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ARQUITECTURA DE COMPUTADORAS
Actividad Curricular Complementaria
Martes 03 de Octubre 2023
Después de revisar la lectura Memoria interna, de manera individual responder:
1. ¿Qué diferencia hay, en cuanto a aplicaciones, entre DRAM y SRAM?
2. ¿Qué diferencia hay entre DRAM y SRAM en cuanto a características tales como
velocidad, tamaño y coste?
3. Indique algunas aplicaciones de las ROM
4. ¿Qué diferencia hay entre las memorias EPROM, EEPROM y flash?
5. ¿Qué diferencia hay entre una SDRAM y una DRAM convencional?
6. Parafrasee toda la lectura en un máximo de 2 páginas.

Memoria interna
P UNTOS CLAVE

 Las dos formas básicas de memorias semiconductoras de acceso aleatorio son la RAM dinámica
(DRAM) y la RAM estática (SRAM). La SRAM es más rápida, más costosa y menos densa
que la DRAM, y se usa para memorias cachés. La DRAM se usa para la memoria principal.
 En los sistemas de memoria es habitual utilizar técnicas de corrección de errores. Esto implica
añadir bits redundantes, que se deducen a partir de los bits de datos, para formar un código de
corrección de errores. Si ocurre un error en un bit el código lo detectará y normalmente, lo
corregirá.
 Para compensar la velocidad relativamente baja de la DRAM se han introducido diversas
variantes con organizaciones DRAM avanzadas. Las dos más usuales son la DRAM sín-crona
y la DRAM RamBus. Ambas implican el uso del reloj del sistema para facilitar la transferencia
de bloques de datos.

MEMORIA PRINCIPAL SEMICONDUCTORA

En computadores antiguos, la forma más común de almacenamiento de acceso aleatorio
para la memoria principal consistía en una matriz de pequeños anillos ferromagnéticos
denominados núcleos. Es por esto que la memoria principal recibía a menudo el nombre
de núcleo (Core), un término que perdura en la actualidad. La llegada de la
microelectrónica, y sus ventajas, acabó con las memorias de los núcleos. Hoy en día es
casi universal el uso de chips semiconductores para la memoria principal.

ORGANIZACIÓN
El elemento básico de una memoria semiconductora es la celda de memoria. Aunque se
utilizan diversas tecnologías electrónicas, todas las celdas de memoria semiconductora
comparten ciertas propiedades:
 Presentan dos estados estables (o semi estables), que pueden emplearse para
representar el 1 y el 0 binarios.
 Puede escribirse en ellas (al menos una vez) para fijar su estado.
 Pueden leerse para detectar su estado.

Mg. Francia Candiotti Edgar Joselito

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DRAM Y SRAM
Todos los tipos de memoria que estudiaremos son de acceso aleatorio, es decir las palabras individuales
de la memoria son accedidas directamente mediante lógica de direccionamiento cableada interna.
La más común es la denominada memoria de acceso aleatorio (RAM Random Access Memory) una
característica distintiva de las RAM es que es posible tanto leer datos como escribir rápidamente nuevos
datos en ellas, tanto la lectura como la escritura se ejecutan mediante señales eléctrica.
Otra característica distintiva de una RAM es que volátil, una RAM esta siempre alimentada, si se
interrumpe la alimentación se pierde los datos, así pues la RAM puede utilizarse solo como
almacenamiento temporal. Las dos formas tradicionales de RAM utilizadas en los computadores son la
DRAM y la SRAM.
RAM dinámica está hecha con celdas que almacena los datos como carga eléctrica en condensadores,
la presencia o ausencia de carga en un condensador se interpretan como el uno o el cero binario. Ya que
los condensadores tienen una tendencia natural a descargarse, Las RAM dinámicas requieren refrescos
periódicos para mantener memorizados los datos. El termino dinámico hace referencia a esta tendencia
a que la carga almacenada se pierda incluso manteniéndola siempre alimentada.
Aunque la celda de DRAM se usa almacenar un solo bit (0 o 1) es un dispositivo esencialmente
analógico. El condensador puede almacenar cualquier valor de carga dentro de un rango y su
comparación con un valor umbral determina si dicha carga se interpreta como uno o como cero.
RAM estática en contraste con la dinámica, un RAM estática (SRAM) es un dispositivo digital, basado
en los mismos elementos que se usan en el procesador. En una RAM estática, los valores binarios se
alimentan utilizando configuraciones de puertas que forman biestables (flip flops) una RAM estática
retendrá sus datos en tanto se mantenga alimentada.
SRAM frente a DRAM tanto las RAM estática como las dinámicas son volátiles, es decir debe
aplicarse continuamente tensión de alimentación a la memoria para mantener los valores de los bits,
una celda de memoria RAM dinámica es más simple que una estática y en consecuencia más pequeña.
Por tanto las DRAM dinámicas son más densas (celdas más pequeñas = más celdas por unidad de
superficie) y más económicas que las correspondientes SRAM por otra parte, una DRAM requiere de
circuitería para realizar el refresco. En memoria grande, el coste fijo de la circuitería de refresco se ve
más que compensado por el menor coste de las celdas DRAM, así pues, las DRAM tienden a ser las
preferidas para memorias grandes. Un último detalle es que las SRAM es generalmente algo más rápida
que las dinámicas. Debido a estas características relativas, las SRAM se utilizan como memorias cache
(tanto on-chip como off chip) y las DRAM para memoria principal.

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Tipos de ROM
Como sugiere su nombre, una memoria de solo-lectura (ROM Read Only Memory) contiene un patrón
permanente de datos que no puede alterarse. Una ROM es no volátil; es decir no se requiere fuente de
alimentación para mantener memorizados los valores de los bits. Aunque es posible leer de una ROM,
no se pueden escribir nuevos datos en ella, una aplicación importante de las ROM es la
microprogramación, otras aplicaciones potenciales son:

 Subrutinas de bibliotecas para funciones de uso frecuente

 Programas del sistema
 Tablas de funciones
Cuando se requiere un tamaño modesto, la ventaja de una ROM es que el programa o los datos estarán
permanentemente en memoria principal y nunca sería necesario cargarlos desde un dispositivo de
memoria secundaria.
Una ROM se constituye como cualquier otro chip de circuito integrado con los datos cableados en el
chip durante el proceso de fabricación. Esto presenta dos problemas.
La etapa de inserción de datos implica unos costes fijos relativamente grandes, tanto si se va a fabricar
una o miles de copias de una misma ROM.
No se permite un fallo. Si uno de los bits es erróneo, debe desecharse la tirada completa de chips de
memoria ROM.
Cuando se necesita solo unas pocas ROM con un contenido particular, una alternativa más económica
es la ROM programable (PROM), Al igual que las ROM, las PROM son no volátiles y pueden
grabarse solo una vez. Para la PROM, el proceso de escritura se lleva a cabo eléctricamente y pueden
realizarlo el suministrador o el cliente con posterioridad a la fabricación del chip original. Se requiere
n esquipo especial para el proceso de escritura o “programación”. Los PROM proporcionan flexibilidad
y comodidad. Las ROM siguen siendo atractivas para tiradas de producción de gran volumen.
Otra variante de memoria de solo lectura es la memoria de sobre-todo lectura (read-mostly), que es
útil para aplicaciones en las operaciones de lectura son bastante más frecuentes que las de escritura,
pero para las que se requiere un almacenamiento no volátil. Hay tres formas comunes de escritura de
sobre toso lectura EPROM, EEPROM y memorias flash.
La memoria de solo-lectura programable y borrable ópticamente (EPROM, Eraseble
Programmable Read Only Memory) se lee y escribe eléctricamente como la PROM. Sin embargo, antes
de la operación de escritura, todas las celdas de almacenamiento deben primero borrarse a la vez,
mediante la exposición del chip encapsulado a radiación ultravioleta. Este proceso de borrado puede
realizarse repetidas veces; cada borrado completo puede durar hasta veinte minutos. Asi pues las
EPROM pueden modificarse múltiples veces y, al igual que las ROM y las PROM, retienen su
contenido, en teoría indefinidamente. Para una capacidad similar, una EPROM es más costosa que una
PROM, pero tiene como ventaja adicional la posibilidad de actualizar múltiple veces su contenido.
Una forma mas interesante de memoria de sobre todo lectura es la memoria de solo lectura
programable y borrable eléctricamente (EEPROM, Electrically Erasable Programmable Read-Only
Memory). Esta es una memoria de sobre todo lectura en la que se puede escribir en cualquier momento
sin borrar su contenido anterior; solo se actualiza el byte o bytes direccionados. La operación de
escritura consume un tiempo considerablemente mayor que la de lectura; del orden de cientos de
microsegundos por byte. La EEPROM combina la ventaja de ser no volátil. Con la flexibilidad de ser
actualizable in situ, utilizando las líneas de datos, de direcciones y de control de un bus ordinario. Las
EEPROM son más costosas que las EPROM y también menos densa, admitiendo menos bits por chip
Otra forma de memoria semiconductora er la memoria flash (denominada asi por la velocidad con la
que puede reprogramarse), introducidas a mediados de 1980, las memorias flash se encuentran, en coste

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y en funcionalidad, entre las EPROM y las EEPROM, al igual que las EEPROM, las flash utilizan una
tecnología de borrado eléctrico. Una memoria flash pueden borrarse entera en uno o unos cuantos
segundos, mucho más rápido que las EPROM. Además, es posible borrar solo bloques concretos de
memoria en lugar de todo el chip. Las memorias flash deben su nombre a que su micro-chip está
organizado de manera que cada una de sus secciones de celda se borra mediante una única acción de un
golpe o flash. Sin embargo la memoria flash no permite borrar a nivel de byte, al igual que las EPROM,
las flash utilizan solo un transistor por bit, consiguiéndose las altas densidades (comparadas con las
EEPROM) que alcanzan las EPROM.
LOGICA DEL CHIP
Como otros circuitos integrados, las memorias semiconductoras vienen en chips encapsulados, cada
chips contiene una matriz de celdas de memoria.
En toda la jerarquía de memoria vimos que existen compromisos de velocidad, capacidad y coste. Estos
compromisos existen también cuando consideramos la organización de las celdas de memoria y del
resto de funciones lógicas de un chip de memoria. Para las memorias semiconductoras, uno de los
aspectos fundamentales de diseño es el número de bits de datos que pueden ser leídos/escritos a la vez.
En un extremo está la estructura en la que la disposición física de las celdas de la matriz es la misma
que la disposición lógica (tal y como la percibe el procesador) de las palabras de memoria. La matriz
está organizada en W palabras de 8 bits cada una.
ENCAPSULADO DE LOS CHIPS
Los circuitos integrados se montan en capsulas con patillas o terminales que los conectan con el mundo
exterior.
La figura 5.4a muestra un ejemplo de EPROM encapsulada, en chip de ocho Mb organizados en 1mx8.
En este caso, la estructura es de una palabra por chip encapsulado tiene 32 terminales, siendo este uno
de los tamaños estándar en encapsulado.

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CORRECCION DE ERORES
Una memoria semiconductora está sujeta a errores. Estos pueden clasificarse en fallos permanentes
(hard) y errores transitorios u ocasionales (soft). Un fallo permanente corresponde a un defecto físico,
de tal modo que la celda o celdas de memoria afectadas no pueden almacenar datos de manera segura,
quedándose ancladas a cero o a uno, o conmutando erróneamente entre cero y uno, los errores
permanentes pueden estar causados por funcionamiento en condiciones adversas, defectos de
fabricación y desgaste. Un error transitorio es un evento aleatorio no destructivo que altera el
contenido de una o más celdas de almacenamiento, sin dañar a la memoria. Los errores transitorios
pueden deberse a problemas de la fuente de alimentación o a partículas alfa. Estas partículas provienen
de emisión radiactiva y son lamentablemente frecuentes debido a que en pequeñas cantidades. Hay
núcleos radiactivos en casi todos los materiales. Obviamente, los errores, tanto permanentes como
transitorios, no son nada deseables, y la mayoría de los sistemas de memoria modernos incluyen lógica
para detectar y corregir errores.
ORGANIZACIÓN AVANZADA DE MEMORIA DRAM
Uno de los cuellos de botella más crítico de un sistema que utiliza procesadores de altas presentaciones
es la interfaz con la memoria principal interna. Esta interfaz es el camino más importante en el
computador. El boque básico de construcción d la memoria principal sigue siendo el chip de DRAM,
como lo ha sido durante décadas, y desde principios de la década de 1970 ha habido cambios
significativos en la arquitectura DRAM. El chip DRAM tradicional está limitado tanto por su
arquitectura interna como por su interfaz con el bus de memoria del procesador.
Hemos visto que una forma de abordar el problema de las prestaciones de la memoria principal DRAM
ha sido insertar uno o más niveles de caches SRAM de alta velocidad entre la memoria principal DRAM
y el procesador. Pero la SRAM es mucho más costosa que la DRAM, y ampliar el tamaño de caches
más allá de cierta cantidad produce menos beneficios.
En los últimos años sea explotado diversas versiones mejoradas de la arquitectura básica DRAM, y
algunas de ellas están siendo comercializadas. Los esquemas que dominan actualmente el mercado son:
SDRAM, DDR-DRAM y RDRAM, La tabla 5.3 proporciona una comparativa de sus prestaciones. Las
CDRAM han sido también motivo de atención. Esta sección da una visión de estas nuevas tecnologías
de DRAM

DRAM SINCRONA
Una de las formas de DRAM más ampliamente usadas es la DRAM síncrona (SDRAM) a diferencia
de las DRAM tradicionales, que son asíncronas, la SDRAM intercambian con el procesador en forma
sincronizada con una señal de reloj externa, funcionando a la velocidad tope del bus
procesador/memoria, sin imponer estados de espera.

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En una DRAM típica, el procesador presenta las direcciones y niveles de control a la memoria,
indicando que los datos de una posición de memoria concreta deben bien escribirse o leerse, después
de un tiempo, el tiempo de acceso, se escriben o leen los datos en la DRAM. Durante el tiempo de
acceso. La DRAM realiza varias operaciones internas, tales como activar las capacidades elevadas de
las líneas de fila y de columnas, detectar los datos y sacarlos a través de los buffers de salida. El
procesador debe simplemente esperar durante este tiempo, haciendo que el sistema baje en prestaciones.
Con el acceso síncrono, la DRAM introduce y saca el control del reloj del sistema. El procesador, u
otro maestro, cursan la información de instrucciones y de la dirección que es retenida por la DRAM.
La DRAM responderá después de un cierto número de ciclos de reloj. Entre tanto el maestro puede
realizar sin riesgo otras tareas mientras la SDRAM está procesando la petición.
DRAM RAMBUS
La RDRAM, desarrollada por Rambus, ha sido adoptada por Intel para sus procesadores Pentium e
Itanium. Se ha convertido en la principal competidora de la SDRAM. Los chips RDRAM tienen
encapsulados verticales, con todos los terminales en un lateral. El chip intercambia datos con el
procesador por medio de 28 hilos de menos de doce centímetros de longitud. El bus puede direccionar
hasta 320 chips de RDRAM y a razón de 1.6 GBps
DDR SDRAM
Están limitada por el hecho de que puede enviar datos al procesador solo una vez por ciclo de reloj del
bus. Una nueva versión de SDRAM, denominada SDRAM de doble velocidad de datos (DDR-
SDRAM), puede enviar datos dos veces cada ciclo de reloj, una coincidiendo con el flanco de subida
del pulso de reloj y otra coincidiendo con el flanco de bajada.
DRAM CACHES
La DRAM Cache (CDRAM), desarrollada por Mitsubichi, integra una pequeña cache SRAM (de Kb)
en un chip normal de DRAM.
La SRAM de la CDRAM puede usarse de dos formas. En primer lugar, puede utilizarse como una
verdadera cache, formada por líneas de bits. El modo cache de la SDRAM es efectivo para accesos a
memoria aleatorios ordinarios.
La SRAM de la CDRAM puede usarse también como buffers para soportar el acceso serie a un bloque
de datos. Por ejemplo, para refrescar una pantalla gráfica, la CDRAM puede pre captar en la SRAM los
datos de la DRAM, de manera que los accesos posteriores al chip se efectúen únicamente a la SRAM

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