TEMA 1: INTRODUCCIÓN.

SEMICONDUCTORES
1 INTRODUCCIÓN A LA ELECTRÓNICA

1.1 DEFINICIÓN DE ELECTRONICA

Definir en una frase el concepto de electrónica no es sencillo. Una de las definiciones más
simples y comunes es:

➢ Análisis del movimiento de los electrones y su aplicación en diferentes contextos.

Atendiendo a esta definición, la frontera entre la electrónica y otras disciplinas, como la

ingeniería eléctrica, puede ser difusa. ¿Cuál es entonces el matiz que diferencia estas
disciplinas?

Según la RAE, la electrónica es el estudio y aplicación del comportamiento de los electrones

en diversos medios, como el vacío, los gases y los semiconductores.

Atendiendo a esta definición, podemos considerar que la principal diferencia es que la

electrónica está centrada en el uso de dispositivos semiconductores.

Los dispositivos semiconductores se construyen a partir de materiales semiconductores,

como el silicio, el germanio y el selenio. Estos elementos poseen características intermedias
entre los cuerpos conductores y los aislantes, bajo determinadas condiciones permiten la
circulación de la corriente eléctrica.

Por tanto, la electrónica tiene como base el uso de dispositivos que se pueden programar para
que operen de una forma u otra dentro de un mismo circuito.

También podemos diferenciar la ingeniería eléctrica de la electrónica por su aplicación:

➢ En ingeniería eléctrica el objetivo es crear circuitos o máquinas que generen energía

eléctrica, que la transformen en otras fuentes de energía o que la transporten de
forma eficiente.

➢ La electrónica tiene como objetivo hacer un procesamiento de las señales eléctricas

para obtener, procesar o transmitir información de nuestro entorno.
La tendencia en electrónica es fabricar los componentes electrónicos con un tamaño cada
vez menor, para poder integrar el mayor número de ellos dentro de un mismo circuito y así
aumentar su capacidad de procesamiento.

El descubrimiento de los semiconductores permitió la invención del transistor (componente

básico de los circuitos integrados). Los primeros transistores tenían un tamaño discreto, es
decir, eran componentes aislados. Sim embargo, el desarrollo de la electrónica ha permitido
integrar millones de transistores en un mismo circuito integrado.

1.2 UN POCO DE HISTORIA

En la década de los años 30 y 40, las válvulas de vacío representaban el máximo desarrollo
tecnológico, con una función similar a la de los diodos y transistores actuales. Sin embargo,
tenían importantes limitaciones: tamaño, consumo de energía, tiempo de vida medio y
fiabilidad, siendo muy poco duraderos.

Por eso, ya se había experimentado con cristales de semiconductor para intentar sustituirlas,
sin embargo, en esos experimentos los semiconductores tenían un funcionamiento
imprevisible, mientras que las válvulas de vacío eran simples y funcionaban siempre. De hecho,
los grandes científicos de la época consideraban que el futuro de la radio y de las
comunicaciones telefónicas pasaba por mejorar las válvulas de vacío, no por buscar nuevas
tecnologías.

En la década de los 40 nace el ENIAC (Electronic Numerical Integrator And Computer), y

representa el máximo apogeo de los instrumentos construidos con válvulas.

Construido en 1943 por el ejército de los Estados Unidos debido a las necesidades militares
de la Segunda Guerra Mundial (para calcular trayectorias de proyectiles). Sin embargo, puso
en evidencia las grandes limitaciones de las válvulas de vacío: ocupaba un espacio de 167 m 2,
pesaba 27 toneladas, consumía 160 KW, presentaba una tasa de fallos elevada…

Dadas estas limitaciones, también en la década de los 40,

Russell Ohl, investigador de los laboratorios Bell, se dedicó de
lleno al estudio de las propiedades de los semiconductores.

Descubrió que el comportamiento errático e irreproducible de

los cristales semiconductores fabricados en aquellos años se
debía a la presencia de impurezas no controladas y no a un
problema inherente al propio semiconductor. Los trabajos de
Ohl abrieron en los laboratorios Bell la idea de que los cristales
de semiconductores podían llegar a sustituir a las válvulas de vacío (para solucionar problemas
con las comunicaciones telefónicas a larga distancia).
Los laboratorios Bell reunieron a un grupo de científicos con esta idea, y en 1947 fabricaron
un prototipo que hacía lo mismo que las válvulas de vacío, es decir, amplificar las señales
eléctricas, pero con un material semiconductor, el germanio.

Y así nació el transistor. Los inventores del transistor, Bardeen, Brattain y Shockley
recibieron el Nobel de física en 1956.

Y hay una historia muy interesante detrás de la invención del transistor:

Aunque muchos libros digan que este invento fue posible gracias a la colaboración codo con
codo de los científicos arriba mencionados, esto no fue así. Se llevaban fatal. Podrían
compararse con la serie The Big Bang Theory, ya que Shockley tenía una personalidad
idéntica a Sheldon Cooper; físico teórico egocéntrico, irascible, se creía el mejor, no podía
trabajar en grupo…

Una vez inventado el transistor e incluso haber recibido el premio Nobel, Shockley vio que el
invento tenía futuro y que podía explotarlo económicamente. Se marchó de los Laboratorios
Bell y montó su propia empresa para construir elementos semiconductores (transistores,
etc.). Reunió a un grupo de científicos y construyó su propia empresa en lo que hoy día es
Silicon Valley, fue la primera empresa montada en este enclave y la nombró Shockley
Transistor en honor a sí mismo. Pero, por culpa de su personalidad, los trabajadores lo
abandonaban. Ocho de estos científicos montaron la empresa Fairchild Semiconductor
(existe en la actualidad), también montaron empresas como Intel y MD. Otro de estos
científicos inventó los circuitos integrados.

Finalmente, Shockley dejó la empresa e intentó montar otras, las cuales tampoco funcionaron
por culpa también de su personalidad.

Los primeros dispositivos construidos con transistores fueron radios portátiles. El transistor
permitió que redujeran el tamaño de los equipos. El transistor fue el invento de la época y,
en España, las radios de bolsillo son conocidas como Transistores.

A lo largo de los años, el transistor ha ido reduciendo su tamaño, pero el funcionamiento es

el mismo. Los transistores controlan el movimiento de los electrones y, en consecuencia, de
la corriente eléctrica. Disponen de tres terminales denominados emisor, base y colector.

Podemos hacer un símil entre transistores y un grifo; el agua que circula por la tubería
(emisor) sale hacia la boca del grifo (colector), y mediante una llave (base) controla su caudal.
Así, el transistor puede modificar, amplificar, desfasar y modular señales eléctricas.

El transistor se convirtió rápidamente en la clave para el funcionamiento de multitud de

productos comerciales de electrónica de consumo, centralitas telefónicas, los primeros
ordenadores, etc. Al incorporarse a estos últimos, pronto se vio que se necesitaban fabricar
con un tamaño cada vez más reducido para aumentar la capacidad de procesado.
Sin embargo, aún se usaban los transistores como componentes discretos, por lo que había
que conectarlos entre sí para que funcionaran, y miles de transistores juntos necesitaban
cientos de miles de cables de interconexión. Por tanto, había un límite en el tamaño mínimo
que podía tener un transistor, y ese límite lo marcaba lo que las manos y las pinzas con las
que se manipulaban podían manejar.

Algunos científicos empezaron a pensar que la solución pasaba por hacer todo el circuito y
sus componentes (transistores, resistencias, condensadores e interconexiones entre ellos)
en una única pieza de semiconductor: el Circuito Integrado (CI).

La idea del CI la tuvieron, de manera independiente y casi simultánea, dos científicos de dos
empresas rivales: Jack Kilby (Texas Instrument) y Robert Noyce (Fairchild
Semiconductors).

El CI experimentó un desarrollo sin precedentes en los siguientes años, impulsado

principalmente por el programa espacial y la industria militar de los Estados Unidos. Los
primeros CI integraban unas pocas decenas de transistores, y muy pocos años después se
comercializaban CI con miles y decenas de miles, y hoy en día hay CI con miles de millones
de transistores. Si los CI se fabricaran de forma individual, su precio sería prohibitivo, pero
su procedimiento de fabricación permite abaratar los costes unitarios drásticamente.

2 SISTEMAS ELECTRÓNICOS
Un sistema es cualquier volumen cerrado en el que las entradas y salidas son conocidos, y
tiene una función determinada. Estas entradas y salidas (inputs/outputs) son variaciones de
una magnitud física que aporta información.

Un sistema electrónico es un sistema que manipula o genera energía eléctrica y que está
constituido por dispositivos electrónicos. Se pueden dividir en.

➢ Entradas: Toman las señales (temperatura, presión, …) del mundo físico y las
convierten en señales de corriente o voltaje.
 ➢ Circuitos de procesamiento de señales: Manipulan, interpretan y transforman las
señales de voltaje y corriente procedentes de las señales.

➢ Salidas o actuadores: Convierten las señales de corriente o voltaje en señales

físicamente útiles.

Todo el sistema electrónico entre la entrada y la salida (circuito de procesamiento de señal)

puede ser un sistema muy complejo, por lo que no se diseña ni se analiza todo de golpe, sino
por partes. Esto es siguiendo la estrategia top-down, donde un sistema complejo es
progresivamente dividido en sistemas más simples, resultando en una serie de módulos que
son más fáciles de manejar (bloques funcionales).

El diagrama de bloques como el de la figura superior, es una forma simple de representar un

sistema complejo en un conjunto de módulos más simples.

Los bloques funcionales se pueden dividir en varias categorías: amplificadores, filtros, fuente
de señal, circuitos conformadores de onda, etc. Cada bloque funcional consiste en un circuito
compuesto por resistencias, condensadores, bobinas, transistores, circuitos integrados y
otros dispositivos.

En esta asignatura vamos a ver la base para:

➢ Dado un circuito, analizarlo para calcular las especificaciones de ese bloque, por
ejemplo, analizar un circuito amplificador para calcular su ganancia).

➢ Partiendo de las especificaciones externas de un bloque, como un amplificador,

diseñar un circuito práctico que cumpla esas especificaciones.

No forma parte de la asignatura el diseñar el diagrama de bloques apropiado para un sistema

electrónico complejo.

2.1 SENSORES Y ACTUADORES

Los sistemas electrónicos interaccionan con el mundo exterior mediante los sensores y los
actuadores.
Un sensor es un dispositivo que transforma una magnitud física del medio (mecánica, térmica,
magnética, óptica, etc.) en una señal eléctrica. Por ejemplo, un micrófono transforma
variaciones de presión en señales eléctricas.

Un actuador es un dispositivo que, a partir de una señal eléctrica, genera un cambio en una
magnitud física del medio. Por ejemplo, un altavoz transforma una señal eléctrica en sonido.

Algunos sensores producen una señal eléctrica directamente relacionada con la magnitud
física que miden. Otros, sin embargo, necesitan de circuitería adicional para generar dicha
señal: circuitos adaptadores.

Por ejemplo, muchos sensores representan el cambio de una magnitud física cambiando su
resistencia. Un ejemplo de este tipo de sensores son las LDR:

Una LDR (Light-Dependent Resistor), también llamada fotorresistencia, es una resistencia

dependiente de la luz. Cambios de intensidad luminosa generan cambios en el valor de su
resistencia. El funcionamiento de estas LDR se basa en el efecto fotoeléctrico. Posee muy
pocos electrones libres en condiciones de oscuridad (resistencia muy alta), pero al ser
iluminadas se generan portadores libres, disminuyendo la resistencia.

Pero, ¿Cómo podemos hacer que este cambio de resistencia se traduzca en una señal
eléctrica?

Podemos convertir el cambio en de resistencia en la LDR a un cambio de voltaje, incluyendo

una LDR en un divisor de tensión. Así, podemos construir un sensor fotoeléctrico, que
transforma información lumínica en señal eléctrica, mediante el siguiente circuito:

Para mucha intensidad lumínica, el valor de la LDR disminuirá, aumentando el voltaje de salida
Vout.

Así, Vout es una señal que porta la información de la intensidad de luz que hay.
3 ANALÓGICO VS DIGITAL
Acabamos de ver que las variaciones eléctricas de un sensor portan información de alguna
magnitud física que varía. Atendiendo a su naturaleza, las magnitudes físicas pueden
clasificarse como:

➢ Las que varían de forma continua.

➢ Las que varían de forma discontinua o discreta.

Las señales eléctricas también pueden ser continuas (analógicas) o discretas (digitales). No
tiene por qué haber correspondencia necesaria entre señales y magnitud física: a veces,
puede ser conveniente representar una magnitud continua con una señal discreta y viceversa.
Por ejemplo, los convertidores A/D y D/A.

3.1 SEÑAL ANALÓGICA VS DIGITAL

3.3.1 Señal analógica

Las señales analógicas tienen una variación continua a lo largo del tiempo.

Toman un margen continuo de valores de amplitud, es decir, pueden tomar cualquier valor del
intervalo.

Toman un valor análogo a la magnitud representada.

3.3.2 Señal digital

Las señales digitales no varían de forma continua en el tiempo, sino únicamente en instantes
de tiempo concretos.

Toman un número discreto de valores, es decir, un número finito de amplitudes.

Solo existen dos valores, se habla de señal binaria.

3.2 VENTAJAS DE CIRCUITOS DIGITALES FRENTE A ANALÓGICOS

Los circuitos digitales presentan una menos sensibilidad al ruido eléctrico y a la distorsión.

En la imagen se puede ver como la señal digital con ruido es más parecida a la original que la
señal analógica con ruido. Al ser menos sensibles al ruido, también son más precisos.

Estas señales ofrecen la posibilidad de implementar funciones matemáticas, lógicas y de

almacenamiento de gran complejidad.

Aunque tienen más componentes, los circuitos digitales son más baratos que los analógicos,
gracias a las técnicas de fabricación de los circuitos integrados.

3.3 CONVERSORES ANALÓGICOS/DIGITALES (A/D)

Normalmente las magnitudes físicas son analógicas, pero es posible convertir señales
analógicas en digitales. Esta conversión analógica-digital (A/D) pueden dividirse en varias
etapas:
1) Muestreo de la señal analógica: Se toman muestras de la señal analógica en determinados
instantes de tiempo. Sus valores se hacen discretos en el dominio del tiempo.

2) Cuantificación: A continuación, se establece un conjunto de valores discretos que puede

tomar la señal en cada instante. Al valor de cada muestra se le asigna el valor cuantificado
más próximo, para minimizar el error en la conversión.

3) Digitalización: A cada uno de los posibles valores de la señal, se le asigna un número binario
que lo representa, es decir, una secuencia de ceros y unos.
4 SEMICONDUCTORES
4.1 ENLACES EN LOS SÓLIDOS

En la naturaleza, los átomos no se presentan aislados, sino que se unen para formar moléculas.
Las moléculas pueden existir como entidades separadas en gases (H2, N2, 02, …) o pueden
enlazarse para formar líquidos o sólidos.

Las propiedades de los sólidos dependen del tipo de enlace. En concreto, la propiedad que a
nosotros nos interesa es la conductividad, que se debe a la distribución de electrones en los
orbitales exteriores de los átomos. Usando esta propiedad, los materiales pueden
clasificarse en conductores, aislantes y semiconductores.

En este tema, buscamos entender el comportamiento de los semiconductores, ya que en ellos

se basa la descripción de la mayoría de dispositivos electrónicos.

Para entender las propiedades de los semiconductores debemos comprender su composición

química y la estructura electrónica de los enlaces que los conforman.

Repasemos algunos conceptos de química:

4.1.1 Modelo Atómico de Bohr

Los electrones en un átomo no están distribuidos al azar alrededor del núcleo, sino que se
encuentran distribuidos en diferentes niveles energéticos. Para moverse entre capas, un
electrón debe absorber o liberar una cantidad de energía que corresponde exactamente a la
diferencia de energía que hay entre las capas. Los átomos, tienden a tomar la configuración
más estable y de menor energía posible.

Así, en un átomo se llenan primero las capas de menor energía, las más cercanas al núcleo, y
después se van llenando las capas exteriores de mayor energía. La capa más cercana al núcleo
(1n) puede contener dos electrones, la segunda (2n) puede contener hasta 8, y la tercera
(3n), hasta 18.
La capa más externa de un átomo en la que hay electrones se llama capa de valencia, y los
electrones que hay en ella se denominan electrones de valencia. El número de electrones de
la capa de valencia de un átomo particular determina su reactividad o tendencia a formar
enlaces químicos con otros átomos.

Los átomos son más estables, es decir, menos reactivos, cuando su capa de valencia se
encuentra completa, o cuando hay ocho electrones en la capa de valencia (regla del octeto).

Así, por ejemplo, el helio (2e), el neón (10e) y el argón (18e) tienen su capa de valencia
completa o satisfacen la regla del octeto. Esto los hace muy estables como átomos
individuales. Debido a su falta de reactividad se denominan gases nobles.

En contraste, el cloro tiene únicamente 7 electrones en su capa más externa, mientras que
el sodio solo tiene uno. Esto hace que sean muy reactivos, ávidos por ganar o perder
electrones para alcanzar una configuración más estable.

4.1.2 Enlace Iónico

Este tipo de enlaces forman redes cristalinas, donde un átomo cede un electrón a otro para
cumplir la regla del octeto.

Así se crean iones positivos y negativos (Na+, Cl-) que tienden a atraerse, lo que hace que
estos enlaces sean muy fuertes. Este tipo de enlace es frecuente en muchos aislantes.

No existen electrones libres, pues están fuertemente ligados a los núcleos de los átomos.
Así, si aplicamos un campo eléctrico, no habrá apenas corriente, al no existir cargas libres.

4.1.3 Enlace Metálico

Este tipo de enlaces están formados por elementos metálicos que

liberan electrones de su capa de valencia para cumplir la regla del
octeto o para que su última capa esté llena. Así, se forma una
nube de electrones libres que sirve de unión entre los núcleos
atómicos. La red cristalina se mantiene por la interacción entre
los núcleos atómicos positivos y los electrones que los rodean. Por
eso, los metales son muy buenos conductores, pues tienen un gran número de electrones
libres que se pueden mover en presencia de un campo eléctrico ( y esa nube de electrones
está presente para cualquier temperatura).
4.1.4 Enlace Covalente

En este tipo de enlace, dos o más átomos comparten sus electrones, es decir, un electrón
forma parte de los dos átomos al mismo tiempo.

Por ejemplo, el silicio (Si) tiene cuatro electrones en su capa de valencia. Cada átomo de la
red cristalina de silicio comparte sus cuatro electrones de valencia con sus cuatro átomos
vecinos. Cada átomo vecino comparte a sun vez un electrón con él. Así, cada átomos tiene
ocho electrones (compartidos) en su capa de valencia (regla del octeto).

Como ocurre en el enlace iónico, no existen electrones libres en la red cristalina, por lo que
en principio puede parecer un buen aislante. Sin embargo, eso es solo cierto a una
temperatura de 0º K. A diferencia del enlace iónico, en los enlaces covalentes no es necesaria
mucha energía para hacer que los electrones queden libres.

Por eso, a ciertos elementos como el silicio o el germanio que forman enlaces covalentes se
les denomina semiconductores.

4.1.5 Capa de Conducción

La capa que hay por encima de la capa de valencia se denomina capa de conducción (y
lógicamente está vacía de electrones). Si los electrones alcanzan esa capa, quedan libres y
se pueden mover por el cristal para conducir corriente.

Por tanto, si se le suministra la suficiente energía a los electrones para que salten de la capa
de valencia a la de conducción, es posible la corriente.
 ➢ Conductor: Enlace metálico

➢ Aislante: Enlace Iónico:

➢ Semiconductor: Enlace Covalente:

En el caso de los enlaces iónicos sería necesaria demasiada energía para conseguir esto, pero
para los covalentes basta con una simple excitación térmica u óptica.

A una temperatura de 0ºK la capa de conducción está vacía y se comporta como un aislante,
pero al ir aumentando la temperatura, cada vez más electrones adquieren la energía
suficiente para saltar a esa banda y aumenta su conductividad.

4.2 ELECTRONES Y HUECOS

Vamos a ver con más detalle que pasa en los semiconductores cuando existe excitación
térmica, tanto desde el punto de vista de la representación de los enlaces atómicos, como
con la representación de las capas de energía.

Si no existe excitación térmica (a 0ºK) no hay posibiliad de electrones libres.

Sin embargo, a temperatura ambiente, algunos electrones de la capa de valencia alcanzan la
energía necesaria para saltar a la capa de conducción.

Esto hace que, bajo la influencia de un campo eléctrico, puedan moverse a la capa de
conducción de otro átomo vecino, generando una corriente eléctrica.

Pero además, estos electrones que saltan a la capa de conducción dejan estados desocupados
en la capa de valencia, llamados huecos.

Un hueco no es más que una necesidad de electrón en la capa de valencia (se necesita un
electrón para completar la capa o cumplir la regla del octeto).

No confundir un hueco con un electrón, ni tampoco con un ion positivo

Al aplicar un campo eléctrico, el hueco puede ser ocupado por otro electrón de valencia de
un átomo vecino, que se ve atraído por la necesidad de hueco de ese enlace y por la fuerza
del campo eléctrico. Ese electrón dejará a su vez un nuevo hueco en la región donde estaba.
Sin embargo, aunque en realidad es un electrón lo que se mueve en la capa de valencia
ocupando un hueco y dejando otro, se considera que el hueco es una partícula con carga
positiva y que se mueve en sentido contrario. Así, cada hueco en la capa de valencia contribuye
también a la conducción.

El concepto de hueco como partícula cargada es un artificio que permite describir de forma
sencilla el complejo movimiento de los electrones de valencia. La corriente a través del
semiconductor es debida al movimiento de los portadores de carga: Electrones en la capa de
conducción y huecos en la capa de valencia.

La generación de electrones libres y huecos, es decir, la ruptura de los enlaces covalentes,

es causada por la energía térmica. Así, cuanta más alta sea la temperatura, mayor será la
velocidad de genración. La velocidad de generación depende de la temperatura.

Por otra parte, cuando un electrón libre encuentra un hueco, puede producirse una
recombinación. Una recombinación ocurre cuando un electrón de la capa de conducción pierde
energía y ocupa un hueco en la capa de valencia. El electrón y el hueco libre se combinan para
formar un enlace covalente). A temperatura ambiente siempre se están rompiendo
(generación) y reconstruyendo (recombinación) enlaces. La vida media de un electrón puede
ser de milisegundos o microsegundos.

En resumen de lo visto hasta ahora:

➢ Un cristal de semiconductor está formado por elementos

como el silicio o el germanio, cuyos átomos se unen mediante
enlaces covalentes.

➢ Por el simple hecho de estar a temperatura ambiente

(energía térmica) pueden saltar electrones de la capa de
valencia a la de conducción.
 ➢ Por cada electrón que salta se generan dos portadores de carga, uno de carga
negativa (electrón) en la banda de conducción y otra de carga positiva (hueco) en la
banda de valencia

➢ Como los electrones y los huecos se crean en pares, la concentración de electrones

en la capa de conducción es igual a la concentración de huecos en la capa de valencia.

➢ Ambos portadores de carga contribuyen a que haya corriente eléctrica.

Pero, ¿esa concentración de portadores de carga es grande? ¿es como la de un

conductor?

En un cristal puro de semiconductor la concentración de portadores es muy muy pequeña, por

lo que apenas es capaz de producir un poco de corriente.

Un cristal puro es aquel que únicamente está formado por átomos del elemento
semiconductor concreto, sin átomos de otros elementos. A ste tipo de cristales se les
denomina semiconductores intrínsecos.

Por tanto, todo lo visto hasta ahora se refiere a los

llamados semiconductores intrínsecos. Al tener tan
poca conductividad, este tipo de semiconductores no
son realmente interesantes para fabricar disposotivos
electrónicos.

Sin embargo, existe otro tipo más interesante, los semiconductores extrínsecos. En este
tipo de semiconductor, los portadores de carga no se deben únicamente a los pares electrón-
hueco generados por energía térmica, si no que introducimos átomos de otros elementos al
cristal (impurezas), y esto hace que se genere una gran cantidad de electrones o huecos.
4.3 SEMICONDUCTORES EXTRÍNSECOS

Los semiconductores extrínsecos son aquellos cristales de semiconductor que se han dopado
de manera controlada, lo que afecta enormemente a la concentración de huecos y electrones.

El dopado es la inclusión de pequeñas cantidades de impurezas en un semiconductor. Estas

impurezas son átomos distintos a los del elemento semiconductor que se pueden incluir en la
red cristalina.

Existen dos tipos de semiconductores extrínsecos o dopados:

➢ Tipo n: Aumenta la concentración de electrones.

➢ Tipo p: Aumenta la concentración de huecos.

4.3.1 Semiconductor extrínseco tipo n

Consiste en el dopado de una red cristalina de Si o Ge mediante la introducción de una serie

de impurezas concretas, llamadas impurezas donantes. Las impurezas donantes son
elementos pentavalentes, es decir, que tiene cinco electrones en su capa de valencia: fósforo
(P), antimonio (Sb) y arsénico (As).

Por ejemplo, si añadimos fósforo, los átomos de fósforo se posicionan en la estructura

cristalina y forman enlaces covalentes con sus cuatro vecinos. El quinto electrón de valencia
solo está débilmente unido al átomo de fósforo. A 0º K habría un electrón que no forma
ningún enlace unido a cada átomo de P.

A temperaturas de trabajo normales, este electrón extra rompe su enlace con el átomo de
impureza, y se convierte en un electrón libre. Todos los electrones adicionales de los átomos
de P se desligan de su átomo, pues no es necesaria mucha energía para que esto suceda.
Pero, a diferencia de lo que pasa con los semiconductores intrínsecos, no se forma un hueco,
pues no hay necesidad de electrón.

Al perder ese electrón, todos los átomos donantes se han ionizado, quedando así como cargas
positivas enlazadas al cristal, pero no están libres para conducir. La concentración de carga
neta en el material es cero, el electrón libre se compensa con el ion positivo.

OJO: Si todos los electrones libres se fuesen a una región del cristal, esa región quedaría
con carga negativa y el resto con positiva

Por tanto, en los semiconductores tipo n, los átomos de impureza crean un aumento
controlado de electrones libres, lo que aumenta mucho la conductividad. Sin embargo, los
átomos de impurezas no crean huecos, la carga positiva que equilibra al electrón libre es el
ion, que está enlazado al cristal.

Eso no quiere decir que no haya huecos, pues en los conductores extrínscos también ocurre
eol mecanismo intrínseco, es decir, se generan pares electrón-hueco por energía térmica.

Sin embargo, el número de portadores creados por el mecanismo intrínseco es mucho menor
que el número de electrones creados por el extrínseco. Así, la concentración de electrones
libres será mucho mayor que la de los huecos: en tipo n la conducción se da principalmente
por los numerosos electrones.

En concreto, la concentración de electrones libres es igual a la suma de concentraciones de

huecos y donantes, siendo la carga neta igual a cero.

Por eso, a los electrones libres también se les denomina portadores mayoritarios, mientras
que a los huecos se les llama portadores minoritarios.

4.3.2 Semiconductor extrínseco tipo p

Consiste en un dopado de una red cristalina de Si o Ge mediante la introducción de una serie

de impurezas concretas, llamadas impurezas aceptadoras o aceptoras. Las impurezas
aceptoras son elementos trivalentes, es decir, que tienen tres electrones en la capa de
valencia: boro (B), aluminio (Al), galio (Ga)…
Por ejemplo, si añadios aluminio (Al), cada átomo de impureza se coloca en la estructura
cristalina y forma enlaces covalentes con tres de sus átomos vecinos. El átomo de impureza
no tiene el cuarto electrón de impureza que se necesita para completar el enlace con su
cuarto vecino, hay una falta de electrón ligada al átomo de Al.

A temperaturas de trabajo normales, un electrón de un átomo de silicio cercano se puede

desplazar para llenar el cuarto enlace de cada átomo de impureza. Todas las faltas de
electrón de los átomos de Al están cubiertas con un electrón procedente de un átomo de
silicio, en el que se genera un hueco.

Así, en los tipo p, no se producen electrones libres que saltan a la capa de conducción, sino
que hay electrones que se mueven por la capa de valencia para ir cubriendo las faltas de
electrón o huecos. Por tanto, son estos huecos los que se van moviendo libremente por el
cristal.

Al ganar ese electrón, todos los átomos aceptadores se han ionizado, quedando como cargas
negativas. Pero la carga neta en el material es cero: el hueco libre se compensa con el ion
negativo.

Si todos los huecos se fueran a una región del cristal, esa región se quedaría con carga
positiva y el resto con carga negativa.

Por tanto, en los semiconductore tipo p, los átomos de impureza crean un aumento controlado
de huecos (portadores de carga libre positivos), lo que aumenta mucho la conductividad.
Como se comentó antes, también existe un mecanismo intrínseco, y en este caso la
concentración de huecos es igual a la suma de las concentraciones de los electrones libres y
donantes, siendo la carga neta igual a cero.

Así, en un material de tipo p, los huecos son los portadores mayoritarios y los electrones son
los portadores minoritarios, alrevés de como ocurría en los tipo n.