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    Examen Fisica de Dispositivos Semiconductores

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    Es un examen acerca del funcionamiento fisico de los transistores, ideal para lo que quieran practicar antes de un examen de fisica del estado solido

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    EXAMEN FISICA DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES

    1.- Grafica la concentracin de portadores minoritarios en un transistor bipolar pnp


    polarizado en el modo activo directo

    2.- Define la afinidad electrnica en un semiconductor MOS

    3.- Define el voltaje de pinchoff interno y voltaje de pinchoff para un pn JFET
    Pinchoff es la condicin donde la regin de carga espacial en la unin de la compuerta se
    extiende completamente a travs del canal de tal forma que el canal esta agotado de
    portadores libres
    4.- Un transistor de bipolar de Silicio npn es dopado uniformemente y polarizado en la
    regin activa directa. El ancho neutral de la base es

    . Las concentraciones de
    dopaje en el transistor son

    . (a)
    Calcular los valores de

    , y

    . (b) Para

    , determine

    en y

    en .






    5.- Un metal con una funcin de trabajo

    , es depositado en un semiconductor
    de Silicio tipo n con

    . Asumir que no existen estados en la interfaz


    y que T=300K. (a) Graficar el diagrama de bandas de energa en equilibrio trmico para el
    caso cuando no existe una regin de carga espacial en la unin. (b) Determinar

    de tal
    forma que se satisface la condicin en la parte a. (c) Cual es la altura de la barrera de
    potencial vista por los electrones en el metal movindose dentro del semiconductor.



    6.- Considerar una estructura MOS formada por Aluminio, Dioxido de Silicio y Silicio con

    . La concentracin del Silicio es

    y el voltaje de banda
    plana es

    . Determine la carga fija en el oxido

    .






    7.- Una celda solar de Silicio de con

    tiene una razn de


    generacin ptica de

    con

    . Si la regin de carga espacial


    es de , calcular la corriente de corto circuito y el voltaje a circuito abierto para esta
    celda solar.

    8.- Calcular el voltaje en polarizacin inversa al cual la corriente de saturacin en un diodo
    de unin pn a T=300K alcanza el 90% del valor de la corriente de saturacin.

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