RAM

La memoria de acceso aleatorio (en ingls: random-access memory),se utiliza como

memoria de trabajo para el sistema operativo, los programas y la mayora del software. Es
all donde se cargan todas las instrucciones que ejecutan el procesador y otras unidades de
cmputo. Se denominan "de acceso aleatorio" porque se puede leer o escribir en una
posicin de memoria con un tiempo de espera igual para cualquier posicin, no siendo
necesario seguir un orden para acceder a la informacin de la manera ms rpida posible.
Hay dos tipos bsicos de memoria RAM

RAM dinmica (DRAM)

RAM esttica (SRAM)

Los dos tipos de memoria RAM se diferencian en la tecnologa que utilizan para guardar
los datos, la memoria RAM dinmica es la ms comn.
La memoria RAM dinmica necesita actualizarse miles de veces por segundo, mientras que
la memoria RAM esttica no necesita actualizarse, por lo que es ms rpida, aunque
tambin ms cara. Ambos tipos de memoria RAM son voltiles, es decir, que pierden su
contenido cuando se apaga el equipo.
Antecedentes histricos de la memoria RAM
Uno de los primeros tipos de memoria RAM fue la memoria de ncleo magntico,
desarrollada entre 1949 y 1952 y usada en muchos computadores hasta el desarrollo de
circuitos integrados a finales de los aos 60 y principios de los 70. Esa memoria requera
que cada bit estuviera almacenado en un toroide de material ferromgnetico de algunos
milmetros de dimetro, lo que resultaba en dispositivos con una capacidad de memoria
muy pequea. Antes que eso, las computadoras usaban rels y lneas de retardo de varios
tipos construidas para implementar las funciones de memoria principal con o sin acceso
aleatorio.
En 1969 fueron lanzadas una de las primeras memorias RAM basadas en semiconductores
de silicio por parte de Intel con el integrado 3101 de 64 bits de memoria y para el siguiente
ao se present una memoria DRAM de 1 Kilobyte, referencia 1103 que se constituy en
un hito, ya que fue la primera en ser comercializada con xito, lo que signific el principio
del fin para las memorias de ncleo magntico. En comparacin con los integrados de
memoria DRAM actuales, la 1103 es primitiva en varios aspectos, pero tena un desempeo
mayor que la memoria de ncleos.

SRAM
Static Random Access Memory (SRAM), o Memoria Esttica de Acceso Aleatorio es un
tipo de memoria basada en semiconductores que a diferencia de la memoria DRAM, es
capaz de mantener los datos, mientras est alimentada, sin necesidad de circuito de
refresco. Sin embargo, s son memorias voltiles, es decir que pierden la informacin si se
les interrumpe la alimentacin elctrica.

Caractersticas
La memoria SRAM es ms cara, pero ms rpida y con un menor consumo (especialmente
en reposo) que la memoria DRAM. Es utilizada, por tanto, cuando es necesario disponer de
un menor tiempo de acceso, o un consumo reducido, o ambos. Debido a su compleja
estructura interna, es menos densa que DRAM, y por lo tanto no es utilizada cuando es
necesaria una alta capacidad de datos, como por ejemplo en la memoria principal de los
computadores personales.
Sus flip-flops mantienen el estado siempre que no se quite su alimentacin.
Son de lectura y escritura.
Uso

Aplicaciones en las que se valora la rapidez y la sencillez:

Memorias cach
Buffer

La estructura de una SRAM es la misma que la de una RAM genrica. Se fabrican con
tecnologa bipolar y CMOS. La bipolar es ms rpida, pero la CMOS tiene un consumo
mucho menor y permite una mayor densidad de integracin, y por tanto una mayor
capacidad.
Actualmente se usa sobre todo la tecnologa CMOS.

DRAM
DRAM (Dynamic Random Access Memory) es un tipo de memoria dinmica de acceso
aleatorio que se usa principalmente en los mdulos de memoria RAM y en otros
dispositivos, como memoria principal del sistema. Se denomina dinmica, ya que para
mantener almacenado un dato, se requiere revisar el mismo y recargarlo, cada cierto
perodo, en un ciclo de refresco. Su principal ventaja es la posibilidad de construir
memorias con una gran densidad de posiciones y que todava funcionen a una velocidad
alta: en la actualidad se fabrican integrados con millones de posiciones y velocidades de
acceso medidos en millones de bit por segundo. Es una memoria voltil, es decir cuando no
hay alimentacin elctrica, la memoria no guarda la informacin. Inventada a finales de los
sesenta, es una de las memorias ms usadas en la actualidad.
Funcionamiento
La celda de memoria es la unidad bsica de cualquier memoria, capaz de almacenar un Bit
en los sistemas digitales. La construccin de la celda define el funcionamiento de la misma,
en el caso de la DRAM moderna, consiste en un transistor de efecto de campo y un
condensador. El principio de funcionamiento bsico, es sencillo: una carga se almacena en
el condensador significando un 1 y sin carga un 0. El transistor funciona como un
interruptor que conecta y desconecta al condensador. Este mecanismo puede implementarse
con dispositivos discretos y de hecho muchas memorias anteriores a la poca de los
semiconductores, se basaban en arreglos de celdas transistor-condensador.
Antecedentes de la memoria ROM
El tipo ms simple de ROM en estado slido es de la misma antigedad que la propia
tecnologa semiconductora. Las puertas lgicas combinacionales pueden usarse en conjunto
para indexar una direccin de memoria de n bits en valores de m bits de tamao (una tabla
de consultas). Con la invencin de los circuitos integrados se desarroll la mscara ROM.
La mscara ROM consista en una cuadrcula de lneas formadas por una [[palabra
(informti58432 +259+56+5+6 z desarrollada por Toshiba o windows. Los diseadores
rompieron explcitamente con las prcticas del pasado, afirmando que enfocaba "ser un
reemplazo de los discos duros", ms que tener el tradicional uso de la ROM como una
forma de almacenamiento primario no voltil. En 2007, NAND ha avanzado bastante en su
meta, ofreciendo un rendimiento comparable al de los discos duros, una mejor tolerancia a
los shocks fsicos, una miniaturizacin extrema (como por ejemplo memorias USB y
tarjetas de memoria MicroSD), y un consumo de potencia mucho ms bajo.

Condensador cargado: 1 lgico.

Condensador descargado: 0 lgico.

Se usa un circuito comparador que indica si est por encima o por debajo de un umbral
dado.

Los condensadores no almacenan la carga por tiempo indefinido por lo que requieren un
refresco (por eso se llaman dinmicas). El refresco dinmico es una desventaja frente a las
SRAM porque el sistema de control se hace ms complejo.
Pero un condensador ocupa 4 veces menos que un flip-flop, lo que permite una mayor
densidad de almacenamiento y consumen menos potencia que las SRAM.
Mtodos de refresco para una memoria DRAM:

Por rfaga: cada tiempo de refresco se suspende el funcionamiento de la DRAM y

se refrescan sucesivamente todas sus filas.
Distribuido: se intercalan los ciclos de refresco con los de lectura y escritura,
peridicamente se refresca una fila.
Periodo de refresco= tiempo de refresco DRAM / nmero de filas.

Comparacin entre las SRAM y las DRAM

Desventajas DRAM frente a SRAM

Operacin de refresco de las celdas de memoria.

Mayor tiempo de acceso.

Ventajas DRAM frente a SRAM

Mayor densidad de almacenamiento

Menor consumo de potencia

Criterio de utilizacin SRAM/DRAM

SRAM

Aplicaciones en las que se valora la rapidez y la sencillez.

DRAM

Aplicaciones en las que se necesite una elevada capacidad y un bajo consumo.

ROM
La memoria de solo lectura, conocida tambin como ROM (acrnimo en ingls de readonly memory), es un medio de almacenamiento utilizado en ordenadores y dispositivos
electrnicos, que permite solo la lectura de la informacin y no su escritura,
independientemente de la presencia o no de una fuente de energa.
Los datos almacenados en la ROM no se pueden modificar, o al menos no de manera rpida
o fcil. Se utiliza principalmente para contener el firmware (programa que est
estrechamente ligado a hardware especfico, y es poco probable que requiera
actualizaciones frecuentes) u otro contenido vital para el funcionamiento del dispositivo,
como los programas que ponen en marcha el ordenador y realizan los diagnsticos.
Se utiliza para almacenar los programas que ponen en marcha el ordenador y realizan los
diagnsticos. La mayora de los ordenadores tienen una cantidad pequea de memoria
ROM (algunos miles de bytes).
Puesto que la memoria ROM tambin permite acceso aleatorio, si queremos ser precisos, la
memoria RAM debera llamarse memoria RAM de lectura y escritura, y la memoria ROM
memoria RAM de slo lectura.

NVRAM
Conocido tambin como Non-Volatile Random Access Memory es un tipo de memoria el
cual no pierde data cuando el equipo electrnico donde est instalado es apagado. Otros
tipos de memorias como lo son DRAM o SRAM pierden toda data cuando estos son
apagados. Ejemplos de equipos con NVRAM son los famosos flash memory y algunos
equipos (tales como impresoras lser) almacenan data la cual tiene que permanecer aun
cuando el equipo este apagado (en el caso de las impresoras, puede ser el conteo de pginas
impresas).
Un tipo de NVRAM es SRAM, que se convierte en no voltil al conectarla a una fuente de
energa constante como podra ser una batera.
Otro tipo de NVRAM usa chips de memoria EEPROM (electrically erasable programmable
read-only memory, que sera en castellano memoria programable y borrable elctricamente
de slo lectura) para guardar su contenido cuando se corta la corriente. En este caso,
NVRAM est compueesta por una combinacin de chips de SRAM y EEPROM.

PROM
Es una memoria digital donde el valor de cada bit depende del estado de un fusible (o anti
fusible), que puede ser quemado una sola vez. Por esto la memoria puede ser programada
(pueden ser escritos los datos) una sola vez a travs de un dispositivo especial, un

programador PROM. Estas memorias son utilizadas para grabar datos permanentes en
cantidades menores a las ROMs, o cuando los datos deben cambiar en muchos o todos los
casos.

Programacin: una PROM comn se encuentra con todos los bits en valor 1 como valor por
defecto de las fbricas; el quemado de cada fusible, cambia el valor del correspondiente bit
a 0. La programacin se realiza aplicando pulsos de altos voltajes que no se encuentran
durante operaciones normales (12 a 21 voltios). El trmino Read-only (slo lectura) se
refiere a que, a diferencia de otras memorias, los datos no pueden ser cambiados (al menos
por el usuario final).

EPROM
Es un tipo de chip de memoria ROM no voltil inventado por el ingeniero Dov Flohman.
Est formada por celdas de FAMOS (Floating Gate Avalanche-Injection Metal-Oxide
Semiconductor) o "transistores de puerta flotante", cada uno de los cuales viene de fbrica
sin carga, por lo que son ledos como 1 (por eso, una EPROM sin grabar se lee como FF en
todas sus celdas). Se programan mediante un dispositivo electrnico que proporciona
voltajes superiores a los normalmente utilizados en los circuitos electrnicos. Las celdas
que reciben carga se leen entonces como un 0.
Es una memoria borrable y programable, o lo que es lo mismo reprogramable. Esto quiere
decir que puede guardarse informacin en la memoria, luego borrarla e introducir otra. Esto
permite realizar de manera sencilla modificaciones, ampliaciones y correcciones del
contenido de la memoria.
La EPROM dispone, como cualquier memoria de un bus de direcciones y de un bus de
datos. Internamemte cada bit se almacena en una matriz de clulas de memoria. Cuando la
EPROM est activa y en modo de lectura, se produce la decodificacin de las direcciones y
el contenido de las clulas de memoria seleccionadas se entrega a la salida.
Para la programacin se utiliza una tensin de programacin (Vpp) y un pulso de
programacin PGM.
El borrado se realiza mediante luz ultravioleta por lo que la EPROM se encapsula con una
ventana.
Existen EPROM que carecen de ventana de cuarzo (OTP, programable una sola vez) y por
ello no pueden borrarse. Se programan igual que las otras EPROM pero son ms baratas, lo
que resulta interesante para la produccin en serie.
Las EPROM pueden venir en diferentes tamaos y capacidades. As, para la familia 2700 se
pueden encontrar:

Tipo
EPROM

de Tamao
bits

Tamao
Bytes

Longitud
(hex)

ltima
(hex)

1702, 1702A

2 Kbits

256

100

000FF

2704

4 Kbits

512

200

001FF

2708

8 Kbits

1 Kbytes

400

003FF

2716, 27C16

16 Kbits

2 KBytes

800

007FF

2732, 27C32

32 Kbits

4 KBytes

1000

00FFF

2764, 27C64

64 Kbits

8 KBytes

2000

01FFF

27128, 27C128

128 Kbits

16 KBytes

4000

03FFF

27256, 27C256

256 Kbits

32 KBytes

8000

07FFF

27512, 27C512

512 Kbits

64 KBytes

10000

0FFFF

27C010, 27C100 1 Mbits

128 KBytes

20000

1FFFF

27C020

2 Mbits

256 KBytes

40000

3FFFF

27C040

4 Mbits

512 KBytes

80000

7FFFF

27C080

8 Mbits

1 Mbytes

100000

FFFFF

direccin

EEPROM
EEPROM responde a Erasable Programmable Read Only Memory que se puede traducir
como Memoria programable borrable de solo lectura. Tambin se la conoce como E-2PROM. Como su nombre sugiere, una EEPROM puede ser borrada y programada con
impulsos elctricos. Al ser una pieza que se puede gestionar por estos impulsos elctricos,
podemos realizar todas estas operaciones de reprogramacin sin tener que desconectarla de
la placa a la cual va conectada.
La EEPROM tambin se conoce como non-volatile memory o memoria no voltil y es
debido a que cuando se desconecta la energa, los datos almacenados en la EEPROM no
sern eliminados quedando intactos. Las EEPROM ms nuevas no tiene datos almacenados

en ellas y deben ser primero configuradas con un programador antes de ser usadas. La
informacin almacenada dentro de este dispositivo puede permanecer durante aos sin una
fuente de energa elctrica.
Funcionamiento de la EEPROM
Son usadas para almacenar informacin programable de usuario, como por ejemplo:

Informacin de programacin VCR

Informacin de programacin de CD
Informacin de usuario de productos instalados en el equipo

La EEPROM en el monitor realiza dos funciones:

Cuando encendemos un monitor se copiarn todos los datos o informacin desde la
EEPROM al microprocesador. Por ejemplo, la EEPROM dejar al microprocesador
conocer las frecuencias en las cuales el monitor funcionar.
La EEPROM se utiliza para guardar la configuracin mas reciente del monitor. La
configuracin del monitor no desaparecer aunque el monitor sea apagado. Cuando se haga
un cambio en dicha configuracin, el microprocesador actualiza estos cambios en la
EEPROM. Cuando el monitor vuelve a encenderse, los datos ya actualizados son usados
para poner el monitor operativo.
Las EEPROM raramente fallan, y cuando lo hacen suele ser por picos elctricos y
sobrecargas de energa, provocando perdida de datos o que estos datos queden daados.
Como se comento al principio del artculo, las EEPROM mas modernas viene vacas y
necesitan que la informacin les sea cargada para funcionar. El trabajo de copiar los datos
en una EEPROM se hace mediante un programador o copiador. Estos programas vienes en
todos los tamaos y formas. Se componen de una parte hardware donde se conecta la
EEPROM y luego existen muchos software que harn la descarga al dispositivo.
Hay que tener en cuenta que las EEPROM tiene un tiempo limitado de vida, es decir, las
veces que se pueden reprogramar puede ser de cientos o miles de veces, pero no son
infinitas.

Memoria Flash
La memoria Flash es un tipo de memoria informtica basada en semiconductores, no voltil
y reescribible Esto significa que posee muchas de las caractersticas de la memoria RAM,
excepto que sus datos no se eliminan al apagarse el ordenador. La memoria Flash almacena
porciones de datos en las celdas de memoria, pero esos datos permanecen almacenados
aunque se produzca un corte de energa.
Debido a su alta velocidad, durabilidad y bajo consumo de energa, la memoria flash resulta
ideal para muchos usos, como por ejemplo en cmaras digitales, telfonos mviles,

impresoras, PDA, ordenadores laptop y dispositivos que puedan almacenar y reproducir

sonido, como los reproductores de MP3. Adems, este tipo de memoria no tiene partes
mviles, lo que la hace ms resistente a eventuales golpes.

Bibliografa
[1]https://sites.google.com/site/electronicadigitaluvfime/5-1tipos-de-memoriasram-rom-dram-sram
[2]https://lsbit.wordpress.com/2008/08/25/memorias-ram-dram-y-sram/
[3]http://www.digitalika.com/2010/12/nvram-definicion-de-hoy/
[4]http://www.masadelante.com/faqs/memoria-rom
[5]http://equiposdecomputobac.blogspot.mx/2012/02/memoria-rom-promeprom-y-eeprom.html