Centro de Enseanza Tcnica y Superior

Ingeniera Ciberntica Electrnica

Diseo de Circuitos Integrados Analgicos y Digitales

Compilacin de Contenido Terico del Curso de Circuitos

Integrados Analgicos y Digitales

Waltercesar Ponce Echagaray

Matrcula: 24787
Mexicali, Baja California a 5 de Enero del 2015

Introduccin
El siguiente documento es un compendio del contenido terico del curso de diseo de circuitos
integrados analgicos y digitales, basado en la documentacin y referencia de Donald A
Neamen, de su libro en ingls Dispositivos y Fsica de Semiconductores de la editorial McGraw
Hill.
Se busca como objetivo principal el dominio del tema de diseo y la comprensin de la
fabricacin de materiales semiconductores. Para ello es necesario conocer a las mentes que
desarrollaron tan increbles tesis y experimentos que dieron origen a la tecnologa moderna.
Posteriormente, es necesario comprender la base elemental, tanto fsica como qumica de los
materiales semiconductores que tanto son utilizados hoy en da. Por ltimo, la aplicacin de
estos conceptos en la fabricacin de componentes pilares en los aparatos y tecnologa
compleja actual para entender su funcionamiento.
Nuestra tecnologa, nuestras mquinas, es parte de nuestra humanidad. Las hemos creado
para extendernos, y eso es lo que hace nicos a los seres humanos. (Kurzweil, 2010).

Contenido

Introduccin............................................................................................................................... 2
Contenido................................................................................................................................... 3
Historia de los Dispositivos Semiconductores.......................................................................4
Captulo 1. La Estructura Cristalina de los Slidos................................................................6
Captulo 2. Introduccin a la Mecnica Cuntica....................................................................9
Captulo 3. Introduccin a la Teora Cuntica de Slidos.....................................................11
Captulo 4. El Semiconductor en Equilibrio...........................................................................14
Captulo 5. El Fenmeno de Transporte de Portadores........................................................22
Captulo 7. La Unin PN.......................................................................................................... 24
Captulo 8. El Diodo de Unin PN...........................................................................................29
Captulo 10. El Transistor Bipolar...........................................................................................32

Historia de los Dispositivos Semiconductores

Inventado en los Laboratorios Bell entre 1945 y 1948, muchos consideran al transistor
ser una de las ms importantes invenciones en la tecnologa del siglo XX. La historia del primer
transistor funcional cubre el poder que laboratorios industriales modernos tenan que tener para
coordinar descubrimientos cientficos en la persecucin de epifanas tecnolgicas. Sin
embargo, la historia de los dispositivos semiconductores, no empieza ah. Es en verdad
sorprendente la cantidad de personas que decidieron dedicar su vida a la investigacin de lo
que ahora es la electrnica moderna.
A pesar de que el tubo de rayos catdicos de Karl Braun (1847) y el rectificador de tubo
de vaco de Ambrose Fleming (1904) marcaron el principio de la era electrnica, el trodo de
Lee de Forest (un amplificador basado en el tubo de vaco de Fleming), fue en realidad el
responsable e impulsar la tecnologa electrnica adelante. Con amplificacin, las
comunicaciones de radio florecieron y la telefona a larga distancia se convirti en una realidad.
El gran xito del trodo, por otra parte, trajo limitaciones a larga distancia. Era un
dispositivo muy frgil que consuma muchsimo poder. Se necesitaba otro tipo de tecnologa
que facilitara la operacin.
En 1906, Greenleaf Whittier Pickard, un pionero en el rea de radio comunicaciones
patento un detector de contacto de Silicio, ya que decidi realizar investigaciones en el rea
inalmbrica. Este fue paulatinamente el primer concepto de diodo, sin embargo era algo
inestable y muchas compaas decidan seguir utilizando los tubos de vaco. Para 1907 George
W. Pierce, un fsico americano, public un papel donde mostraba las capacidades de
rectificacin de diodos mediante el chisporroteo de varios metales con un material
semiconductor. Adems, en 1926, Julius Edgar Lilienfeld desarrollar un remplazo de estado
slido para el trodo termoinico, patent documentacin pionera sobre los transistores de
efecto de campo de hoy en da.
Se debe de establecer que el mundo se encontraba en una situacin muy polmica, ya
que los tiempos de la primera y segunda guerra mundial exigan una demanda increble de
tecnologa para estar frente al oponente, creando una enorme competencia. Fue la necesidad
de mejor tecnologa de radar lo que impuls el desarrollo de tecnologa semiconductora.
En 1935, rectificadores de selenio y de diodos de contacto de silicio estaban disponibles
para ser utilizados como detectores de radio. Para 1939 la teora correcta del transistor de
efecto de campo utilizando una compuerta metal/semiconductora fue postulada por William
Shockley.
En 1942, Hans Bethe, mejor conocido por su trabajo en el desarrollo de las bombas
nucleares de Nagasaki, y su trabajo en nucleosntesis estelar, desarroll la teora de emisin
termoinica. Donde la corriente es determinada por el proceso de emisin de electrones dentro
del metal en lugar que por desvo o difusin.
De esta manera, para 1947 aproximadamente, William Shockley, John Bardeen y Walter
Brattain desarrollaron el primer transistor de laboratorios Bell, un transistor de contacto. Sin
embargo fue Shockley el que estableci el transistor comercial hoy conocido como de unin
bipolar.

Para 1949, los transistores permitieron el desarrollo exponencial de la tecnologa. Para

ese entonces se haba cambiado la utilizacin de tecnologa policristalina a de un solo cristal.
Cuando se cambi el proceso de fabricacin a difusn en 1957, ya se podan fabricar
transistores en una sola rebanada de silicio o germanio, lo que permita un mayor control de las
caractersticas del transistor y ceda a dispositivos de ms alta frecuencia.
Un ao despus Jack Kilby de Texas Instruments, mostr el primer circuito integrado en
germanio. De la misma manera, Robert Noyce de Farichild Corporation mostr uno de silicio.
Esto revolucion la electrnica por completo y para 1960 ya se tena tecnologa MOS de
transistores a esa escala.
Actualmente tenemos procesadores con la integridad de ms de 4 billones de
transistores, en reas de 22 nanmetros cuadrados. Esto permite el desarrollo de tecnologa
tan compleja que lleva a soluciones ilimitadas. A continuacin, se mostrar y desarrollara la
teora para entender el funcionamiento de estos dispositivos.

Captulo 1. La Estructura Cristalina de los Slidos.

1. Qu es un semiconductor?
Se le conoce como semiconductor al material que tienen las propiedades
conductivas de conductores e aislantes.
2. Dnde pueden ser encontrados los semiconductores en la tabla peridica?
Elementalmente pueden ser encontrados en el grupo IV de la tabla peridica, sin
embargo podemos formar compuestos con combinaciones del grupo III y V, II y VI
3. Cules son los grupos III, IV y V de la tabla peridica?
III
B
Al
Ga
In

IV
Si
Ge

IV
P
As
Sb

4. Enliste los materiales semiconductores compuestos

AlP
AlAs
GaP
GaAs
InP

Fosfuro de Aluminio
Arseniuro de Aluminio
Fosfuro de Galio
Arseniuro de Galio
Fosfuro de Indio

5. Mencione los diversos tipos de slidos

- Amorfo
- Policristalino
- Monocristalino
6. Qu difiere a cada tipo de slido?
Su caracterizacin del tamao de una regin ordenada.

Estructuras Monocristalina, Policristalina y Amorfa

respectivamente

7. Cmo se define a cada regin en un slido?

Amorfo
Hay Orden entre pocas
dimensiones moleculares o
atmicas

Policristalino
Alto grado de orden entre
muchas
dimensiones
atmicas o moleculares

Mono cristalina
Mucho mayor grado de
orden,
hay
periodicidad
geomtrica
a travs del
volumen entero del material.
Las regiones varan en Las propiedades elctricas
tamao and orientacin entre son superiores.
una y otra

8. A qu se le conoce como celosa espacial? (Space lattice).

Es el arreglo peridico de tomos en un cristal
9. A que se le conoce como punto de celosa y clula unitaria?
Un punto de celosa es aqul que representa a un arreglo particular.
Una clula unitaria es una unidad de volumen pequea de un cristal que puede ser
utilizada para reproducir al cristal entero.

10. Qu es una clula unitaria primitiva?

Es la clula unitaria ms pequea que puede ser utilizada repetitivamente para
formar la celosa.

s c
r = p a + q b+

11. Menciona algunas estructuras cristalinas bsicas.

12. A qu se le conoce como estructura diamante?

13. Ilustre los diferentes enlaces atmicos que existen

Enlace
Inico
Covalente
Metlico
De Van de Waals

Fuerza
+
++
--

Captulo 2. Introduccin a la Mecnica Cuntica

1. A qu se le conoce como quantum de energa?
Cuando una radiacin trmica o luminosa es emitida, desde una superficie caliente, esta
fluye en paquetes los cuales son definidos como quanta
2. Cmo describi Einstein a la luz?
La describi mencionando que la energa en una onda de luz tambin es contenida en
paquetes discretos o envoltorios. A estos se les llaman fotones.
3. Cmo describi Planck tericamente a un quanta de energa?
Planck hizo una relacin a travs de la siguiente frmula:

E=hv

Donde

es la frecuencia de radiacin, y

h es denominada la constante de

Planck, con un valor de 6.65 x 10-34 Js. De la misma manera, fue descrita con la
relacin:

E=h

4. A qu se le conoce como la dualidad onda partcula?

Gracias a la experimentacin y la hiptesis de Broglie en 1924, sabemos que hay una
dualidad onda partcula en el comportamiento de la luz. Ya que a travs del efecto
Compton se demostr como la frecuencia y el ngulo de deflexin se comportaban
como la colisin de una bola de billar, conservando energa y momento.
Por lo tanto segn de Broglie, el momento de un fotn est dado por

p=

5. Cmo est compuesto el espectro electromagntico?

Se compone segn las longitudes de onda:

6. A qu se le conoce como el principio de incertidumbre?

El principio de incertidumbre de Heisenberg en 1927, es aplicable a partculas muy
pequeas tambin en resumen estipula:
1. Es imposible describir simultneamente con precisin absoluta la posicin y
movimiento de una partcula.
2. Es imposible describir simultneamente con precisin absoluta la energa de una
partcula y el instante en el tiempo en el que tiene esa energa.
7. A qu se le conoce como la ecuacin de Schrdinger y para qu sirve?
La ecuacin de Schrdinger, es una generalizacin del movimiento y el comportamiento
de la materia en descripcin de ondas. Es por esta razn, que se utiliza en fsica de
partculas para describir el momento, la energa total, la energa potencial, y el
comportamiento unidimensional de un quanta de partculas.
La frmula general, es una derivacin del comportamiento clsico de una onda. Y se
escribe como:
2
(x,t )
2 ( x )

+V ( x ) ( x , t )= j
2
2m x
t

Donde

h
es la constante media de Planck =
2

m la masa de la partcula,

( x) la funcin de onda independiente del tiempo, y j la constante imaginaria

1
La frmula independiente de tiempo est dada por:

2 ( x ) 2m
+ 2 ( EV ( x )) ( x ) =0
x2

Donde E es la energa total y V(x) es la funcin de energa potencial.

Captulo 3. Introduccin a la Teora Cuntica de Slidos.

1. A qu se le denomina hueco?
Un estado vaco cargado positivamente puede ser creado cuando un electrn de
valencia es elevado a la banda de conduccin. Cuando la temperatura es mayor a los
0K todos los electrones pueden obtener energa trmica, si un electrn de valencia
obtiene muy poca energa puede brincar a ese estado vaco. El movimiento del electrn
al espacio vaco, es equivalente al movimiento de la carga positiva del espacio vaco.
Esto origina que al dejar el estado de valencia, se creen los denominados huecos.
Otro tipo de portadores, que pueden generar una corriente.
2. Cul es la diferencia ente un metal, un aislante y un semiconductor?
La cantidad de portadores que haya entre las bandas de valencia y de conduccin. Si
hay una cantidad de electrones muy pequea, o casi nula en la banda de valencia o de
conduccin se generar una corriente muy pequea o casi nula. De la misma manera, si
est casi lleno. El equilibrio de cargas permitir que slo haya una corriente diminuta.
En los metales, hay un equilibrio parcial. Con una cantidad moderada en ambas lo que
permite un flujo de una corriente considerable, siempre ocurre. Por otra parte en los
semiconductores depende de la excitacin energtica que se le otorgue a los
electrones.

3.

Qu es la funcin de densidad de estados y para qu sirve?

Como se requieren describir las caractersticas de corriente voltaje de dispositivos

semiconductores, y como la corriente se da gracias a un flujo de carga; un paso importante en
ele proces es determinar el nmero de electrones y huevos en el semiconductor que estarn
disponibles para conduccin.

Es por eso que se describe en funcin de la energa por:

g ( E )=

4 ( 2 m)
h3

3
2

Donde g(E) est generalizada para un cristal de 3 dimensiones.

4. Cmo calculamos la cantidad de estados en la banda de conduccin y en la

banda de valencia?
Para la banda de conduccin:

gc ( E )=

3
2
n

4 (2 m
h

EE c

Para a banda de valencia:

gv ( E )=

4 (2 m
3

3
2
p

Ev E

Ambas ecuaciones tienen la relacin de que entre ms estados haya en una de las
bandas significar que habr menos en su contraparte. Esto se puede ver de la
siguiente manera:

5. A qu se le conoce como la funcin de Probabilidad de Fermi-Dirac?

Es aquella que expresa la probabilidad de que haya un electrn a cierta energa E.
Tambin puede interpretarse como la razn de llenado a el total de estados cunticos a
cualquier energa E. Esta dada por:

N ( E)
=f F ( E )=
g ( E)

1
EEF
1+exp
kT

Donde EF es llamado el nivel Fermi de energa. La densidad de nmeros N(E) es el

nmero de partculas por unidad de volumen, y la funcin g(E) es el nmero de estados
cunticos por unidad de volumen por unidad de energa.

Captulo 4. El Semiconductor en Equilibrio

1. A qu se le conoce como semiconductor en equilibrio?
El equilibrio, o equilibrio trmico es aquel que implica que no haya fuerzas fsicas como
voltajes, campos elctricos, magnticos o gradientes de temperatura actuando en el
semiconductor.
2. Qu es la densidad de portadores de carga y por qu es importante?
Como la corriente es la razn en la que fluye la carga, y en un semiconductor hay dos
tipos: el electrn y el hueco; la corriente es altamente determinada por el nmero de
electrones en la capa de conduccin y el nmero de huecos en la capa de valencia. Por
lo tanto es sumamente importante la densidad de estas cargas. Este concepto se
relaciona ampliamente con la densidad de estados y la distribucin Fermi.
3. Cmo se calcula distribucin de electrones en la capa de conduccin?
La distribucin de electrones en una banda de conduccin, con respecto a energa,
est dada por la densidad de los estados cunticos permitidos por la probabilidad de
que el estado est ocupado por un electrn.
Es por esto que:

n ( E )=g c ( E ) f F (E)
Donde

f F ( E)

es la funcin de probabilidad de Fermi-Dirac y

gc ( E ) es la densidad

de estados cunticos en la capa de conduccin.

4. Cmo se calcula distribucin de huecos en la capa de valencia?
La distribucin de electrones en una banda de valencia, con respecto a energa, est
dada por la densidad de los estados cunticos permitidos por la probabilidad de que el
estado no est ocupado por un electrn.
Es por esto que:

p ( E )=gc ( E ) [1f F ( E )]
Donde

f F ( E)

es la funcin de probabilidad de Fermi-Dirac y

gc ( E ) es la densidad

de estados cunticos en la capa de conduccin.

5. Cmo se calcula la concentracin de portadores en equilibrio?

Si se conoce la distribucin de portadores basta con calcular el rea bajo la grfica a los
niveles de energa correspondientes. Si se observa la grfica:

Las concentraciones de electrones y de huecos, estn determinadas por la relacin entre la

probabilidad de que se encuentre un portador, y la densidad de estados cunticos. Si se
requiere calcular en equilibrio, es aproximadamente a la mitad de la banda de conduccin y de
valencia, puesto que analizando un semiconductor intrnseco, sin imperfecciones, el viaje de
electrones y huecos se da en pares.

6. Qu es la concentracin de electrones en equilibrio trmico?

Es la integracin de la distribucin de electrones sobre la capa de conduccin.

n0= g c ( E ) f F ( E ) dE
Por lo que:

n0=N c exp

( E c EF )
kT

7. A qu se le conoce como la funcin efectiva de densidad de estados en la banda

de conduccin?
El parmetro NC, de la concentracin de electrones en equilibrio trmico, es conocido de
esta manera. Ya que los valores constates en la integracin de la ecuacin de
concentracin de electrones en equilibrio trmico, son almacenados en esta variable; y

entre ellos se encuentra la masa efectiva del electrn. A 300K tiene un valor de de 2.5 x
1019 cm-3
8. Qu es la concentracin de huecos en equilibrio trmico?
Es la integracin de la distribucin de huecos sobre la capa de valencia.

p0= gc ( E ) [1f F ( E ) ]dE

Por lo que:

p0=N V exp

( E F EV )
kT

9. A qu se le conoce como la funcin efectiva de densidad de estados en la banda

de conduccin?
El parmetro NV, de la concentracin de huecos en equilibrio trmico, es conocido de
esta manera. Ya que los valores constantes en la integracin de la ecuacin de
concentracin de huecos en equilibrio trmico, son almacenados en esta variable; y
entre ellos se encuentra la masa efectiva del electrn. A 300K tiene un valor entre los
1019 cm-3
10.

Qu es la concentracin intrnseca de portadores y cmo se calcula?

En un semiconductor intrnseco, la concentracin de electrones en la banda de
conduccin es igual a la de huecos en la de valencia. Los parmetros ni y pi denotan a
estos parmetros.

11. A qu se conoce como el nivel Fermi intrnseco?

Se le conoce de esta manera al nivel Fermi presentado en un semiconductor intrnseco.
Sin embargo, ya que la cantidad de portadores en la banda de conduccin y de valencia
es equivalente, ambos niveles Fermi en contraste son equivalentes. Por lo que a
diferencia de relaciones anteriores, tanto como para electrones como para huecos la
relacin EF= EFi
12.

Cmo se relaciona ni y pi, las concentraciones de portadores intrnsecas en

equilibrio trmico?
Ya que son equivalentes, se podra decir que:

ni= pi
( EC EF )
kT

ni=n0=N C exp

pi= p0=N V exp

( EF EV )
kT

Al ser intrnsecos y compartir el nivel Fermi intrnseco

ni2= pi2=N V N C exp

( EC E V )
kT

= N C N V exp

E F=E Fi :

( EkT )
g

13. Cmo se calcula la posicin del nivel Fermi de energa intrnseco?

Como las concentraciones de portadores intrnsecas son iguales, puede calcularse el
nivel Fermi intrnseco, haciendo un despeje. Este resulta en:

N
1
1
E Fi= ( EC + EV ) + kT ln v
2
2
Nc

( )

Con las definiciones de funciones de densidad efectiva en banda de valencia y

conduccin y dndonos cuenta que

1
( E + E ) =Emidgap :
2 C v

m p
1
3
E Fi = ( EC +EV ) + kT ln
2
4
mn

( )

En resumen:

mp
3
E Fi=Emidgap + kT ln
4
mn

( )

14.

15.

Qu es el dopaje y para qu sirve?

El dopaje, o la adhesin de impuridades a un material, sirven para cambiar las
propiedades conductivas de un material semiconductor a diversas temperaturas. A los
semiconductores dopados tambin se les conoce como extrnsecos.
A qu se le llama tomo de impuridad donante y tomo de impuridad aceptante?
Si tenemos la adhesin de un elemento del grupo V, con un material semiconductor
como lo es el silicio, 4 electrones estarn en enlace covalente y uno se encontrar
apegado en equilibrio al elemento del grupo V. A bajas temperaturas, el electrn suelto
se encontrar atrada a la carga positiva del tomo del grupo V. Sin embargo cuando
suba la temperatura, por intuicin, el electrn pasar ms rpido a la capa de
conduccin en contraste con el tomo. Esto hace que deje una carga positiva activa en
la capa de valencia. En la capa de conduccin el electrn podr moverse primero, y
libremente, creando una corriente. Se le llama tomo de impuridad donante, porque
dona un electrn a la capa de conduccin. A estos materiales, tambin se les llaman de
tipo n.

En contraste con un elemento del grupo III, se crea un hueco en la capa de valencia, el
cual puede moverse libremente una vez que los dems tomos hayan pasado a la
etapa de conduccin. A estos materiales se les llama de tipo p.
16. Cul es la diferencia caracterstica entre semiconductores de tipo P y de tipo N?
Los semiconductores de tipo N tienen una preponderancia de electrones, mientras que
los de tipo P tiene una preponderancia de huecos.

17.

Qu es la energa de ionizacin y cmo se calcula?

Se le conoce como energa de ionizacin a la energa necesaria para elevar al electrn
donante a la banda de conduccin.

18. Cmo se define a un semiconductor extrnseco?

A aqul en el que los niveles controlados de tomos dopantes especficos o impurezas
han sido aadidos para que las concentraciones en equilibrio trmico de huecos y
electrones sean diferentes a aquellas de la concentracin intrnseca. Un tipo de portador
predomina en un semiconductor extrnseco.
19. Cmo vara la concentracin y distribucin de portadores en un semiconductor
extrnseco?

Como el dopaje cambia la distribucin, y la energa de Fermi est relacionada; cuando

el nivel Fermi es mayor al nivel fermi intrnseco, la concentracin de electrones es
mayor a la de huecos. A diferencia, cuando el nivel Fermi es menor al nivel Fermi
intrnseco la concentracin de huecos es mayor a la concentracin de electrones.

En el primer caso el material es tipo n. Por consiguiente, el segundo caso habla de un

material tipo p.

20. Cmo calculamos la concentracin de portadores en un semiconductor

extrnseco?
Utilizando las frmulas obtenidas con semiconductores intrnsecos, sin embargo la
funcin de densidad efectiva en la capa de valencia y conductora vara.

n0=N c exp

( E c EF )
kT

p0=N v exp

( E F EV )
kT

21. Cmo calculamos la probabilidad de que haya algn electrn ocupando el

estado de donante?

nd =

Nd
E E F
1
1+ exp d
2
kT

Donde nd es la densidad de electrones ocupando el nivel de donante y Ed es la energa

del nivel donante. El factor en la ecuacin es un resultado directo del factor de giro, y
es a veces descrito como 1/g.
Tambin puede escribirse como:

+
nd =N d N d
22. Cmo calculamos la probabilidad de que haya algn tomo ocupando el estado
de aceptante?

pa=

Na
E Ea
1
1+ exp F
g
kT

Donde nd es la densidad de electrones ocupando el nivel de donante y Ed es la energa

del nivel donante. El parmetro g es normalmente tomado como 4 en silicio y arsenurio
de galio por su respectiva estructura detallada.
Tambin puede escribirse como:

pa=N aN a
23. Cmo calculamos el nmero de electrones en estado de donante en contraste
con el total de electrones?

nd
=
n0 +nd

1
N
( E c Ed )
1+ c exp
2Nd
kT

Donde el factor

(Ec E d ) es la energa de ionizacin.

24. Cmo calculamos el nmero de huecos en estado aceptante en contraste con el

total de electrones?

pa
=
p0 + p a

1
N
(E aE v )
1+ v exp
gNa
kT

Donde el factor

(Ea Ev ) es la energa de ionizacin. Y

g es 4 normalmente para silicio y

arseniuro de galio.

25. A qu se le conoce como un semiconductor compensado?

A aquel que tiene tanto tomos de impuridad aceptante y donante en la misma regin. Un
semiconductor de tipo n ocurre cuando Nd > Na. Uno de tipo p ocurre cuando Na> Nd. Si son
iguales Na=Nd. Tenemos un material completamente compensando con las caractersticas
parecidas a aquellas de un semiconductor intrnseco.
26. Cmo calculamos la concentracin de electrones en equilibrio trmico en un
semiconductor compensado tipo n?

( N N a)
n0= d
+
2

N d N a 2 2
+ni
2

Se usa cuando Nd > Na .

27. Cmo calculamos la concentracin de huecos en equilibrio trmico en un
semiconductor compensado tipo p?

( N N d )
p0= a
+
2

N aN d 2 2
+ni
2

Se usa cuando Na > Nd .

28. Cmo se calcula la posicin del Nivel Fermi en un semiconductor compensado?
Para un semiconductor extrnseco n:

Ec E F =kT ln

Nc
n0

( )

Para un semiconductor tipo N:

Nc
Nd

Ec E F =kT ln

( )

E FE v =kT ln

Nv
p0

Desde una perspectiva intrnseca:

E FE Fi=kT ln

n0
ni

( )

Para un semiconductor extrnseco p:

( )

Para un semiconductor tipo N:

E FE v =kT ln
Desde una perspectiva intrnseca:

E FiEF =kT ln

p0
ni

( )

Nv
Na

( )

Captulo 5. El Fenmeno de Transporte de Portadores

1. Cules son los dos tipos principales de transporte en un cristal
semiconductor?
En un cristal semiconductor hay dos tipos esenciales de mecanismos, deriva el
movimiento de la carga debido a los campos elctricos y difusin el flujo de la carga
debido a las gradientes de densidad.
2. Cmo se genera una corriente de deriva?
Un campo elctrico aplicado a un semiconductor producir una fuerza en los
electrones y huecos, hasta que alcancen una aceleracin y movimiento neto,
provedo que haya estados disponibles en las bandas de valencia y de conduccin.
Este movimiento neto de carga debido a un campo elctrico se llama deriva. La
deriva neta de carga ocasiona una corriente de deriva.
3. Qu es la densidad de corriente de deriva?
Es la corriente por unidad de rea generada por una densidad de carga a una
velocidad de deriva promedio.
Se denota por:

J ndrf = v dn=

A
2
cm

Si est dada por huecos:

J pdrf =(e) v dp=

A
2
cm

4. Cmo se comporta un hueco en movimiento en un cristal?

Si el hueco acelera en un cristal debido a su campo elctrico, la velocidad
incrementa. Cuando la partcula cargada colisiona contra el tomo en el cristal, la
partcula pierde casi toda su energa. Esta volver a acelerar y ganar energa hasta
que colisione de nuevo. Durante este proceso la partcula obtendr una velocidad de
deriva, la cual para campos elctricos pequeos es directamente proporcional al
valor del campo elctrico.
5. A qu se le conoce como movilidad de huecos?
Es un parmetro importante en un semiconductor ya que este describe la facilidad
de movimiento de una partcula a travs de un campo elctrico.
Se relaciona con la velocidad de deriva de manera que:

v dp = p E

6. A qu se le conoce como conductividad?

Es una funcin de la concentracin de huecos, electrones y movilidad. Su relacin
con la densidad de corriente de deriva es

J drf =e ( n n+ p p ) E=E
Donde

es la conductividad del material.

7. Cmo se obtiene la resistividad?

Es la recproca de la conductividad por lo que:

1
1
= =
e ( n n+ p p ) E

8. A qu se le conoce como difusin?

Al proceso en el que partculas fluyen de una regin de concentracin alta a una de
baja concentracin. Si las partculas estuvieran cargadas resultara en una corriente
de difusin.

Captulo 7. La Unin PN
1. Cmo est compuesta la unin PN?
La unin PN est compuesta por dos semiconductores, una altamente dopada con
tomos de impuridad donante para formar la regin N, y otros con tomos de impuridad
aceptante para formar la regin P. El espacio entre ambas regiones se le llama unin
metalrgica.

2. Cmo funciona cuando no hay polarizacin aplicada?

Ambas regiones se encuentran en equilibrio trmico. Por lo tanto, esto quiere decir que
el nivel Fermi de energa se mantiene constante a travs de todo el sistema.
3. A qu se le conoce como potencial de barrera integrada Vbi ?
Es el potencial que mantiene el equilibrio entre los portadores mayoritarios (electrones)
en la regin n y los portadores minoritarios de la regin p. Asimismo de los portadores
mayoritarios (huecos) en la regin p y minoritarios en la regin n.
Esta puede ser determinada como la diferencia entre los niveles Fermi intrnsecos de
ambas regiones.

V bi =| Fn|+| Fp|

4. Cmo se determina el potencial

Fn ?

Como es una unidad de voltaje del nivel Fermi, puede ser expresado como:

e Fn=E Fi E F

De la misma manera:

n0=N d=ni exp

( (ekT ) )
Fn

Por lo tanto:

Fn=

5. Cmo se determina el potencial

N
kT
ln d
e
ni

( )

Fp ?

Como es una unidad de voltaje del nivel Fermi, puede ser expresado como:

e Fp=E Fi E F

De la misma manera:

p0=N a =ni exp

( (ekT ) )
Fp

Por lo tanto:

Fp =

Na
+kT
ln
e
ni

( )

6. Cmo se expresa Vbi?

V bi =

N N
N N
kT
ln a 2 d =V t ln a 2 d
e
ni
ni

( )

( )

7. Cmo se define el campo elctrico a travs de la unin PN?

El campo elctrico vara a travs de las regiones de acuerdo a la cantidad de portadores
que hay en cada una de las secciones n, p o en la unin metalrgica.
En el caso de la regin n, cuando x es mayor a 0 hasta xn

E=

e N d
( x nx ) 0 x x n
s

Cuando x es igual a 0, hay un equilibrio entre potenciales, por lo que:

N a x p =N d x n
En el caso de la regin p, cuando x es menor a 0 hasta xp

E=

e N a
( x+ x p ) x p x 0
s

8. Cmo acta el potencial a travs de las regiones?

En el caso de la regin n, cuando x es mayor a 0 hasta xn

( x )=

eNd
x2 e N a 2
x n x +
x (0 x x n )
s
2
s p

En el caso de la regin p, cuando x es menor a 0 hasta xp

(x)=

e N a
2
x+ x p ) x p x 0
(
2 s

El Potencial de Barrera Integrada sera igual a la suma de ambas regiones tanto p como
n, por lo que:

V bi =| ( x=x n )|=

e
(N d x2n+ N a x 2p )
2 s

9. A qu se le conoce como regin espacial de carga?

Se le conoce de esta manera al espacio denotado por x, donde la regin de deplecin
se extiende a la regin n o p, para el caso de cero voltajes aplicados.
Est dado por:

[ ][

2 s V bi N a
x n=
e
Nd

1
N a +N d

1 /2

]}

Y de la misma manera por:

[ ][

2 s V bi N d
x p=
e
Na

1
N a+ Nd

1 /2

]}

10. Cmo se calcula el espacio total de deplecin?

W, o el ancho total de la zona de agotamiento, se calcula sumando la distancia de la
regin espacial de carga n y p. Por lo tanto:

W =x n + x p
En otras palabras:

{ [

2 s V bi N a + N d
W=
e
N a Nd

1/ 2

]}

11. Qu le pasa al sistema PN cuando se aplica una polarizacin inversa?

El sistema PN ya no se encuentra en equilibrio trmico, lo que significa que el nivel
Fermi ya no es constante. Es por esta razn que hay una diferencia de portadores y
habr un valor de potencial agregado conocido como VR

12. Cmo se ve afectado el potencial de barrera total?

Puesto que hay una corriente agregada, y hay una polarizacin; el potencial de barrera
total queda definido por el potencial en equilibrio ms el potencial agregado:

V total=| Fn|+| Fp|+ V R =V bi + V R

13. Cmo queda establecido la relacin entre el campo elctrico y la regin espacial
de carga?
Puesto que hay un potencial agregado, se debe de utilizar el potencial de barrera total.
La ecuacin para el ancho de la regin de agotamiento queda definido por:

bi+ V R

2 s 1/ 2

W =

El campo elctrico aumenta en la unin metalrgica, por lo que

Emax =

e N a x p e N d x n
=
s
s

En conjuncin con la definicin de potencial de barrera total, tenemos que:

V
( bi+V R ) N a N d
2e
s
N a+ N d

Emax =

En otras palabras:

Emax =

2(V bi +V R )
W

14. Por qu se genera una capacitancia en la unin?

Puesto que hay una separacin de cargas en la regin de deplecin una capacitancia
est asociada con la unin pn. Como xn es ahora:

V
( bi +V R ) N a
2 s
e
Nd

x n =

[ ][

1
Na+ N d

Y la Capacitancia est dada por

C' =
Y

dQ '
d VR

d Q' =e N d d x n=e N a d x p

La Capacitancia est dada por:

V
2( bi+V R )( N a+ N d )
e sNaNd

'
C =
En otras palabras:

C' =

s
W

15. A qu se le conoce como unin de una cara?

Cuando una regin tiene mayores tomos de impuridad donantes o aceptantes en una
unin PN, se dice que es de una cara y se denotan de la manera p+n.

16. Cmo se comporta el espacio de carga espacial, y la capacitancia por unidad de

rea en una unin de este tipo?
La ecuacin de regin de agotamiento se reduce a:

2 s (V bi +V R )
W
e Nd

1/ 2

Y la capacitancia a

C'

e sN d
2(V bi +V R )

1/ 2

Captulo 8. El Diodo de Unin PN

1. Cmo se comporta la unin PN cuando se encuentra en polarizacin directa?
Cuando se aplica un voltaje polarizado directamente el potencial de barrera de la unin
es disminuido, permitiendo el flujo de electrones y huecos a travs de la regin espacial
de carga.

2. Qu terminologas se utilizan para describir los elementos en el comportamiento

del diodo PN?

3. Cmo es la relacin entre portadores mayoritarios y minoritarios en ambas

regiones de la unin PN?
La concentracin de electrones (portadores minoritarios) en la regin p de la unin est
relacionada con la concentracin de electrones (portadores mayoritarios) en la regin n,
en equilibrio trmico por la frmula siguiente:

n p 0=nn 0 exp

( ekTV )
bi

Sin embargo cuando se encuentra en polarizacin directa la concentracin de

portadores minoritarios en la regin p est dada por:

( e(VkTV ) )= n exp( ekTV ) exp( ekTV )

bi

bi

n0

n p =nn 0 exp
En otras palabras:

n p =n p 0 exp

( ekTV )
a

Ya que si asumimos que hay poca inyeccin, la concentracin de electrones como

portadores mayoritarios
concentracin

nn 0

no cambia significativamente. Sin embargo la

n p , puede desviarse de su valor en equilibrio trmico n p 0 por

rdenes de magnitud.
De la misma manera, la relacin existe para los huecos:

pn= pn 0 exp

( ekTV )
a

4. Cmo determinamos la concentracin de portadores en exceso, para los

portadores minoritarios?
Para un exceso de portadores minoritarios en la regin n (huecos):

pn ( x )= pn ( x ) p n 0= pn 0 exp

( ekTV )1] exp( x Lx )(x x )

a

Por otra parte, para un exceso de portadores minoritarios en la regin p (electrones):

[ ( ) ] ( )

n p ( x )=n p ( x )n p 0=n p 0 exp

eVa
x +x
1 exp p
(x x p )
kT
Ln

5. Cmo se comporta la corriente generada en la unin PN?

La corriente total de la unin est definida y basada en la suma de las corrientes de
huecos y electrones individuales, las cuales son constantes a travs de la regin de
agotamiento. Es por esta razn que la corriente total estar definida por la corriente en
la regin xp (p) ms la que existe en la regin xn (n).

J Total =J p ( x n )+ J n (x p )
Donde:

J p ( x n) =

[ ( ) ]

e D p pn0
eVa
exp
1
Ln
kT

J p (x p ) =

[ ( ) ]

e D p np 0
eVa
exp
1
Lp
kT

Por lo tanto:

J Total =

][ ( ) ]

e Dp np0 e D p pn0
eVa
+
exp
1
Lp
Ln
kT

Reescribiendo:

[ ( ) ]

J =J s exp

eVa
1
kT

Donde JS es la corriente de saturacin inversa.

6. Cmo se relacionan las longitudes de difusin del diodo con los coeficientes de
difusin?
A travs de la relacin:

L p= D p p 0
Ln = D n n 0

Captulo 10. El Transistor Bipolar

1. Qu es un transistor?
Es un dispositivo semiconductor multifuncional que, en conjunto con otros elementos
de circuitos es capaz de ganancia de voltaje, de corriente y de seal. Es por esta
razn que es definido como un dispositivo activo, a diferencia del diodo que es
considerado como pasivo. La accin bsica de un transistor es el control de la
corriente de una terminal mediante el voltaje aplicado a travs de otras dos
terminales del dispositivo.
2. Cuntos tipos de transistores existen?
Hay diversos tipos de transistores, sin embargo los ms bsicos son el bipolar, el
transistor de efecto de campo semiconductor de metal-xido (MOSFET), y el
transistor de efecto de campo de unin (JFET).
3. Cmo se compone el transistor bipolar?
El transistor bipolar se compone de tres regiones dopadas separadamente y dos
uniones pn lo suficientemente juntas como para que ocurran interacciones entre
ambas uniones.
4. Por qu se le llama transistor bipolar?
Porque como el flujo de electrones como el de huecos influyen en este dispositivo,
es llamado bipolar.
5. Cul es la estructura de un transistor bipolar?
El transistor bipolar puede tener una estructura tanto npn como pnp. Ambas son
complementarias. Para su funcionamiento una de las regiones pares debe de estar
ms altamente dotada que la otra, por esta razn est denotada por los operadores
++.

n++

n+

6. Cul es el principio de operacin del transistor bipolar?

La unin base-emisor BE se polariza directamente y la de base-colector BC, est
polarizada inversamente en el modo de operacin activo. En esta situacin la unin
base-emisor inyecta electrones a la base, los cuales crean un exceso de
concentracin de portadores minoritarios. Una vez que esto ocurre y al haber cero
electrones minoritarios en la unin, el gradiente de concentracin permitir que los
electrones se difundan hacia el colector creando una corriente en el transistor. Entre
ms electrones alcancen el colector sin recombinarse en la base, mayor ser la
corriente. Por esta razn, fsicamente, el dopaje del emisor es grande y el ancho de
la base es pequeo.

7. Cmo se comporta la corriente de colector del transistor?

Considerando la difusin de electrones hacia el colector, y el rea de la base al
emisor, la corriente puede ser descrita por la ecuacin.

ic =

e D n A BE
V BE
nB 0 exp
xB
Vt

( )

De la misma manera:

i c =I s exp

V BE
Vt

( )

8. Cmo se comporta la corriente del emisor?

La corriente del emisor es tanto la corriente que proviene del colector, es decir los
portadores que surgen de ah, ms aquellos que provienen de la base.

i E =i E 1 +i E 2 =iC +i E=I SE exp

V BE
Vt

( )

9. A qu se le conoce como la ganancia de corriente de base comn?

Se le conoce como la relacin que hay entre la corriente del colector y la del emisor,
la cual toma un valor entre 0 y 1. Se denota por la letra griega alpha,

iC
iE

10. A qu se le conoce como ganancia de corriente de emisor comn?

Se le conoce de esta manera a la razn entre la corriente del colector y la de base.
Puesto que la corriente de base es regularmente muy pequea, la ganancia puede
ser muy grande. Se expresa por:

iC
iB

11. Cmo funciona un transistor que est en modo de operacin de corte?

Puesto que la unin base colector se encuentra en polarizacin inversa, y de la
misma manera la regin base emisor se encuentra e corte, se dice que el dispositivo
est en corte, puesto que no hay corrientes circulando en el sistema o estas son
despreciables.
12. Cmo funciona el transistor de manera activa?
Cuando se encuentra en manera activa, la polarizacin de la base y el emisor se
encuentra en polarizacin directa. Lo cual genera una corriente de colector. Cuando
esto sucede la relacin del voltaje de la fuente VCC est dada por:

V CC =I C RC +V CB +V BE=V R +V CE

13. Cmo funciona el transistor en saturacin?

Conforme el Voltaje BE se incrementa tambin lo hace la corriente del colector y VR,
pero VBC decrece. En un punto de combinacin VCC y VR hace que VBC sea cero, ms
all de eso VCB es directa y el transistor entre en modo de saturacin.
14. Cul es la notacin utilizada en el anlisis del transistor?

15. Cmo se calculan las corrientes en el transistor bipolar?

Para poder calcular las corrientes se deben de calcular la distribucin de portadores
minoritarios en cada una de las tres regiones.
16. Cmo se comportan las distribuciones de portadores minoritarios en un
transistor bipolar?
Se comportan como se observa en la figura, donde pE(x), nB(x) y pC(x) denotan las
concentraciones de estado slido en el emisor, base y colector respectivamente.

17. Cmo se calcula la concentracin de portadores minoritarios electrones en

exceso en la base?

 n B ( x ) =A exp

( +xL )+ Bexp (xL )

B

Donde

[ ( ) ] ( )
e V BE
x B
1 exp
kT
LB

nB 0n B 0 exp
A=

2 sinh

[ ( ) ] ( )

nB 0 exp
B=

xB
LB

( )

e V BE
x
1 exp B + nB 0
kT
LB
2 sinh

xB
LB

( )

Por lo que:

{[

nB 0 exp
n B (x )=

] ( ) ( )}

e V BE
x x
x
1 sinh B
sinh
kT
LB
LB

( )

2 sinh

xB
LB

( )

18. Cmo se calcula la concentracin de portadores minoritarios (huecos) en

exceso el emisor?
Sabiendo gracias a la frmula de transporte ambipolar, se llega de la misma manera
a la frmula que expresa:

p E ( x ' ) =C exp

( +Lx ' )+ D exp( xL ' )

E

Por lo que:

{[ ( ) ] ( )}

p E 0 exp
p E ( x ' )=

e V BE
x Ex '
1 sinh
kT
LE
sinh

xE
LE

( )

19. Cmo se calcula la concentracin de portadores minoritarios (huecos) en

exceso el colector?

 pC ( x ' ' )=G exp

( +Lx ' ' )+ H exp ( xL ' ' )

C

Por lo que:

pC ( x ' ' )=p C 0 exp

x ' '
LC

( )

20. Cules son los factores que contribuyen a la ganancia y el flujo de corriente
en un transistor bipolar?

Densidad
de
Corriente

Definicin

J nE

Debido a la difusin de electrones minoritarios en la base en x=0

J nC

Debido a la difusin de electrones minoritarios en el colector en x= xB

J RB

La diferencia entre JnE y JnC debido a la recombinacin del exceso de electrones

minoritarios con los huecos mayoritarios en la base. Esta es el flujo de huecos
hacia la base perdidos por la recombinacin.
Debido a la difusin de huecos minoritarios en el emisor en x

J pE
JR
J pc0

Debido a la recombinacin de portadores en la unin polarizada directamente

BE
Debido a la difusin de huecos minoritarios en el colector en x=0

JG

Debido a la generacin de portadores en la unin inversamente polarizada BC

21. Cmo se relacionan las densidades de corrientes debido a la concentracin

en exceso de portadores a lo largo del transistor bipolar?

Las corrientes JRB, JPE, y JR son de la unin BE, por lo que no contribuyen a la
corriente del colector.
Por otra parte las corrientes Jpc0 y JG son corrientes de la unin BC y no contribuyen
a la ganancia de corriente.
Si la ganancia se define como:

0=

IC
IE

Entonces:

0=

J C J nC + J G + J pc 0
=
J E J nE + J R +J pE

Si nica trabajamos con los factores que contribuyen a la ganancia de corriente:

0=

J nE
J nE + J pE

J nC
J nE

)( )(

J nE +J pE
= T
J nE+ J pE+ J R

Donde

es el factor de eficiencia de inyeccin.

es el factor de transporte de la base

es el factor de recombinacin

En otros trminos:

1
para ( x B L B ) , ( x E L E )
N B D E xB
1+
N E D B xE

1
2

1 xB
1+
2 LB

( )

para (x B L B)

=
1+

Jr 0
e V BE
exp
Js 0
2 kT

22. De qu otra manera se expresa las densidades de corriente JR, JnE y JS0?

J R=

e x BE ni
e V BE
e V BE
exp
=J r 0 exp
2 0
2 kT
2 kT

( )

( )

J nE=J s 0 exp

( e2VkT )
BE

s 0=

e D BnB0
LB tanh
J

xB
LB

( )

Captulo 11. Transistores de Efecto de Campo

1. Cul es la diferencia ente un transistor de efecto de campo y un transistor
bipolar?
El transistor de efecto de campo, o FET es un dispositivo unipolar que es controlado por
voltaje en lugar de ser por corriente, lo cual es el caso de transistor bipolar. Un campo
elctrico controla la trayectoria de conduccin sin la necesidad de contacto.
2. Qu caractersticas importantes posee un transistor de efecto de campo?
Una Alta Impedancia de Entrada
Menor sensibilidad a los cambios de seal
Mayor estabilidad en la temperatura
Menor tamao fsico
3. Cul es la estructura de un transistor de efecto de campo?
Se compone de tres terminales, la fuente, el drenaje y la compuerta. S, D y G
respectivamente. Sin embargo a veces, se toma en cuenta una cuarta, el sustrato.
4. A qu se le denomina como transistor de efecto campo de unin y cmo
funciona?
Un transistor de efecto de campo de unin o JFET, se compone de un canal dopado
con un exceso de portadores minoritarios, ya sean electrones o huecos, p o n; y dos
regiones paralelas de un dopado contrario al de canal.
El funcionamiento de este dispositivo depende enormemente de la polarizacin de
ambas regiones. Si se aplica un voltaje inverso a la compuerta y a la fuente, se impedir
poco a poco un flujo de corriente a lo largo del canal. Si se aumenta el voltaje negativo
se crear una zona agotamiento que limita la corriente que fluye por el canal. Entre ms
negativo sea, se llegar a una etapa de corte.
Por otra parte si se aplica un voltaje positivo entre el dren y la compuerta, los electrones
sern atrados a D, lo que amplificara la corriente del canal. Esto hasta llega a un voltaje
de estrechamiento. En este punto la corriente se encuentra en saturacin.

5. Cmo funciona un MOSFET de Agotamiento?

Un Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, o transistor de efecto de campo
de metal xido semiconductor, es un dispositivo que cuenta con una 4 terminal el
sustrato SS. Se conoce de esta manera porque una capa de xido separa a la
compuerta metlica. Lo conforma un canal n o p, y una regin de con exceso de
portadores minoritarios contraria.
Inicialmente existe una corriente entre la Fuente y el Dren, pero una vez que se inyecta
un voltaje negativo a travs de VGS los electrones se ven atrados hacia el sustrato.
Permitiendo su recombinacin con los huecos. Esto hace que disminuya la corriente
hasta que eventualmente llega a su regin de corte. Para valores positivos, por otra
parte, aumenta la corriente hasta llegar a la zona de saturacin.
6. Cmo funciona un MOSFET de Enriquecimiento?
El MOSFET de enriquecimiento a diferencia del de agotamiento, no cuenta con un canal
inicial. Cuando se otorga un voltaje VGS nulo no existir un canal, y o habr flujo de
corriente aunque se aplique un voltaje a VDS. El nivel de VGS que resulta en un
incremento significativo de corriente se llama voltaje de umbral VT y mientras ms se
incremente VGS ms cercano se estar al nivel de saturacin
7. A qu se le conoce como capacitor MOS?
Se le conoce de esta manera al corazn del MOSFET. La posicin de las bandas de
valencia y de conduccin relativas a la posicin del nivel Fermi de la interfaz xido
semiconductor es una funcin del voltaje del capacitor MOS, es por eso que pueden
invertirse las caractersticas de tipo p a tipo n. Aplicando el voltaje necesario.
8. A qu se le conoce como Voltaje de Umbral?
Se le conoce de esta manera al voltaje de compuerta aplicado necesario para crear que
la capa de inversin de carga.
9. De qu est hecho el capacitor MOS?
El metal puede ser aluminio u otro tipo de metal, pero normalmente es un silicn
policristalino de alta conductividad depositado en el xido. Los parmetros
el grosor del xido y el parmetro

t ox definen

0 x la permisividad.

10. A qu se le conoce como capa de inversin?

El capacitor MOS permite crear una inversin entre materiales tipo p y tipo n, de
acuerdo al sustrato. Si se aplica un voltaje negativo y se tiene un sustrato tipo P se
atraern los huecos del sustrato hacia el campo elctrico del capacitor. Sin embargo si
se aplica uno negativo se crear una regin de agotamiento empujando a los huecos
hacia afuera, logrando hacer la regin ms cercana al tipo n.

Lo mismo ocurre con un sustrato tipo n. Para calcular la capacitancia por unidad de rea del
capacitor MOS se utiliza la frmula:

C' =

Donde

es la permisividad del aisalente, y d la distancia entre las dos placas. De la misma

manera sepeude calcular que:

'

'

Q =C V y V =

E
d

3. Cmo se relaciona el potencial aplicado con la capa de inversin?

Para poder realizar el clculo se debe de entender que la capa de inversin se logra
debido al voltaje suministrado y la polaridad que este tiene. Por lo que se debe
considerar el potencial al que est siendo afectado el sustrato.
Esto est dado por la diferencia entre

fp =V t ln

fp =E FiE F . En otras palabras:

Na
ni

( )

4. A qu se le conoce como potencial de superficie?

Se le llama de esta manera a la diferencia entre el nivel fermi intrnseco visto desde
el semiconductor y la superficie. Se denota por

5. Cmo calculamos el ancho de la regin de agotamiento?

Se calcula con la frmula:

2 s s
x d=
e Na

1/ 2

6. Cmo sabemos cundo nos encontramos en el punto de umbral de

inversin?
Cuando

s =2 fp significa que el nivel Fermi de la superficie esta tan arriba del

nivel Fermi intrnseco como el nivel Fermi est abajo del nivel intrnseco del
semiconductor. A esta condicin se le llama el punto de umbral de inversin. Esto
har que aumente el ancho de la regin. Sin embargo a lo mximo que se puede
llegar es a:

4 s fp
x dT =
e Na

1 /2

7. Cmo es el funcionamiento en un MOSFET con sustrato n?

Se comporta de la misma manera, ya que es complementario. Por lo que:

fn =V t ln

x dT =

Nd
ni

( )

4 s fn
e Nd

1 /2

8. Cmo obtenemos la mxima densidad espacial de carga por unidad de rea

de la zona de deplecin?
Si analizamos y decimos que tenemos una carga de xido equivalente

Q' SS . De

la misma manera, si tenemos una carga positiva en el punto de umbral

Q' mT . Se

puede dar la relacin de:

Q' mT +Q ' SS=|Q' SD (max)|

Donde:

|Q' SD (max)|=e N a x dT
9. En el punto de umbral, como se obtiene el voltaje de umbral necesario para
obtener la carga de la capa de inversin de electrones?
En el punto de umbral, el voltaje de umbral VTN puede ser considerado igual al
voltaje de puerta VG, y se expresa mediante la fmula:

V TN =V oxT + 2 fp + ms
Donde VoxT es el voltaje a travs del xido en el punto de inversin en el umbral.
Este voltaje tambin puede ser relacionado con la carga en el metal y la
capacitancia en el xido por:

V oxT =

Q ' mT
Cox

Que a su vez es:

V TN =

|Q' SD (max)| Q' SS +

C ox

Cox

+ 2 fp =(|Q SD (max)|Q SS )
'

ms

'

t ox
+ ms+ 2 fp
ox

( )

Utilizando la definicin de Voltaje de Banda Plana (Flat Band Voltage).

V TN

'
Q SD (max)|
|
=
+V

C ox

FB

+2 fp

10. Cul es la diferencia entre un MOSFET de Agotamiento y uno de

Enriquecimiento?
La relacin se da de acuerdo al voltaje de umbral. Ya que un voltaje negativo para
un sustrato tipo p, implica un dispositivo de agotamiento. De otra manera si fuera
positivo hablaramos de un dispositivo de enriquecimiento.
11. Cmo se comporta el flujo de corriente en un MOSFET de Enriquecimiento?
Para valores pequeos de VDS, el canal presenta una resistencia inherente. La
corriente se calcula mediante la relacin:

I D =g d V DS
Donde

gd =

gd

es la conductancia del canal, est se define por los parmetros:

W
|Q' |
L n n

Donde

n es la movilidad de los electrones en la capa de inversin y

|Q 'n|

es

la magnitud de la carga de la capa de inversin por unidad de rea. La conductancia

determina la corriente del Dren.
12. Qu ocurre cuando modulamos VDS y VGS en un MOSFET incremental?
Las caractersticas ID contra VDS, para valores pequeos de VDS, son lineales.
Cuando VGS > VT la amplitud de la capa de inversin es relativamente constante en
todo el canal. Conforme se aumente VDS, la cada de voltaje en el xido cerca de
Dren decrece. La conductancia incremental del canal en el Dren decrece, lo que
hace que la grfica se curve. Cuando VDS se incrementa al punto donde la cada de
voltaje en el xido sea VT, la densidad de carga inducida en el Dren es cero.

Por esta razn:

V DS (sat)=V T V GS

Mientras no se encuentre en saturacin la relacin de la corriente es:

I D=

W n C ox
[ 2 ( V GS V T ) V DSV DS2 ]
2L

Y para la regin de saturacin

I D=

W n C ox
2
V GSV T ) ]
(
[
2L

11. A qu se le conoce como transconductancia?

Se le define como el cambio en la corriente de dren en correspondencia con el
cambio en el voltaje de compuerta. Tambin es llamada ganancia del transistor.
Est definida por:

gm=

I D W n C OX
=
V DS
V GS
L

Cuando est en saturacin:

V
( GSV T )
I D W n C OX
gm=
=

V GS
L

CONCLUSIONES

A travs del contenido de este trabajo de investigacin se logra entender el

funcionamiento de dispositivos semiconductores como lo son los transistores bipolares, el
diodo, y el transistor de efecto de campo. De la misma manera, como es que funcionan
fsicamente a niveles cunticos. La fsica de semiconductores, a su ms atmica escala
permitir el desarrollo de nuevas tecnologas pero para ello es necesario entender y dominar
las tecnologas existentes; para poder mejorar la eficiencia de los dispositivos del futuro.

De esta manera se da por culminado el muy laborioso curso de Diseo de Circuitos Integrados
Anlogos y Digitales, y los conocimientos fsicos adquiridos, sern aplicados en el diseo de
nuevos componentes electrnicos.

REFERENCIAS

Neamen, D. 2003. Semiconductor Physics and Devices. 3ra Edicin. Estados Unidos: McGraw
Hill
Capiz, C. 2014. Material del Curso de Diseo de Circuitos Integrados Anlogos y Digitales.
CETYS Universidad