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    Disposit ElectroPotencia Luis S.

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    CIRCUITOS ELECTRONICOS DE POTENCIA

    Dispositivos de Potencia
    componentes

    Regiones operativas de

    El Diodo de Potencia

    Tcnicas para mejorar la VBD.

    V
    max

    I
    max

    Rectifi cadores
    de alta tensin
    Proposito
    general
    Recuperacion
    Rapida
    Diodos Schottky

    30 Kv

    0.5
    A
    10
    KA
    2 KA

    120 v

    300
    A

    Zener de
    potencia

    300 v

    75 W

    5 Kv
    3Kv

    V
    directo
    10 v.
    0.7 a 2.5
    v
    0.7 a 1.5
    v
    0.2 a 0.9
    v

    T
    conmutacio
    n
    100 ns
    25 us
    < 5 us
    30 ns

    Aplicaciones

    Alta tension
    Rectifi cacin
    a 60 Hz.
    Circuitos
    conmutados
    Circuito de
    conmutados
    BT
    Referencias
    de tensiones

    Caractersticas de catlogo:

    Tensin inversa de trabajo, V R W M = mxima tensin inversa que puede


    sop ortar de forma continuad a sin pelig ro de avalan cha.
    Tensin inversa de pico repetitiva, V R R M = mxima tensin inversa que
    puede soportar por tiempo indefi nido si la duracin del pico es inferior
    a 1ms y su fre cuencia de repeticin inferior a 100Hz.
    Tensin inversa de pico nico, V R S M = mxima tensin inversa que
    puede soportar por una sola vez cada 10 ms minutos si la duracin
    del pico es menor a 10ms
    Caractersticas Dinmicas

    Prdidas en los diodos

    Diodo Schottky de potencia

    BJT de potencia

    BJT en conmutacin. Corte

    BJT en conmutacin. Saturacin

    BJT en conmutacin. Potencia disipada

    t + t
    1
    PON+OFF = .VCC .I Cmx . r f
    6
    T
    t
    Pconduccin = VCEsat .I C.
    T
    Circuitos de excitacin de transistores bipolares.

    Dispositivo control ado por corriente.


    Tiempo de puesta en conduccin depende de la rapidez con la que se
    inyecte las cargas necesarias en la base del transistor.
    Velocidades de conmutacin de entrada se pueden reducir aplicando
    inicialmente un pico elevad o de corriente de base y disminuyendo la
    corriente hasta la necesaria para mantener el tran sistor en
    conmutacin. Igualmente se necesita un pico de corriente negativa en
    el apagado.

    Excitacin en funcin a la posicin de la carga

    Esq uema ejemplo.

    Formulacin.

    Cuando la seal pasa a nivel alto R2 estar


    cortocircuitada inicialmente. La corriente de
    base inicial ser IB1.
    Cuando C se cargue, la corriente de base ser
    IB2.
    Se necesitar de 3 a 5 veces la constante de
    tiempo de carga del condensador para
    considerarlo totalmente cargado.
    La seal de entrada pasa a nivel bajo en el corte
    y el condensador carg ado proporciona el pico de
    corriente negativa.
    Forma de onda de la IB

    Comparacin de IB con y sin L

    Ejemplo

    Disear un ci rcuito de excitacin de un BJT (TIP31C). Que tenga un pico de


    1A de corriente de base y de 0.2A en conduccin. La tensin de excitacin
    es de 0 a 5V, cu adrada, con un ciclo de trab ajo del 50% y una frecuencia de
    conmutacin de 25Khz.

    Vi VBE 5 1

    1 A R1 4
    R1
    R1
    V VBE
    5 1
    i

    0,2 A R2 16
    R1 R2 4 R2

    I B1
    IB2

    R1.R2
    20u
    4.16
    C 1, 25uF
    .C
    .C
    R

    R
    4

    16
    5

    1
    2

    RE .C

    Simulacin del ejemplo

    Potencias perdidas en ambos casos

    Enclavador Baker

    1csn
    V
    0
    D

    Se usa para reducir los tiempos de conmutacin del transistor bipolar.


    Mantiene al transistor en la regin de
    cuasi-saturacin.
    Evita que VCE sea muy baja.
    Las prdidas son mayore s.

    Darlington.- Incrementar la
    Beta del transistor
    equivalente, con el fi n de
    mejorar la excitacin

    MOSFET. Curvas
    caractersticas

    Diodos en antiparalelo asociados

    Efecto de las capacidades parsitas en VG

    El efecto de la conmutacin de otros dispositivos puede provocar


    variaciones importantes en la tensin de puerta debido al acoplamiento
    capacitivo parsito.
    Cuanto menor sea RG, menos se notar este efecto

    Apag ado y encendido en un MOSFET

    Caractersticas dinmicas

    Circuitos de excitacin de MOSFET


    Es un dispositivo controlado por tensin.

    Estado de conduccin se consigue cuando la tensin puerta-fuente


    sob repasa la tensin umbral de forma sufi ciente.
    Corrientes de carg a son esencialmente 0.
    Es necesario carg ar las capacidades de entrada parsitas.
    Velocidad de conmutacin viene determinada por la rapidez con que la
    carga de esos condensadores pueda transferirse.
    Circuito de excitacin debe ser capaz de absorber y generar corrientes
    rpidamente para conseguir una conmutacin de alta velocidad.

    Carga de las capacidades parsitas

    Diferencias de excitacin con el BJT

    Detalles

    Ejemplo

    Calcular la excitacin de un
    Mosfet de potencia que
    tiene las siguientes
    caractersticas:
    V T H =2 a 4V.
    V G S m x =20V
    V D S m x =100V
    Capacidades
    parsitas= las de la
    fi gura.
    Se precisa que el Mosfet
    conmute al cabo de 50ns o
    menos. Si la tensin de
    excitacin es de 12V y la
    de alimentacin es de 100V
    calcular la corriente necesaria y la RB que la limite.

    Solucin
    Vemos que las cap acidades de entrada y salida a ms de 60V es de 300pF y
    50pF re spectivamente. Como ambas se tienen que cargar, necesitaremos:

    dVDG
    100V 12V
    50 pF.
    88mA
    dt
    50ns
    dV
    12V 2V
    IG CGS . GS 300 pF .
    60mA
    dt
    50 ns
    Total 148 mA
    IDG CDG .

    Circuito propuesto

    Simulacin

    Funcionamiento del SCR.


    Caracterstica esttica del SCR

    Mecanismo de cebad o

    Curvas V e I del SCR durante conmutacin

    Formas de provocar el disparo en un


    SCR
    Corriente de puerta.

    Elevada tensin nod o -ctodo.

    Aplicacin de Vak positiva antes


    que el bloqueo haya terminado.

    Elevada deriva Vak.

    Temperatura elevada.

    Radiacin luminosa.
    Autodisparo

    de

    Autodisparo

    Disparo normal

    TRIAC

    TRIAC. Caractersti ca esttica

    Cuadrantes de disparo del TRIAC


    un triac.

    Formas alternativas de disparo

    Circuitos auxiliares

    Disparo de

    Ejemplo de V e I en una aplicacin

    Circuito equivalente del IGBT

    IGBT. Curva caracterstica

    Caractersticas de conmutacin

    Valore s lmites del IGBT

    Capacidades parsitas en un IGBT

    Caracterstica esttica del GTO

    Funcionamiento del GTO

    Formas de onda de IG

    Para entrar en conduccin se necesita una subida rpida y valor IG


    sufi cientes.
    Se mantiene una Igon
    Para cortar se aplica una IG negativa muy grande.
    Debe mantenerse una VG negativa para evitar que conduzca de forma
    espontnea
    Circuito de excitacin de puerta del GTO

    Conmutacin del GTO

    Encendido por corriente positiva

    Apag ado del GTO por corriente negativa

    Comparacin entre los dispositivos de potencia

    UJT

    El transistor uniunin (UJT, unijunction transistor) es un dispositivo de


    conmutacin del tipo ruptura. Sus caractersticas lo hacen muy til en
    muchos ci rcuitos industriales, incluyendo temporizadores, osciladores,
    generad ores de onda, y ms importante an, en ci rcuitos de control de
    puerta para SCR y TRIACs.
    Cuando el voltaje entre emisor y base1 Veb1, es menor que un cierto valor
    denominado voltaje de pico, Vp, el UJT est CORTADO, y no puede fl uir
    corriente de E a B1 (Ie=0). Cuando Veb1 sobrepasa a Vp en una pequea
    cantidad, el UJT se dispara o CONDUCE. Cuando esto sucede, el circuito E a
    B1 es prcti camente un cortocircuito, y la corriente fl uye instantneamente
    de un terminal a otro. En la mayora de los ci rcuitos con UJT, el pulso de
    corriente de E a B1 es de corta duracin, y el UJT rpidamente reg resa al
    estad o de CORTE.

    UJT. Circuito equivalente.

    VBB : Tensin interbase.


    rBB : Resistencia interbase
    VE : Tensin de emisor.
    IE : Intensidad de emisor.
    VB2 : Tensin en B2, (de 5 a 30 V para el UJT polarizado).
    VP : Tensin de disparo

    UJT. Funcionamiento
    El transistor monounin (UJT) se utiliza generalmente para generar seales
    de disparo en los SCR. En la fi gura se muestra un circuito bsico de disparo
    UJT. Un UJT tiene tres terminales, conocidos como emisor E, base1 B1 y
    base2 B2. Entre B1 y B2 la monounin tiene las caractersticas de una
    re sistencia ordinaria (la re sistencia entre bases rBB con valore s en el rango
    de 4.7 y 9.1 K). Cuando se aplica el voltaje de alimentacin Vs, se carga el
    condensad or C a travs de la resistencia R, dado que el ci rcuito emisor del
    UJT est en ci rcuito abierto. La constante de tiempo del circuito de carg a es
    T1=RC. Cuando el voltaje del emisor VE, llega a un valor pico Vp, se activa
    el UJT y el cap acitor se descarg a a travs de RB1 a una velocidad
    determinad a por la constante de tiempo T2=RB1C. T2 es mucho menor que
    T1. Cuando el voltaje del emisor VE se reduce al punto del valle Vv, el
    emisor deja de conducir, se desactiva el UJT y se repite el ciclo de carga.
    El voltaje de disparo VB1 debe disearse lo sufi cientemente grande como
    para activar el SCR. El periodo de oscilacin, T, es totalmente
    independiente del voltaje de alimentacin Vs y est dado por:

    T = RC ln

    1
    1

    PUT.
    El transistor monounin programable (PUT) es un pequeo tiristor con el
    smbolo de la fi gura. Un PUT se puede utilizar como un oscilador de
    relajacin, tal y como se muestra. El voltaje de compuerta VG se mantiene
    desde la alimentacin mediante el divisor resistivo del voltaje R1 y R2, y
    determina el voltaje de disparo Vp. En el caso del UJT, Vp est fi jad o por el

    voltaje de alimentacin, pero en un PUT puede variar al modifi car el valor


    del divisor re sistivo R1 y R2. Si el voltaje del nodo VA es menor que el
    voltaje de compuerta VG, se conservar en su estado inactivo, pe ro si el
    voltaje de nodo excede al de compuerta ms el voltaje de diodo VD, se
    alcanzar el punto de disparo y el dispositivo se activar. La corriente de
    pico Ip y la corriente de valle Iv dependen de la impedancia equivalente en
    la compuerta RG = R1R2/(R1+R2) y del voltaje de
    alimentacin en Vs. En general Rs est limitado a un
    valor por debajo de 100 Ohms.

    Aplicacin con UJT


    RT (resistencia de carga de CT): De ellos depende
    la fre cuencia de oscilacin.
    UJT: Proporci ona el impulso VOB1 a la puerta del
    SCR.
    R1: Proporciona un paso a la corriente de base del
    UJT (IBB) antes de dispararlo. Evita que IBB circule
    por la puerta del SCR produ ciendo un disparo
    indeseado.
    Valor: El necesario para que VGK est por debajo
    de la mnima tensin de disparo.
    R2: Estabiliza el funcion amiento del dispositivo
    frente a aumentos de temperatura.
    Aplicacin con UJT

    DIAC
    Diac (Diode Alternative Current): dispositivo bidire ccional simtrico (sin
    polaridad) con dos electrod os principales, MT1 y MT2, y ninguno de control.
    Su estructura es la rep resentada. En la curva caracterstica tensincorriente se observa que: V(+ ) < VS ; el elemento se comp orta como un
    ci rcuito abierto. V(+ ) > VS; el elemento se comp orta como un
    cortocircuito. Se utilizan para disparar esencialmente a los triacs.

    Otros dispositivos de disparo

    Optoacopladore s
    Tambin se denominan optoaislad ores o dispositivos de acoplamiento
    ptico. Basan su funcionamiento en el empleo de un haz de radiacin
    luminosa para pasar seales de un ci rcuito a otro sin conexin elctri ca.
    Fundamentalmente este dispositivo est formado por una fuente emisora de
    luz, y un fotosensor de silicio, que se ad apta a la sensibilidad espectral del
    emisor luminoso.

    Optoacopladores

    Optoacopladore s

    Circuito con optoacopladore s

    Acopladore s Inductivos

    Circuito Equivalente

    Ejemplo de acoplo inductivo

    Problemas generados por el calor

    Tiempo medio entre fallos para diversos semiconductores. MIL- HDBK-217


    Produccin de calor

    Tran sfe rencia de calor

    Tran sfe rencia de calor


    qc = fl ujo de calor por conveccin desde la
    superfi cie.
    hc = coefi ciente de transferencia de calor de
    conveccin.
    As = superfi cie de transmisin de calor.
    q = fl ujo de calor por conduccin.
    L = longitud de conduccin.
    Ac = rea transversal de conduccin.
    k = coefi ciente de conductividad trmica del
    material.
    T = diferencia de temperaturas.

    = coefi ciente de emisividad (0 a 1)


    = Constante de Stefan-Boltzmann
    A = re a de radiacin
    T1 y T2 = diferencias de temperatura superfi cial
    F1,2 = factor de dife rencia entre las dos superfi cies de los diferentes
    cuerpos

    Conductividad trmica

    Resistencias trmicas

    Resistencias trmicas

    T1,2 P. RTh1,2

    Impedancia trmica

    Comportamiento dinmico

    Disipadores

    Tran sitorios en las lneas de alimentacin

    Topologa de p roteccin

    Componentes para proteccin

    Caractersticas

    Circuitos de proteccin
    a) Prote ccin en lneas equilibradas de comunicaciones.
    b) Prote ccin contra descargas en antenas. Insufi ciente proteccin de
    componentes posteriore s.
    c) Gran cap acidad de absorcin de corriente. Ideal para lneas de red.
    d) Circuito mejorado. El inductor permite la conmutacin de
    sob recorriente del varistor al descarg ador.
    e) Evita la corriente de seguimiento de la red.
    f) Tambin evita la corriente de seguimiento de la red, pe ro mejora el
    anterior.

    g) Dobla la cap acidad energtica de limitacin de sobretensiones.


    h) Igual que el anterior pe ro ms rpido.
    i) Ideal para lneas de comunicaciones, es mejor que el ci rcuito d, pero
    peor cu ando los impulsos de sobretensin tienen una pendiente lenta.
    j) El automatismo sirve para evitar que el varistor quede cortocircuitado en
    caso de envejecimiento.
    k) Ci rcuito bsico de proteccin en modo comn.

    Prote cciones contra excesos elctricos

    Dispuestos de mayor a menor capacidad de disipacin de energa y de


    menor a mayor velocidad de re spuesta.
    Protecciones para red
    El primero es un circuito bsico que puede proteger una lnea de red en
    modo diferencial y en modo comn.
    El segundo es un ci rcuito de proteccin en modo comn con tres escalones.
    Puede quedar un cierto nivel de tensin diferencial.
    El te rce ro es un circuito completo de proteccin en modo comn y en modo
    diferencial.

    Prote cciones para lneas de entrada de datos.

    Protecciones con diodos supresores de sobretensiones.

    Prote cciones terciarias contra sobretensiones de alta frecuencia.

    Prote ccin de alta seguridad

    Filtros de red comerciales

    IL

    Prote ccin contra transitorios. Snubbers

    P
    iv

    ILs
    D
    C

    Circuito de p roteccin de transistor

    v
    i

    P
    v
    i

    v
    i

    Prdidas en funcin a C

    Formulacin.

    Si la corriente del interruptor llega a ce ro antes de que el


    condensad or se cargue por completo la tensin del
    condensad or se calcula a partir de la primera ecuacin,
    saliendo:
    El condensad or se elige a veces de forma que la tensin del
    interruptor alcance su valor fi nal al mismo tiempo que la
    corriente vale ce ro
    Formulacin.
    Para calcular el valor de la resistencia, sta se
    elige de forma que el condensador se descargue
    antes de que el transistor vuelva a apag arse. Se
    necesitan de 3 a 5 intervalos de tiempo para que
    descargue el condensador.

    Las prdidas en el
    transistor varan con el
    ci rcuito que se aade. La
    primera frmula se
    re fi ere a las prdidas en
    el transistor sin circuito
    de prote ccin.
    Comparacin sin y con snubber.

    se

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