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Dispositivos de Electrónica de Potencia

2.1 Introducción
Los dispositivos semiconductores utilizados en Electrónica de Potencia se pueden
clasificar en tres grandes s grupos, de acuerdo con su grado de controlabilidad:

1. Dispositivos no controlados: en este grupo se encuentran los Diodos. Los

estados de conducción o cierre (ON) y bloqueo o abertura (OFF) dependen del
circuito de potencia. Por tanto, estos dispositivos no disponen de ningún terminal
de control externo.

2.- Dispositivos semicontrolados: en este grupo se encuentran, dentro de la familia

de los Tiristores, los SCR (“Silicon Controlled Rectifier”) y los TRIAC (“Triode of
Alternating Current”). En éste caso su puesta en conducción (paso de OFF a ON)
se debe a una señal de control externa que se aplica en uno de los terminales del
dispositivo, comúnmente denominado puerta. Por otro lado, su bloqueo (paso de
ON a OFF) lo determina el propio circuito de potencia. Es decir, se tiene control
externo de la puesta en conducción, pero no así del bloqueo del dispositivo.

3.- Dispositivos totalmente controlados: en este grupo encontramos los transistores

bipolares BJT (“Bipolar Junction Transistor”), los transistores de efecto de campo
MOSFET (“Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor”), los transistores
bipolares de puerta aislada IGBT (“Insulated Gate Bipolar Transistor ”) y los
tiristores GTO (“Gate Turn-Off Thyristor”), entre otros.

En los siguientes apartados se detallan las características más importantes de cada

uno de estos dispositivos.

2.2 Diodo de Potencia

Un diodo semiconductor es una estructura P-N que, dentro de sus límites de
tensión y corriente, permite la circulación de corriente en un único sentido.
Detalles de funcionamiento, generalmente despreciados para los diodos de señal,
pueden ser significativos para componentes de mayor potencia, caracteriza dos por
un área mayor (para permitir mayores corrientes) y mayor longitud (para soportar
tensiones inversas más elevadas). La figura 2.1 muestra la estructura interna de un
diodo de potencia.
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Figura 2.1. Estructura interna de un diodo de potencia y encapsulados.

Como se puede observar en la figura anterior, el diodo está formado por una sola
unión PN, aunque la estructura de un diodo de potencia es algo diferente a la de un
diodo de señal, puesto que en este caso existe una región N intermediaria con un
bajo dopaje. El papel de esta región es permitir al componente soportar tensiones
inversas más elevadas. Esta región de pequeña densidad de dopaje dará al diodo
una significativa característica resistiva en polarización directa, la cual se vuelve
más significativa cuanto mayor sea la tensión que ha de soportar el componente.

Las capas que hacen los contactos externos son altamente dopadas, para obtener un
contacto con características óhmicas y no del tipo semiconductor.

La figura siguiente muestra el símbolo y la característica estática corriente-tensión

de un diodo de potencia.
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Figura 2.2. Símbolo y característica estática corriente-tensión de un diodo de potencia

La tensión VF que se indica en la curva estática corriente-tensión se refiere a la

caída de tensión cuando el diodo está conduciendo (polarización directa). Para
diodos de potencia, ésta tensión de caída en conducción directa oscila
aproximadamente entre 1 y 2 Volts. Además, esta caída depende de la corriente
que circule, teniéndose una característica corriente - tensión bastante lineal en la
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zona de conducción. Esta relación se conoce como la resistencia en conducción del

diodo, abreviada por Ron y que se puede obtener como el inverso de la pendiente de
la asíntota de la curva estática en la zona de polarización directa.

La tensión VR representa la tensión de ruptura del dispositivo (“Breakdown

Voltage”) o, lo que es lo mismo, la máxima tensión inversa que puede soportar el
diodo cuando éste está bloqueado (polarización inversa). Un diodo de potencia
puede soportar tensiones inversas elevadas. Si se supera el valor de tensión de
ruptura especificado por el fabricante, el diodo puede llegar a destruirse por
excesiva circulación de corriente inversa y en definitiva, por excesiva disipación de
potencia.
Los diodos de potencia pueden llegar a soportar tensiones de ruptura de kiloVolts
(kV), y pueden conducir corrientes de kiloAmperes (kA). Evidentemente, el
tamaño del diodo condiciona sus características eléctricas, llegándose a tener
diodos con tamaños del orden de varios cm2.

Como ya se ha mencionado, los diodos son interruptores unidireccionales en los

cuales no puede circular corriente en sentido contrario al de conducción. El único
procedimiento de control consiste en invertir la tensión ánodo cátodo, no
disponiendo de ningún terminal de control. En régimen transitorio cabe destacar
dos fenómenos:

1) Recuperación Inversa: El paso de conducción a bloqueo no se efectúa

instantáneamente. Cuando el diodo conduce una corriente I en polarización directa,
la zona central de la unión está saturada de portadores mayoritarios, y aunque un
circuito externo fuerce la anulación de la corriente aplicándole una tensión inversa,
cuando la corriente pasa por cero aún existe una cantidad de portador es que
cambian su sentido de movimiento y permiten la conducción de una corriente
inversa durante un tiempo, denominado tiempo de recuperación inverso (t rr), tal
como se muestra en la figura 2.3.

Los parámetros definidos en el proceso de bloqueo dependen de la corriente

directa, de la derivada de la corriente (di/dt) y de la tensión inversa aplicada. El
tiempo de recuperación de un diodo normal es del orden de 10 μs, siendo el de los
diodos rápidos del orden de algunos nanosegundos.

2) Recuperación Directa: Es otro fenómeno de retardo de menor importancia que

el anterior, cuando el diodo pasa de bloqueo a conducción, y cuyo efecto se
muestra también en la figura 2.3.
En el proceso de puesta en conducción, la respuesta del diodo es inicialmente de
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bloqueo a la corriente. Siendo esta respuesta quien provoca una sobre tensión Vfp,
ocasionada por la modulación de la conductividad del diodo durante la inyección
de portadores minoritarios. Así el diodo se asemeja a una resistencia donde su
valor decrece con el tiempo. Esta resistencia equivalente está relacionada con la
concentración de portadores minoritarios inyectados. Por tanto, Vfp depende de la
anchura y resistividad de la zona central del diodo.
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Figura 2.3. Conmutación de un diodo.

Dependiendo de las aplicaciones, existen varios tipos de diodos:

•Diodos Schottky: Se utilizan cuando se necesita una caída de tensión directa muy
pequeña (0,3 V típicos) para circuitos con tensiones reducidas de salida. No
soportan tensiones inversas superiores a 50 – 100 V.

•Diodos de recuperación rápida

: Son adecuados en circuitos de frecuencia elevada en combinación con
interruptores controlables, donde se necesitan tiempos de recuperación pequeños.
Para unos niveles de potencia de varios cientos de voltios y varios cientos de
amperios, estos diodos poseen un tiempo de recuperación inversas (t rr) de pocos
nanosegundos.

•Diodos rectificadores o de frecuencia de línea:

La tensión en el estado de conducción (ON) de estos diodos es la más pequeña
posible, y como consecuencia tienen un trr grande, el cual es únicamente aceptable
en aplicaciones de la frecuencia de línea. Estos diodos son capaces de bloquear
varios kilovoltios y conducir varios kiloamperios. Se pueden conectar en serie
y/o paralelo para satisfacer cualquier rango de tensión o de corriente.

2.3 Tiristores

El nombre de Tiristor proviene de la palabra griega “ηθνρα”, que significa “una

puerta”. El tiristor engloba una familia de dispositivos semiconductores que
trabajan en conmutación, teniendo en común una estructura de cuatro capas
semiconductoras en una secuencia P-N-P-N, la cual presenta un funcionamiento
biestable (dos estados estables).

La conmutación desde el estado de bloqueo (“OFF”) al estado de conducción

(“ON”) se realiza normalmente por una señal de control externa. La conmutación
desde el estado “ON” al estado “OFF” se produce cuando la corriente por el tiristor
es más pequeña que un determinado valor, denominada corriente de
mantenimiento, (“holding current”), específica para cada tiristor.

Dentro de la familia de los tiristores podemos destacar los SCRs (tiristores

unidireccionales) y TRIACs (tiristores bidireccionales).
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2.3.1 SCR (Rectificador Controlado de Silicio)

De las siglas en inglés “Silicon Controlled Rectifier”, es el miembro más conocido

de la familia de los tiristores. En general y por abuso del lenguaje es más frecuente
hablar de tiristor que de SCR.

El SCR es uno de los dispositivos más antiguos que se conocen dentro de la

Electrónica de Potencia (data de finales de los años 50). Además, continua siendo
el dispositivo que tiene mayor capacidad para controlar potencia (es el dispositivo
que permite soportar mayores tensiones inversas entre sus terminales y mayor
circulación de corriente).

El SCR está formado por cuatro capas semiconductoras, alternadamente P-N-P-N,

teniendo 3 terminales: ánodo (A) y cátodo (K) , por los cuales circula la corriente
principal, y la puerta (G) que, cuando se le inyecta una corriente, hace que se
establezca una corriente en sentido ánodo-cátodo. La figura 2.4 ilustra una
estructura simplificada del dispositivo.
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Si entre ánodo y cátodo tenemos una tensión positiva, las uniones J1 y J3 estarán
directamente polarizadas, en cuanto que la unión J2 estará inversamente
polarizada. No habrá conducción de corriente hasta que la tensión VAK aumente
hasta un valor que provoque la ruptura de la barrera de potencial en J2.
Si hay una tensión VGK positiva, circulará una corriente a través de J3, con
portadores negativos yendo del cátodo hacia la puerta. Por la propia construcción,
la capa P donde se conecta la puerta es suficientemente estrecha para que parte de
los electrones que atraviesen J3 tengan energía cinética suficiente para vencer la
barrera de potencial existente en J2, siendo entonces atraídos por el ánodo.

De esta forma, en la unión inversamente polarizada, la diferencia de potencial

disminuye y se establece una corriente entre ánodo y cátodo, que podrá persistir
aún sin la corriente de puerta.

Cuando la tensión VAK es negativa, J1 y J3 quedarán inversamente polarizadas, en

cuanto que J2 quedará directamente polarizada. Teniendo en cuenta que la unión J3
está entre dos regiones altamente dopadas, no es capaz de bloquear tensiones
elevadas, de modo que cabe a la unión J1 mantener el estado de bloqueo del
componente.
Existe una analogía entre el funcionamiento del tiristor y el de una asociación de
dos transistores bipolares, conforme se muestra en la figura 2.5.
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Figura 2.5. Estructura y esquema equivalente simplificado de un SCR

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Cuando se aplica una corriente de puerta IG positiva, Ic2 e IK aumentarán. Como

Ic2 = Ib1 , T1 conducirá y tendremos Ib2 = Ic1 + IG , que aumentará Ic2 y así el
dispositivo evolucionará hasta la saturación, aunque se elimine la corriente de
puerta IG . Tal efecto acumulativo ocurre si las ganancias de los transistores son
mayores que 1. El componente se mantendrá en conducción desde que, después del
proceso dinámico de entrada en conducción, la corriente del ánodo ha ya alcanzado
un valor superior al límite IL , llamada corriente de enclavamiento “latching
current”.

Para que el SCR deje de conducir es necesario que su corriente caiga por debajo
del valor mínimo de mantenimiento (IH), permitiendo que se restablezca la barrera
de potencial en J2. Para la conmutación del dispositivo no basta con aplicar una
tensión negativa entre ánodo y cátodo. Dicha tensión inversa acelera el proceso de
desconexión por dislocar en los sentidos adecuados los portadores en la estructura
cristalina, pero ella sola no garantiza la desconexión.
Debido a las características constructivas del dispositivo, la aplicación de una
polarización inversa del terminal de puerta no permite la conmutación del SCR.
Este será un comportamiento de los GTOs, como se verá más adelante.

Características tensión-corriente En la figura 2.6 podemos ver la característica

estática de un SCR. En su estado de apagado o bloqueo (OFF), puede bloquear una
tensión directa y no conducir corriente. Así, si no hay señal aplicada a la puerta,
permanecerá en bloqueo independientemente del signo de la tensión VAK. El
Tiristor debe ser disparado o encendido al estado de conducción (ON) aplicando un
pulso de corriente positiva en el terminal de puerta, durante un pequeño intervalo
de tiempo, posibilitando que pase al esta do de bloqueo directo.

La caída de tensión directa en el estado de conducción (ON) es de pocos voltios (1-

3 V). Una vez que el SCR empieza a conducir, éste permanece en conducción
(estado ON), aunque la corriente de puerta desaparezca, no pudiendo ser bloqueado
por pulso de puerta. Únicamente cuando la corriente del ánodo tiende a ser
negativa, o inferior a un valor umbral, por la influencia del circuito de potencia, el
SCR pasará a estado de bloqueo.

En régimen estático, dependiendo de la tensión aplicada entre ánodo y cátodo

podemos distinguir tres regiones de funcionamiento:

1. Zona de bloqueo inverso (VAK< 0):

Ésta condición corresponde al estado de no conducción en inversa, comportándose
como un diodo.
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Figura 2.6. Curva Característica principal de los SCRs

2. Zona de bloqueo directo (VAK > 0 sin disparo):

El SCR se comporta como un circuito abierto hasta alcanzar la tensión de ruptura
directa.

3. Zona de conducción (VAK> 0 con disparo):

El SCR se comporta como un interruptor cerrado, si una vez ha ocurrido el disparo,
por el dispositivo circula una corriente superior a la de enclavamiento. Una vez en
conducción, se mantendrá en dicho estado si el valor de la corriente ánodo cátodo
es superior a la corriente de mantenimiento.

La figura 2.7 muestra las características corriente-tensión (I-V) del SCR y permite
ver claramente cómo, dependiendo de la corriente de puerta (IG), dichas
características pueden variar.

…………………………………………………………………………
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Figura 2.7. Característica I-V de un SCR en función de la corriente de puerta.

Activación o disparo y bloqueo de los SCR Podemos considerar cinco maneras

distintas de hacer que el SCR entre en conducción:

a) Disparo por tensión excesiva. Cuando está polarizado directamente, en

el estado de bloque o, la tensión de polarización se aplica sobre la unión J2 (ver
figura 2.4). El aumento de la tensión VAK lleva a una expansión de la región de
transición tanto para el interior de la capa de la puerta como para la capa N
adyacente. Aún sin corriente de puerta, por efecto térmico, siempre existirán
cargas libres que penetren en la región de transición (en este caso, electrones), las
cuales son aceleradas por el campo eléctrico presente en J2. Para valores elevados
de tensión (y, por tanto, de campo eléctrico), es posible iniciar un proceso de
avalancha, en el cual las cargas aceleradas, al chocar con átomos vecinos,
provoquen la expulsión de nuevos portadores que reproducen el proceso. Tal
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fenómeno, desde el punto de vista del comportamiento del flujo de cargas por la
unión J2, tiene el efecto similar al de una inyección de corriente por la puerta, de
modo que, si al iniciar la circulación de corriente se alcanza el límite IL , el
dispositivo se mantendrá en conducción (ver figura 2.7).

b) Disparo por impulso de puerta. Siendo el disparo a través de la corriente de

puerta la manera más usual de disparar el SCR, es importante el conocimiento de
los límites máximos y mínimos para la tensión VGK y la corriente IG , como se
muestra en la figura 2.8.

Figura 2.8. Curvas con las condiciones para disparo de un SCR a través de
control de puerta y circuito de disparo reducido a su equivalente Thévenin.

El valor VGmin indica la mínima tensión de puerta que asegura la conducción de

todos los componentes de un tipo determinado, para la mínima temperatura
especificada.
El valor VGmax es la máxima tensión de puerta que asegura que ningún componente
de un tipo determinado entrará en conducción, para la máxima temperatura de
operación.

La corriente IGmin es la mínima corriente necesaria para asegurar la entrada en

conducción de cualquier dispositivo de un cierto tipo, a la mínima temperatura.
El circuito de disparo puede reducirse a su equivalente Thevenin (ver figura 2.8)
para determinar la recta de carga sobre las curvas características v GK -iG. Para el
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ejemplo de la figura 2.8, la recta de carga cortará los ejes en los puntos 6 V
(tensión en vacío de corriente de disparo) y 6 V / 12Ω = 0,5 A (intensidad de
cortocircuito). Para asegurar la operación correcta del componente, la recta de
carga del circuito debe asegurar que superará los límites VGmin y iGmin, sin exceder
los demás límites (tensión, corriente y potencia máxima).

c) Disparo por derivada de tensión

Si a un SCR se le aplica un escalón de tensión positivo entre ánodo y cátodo con
tiempo de subida muy corto, del orden de microsegundos, los portadores sufren
un desplazamiento infinitesimal para hacer frente a la tensión exterior aplicada.
Como se comentó para el caso de disparo por tensión excesiva, si la intensidad de
fugas alcanza el valor suficiente como para mantener el proceso regenerativo, el
tiristor entrará en conducción estable y permanecerá así una vez pasado el escalón
de tensión que lo disparó. El valor de la derivada de tensión dv/dt depende de la
tensión final y de la temperatura, tanto menor cuanto mayores son éstas.

d) Disparo por temperatura

A altas temperaturas, la corriente de fuga en una unión P-N inversamente
polarizada aproximadamente se duplica con el aumento de 8º C. Así, el aumento de
temperatura puede llevar a una corriente a través de J2 suficiente para llevar el
SCR al estado de conducción.

e) Disparo por luz

La acción combinada de la tensión ánodo-cátodo, temperatura y radiación
electromagnética de longitud de onda apropiada puede provocar también la
elevación de la corriente de fugas del dispositivo por encima del valor crítico y
obligar al disparo. Los tiristores diseñados para ser disparados por luz o tiristores
fotosensibles LASCR (“Light Activated SCR”) suelen ser de pequeña potencia y
permiten un aislamiento óptico entre el circuito de control y el circuito de potencia.

2.3.2 TRIAC.
El TRIAC (“Triode of Alternating Current ”) es un tiristor bidireccional de tres
terminales. Permite el paso de corriente del terminal A1 al A2 y vivecersa, y puede
ser disparado con tensiones de puerta de ambos signos. Cuando se trabaja con
corriente alterna, es interesante poder controlar los dos sentidos de circulación de
la corriente. Evidentemente, con un SCR, sólo podemos controlar el paso de
corriente en un sentido. Por tanto, uno de los motivos por el cual los fabricantes de
semiconductores han diseñado el TRIAC ha sido para evitar este inconveniente. El
primer TRIAC fue inventado a finales de los años 60. Simplificando su
funcionamiento, podemos decir que un TRIAC se comporta como dos SCR en
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antiparalelo (tiristor bidireccional). De esta forma, tenemos control en ambos

sentidos de la circulación de corriente. La figura 2.9 muestra el esquema
equivalente de un TRIAC.

Figura 2.9. Esquema equivalente de un TRIAC

.
La figura 2.10 muestra el símbolo utilizado para representar el TRIAC, así como su
estructura interna en dos dimensiones. Como se ha mencionado, el TRIAC permite
la conducción de corriente de ánodo a cátodo y viceversa, de ahí que los terminales
no se denominen ánodo y cátodo, sino simplemente ánodo 1 (A1) y ánodo 2 (A2).
En algunos textos dichos terminales se denominan MT1 y MT2 (Main Terminal).
Como en el caso del SCR, tenemos un terminal de control denominado puerta que
nos permite la puesta en conducción del dispositivo en ambos sentidos de
circulación. Si bien el TRIAC tiene varios mecanismos de encendido (con
corrientes positivas y negativas), lo más usual es inyectar corriente por la puerta en
un sentido para provocar la puesta en conducción.
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Figura 2.10. Símbolo y estructura interna de un TRIAC

La figura 2.11 muestra la característica estática I-V del TRIAC. Se puede observar
que presenta estado de conducción tanto para iA positiva como negativa, y puede
ser disparada desde el estado de corte al de conducción tanto para VA1A2 positiva
como negativa. Además, la corriente de puerta que fuerza la transición del estado
de corte al de conducción puede ser tanto positiva como negativa. En general, las
tensiones y corrientes necesarias para producir la transición del TRIAC son
diferentes según las polaridades de las tensiones aplicadas.

Figura 2.11. Características I-V del TRIAC

Una de las ventajas de este dispositivo es que es muy compacto, requiriendo

únicamente un único circuito de control, dado que sólo dispone de un terminal de
puerta. Sin embargo, tal y como está fabricado, es un dispositivo con una
capacidad de control de potencia muy reducida. En general está pensado para
aplicaciones de pequeña potencia, con tensiones que no superan los 1000V y
corrientes máximas de 15A. Es usual el empleo de TRIACs en la fabricación de
electrodomésticos con control electrónico de velocidad de motores y aplicaciones
de iluminación, con potencias que no superan los 15kW. La frecuencia máxima a
la que pueden trabajar es también reducida, normalmente los 50-60Hz de la red
monofásica.
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2.3.3 GTO (“Gate Turn-Off Thyristor”)

A pesar de que el GTO fue inventado en el inicio de la década de los años 60, fue
poco empleado debido a sus reducidas prestaciones. Con el avance de la tecnología
en el desarrollo de dispositivos semiconductores, se han encontrado nuevas
soluciones para mejorar tales componentes que hacen que hoy ocupen una franja
significa dentro de la electrónica de potencia, especialmente en aquellas
aplicaciones de elevada potencia, con dispositivos que alcanzan los 5000 V y los
4000 A.
Como se ha visto en los apartados anteriores, uno de los inconvenientes de los
tiristores tipo SCR o TRIAC es que no tenemos control externo por parte del
usuario del paso de conducción a bloqueo. Para aquellas aplicaciones en las que
nos interese poder bloquear un interruptor de potencia en cualquier instante es
necesario utilizar otro tipo de semiconductores diferentes a los SCRs o TRIACs.
El GTO es un tiristor con capacidad externa de bloqueo. La puerta permite
controlar las dos transiciones: paso de bloqueo a conducción y viceversa.
El símbolo utilizado para el GTO se muestra en la siguiente figura (Fig. 2.12), así
como su estructura interna en dos dimensiones.
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Figura 2.12. Símbolo y estructura interna de un GTO.

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Principio de funcionamiento.
El GTO tiene una estructura de 4 capas, típica de los componentes de la familia de
los tiristores. Su característica principal es su capacidad de entrar en conducción y
bloquearse a través de señales adecuadas en el terminal de puerta G. El mecanismo
de disparo es parecido al del SCR: suponiendo que está directamente polarizado,
cuando se le inyecta corriente a la puerta, circula corriente entre puerta y cátodo.

Como la capa de la puerta es suficientemente fina, gran parte de los portadores se

mueven hasta la capa N adyacente, atravesando la barrera de potencial y siendo
atraídos por el potencial del ánodo, dando inicio a la corriente anódica. Si ésta
corriente se mantiene por encima de la corriente de mantenimiento, el
dispositivo no necesita la señal de puerta para mantenerse en conducción.
CHECAR EL PARRAFO

Figura 2.14. Característica estática (I – V) de un GTO.

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Si la corriente por la puerta es positiva, el semiconductor pasará del estado “OFF”

al estado “ON”. Por el contrario, si la corriente por la puerta es negativa, el
semiconductor dejará de conducir, pasando del estado de “ON” a “OFF”.
Con ello se tiene un control total del estado del semiconductor en cualquier
momento.
Nótese que, al tratarse de un tiristor, la corriente sólo puede circular de ánodo a
cátodo, pero no en sentido contrario. Evidentemente, este dispositivo es más caro
que un SCR y además el rango de tensiones y corrientes es más pequeño que en el
caso de los SCRs. En general se suelen llegar a potencias entorno a los 500kW
como máximo. La caída de tensión ánodo-cátodo en conducción directa también es
más elevada que para los tiristores convencionales.

2.4 Transistores

En Electrónica de Potencia, los transistores generalmente son utilizados como

interruptores. Los circuitos de excitación (disparo) de los transistores se diseñan
para que éstos trabajen en la zona de saturación (conducción) o en la zona de corte
(bloqueo). Esto difiere de lo que ocurre con otras aplicaciones de los transistores,
como, por ejemplo, un circuito amplificador, en el que el transistor trabaja en la
zona activa o lineal.
Los transistores tienen la ventaja de que son totalmente controlados, mientras que,
por ejemplo, el SCR o el TRIAC sólo dispone de control de la puesta en
conducción. Los tipos de transistores utilizados en los circuitos electrónicos de
potencia incluyen los transistores BJT, los MOSFET y dispositivos híbridos, como,
por ejemplo, los transistores de unión bipolar de puerta aislada (IGBT). A
continuación veremos cada uno de ellos.

2.4.1. Transistor Bipolar de Potencia (BJT)

Más conocidos como BJTs (“Bipolar Junction Transistors”), básicamente se trata

de interruptores de potencia controlados por corriente. Como el lector recordará
existen dos tipos fundamentales, los “NPN” y los “PNP”, si bien en Electrónica de
Potencia los más usuales y utilizados son los primeros. La figura 2.15 muestra un
recordatorio de los símbolos empleados para representar los transistores bipolares.
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Figura 2.15. Símbolos de los transistores bipolares npn y pnp.

Principio de funcionamiento y estructura La figura 2.16 muestra la estructura

básica de un transistor bipolar NPN..

La operación normal de un transistor se hace con la unión J1 (B-E) directamente

polarizada, y con J2 (B-C) inversamente polarizada.
En el caso de un transistor NPN, los electrones son atraídos del emisor por el
potencial positivo de la base. Esta capa central es suficientemente fina para que la
mayor parte de los portadores tenga energía cinética suficiente para atravesarla,
llegando a la región de transición de J2, siendo entonces atraídos por el potencial
positivo del colector.
El control de Vbe determina la corriente de base, Ib, que, a su vez, se relaciona con
Ic por la ganancia de corriente del dispositivo.

Figura 2.16. Estructura básica del transistor bipolar

24

En la realidad, la estructura interna de los transistores bipolares de potencia (BJT)

es diferente. Para soportar tensiones elevadas, existe una capa intermediaria del
colector, con baja concentración de impurezas (bajo dopado), la cual define la
tensión de bloqueo del componente.

La figura 2.17 muestra una estructura típica de un transistor bipolar de potencia.

Los bordes redondeados de la región de emisor permiten una homogeneización del
campo eléctrico, necesaria para el mantenimiento de polarizaciones inversas
débiles entre base y emisor. El BJT no soporta tensiones en el sentido opuesto
porque la elevada concentración de impurezas (elevado dopado) del emisor
provoca la ruptura de J1 en bajas tensiones (5 a 20 V).

Figura 2.17. Estructura interna de un BJT tipo NPN

La preferencia en utilizar BJT tipo NPN se debe a las menores pérdidas con
relación a los PNP, lo cual es debido a la mayor movilidad de los electrones con
relación a los agujeros, reduciendo, principalmente, los tiempos de conmutación
del componente.

Características estáticas
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Los transistores bipolares son fáciles de controlar por el terminal de base, aunque
el circuito de control consume más energía que el de los SCR. Su principal ventaja
es la baja caída de tensión en saturación. Como inconvenientes destacaremos su
poca ganancia con v/i grandes, el tiempo de almacenamiento y el fenómeno de
avalancha secundaria.
El transistor, fundamentalmente, puede trabajar en tres zonas de funcionamiento
bien diferenciadas, en función de la tensión que soporta y la corriente de base
inyectada:

- Corte:
No se inyecta corriente a la base del transistor. Éste se comporta como un
interruptor abierto, que no permite la circulación de corriente entre colector y
emisor. Por tanto, en ésta zona de funcionamiento el transistor está desactivado o
la corriente de base no es suficiente para activarlo teniendo ambas uniones en
polarización inversa.

- Activa:
Se inyecta corriente a la base del transistor, y éste soporta una determinada
tensión entre colector y emisor. La corriente de colector es proporcional a la
corriente de base, con una constante de proporcionalidad denominada ganancia del
transistor, típicamente representada por las siglas F β o F h. Por tanto, en la región
activa, el transistor actúa como un amplificador, donde la corriente del colector que
da amplificada mediante la ganancia y el voltaje VCE disminuye con la corriente de
base: la unión CB tiene polarización inversa y la BE directa.

- Saturación:
Se inyecta suficiente corriente a la base para disminuir la VCE y conseguir que
el transistor se comporte como un interruptor cuasi ideal. La tensión que soporta
entre sus terminales es muy pequeña y depende del transistor. En éste caso ambas
uniones están polarizadas directamente. Se suele hablar de la tensión colector-
emisor en saturación.
La figura 2.18 muestra la característica estática de un transistor bipolar npn. Tal
como se muestra en su característica V-I, una corriente de base suficientemente
grande IB >IC/β (dependiendo de la I de colector) llevará al componente a la plena
conducción. En el estado de conducción (saturación) la tensión VCE(sat) está
normalmente entre 1-2 V.
26

Figura 2.18. Características V-I de los transistores bipolares

La característica de transferencia se muestra en la figura 2.19.

Figura 2.19. Características de transferencia en un transistor bipolar

En Electrónica de Potencia, obviamente, interesa trabajar en la zona de corte y en

la zona de saturación, dado que en la zona activa se disipa mucha potencia y en
consecuencia el rendimiento del sistema puede llegar a ser muy pequeño. Además,
téngase en cuenta que, dado que en Electrónica de Potencia se trabaja con
tensiones y corrientes elevadas, esa disipación de potencia debe evacuarse de algún
modo, o de lo contrario podemos llegar a destruir el semiconductor por una
excesiva temperatura en su interior.

Las diferencias básicas entre los transistores bipolares de señal y los de potencia
son bastante significativas. En primer lugar, la tensión colector-emisor en
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saturación suele estar entre 1 y 2 Volts, a diferencia de los 0,2-0,3 Volts de caída
en un transistor de señal.

Conexión Darlington. Otra diferencia importante es que la ganancia de un

transistor de potencia elevada suele ser bastante pequeña. Ello conlleva que debido
a las grandes corrientes de colector que se deben manejar, la corriente por la base
de ser también elevada, complicando el circuito de control de base del transistor.
Para transistores de señal se suelen obtener valores de ganancia en torno a 200,
mientras que para transistores de potencia es difícil llegar a obtener valores de
ganancia de 50. Si por ejemplo un BJT con β = 20 va a conducir una corriente de
colector de 60 A, la corriente de base tendría que ser mayor que 3 A para saturar el
transistor.
El circuito de excitación (“driver”) que proporciona esta alta corriente de base es
un circuito de potencia importante por sí mismo.
Para evitar esta problemática se suelen utilizar transistores de potencia en
configuraciones tipo Darlington, donde se conectan varios transistores de una
forma estratégica para aumentar la ganancia total del transistor. Ésta configuración
se muestra en la figura 2.20.

Figura 2.20. Conexión Darlington

Las principales características de esta configuración son:

• Ganancia de corriente β= β1 .(β2+1) + β2
• T2 no satura, pues su unión B-C está siempre inversamente polarizada

Tanto el disparo como el bloqueo son secuenciales. En el disparo, T1 entra en

conducción primero, dándole a T2 una corriente de base. En el bloqueo (apagado),
T1 debe conmutar antes, interrumpiendo la corriente de base de T2.
Debido a que la ganancia de corriente efectiva de la combinación o conexión es,
aproximadamente, igual al producto de las ganancias individuales (β= β1 .(β2+1) +
β2 ), se puede, por tanto, reducir la corriente extraída del circuito de excitación
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(driver). La configuración Darlington puede construirse a partir de dos transistores

discretos o puede obtenerse como un solo dispositivo integrado.
En general los transistores bipolares se utilizan para potencias medias, y
frecuencias de trabajo medias (hasta unos 40 kHz). La ventaja de este tipo de
interruptores es que su caída de tensión en conducción es bastante constante, si
bien el precio que se paga es la complejidad del circuito de control, ya que es un
semiconductor controlado por corriente. Este tipo de transistores, a diferencia de
los que se verán en los siguientes apartados, suelen ser bastante económicos.

2.4.2. MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors)

Así como podemos decir que el transistor bipolar se controla por corriente, los
MOSFET son transistores controlados por tensión. Ello se debe al aislamiento
(óxido de Silicio) de la puerta respecto al resto del dispositivo. Existen dos tipos
básicos de MOSFET, los de canal n y los de canal p, si bien en Electrónica de
Potencia los más comunes son los primeros, por presentar menores pérdidas y
mayor velocidad de conmutación, debido a la mayor movilidad de los electrones
con relación a los agujeros.

La figura 2.21 muestra un recordatorio de los símbolos utilizados para estos

dispositivos.
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Figura 2.21. Símbolos del transistor MOSFET de canal n y canal p.

Si bien el BJT fue inventado a finales de los años 40, ya en 1925 fue registrada una
patente que se refería a un método y un dispositivo para controlar el flujo de una
corriente eléctrica entre dos terminales de un sólido conductor. Así mismo, tal
patente, que se puede considerar como la precursora de los Transistores de Efecto
de Campo, no redundó en un componente práctico, puesto que entonces no había
tecnología que permitiese la construcción de los dispositivos. Esto se modificó en
los años 60, cuando surgieron los primeros FETs, pero aún con limitaciones
importantes con respecto a las características de conmutación. En los años 80, con
la tecnología MOS, fue posible construir dispositivos capaces de conmutar valores
significativos de corriente y tensión, con velocidad superior al que se obtenía con
los bipolares.
Principio de funcionamiento y estructura El terminal de puerta G (Gate) está
aislado del semiconductor por óxido de silicio (SiO2). La unión PN define un diodo
entre la Fuente S (Source) y el Drenador D (Drain), el cual conduce cuando VDS
< 0. El funcionamiento como transistor ocurre cuando VDS > 0. La figura 2.22
muestra la estructura básica del transistor. Cuando una tensión VGS > 0 es aplicada,
el potencial positivo en la puerta repele los agujeros en la región P, dejando una
carga negativa, pero sin portadores libres. Cuando esta tensión alcanza un cierto
valor umbral (VT), electrones libres (generados principalmente por efecto térmico)
presentes en la región P son atraídos y forman un canal N dentro de la región
P, por el cual se hace posible la circulación de corriente entre D y S. Aumentando
VGS, más portadores son atraídos, ampliando el canal, reduciendo su resistencia
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(RDS), permitiendo el aumento de ID . Este comportamiento caracteriza la llamada

“región óhmica”.
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Figura 2.22. Estructura básica del transistor MOSFET

La circulación de ID por el canal produce una caída de tensión que produce un “

efecto embudo”, o sea, el canal es más ancho en la frontera con la región N+
que cuando se conecta a la región N-. Un aumento de ID lleva a una mayor caída de
tensión en el canal y a un mayor “efecto embudo”, lo que conduciría a su colapso y
a la extinción de la corriente. Obviamente el fenómeno tiende a un punto de
equilibrio, en el cual la corriente ID se mantiene constante para cualquier VDS,
caracterizando una región activa o de saturación del MOSFET. La figura 2.23
muestra la característica estática del MOSFET de potencia.

Una pequeña corriente de puerta es necesaria apenas para cargar y descargar las
capacidades de entrada del transistor. La resistencia de entrada es del orden de
1012 Ohms.
De forma análoga a los bipolares, tenemos fundamentalmente tres zonas de trabajo
bien diferenciadas:
- Corte:
La tensión entre la puerta y la fuente es más pequeña que una determinada tensión
umbral (VT), con lo que el dispositivo se comporta como un interruptor abierto.
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- Óhmica:
Si la tensión entre la puerta y la fuente (o surtidor) es suficientemente grande y la
tensión entre el drenador y la fuente es pequeña, el transistor se comporta como un
interruptor cerrado, modelado por una resistencia, denominada RON.

- Saturación:
Si el transistor está cerrado, pero soporta una tensión drenador-surtidor elevada,
éste se comporta como una fuente de corriente constante, controlada por la tensión
entre la puerta y el surtidor. La disipación de potencia en este caso puede ser
elevada dado que el producto tensión-corriente es alto.

Figura 2.23. Característica estática del transistor MOSFET canal n Gate

Bipolar Transistor)

El transistor IGBT, de las siglas en inglés “Isolated Gate Bipolar Transistor”, es un

dispositivo híbrido, que aprovecha las ventajas de los transistores descritos en los
apartados anteriores, o sea, el IGBT reúne la facilidad de disparo de los MOSFET
con las pequeñas pérdidas en conducción de los BJT de potencia.
La puerta está aislada del dispositivo, con lo que se tiene un control por tensión
relativamente sencillo. Entre el colector y el emisor se tiene un comportamiento
tipo bipolar, con lo que el interruptor es muy cercano a lo ideal. La figura 2.24
muestra la simbología para este tipo de transistores.

Obviamente, en Electrónica de Potencia nos interesa que un MOSFET trabaje en

corte o en óhmica (interruptor abierto o cerrado). Atención con los nombres de las
zonas de trabajo, que pueda causar confusión al lector cuando se habla de un
bipolar y de un MOSFET.
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Observar que la zona de saturación de un BJT corresponde a la zona Óhmica del

MOSFET y que la zona de saturación de éste corresponde a la zona activa del BJT.
Uno de los inconvenientes de los transistores MOSFET es que la potencia que
pueden manejar es bastante reducida. Para grandes potencias es inviable el uso
de estos dispositivos, en general, por la limitación de tensión. Sin embargo, son los
transistores más rápidos que existen, con lo cual se utilizan en aplicaciones donde
es necesario altas velocidades de conmutación (se pueden llegar a tener
aplicaciones que trabajan a 1MHz, algo impensable para los bipolares). Otro de los
inconvenientes de este tipo de transistores es que la resistencia en conducción RON
varía mucho con la temperatura y con la corriente que circula, con lo que no se
tiene un comportamiento de interruptor casi ideal como en el caso de los bipolares.
Sin embargo, su ventaja más relevante es la facilidad de control gracias al
aislamiento de la puerta. El consumo de corriente de puerta es pequeño y se
simplifica el diseño del circuito de disparo (driver) y control correspondiente.

Para evitar los inconvenientes del MOSFET y del bipolar y aprovechar las ventajas
de ambos, los fabricantes han introducido un dispositivo nuevo, denominado IGBT
que se describe en el siguiente apartado.

2.4.3. IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

El transistor IGBT, de las siglas en inglés “Isolated Gate Bipolar Transistor”, es un
dispositivo híbrido, que aprovecha las ventajas de los transistores descritos en los
apartados anteriores, o sea, el IGBT reúne la facilidad de disparo de los MOSFET
con las pequeñas pérdidas en conducción de los BJT de potencia.

La puerta está aislada del dispositivo, con lo que se tiene un control por tensión
relativamente sencillo. Entre el colector y el emisor se tiene un comportamiento
tipo bipolar, con lo que el interruptor es muy cercano a lo ideal. La figura 2.24
muestra la simbología para este tipo de transistores.

Figura 2.24. Símbolos alternativos de los transistores IGBTs.

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Su velocidad de conmutación, en principio, similar a la de los transistores

bipolares, ha crecido en los últimos años, permitiendo que funcione a centenas de
kHz, en componentes para corrientes del orden de algunas decenas de Amperios.
Principio de funcionamiento y estructura.
La estructura del IGBT es similar a la del MOSFET, pero con la inclusión de una
capa P+ que forma el colector del IGBT, como se puede ver en la figura 2.25.
Gracias a la estructura interna puede soportar tensiones elevadas, típicamente
1200V y hasta 2000V (algo impensable en los MOSFETs), con un control sencillo
de tensión de puerta. La velocidad a la que pueden trabajar no es tan elevada como
la de los MOSFETs, pero permite trabajar en rangos de frecuencias medias,
controlando potencias bastante elevadas.
En términos simplificados se puede analizar el IGBT como un MOSFET en el cual
la región N- tiene su conductividad modulada por la inyección de portadores
minoritarios (agujeros), a partir de la región P+, una vez que J1 está directamente
polarizada. Esta mayor conductividad produce una menor caída de tensión en
comparación a un MOSFET similar.
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Figura 2.25. Estructura básica del transistor IGBT

El control del componente es análogo al del MOSFET, o sea, por la aplicación de
una polarización entre puerta y emisor. También para el IGBT el accionamiento o
disparo se hace por tensión. La máxima tensión que puede soportar se determina
por la unión J2 (polarización directa) y por J1 (polarización inversa). Como J1
divide 2 regiones muy dopadas, se puede concluir que un IGBT no soporta
tensiones elevadas cuando es polarizado inversamente.

Los IGBT presentan un tiristor parásito. La construcción del dispositivo debe ser
tal que evite el disparo de este tiristor, especialmente debido a las capacidades
asociadas a la región P. Los componentes modernos no presentan problemas
relativos a este elemento indeseado.
En la figura 2.26 se muestra la característica I-V del funciona miento de un IGBT.
El IGBT tiene una alta impedancia de entrada como el MOSFET, y bajas pérdidas
de conducción en estado activo como el Bipolar, pero no presenta ningún problema
de ruptura secundaria como los BJT.

Figura 2.26. Símbolo y característica estática del transistor IGBT

El IGBT es inherentemente más rápido que el BJT. Sin embargo, la velocidad de

conmutación del IGBT es inferior a la de los MOSFETs.

2.4.4. Comparación entre los diferentes transistores de potencia

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A continuación, se presenta una breve tabla de comparación de tensiones,

corrientes, y frecuencias que pueden soportar los distintos transistores descritos.

BJT MOSFET IGBT

1000-1200V 500-1000V 1600-2000V
700-1000A 20-100A 400-500A
25kHz Hasta 300-400kHz Hasta 75kHz
P medias P bajas, <10kW P medias - altas

Los valores mencionados no son exactos, dada la gran disparidad que se puede
encontrar en el mercado. En general, el producto tensión-corriente es una
constante (estamos limitados en potencia), es decir, se puede encontrar un
MOSFET de muy alta tensión pero con corriente reducida. Lo mismo ocurre con
las frecuencias de trabajo. Existen bipolares de poca potencia que trabajan
tranquilamente a 50kHz, aunque no es lo más usual.

2.5 Pérdidas en conducción y en conmutación

Una problemática de los semiconductores de potencia está relacionada con sus
pérdidas y con la máxima disipación de potencia que pueden alcanzar. Como se ha
mencionado anteriormente, si se supera la temperatura máxima de la unión
(uniones entre distintos tipos de semiconductores) en el interior de un dispositivo,
éste se destruye rápidamente. Para ello es necesario evacuar la potencia que se
disipa mediante radiadores, que en algunos casos pueden ser de gran tamaño.
La disipación de potencia no es otra cosa que las pérdidas que tiene el dispositivo
semiconductor. Existen dos mecanismos que provocan las pérdidas. Lo que se
denominan pérdidas en conducción, es decir, cuando el interruptor está cerrado y
por tanto hay circulación de corriente. Por ejemplo, un MOSFET cuando está
cerrado se comporta como una resistencia de valor Ron, de manera que disipa una
potencia que vale aproximadamente Ron I2. Además, existen unas pérdidas
adicionales, denominadas pérdidas en conmutación, que se producen cuando un
semiconductor pasa del estado de bloqueo a conducción y viceversa. Las
transiciones de corriente y tensión en el semiconductor no son instantáneas ni
perfectas, con lo que en cada conmutación se producen unas determinadas
pérdidas. El lector rápidamente entenderá que las pérdidas en conmutación
dependen de la frecuencia de conmutación, es decir, cuantas más veces por
segunda abra y cierre un transistor, más potencia estará disipando el
semiconductor. Es decir, las pérdidas en conmutación dependen directamente de la
frecuencia de trabajo del dispositivo. De ahí que se debe limitar la frecuencia de
conmutación de cualquier dispositivo en electrónica de potencia para evitar su
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destrucción. La figura 2.27 muestra las curvas de tensión (VDS), corriente (IDS) y
potencia (P) de un MOSFET inicialmente bloqueado (OFF). Se puede ver la
conmutación de OFF a ON, después un periodo que se mantiene en conducción
para después volver a cerrarse. La figura muestra las pérdidas (potencia disipada)
relacionadas con la conmutación y la conducción del dispositivo.

Figura 2.27. Pérdidas en conducción y en conmutación

2.6 Comparación de prestaciones entre los diferentes dispositivos de

electrónica de potencia.
A continuación, se presenta una tabla con las prestaciones de los dispositivos de
potencia más utilizados, haciendo especial hincapié en los límites de tensión,
corriente y frecuencia de trabajo.
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Tabla de prestaciones:

Regiones de Utilización:
en función de las características de cada dispositivo, se suele trabajar en distintas
zonas, parametrizadas por la tensión, la corriente y la frecuencia de trabajo. Una
clasificación cualitativa se presenta en la siguiente figura:
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Por otro lado, la figura 2.28 muestra un gráfico que compara las capacidades de
tensión, corriente y frecuencia de los componentes controlables.
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Figura 2.28. Comparativa de los dispositivos de potencia

En la siguiente tabla se añaden otras características importantes a tener en cuenta

en el diseño de circuitos de electrónica de potencia.

DISPOSITIVOS
DIODO SCR GTO BJT MOSFET IGBT
Características de En corriente En corriente En corriente En corriente En tensión
disparo ---------
Potencia del --------- Media - Alta Alta Media - Alta Muy baja Muy Baja
circuito de mando
Complejidad del --------- Baja Alta Alta Muy Baja Muy Baja
circuito de mando
Densidad de Media p/ Alta Media - Alta Media Alta - Baja Alta
Corriente Alta
Máxima tensión Media Alta Alta Baja - Media Media - Baja Madia - Alta
inversa
Perdidas en Baja p/ Alta Alta Media - Alta Muy Baja Madia - Alta
conmutación media
(circuitos
convencionales)

Por último, la figura 2.29 muestra algunas posibles aplicaciones de los distintos
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dispositivos de electrónica de potencia.

Figura 2.29. Aplicaciones de la Electrónica de Potencia según los dispositivos

empleados.
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2.7 Bibliografía
-
“Power Electronics: Converters, Applications and Design”, Mohan,
Undeland y Robbins,
John Wiley & Sons, 2ª Ed, Nueva York, 1995.
-
“Eletrónica de Potência”, J. A. Pomilio, Universidade Estadual de Campinas, SP -
Brasil.
-
“Electrónica de Potencia”, D. W. Hart, Valparaíso University, Valparaíso Indiana.
Prentice Hall.