Memoria y PLD

Dpto.
de Sistemas Electrnicos y de Control
Tema VI: Memorias y Dispositivos de Lgica Programable (PLDs)

Objetivos:
1.- Conocer la funcin, caractersticas bsicas y tipos de memorias.
2.- Conocer la funcin, caractersticas principales y aplicaciones
de las memorias semiconductoras en los sistemas digitales.
3.- Reconocer los diferentes tipos de memorias semiconductoras
4.- Comprender las organizacin interna y los diagramas de tiempos
de lectura y escritura de una memoria semiconductora.
5.- Entender la informacin que proporciona el fabricante de
memorias semiconductoras en los catlogos
6.- Adquirir destreza en la realizacin del mapa de memoria de un
sistema digital.
7.- Conocer los tipos, caractersticas principales y aplicaciones de
los dispositivos lgicos programables.
Bibliografa:
Fundamentos de los Sistemas Digitales, T. Floyd. Prentice Hall.
Circuitos Electrnicos Digitales, M. Mazo y otros. Univ. Alcal.
Sistemas Digitales, A. Garca Guerra. E.T.S.I.T. U.P.M.
Indice:
0.- Introduccin
1.- Memorias
1.1.- Introduccin
1.2.- Memorias semiconductoras
1.3.- Parmetros temporales
1.4.- Expansin de memorias
1.5.- Mapa de memoria
2.- Dispositivos de Lgica Programable
2.1.- Introduccin
2.2.- Arquitectura de los PLDs
2.3.- Clasificacin
VI -0
Dpto. de Sistemas Electrnicos y de Control
Clasificacin de memorias
MEMORIAS
MAGNTICAS
Discos
PTICAS
SEMICONDUCTORAS
Cintas
Acceso secuencial
Registros de
desplazamiento
Disp. acoplados
por carga (CCD)
Acceso aleatorio
LIFO
FIFO
De lectura
y escritura
SRAM
DRAM
-Dual-Port
-Serie
-...
-VRAM
-EDORAM
-...
De slo
lectura
FLASH
ROM
PROM EPROM
EEPROM
VI -1
Memoria en un sistema digital basado en microprocesador

BUS DE DIRECCIONES (unidireccional)
Memoria de
Memoria de
Dispositivos
datos
programa
de E/S
Conexin a
circuitos
C.P.U.
exteriores
BUS DE DATOS (bidireccional)
BUS DE CONTROL
VI -2
Caractersticas de las memorias semiconductoras de acceso aleatorio

Capacidad y organizacin
N palabras x bits/palabra
Tiempo de acceso
SRAM, DRAM, FLASH: reescritura
Escritura / reprogramacin
ROM: programada en fbrica
PROM: programacin una nica vez

EPROM: programacin varias veces fuera del
equipo final (mediante luz UV)
Densidad
EEPROM: programacin en el equipo final
Coste
Volatilidad
ROM, PROM, EPROM, EEPROM, FLASH: no voltiles
Consumo
SRAM, DRAM: voltiles
VI -3
SRAM
Lnea de palabra
DRAM
Lnea de palabra
MEMORIA
Organizacin y capacidad de una memoria
Bus de direcciones
(n lneas)
(m lneas)
Bus de control
Bus de datos
Lnea de datos
Organizacin: 2n x m bits
Capacidad: 32 kbits = 32768 bits
Organizacin: 212 x 8 = 21022 x 8 = 4k x 8 bits
Ejemplo: memoria con 12 terminales de direcciones y 8 de datos
Bits/palabra: m
N de palabras: 2n
Habilitacin
Lnea de datos de
salida (lectura)
Lnea de palabra
Lnea de datos
(0 programado)
PROM
+VDD
Vcc
Lnea de datos
(1 programado)
fusible
Seleccin
Celdas bsicas de las memorias semiconductoras
WE
Lnea de datos de
entrada (escritura)
Tecnologa TTL:
Lnea de palabra
Lnea de datos
(0 almacenado)
ROM
Lnea de datos
(1 almacenado)
equivale a:
Tecnologa MOS:
VI-4
VI-5
D0
D1
D2
D3
D3
D2
D1
D0
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
Decod.
Din
Inactivo
Lectura
Lectura
Escritura
Descripcin
OE
High Z
Dout
High Z
Din
Bus Datos
(Address Inputs) Entradas de direccin

(Data Input/Output) Entradas/Salidas de datos
(Chip Select) Entrada de seleccin del chip
(Write Enable) Entrada de habilitacin de escritura
(Output Enable) Entrada de habilitacin de salida
WE
X
0
1
X
Dout
X
1
1
0
Control E/S
4.096 bits
1K x 4
MATRIZ DE CELDAS
1
0
0
0
Modos de
funcionamiento
Modo
CS
A0 - A9
D0 - D3
CS
WE
OE
Descripcin de
pinesNombre
Diagrama funcional de una memoria SRAM

A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
CS
WE
OE
CS
WE
OE
VI-6
Dato irrelevante
o desconocido
Nivel lgico bajo
Datos conocidos
Datos irrelevantes
o desconocidos
37
A2
Representacin de lneas y buses

Representacin de lneas
Nivel lgico alto
Representacin de buses
0F
Lneas del bus en estado

de alta impedancia
VI-7
Entrada de
direcciones
Salida de
datos
Entrada de
direcciones
Entrada CE
Salida de
datos
Dato previo
vlido
t RC
Direccin vlida
RC
Dato vlido
Dato vlido
AA
Ciclo de lectura
AC
Direccin vlida
Ciclo de lectura 1: R/W = 1; CE = 0
t AA
Ciclo de lectura 2: R/W = 1
NOTA: Si la memoria dispusiera de un terminal de entrada OE habra que tener en

cuenta un tercer cronograma.
VI-8
Entrada de
direcciones
Entrada CE
Entrada R/W
Entrada de
datos
Entrada de
direcciones
Entrada CE
Entrada R/W
Entrada de
datos
t DH
t DH
DS
Dato vlido
Ciclo de escritura
t WC
Direccin vlida
t WP
DS
Dato vlido
Ciclo de escritura 1: controlado por R/W
t WC
Direccin vlida
t CW
Ciclo de escritura 2: controlado por CE
VI-9
Parmetros temporales de la memoria PCD5114

(1K x 4 bit SRAM)
A.C. CHARACTERISTICS
t CLZ
t RC
t AA
t AC
t OHA
t OHC
20
200
20
20
80
200
200
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
60
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
-
t WZ
20
200
120
0
140
0
80
0
t RZ
t WC
t CW
t AS
t WP
t WR
t DS
t DH
t CHZ
symbol min. typ. max unit
VDD = 5V 0.5 V; VSS = 0V; Tamb = -25 to +70 C

parameter
Read cycle
Read cycle time
Address access time
Chip select access time
Output hold from address change
Output hold from chip select
Output to low impedance from chip
selection at CL = 5 pF
Output to high impedance from chip
deselection at CL = 5 pF
Write cycle
Write cycle time
Chip selection to end of write
Address set-up time
Write pulse duration
Write recovery time
Data set-up time
Data hold time
Output to high impedance from write
enabled at CL = 5 pF
Output active from end of write
at CL = 5 pF
VI-10
CS
R/W
IO0
IO1
IO2
IO3
PCD5114
IO0
IO1
IO2
IO3
PCD5114
CS
WE
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
CS
WE
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
2 chips PCD5114 (1k x 4)
A9
Memoria 1k x 8
D0
Bus de Datos
D7
Ampl. de la longitud de palabra de una memoria
A0
Bus de Direcciones
VI-11
R/W
A10
CS
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
Memoria 2k x 4
IO0
IO1
IO2
IO3
IO0
IO1
IO2
IO3
PCD5114
CS
WE
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
CS
WE
PCD5114
D0
Bus de Datos
D3
Ampl. del nmero de palabras de una memoria
A0
Bus de Direcciones
VI-12
S1
S2
S3
A -A
WE
1Kx4
CS
0 9
A -A
WE
1Kx4
CS
A -A9
WE
1Kx4
CS
0 9
A -A
WE
1Kx4
CS
A -A9
WE
1Kx4
CS
0 9
A -A
WE
1Kx4
CS
A -A9
WE
1Kx4
CS
0 9
WE
1Kx4
CS
A -A9
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
Bus de datos
D0
D7
Memoria 4k x 8
Ampl. del nmero de palabras y de su longitud
ENABLE
E1
E0
DECOD.
S0
CS
A11
A10
A9-A0
R/W
VI-13
Dispositivos de Lgica Programable (PLDs)

Ventajas
reemplazan a varios componentes discretos
- reduccin del n de CIs
- reduccin de espacio, conexiones, consumo...
- reduccin del coste
- aumento de fiabilidad
tienen la posibilidad de ser reprogramados

- eliminacin de errores de grabacin
- gran flexibilidad
su diseo es sencillo
- programacin a alto nivel (ecuaciones booleanas,
tablas de verdad, diagramas de estados...)
- posibilidad de simulacin
VI -14
Elementos necesarios para su programacin:
ordenador
software de programacin
programador de PLDs
VI-15
OR
Matriz
Estructura general de un PLD
AND
Matriz
ESTRUCTURA BSICA
Funcin de
salida
Salidas
Entradas
Funcin de
entrada
realimentacin
Clasificacin de PLDs
Arquitectura de una PAL

Arquitectura de una PROM
PROM (Programmable Read Only Memory)

Matriz AND fija - Matriz OR programable
PAL (Programmable Array Logic)
Matriz AND programable - Matriz OR fija
FPLA (Field-Programmable Logic Array) o PLA
Matriz AND programable - Matriz OR programable
GAL (Generic Array Logic)
Matriz AND reprogramable - Matriz OR fija - Lgica de salida programable
(combinacional-secuencial)
VI-16
VI -17

Arquitectura de una PLA
Diagrama de bloques de una GAL
OLMC: Output Logic MacroCell

(macro-clula lgica de salida)
Puede programarse en modo
combinacional o secuencial
VI -18

Ejemplo de realizacin de funciones lgicas con PROM, PAL y PLA
Funciones: F1=A; F2=AB; F3=A+B; F4=AB+AB
PROM
PAL
PLA
VI -19

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de Sistemas Electrnicos y de Control

Tema VI: Memorias y Dispositivos de Lgica Programable (PLDs)

Dpto. de Sistemas Electrnicos y de Control

Dpto. de Sistemas Electrnicos y de Control

Memoria en un sistema digital basado en microprocesador

BUS DE DATOS (bidireccional)

Dpto. de Sistemas Electrnicos y de Control

Caractersticas de las memorias semiconductoras de acceso aleatorio

SRAM, DRAM, FLASH: reescritura

ROM: programada en fbrica

PROM: programacin una nica vez

EEPROM: programacin en el equipo final

SRAM, DRAM: voltiles

Dpto. de Sistemas Electrnicos y de Control

Dpto. de Sistemas Electrnicos y de Control

Organizacin y capacidad de una memoria

Capacidad: 32 kbits = 32768 bits

Organizacin: 212 x 8 = 21022 x 8 = 4k x 8 bits

Ejemplo: memoria con 12 terminales de direcciones y 8 de datos

Celdas bsicas de las memorias semiconductoras

Dpto. de Sistemas Electrnicos y de Control

(Address Inputs) Entradas de direccin

Diagrama funcional de una memoria SRAM

Dpto. de Sistemas Electrnicos y de Control

Nivel lgico bajo

Representacin de lneas y buses

Nivel lgico alto

Lneas del bus en estado

Dpto. de Sistemas Electrnicos y de Control

Ciclo de lectura 1: R/W = 1; CE = 0

NOTA: Si la memoria dispusiera de un terminal de entrada OE habra que tener en

Dpto. de Sistemas Electrnicos y de Control

Ciclo de escritura 1: controlado por R/W

Ciclo de escritura 2: controlado por CE

Dpto. de Sistemas Electrnicos y de Control

Parmetros temporales de la memoria PCD5114

symbol min. typ. max unit

VDD = 5V 0.5 V; VSS = 0V; Tamb = -25 to +70 C

Dpto. de Sistemas Electrnicos y de Control

2 chips PCD5114 (1k x 4)

Ampl. de la longitud de palabra de una memoria

Dpto. de Sistemas Electrnicos y de Control

2 chips PCD5114 (1k x 4)

Ampl. del nmero de palabras de una memoria

Dpto. de Sistemas Electrnicos y de Control

Ampl. del nmero de palabras y de su longitud

8 chips PCD5114 (1k x 4)

Dpto. de Sistemas Electrnicos y de Control

Dispositivos de Lgica Programable (PLDs)

tienen la posibilidad de ser reprogramados

Dpto. de Sistemas Electrnicos y de Control

Dispositivos de Lgica Programable (PLDs)

Elementos necesarios para su programacin:

Dpto. de Sistemas Electrnicos y de Control

Estructura general de un PLD

Dispositivos de Lgica Programable (PLDs)

Arquitectura de una PAL

PROM (Programmable Read Only Memory)