Allgemein
1. Beim Bau der Switch-Box müssen nichtmagnetische Komponenten gewählt werden, um

Störungen des Magnetfelds im MR-Scanner zu minimieren.
2. Das Layout der PCBs (engl. Printed Circuit Board) muss störfest gegenüber EMI (engl. electro-
magnetic interference) ausgelegt werden, insbesondere das Schalten der Gradienten induziert
Störspannungen.
3. Ein angepasstes Speisungskonzept soll den Einsatz einer kompakten externen Speisung
erlauben.
Mechanik
1. Acht identische T/R-Switch-PCBs sind in einem geeigneten Gehäuse (z.B. Kunststoff-Box)

stabil zu verbauen, so dass ein einfaches Austauschen möglich ist.
2. Das Konzept ist ein Mainboard mit 8xPCI o.ä. Steckplätzen, auf dem das optische Interface
untergebracht ist.
T/R Switch
1. Der Switch soll die RF-Spule (TR) möglichst schnell vom RF-Verstärker (TX) zum Empfangs-
verstärker (RX) umschalten.
2. Der Switch soll auf die maximale Pulsleistung des RF-Verstärkers von 4 kW während 20 ms
ausgelegt sein (CW < 50 W).
3. Eine Puls-Repetitionsrate von min. 10 kHz soll gewährleistet werden.
4. Definition der Schaltzeit Tsw : Am TR-Port wird ein geeignetes Testsignal angelegt. Tsw ist die
11
1 Einleitung
Dauer bis der Pegel des Testsignals von 10% auf 99% an RX angestiegen ist.
5. Diese Schaltzeit soll weniger als 1 µs betragen.
6. Die Zeit TTX → RX zwischen Abklingen des TX-Pulses auf 50% und Erreichen des RX-Pegels
von 10% soll viel kürzer als Tsw sein (< 10% Tsw ).
7. Ohne Testsignal an TR sollen Transiente vom Schaltvorgang (Video Leakage) bis zum Ende
der Schaltzeit auf unter -70 dBm abfallen, gemessen an RX.
8. Die Isolation ITX →TR beim Senden muss so gut sein, dass der LNA nicht übersteuert wird
(Sättigung) und nach Ende der Schaltzeit die erforderliche Sensitivität hat. Richtwert 67dB.
9. Der LNA ist auch vor Zerstörung und Übersteuern durch Schalttransienten zu schützen.
10. Die Isolation ITR→TX beim Empfangen soll grösser 40dB sein.
11. Die Durchgangsdämpfungen (engl. insertion loss) A TR→ RX und A TX →TR sollen höchstens
0.5dB sein.
12. Eine 3dB-Switch-Bandbreite von 1MHz ist ausreichend.
13. Der Switch soll eine hohe Linearität zwischen Ein- und Ausgangssignal aufweisen, das heisst
er darf keine starken Oberwellen erzeugen.
pin-Dioden-Treiber
1. Der pin-Dioden-Treiber ist durch eine leistungsstarke differenzielle Endstufe zu verbessern.
2. In Rückwärtsrichtung (Reverse REV-Bias) soll die Endstufe mehrere Ampere Spitzenstrom

durch die pin-Diode treiben können.
3. Diese Stromspitze muss eine hohe Steilheit aufweisen, um Schaltzeiten unter 1 µs zu erreichen
(niederohmige Endstufe mit kleinen Schaltkapazitäten).
4. Die Reverse-Bias-Spannung soll min. 20V annehmen können.
5. In Vorwärtsrichtung (Forward FWD-Bias) muss der Diodenstrom geregelt werden.
6. Eine gute Stabilität der Treiberschaltung muss gewährleistet werden, insbesondere da die
pin-Diode beim Umschalten von FWD- zu REV-Bias eine kapazitive Last darstellt.
7. Die Umgebungstemperatur in der der Treiber zuverlässig funktionieren soll ist 25±5°C.
Schutz- und Überwachungsschaltung
1. In den pin-Dioden-Treiber ist Built in Test Equipment (BITE)“ zu integrieren, das es erlaubt
”
den Zustand der Treiberelektronik und der pin-Dioden zu testen.
2. Der Kurzschluss einer pin-Diode soll detektiert werden können.
3. Über- und Unterstrom der Schaltung sollen erkannt werden.
4. Spitzenströme im Amperebereich sollen nur sehr kurzzeitig verfügbar sein (Stütz-C).
Optisches Interface
1. Über das optische Interface sollen die Zustände von Treiberelektronik und pin-Dioden
abgefragt werden können.
2. Optional ist das Steuersignal (Trigger) über das optische Interface zu implementieren.
12
1.2 Der T/R Switch
1.2.3 Bestehende T/R Switches
Am IBT wurden bereits veschiedene T/R Switches für die Anwendung im MR-Scanner entwickelt,
mit dem Ziel, pin-Dioden mit niederer Spannung (hohe Spannung in einem medizinischen Gerät
möchte man vermeiden) in kurzer Zeit zu schalten. Die Schaltzeit hängt von der Diode, dem
Vorwärtsstrom, der Sperrspannung und dem Entladestrom ab. Durch die Forderung nach hoher
Linearität des T/R Switches ist man bei der Wahl von Diode und Vorwärtsstrom limitiert, während
Sperrspannung und Entladestrom erhöht werden können. Ein früheres Design zeigte relativ hohe
Schaltspitzen (engl. video leakage) bei schnellem Umschalten [15]. Video Leakage“ ist das Signal
”
am Empfängereingang beim Schalten eines RF-Switches, wenn kein RF-Signal anliegt. Solche
Spikes (Spannungsspitzen) führen zu einer Sättigung des Low Noise Amplifiers“ (LNA), was
”
eine Erholzeit nach sich zieht, oder im schlimmsten Fall zu dessen Zerstörung. Die Spikes kommen
durch die steilen Schaltflanken, vor allem aber auch durch die Spulen zustanden, welche zur
Trennung von Nutz- und Steuersignal nötig sind. Um diese Spikes zu minimieren wurde ein
Switch-Design mit differenziellem Steuersignal entwickelt [16].
TR
V-
λ/4 t
TX - RX
+
V+
λ/4 t
Abbildung 1.17: T/R Switch mit differenzieller Ansteuerung
Die Idee dabei ist, dass das differenzielle Signal auf der RF-Leitung unsichtbar“ ist, weil es in der
”
Summe immer null ist. Die Schaltung in Abb. 1.17 stellt das differenzielle Design in vereinfachter
Form dar. Die tatsächliche Schaltung verfügt über zwei λ/4-Stufen für eine erhöhte Isolation.
Das Ansteuersignal (engl. Bias) ist für die statischen Zustände ein Gleichstrom, bei schnellen
Schaltflanken hat das Signal jedoch Frequenzanteile bis mindestens 10 MHz, weil das Ziel eine
Schaltzeit kleiner 1 µs ist. Die in der Abbildung gezeichneten Spannungskurven entsprechen
einem Schaltvorgang von Senden auf Empfangen. Das Bias wird über eine Gleichtaktdrossel
(engl. common mode choke CMC) eingespiesen und ist dadurch von der RF getrennt. Die RF ist im
Gleichtakt und wird geblockt, während das differenzielle (Gegentakt) Bias keine Induktivität in der
CMC bewirkt. Eine frequenzmässige Trennung von RF und Bias durch ein Tiefpassfilter ist nicht
gleich effizient, da die Signale nur etwa eine Dekade auseinander liegen ( f RF = 298 MHz). Nicht
zu vergessen ist, dass Ferrite als magnetische Bauteile ausgeschlossen sind. Die Spule am TX-Port
bildet mit der Sperrkapazität der pin-Diode im Empfangsfall eine Parallelresonanz, wodurch TX-
und TR-Port isoliert werden.
13
1 Einleitung
Der pin-Dioden Treiber zur Erzeugung des Bias ist nach einer Applicaton Note mit Operations-
verstärkern (OP) implemetiert [17]. Zwei LT1210 (1 A, 35 MHz Current Feedback Amplifier) werden
dafür zu einem differenziellen OP verschalten. Dieser Treiber ermöglicht 10%-90% RF-Schaltzeiten
im Bereich von 300 ns durch hohen Spitzenstrom von bis zu 2 A und einer Ausgangsspannung von
26 Vpp . Die Totzeit, welche neben der reinen Schaltzeit noch die Abklingphase der Schalttransienten
beinhaltet, liegt bei ungefähr 1 µs. Geschaltet werden fünf pin-Dioden des Typs MA4P mit einer
Trägerlebensdauer von 2 µs [18]. Die Ausgangsspannung ist durch die Rückkopplung geregelt
und der OP hat eine hohe Gleichtaktunterdrückung, was in einem sauber differenziellen Signal
resultiert. Nachteil dieses Treibers ist der energiehungrige und zu magnetische Baustein LT1210
an sich. Der nicht gänzlich zu vermeidende Schaltspike weist ausserdem ein unerwünschtes
Nachschwingen auf, dessen Ursache nicht vollständig geklärt ist.
Frühere Experimente des IBT wurden durchgeführt mit dem MRI-Scanner Bruker BioSpec und
einer Avance AVIII Konsole, womit eine Totzeit von 4.5 µs erreicht wurde [19].
Eine Masterarbeit der schwedischen Chalmers University of Technology zeigt, dass zwei pin-
Dioden mit einer Trägerlebensdauer von 2 µs in nur 237 ns geschaltet werden können durch
einen optimierten Treiber aus Bipolartransistoren, bei dem Schottkydioden und Kondensatoren zur
Beschleunigung der Schaltzeit eingesetzt werden (Diodenvorwärtsstrom = 100 mA, Sperrspannung
= -40 V) [20].
In [13] (Appendix D, S. 4), wird ebenfalls eine Treiberschaltung aus Bipolartransistoren beschrieben.
Diese setzt neben einer Diode auch eine Spule ein, um eine steilere Schaltflanke zu erzielen.
Angaben zu konkreten Schaltzeiten werden keine gemacht.
Induktives Entladen einer pin-Diode wird in [21] vorgeschlagen. Dabei wird die Energie in einer
Spule genutzt um beim Umschalten die pin-Diode schneller zu Entladen.
Der Solid State RF Switch 50S-1820 von JFW Industries ist mit einer typischen Schaltzeit von 6 µs
spezifiziert (50% TTL to 90% RF; 800-2700 MHz; 100 W average Power) [22].
14
2 Methoden
Der T/R Switch mit differenzieller Ansteuerung wird durch das Design eines dedizierten pin-
Dioden Treibers weiterentwickelt. Weitere Verbesserungen sind die Zustandsüberwachung, die
Übertragung der Steuer- und Zustandssignale über Lichtwellenleiter sowie eine robuste me-
chanische Bauweise. Das Vorgehen war wie folgt: Analyse des vorhandenen Funktionsmusters,
Recherche nach Schaltungsdesigns für pin-Dioden Treiber, Simulation ausgewählter Schaltungen
mittels LTspice (SPICE Simulationssoftware von Linear Technology) und schliesslich Realisierung
und Evaluation verschiedener Prototypen.
Abbildung 2.1: 8-Kanal T/R Switch
Das Endprodukt ist die T/R Switch-Box in Abb. 2.1, die mit bis zu acht einzelnen T/R Switch-
Boards ausgerüstet werden kann.
2.1 Design
Bei der Auslegung des pin-Dioden-Treibers mussten einige Design-Entscheidungen gefällt werden.
Die Wichtigsten sollen hier kurz erläutert werden.
Eine pin-Diode lässt sich prinzipiell sehr einfach schalten, indem man die Biasspannung umkehrt.
Der Strom in Vorwärtsrichtung muss natürlich limitiert werden, im einfachsten Fall durch einen
Widerstand. Diese Funktion wird durch einen Halbleiterschalter erfüllt, der das Bias auf positive
15
2 Methoden
oder negative Spannung legt. Der Vorteil eines Treibers mit Spannungsregelung ist, dass die Sperr-
spannung schneller stabilisiert wird (weniger Nachschwingen) und Spikes unterdrückt werden.
Durch einen Regler lässt sich auch eine bessere Symmetrie des differenziellen Ansteuersignals
gewährleisten.
Die Vorteile der Verwendung eines volldifferenziellen Operationsverstärkers (OP mit zwei Aus-
gängen) zur Erzeugung eines differenziellen Signals gegenüber einer Schaltung aus diskreten
Elementen sind zahlreich. Der OP bietet hohe Gleichtaktunterdrückung (engl. common mode rejection
ratio CMRR), Unterdrückung von Versorgungsspannungsstörung (engl. power supply rejection ratio
PSRR) und stabile Regelung durch Rückkopplung ohne grossen Schaltungsaufwand. Nachteil
ist die für diese Anwendung zu geringe Ausgangsleistung dieser Gattung von OPs, sie werden
üblicherweise als Treiber differenzieller Analog-Digital-Wandler eingesetzt. Beispiele von Typen
mit der geforderten hohen Versorgungsspannung sind AD8390A und THS4130 mit 400 mA
respektive 150 mA maximalem Ausgangsstrom. Erwünscht sind jedoch Spitzenströme von 1
A und mehr, zum schnellen Entladen der pin-Dioden. Aus diesem Grund wurde entschieden,
einen solchen OP mit einer diskreten Transistorendstufe auszustatten. Bei der Wahl des OPs waren
Flankensteilheit (engl. Slew Rate SR) und Verstärkungs-Bandbreite-Produkt (engl. gain bandwith
product GBW) wichtig. Der OP sollte eine SR von etwa 30 V/µs haben und bei einer Verstärkung
G = 10 immer noch 10 MHz Bandbreite bieten, um eine Schaltzeit unter 1 µs zu erzielen. Die
Schaltflanke soll wiederum nicht unnötig steil sein, damit keine Störung der Nutzfrequenz auftritt,
das heisst die Parameter sollen nicht um Faktoren über den genannten Werten liegen. Mit dem
THS4130 von Texas Instruments wurde ein OP gefunden, der diesen Anforungen genügt.
Die nächste Frage stellte sich bei der Wahl des Endstufentransistors. Die Optionen sind Bipolartran-
sistor (engl. bipolar junction transistor BJT), MOSFET (engl. metal oxide silicon field effect transistor),
oder ein speziellerer FET-Typ. Die Frage ist nicht eindeutig zu beantworten. Bipolartransistoren
finden in Verstärkern breite Anwendung aufgrund ihrer linearen Stromverstärkung, MOSFET
werden dank geringer Verluste oft zum Schalten hoher Ströme eingesetzt. Der Vergleich durch Si-
mulationen ergab keinen eindeutigen Sieger unter den Transistoren. Verschiedene Quellen betonen
die kleinere Eingangskapazität von BJT’s und infolgedessen deren überlegene Schaltgeschwindig-
keit [23][24]. Aus diesem Grund wurde die erste Endstufe mit BJT’s aufgebaut und gute Resultate
erreicht, weshalb von der Realisierung einer MOSFET-Endstufe abgesehen wurde. Die Wahl fiel
auf den Komplementärtransistor ZXTC2063E6 von Zetex, der mit einen Spitzenstrom von 9 A
spezifiziert ist. So lassen sich die jeweils leitenden komplementären Transistoren im gleichen
Gehäuse unterbringen, wodurch thermische Probleme vermieden werden.
In einem ersten Prototyp wurde eine Gegentaktendstufe im AB-Betrieb entwickelt [25]. Es stellte
sich aber heraus, dass das Design anfällig auf thermische Instabilität (engl. thermal runaway) ist.
Das heisst, dass der Ruhestrom bei ungleicher Erwärmung der Vorspannungsdioden und der BJT’s
immer weiter ansteigt, bis zur Zerstörung der Transistoren. Deshalb wurde auf den simpleren
B-Betrieb umgestellt. Der Nachteil dieser Betriebsart, Verzerrungen durch die so genannte Totzone
(engl. deadband), fällt bei dieser Anwendung nicht ins Gewicht, weil diese Zone, in der kein
Transistor leitet, beim Schalten vom Sende- in den Empfangszustand sehr schnell durchlaufen
wird.
16
2.2 Simulation
2.2 Simulation
Die erste Hürde, um eine aussagekräftige Simulation zu machen, war ein pin-Dioden Modell zu
finden, welches das Schaltverhalten dieses Bauteils realitätsnah abbildet. Wie in der Einleitung
erwähnt lässt sich die pin-Diode in ihren beiden statischen Zuständen, leitend oder sperrend,
einfach modellieren. In der transienten Phase spielen jedoch viele Faktoren mit, die vom Hersteller
meistens nicht so genau spezifiziert werden. Ein fortgeschrittenes pin-Dioden Modell wurde
durch ein online verfügbares Excel-Spreadsheet implementiert [26][27]. Diesem Skript werden
Trägerlebensdauer, i-Schicht-Dicke und einige Parameter mehr eingespiesen und als Ausgabe
erhält man ein fertiges SPICE-Modell in Textform zurück.
Abbildung 2.2: Simulation der Endstufe mit pin-Dioden T/R Switch
Abb. 2.2 zeigt, wie die Schaltungssimulation in LTspice aufgebaut wurde. Die Bauteilwerte wurden
für bessere Übersichtlichkeit weggelassen. Jeweils ein NPN- und ein PNP-Transistor bilden eine
Endstufe, welche direkt vom differenziellen OP aus gesteuert wird. Die Endstufe hat eine Span-
nungsverstärkung G=1. Rechts im Bild ist der komplette T/R Switch zu sehen. Die rot eingefärbten
Kondensatoren sind für das Tuning des Switches verantwortlich. Die übrigen Kondensatoren im
Switch sind zum DC-Blocken da.
17
2 Methoden
Das Ergebnis der Simulation in Abb. 2.3 zeigt den Schaltvorgang des T/R Switches vom Sende-
(pin-Dioden leiten) in den Empfangszustand (pin-Dioden sperren) und wieder zurück. Die fünf pin-
Dioden haben total einen Vorwärtsstrom IF von ungefähr 100 mA. Im Schaltmoment wechselt die
Stromrichtung und die pin-Dioden werden sehr rasch mit einem Spitzenstrom von 1.8 A entladen.
Die realitätstreue dieser Stromspitze lässt sich messtechnisch nur schwer verifizieren, entspricht
jedoch dem erwarteten transienten Verhalten einer pin-Diode. Die differenziellen Steuerspannun-
gen V(out+) und V(out-) erreichen innert 0.7 µs den Endwert, während der Gleichtaktanteil (lila
Kurve im Diagramm) stets kleiner als 1 Vpp bleibt und rasch abfällt.
Abbildung 2.3: Ergebnis der Simulation der Endstufe mit pin-Dioden T/R Switch
18
2.3 Schaltung
2.3 Schaltung
In diesem Abschnitt werden die Details der Treiberschaltung erläutert.
+5V
C210 C211 Sollbedingungen, damit TR-Switch OK

100n 1u
U1 = U2 = 2x Ipin x Rv
GND
Q200A U5 = U6 = Ureverse
J200
R219 R200
J201
nb J202 0
CCW<>CW
R202 P200 DiffAmp in out Pos
CCW<>CW
C201 out Pos
R224 nb 4.7p R203
8.2k R201
+15V
-15V C209 C200 0 D200 R204 U1 D201 R205 U3
1 R206 10 10
R225
8 GND nb J203
nb
7
100n GND nb C219 C220
R208 R209 2 R210 Q201B
6 R211 R212 R213 10
47k 0
+15V 3 470p 470p
0 1k 10k
C202 C213 C212
Pos1
Pos2
+15V GND GND
nb J206 100n 10u
5 C215 C208
4
R226
CCW<>CW
GND 10k 2 GND -15V
3
100n GND 100n GND
R215 U200 -15V C204 1 4
D100
D101
D103
D104
nb R227 C203 THS4011CD 0 J207
nb U5 U6
13k 8 5
GND +15V J208
D102
GND 7 C214
6
-15V U201 +15V
THS4130ID
100nGND
Neg1
Neg2
+15V -15V C207 C206
+5V R216 R217 100n 10u C221 C222
1k 10k R218
R230 10 GND
4.7k +5V GND C205 Q201A 470p 470p
R228 GND D202 R220 GND R221
10k J211 10 U4 10 U2
R229 R231 U202 nb R222 D203
J204
0 4.7k 1 8 0
R207 1A VCC
2 7 out Neg
TRIG 1B 2B out Neg
0 3 6 J213
1Y 2A
4 5 J212 R223
GND 2Y
R214 0
P201 nb GND SN75451 GND
J205
TRIG in Q200B
GND
C216 C217
100n 1u -5V
GND
Abbildung 2.4: Schema der Treiberschaltung
Abb. 2.4 zeigt das mit Altium Designer 15.0 erstellte Schema. Rot dargestellte Bauteile wurden im
Nachhinein eingelötet und sind bei einem Redesign ins Layout zu integrieren. Die Abkürzung nb“
”
unter einem Element steht für nicht Bestückt. Das gilt ebenso für die weiteren Schemata im Anhang.
Die pin-Dioden D100 ... D104 sind nur zum besseren Verständnis der Schaltung skizziert und
befinden sich in Tatsache auf dem Schemablatt des T/R Switches. Die Sollbedingungen, damit
”
TR-Switch OK“ im Kästchen beziehen sich auf die BITE-Schaltung. Der Vorwärtsstrom durch
die pin-Dioden wird über vier Vorwiderständen gemessen (U1 ... U4 ) und die Sperrspannung an
zwei Stellen gemessen (U5 und U6 ). Durch R205 und R220 fliesst der Vorwärtsstrom von drei pin-
Dioden, durch R204 und R221 nur der von zwei. Die Schottkydioden D200. . .D203 überbrücken
in Rückwärtsrichtung die Vorwiderstände und ermöglichen dadurch ein schnelles Entladen der
pin-Dioden. Der differenzielle OP U201 hat eine Verstärkung G=10 und könnte durch C200 und
C205 noch um einem Tiefpass ergänzt werden. Eine Tiefpassfilterung findet bereits im Pulsformer
OP U200 durch R224 parallel C201 statt. Die 3dB-Bandbreite des Pulsformers wird durch diese
Rückkopplung auf 4 MHz reduziert. Die Spannung an Pin 3 des OP’s stellt den Offset ein, der
durch den Widerstand zwischen Pin 1 und 8 fein justiert werden kann. Dieser Offset bestimmt
die Ausgangsspannung des Treibers und damit den pin-Diodenstrom. Das Schalten des T/R
Switches wird über ein TTL-Signal am Eingang TRIG“ ausgelöst. Das UND-Gater U202 mit
”
offenem Kollektor (engl. open collector output) dient als Puffer (engl. buffer) und Pegelwandler.
Der nachträglich angebrachte Pullup-Widerstand setzt den Normalzustand des T/R Switches
auf Senden. Dies ist auch eine Sicherheitsmassnahme. Ist das Steuersignal aus irgend einem
Grund unterbrochen und der Leistungsverstärker sendet mit kW-Pulsleistung, so nimmt die
Switch-Elektronik keinen Schaden.
19
2 Methoden
2.4 System
In Abb. 2.5 sind die verschiedenen Systemkomponenten zu sehen. In der schwarzen Box sind
die Spannungsversorgung und die Schnittstellenwandlung von LWL (Lichtwellenleiter) zu TTL
(Transistor-Transistor-Logik) untergebracht. Diese Box befindet sich ausserhalb des starken Ma-
gnetfelds und ist über lange Kabel mit der 8-Kanal T/R Switch Box verbunden. Bis zum Abschluss
der Arbeit wurden, wie vereinbart, zwei der acht vorgesehenen T/R Boards bestückt. Damit liessen
sich Funktionstests mit einer zweikanaligen Kopfspule durchführen.
Abbildung 2.5: Systemübersicht
Das Blockschaltbild (BSB) in Abb. 2.6 gibt einen Überblick des 8-Kanal T/R Switches. Auf dem
Mainboard befinden sich acht PCI-e Steckplätze für die T/R Switch-Boards. Über das Mainboard
werden die Versorgungsspannungen und das Steuersignal verteilt. Die Kontrollsignale von den
Komparatoren werden auf jedem TR Board in einem CPLD (engl. complex programmable logic device)
verarbeitet und an ein weiteres CPLD auf dem Mainboard weitergegeben, welches schliesslich die
optische Schnittstelle steuert. Zur Entprellung der Zustandssignale ist jedes CPLD (im BSB nicht
gezeichnet: auch jene auf den T/R Boards) mit zwei monostabilen Kippstufen versehen. Durch
dieses Element lässt sich ein kurzer Puls generieren, der zum Triggern von synchroner Logik im
CPLD weiterverwendet wird. Die Pulsdauer wird über ein RC-Glied eingestellt. Auf diese Weise
kann auf eine Taktfrequenz verzichtet werden, welche eine potentielle Störquelle darstellt. Die
Zustandssignale an den CPLD-Eingängen werden nur verarbeitet, wenn ein T/R Board eingesteckt
ist. Die Detektion erfolgt indem das Board wie ein Jumper ein logisches Signal kurzschliesst.
Ein T/R Switch-Board besteht aus den Blöcken: Switch, Treiber, BITE und CPLD. Auf Switch
und Treiber wurde bereits eingegangen. Das BITE besteht aus sechs beinahe identischen Span-
nungüberwachungsschaltungen. Ein OP verstärkt respektive dämpft (je nach Spannungsbereich,
der zu messen ist) die Differenzspannung an seinen Eingängen und wirkt zugleich als Tiefpassfilter.
Es folgen zwei Komparatoren, welche zu einem Fensterkomparator zusammengeschalten sind.
Liegt die Differenzspannung im definierten Spannungsfenster, wird ein entsprechendes Logiksi-
gnal ans CPLD weitergegeben. Weil die überwachten Spannungen ein kurzes Einschwingverhalten
aufweisen, besonders die Sperrspannungen U5 und U6 beim Schalten in den Empfangszustand, ist
mit einem Prellen des Logiksignals zu rechnen, weshalb die erwähnte Entprellung implementiert
wurde.
Wie bei den einzelnen T/R Boards, wurde auch beim Mainboard darauf geachtet, dass der
Normalzustand, wenn kein Licht beim optischen Empfänger ankommt, der Sendezustand ist.
Die Bestätigung, dass alle Switches richtig geschaltet sind, erfolgt in diesem Fall durch Licht
auf dem optischen Sender. Damit wird das Risiko minimiert, dass infolge eines Fehlers im Si-
gnalübertragungspfad gesendet wird, obwohl ein Switch fehlerhaft ist.
20
TR Switch 1
TR
RF GND P
RF N
TX
LNA RX
RF P
+5V
Differential PIN Driver
RF GND N TX high limit
+5V U1 JTAG
+5V
OUT P RF GND P
+15V +15V RX/TX high limit TX low limit

TRIG 1 RF GND N Below
+
- -15V -
TX 1 OK
+ - U2 high limit +5V
+
U5 U6 -
+15V U3 U1 … U6 + logic
+15V
-15V RF P + Above RX high limit
-15V -
RX 1 OK
OUT N low limit
RX/TX low limit
-15V RF N +5V
-5V U4 Subtractor and window comparator CPLD (14 I/O’s)

RX low limit
GND
TX 1...8 OK
RX 1...8 OK
Power
Abbildung 2.6: Blockschaltbild des 8-Kanal T/R Switches

TRIG 1...8
TR 1...8 mounted
+5V logic high
Mainboard +5V
Cx Rx
TRIG (light = TR Switch in RX mode)

3.3V TR STATE ( != TRIG means ok)
LDO Transceiver logic TX/RX OK
Power JTAG
Fiber optic
Connector CPLD (38 I/O’s) Debouncing
Interface
21
2.4 System
IN
-5V
+5V
OUT
-15V
GND
+15V
2 Methoden
2.5 Layout
Das Layout von Leiterplatten, die im MR-Scanner zum Einsatz kommen, erfordert besondere
Aufmerksamkeit. Die Gradientenmagnetfelder können beim Scannen mit Steigraten von bis zu
200 mT/m/s geschaltet werden. Die Auswirkung auf das PCB Design wird am IBT mit folgender
Faustregel beziffert: In einer offenen Leiterschleife, die eine Fläche von einem Quadratdezimeter
(∼
= Handfläche) umschliesst, wird eine Spannung von ungefähr 0.5 V induziert (U = A ∂B ). ∂t
Umgekehrt müssen durch die Elektronik emittierte Störfelder vermieden werden, weil erstens
jede Inhomogenität des Magnetfelds einen Fehler in der Bildkodierung verursacht und zweitens
das schwache Kernspinsignal bei 298 MHz in keinster Weise gestört werden darf. Inhomogenität
des Magnetfelds entsteht auch durch Wirbelströme, die bei änderndem Magnetfeld im leitenden
Material fliessen.
Abbildung 2.7: Ausschnitt des Mainboard-Layouts
Das Beispiel des Mainboard in Abb. 2.7 zeigt, wie das Layout hinsichtlich EMI optimiert wurde.
Dabei wurde angestrebt, die aufgespannte Fläche aller Hin- und Rückleiter im Schaltkreis zu mini-
mieren. Das ist auch der Grund, weshalb aus dem Design schliesslich ein 6-Lagen-PCB resultierte.
Eine Massnahme, um Störungen durch Wirbelströme abzuschwächen ist grosse, durchgehende
Kupferflächen zu vermeiden. Wo dies schaltungstechnisch zu grosse Nachteile bringt, lässt sich
durch ein Gitter (unten im Bild), statt einer durchgehenden Fläche, der Widerstand für den im Kreis
fliessenden Wirbelstrom erhöhen. Dadurch wird der Wirbelstrom und das durch ihn emittierte
Störfeld kleiner.
22
2.5 Layout
23
3 Resultate
3.1 Schaltverhalten
Das Schaltverhalten des T/R Switches wurde mit dem Messaufbau in Abb. 3.1 untersucht.
Signal Generator
MSO AFG
TRIG
TR
U4: RF GND P
RF = (U2 + U3) - (U1 + U4)

Bias 2
U3: RF N
TX Spektrum
LNA RX
Analysator
50Ω
U2: RF P
Bias 1 RF Gleichtakt = U2 + U3
U1: RF GND N RF GND Gleichtakt = U1 + U4
Abbildung 3.1: Messaufbau Schaltverhalten
Der AFG (Arbitrary Function Generator) triggert den T/R Switch, den Spetrum Analysator und
das MSO (Mixed Signal Oscilloscope). Das MSO misst die Spannungen U1 ... U4 . Der Signal
Generator speist am TR-Port ein schwaches RF-Signal ein, wodurch das MR-Signal simuliert wird.
Die eingesetzten Messgeräte sind in Tabelle 3.1 gelistet.
Gerät Typ Einstellungen

Signal Generator R&S SMB 100A f=298MHz, Level=-50dBm
AFG Tektronix AFG 3102 Rechteck, f=10kHz Low=0V, High=5V, Duty=50%
MSO Agilent MSO7104B 2V/div, 200ns/div, Eingangsimpedanz=1MΩ
Sonden Agilent 10073D
Spektrum Analysator R&S FSL-3 MODE=AM, CF=298MHz, Ref=-20dBm, Ran-
ge=100dB, DBW=18 MHz, VBW=0Hz, AQT=2µs,
Preamp=OFF, Att=0dB, Average Count=100
Tabelle 3.1: Messgeräte
24
3.1 Schaltverhalten
Das Resultat der Messung ist in Abb. 3.2 zusammengefasst.
20 −30
10% − 99%
RF Signal nach LNA [dBm]

15 −40
UBias 1
Spannung [V]
U
350 ns Bias 2
10 URF Gleichtakt −50
U
RF GND Gleichtakt
URF
5 −60
RX ohne Eingangssignal
RX −50 dBm
0 −70
0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 2000
time [ns]
Abbildung 3.2: T/R Switch Schaltverhalten
Mit einer Verzögerung von 400±5 ns nach dem Triggersignal steigen die Bias-Sperrspannungen
über den pin-Dioden innert 300 ns auf 23 V an und pendeln sich auf einen Endwert von 22 V ein.
Die Spannung URF zwischen RF-Leitung URFGleichtakt und dessen Bezugspotential URFGNDGleichtakt
bleibt währenddessen deutlich kleiner als 1 V. Mit einer Verzögerung von weiteren 200 ns steigt
das RF Signal in Tsw = 350 ns von 10% auf 99% des Endwerts. Die 10%-90%-Schaltzeit liegt bei
etwa 300 ns. Ohne Eingangssignal am TR-Port beträgt die am RX-Port gemessene Video Leakage“
”
maximal -65 dBm und verschwindet bei erreichen des Endwerts bereits wieder im Rauschteppich
(ca. -70 dBm bei dieser Messung).
Eine zweite Messung in Abb. 3.3 soll die Symmetrie der Schaltflanken verdeutlichen.
Abbildung 3.3: Flankensymmetrie
Die Bezeichnungen OUT N“ und OUT P“ der differenziellen Treiberausgangsspannungen

” ”
beziehen sich auf das Blockschaltbild in Abb. 2.6. Im vergrösserten Bildausschnitt rechts ist sichtbar,
dass positive und negative Schaltflanke eine hohe Symmetrie aufweisen, woraus durch Addition
ein Gleichtaktsignal kleiner 200 mVpp resultiert (rosa Math.-Kanal hat 500 mV/div). Nach der
Hochpassfilterung misst man am Eingang des LNA’s noch eine Schaltflanke von 20 mVpp.
25
3 Resultate
3.2 Hochfrequenzeigenschaften
Die Hochfrequenzeigenschaften des T/R Switches in einem statischen Zustand sind durch seine
S-Parameter gegeben. Von Interesse ist im Sendezustand die Durchgangsdämpfung vom TX-Port
zum TR-Port TX→TR (respektive TR→TX, weil näherungsweise reziprokes Netzwerk) und die
Isolation TX→RX. Im Empfangsfall sind es die Durchgangsdämpfung TR→RX (vom TR-Port
zum RX-Port), sowie die Isolation TR→TX. Der dritte Port wird jeweils mit 50 Ω abgeschlossen.
Die Eingangsimpedanzen können an den Markern in der Smith-Chart abgelesen werden. Das
verwendete Messgerät ist der Netzwerkanalysator Agilent E5061B.
Abbildung 3.4: Durchgangsdämpfung TR→RX im Sendezustand (P1:TR, P2:RX)
Bei der Mittenfrequenz von 298 MHz in Abb. 3.4 beträgt die Durchgangsdämpfung A TR→ RX = 0.5
dB. Die Eingangsimpedanzen betragen |z11| = 49.2 Ω und |z22| = 48.1 Ω.
Abbildung 3.5: Isolation TX→RX im Sendezustand (P1:TX, P2:RX)
Die Isolation in Abb. 3.5 wurde mit ITX → RX = 75 dB gemessen. Die Eingangsimpedanzen sind
|z11| = 51 Ω und |z22| = 20.4 Ω (fehlangepasst, da isoliert).
26
3.2 Hochfrequenzeigenschaften
Abbildung 3.6: Durchgangsdämpfung TR→TX im Empfangszustand (P1:TR, P2:RX)
Im Empfangzustand beläuft sich die Durchgangsdämpfung in Abb. 3.6 auf A TR→ RX = 0.42 dB. Die
Eingangsimpedanzen sind |z11| = 50.8 Ω und |z22| = 48.8 Ω.
Abbildung 3.7: Isolation TR→TX im Empfangszustand (P1:TR, P2:RX)
Die Isolation in Abb. 3.7 ist ITR→TX = 41 dB. Die Eingangsimpedanzen sind |z11| = 50.8 Ω und
|z22| = 72 Ω.
Die 3dB-Switch-Bandbreite ist mit über 200 MHz sehr hoch sowohl im Pfad TR → TX als auch in
TR → RX.
27
3 Resultate
3.3 Linearität
Ein weiteres Qualitätsmerkmal, das es zu untersuchen gilt, ist die Linearität des T/R Switches bei
hoher RF-Leistung. Zu diesem Zweck wurde die in Abb. 3.8 dargestellte Messung durchgeführt.
Signal Eingangs- Leistungs-

Generator attenuator verstärker T/R Switch Leistungs-
20dB-Koppler abschluss
var. 60dB TX
TR -6dB 50Ω
50Ω RX Spektrum
50Ω -30dB
AFG Analysator
Abbildung 3.8: Aufbau Linearitätsmessung
Die verwendeten Geräte sind in Tabelle 3.2 gelistet.
Gerät Typ Einstellungen

Signal Generator R&S SMB 100A f=298MHz, Level=4dBm, Pulse Mod.: Sour-
ce=Internal, Pulse Gen.: Delay=1µs, Pulse
Length=2µs
AFG Agilent 81104A Puls, f=10Hz Low=0V, High=5V, Width=5µs
Spektrum Analysator R&S FSL-3 MODE=AM, CF=298MHz, Ref=var., Ran-
ge=50dB, DBW=5MHz, VBW=0Hz, AQT=10µs,
Preamp=OFF, Att=var., Average Count=40
Leistungsverstärker Bruker BLA1000-IE 1000W Ausgang
20dB-Koppler narda Microline
Model 3020A
Ser.No.40033
Leistungsabschluss H+S 6550.17.AA
5GHz/50W
6dB-Attenuator Bird 75-A-MFN-06
30dB-Attenuator var. Attenuator
Eingangsattenuator var. Attenuator
Tabelle 3.2: Geräte
Bei der Linearitätsmessung werden RF-Leistungspulse durch den T/R Switch geschickt (TX→TR)
und mit einem Spektrum Analysator die Leistung gemessen, die hinten raus kommt. Dazu muss
in einer ersten Messung die tatsächliche Ausgangsleistung des Leistungsverstärkers (engl. power
amplifier PA) ermittelt werden. In diese Messung ist kein T/R Switch involviert, der PA wird direkt
mit dem 20dB-Koppler verbunden.
Bei hoher Leistung geht ein PA in Kompression, das heisst seine Ausgangsleistung ist nicht
mehr linear zur Eingangsleistung, oder anderst ausgedrückt seine Verstärkung nimmt ab. Aus
Abb. 3.9 lässt sich der 1dB-Kompressionspunkt des PA bei einer Eingangsleistung von etwa 2dBm
herauslesen. Die Verstärkung des PA beträgt im linearen Bereich 59.5 dB und nimmt bei der
maximalen Eingangsleistung von 4 dBm auf 57 dB ab.
Die Messpunkte wurden aufgenommen, indem die Eingangsabschwächung am PA schrittweise

vermindert wurde. Beginnend bei 50 dB, zuerst in 10 dB-Schritten und von 10 dB an in 1dB-
28
3.3 Linearität
70
60
50
Ausgangsleistung [dBm]
40
30
20
10
0
−50 −40 −30 −20 −10 0 10
Eingangsleistung [dBm]
Abbildung 3.9: 1dB-Kompressionspunkt des Leistungsverstärkers
Schritten. Bei 50 und 40 dB Eingangsabschwächung ist der Attenuator des Spektrum Analysator
auf 0 dB, darüber auf 30 dB eingestellt. Analog dazu wird der Referenzlevel zuerst auf -25 dB
gesetzt, danach auf +15 dB.
65 0
60
Durchgangsdämpfung [dB]
−0.5
50
Ausgangsleistung [dBm]
40
−1
30
−1.5
20
10 −2
10 20 30 40 50 60 70
Eingangsleistung [dBm]
Abbildung 3.10: Linearität des T/R Switches
Die Messresultate in Abb. 3.10 beweisen die hohe Linearität des T/R Switches. Selbst bei höchster
Eingangsleistung bricht die Ausgangsleistung nicht ein. Im Gegenteil, bei genauerem hinsehen
stellt man fest, dass die Ausgangleistung um Bruchteile von dB zunimmt. Dargestellt wird dies
durch die abnehmende Durchgangsdämpfung in der Abbildung. Das ist plausibel, denn pin-
Dioden werden durch hohen RF-Strom zusätzlich ausgesteuert und ihr Seriewiderstand nimmt
ab. Der höhere Betrag von 1 dB Durchgangsdämpfung gegenüber ca. 0.5 dB bei der Messung
mit dem Netwerkanalysator kommt durch eine absolute Messabweichung zustande. Die Ursache
dieser Abweichung ist höchst wahrscheinlich, dass der PA durch den T/R Switch an seinem
Ausgang keine ideale Impedanzanpassung sieht und deshalb weniger Leistung abgibt. Das tut
29
3 Resultate
jedoch der Aussagekraft der Linearitätsmessung keinen Abbruch, da hierfür eine hohe relative
Messgenauigkeit wichtig ist.
Ausserdem wurde überprüft, ob durch den T/R Switch die erste und zweite Oberwelle zunehmen.
Bei maximaler Ausgangsleistung von 61 dBm auf der Grundwelle (298 MHz) betragen die erste
Oberwelle (595 MHz) 13.8 dBm und die zweite Oberwelle (894 MHz) 6.3 dBm, unabhängig davon
ob mit oder ohne T/R Switch gemessen wird.
3.4 MR-Bilder
Als Test der Funktionstüchtigkeit wurde der T/R Switch für die Aufnahme von MR-Bildern
eingesetzt.
Abbildung 3.11: Versuchsmessung im Philips Achieva 7T-Scanner
In Abb. 3.11 ist der Versuchsaufbau im 7-Tesla-MR-Scanner mit dem 8-Kanal T/R-Switch zu sehen.
Der Switch ist mit einer Kopfspule verbunden, in der sich ein Phantom (mit Mineralöl gefüllte
Flasche) befindet. Das Phantom dient zur Qualitätsprüfung bei den ersten Versuchsmessungen.
30
3.4 MR-Bilder
Vor dem eigentlichen Scan sind Eingangs- und Ausgangssignale des Switches zu überprüfen.
Abbildung 3.12: Kontrollsignale
Das Triggersignal in Abb. 3.12 löst den Schaltvorgang aus. Der T/R-Switch bestätigt mit TR STATE“
”
nach ungefähr 2.5 µs, dass er in den Sendezustand geschaltet hat und gibt damit den Ausgang
des Leistungsverstärkers frei. Der Signal Generator erzeugt mit einer definierten Verzögerung
auf das Triggersignal einen RF-Puls von 2 µs Dauer. Was vom 1kW-Leistungspuls trotz der 75
dB Isolation noch am RX-Port ankommt ist der symmetrische Puls von etwa 500 mVpp und das
ist nach dem LNA gemessen, der das Signal noch um 23 dB verstärkt. Die Zeit zwischen Ende
RF-Puls und dem Schalten in den Empfangszustand wurde im Versuch schrittweise reduziert.
Limitierend hierbei ist nicht die Schaltzeit des T/R Switches an sich, sondern das Nachschwingen
des Leistungspuls im Switch und noch mehr in der RF-Spule am TR-Port (engl. coil ring-down). Die
effektive Totzeit konnte bis auf 1 µs minimiert werden, ohne dass die Spannungspitzen auf RX den
LNA in eine Sättigung bringen. Im Vergleich zur Eingangs erwähnten Hardware von Bruker ist das
eine Beschleunigung um 3.5 µs. Die Bestätigung des Empfangszustands durch TR STATE“ kommt
”
wieder mit kurzer Verzögerung, die durch das Einschwingen der OP’s in der BITE-Schaltung und
die Schnittstellenwandlung auf Lichtwellenleiter und zurück bedingt ist. Das MR-Signal kann
jedoch schon vor Empfangen der Bestätigung aufgezeichnet werden.
31
3 Resultate
Abbildung 3.13: Phantome mit Ringspule gemessen (Oben|Unten : BW 250|500 kHz, FOV 240|340 mm, Matrix 128)
Die Aufnahmen der Phantome in Abb. 3.13 zeigen eine Hintergrund, der frei von niederfrequenten
Bildstörungen ist. Der Grössenunterschied von oben zu unten kommt durch das veränderte
Messfeld (engl. field of view FOV) zustande. Eine hohe Bandbreite (BW) respektive Abtastrate,
wie in der unteren Aufnahme, macht die Rekonstruktion besonders anfällig für Artefakte. Die
eingesetzte Ringspule (engl. loop coil) ist eine einfache Leiterschleife, die durch einen parallelen
Trimmkondensator auf 298 MHz resonant ist.
Abbildung 3.14: Fussgelenk mit Ringspule gemessen (BW 250 kHz, FOV 240 mm, Matrix 288)
Abb. 3.14 zeigt ein Fussgelenk. Die Helligkeit nimmt mit der Signalstärke vom Zentrum der
Ringspule nach Aussen hin ab.
32
3.4 MR-Bilder
Abbildung 3.15: Phantome mit Kopfspule gemessen (Oben|Unten : BW 250|500 kHz, FOV 530|530 mm, Matrix 128)
In Abb. 3.15 ist eine Aufnahme des Phantoms mit einer Kopfspule zu sehen, deren Leiter ähnlich
einem Vogelkäfig aufgebaut sind. Das Leitermaterial generiert auch MR-Signal und ist deshalb in
der Aufnahme sichtbar. Der Hintergrund weist im Gegensatz zu den Aufnahmen mit der Ringspule
etwas mehr Störsignale auf, die Bildqualität ist aber immer noch als hoch zu beurteilen.
Abbildung 3.16: Kopf mit Kopfspule gemessen (BW 500 kHz, FOV 530 mm, Matrix 320)
Abb. 3.16 zeigt links ein sagittales- und rechts einen axiales Schnittbild des menschlichen Kopfs. Die
kreisförmigen hellen Linien im Mundbereich des linken Bildes kommen durch das Vorhandensein
eines Metalldrahts (Retainer) an der Innenseite der Zähne zustande. Der Scan konnte trotzdem
durchgeführt werden, da es sich um ein nichtmagnetisches Metall handelt. Die Artefakte durch
den Draht kommen aufgrund unterschiedlicher Suszeptibilität (Magnetisierbarkeit) zustande, was
zu einer Verzerrung des statischen Magnetfelds führt.
33
4 Diskussion
Das neue Design des pin-Dioden Treibers hat sich in vielerlei Hinsicht bewährt. Das Pflichtenheft
des 8-Kanal T/R Switches konnte in allen Punkten erfüllt werden. Die Schaltzeit von 10% auf 99%
der RF-Leistung liegt mit Tsw = 350 ns deutlich unter 1 µs. Im Vergleich zum vorhandenen Funkti-
onsmuster des T/R Switch mit differenzieller Ansteuerung wurde die Schaltzeit um ungefähr 50 ns
beschleunigt, was annähernd gleiche Schaltgeschwindigkeit bedeutet. Die Video Leakage“ hinge-
”
gen hat durch den neuen Treiber signifikant abgenommen. Am Ausgang des Empfangsverstärkers
wurde der maximale Ausschlag bei -65 dBm gemessen, das sind rund 20 dB weniger als beim
Vorgänger. Noch wichtiger ist, dass dieses Störsignal bei Erreichen von 99% RF-Leistung auf unter
-70 dBm abgeklungen ist, was eine weitere Verbesserung der Switch-Performance darstellt. Der
LNA wird durch die äusserst geringe Schaltspannung von 20 mVpp weder in Sättigung gebracht,
noch zerstört.
Eine gute Symmetrie des differenziellen Treibersignals wird durch das kompakte Endstufendesign
gewährleistet. Im Sende- und Empfangszustand leiten jeweils jene NPN- und PNP-Transistoren,
welche sich im gleichen Chipgehäuse befinden, um eine Asymmetrie durch thermischen Drift
zu vermeiden. Die Endstufe im B-Betrieb erweist sich als einfache und gute Lösung für einen
niederimpedanten pin-Dioden Treiber. Sie garantiert zudem hohe Sicherheit, weil jeweils nur
ein Transistor in der Endstufe leiten kann, wodurch ein Kurzschluss (engl. shoot through) in der
Endstufe ausgeschlossen ist.
Die Schaltungssimulation mit LTspice war nützlich, um verschiedene Ansätze von Treiberdesigns
gegeneinander zu vergleichen. Das eingesetzte pin-Dioden-Modell zeigte dabei ein plausibles
Schaltverhalten. Genügend realitätsgetreu ist die Simulation aber nicht, dass man die Bauteilwerte
direkt daraus übernehmen könnte. Die Simulation gibt die Richtung vor, ersetzt aber nicht den
Versuchsaufbau mit realen Bauteilen.
Die Endstufentransistoren dissipieren bei der gewählten Versorgungsspannung von ±5 V und

einem totalen Diodenvorwärtsstrom von 100 mA eine durchschnittliche Leistung von 0.8 W (Der
Spannungsabfall über der Last beträgt rund 2 V), wodurch die Transistoren schon beträchlich
Wärme abführen müssen. Hier liesse sich das Design optimieren entweder indem man die Leistung
in einem Linearregler dissipiert oder aber eine zusätzliche Versorgungsspannung von 2.5 V über
Kabel in die T/R Switch-Box führt. Die eingesetzten Transistoren sind bei entsprechendem Layout
auf eine maximale Verlustleistung von 1.1 W spezifziert, die Funktionalität ist daher gewährleistet.
Das Risiko eines Hitzestaus bei voll bestücktem 8-Kanal T/R Switch wurde erwogen, indem 30 W
in einem vergleichbaren Kunstoffgehäuse dissipiert wurden. Die Lufttemperatur im Gehäuse stieg
bei diesem Versuch nicht über 35 °C. Die Gefahr eines Hitzestaus besteht deshalb nicht.
34
Das Tuning der beiden λ/4-Impedanztransformatoren musste sehr fein abgestimmt werden,
um die Durchgangsdämpfung A TR→ RX zu minimieren und gleichzeitig die Isolation ITX → RX zu
maximieren. Als bestes Vorgehen stellte es sich heraus, bei dem Parallelresonanz-Sperrkreis zu
beginnen und sich dann stufenweise Richtung Empfänger vorzuarbeiten. Die erreichten Hoch-
frequenzeigenschaften des T/R Switches erfüllen die gestellten Anforderungen gut, einzig die
Durchgangsdämpfung A TR→ RX ist mit 0.5 dB nur gerade knapp erfüllt. Bemerkenswert ist, dass
durch Schliessen des RF-Schirmgehäuse, mit dem vorgesehenen Deckel, die Isolation ITX → RX um
etwa 8 dB abnimmt, wobei auch der reduzierte Wert noch tolerierbar ist. Versuche, eine eventuelle
Kopplung über die Spulen der λ/4-Stufen durch Kupferblech zu unterbinden brachten keine
Verbesserung.
Die hohe Linearität des T/R Switches zeigt, dass die Performance des T/R Switches bei RF-
Pulsleistungen von über 1 kW nicht einbricht. Es treten durch den T/R Switch keine messbaren
Nichtlinearitäten auf.
Eine Zustandsüberwachung (BITE) wurde implementiert. Das Zustandsignal TR STATE“ meldet

”
dem Benutzer, ob sich der Switch im Sendezustand TX (TR STATE = 0) oder im Empfangszustand
RX (TR STATE = 1) befindet. Aus einer logischen Verknüpfung mit dem Triggersignal lässt sich
auf einen Fehlerfall schliessen. Bei den Messungen am MR-Scanner wird das Zustandssignal als
Freigabe (engl. unblanking) für den Leistungsverstärker eingesetzt.
Die Probe aufs Exempel hat der T/R Switch erfolgreich bestanden. Die MR Scans weisen die gleiche
Qualität auf, wie mit dem Funktionsmuster aufgenommene Bilder. Die verwendeten Komponenten
im T/R Switch sind demnach genügend nichtmagnetisch, dass keine Bildfehler entstehen.
Der mechanische Aufbau der T/R Switch-Box ermöglicht den einfachen Austausch einzelner
T/R-Boards. Bei der Umsetzung wurde darauf geachtet, dass Sende- und Empfangskanal räumlich
so weit als möglich getrennt sind. Durch den transparenten Deckel der Box sind LED’s sichtbar die
dem Benutzer Auskunft über die Zustände der einzelnen T/R Boards und Versorgungsspannungen
gibt. Der Einsatz eines Lichtwellenleiters verhindert Fehler durch das Schalten der Gradientenspu-
len beim Übertragen der Steuer- und Zustandssignale. Eine Bedienungsanleitung zur korrekten
Handhabung des Switches ist im Anhang zu finden.
35
36
5 Fazit
Der in dieser Arbeit entwickelte 8-Kanal T/R Switch erlaubt MR-Experimente durch RF-Spulen
mit bis zu acht Sende- und Empfangskanälen auf höherer RF-Pulsleistung als bisher. Das Schaltver-
halten des neuen Switches konnte durch das Design eines dedizierten differenziellen pin-Dioden
Treibers hinsichtlich Video Leakage“ verbessert werden. Die Schaltzeit von 350 ns sowie die
”
Hochfrequenzeigenschaften zeigen ebenso gute Performanz wie der zweikanalige Vorläufer. Die
Elektronik als auch die Mechanik weisen ein robustes Design auf, um den teils rauen Umgebungs-
bedingungen eines MR-Experiments gewachsen zu sein. Durch eine Überwachung des Schaltzu-
stands und einer Signalübertragung mittels Lichtwellenleiter wird die Sicherheit zusätzlich erhöht.
Die gestellten Anforderungen werden durch den gebauten Prototypen erfüllt. Der T/R Switch
erweist sich ausserdem einfach in der Bedienung, was die zahlreichen Fehlerquellen bei einem
MR-Experiment reduziert und den Forschern am IBT die Arbeit erleichtert.
37
6 Anhang
6.1 Bedienungsanleitung
In dieser Anleitung wird die Installation des 8X T/R Switches erklärt und die wichtigsten Punkte,
die es bei der Handhabung zu beachten gilt. Grundsätzlich ist die Bedienung selbsterklärend. Der
Switch besteht aus den Komponenten: Power Supply PS (schwarzes Alugehäuse), T/R Box, LWL
(Lichtwellenleiter) und einem Speisungskabel.
Installation und Inbetriebnahme
1. Schalter an PS auf AUS, dann mit Gerätekabel ans Netz anschliessen.
2. PS und T/R Box mit Speisungskabel verbinden, kann nicht falsch eingesteckt werden.
3. PS und T/R Box mit LWL verbinden. Der rote Steckverbinder geht auf die rot beschriftete
TRIG Buchse, der schwarze Steckverbinder auf STATE.
4. Die Triggerquelle mit der BNC-Buchse verbinden, unter der TRIG steht (die Beschriftung gilt
für die Buchsen unten und oben).
5. Das STATE Signal kann an der entsprechenden BNC-Buchse abgegriffen werden (Ausgang).
6. T/R Box mit Spule (TR), Transmitter (TX) und Receiver (RX) verbinden (Es müssen nicht alle
Kanäle belegt sein).
7. Schalter an PS auf EIN, es sollten an der PS alle vier LEDs leuchten. In der T/R Box befinden
sich direkt hinter dem Speisungsstecker ebenfalls vier LEDs, welche die Speisungsspannun-
gen abbilden. Auch diese sollten leuchten.
8. Ohne Triggersignal (default Low) befindet sich der Switch im Transmitt-Mode.
9. Die LED D401 (befindet sich näher beim Speisungsstecker als D400 gleich daneben und ist mit
TX beschriftet) auf den einzelnen T/R Boards zeigt an, dass der Switch im Transmitt-Mode
ist.
10. Entsprechend signalisiert D400 (mit RX beschriftet), wenn der Switch im Receive-Mode ist.
11. Leuchtet keine der beiden LEDs liegt ein Fehlerzustand vor.
12. D200 gleich hinter der STATE Buchse (LWL) visualisiert eben diesen Ausgang.
13. Um das CPLD auf dem Mainboard befinden sich noch einige Kontroll-LEDs.
14. D100 widerspiegelt den TRIG-Eingang.
38
6.1 Bedienungsanleitung
15. D103 ist das so genannte TR ready Signal: TR ready = inv(TRIG xor STATE), ausgeschrieben:
wenn TRIG gleich ist wie STATE, dann ist TR ready = 1.
16. Die Beschriftung an der PS gilt übrigens für TRIG und STATE: logisch 0 (Low) bedeutet
Transmitt-Mode(TX), logisch 1 (High) bedeutet Receive (RX).
Sicherheitshinweise
1. Sind nicht alle T/R Boards bestückt, ist darauf zu achten, dass die ungenutzten Koaxialkabel
nicht die Elektronik kontaktieren.
2. Die LWL-Buchsen und -Stecker sind mit den vorgesehenen Schutzkappen vor Verunreini-
gung zu schützen.
3. LWL vor Knicken und Quetschen schützen.
39
Institute for Biomedical Engineering
RF interface for high-power MRI experiments
Motivation:
Magnetic resonance imaging (MRI) of samples with very fast
relaxation (e.g. bone) requires rapid high-power switching
from radio-frequency (RF) receive to transmit operation. To
enable performing such experiments with our standalone
MRI spectrometer, a dedicated hardware interface is required.
Methods:
In the MR methodology group of the IBT, a stand-alone MR
spectrometer for RF excitation and acquisition has been
developed and built. It enables advanced MRI experiments by
replacing the clinical scanner’s spectrometer. Currently, such
experiments are possible only with relatively low RF power or
in restricted configurations. Performing active detuning with
dedicated high-power components, a new device should
provide more quality and flexibility for our MRI experiments.
Goal:
The result of this thesis is a hardware device which connects
the RF send and receive paths of the NMR spectrometer with
the RF transmit and receive coils. Up to 8 transmit and 16
receive channels can be connected. The device enables a
transmission power of up to 4 kW and includes a detuning
unit for the receive coils during transmit operation and vice versa a detuning unit for the
transmit coils during receive operation. In addition, transmit-receive (T/R) switches for T/R coils
are implemented. Furthermore, pre-amplifiers are provided for the receive channels. The target
for detuning and switching times is 1 µs.
Tasks:
• Design of detuning and switching units.
• Layout of boards.
• Realisation of boards and environment.
• Validation.
Type of work:
Semester or Master project (1 student): 10% Theory, 70% RF-Laboratory/Electronics, 20%
Measurements
Supervisors:
David Brunner, brunner@biomed.ee.ethz.ch, ETZ F88, Tel. ++41 44 632 61 79
Benjamin Dietrich, dietrich@biomed.ee.ethz.ch, ETZ F61.1, Tel. ++41 44 632 09 91
Markus Weiger, weiger@biomed.ee.ethz.ch, ETZ F96, Tel. ++41 44 632 45 44
Professor:
Klaas Prüssmann, pruessmann@biomed.ee.ethz.ch, ETZ F89, Tel. ++41 44 632 66 96
MSE-Masterarbeit
Zentrum für Signalverarbeitung und Nachrichtentechnik
Hauptbetreuer: Dr. W. Baumberger MSE-Student: Lukas Furrer
Partner: Universität und ETH Zürich, Institute

for Biomedical Engineering, Dr. D.
Brunner, Dr. M. Weiger
Ausgabetermin: 19.01.2015 (KW04) Abgabetermin: 12.06.2015 (KW24)

Anzahl Credits: 27 bzw. 810h Präsentation: Ende Juni / Anfang Juli 2015
Thema: RF Interface for High-Power MRI Experiments
1. Einleitung und Zielsetzung

T/R-Schalter für hohe RF-Leistungen sind Kernkomponenten moderner MRI-Spektrometer. Diese sind
normalerweise mit pin-Dioden aufgebaut. Die Trägerlebensdauer dieser Dioden setzt eine untere
Grenze für die Umschaltzeit einfacher Schalter in der Gegend von einigen µs, was normalerweise kein
Problem darstellt.
Mit der Anwendung der am IBT entwickelten ZTE-Technik (Zero Echo Time [2]) ist es möglich,
Gewebe mit sehr kurzer transversaler Relaxation (T2) abzubilden (z.B. Knochen oder Lunge). Die
Technik erlaubt zudem den Bau leiser MRI-Geräte, da durch die kurzen Messzeiten die
Gradientenspulen dauernd eingeschaltet bleiben können.
Um die Totzeit zwischen T und R zu minimieren, müssen die Umschaltzeiten von gängigen T/R-
Schaltern auf unter 1 µs reduziert werden. Am IBT wurde ein Funktionsmuster eines geeigneten
Schalters mit pin-Dioden entwickelt [1], welcher das Steuer- vom Nutzsignal trennt, indem ersteres
im Gegen-, letzteres im Gleichtaktmodus übertragen wird und die pin-Dioden mittels optimierter
Treiber forciert entleert werden.
In dieser Masterarbeit (MA) soll dieser T/R-Schalter weiterentwickelt und als kompakte Einheit
aufgebaut werden. Ziel ist eine T/R-Schaltereinheit mit acht Sende- und Empfangskanälen, welche
alle für einen klinischen Versuchsbetrieb notwendigen Nebenfunktionen enthält und auch im
auftretenden Magnetfeld zuverlässig arbeitet.
2. Aufgabenstellung und Pflichtenheft
Zunächst ist das bestehende Funktionsmuster des T/R-Schalters zu analysieren und dessen Funktion
nachzuvollziehen, z. B. mit Hilfe geeigneter Simulationen und Messungen. Im selben Zeitraum ist in
Zusammenarbeit mit dem Partner ein detailliertes Pflichtenheft der zu entwickelnden T/R-
Schaltereinheit zu erstellen, welches neben den unten aufgeführten Punkten auch die Mechanik,
Schnittstellen, Umweltbedingungen usw. umfasst.
Aus heutiger Sicht muss die Einheit folgende Eigenschaften aufweisen resp. folgende Einzelprobleme
sind zu bearbeiten:
a) Der pin-Diodentreiber ist zu verbessern, und zwar in Bezug auf Energieeffizienz und Konstanz
bezüglich Schaltfrequenz und Tastverhältnis bei maximaler Pulsleistung (4kW).
b) Die Übertragung der Steuer- und Alarmsignale ist mittels einer geeigneten faseroptischen
Schnittstelle zu implementieren.
1
c) In den Treiber sind geeignete Mess- und Überwachungsschaltungen zu integrieren, welche es
erlauben, den Zustand der Treiberelektronik und der pin-Dioden zu testen.
d) Es sind für alle Funktionen geeignete nichtmagnetische Bauteile zu verwenden.
e) Ein angepasstes Speisungskonzept soll den Einsatz einer kompakten externen Stromversorgung
erlauben.
f) Für die Realisierung der 8-kanaligen Schaltereinheit ist ein geeignetes mechanisches Konzept zu
erarbeiten, welches auf einem Motherboard mit einer Anzahl möglichst identischer Einzelschalter-
Boards basiert.
g) Die möglichen Fehlerfälle sind abzuwägen und gegebenenfalls Massnahmen zu treffen.
3. Bericht/Präsentation/Randbedingungen
Die MSE-MA wird in einem Bericht dokumentiert. Der Bericht ist in 3-facher Ausführung
ausgedruckt und gebunden, sowie in elektronischer Form termingerecht abzugeben.
Die Präsentation findet in Absprache mit dem Partner statt. Die Details werden später festgelegt.
4. Bewertungskriterien, Gewichtung:
Die Bewertung erfolgt gemäss dem Raster in [3]. Jedes Kriterium hat das Gewicht 1/3.
5. Literaturverzeichnis
[1] David Brunner et al., „High-Power T/R Switches with 350 ns Rise Time for Zero Echo Time Imaging"
[2] Markus Weiger et al., "ZTE Imaging in Humans", Magnetic Resonance in Medicine 70:328–332
(2013)
[3] https://intra.zhaw.ch/fileadmin/user_upload/80_Dept/T_School_of_Engineering/Bachelorstudiu
m/Projekt-Bachelorarbeit/Richtlinien/Bewertungsraster_PABA.pdf
2
1 2 3 4
SUPPLY CPLD BITE

A A
SUPPLY.SchDoc CPLD.SchDoc BITE.SchDoc
Comp Outputs Comp Outputs
+V low
+V high
+V LNA
-V low
-V high
RX OK
TX OK
out Pos
out Neg
Pos1
Neg2
Pos2
Neg1
PIN Driver COJ1 COJ2 TR Switch
J1 J2
PIN Driver.SchDoc TR Switch.SchDoc
PIJ101 CMC1 PIJ201
Pos1 RFGNDP
Neg2 RFGNDN
B PIJ301 PIJ401 B
out Pos
COJ3 COJ4
out Neg
J3 J4
COJ5
J5 COJ6
J6
PIJ501 CMC2 PIJ601
Pos2 RFP
TRIG
Neg1 PIJ701 PIJ801 RFN
COJ7
J7 COJ8
J8
C C
PI10B8 PI 10B17 PI10B6 PI10B5 PI10B4 PI10B3 PI 10B12 PI10B1 PI10B PI 10B9 PI 10B8 PI 10B7 PI 10B6 PI 10B5 PI 10B4 PI 10B3 PI 10B2 PI 10B1
COP1
P1
B9
B8
B7
B6
B5
B4
B3
B2
B1
PEGx1
B18
B17
B16
B15
B14
B13
B12
B11
B10
A18
A17
A16
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
PI10A8 PI 10A17 PI10A6 PI10A5 PI10A4 PI10A3 PI 10A12 PI10A1 PI10A PI 10A9 PI 10A8 PI 10A7 PI 10A6 PI 10A5 PI 10A4 PI 10A3 PI 10A2 PI 10A1
GND
Title
D D
TR Board
Size Number Revision
A4
Date: 10.06.2015 Sheet of
File: C:\MT_Furrer\..\TR Board.SchDoc Drawn By: Lukas Furrer
1 2 3 4
1 2 3 4
COP100
P100
PIP10001
PI 10 2 PIC10 2
TR COC100
C100
GND
PIC10 1 22pF
A COL100 A
L100
PIL10001 PIL10002
27nH
GND
COC150
C150
PIC15002 PIC15001
PIC10 2 PIC102
nb COC101
C101 COC102
C102
COC103
C103
PIC10 1 10pF PIC102 1 10pF
J100
RFGNDP
J106
PIJ10 1 COJ100 PIJ10601 COJ106
PIC10302 PIC10301
0.5pF PIC104 2 PID10 1 COD100

D100
PIC105 2 PID10 1 COD101
PIC10602
Net Class COC104
C104 Net Class COC105
C105 D101 Net Class COC106
C106 LNA
COD102
D102 PIC104 1 2.2pF MA4P PIC105 1 2pF MA4P PIC10601 1.5pF COC107
C107 LNA.SchDoc
TX i COL101
L101 i PID10 2 COL102
L102 PID10 2 i
PID10201 PID10202 PIL10101 PIL10102 PIL10201 PIL10202
20pF
PIC10701 PIC10702
COC109PIC1 0 1 COC110 PIC1 301 PIC1 401 PIC1 501 PIC1 601 COC108
C108
PIC109 2 C109 C110 68nH 68nH
COP101
P101 COC111
C111 COC112
C112 MA4P COC113
C113 COC114
C114 COC115
C115 COC116
C116 COC117
C117 PIC10801 PIC10802 RF in
COL105 PIC109 1 COL103
L103 COL104
L104 PIL10602
PIP10101 PIC11101 PIC11102 PIC11201 PIC11202 L105
PIL10502 PIL10501 330pF PIC1 0 2 100pF PIC1 302 100pF PIL10301 PIL10302
PIC1 402 100pF PIC1 502 100pF PIL10401 PIL10402
PIC1 602 100pF PIC11701 PIC11702 COL106 15pF
L106
RF GND1 PIL10702 150nH 68nH 68nH 27nH
B PI 10 2 22pF COL107
L107 22pF PIC1 802 i i PID1031 PID1041 i 20pF B
PIC140 2 PIC14 02 PIC14502 PIC14702 27nH COC118
C118 Net Class PIC1 902 Net Class COD103
D103 PIC120 2 COD104 PIC12102
D104 Net Class
COC140 COC141 COC145 COC147 PIC1 801 COC119
C119 MA4P COC120
C120 MA4P COC121
C121
C140 C141 C145 C147 nb PIC1 901 PIC120 1 PIC12101 PIL10601
PIC140 1 PIC14 01 PIC14501 PIC14701 2.2pF PID1032 2pF PID1042 1.5pF
330p 330p 330p 330p
PIL10701 GND
PIJ105 1 COJ105
J105
PIJ10701
GND RFGNDN
COJ107
J107
PORFGNDN NLRFP
RFP PORFP
RFGNDN RFP
COC143
C143 COC144
C144
PIC14301 PIC14302 PIC14401 PIC14402
NLRFN
RFN
PORFGNDP
RFGNDP PORFN
RFN
470p 470p
COC122
C122 COC123
C123
PIC12201 PIC12202 PIC12301 PIC12302
470p RFGNDP 470p GND

C C
COC124
C124 COC125
C125
PIC12401 PIC12402 PIC12501 PIC12502
470p 470p
COC126
C126 COC127
C127
PIC12601 PIC12602 PIC12701 PIC12702
COS100
S100
470p 470p
Shield PIS10000 GND
COC128
C128 COC129
C129
PIC12801 PIC12802 PIC12901 PIC12902
Shield
470p 470p
COC130
C130 COC131
C131
PIC13001 PIC13002 PIC13101 PIC13102
470p 470p
COC132
C132 COC133
C133
PIC13201 PIC13202 PIC13301 PIC13302
Title
D 470p 470p D
COC134
C134 COC135
C135
TR Board
PIC13401 PIC13402 PIC13501 PIC13502
45 [Locally Modified]
470p 470p A4
RFGNDN GND
File: C:\MT_Furrer\..\TR Switch.SchDoc Drawn By: Lukas Furrer
1 2 3 4
1 2 3 4
U_SubCompFWD1
Sollbedingungen, damit TR-Switch OK
SubCompFWD1.SchDoc
FWD 2pin low
Ufwd1 = Ufwd4 = 2x Ipin x Rv low1
FWD 2pin high
A Ufwd2 = Ufwd3 = 3x Ipin x Rv high1 COJ300 A
FWD 3pin low J300 Comp Outputs
Urev1 = Urev2 = Ur low2 PIJ30 1 COJ301 low
FWD 3pin high J301 NLUfwd1
Ufwd1 above
above low
high2 above low 1 COJ302 low Ufwd1 above low
Pos1 J302 PIJ301 NLUfwd2 Ufwd2 above
above low
IN1- above low 2 below high Ufwd2 above low
Ufwd1 out Pos PIJ302 1 COJ303
J303 NLUfwd1
Ufwd1 below high
IN1+ below high 1 PIJ30 1 NLUfwd2 below high Ufwd1 below high
Pos2 Ufwd2 below high
IN2- below high 2 Ufwd2 below high
Ufwd2 out Pos
IN2+
U_SubCompFWD2
NLout Pos SubCompFWD2.SchDoc
POout
POOUT Pos out Pos
POS
out Pos
FWD 3pin low
Neg low1
POout
POOUT out Neg
NegNLout
NEG FWD 3pin high
out Neg high1 COJ304
FWD 2pin low J304
NLPos1 low2 low
POPOS1
POPos1 Pos1 FWD 2pin high J305 NLUfwd3
PIJ304 1 COJ305 Ufwd3 above
above low
Pos1 high2 above low 1 COJ306 low Ufwd3 above low
out Neg
IN1- above low 2
J306 PIJ305 1 NLUfwd4
Ufwd4 above
above low
Ufwd4 above low
PONeg1
PONEG1 NLNeg1
Neg1 Ufwd3 Neg1 PIJ306 1 COJ307
J307 NLUfwd3 below high
Ufwd3 below high POComp
POCOMP
POCOMP OUTPUTS0UFWD1
OUTPUTS0UFWD2
OUTPUTS0UFWD3
OUTPUTS0UFWD4
OUTPUTS0UREV1
OUTPUTS0UREV2
OUTPUTS0UFWD1
OUTPUTS0UFWD2
OUTPUTS0UFWD3
OUTPUTS0UFWD4
OUTPUTS0UREV1
OUTPUTS0UREV2
Outputs
OUTPUTS
BELOW
ABOVE HIGH
LOW
Neg1 IN1+ below high 1 NLUfwd4 below high Ufwd3 below high Comp Outputs
out Neg PIJ307 1 Ufwd4 below high
NLPos2 IN2- below high 2 Ufwd4 below high
POPos2
POPOS2 Pos2 Ufwd4 Neg2
Pos2 IN2+
B NLNeg2 B
PONEG2
PONeg2 Neg2
Neg2
U_SubCompREV
SubCompREV.SchDoc
REV low limit COJ308
J308
low limit
REV high limit PIJ308 1 COJ309
J309 NLUrev1Urev1 above low
above low
high limit above low 1 COJ310 PIJ309 1 NLUrev2 low Urev1 above low
Pos1 J310 Urev2 above
above low
IN1- above low 2 COJ311 high Urev2 above low
Urev1 Neg1 PIJ310 1 J311 NLUrev1Urev1 below
below high
IN1+ below high 1 high Urev1 below high
Pos2 Urev2 below
PIJ31 01 NLUrev2 below high
IN2- below high 2 Urev2 below high
Urev2 Neg2
IN2+
Vcomp Vcomp Vcomp

C C
PIR3420 PIR34 02 PIR34502
COR342
R342 COR344
R344 COR345
R345
COJ312
J312 91k COJ313
J313 91k COJ314
J314 47k
PIJ31201 NLFWD
FWD 3pin
3pin high
high PIR34201 PIJ31 01 NLFWD
FWD 2pin
2pin high
high PIR34 01 PIJ31401 NLREV
REV high
high limit
limit PIR34501
PIC32602 PIR34 02 PIC32802 PIR34602 PIC3 102 PIR34702
COC326
C326 COR343
R343 COC328
C328 COR346
R346 COC331
C331 COR347
R347
100n 16k 100n 16k 100n 51k
PIC32601 PIR34 01 PIC32801 PIR34601 PIC3 101 PIR34701
GND GND GND GND GND GND
Vcomp Vcomp Vcomp
PIR34802 PIR34902 PIR350 2

COR348
R348 COR349
R349 COR350
R350
COJ315
J315 91k COJ316
J316 91k COJ317
J317 62k
PIJ31501 NLFWD
FWD 3pin
3pin low
low PIR34801 PIJ31601 NLFWD
FWD 2pin low
2pin low PIR34901 PIJ31701 NLREV low limit
REV low limit PIR350 1
PIC3 02 PIR35102 PIC3 602 PIR35202 PIC3 802 PIR35 02
COC333
C333
COR351
R351 COC336
C336
COR352
R352 COC338
C338
COR353
R353 Title
D D
100n 4.7k 100n 3.3k 100n 43k
PIC3 01 PIR3510 PIC3 601 PIR35201 PIC3 801 PIR35 01
TR Board
GND GND GND GND GND GND
A4
File: C:\MT_Furrer\PCB\TR Board\BITE.SchDoc
Drawn By: Lukas Furrer
1 2 3 4
1 2 3 4
+5V +5V
PID40 1 PID401
PID40 2 COD400
D400 PID401 2 COD401
D401
A PIR4120 PIR41302 A
COR412
R412 COR413
R413
Comp Outputs COU400A
COU400B
COU400C
COU400D
COU400E
U400A U400B 470 470
Ufwd1 above low NLUfwd2 below high
Ufwd2 below high 18
PIU400018 39
PIU400039 PIR41201 PIR41301
Ufwd1 above low NLUfwd1 I/O I/O
Ufwd2 above low Ufwd1 above
above low
low 16
PIU400016 38
PIU400038
Ufwd2 above low NLUfwd1 below high I/O I/O
Ufwd1 below high Ufwd1 below high 14
PIU400014 36
PIU400036
Ufwd1 below high NLUfwd2 low I/O I/O,GTS1
Ufwd2 below high Ufwd2 above
above low 13
PIU400013
37
PIU400037
3V3
Ufwd2 below high NLUfwd4 below high I/O I/O
Ufwd4 below high 12
PIU400012 34
PIU400034
I/O I/O,GTS2
BANK 2
NLUfwd4
Ufwd4 above low
above low 8
PIU40008 33
PIU400033 PIR40 02
NLUfwd3 I/O I/O,GSR COR400
Ufwd3 above
above low
low 7
PIU40007 32
PIU400032 U401B R400
NLUrev2 below high I/O I/O 31
Urev2 below high 6
PIU40006 31 NLI0O
PIU400031I/O 31 1k
NLUrev1 I/O I/O NLI0O 30 PIR40 01
Urev1 above
above low 5
lowPIU40005 30 I/O 30
PIU400030
NLUrev1 below high I/O I/O 29 PIC40 02 COR401
R401
Urev1 below high 3
PIU40003 29 NLI0O
PIU400029I/O 29 7
PIU40107 I/O 28 PIR40101 PIR40102
NLUfwd3 below high I/O I/O 28 COJ400 Rext/Cext COC400
C400
Ufwd3 below high 1
PIU40001 28 NLI0O
PIU400028I/O 28 J400 6
PIU40106 nb
NLUrev2 low I/O,GCK3 I/O COJ401 Cext COJ402
Urev2 above
above low 2 PIU40002 I/O I/O
27
PIU400027 J401 P IJ 4 0 01 9
PIU40109 !A
PIC40 01 330p COR402
R402 COR403
R403
J402
Ufwd3 above low 44
PIU400044 23
PIU400023
COJ403
J403PIJ401 PIU401010 10 5
PIU40105 I/O 29 PIR40201 PIR40202 PIR40301 PIR40302
PIJ402 1 PORX
Ufwd3 above low I/O,GCK2 I/O B Q PIC401 2 RX OKOK
Ufwd4 above low 42
PIU400042
22
PIU400022
PIJ403 1 PIU401011 11 12
PIU401012 0 100
Ufwd4 above low I/O I/O !CLR !Q COC401
C401
POComp
POCOMP
POCOMP OUTPUTS0UFWD1
OUTPUTS0UFWD2
OUTPUTS0UFWD3
OUTPUTS0UFWD4
OUTPUTS0UREV1
OUTPUTS0UREV2
OUTPUTS0UFWD1
OUTPUTS0UFWD2
OUTPUTS0UFWD3
OUTPUTS0UFWD4
OUTPUTS0UREV1
OUTPUTS0UREV2
Outputs
OUTPUTS
BELOW
ABOVEHIGH
LOW Ufwd3 below high I/O 43 43
PIU400043
21
PIU400021 COR404
Comp Outputs Ufwd3 below high NLI0O 41 I/O,GCK1 I/O R404 100p
Ufwd4 below high I/O 41 41
PIU400041
20
PIU400020 PIR40401 PIR40402
PIC401
B Ufwd4 below high NLI0O 40 I/O I/O B
I/O 40 40 19 3V3
BANK 1
PIU400040 I/O I/O PIU400019 nb
SN74LV123A GND
XC9536XL-10VQG44C XC9536XL-10VQG44C PIR40502
3V3 COU401A
COU401B
U401A COR405
R405
16
PIU401016 VCC
1k
PIC406 2 PIR40501 COR406
R406
COC406
C406 15 PIC40202 I/O 30
Rext/Cext PIU401015 PIR40601 PIR40602
PIC406 1 100n COJ404
J404 14 COC402
C402
PIU401014 nb
Urev1 above low COJ405
J405PIPIU40101 PIC40201 330p COJ406
J406
Urev1 above low
J40401 1 !A Cext COR407
R407 COR408
R408
Urev2 above low GND COJ407
J407PIJ405 1 2 13 I/O 31 PIJ406 1
Urev2 above low PIU40102 B Q PIU401013 PIR40701 PIR40702 PIR40801 PIR40802 POTX
TX OKOK
Urev1 below high
Urev1 below high PIJ407 1 3
PIU40103 !CLR !Q
4
PIU40104 0 100 PIC403 2
Urev2 below high COC403
C403
Urev2 below high COR409
R409 PIC403 1 100p
PIU40108
8 PIR40901 PIR40902
GND
nb
GND SN74LV123A GND
+5V +5V
PIR410 2 PIR41 02
COR410
R410 GND 1PIU40201
8
PIU40208
COR411
R411
C GND Vcc C
nb I/O 40 2
PIU40202 TRIG
7
PIU40207
nb
NLI0O DISCH
I/O 4343 PIR410 1 3
PIU40203 OUT 6
PIU40206
PIR41 01
THRES
4
I/O 41 PIU40204
RESET CONT
5
PIU40205
PIC40 2
PIC405 2 COC404
C404
COU402
U402 nb COC405
C405PIC40 1 nb
PIC405 1 nb
GND
U400D
26
PIU400026
15
PIU400015
3V3 VCCIO 2.5V/3.3V VCCINT 3.3V 3V3
PIC407 2 35
PIU400035
COC407
C407 VCCINT 3.3V 3V3 COJ408
PIJTAG400014 14 13 PIJTAG400013
U400C J408PIJTAG400012
COJ409 11 PIJTAG400011
PIC407 1 100n XC9536XL-10VQG44C 9 J409 PIJ408 1 PIJTAG400010 12
TDI PIU40009 10 9 PIJTAG40009
24
TDO PIU400024
COJ410
J410 P I J 4 0 9 1 PIJTAG40008 8 7 PIJTAG40007
GND 11 COJ411
J411PIJ410 1
TCK PIU400011 PIJTAG40006 6 5 PIJTAG40005
U400E
TMS
10
PIU400010
P I J 4 1 0 1 PIJTAG40004 4 3 PIJTAG40003
25
PIU400025
4
PIU40004 PIJTAG40002
Title
D GND GND 3V3 2 1 PIJTAG40001 D
17
PIU400017 GND
XC9536XL-10VQG44C TR Board
GND COJTAG400
JTAG400
GND XC9536XL-10VQG44C GND Size Number Revision
A4
File: C:\MT_Furrer\PCB\TR Board\CPLD.SchDoc
1 2 3 4
1 2 3 4
A A
COP102
P102
GND PIP10202
COC149
C149 RX no amp
B PIC14902 PIC14901
GND PI 102 1 B
PIR10 01
nb COR100
R100
+3Van nb
COL108
L108 COU100
PIL10801 PIL10802
U100 PIR10 02
PIC13702 PIC13601 330nH 8
PIU10008
1
PIU10001
COC136
C136 N/A N/A
COC137
C137
PIC13701 100nF PIC13602 100pF 7 2 COR101
R101
PIU10007 RF out RF in PIU10002 PIR10102 PIR10101 in
PORFRF IN
in
0
6
PIU10006 3
PIU10003
N/A N/A
GND PIC13802
COC138
C138 5 4
PIU10005 PIU10004
GND
PIC13801 N/A N/A
100pF
COP103
P103
9
PIP10301 PIU10 9
RF GND RX
PI1032 GND
PIC13902 PIC14202 PIC14602 PIC14802 RFMD SPF5122Z Wideband Amplifier

C COC139
C139 COC142
C142 COC146
C146 COC148
C148 C
PIC13901 100p PIC14201 100p PIC14601 100p PIC14801 100p
GND
Title
D D
TR Board
A4
File: C:\MT_Furrer\PCB\TR Board\LNA.SchDoc
1 2 3 4
1 2 3 4
+5V
PIC210 2 PIC21 02 Sollbedingungen, damit TR-Switch OK

COC210
C210 COC211
C211
PIC210 1 100n PIC21 01 1u
A PIQ20 1 U1 = U2 = 2x Ipin x Rv A
GND PIQ20002
COQ200A
COQ200B
Q200A U5 = U6 = Ureverse
PIQ20 6 PIJ20001
PIR20 2 COJ200
J200
COR219
R219 PIR21902 COR200
R200 COJ201
COJ202 J201
nb J202 0
PIR2 402 PIR20 1 COR202
R202
PIC201 2 PIR203 COP200
P200 DiffAmp in PIJ20201 PIR20 1 PIJ20101 out Pos
NLoutPos
COC201
C201 POout
POOUT Pos
POS
out Pos
COR224
R224 PIR20202 nb PIR21901 PIR20302 PIP20001 PIR201 2
PIC201 4.7p COR203
R203 COR201
8.2k PIR2 502 R201 PIR204 2 PIR20502
CCW<>CW
PIR2 401 PIR20 3 PIR203 1 +15VCOC209 PI 20 2 PIR20602 COC200
-15V 0 D200 COR204 R204 U1 D201 COR205 R205 U3
CCW<>CW
C209 C200 PID20 01 COD200 PID201 COD201
COR225 1
PIU20001 PIC20902 PIC20901
COR206
R206 PIC20001 PIC20002
PIR201 PIJ20301
10 10
R225 PIR2 501 8 GND nb PIQ201 4 COJ203
PID20 02 PIR204 1 PID201 2 PIR20501
PIU20008
7
nb PIU20 7 J203
100n GND PIR20601 nb PIR210 2 PIQ20105 COC219
C219 COC220
C220
COR208
R208 COR209
R209 2 COR210
R210 Q201B
PIR20801 PIR20802 PIR20901 PIR20902 PIU20002 COR211
R211 COR212
R212 COR213
R213 PIC21901 PIC21902 PIC22001 PIC22002
47k 0 PIU20006
6 PIR21101 PIR21102 PIR21202 PIR21301 PIR21302 10 PIQ201 3
PIC20 2 +15V 3
PIU20003
PIR210 1 PIC21301 PIC21 02 470p 470p
0
PIJ20601 PIR212011k 10k
COC202
C202 +15V COC213
C213 COC212
C212 GND GND
COJ206
J206 Pos1
Pos2
PIC20 1 nb PIR2 602 5 C215 COC208

C208 PIC21302 100n PIC21 01 10u
PIU20005
4
B
GND PIR21501
COR226
R226
10k
PIU20 4 COC215
PIC21502 PIC21501
2
PIC20802 PIC20801
GND -15V
PO oSs1 PO oSs2 B
3
PIU20102
PIR2 601
PIR21502
100n GND PIC204 2 PIU2013
100n GND
COR215
R215 PIR2 702 PIC203 2 COU200
U200 -15V COC204
C204 1
PIU20101 PIU20104
4 PIJ20701
CCW<>CW
nb PIR21503 COR227
R227 COC203
C203 THS4011CD PIC204 1 0 COJ207
J207
nb U5 U6
13k 8
D100
D101
D103
D104
PIC203 1 PIU20108 PIU20105

5 PIJ20801
PIR2 701 GND +15V COJ208
J208
GND 7
PIU20107 COC214
C214
6
COU201
U201 PIU2016
D102
-15V PIC21402 PIC21401 +15V

THS4130ID
100nGND PIC20701 PIC206 2
COC207
C207 COC206
C206
Neg1
Neg2
+15V -15V PONEeGg1 PONEeGg2

COR216
R216 COR217
R217 PIR21802 PIC20702 100n PIC206 1 10u
+5V PIR21601 PIR21602 PIR21701 PIR21702 COC221
C221 COC222
C222
PIR230 2 COR218
R218 PIQ201 PIC22101 PIC22102 PIC22201 PIC22202
1k 10k
COR230
R230 10 GND PIQ20102
4.7k +5V PIR2 802 GND COC205
C205 PIR21801 COQ201A
COQ201B
Q201A 470p PIR2 0 2 470p PIR2 101
PIR230 1 COR228
R228 PIC20501 PIC20502
PIQ201 6 PIJ21101GND PID20201 COD202 D202 COR220 R220 GND COR221
R221
PIR2 901 PIR23102 10k PIR2 02 COJ211 10 U4
P I D 2 0 3 1 10 U2
J211 PID20202 P I D 2 0 3 2 COD203
COR229
R229 COR231
R231 PIR2 801 COU202
U202 nb COR222
R222 PIR2 0 1 D203 PIR2 102
C COJ204
J204 C
0 4.7k PIU20201
1 8
PIU20208
0
COR207
R207 1A VCC Neg
POTRIG PIR20702 PIR20701
PIJ204 1 PIR2 902 PIR23101 2
PIU20202 7
PIU20207
PIR2 01 PIJ21301 out
NLoutNeg POout
POOUT Neg
NEG
TRIG 1B 2B out Neg
0 PIU20203
3
1Y 2A
6
PIU20206
PIJ21201 PIR2 302 COJ213
J213
PIR21402 PIU20204
4 5
PIU20205
COJ212
J212 COR223
R223
COR214 GND 2Y
R214 0
COP201
P201 nb GND SN75451 GND PIR2 301 PIJ20501
PIP20101
PIR21401 PIQ20 4 COJ205
J205
PIQ20005
PI 201 2 TRIG in Q200B
PIQ20 3
GND PIC21601 PIC21701
COC216
C216 COC217
C217
PIC21602 100n PIC21702 1u -5V
GND
Title
D D
TR Board
A4
File: C:\MT_Furrer\..\PIN Driver.SchDoc Drawn By: Lukas Furrer
1 2 3 4
1 2 3 4
A COC300 A
C300
PIC30001 PIC30002
2.2p
COR304
R304
PIR30401 PIR30402
47k
Vcomp
+15V COC324
C324
COU301
U301
11
PIC32401 PIC32402 PIU301 LT1721CGN#PBF
8
COR305
R305
PIU30 8 100n GND
POlow1
POLOW1
low1
1
PIU30101 COR306
R306
PIR30501 47k
PIR30502 2
PIU30002
COJ318
J318 4
PIU30104 PIR30601 PIR30602
POIN10
IN1- POabove
POABOVE low
LOW
above low 1 1
1 PIJ31801
PIU30001 2
PIU30102 100 PIC301 2
COR307
R307 3 COC301
C301
POIN10
IN1+ PIR30701 PIR30702 PIU30003
PIC301 100p
3
47k PIU3013
PIR308 2 PIC302 COC325
C325
4
COR308
R308 COC302
C302 PIU30 4 GND
PIC32501 PIC32502
47k PIC302 1 2.2p GND
B B
PIR308 1 -15V 100n GND
8
PIU30108
COU300A
COU300B COR309
R309
U300A 5
PIU30105 PIR30901 PIR30902 PObelow
POBELOW high
HIGH
below high 1 1
GND LT1630CS8#PBF POhigh1
POHIGH1 7
PIU30107 100 PIC30 2
high1 COC303
C303
PIC30 1 100p
COC304
C304 GND
PIC30401 PIC30402
2.2p 9
PIU30109
POlow2
POLOW2
low2 COR310
R310
12
PIU301012 PIR31001 PIR31002 POabove
POABOVE low
LOW
COR311
R311 PIC305 2 above low 2 2
PIR31101 PIR31102
10
PIU301010 100 COC305
C305
47k
PIC305 1 100p
+15V
Vcomp COC327
C327 GND
8
PIC32701 PIC32702
PIU30 8
14
C COR312
R312 47k COJ319 PIU301 4 C
POIN20 PIR31201 PIR31202
6
PIU30006
J319 100n GND
IN2-
7 PIJ31901
PIU30007 16
PIU301016
COR313
R313 5 13
COR314
R314
POIN20
IN2+ PIR31301 PIR31302 PIU30005 PIU301013 PIR31401 PIR31402 PObelow
POBELOW high
HIGH
below high 2 2
47k POhigh2
POHIGH2
high2
15
PIU301015 100
PIC306 2
PIR31502 PIC307 2 COC306
C306
4
COR315
R315 COC307
C307 PIU30 4 PIC306 1 100p
6
47k PIC307 1 2.2p PIU3016

PIR31501 -15V GND
GND
U300B
GND LT1630CS8#PBF
Title
D D
TR Board
A4
File: C:\MT_Furrer\..\SubCompFWD1.SchDocDrawn By: Lukas Furrer
1 2 3 4
1 2 3 4
A COC308 A
C308
PIC30801 PIC30802
2.2p
COR316
R316
PIR31601 PIR31602
47k
Vcomp
+15V COC329
C329
COU303
U303
11
PIC32901 PIC32902 PIU30 1 LT1721CGN#PBF
8
COR317
R31747k
PIU3028 100n GND
POlow1
POLOW1
low1
1
PIU30301 COR318
R318
PIR31701 PIR31702 2
PIU30202
COJ320
J320 4
PIU30304 PIR31801 PIR31802
POIN10
IN1- POabove
POABOVE low
LOW
above low 1 1
1 PIJ320 1
PIU30201 2
PIU30302 100 PIC309 2
COR319
R319 3 COC309
C309
POIN10
IN1+ PIR31901 PIR31902 PIU30203
COU302A
COU302B
U302A PIC309 1 100p
3
47k PIU30 3
PIR320 2 PIC310 2 COC330
C330 LT1630CS8#PBF
4
COR320
R320 COC310
C310 PIU3024 GND
PIC33001 PIC33002
47k PIC310 1 2.2p GND
B B
PIR320 1 -15V 100n GND
8
PIU30308 COR321
R321
5
POBELOW high
HIGH
below high 1 1
GND POhigh1
POHIGH1 7
PIU30307 100 PIC31 02
high1 COC311
C311
PIC31 01 100p
COC312
C312 GND
PIC31201 PIC31202
2.2p 9
PIU30309
POlow2
POLOW2
low2 COR322
R322
12
POABOVE low
LOW
COR323
R323 PIC31 02 above low 2 2
PIR32301 PIR32302
10
PIU303010 100 COC313
C313
47k
PIC31 01 100p
+15V
Vcomp COC332
C332 GND
8
PIC33201 PIC33202
PIU3028
14
C COR324
R32447k COJ321 PIU30 14 C
6
PIU30206
J321 100n GND
IN2-
7 PIJ32101
PIU30207 16
PIU303016
COR325
R325 5 13
COR326
R326
POIN20
POBELOW high
HIGH
below high 2 2
47k POhigh2
POHIGH2
high2
15
PIU303015 100
PIC31402
PIR32702 PIC31502 COC314
C314
4
COR327
R327 COC315
C315 PIU3024 PIC31401 100p
6
47k PIC31501 2.2p PIU30 6

PIR32701 -15V GND
GND
U302B
GND LT1630CS8#PBF
Title
D D
TR Board
A4
File: C:\MT_Furrer\..\SubCompFWD2.SchDocDrawn By: Lukas Furrer
1 2 3 4
1 2 3 4
A COC316 A
C316
PIC31601 PIC31602
4.7p
COR328
R328
PIR32801 PIR32802
10k
Vcomp
+15V COC334
C334
COU305
U305
11
PIC33401 PIC33402 PIU3051 LT1721CGN#PBF
8
COR329
R329100k
PIU3048 100n GND
POlow
POLOW limit
LIMIT
low limit
NLlow limit
low limit 1
PIU30501 COR330
R330
PIR32901 PIR32902 2
PIU30402
COJ322
J322 4
PIU30504 PIR33001 PIR33002
POIN10
IN1- POabove
POABOVE low
LOW
above low 1 1
1 PIJ32 01
PIU30401 2
PIU30502 100 PIC31702
COR331
R331 3 COC317
C317
POIN10
IN1+ PIR33101 PIR33102 PIU30403
PIC31701 100p
3
100k PIU3053
PIR3 20 PIC31802 COC335
C335
4
COR332
R332 COC318
C318 PIU304 GND
PIC33501 PIC33502
10k PIC31801 4.7p GND
B B
PIR3 201 -15V 100n GND
8
PIU30508
COU304A
COU304B COR333
R333
U304A 5
POBELOW high
HIGH
NLhigh below high 1 1
GND LT1630CS8#PBF POhigh
POHIGH limit
LIMIT high limit 7
limit PIU30507
100 PIC31902
high limit COC319
C319
PIC31901 100p
COC320
C320 GND
PIC32001 PIC32002
4.7p low limit 9

PIU30509 COR334
R334
12
POABOVE low
LOW
COR335
R335 PIC32102 above low 2 2
PIR33501 PIR33502
10
PIU305010 100 COC321
C321
10k
PIC3210 100p
+15V
Vcomp COC337
C337 GND
8
PIC33701 PIC33702
PIU3048
14
C COR336
R336100k COJ323 PIU30514 C
6
PIU30406
J323 100n GND
IN2-
7 PIJ32301
PIU30407 16
PIU305016
COR337
R337 5 13
COR338
R338
POIN20
POBELOW high
HIGH
below high 2 2
100k 15
high limit PIU305015 100
PIC32 02
PIR3 902 PIC32 02 COC322
C322
4
COR339
R339 COC323
C323 PIU304 PIC32 01 100p
6
10k PIC32 01 4.7p PIU3056

PIR3 901 -15V GND
GND
U304B
GND LT1630CS8#PBF
Title
D D
TR Board
A4
File: C:\MT_Furrer\..\SubCompREV.SchDoc Drawn By: Lukas Furrer
1 2 3 4
1 2 3 4
COU500
U500 +15V COJ500
J500 +V LNA COU501
U501 +3Van COJ501
J501
+V high 8
PIU50008 1
PIU50001 PIJ50 01 PO0V LNA 4
PIU50104 1
PIU50101 PIJ50101
IN OUT +V LNA VIN VOUT
A
PIC501 2 PIC502 PIC503 2 4
PIU50004 NC NC
5
PIU50005
PIC504 2 PIC50 2 PIC50602 PIC51202 A
COC501
C501 COC502
C502 COC503
C503 COC504
C504 C505 COC505 COC506
C506 3 2 COC512
C512
PIU50103 PIU50102
EPAD
COM EN GND
PID504 2 COD504D504
PIC501 1n PIC502 1 10n PIC503 1 1u PIC504 1 1n PIC50 1 10n PIC50601 1u PIC507 2 PIC50802 PIC509 2 PIC51201 1u
COC507
C507 COC508
C508 COC509
C509 3.6V
GND
2
3
6
7
5
GND UA78L15ACDR PIU50 2 PIU50 3 PIU50 6 PIU50 7 GND PIC507 1 1n PIC50801 10n PIC509 1 1u PIU5015 GND PID504 1
MIC94310
GND GND GND GND
COJ503
J503 COD500 D500
NL0V
+V high IJ503 1 1
high PPID50001
PO0V high
HIGH
+V high COU502 COJ502
3
PID50003 U502 -15V J502
2
PID50002 -V high 2
PIU50202 IN OUT
1
PIU50201
PIJ50201
PIC51302 PIC51402 PIC51 02
PIU50203
3
IN
PIC51602 PIC51702 PIC51802
GND COC513
C513 COC514
C514 COC515
C515 6 8 COC516
C516 COC517
C517 COC518
C518
PIU50206 IN NC PIU50208
PIC51301 1n PIC51401 10n PIC51 01 1u 7
PIU50207 4 PIC51601 1n PIC51701 10n PIC51801 1u
IN NC PIU50204 COU503 COJ504
U503 +5V J504
GND GND GND +V low 1 5 PIJ50401
PIU50301 VIN VOUT PIU50305
PIC51902 PIC520 2 PIC52102 PIR50202 PIC52 02 PIC52302 PIC52402
5
COJ505
J505 COD501
D501 LM79L15ACM/NOPB PIU502 5 COC519 COC520
C519 C520 C521 COC521 3 4 COR502
R502 COC522 COC523
C522 C523 COC524 C524
PIU50304
PIU50303 EN ADJ
PID50 2 COD505 D505
NL0V low IJ50 1 1
PPID50101 PIC51901 1n PIC520 1 10n PIC5210 1u 68k PIC52 01 1n PIC52301 10n PIC52401 1u
B PO0V low +V low
+V lowLOW GND 5.6V B
3
PID50103
GND PIR50201
PID50102
2 GND PIR50302 GND PID50 1
2
ADP123AUJZ-R7
PIU5032 COR503
R503
GND 7.5k GND
GND PIR50301
GND
COJ506
J506 COD502
D502 COU504
U504 -5V COJ508
J508
NL0V low
-V low PIJ506 1 1
PID50201 -V low 2
PIU50402 5
PIU50405 PIJ508 1
PO0V
-V low low IN OUT COU505
3
PID50203
PIC52 02 PIC52602 PIC52702 PIC53102 PIC52802 PIC530 2 U505 Vcomp COJ509
J509
2 COC525
C525 COC526
C526 COC527 4 3 COC531
C531 COC528
C528 COC530
C530 +V low 1 5 PIJ50901
PID50202
C527PIU50404 PIU50403 PIU50501 PIU50505
PIC52 01 1n PIC52601 10n PIC52701 1u SHDN BYP PIC5310 10n PIC52801 1n PIC530 1 1u PIC5320 PIC53402 VIN VOUT PIR50402 PIC53 02 PIC53602 PIC53702
GND GND COC532
C532 C534
COC534 3 4 COR504
R504 COC535 COC536
C535 C536 COC537 C537
PIU50504
PIU50503 EN ADJ
PID506 2 COD506D506
GND GND PIC53201 1n PIC53401 1u 68k PIC53 01 1n PIC53601 10n PIC53701 1u
1
PIU504 1 GND 5.6V
PIR50401 PID506 1
LT1964ES5-5#TRMPBF GND PIR50502 GND
2
COD503
GND ADP123AUJZ-R7
PIU50 2 COR505
R505
COJ507
J507 D503 7.5k GND
NL0V high PIJ507 1
PID50301
1 GND PIR50501
C PO0V high -V high
-V high C
3
PID50303
2
PID50302 GND
GND
COU506
U506 3V3 COJ510
J510
+V low 1
PIU50601
5
PIU50605
PIJ510 1
VIN VOUT
PIC53802 PIC53902 PIC540 2 PIR50602 PIC54102 PIC5420 PIC54302
COC538
C538 COC539
C539 C540
COC540 3 4 COR506
R506 COC541 COC542
C541 C542 COC543
C543
PIU50603 PIU50604
EN ADJ
PID507 2 COD507D507
PIC53801 1n PIC53901 10n PIC540 1 1u 56k PIC5410 1n PIC54201 10n PIC54301 1u
GND 3.6V
PIR50601 PID507 1
GND PIR50702 GND
2
ADP123AUJZ-R7
PIU5062 COR507
R507
10k GND
GND PIR50701
GND
Title
D D
TR Board
A4
File: C:\MT_Furrer\PCB\TR Board\SUPPLY.SchDoc
1 2 3 4
1 2 3 4
+5V +5V U100B +5V

60 TX_OK8 NLTX0OK8
I/O PIU100060
PID10 1 PID10 1 I/O
58 NLTX0OK2
TX_OK2
PIU100058
PID102 1
59 NLTX0OK3
TX_OK3
PIU100059
COD100
D100 COD101
D101 I/O NLTX0OK7 COD102
D102 COJ100
PID10 2 PID10 2 61
PIU100061
TX_OK7 PID102 U100D COR102 J100
I/O STATE R102
62 NLTX0OK6
PIU100062TX_OK6 43 NLTR
TR STATE
PIU100043 PIR10202 PIR10201 PIJ10 01 POTR STATE
I/O I/O TR STATE
BANK 2
PIR10 2 PIR10 2 63 NLTX0OK5
TX_OK5 PIR1 502 GND 46 NLI0O
I/O 46 46 PIC10 2
A PIU100063
I/O I/O PIU100046 110 A
COR100
R100 COR101
R101 64 NLTX0OK4
TX_OK4 COR115
R115 47 NLI0O
I/O 47 47 COC100
C100
PIU100064
I/O,GSR I/O PIU100047
470 470 1
PIU10001
NLTX0OK1
TX_OK1 470 PIC102 44 NLI0O
I/O 44
PIU100044
44 PIC10 1 100p
I/O COC102
C102 I/O
PIR10 1 PIR10 1 2
PIU10002
PIR1 501 COR104 49 I/O
PIU100049
49
I/O,GTS2 I/O
BANK 4
4
PIU10004 PIR10402
R104 PIC102 1 100p
PIR10401
NLTRIG0OUT1
TRIG_OUT1 45 NLI0O
I/O 45
PIU100045
45 GND
COU100A
COU100B
COU100C
COU100D
COU100E
COU100F
COU100G
U100A
I/O
5
COR105
R105 NLTRIG0OUT2
TRIG_OUT2
I/O
51 NLI0O
I/O 51 51
PIU10005
I/O,GTS1 COR106 PIR10502
R106 PIR10501 100 I/O PIU100051
8
PIU10008
NLJMPA1
JMPA1 6
PIU10006 PIR10601 100
PIC105 2 NLTRIG0OUT3
TRIG_OUT3 48 I/O 48
PIU100048
I/O I/O COR107 PIR10602
R107 PIC109 2 COC105
C105 NLTRIG0OUT4 I/O NLI0O 52
12 NLJMPA2
PIU100012
JMPA2 7
PIU10007PIR10702 PIR10701 100
TRIG_OUT4 52 I/O 52
PIU100052
I/O I/O PI C 1 0 2 C109
COC109 PIC105 1 100p I/O 50
13 NLJMPA3
PIU100013JMPA3 100 50 NLI0O
I/O 50
PIU100050
I/O NLJMPA4 COC110 I/O
9
PIU10009JMPA4 XC9572XL-10VQG64C C110 PIC109 1 100p 56 I/O 56
PIU100056
I/O I/O
I/O
10 NLJMPA5
PIU100010JMPA5 PIC1 0 1 100p GND
I/O
57 I/O 57
PIU100057
BANK 1
11 NLJMPA6
PIU100011JMPA6 GND
I/O NLJMPA7
15 JMPA7
PIU100015
GND +5V XC9572XL-10VQG64C
I/O,GCK1 NLJMPA8
18
PIU100018JMPA8 U100C
I/O 16 NLRX0OK5 COJ115
16 NLI0O
PIU100016I/O 16 38 RX_OK5 J115 PID103 1
I/O,GCK2 I/O PIU100038NLTRIG IN
23 I/O 23
PIU100023 42 TRIG IN PIJ1 501 POTRIG IN 3V3
I/O 17 I/O PIU100042NLRX0OK4 TRIG IN PID103 2 COD103 D103
17 NLI0O
PIU100017I/O 17 36 RX_OK4
I/O,GCK3 I/O PIU100036NLRX0OK3 PIR103 2
19 I/O 19
PIU100019
35 RX_OK3
PIU100035
I/O I/O NLRX0OK8 P I R 1 60 2 COR103
20
PIU100020
I/O 20 40 RX_OK8 U101B R103
I/O
BANK 3
I/O PIU100040NLRX0OK1 COR116
33 RX_OK1 R116 1k
B I/O PIU100033NLRX0OK6 B
XC9572XL-10VQG64C 39 RX_OK6 470 GND PIR103 1
I/O PIU100039
27 PIR1 601 Rext/Cext
7
PIU10107
PIC10 2
I/O PIU100027NLRX0OK7
25 RX_OK7 PIC1 01 COJ101
J101 6 COC101
C101
I/O PIU100025NLRX0OK2 COC111
C111 COJ102 Cext PIU10106 330p COJ103
34 RX_OK2 I/O 46 J10101 9
J102PIPIU10109 PIC10 1 J103
I/O PIU100034 COR109 NLTRIG0OUT5 !A NLI0O 57 COJ113
24 PIR10902
R109 PIC1 02 100p
PIR10901
TRIG_OUT5 I/O 45 J104
COJ104PIJ102 1 10
PIU101010
5 I/O 57 PIJ10301 J113
I/O PIU100024 COR110
R110 NLTRIG0OUT6 B Q PIU10105 NLI0O 48
31 PIR11001 100 TRIG_OUT6 I/O 47 PIJ104 1 11
PIU101011 12 I/O 48 PIJ1 301
I/O PIU100031
32
COR111 PIR11002
R111 PIC1 20 NLTRIG0OUT7
TRIG_OUT7
!CLR !Q PIU101012
I/O PIU100032 R112 COR112 PIR11102 PIR11101 100
P I C 1 30 2 COC112
C112 NLTRIG0OUT8
TRIG_OUT8
PIU100022
22 PIR11202 PIR11201 100
NLTX0OK010080 I/O COC113
C113
POTX0OK010080
POTX0OK8
POTX0OK7
POTX0OK6
POTX0OK5
POTX0OK4
POTX0OK3
POTX0OK2
POTX0OK1 TX_OK[1..8] PIC1 201 100p
TX_OK[1..8] 100 PIC1 402 COC114
XC9572XL-10VQG64C C114 PIC1 301 100p SN74LV123A 3V3
PORX0OK010080
PORX0OK8
PORX0OK7
PORX0OK6
PORX0OK5
PORX0OK4
PORX0OK3
PORX0OK2
PORX0OK1 NLRX0OK010080
RX_OK[1..8] PIC1 401 100p GND
RX_OK[1..8] PIR108 2
GND
NLTRIG0OUT010080
TRIG_OUT[1..8] GND 3V3 COU101A
COU101B
U101A COR108
R108
POTRIG0OUT010080
POTRIG0OUT8
POTRIG0OUT7
POTRIG0OUT6
POTRIG0OUT5
POTRIG0OUT4
POTRIG0OUT3
POTRIG0OUT2
POTRIG0OUT1
TRIG_OUT[1..8]
16
PIU101016 VCC
1k
NLJMPa010080
JMPa[1..8] +5V +5V PIC103 2 PIR108 1
POJMPa010080
POJMPA010080
POJMPA8
POJMPA7
POJMPA6
POJMPA5
POJMPA4
POJMPA3
POJMPA2
POJMPA1
JMPa[1..8] COC103
C103 15
PIU101015
PIC104 2
100n COJ105 Rext/Cext COC104
C104
PIR1 301 PIR1 401 PIC103 1 J105 14
PIU101014
COR113
R113 GND PIU10201
1 8 PIU10208
COR114
R114 I/O 50 COJ106
J106PIPIU10101 PIC104 1 330p COJ107
J107
GND Vcc
J10501 1 !A Cext
1k NLI0O
I/O 2323 2 7 ? GND I/O 51 J108 2
COJ108PIJ106 1 PIU10102 13
PIU101013
NLI0O
I/O 4949 PIJ10701 COJ114
J114
C PIU10202 TRIG DISCH PIU10207 B Q NLI0O 56 C
I/O
NLI0O20
20 PIR1 302 3
PIU10203 OUT
6 PIR1 402 I/O 52 PIJ108 1 3 4
PIU10104
I/O 56 PIJ1 401
NLI0O THRES PIU10206 PIU10103 !CLR !Q
I/O 19 4
19 PIU10204 5 PIC106 2
RESET CONT PIU10205 COC106
C106
PIC10702 8
PIU10108 GND
COU102
U102 COC107
C107PIC106 1 ?
PIC10701 ? GND SN74LV123A
GND
3V3 U100F 3V3

55
PIU100055
3
PIU10003
VCCIO 2.5V/3.3V VCCINT 3.3V PIJTAG100014 14 13 PIJTAG100013
26
PIU100026 VCCIO 2.5V/3.3V
37
PIU100037
U100E COJ109
J109PIJTAG100012
VCCINT 3.3V 12 11 PIJTAG100011
PIC1 502 PIC108 2 28 PIU100028
COJ110
J110PIJ109 1 PIJTAG100010
COC115
C115 COC108
C108 XC9572XL-10VQG64C TDI 10 9 PIJTAG10009
53
PIU100053
J111
COJ111PIJ1 0 1 PIJTAG10008
1u TDO COJ112 8 7 PIJTAG10007
PIC1 501 PIC108 1 100n 30 J112 PIJ1 01
TCK PIU100030 PIJTAG10006 6 5 PIJTAG10005
29 P I J 1 2 0 1
TMS PIU100029 PIJTAG10004 4 3 PIJTAG10003
GND GND U100G
3V3 PIJTAG10002 2 1 PIJTAG10001
54
PIU100054
21
PIU100021
XC9572XL-10VQG64C
GND GND COJTAG100
41 14
PIU100014
JTAG100 Title
D PIU100041 GND GND D
GND TR Mainboard
GND XC9572XL-10VQG64CGND
A4
File: C:\MT_Furrer\..\CPLD.SchDoc Drawn By: Lukas Furrer
1 2 3 4
1 2 3 4
A A
POTRSATE
TR STATE
+5Vopt
+5Vopt PIR20 02
COR200
R200
1k +5Vopt
PIR201 PIR20 01 COU200
U200
COR201
R201 COJ200
J200 1
PIU20001
8
PIU20008
PIR205 1
PIJ20 1 1A VCC COR205
COR203 220 2
PIU20002
7
PIU20007
R205
R203 1B 2B
PITx20004
PITx20003
PITx20001 PIR20301
PIR201 2
PIR20302
3 6
PIU20006
390
B PIU20003 1Y
4
2A
5
COR206
R206 PIR205 2 B
110 PIU20004 GND 2Y PIU20005 PIR20601 PIR20602
PITx20002
PIC20101 PID20 1 110 PIC203 1
COC201
C201 GND SN75451 COD200
D200 COC203
C203
COTx200
Tx200 GND PIC20102 100p PID20 2 PIC203 2 100p
GND
GND
+5Vopt COC200
C200
PIC20002 PIC20001
PIR20202 100n GND

COR202
R202
560 COJ201
J201
PIRx20001 COR204
R204
PIRx20002
PIR20201 PIR20401 PIR20402
PIJ201 POTRIG
TRIG
110
PIRx20004
PIRx20003
COP200
P200 PIC20 1
COC202
C202
C PIP20001 C
CORx200
Rx200 GND PIC20 2 100p
RX
PI20 2 GND
GND
Title
D D
TR Mainboard
A4
File: C:\MT_Furrer\..\OPTIC.SchDoc Drawn By: Lukas Furrer
1 2 3 4
1 2 3 4
A A
B B
PIC0H2 PIC0H1
H2
H1
PIPCI0A18 A18 B18 PIPCI0B18 PO0V low
LOW
+V low
PIPCI0A17 A17 B17 PIPCI0B17 PO0V high
HIGH
+V high
PIPCI0A16 A16 B16 PIPCI0B16
PIPCI0A15 A15 B15 PIPCI0B15 PO0V LNA
+V LNA
PIPCI0A13 A13 B13 PIPCI0B13 PO0V low
-V low
PIPCI0A12 A12 B12 PIPCI0B12 PO0V high
-V high

PIPCI0A10 A10 B10 PIPCI0B10 PORX0OK
RX_OK
C PIPCI0A7 A7 B7 PIPCI0B7 POTX0OK

TX_OK C
PIPCI0A5 A5 B5 PIPCI0B5 POJMPa
POJMPA
JMPa
PIPCI0A4 A4 B4 PIPCI0B4 POJMPb
POJMPB
JMPb
PIPCI0A1 A1 B1 PIPCI0B1 POTRIG
TRIG
COPCI
PCI
PEGx1
GND
Title
D D
TR Mainboard
A4
File: C:\MT_Furrer\..\PCIEConnector.SchDoc Drawn By: Lukas Furrer
1 2 3 4
1 2 3 4
COJ300
J300 COD300
D300 COU302
U302 +V LNA COJ307
J307
NL0V high
-V high PIJ30 1 +V low 4 5 PIJ307 1
A PO0V high
-V high PID30002 PID30001 PIU30204 IN OUT PIU30205 PO0V LNA
+V LNA A
PIC30 2 PIC301 2 PIC302 PIC304 2 PIC305 2 PIR306 1 PIR31201 PIC3 402 PIC3 0 2 PIC3 102 PIC3 20
COC300
C300 COC301
C301 COC302
C302 COC304
C304 COC305
C305 COR306
R306 8 6 COR312
R312 COC334
C334 COC330
C330 COC331
C331 COC332
C332
PIU30208 SD ADJ PIU30206
PIC30 1 10n PIC301 100p PIC302 1 PIC304 1 10u PIC305 1 1u 2.7k PIC3 302 3.9k PIC3 401 10n PIC3 0 1 100p PIC3 101 10n PIC3 201 10u
PIR306 2 COC333
C333 2
PIU30202 1
PIU30201 PIR3120
PIC3 301 4.7u NC BYP PIC3 502 PIR31 02
GND GND GND GND GND 7
PIU30207 GND
NC COC335
C335 COR313
GND 9
PIU30209 3
PIU30203 R313
COJ302 COD301 DAP GND PIC3 501 10n
J302 D301 GND 1.5k
NL0V low
-V low PIJ302 1 PID30102 PID30101 GND LP3878SD-ADJ/NOPB PIR31 01
PO0V low
-V low
PIC309 2 PIC310 2 PIC30 2 PIC31 02 PIC31402 PIR307 1
COC309
C309 COC310
C310 COC303
C303 COC313
C313 COC314
C314 COR307
R307 GND GND GND
PIC309 1 10n PIC310 1 100p PIC30 1 PIC31 01 10u PIC31401 1u 470
PIR307 2
GND GND GND GND GND COU303
U303 +5Vopt COJ306
J306
GND NL0V low
+V low 1
PIU30301 5
PIU30305 PIJ30601
COJ303 VIN VOUT
J303 PIC3 902 PIR304 2 PIC3 602 PIC3 702 PIC3 802
+V low PIJ30 1 COC339
C339 3 4 COR304
R304 COC336 COC337
C336 C337 COC338
C338
PO0V low
LOW
+V low PID30201 PID30202 PIU30303 EN ADJ PIU30304
PIC31502 PIC320 2 PIC31 01 PIC31902 PIC31602 PIR308 1 PIC3 901 1u 68k PIC3 601 100pPIC3 701 10n PIC3 801 1u
COC315
C315 COC320
C320 COC319
C319 COC316
C316 COD302
D302 COR308 GND PIR304 1
COC311 R308
PIC31501 10n PIC320 1 100p PIC31 02 C311 PIC31901 10u PIC31601 1u 470 GND PIR305 2 GND
2
B PIU30 2 COR305 B
PIR308 2 ADP123AUJZ-R7 R305
GND GND GND GND GND 7.5k
GND GND PIR305 1
COJ305
J305
NL0V high
+V high PIJ305 1 GND
PO0V high
HIGH
+V high PID30301 PID30302
PIC32402 PIC32502 PIC31201 PIC32802 PIC32902 COD303
D303
PIR309 1
COC324
C324 COC325
C325 COC328
C328 COC329
C329 COR309
R309
PIC32401 10n PIC32501 100p PIC3120 COC312
C312 PIC32801 10u PIC32901 1u COU300 COJ301
2.7k U300 +5V J301
PIR309 2 +V low 1
PIU30001 5
PIU30005 PIJ30101
VIN VOUT
GND GND GND GND GND PIC340 2 PIR30 2 PIC306 2 PIC307 2 PIC30802
GND COC340
C340 3 4 COR300
R300 COC306 COC307
C306 C307 C308 COC308
PIU30003 EN ADJ PIU30004
PIC340 1 1u 68k PIC306 1 100pPIC307 1 10n PIC30801 1u
GND PIR30 1
GND PIR301 2 GND
2
ADP123AUJZ-R7
PIU30 2 COR301
R301
7.5k
GND PIR301
GND
C C
COU301
U301 3V3 COJ304
J304
+V low 1
PIU30101 VIN VOUT
5
PIU30105
PIJ30401
PIC34102 PIR302 PIC32102 PIC32 02 PIC32302
COC341
C341 3 4 COR302
R302 COC321 COC322
C321 C322 C323 COC323
PIU30103 EN ADJ PIU30104
PIC34101 1u 56k PIC3210 100pPIC32 01 10n PIC32301 1u
GND PIR302 1
GND PIR30 2 GND
2
ADP123AUJZ-R7 PIU3012 COR303

R303
10k
GND PIR30 1
GND
Title
D D
TR Mainboard
A4
File: C:\MT_Furrer\..\SUPPLY.SchDoc Drawn By: Lukas Furrer
1 2 3 4
1 2 3 4
A A
4
PIP104 8 +V
PIP108 low NL0V high
-V high
3
PIP103
7 -V low
PIP107
NL0V low
-V low
2
PIP102 6
PIP106+V high NL0V
+V lowlow
1
PIP101 5 -V high
PIP105
NL0V high
+V high
SUPPLY
GND COP1
P1 SUPPLY.SchDoc
-V high
-V low
+V low
+V high +V LNA
B B
OPTIC CPLD Repeat(E,1,8)
OPTIC.SchDoc CPLD.SchDoc PCIEConnector.SchDoc
-V high +V LNA
TR STATE TR STATE -V low
TRIG TRIG IN +V low
+V high
NLTX0OK010080
TX_OK[1..8] NLTX0OK
TX_OK
TX_OK[1..8] NLRX0OK010080 NLRX0OK Repeat(TX_OK)
RX_OK[1..8] RX_OK
RX_OK[1..8] NLTRIG0OUT010080 NLTRIG0OUT Repeat(RX_OK)
TRIG_OUT[1..8] TRIG_OUT
TRIG_OUT[1..8] Repeat(TRIG)
NLJMPa010080
JMPa[1..8] NLJMPa
JMPa
JMPa[1..8] Repeat(JMPa)
+5V JMPb
C C
Title
D D
TR Mainboard
A4
File: C:\MT_Furrer\..\TR Mainboard.SchDoc Drawn By: Lukas Furrer
1 2 3 4
1 2 3 4
A A
COP2
P2
PIP201
NLTRIG
TRIG
PIR1401
COR14
R14
TRIG IN PI 20 1k
PIR1402
GND +5Vopt
GND
+5Vopt PIR20 2
COR200
R200
1k
PIR201 PIR20 1 COU200
U200
COR201
R201 COJ200
J200 1
PIU20001 8
PIU20008
PIJ20 01 1A VCC
330 2
PIU20002
7
PIU20007
+5Vopt
PIR201 2 COR203
R203 1B 2B COJ1
PITx20004
PITx20003
PITx20001 PIR20301 PIR20302
3
PIU20003 1Y
6
PIU20006
1
PIU101
5
PIU105
J1
2A A VCC
100 4 5
PIU20005
2
B PIU20004 GND 2Y PIU102 B B
PITx20002
PIC201 3
PIU103 GND
4
PIU104
PIJ101 Switch
COC201
C201 Y
GND SN75451 GND
COTx200
Tx200 GND PIC201 2 100p GND COU1
U1 nb TR OK OUT
+5Vopt
GND 1 5 COJ2
J2
PIU201 NC VCC PIU205
2
PIU202 A
3
PIU203 GND Y
4
PIU204
PIJ201
+5Vopt COC200
C200 GND COU2
U2 nb
PIC20002 PIC20001
PIR20202 100n GND

COR202
R202
PIRx20001
560 COJ201
J201 COP3
P3
PIR20201 COR204
R204 PIJ201 TR STATE
NLTRSTATE
PIRx20002 PIR20401 PIR20402 PIP301
100
PIRx20004
PIRx20003
PIC20 1 TR STATE OUT
COC202
C202 PI 302
CORx200
Rx200 GND PIC20 2 100p
C C
GND
GND
Title
D D
Power Supply + LWL
A4
File: C:\MT_Furrer\..\LWL+Logik.SchDoc Drawn By:
1 2 3 4
1 2 3 4
COJ3
J3 COJ5
J5
COU3
U3 +5Vopt
NL0V low1
+V low1 PIJ301 3
PIU303 2
PIU302 PIJ501
VIN VOUT
A
PIC102 PIC202 PIR102 PIC302 PIC402 A
COC1
C1 COC2
C2 ADJ COR1
R1 COC3
C3 COC4
C4
PIC101 100n PIC201 nb PIR203 PIC301 PIC401 100n
1
10u PIU301 PIR101 PIR202 COR2
R2
10u
LT1085CT#PBF PIR302
COJ6 COR3 PIR201
CCW<>CW
J6 R3
nb
NL0V low1
-V low1 PIJ601 PIR301
GND
COJ8
J8 COJ10
J10
COU4
U4
PIR1302 NL0V low2
+V low2 PIJ801 3
PIU403 2
PIU402
PIJ10 1
COR13 VIN VOUT
R13 PIC502 PIC602 PIR402 PIC702 PIC802
820 COC5
C5 COC6
C6 ADJ COR4
R4 COC7
C7 COC8
C8
Aufstartverzögerung um unerwünschten PIR1301 PIC501 100n PIC601 nb PIR503 PIC701 PIC801 100n
1
Fehlerzustand zu umgehen 10u PIU401 PIR401 PIR502 COR5
R5
10u
LT1085CT#PBF PIR602
COJ11
J11 COR6
R6
CCW<>CW
B
PIC1702 PIR501 B
COC17
C17 nb
PIC1701 1000u NL0V low2
-V low2 PIJ1 01 PIR601
GND NL0V
+V lowlow 8
PIP108
4
PIP104
NL0V low
-V low 7 3 GNDs (auf Mainboard verbunden)
PIP107 PIP103
NL0V high
+V high 6
PIP106 2
PIP102
NL0V high
-V high 5
PIP105
1
PIP101
COJ13
J13 COJ15
J15
COK1
K1 COU5
U5 COP1
P1
NL0V high1
+V high1 PIJ1301 3 2 PIJ1501
PIK101 PIK102 PIU503 VIN VOUT PIU502
PIC902 PIC10 2 PIR702 PIC1 02 PIC1202
COC9
C9 COC10
C10 ADJ COR7
R7 COC11
C11 COC12
C12
PIK103 PIK104
PIC901 100n PIC10 1 nb PIR803 PIC1 01 PIC1201 100n
1
10u PIU501 PIR701 PIR802 COR8
R8
10u
LT1085CT#PBF PIR902
COJ16
J16 COR9
R9 PIR801
CCW<>CW
PhotoMOS Relais AQY212GS
nb
NL0V high1
-V high1 PIJ1601 PIR901
C C
COJ18
J18 COJ20
J20
COK2
K2 COU6
U6
NL0V high2
+V high2 PIK201 PIK202
PIJ1801 3
PIU603
2
PIU602
PIJ20 1
VIN VOUT
PIC1302 PIC1402 PIR10 2 PIC1502 PIC1602
COC13
C13 COC14
C14 ADJ COR10
R10 COC15
C15 COC16
C16
PIC1301 100n PIC1401 nb PIR1 03 PIC1501 PIC1601 100n
1
PIK203 PIK204
10u PIU601 PIR10 1 10u
PIR1102 COR11
R11
GND LT1085CT#PBF PIR1202
COJ21
J21 COR12
R12 PIR1 01
CCW<>CW
PhotoMOS Relais AQY212GS

nb
NL0V high2
-V high2 PIJ2101 PIR1201
Title
D D
Power Supply + LWL
A4
File: C:\MT_Furrer\..\Supply.SchDoc Drawn By:
1 2 3 4
Literaturverzeichnis
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61

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Information and Communication Technologies

RF interface for high-power

Dr. Werner Baumberger

Institut für Biomedizinische Technik ETH/UZH

Zürich, 12. Juni 2015

Ort, Datum: Unterschriften:

Advanced methods in magnetic resonance imaging present challenges to radiofrequency (RF)

Fortgeschrittene Bildgebungsverfahren in der Magnetresonanztomographie stellen erhöhte Anfor-

1.1 Hauptbestandteile eines MR-Scanners . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2

2.1 8-Kanal T/R Switch . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

3.1 Messaufbau Schaltverhalten . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24

3.14 Fussgelenk mit Ringspule gemessen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32

Die namensgebende Kernspinresonanz ist die Grundlage für Magnetresonanztomopgraphie. Es

1.1 Wie eine MRT-Aufnahme entsteht

Dieser Abschnitt liefert Hintergrundinformation zur grundlegenden Funktionsweise eines MR-

Abbildung 1.1: Hauptbestandteile eines MR-Scanners [1]

1.1.1 Physikalische Grundlagen

Die physikalische Grundlage der Magnetresonanztomographie bildet die Kernspinresonanz (engl.

Abbildung 1.2: Magnetisches Dipolmoment eines Atomkerns mit Spin [2]

Abbildung 1.3: Ausrichtung der Atomkerne im externen Magnetfeld [3]

Abbildung 1.4: Präzession [4]

• γ ist das gyromagnetische Verhältnis, eine Konstante spezifisch je nach Atomkern,

• B0 ist die magnetische Feldstärke in Tesla [T].

Abbildung 1.5: Rotierender Dipol induziert Spannung in einer Spule [5]

1.1.2 Räumliche Kodierung

Abbildung 1.6: Gradientenspulen [6]

Abbildung 1.9: Räumliche Kodierung durch Phasenüberlagerung [8]

1.2 Der T/R Switch

Abbildung 1.12: Schematischer Aufbau einer pin-Diode [11]

• RS ist der Seriewiderstand,

• C ist die Sperrkapazität,

• µ N ist die Elektronenmobilität,

• µ P ist die Löchermobilität,

• e ist die Dielektrizitätskonstante (meistens von Silizium),

• A ist die Fläche der Sperrschicht.

1.2.1 Funktionsprinzip des pin-Dioden T/R Switches

Abbildung 1.13: Serie SPST Switch [13]

Abbildung 1.14: Shunt SPST Switch [13]

Abbildung 1.15: λ/4-T/R Switch [13]

Abbildung 1.16: T/R Switch mit π-Glied als λ/4-Ersatzschaltung [13]

1.2.2 Anforderungen an den T/R Switch

1. Beim Bau der Switch-Box müssen nichtmagnetische Komponenten gewählt werden, um

1. Acht identische T/R-Switch-PCBs sind in einem geeigneten Gehäuse (z.B. Kunststoff-Box)

3. Eine Puls-Repetitionsrate von min. 10 kHz soll gewährleistet werden.

5. Diese Schaltzeit soll weniger als 1 µs betragen.

12. Eine 3dB-Switch-Bandbreite von 1MHz ist ausreichend.

1. Der pin-Dioden-Treiber ist durch eine leistungsstarke differenzielle Endstufe zu verbessern.

2. In Rückwärtsrichtung (Reverse REV-Bias) soll die Endstufe mehrere Ampere Spitzenstrom

4. Die Reverse-Bias-Spannung soll min. 20V annehmen können.

5. In Vorwärtsrichtung (Forward FWD-Bias) muss der Diodenstrom geregelt werden.

Schutz- und Überwachungsschaltung

2. Der Kurzschluss einer pin-Diode soll detektiert werden können.

3. Über- und Unterstrom der Schaltung sollen erkannt werden.

4. Spitzenströme im Amperebereich sollen nur sehr kurzzeitig verfügbar sein (Stütz-C).

1.2.3 Bestehende T/R Switches

Abbildung 1.17: T/R Switch mit differenzieller Ansteuerung

Abbildung 2.1: 8-Kanal T/R Switch

Abbildung 2.2: Simulation der Endstufe mit pin-Dioden T/R Switch

In diesem Abschnitt werden die Details der Treiberschaltung erläutert.