Informe Previo 2

UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERÍA
FACULTAD DE INGENIERÍA MECÁNICA
ELECTRÓNICA DE POTENCIA
ML 839 - C
INFORME PREVIO DEL LABORATORIO Nº 2:
“DISPARO DEL TIRISTOR CON CIRCUITOS

INTEGRADOS UJT Y PUT”
ALUMNO:
QUISPE APARCO, Joel Eduardo 20151198I
DOCENTE:
AREVALO MACEDO, Robinson Doiling
LIMA - PERÚ
2020 – II
I. OBJETIVOS
• Comprender el funcionamiento de un transistor UJT y conocer sus
aplicaciones.
• Comprender el funcionamiento del transistor PUT y conocer sus
aplicaciones.
2
II. FUNDAMENTO TEÓRICO
2.1. El Transistor UJT
El transistor es un dispositivo semiconductor provisto de tres terminales
llamados base, emisor y colector. Se usa para funcionar en circuitos
electrónicos como rectificador, amplificador, interruptor. Este tipo de
transistor monounion (UJT) que contiene dos partes semiconductoras. del
cual tiene tres terminales llamados emisor (E), Base (B1), Base (B2).
Figura 1. Esquema y simbología del transistor UJT.

Este dispositivo se usa generalmente para generador de pulsos de disparo
para SCR (Rectificador controlador de silicio) y TRIACS (Triodo para corriente
Alterna) Se utiliza También en circuitos de bases de tiempos y circuitos de
control de ángulo de encendido de tiristores.
2.1.1. Circuito equivalente
Se puede apreciar en la siguiente imagen como es el circuito equivalente de
este transistor:
Figura 2. Circuito equivalente del transistor UJT.

Donde:
V: Es el voltaje variable.
D: Diodo.
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R1: Resistencia Variable.
R2: Resistencia.
V1: Voltaje DC O Continuo.
VBB: Voltaje DC O Continuo.
2.1.2. Curva característica
Se puede notar en la figura 3 que cuando el voltaje VEB1 sobrepasa un
valor Vp de ruptura, el UJT presenta un fenómeno de modulación de
resistencia que, al aumentar la corriente que pasa por el dispositivo, la
resistencia de esta baja y por ello, también baja el voltaje en el dispositivo,
esta región se llama región de resistencia negativa. Este es un proceso con
re alimentación positiva, por lo que esta región no es estable, lo que lo hace
excelente para conmutar, para circuitos de disparo de tiristores y en
osciladores de relajación.
Figura 3. Curva característica de un UJT.

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• Región de Resistencia Negativa:
Si la tensión de emisor es suficiente para polarizar el diodo de emisor, es
decir, VE = VP entonces el diodo entra en conducción e inyecta huecos a B1
disminuyendo bruscamente la resistencia R1 debido a procesos de
recombinación.
• Región De Saturación:
Esta es similar a la zona activa de un tiristor con unas corrientes y tensiones
de mantenimiento (punto de valle) y una relación lineal de muy baja
resistencia entre la tensión y la corriente de emisor
• Región De Corte:
En esta región, la tensión de emisor es baja de forma que la tensión intrínseca
mantiene polarizado inversamente el diodo emisor.
2.1.3. Aplicaciones
Una de las aplicaciones del UJT más común es como generador de pulsos
en diente de sierra. Estos pulsos resultan muy útiles para controlar el disparo
de la puerta de TRIACS y SCR.
Al aplicar una tensión VCC al circuito serie R-C, formado por la resistencia
variable RS y el condensador CS, dicho condensador comienza a cargarse.
Como este condensador está conectado al emisor, cuando se supere la
tensión intrínseca, el UJT entrará en conducción. Debido a que el valor
óhmico de la resistencia R1 es muy pequeño, el condensador se descargará
rápidamente, y en el terminal de B1aparecerá un impulso de tensión.
Al disminuir la corriente de descarga del condensador, sobre el emisor del
UJT, por debajo de la de mantenimiento, éste se desceba y comienza otro
nuevo ciclo de carga y descarga del condensador. Así, se consigue que en el
terminal de la base 1 aparezca una señal pulsante en forma de diente de
sierra, que puede utilizarse para controlar los tiempos de disparo de un SCR
o de un TRIAC.
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Figura 4. Generador de pulsos en diente de sierra con UJT.
2.2. El Transistor PUT

Es un tipo de tiristor y a veces se le llama “tiristor disparado por ánodo” debido
a su configuración. Al igual que el UJT, se utiliza como oscilador y base de
tiempos, pero es más flexible. A diferencia del UJT, este transistor permite
que se puedan controlar los valores de RBB y VP que en el UJT son fijos.
Figura 5. Símbolo y esquema de un PUT.
2.2.1. Circuito equivalente

Este transistor tiene dos estados:
1) De conducción (hay corriente entre A y K y la caída de voltaje es pequeña)
2) Corte cuando la corriente de A a K es muy pequeña.
Este transistor se polariza de la siguiente manera:
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Figura 6. Polarización de un PUT.
La principal diferencia entre los transistores UJT y PUT es que las

resistencias: RB1 + RB2 son resistencias internas en el UJT, mientras que en
el PUT estas resistencias están en el exterior y pueden modificarse.
2.2.2. Curva característica

La curva tensión-corriente que representa la característica de funcionamiento
del PUT:
Figura 7. Curva característica de un PUT.
Mientras la tensión Vak no alcance el valor Vp, el PUT estará abierto, por lo
cual los niveles de corriente serán muy bajos. Una vez se alcance el nivel Vp,
el dispositivo entrará en conducción presentando una baja impedancia y por
lo tanto un elevado flujo de corriente. El retiro del nivel aplicado en compuerta,
7
no llevará al dispositivo a su estado de bloqueo, es necesario que el nivel de
voltaje Vak caiga lo suficiente para reducir la corriente por debajo de un valor
de mantenimiento.
2.2.3. Aplicaciones
El PUT es utilizado también como oscilador de relajación. Si inicialmente el
condensador está descargado la tensión Vak será igual a cero. A medida que
transcurre el tiempo éste adquiere carga. Cuando se alcanza el nivel Vp de
disparo, el PUT entra en conducción y se establece una corriente Ip. Luego,
Vak tiende a cero y la corriente aumenta. A partir de este instante el
condensador empieza a descargarse y la tensión Vgk cae prácticamente a
cero. Cuando la tensión en bornes del condensador sea prácticamente cero,
el dispositivo se abre y se regresa a las condiciones iniciales.
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III. BIBLIOGRAFÍA
• http://electronika2.tripod.com/info_files/ujt.htm
• http://electronicaluismarinlel.blogspot.com/p/blog-page.html
• http://blogsoloblog.blogspot.com/2017/11/circuito-equivalente-
put.html

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“DISPARO DEL TIRISTOR CON CIRCUITOS

QUISPE APARCO, Joel Eduardo 20151198I

AREVALO MACEDO, Robinson Doiling

Figura 1. Esquema y simbología del transistor UJT.

Figura 2. Circuito equivalente del transistor UJT.

Figura 3. Curva característica de un UJT.

2.2. El Transistor PUT

Figura 5. Símbolo y esquema de un PUT.

2.2.1. Circuito equivalente

La principal diferencia entre los transistores UJT y PUT es que las

2.2.2. Curva característica

Figura 7. Curva característica de un PUT.

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