Caracteristicas de Los Semiconductores de Potencia

Universidad Politcnica Salesiana. Romero Andrs. Semiconductores de potencia.
Caractersticas de los Semiconductores de Potencia

Romero Andrs
hromeroa@est.ups.edu.ec
Universidad Politcnica Salesiana
AbstractThe semiconductor devices are very important

elements in the circuits of power because they are who allow
the operation of a respective application, as she can be an
implement across the line starter with TRIAC, the work
consist of as much knowing each these devices its symbolism
as its operation.
ndice
de
Trminos
Semiconductores.
Caractersticas,
Potencia,
I. LINTRODUCCIN
OS dispositivos semiconductores comn mente usados en la
Electrnica de Potencia pueden ser clasificados en tres grupos,
de acuerdo con su nivel de controlabilidad.
Dispositivos no controlados: a este grupo pertenecen los
Diodos. Los estados de conduccin y bloqueo dependen del
circuito de potencia. Por lo cual, estos dispositivos no
disponen de ningn terminal de control externo.
Dispositivos semicontrolados: dentro de este grupo se
encuentran la familia de los tiristores, los SCR y los TRIAC.
Su paso de conduccin de OFF a ON se debe a una seal de
control externa que es aplicada a uno de los terminales del
dispositivo denominado puerta; Mientras que su bloqueo de
ON a OFF lo determina el propio circuito de potencia.
Dispositivos totalmente controlados: a este grupo pertenecen
los transistores bipolares BJT, los transistores de efecto de
campo MOSFET, los transistores bipolares de puerta aislada
IGBT y los tiristores GTO, entre otros.
II.
1.
2.
III.
OBJETIVOS
Conocer los dispositivos semiconductores de

potencia.
Investigar las principales caractersticas de los
semiconductores de potencia.
CARACTERSTICAS DE LOS SEMICONDUCTORES DE
POTENCIA.
Diodos de potencia: estos presentan tres tipos: de uso general,

de alta velocidad y Schouky. Los diodos de uso general estn
disponible hasta 3000 V, 3500, mientras que los de alta
velocidad puede llegar hasta 300 V, 1000 A. El tiempo de

recuperacin inversa vara entre 0.1 y 5 us. A dems los diodos
de alta velocidad son esenciales para la interrupcin de los
convertidores de potencia a altas frecuencias. Los diodos
Schouky tienen voltaje bajo de estado activo y un tiempo de
recuperacin muy pequeo (ns), su corriente de fuga aumenta
con el voltaje y sus limitaciones se limitan a 100 V, 300 A.
Tiristores: poseen tres terminales un nodo, un ctodo y una
compuerta. Cuando una pequea corriente pasa por la
compuerta hacia el ctodo, el tiristor conduce, siempre que la
terminal del nodo este a un potencial ms alto que el ctodo.
Si este tiristor est en el modo mencionado, la cada de
potencial en directa es pequea, entre 0.5 a 2 V; un tiristor de
puede desactivar si el potencial del nodo es igual o menor al
potencial del ctodo. Los tiristores conectados en lnea se
desactivan en razn del voltaje de entrada y los tiristores
conectados en forma forzada se desactivan mediante un
circuito adicional llamado circuitera de conmutacin. Los
tiristores conmutados en lnea se presentan con
especificaciones de hasta 600V, 3500 A y el tiempo de
desactivacin de los tiristores de bloque inverso de alta
velocidad han mejorado siendo de 10 a 20 us con un tiristor de
1200 V, 200 A. Este tiempo se lo conoce como el intervalo de
tiempo entre el instante en que la corriente principal se reduce
a cero despus de la interrupcin externa del circuito del
voltaje.
Los RCT y los GATT son utilizados para la interrupcin de
alta velocidad (aplicaciones de traccin).Un RCT es
considerado como un tiristor que incluye un diodo inverso en
paralelo, estos estn disponibles de hasta 2500 V, 1000 A Y
400 A de conduccin inversa con un tiempo de interrupcin de
40 us. GATT estn disponibles hasta 1200 V, 400 A con una
velocidad de interrupcin de 8 us.
Los LASCR se fabrican hasta 6000 V, 1500 A con una
velocidad de interrupcin de 200 a 400 us.
Los TRIAC similares a los tiristores conectados en inverso
paralelo con una sola terminal de compuerta, el flujo de
corriente a travs del TRIAC se puede controlar en cualquier
direccin.
Los GTO y los SITH son tiristores auto desactivados, se
activan mediante un pulso positivo a las compuertas, se
desactivan aplicando un pulso negativo a las mismas y no
necesitan circuito de conmutacin. GTO disponibles hasta 400
V, 3000 A ideales para la conmutacin forzada. SITH sus
especificaciones son 1200 V, 300 A.
Los MCT estn disponibles hasta 1000 V, 100 A; estos s e
activan mediante un pulso de voltaje negativo sobre la
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compuerta MOS y se desactiva mediante un pulso de voltaje
positivo.
Transistores bipolares de alta potencia: comunes en los
convertidores de energa a frecuencias menores que 10 kHz y
su aplicacin segn sus especificaciones es de hasta 1200V,
400 A.
Los MOSFET de potencia usados en convertidores de
potencia de alta velocidad disponibles en una especificacin
de poca potencia en un rango de 1000 V, 50 A con frecuencias
de varias decenas de kHz.
Los IGBT son transistores de potencia controlados por voltaje
ms rpidos que los BJT y ms lentos que los MOSFET, estos
son adecuados para altos voltajes, altas corrientes y
frecuencias de hasta 20kHz estn disponibles hasta 1200 V,
400 A.
Los SIT dispositivos de alta potencia y alta frecuencia
similares a los JFET posee una capacidad de potencia de bajo
ruido, baja distorsin y alta frecuencia de audio. Los tiempos
de activacin y desactivacin son muy cortos 0.25 us.
La especificacin de uso de corriente de los SIT pueden ser
hasta de 1200 V, 300 A y su velocidad de interrupcin puede
ser tan alta como 100kHz.
IV.
CONCLUSIONES
Fig1. Caracteristica y simbolos de los semiconductores de potencia parte 2.
VI.
REFERENCIAS
[1] MUHAMMAD H.RASHID, Electrnica de potencia:

Circuitos, dispositivos y aplicaciones, segunda edicin,
captulo 1.
[2] Figuras tomadas del libro de: MUHAMMAD H.RASHID,
Electrnica de potencia: Circuitos, dispositivos y
aplicaciones, segunda edicin, captulo 1.
Los Dispositivos Semiconductores son elementos que

permiten trabajar con circuitos de potencia ya sea como
rectificadores y otras aplicaciones ms.
Es importante conocer las caractersticas y especificaciones
como: el voltaje, la corriente, el tiempo de conmutacin y la
frecuencia a las cuales puede ser sometido un semiconductor
de potencia para que pueda desarrollar un trabajo ptimo en el
circuito de potencia que sea requerido.
V.
ANEXOS
Fig1. Caracteristica y simbolos de los semiconductores de potencia.
Autor:
Hctor Andrs Romero Aucancela; Naci en AzoguesEcuador, en 1994.Recibi el ttulo de bachiller en FsicoMatemticas en el Colegio Luis Cordero en el 2011,
Actualmente cursando la carrera de Ingeniera Elctrica en la
Universidad Politcnica Salesiana.

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AbstractThe semiconductor devices are very important

Conocer los dispositivos semiconductores de

Diodos de potencia: estos presentan tres tipos: de uso general,

velocidad puede llegar hasta 300 V, 1000 A. El tiempo de

Universidad Politcnica Salesiana. Romero Andrs. Semiconductores de potencia.

Fig1. Caracteristica y simbolos de los semiconductores de potencia parte 2.

[1] MUHAMMAD H.RASHID, Electrnica de potencia:

Los Dispositivos Semiconductores son elementos que

Fig1. Caracteristica y simbolos de los semiconductores de potencia.

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