UNIVERSIDAD CATÓLICA SANTA MARÍA

FACULTAD DE CIENCIAS E INGENIERÍAS FÍSICAS Y FORMALES

PROGRAMA PROFESIONAL DE INGENIERIA MECANICA,

MECANICA-ELECTRICA Y MECATRONICA

CIRCUITOS ELECTRÓNICOS (Practicas)

LAB 5: Transistor BJT
PROFESOR:
Ing. Juan Cáceres Huamán
ALUMNO:
Castro Salazar José Carlos
Miovich Mogrovejo, Jorge
GRUPO: 05
HORARIO:
28/05/18/ 12:00- 14:00 p.m.

AREQUIPA – PERÚ
2018
 OBJETIVOS
Determinar los parámetros eléctricos de conductividad de un transistor.
Determinar las características físicas y eléctricas de un transistor BJT
Analizar las características de
transistores BJT Calcular la
curva de los transistores BJT

MARCO TEÓRICO

El transistor bipolar es el más común de los transistores, y como los diodos, puede
ser de germanio o silicio. Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la
dirección del flujo de la corriente en cada caso, lo indica la flecha que se ve en el
gráfico de cada tipo de transistor.

El transistor es un dispositivo de 3 patillas con los siguientes nombres: base (B),

colector (C) y emisor
(E), coincidiendo siempre, el emisor, con la patilla que tiene la flecha en el gráfico de
transistor.

Transistor NPN Transistor PNP

El transistor es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si le introducimos

una cantidad de corriente por una de sus patillas (base), el entregará por otra
(emisor), una cantidad mayor a ésta, en un factor que se llama amplificación. Este
factor se llama b (beta) y es un dato propio de cada transistor.
Entonces:

• Ic (corriente que pasa por la patilla colector) es igual a b (factor de

amplificación) por Ib (corriente que pasa por la patilla base).
• Ic = β * Ib
• Ie (corriente que pasa por la patilla emisor) es del mismo valor que Ic, sólo
que, la corriente en un caso entra al transistor y en el otro caso sale de el,
o viceversa.

Según la fórmula anterior las corrientes no dependen del voltaje que alimenta
el circuito (Vcc), pero en la realidad si lo hace y la corriente Ib cambia ligeramente cuando se
cambia Vcc. Ver figura 1.
 En el segundo gráfico las corrientes de base (Ib) son ejemplos para poder entender
que a más corriente la curva es más alta

Regiones operativas del transistor

Región de corte: Un transistor esta en corte cuando:
corriente de colector = corriente de emisor = 0, (Ic = Ie = 0)
En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de
alimentación del circuito. (como no hay corriente circulando, no hay caída de voltaje,
Ley de Ohm). Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base = 0
(Ib =0)

Región de saturación: Un transistor está saturado

cuando: corriente de colector = corriente de emisor =
corriente máxima, (Ic = Ie = I máxima)
En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentación del circuito
y de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos, ley de Ohm.
Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base es lo suficientemente
grande como para inducir una corriente de colector β veces más grande. (recordar que
Ic = β * Ib)

Región activa: Cuando un transistor no está ni en su región de saturación ni en la

región de corte entonces está en una región intermedia, la región activa. En esta
región la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base
(Ib), de β (ganancia de corriente de un amplificador, es un dato del fabricante) y de
las resistencias que hayan conectadas en el colector y emisor). Esta región es la
mas importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un amplificador.

CUESTIONARIO PREVIO
1. ¿Qué tipos de transistores existen según su tecnología de fabricación?
Explique.

- Transistor bipolar - Un transistor de unión bipolar (BJT) es un dispositivo

electrónico de tres terminales hecho de material semiconductor dopado y
puede ser utilizado en aplicaciones de amplificación o conmutación. Los
transistores bipolares son llamados así porque su operación involucra
tanto electrones como agujeros. Un transistor bipolar tendrá terminales
etiquetados: emisor, colector, base. Una pequeña corriente en el terminal
base (pasando de la base al emisor) puede modificar o conmutar una
corriente mucho mayor entre los terminales del colector y el emisor.
- Darlington Transistor - El Darlington Transistor es en realidad dos
transistores bipolares, conectados de tal manera que la corriente
amplificada por el primer transistor es amplificada aún más por el
segundo. Este modelo ofrece una ganancia de corriente del emisor común
más alta que si ambos tipos de transistores están separados e incluso
pueden ocupar menos espacio porque ambos transistores pueden
compartir un colector.
- IGBT Transistor - Un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) es un
dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales que se utiliza
normalmente como interruptor electrónico. Los IGBT's son tipos de
transistores capaces de conmutar la energía eléctrica en muchos
aparatos modernos como coches eléctricos, trenes, refrigeradores de
 velocidad variable, aire acondicionado e incluso sistemas estéreo con
amplificadores de conmutación.
- Transistor MOSFET - Un transistor de campo-metal-oxido-semiconductor
(MOFET) se utiliza en los circuitos integrados para controlar la
conductividad de un canal. Los MOSFET dependen en gran medida de
las cargas negativas y positivas. Tienen muchos propósitos, incluyendo
limitar los niveles de potencia de un dispositivo, almacenar datos y ser
usados como conmutadores para una amplia variedad de dispositivos
electrónicos.

2. ¿Qué materiales se utilizan en la fabricación de transistores? Indique sus

características.

Se utilizan materiales semiconductores de tipo “P” y de tipo “N”, el principio

de funcionamiento de ambos en realidad es el mismo, solo que opuesto. Su
principal característica es que por el hecho de estar dopados, ambos son
propensos a ganar o perder electrones, esto produce un flujo de corriente.
Cuando están unidos, suceden ciertos fenómenos, entre estos una barrera
que no deja pasar la corriente, lo que produce el fenómeno de no conducción
delos diodos, en el caso de los transistores como tienen dos tipos de
polarización, hace que la corriente en el colector sea mucho más grande que
en la base, dado que existe una gran cantidad de electrones libres y la base
solo capta algunos.

3. ¿Qué curvas características nos permiten explicar el funcionamiento del

transistor?

La recta de carga, que es el rango de funcionamiento en el cual puede

encontrarse el transistor, está dada por la ley de mallas cuando se aplica
sobre la malla del colector, reemplazando valores tenemos límite para el
funcionamiento del transistor, junto con las curvas de corriente del colector,
forman el punto de trabajo del transistor y describen por lo tanto su entero
funcionamiento.

4. ¿En su estructura, en qué se diferencian los transistores PNP y NPN?

Los transistores NPN son los que al igual que los PNP están conformados por
3 tipos de materiales semiconductores dopados de impurezas,
estructuralmente se diferencian en que uno tiene dos de material tipo n y uno
de tipo p (NPN), mientras que el otro es todo lo contrario. Esto lo único que
tiene como consecuencia es el hecho de que la corriente para que pueda ser
polarizada tendrá que tomar una dirección contraria a la que tomaría con el
otro transistor.
PROTOBOARD:
Un protoboard o también llamado Tabla de pruebas, es una herramienta indispensable para
un electrónico, tanto asi que cuando se inicie en la carrera en los 3 primeros semestres ya
tendrás por lo menos 1 protoboard y cuando llegues a séptimo tendrás entre 4 y 7 de estas
herramientas, como su nombre lo indica su función principal es hacer pruebas del
funcionamiento de los diferentes circuitos electrónicos que creamos.

Los protoboard son pequeñas tablas con perforaciones en toda su área, en las cuales se
colocan diversos componentes electrónicos, se distinguen por tener filas y columnas con lo
que se puede saber en que ubicación posicionar cada pieza, también cuentan con 2 rieles
a los lados, los cuales se usaran como las lineas Positivas y Negativas de nuestro circuito.

La línea azul siempre Sera negativo, también llamada: tierra

Por otro lado, la línea roja siempre será positivo, también llamado corriente (por algunos)

EQUIPOS Y MATERIALES
 Protoboard
 Resistencias
 Transistor BC548
 Miliamperímetro DC
 Voltímetro DC
 Fuente DC

PROCEDIMIENTO

Identificación del transistor

Identifique los terminales del transistor BJT

 Seleccione la escala de prueba de Diodos en el DMM

Conectar los terminales del DMM con el transistor de acuerdo a la tabla 1. Registrar la
lectura del DMM.
Tabla 1.
Terminal Rojo (+) Terminal Negro (-) Lectura del DMM
1 2 OL
2 1 0.789
1 3 OL
3 1 OL
2 3 0.784
3 2 OL

Identificar las características del

Transistor en la siguiente tabla
Tabla 2.
Terminal BASE 2
Terminal COLECTOR 1
Terminal EMISOR 3
Tipo del Transistor npn
Material del Transistor silicio
Esquema
Vref
+V

Rc1

Rb1

Rc2

T1
Rb2

1. Mediante el multímetro, obtenga las siguientes características del transistor:

deducción del tipo de transistor
(NPN o PNP en los BJT), configuración de cada patilla y (hFE).

2. Para ello, encontrar cuál es la situación de los diodos y su polaridad. Una vez
conocida la correspondencia de cada patilla, colocar adecuadamente en el multímetro
para medir en el caso de un BJT. De esta forma se puede deducir si se trata de un
PNP, de un NPN si son BJTs.

3. Utilizando la hoja de datos analizar las siguientes características del transistor: tipo de
transistor,
Configuración de cada patilla, potencia máxima, VCE máxima, IC máxima, (hFE) y
frecuencia de corte.
 4. En el circuito, T1= BC548B; Vref= 15V; Rb1= 4.7K ; Rb2 = 5M ; Rc1= 100 y Rc2 =
10K . Se requiere ajustar Rb2 de tal manera que IB alcance los 25uA. A continuación
se varía Rc2 de forma de VCE sea 0V, 0.5V, 1V y 1.5 V midiendo en los distintos
casos la corriente IC.

Ib = 25uA Ic = 1.69mA 7.65mA 7.82mA 7.9 mA

Ib = 50uA Ic = 1.69 mA 13.39 mA 14.86 mA 15.01 mA
Ib = 75uA Ic = 2.8 mA 17.8 mA 21.1 mA 21.9 mA
Ib = 125uA Ic = 2.86 mA 25.0 mA 29.3 mA 32.9 mA

5. Grafique Vce vs Ic.

6. Obtener las lecturas de VCE, IB, e IC empleando el multímetro, repitiendo el proceso

para IB igual a 50uA, 75uA y 125uA. Grafique Vce vs Ic para cada caso.

Características del Colector

a. Construya el circuito de la fig 2.

b. Fijar el voltaje VRB a 3.3V variando el potenciómetro de 1M. Esto fijará IB = VRB/RB a
10 A como se indica en la Tabla 3.

c. Luego fijar VCE a 2V variando el potenciómetro de 5K como se indica en la primera

línea de la Tabla 3.

d. Registre el voltaje VRC y VBE en la Tabla 3.

e. Variar el potenciómetro de 5K parta incrementar VCE de 2 V hasta los valores que

aparecen en la Tabla 3. Notar que IB es mantenida a 10 A en los diferentes niveles de
VCE.

f. Para cada valor de VCE mida y registre VRC y VBE. Use la escala de mV para VBE.

g. Repita los pasos B hasta F para todos los valores indicados en la Tabla 3. Cada valor
de VRB establecerá un nivel diferente de IB para la secuencia de valores de VCE.

h. Después de haber obtenido todos los datos, calcule el valor de I C = VRC / VC y el valor
de IE = Ic + IB. Use los valores medidos de Rc.
i.
Usando los datos de la Tabla 3, dibuje la curva característica del transistor en la fig. 3 La
curva es IC vs. VCE para los diferentes valores de IB Seleccionar una escala adecuada
para Ic e indique cada valor de IB.
 Tabla 3
VRB (V) IB (μA) VCE (V) VRC (V) IC (mA) VBE (V) IE (mA) α β
(medido) (calculado) (medido) (medido) (calculado) (medido) (calculado) (calculado) (calculado)
3.3 10 2 2.40 1.2 0.68 11.2 0.10714 0.12
3.3 10 4 2.42 0.605 0.68 10.605 0.057 0.0605
3.3 10 6 2.46 0.41 0.68 1.41 0.0394 0.041
3.3 10 8 2.50 0.3125 0.68 10.3125 0.0303 0.03125
3.3 10 10 2.54 0.254 0.67 10.254 0.02477 0.0254
3.3 10 12 2.58 0.215 0.67 10.215 0.02105 0.0215
3.3 10 14 2.62 0.1871 0.67 10.1871 0.01837 0.01871
3.3 10 16 2.66 0.0578 0.66 10.0578 0.00575 0.00578

6.6 20 2 5.13 2.565 0.69 22.565 0.11367 0.72825

6.6 20 4 5.23 1.3075 0.69 21.3075 0.06136 0.0637
6.6 20 6 5.37 0.895 0.69 20.895 0.0428 0.04475
6.6 20 8 5.49 0.68625 0.68 20.68625 0.0332 0.03481
6.6 20 10 5.62 0.562 0.68 20.562 0.02733 0.0281
6.6 20 12 5.75 0.4792 0.67 20.4792 0.0234 0.02396
6.6 20 14 5.89 0.4207 0.66 20.4207 0.0206 0.021085

9.9 30 2 7.51 3.755 0.70 33.755 0.11124 0.1252

9.9 30 4 7.67 1.9175 0.70 31.9175 0.06 0.0639
9.9 30 6 7.90 1.3167 0.69 31.3167 0.0420 0.04380
9.9 30 8 8.13 1.01625 0.68 31.01625 0.0328 0.0328
9.9 30 10 8.41 0.841 0.67 30.841 0.0273 0.0280

13.2 40 2 10.44 5.22 0.71 45.22 0.1154 0.1305

13.2 40 4 10.78 2.695 0.70 42.695 0.0631 0.0674
13.2 40 6 11.26 1.8767 0.69 41.8767 0.0448 0.0469
13.2 40 8 11.85 1.481 068 41.481 0.0357 0.037

16.5 50 2 12.44 6.22 0.70 56.22 0.1106 01244

16.5 50 4 12.74 3.185 0.70 53.115 0.0599 0.0637
16.5 50 6 13.47 2.245 0.68 52.254 0.0429 0.0449
16.5 50 8

Variación de α y β
Para cada línea de la Tabla 3 Calcule los niveles correspondientes de α y β usando las
siguientes ecuaciones:

𝛂 = 𝐼𝑐 /𝐼𝐸

β = 𝐼𝑐/𝐼𝐵
 CUESTIONARIO FINAL

1. La gráfica Vce vs Ic, ¿qué características tiene?, ¿las intersecciones con

el eje ‘x’ i ‘y’ qué representan?
La grafica está conformada por una recta característica llamada la recta de carga que
interseca en los ejes “x” y “y” cuando el voltaje de colector emisor es el mismo que el
de colector y la corriente de colector es igual al voltaje de colector sobre la resistencia
de colector. Por otro lado esta recta siempre encuentra un punto de intersección con la
corriente de colector, en este caso llamado punto de trabajo, este punto como se
puede ver en la gráfica depende la corriente que proporcionado a la base.
2. ¿Qué diferencias encuentra entre las gráficas para 25, 50, 75 y 125 uA?
Todas tienen puntos de trabajo distintos, el voltaje de emisor colector va cambiando
conforme cambia también la corriente de la base y de manera lineal, esto quiere decir
que el beta será constante. Sin embargo todos intersecan a la recta de carga y están
dentro de los rangos de los voltajes y las corrientes tanto de saturación como en corte.

3. ¿Cuándo se dice que un transistor está en corte?, ¿se da esta caso en la

práctica?
Se dice que un transistor está en corte cuando idealmente la corriente en el colector es
0, esto implica por lo tanto que la corriente de la base también sea 0 como
consecuencia el transistor no se polariza, por lo que entra en corte y el voltaje colector
emisor es como si fuera un circuito abierto, esto quiere decir que el voltaje de salida
seria el voltaje del colector con tierra.
En la práctica esta situación es dable cuando la corriente de la base es 0, sin embargo
la corriente de la base no podrá llegar a este valor en tanto el voltaje de colector no
tienda a 0 también.
4. Cuándo se dice que un transistor está en saturación, ¿se logra en la
práctica?
Se dice que un transistor esta en saturación cuando la corriente del colector es
exactamente el voltaje del colector entra la resistencia de este, este fenómeno se da
cuando el puente entre el colector y emisor se comporta como si fuera un circuito
cerrado, esto quiere decir que la diferencia de voltaje entre ellos seria idealmente 0,
haciendo que la corriente del emisor por lo tanto sea máxima también.
En la práctica esto no se da por la simple composición del transistor, ya que su
configuración es como si fueran dos diodos y cuando están polarizados en directa
exigen una caída de voltaje entre el colector y el emisor, en este caso 0.7V. El voltaje
nunca podrá ser el voltaje real del colector.
5. Indique la relación entre Ic e Ib que encontró en la práctica.
Es la relación del beta, es una constante que en este caso cambia según el voltaje
colector emisor, esto sucede porque son distintos por las características que toma el
circuito y además por los mismos errores de medición en los aparatos así como las
pérdidas en el circuito.
CONCLUSIONES

- Hemos podido verificar las polaridades de los transistores PNP y NPN,

tanto así como la diferencia entre su funcionamiento.
- Gracias al experimento, tenemos una idea aproximada de la ganancia o el
beta en un transistor, y como es que funciona además de por qué se
utiliza este parámetro al momento de los cálculos.
- El experimento ha sido llevado acabo con éxito y los errores porcentuales
han sido insignificanticos, y dicho esto tenemos parámetros a tener en
cuenta en el cálculo teórico de los circuitos con transistores.
- Mediante esta práctica se ha observado el rol que tiene un transistor
como amplificador de una corriente alterna, dando valores de voltaje
elevados a la salida.
- Concluimos por último que siempre debemos analizar el datasheet del
transistor para analizar sus ganancias y parámetros con los que trabaja.
OBSERVACIONES
- Pudimos ver como se conectaba los cables, resistencias y el transistor en
el Protoboard conectando los cables de diferentes formas.
- Pudimos observar el positivo y el negativo del transistor y como iba
conectado al Protoboard.
- Armamos el circuito que nos dieron para hacer el experimento.
- Identificamos si el transistor usado era de forma NPN o PNP gracias al
método enseñado en clase usando el multímetro.
- Pudimos ver q en los datos de la tabla el último dato no daba
concordancia con los datos anteriores así que decidimos que no se
rellenaría ese dato que estaba erróneo.
RECOMENDACIONES
Antes de realizar el experimento es necesario saber teóricamente como es un
transistor y sus partes además de saber que transistor se va a utilizar en la práctica y
tener las herramientas necesarias para que el trabajo resulte exitoso.