Repblica Bolivariana de Venezuela

Ministerio del Poder Popular para la Educacin

Universitaria
Instituto Universitario de Tecnologa Antonio Jos de
Sucre
Independencia, Edo. Yaracuy

Integrante:
Carlos Jimnez

Que es un Transistor
El transistor es un dispositivo de tres terminales. Este
consiste en un material tipo p y uno tipo n; el transistor
consiste en dos materiales de tipo n separados por un
material de tipo p, lo que se conoce como transistor npn
o en dos materiales tipo p separados un material tipo n
llamado transistor pnp. Las tres capas o secciones
diferentes se identifican como emisor, base y colector. El
emisor, capa de tamao medio diseada para emitir o
inyectar electrones esta bastante contaminado. La base, con
una contaminacin media, es una capa delgada diseada para
pasar electrones. El colector, capa grande diseada para
colectar electrones, esta poco contaminado. El transistor
se puede concebir como dos uniones pn colocadas espalda
contra espalda, estos se denominan transistores bipolares
de unin (BJT, bipolar junction transistor).

Es un componente electrnico semiconductor que permite el

paso de una corriente elctrica entre sus terminales
colector y emisor, siempre que en el terminal llamado base
este presente una corriente elctrica. Cumple funciones de
amplificador,
oscilador,
conmutador
o
rectificador.
Actualmente se encuentran prcticamente en todos los
aparatos electrnicos de uso diario: radios, televisores,
reproductores de audio y video, relojes de cuarzo,
computadoras, lmparas fluorescentes, tomgrafos, telfonos
celulares, entre otros.

Transistor de contacto puntual

Llamado tambin transistor de punta de contacto, fue el
primer transistor capaz de obtener ganancia, inventado en
1947 por John Bardeen y Walter Brattain. Consta de una base
de germanio, semiconductor para entonces mejor conocido que
la combinacin cobre-xido de cobre, sobre la que se
apoyan, muy juntas, dos puntas metlicas que constituyen el
emisor y el colector. La corriente de base es capaz de
modular la resistencia que se ve en el colector, de ah el
nombre de transfer resistor. Se basa en efectos de
superficie, poco conocidos en su da. Es difcil de

fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frgil (un golpe

poda desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo convivi
con el transistor de unin (W. Shockley, 1948) debido a su
mayor ancho de banda. En la actualidad ha desaparecido.
Transistor de unin bipolar
El transistor de unin bipolar (o BJT, por sus siglas del
ingls bipolar junction transistor) se fabrica sobre un
mono cristal de material semiconductor como el germanio, el
silicio o el arseniuro de galio, cuyas cualidades son
intermedias entre las de un conductor elctrico y las de un
aislante. Sobre el sustrato de cristal se contaminan en
forma muy controlada tres zonas sucesivas, N-P-N o P-N-P,
dando lugar a dos uniones PN. Las zonas N (en las que
abundan
portadores
de
carga
Negativa)
se
obtienen
contaminando el sustrato con tomos de elementos donantes
de electrones, como el arsnico o el fsforo; mientras que
las zonas P (donde se generan portadores de carga Positiva
o huecos) se logran contaminando con tomos aceptadores
de electrones, como el indio, el aluminio o el galio. La
tres zonas contaminadas, dan como resultado transistores
PNP o NPN, donde la letra intermedia siempre corresponde a
la regin de la base, y las otras dos al emisor y al
colector que, si bien son del mismo tipo y de signo
contrario a la base, tienen diferente contaminacin entre
ellas (por lo general, el emisor est mucho ms contaminado
que
el
colector).
El
mecanismo
que
representa
el
comportamiento
semiconductor
depender
de
dichas
contaminaciones, de la geometra asociada y del tipo de
tecnologa de contaminacin (difusin gaseosa, epitaxial,
etc.) y del comportamiento cuntico de la unin.
Transistor de efecto de campo
El transistor de efecto de campo de unin (JFET), fue el
primer transistor de efecto de campo en la prctica. Lo
forma una barra de material semiconductor de silicio de
tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un
contacto hmico, tenemos as un transistor de efecto de
campo tipo N de la forma ms bsica. Si se difunden dos
regiones P en una barra de material N y se conectan
externamente entre s, se producir una puerta. A uno de
estos contactos le llamaremos surtidor y al otro drenador.
Aplicando tensin positiva entre el drenador y el surtidor
y conectando la puerta al surtidor, estableceremos una
corriente, a la que llamaremos corriente de drenador con
polarizacin cero. Con un potencial negativo de puerta al
que
llamamos
tensin
de
estrangulamiento,
cesa
la
conduccin en el canal. El transistor de efecto de campo, o

FET por sus siglas en ingls, que controla la corriente en

funcin de una tensin; tienen alta impedancia de entrada.
Transistor de
efecto de
campo de
unin, JFET,
construido mediante una unin PN.
Transistor de efecto de campo de compuerta aislada,
IGFET, en el que la compuerta se asla del canal
mediante un dielctrico.
Transistor
de
efecto
de
campo
MOS, MOSFET,
donde MOS significa Metal-xido-Semiconductor, en este
caso la compuerta es metlica y est separada del
canal semiconductor por una capa de xido.
Fototransistor
Los
fototransistores
son
sensibles
a
la radiacin
electromagntica en
frecuencias
cercanas
a
la
de
la luz visible; debido a esto su flujo de corriente puede
ser
regulado
por
medio
de
la
luz
incidente.
Un
fototransistor es, en esencia, lo mismo que un transistor
normal, slo que puede trabajar de 2 maneras diferentes:
Como un transistor normal con la corriente de base
(IB) (modo comn);
Como fototransistor, cuando la luz que incide en este
elemento hace las veces de corriente de base. (IP)
(modo de iluminacin).
Transistor BJT y cules son sus parmetros
El transistor bipolar es el ms comn de los transistores,
y como los diodos, puede ser de germanio o silicio. Existen
dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la direccin del
flujo de la corriente en cada caso, lo indica la flecha que
se ve en el grfico de cada tipo de transistor. El
transistor es un dispositivo de 3 patillas con los
siguientes nombres: base (B), colector (C) y emisor (E),
coincidiendo siempre, el emisor, con la patilla que tiene
la flecha en el grfico de transistor.
El transistor es un amplificador de corriente, esto quiere
decir que si le introducimos una cantidad de corriente por
una de sus patillas (base), el entregar por otra (emisor),
una cantidad mayor a sta, en un factor que se llama
amplificacin. Este factor se llama b (beta) y es un dato
propio de cada transistor. Entonces:

Parmetro : El parmetro de un transistor indica la

relacin de semejanza que se produce en la corriente de
colector y las variaciones de las corrientes del emisor.
As por ejemplo, en el caso de que en un transistor se haya
medido una variacin de la corriente de colector de 7.92
mA, entre dos puntos de funcionamiento, y una variacin de
8 mA en la corriente de emisor, tendremos que:
Dado que la corriente de base, suele ser muy pequea, en la
mayor parte de los transistores el valor del parmetro se
acerca a la unidad.
Ganancia de corriente o parmetro de un transistor: La
circunstancia de que una pequea corriente de base controle
las corrientes de emisor y colector mucho ms elevadas,
indica la capacidad que posee un transistor para conseguir
una ganancia de corriente. As, la ganancia de corriente de
un transistor es la relacin que existe entre la variacin
o incremento de la corriente de colector y la variacin de
la corriente base.

As, por ejemplo, en el caso de que en un transistor se

obtenga una variacin de corriente de colector de 8 mA y de
0.08 mA en la corriente de base, la ganancia ser:

La ganancia de corriente de los transistores comerciales

vara bastante de unos a otros. As, nos podemos encontrar
transistores de potencia que poseen una de tan slo 20.
Por otro lado, los transistores de pequea seal pueden
llegar a tener una de 400. Por todo ello, se pueden
considerar qe los valores normales de este parmetro se
encuentran
entre
50
y
300.
En
las
tablas
de
especificaciones tcnicas, que facilitan los fabricantes de
transistores, en vez de utilizarse la para identificar la
ganancia de corriente, se suele utilizar hFE. As por
ejemplo, para el transistor de referencia BC108 se lee en
sus hojas de caractersticas, una hFE entre 150 y 290; lo
que nos indica que la ganancia de corriente de este
transistor, puede encontrarse entre estos valores.
Para poder cuantificar este fenmeno, los fabricantes de
transistores proporcionan, en las hojas de especificaciones
tcnicas, curvas de ganancia de corriente, donde se
relacionan las variaciones que sufre con respecto a la
corriente de colector y a la temperatura ambiente. En estas

curvas, se puede apreciar cmo la ganancia de corriente

aumenta hasta un valor mximo mientras la corriente de
colector aumenta; sobrepasado ese lmite, para mayores
valores de dicha corriente, la ganancia decrece. Tambin,
se hace observar la existencia de tres curvas distintas,
que indican
diferentes condiciones
de trabajo
para
diferentes temperaturas ambiente. Cuando se disea un
circuito con transistores hay que tener en cuenta estas
variaciones de la ganancia de corriente, de lo contrario se
podran cometer errores sustanciales, que invalidaran las
condiciones de trabajo requeridas por el diseo inicial.
Relacin entre los parmetros y : Combinando las
expresiones de los parmetros anteriores: = IC/IE y =
IC/IB y teniendo en cuenta la relacin existente entre las
diferentes corrientes que se dan en el transistor I E =
IC+IB, se pueden encontrar las expresiones matemticas que
relacionen ambos parmetros, tal como se indica a
continuacin.

As, por ejemplo, para determinar el parmetro de un

transistor que tuviese una ganancia de corriente de 150,
operaramos as:

Tensiones de ruptura: Al igual que ocurra con los diodos,

cuando se polariza inversamente cualquiera de las uniones
de un transistor aparecen pequeas corrientes inversas, que
no provocarn la ruptura de dichas uniones si la tensin
que se aplica no supera los valores mximos fijados en las
hojas de especificaciones tcnicas.
A. Tensin
abierto

inversa

colector-base

(VCBO)

con

el

emisor

En este caso, la unin formada por la base y el colector

estn polarizadas inversamente con la tensin V CB. Como
ocurra con los diodos, esto provoca la circulacin de una
pequea corriente de fuga (ICBO) que no ser peligrosa hasta
que no se alcance la tensin de ruptura de la unin.
Normalmente esta tensin suele ser elevada (del orden de 20
a 300 V). Nunca deber trabajarse, por supuesto, con una
tensin superior a la indicada por el fabricante en sus
hojas tcnicas. Este dato suele aparecer indicado con las
siglas VCBO.

B. Tensin inversa colector-emisor con la base abierta

En este otro caso, se ha abierto la base, por tanto, se
aplica una tensin entre el colector y el emisor que es
igual a la suma de las tensiones de las fuentes de emisor a
colector. Esta fuerte diferencia de potencial provoca un
pequeo flujo de electrones que emite el emisor y que se
sienten fuertemente atrados por el potencial positivo de
la fuente. El resultado es una pequea corriente de fuga de
emisor a colector ICEO. Al igual que ocurra anteriormente,
el valor de esta corriente est determinado por la tensin
colector-base (VCEO) aplicada. En las hojas tcnicas tambin
aparece la tensin mxima de funcionamiento (VCEO) que en
ningn caso debe ser superada, para evitar el peligro de
destruccin del semiconductor. As, por ejemplo, para el
transistor BC 108, en las hojas de especificaciones
tcnicas aparecen los siguientes valores para las tensiones
de ruptura: VCBO = 30V y VCEO = 20V, lo que significa que
este
transistor
nunca
deber
operar
con
tensiones
superiores a estos valores especificados.

Resistencia de entrada
Se podra decir que la resistencia de entrada de un
transistor es la que presenta ste, visto desde los bornes
de entrada. Al observar la caracterstica de transferencia
del transistor, representada en la figura de abajo, se
puede ver que la intensidad de base aumenta con la tensin
base-emisor.

Pues bien, a la relacin existente entre las variaciones de

tensin base-emisor y las de la corriente de base, que se
corresponden con la tensin y la corriente de entrada, se
la denomina resistencia de entrada, es decir:

Para realizar el clculo de la resistencia de entrada nos

valdremos de la curva caracterstica de transferencia.
Cul es la Regin de Operacin de un BJT
La regin activa directa
Corresponde a una polarizacin directa de la unin emisorbase. Esta es la regin de operacin normal del transistor
para
amplificacin.
La
corriente
de
colector
es
proporcional a la corriente de base
Centrando la atencin en la
recombinacin
de
los
electrones
en
la
base
procedentes
del
emisor
podemos observar que all
donde haba un hueco pasa a
haber,
tras
la
recombinacin,
un
in
negativo
inmvil.
Si
desaparecen los huecos de
la base y se llena de iones
negativos, se carga negativamente, y se repelen los
electrones procedentes del emisor. En este caso se
impedira la circulacin de la corriente, es decir, es
necesario que la corriente de base reponga huecos para que
haya corriente de colector.

Por
tanto,
por
cada
electrn
recambiado hay que introducir un
hueco nuevo que neutralice la carga
negativa. Si la reposicin de huecos
es lenta (corriente IB pequea) la
capacidad de inyectar electrones ser
baja,
debido
a
la
repulsin
elctrica. Este fenmeno tiene la
propiedad
de
ser
aproximadamente
lineal,
con
lo
que
se
puede
establecer que:
En
donde
es
un
coeficiente
adimensional,
denominada
ganancia
directa de
corriente,
o
bien ganancia
esttica de
corriente. Por lo tanto, los electrones inyectados desde el
emisor a la base, atrados por el potencial positivo
aplicado al colector, pueden atravesar la unin BC, y dar
origen a la corriente de colector I C. Mediante el emisor,
se inunda la base de electrones, aumenta drsticamente el
nmero de portadores minoritarios del diodo base-colector,
con lo que su corriente inversa aumenta tambin
Regin activa inversa
Corresponde a una polarizacin inversa de la unin emisorbase y a una polarizacin directa de la unin colectorbase. Esta regin es usada raramente.
Regin de corte
Corresponde a una polarizacin inversa de ambas uniones. La
operacin en sta regin corresponde a aplicaciones de
conmutacin en el modo aplicaciones de conmutacin en el
modo apagado, pues el transistor acta como un interruptor
abierto (IC 0).
En este caso las dos uniones
estn polarizadas en inversa,
por lo que existen zonas de
deplecin en torno a las uniones
BE y BC. En estas zonas no hay
portadores de carga mviles, por
lo tanto, no puede establecerse
ninguna
corriente
de
mayoritarios.
Los
portadores
minoritarios s pueden atravesar
las
uniones
polarizadas
en
inversa, pero dan lugar a corrientes muy dbiles. Por lo
tanto, un transistor en corte equivale a efectos prcticos,
a un circuito abierto.

Regin de saturacin
Corresponde
a
una
polarizacin
directa
de
ambas
uniones.
La
operacin
den
esta
regin
corresponde
a
aplicaciones
de
conmutacin en el modo encendido,
pues el transistor acta como un
interruptor cerrado (VCE 0).
Cules son las configuraciones para un BJT
Emisor comn
El amplificador emisor comn, se llama
as porque las corrientes de base y de
colector se combinan en el emisor.

Colector comn
Su salida se toma de emisor a tierra
en vez de tomarla de colector a
tierra, como en el caso del EC. Este
tipo
de
configuracin
para
el
amplificador se utiliza para obtener
ganancia de corriente y ganancia de
potencia. La seal de salida esta en fase con la seal de
entrada. El amplificador tiene una ganancia de tensin
ligeramente menor que uno. Por otro lado, la ganancia de
corriente es significativamente mayor que uno.
Base comun

La seal se aplica al emisor del

transistor
y
se
extrae
por
el
colector. La base se conecta a las
masas tanto de la seal de entrada
como a
la de
salida. En
esta
configuracin se tiene ganancia slo
de tensin. La impedancia de entrada
es baja y la ganancia de corriente
algo menor que uno, debido a que
parte de la corriente de emisor sale
por la base. Si aadimos una resistencia de emisor, que
puede ser la propia impedancia de salida de la fuente de
seal, un anlisis similar al realizado en el caso de
emisor
comn,
nos
da
la
ganancia
aproximada
siguiente: