Disparo Capacitivo
Disparo Capacitivo
Disparo Capacitivo
DISPARO CAPACITIVO
Bryan Ruiz B, Herbin Hernndez Amaya, Juan David Mulford, Andrs de la Hoz
Este dispositivo semiconductor familia de los tiristores, se Figura 3: Smbolo y estructura del SCR
constituye de tres terminales (nodo(A), ctodo (K) y
compuerta (G)).
Este dispositivo es muy utilizado para el control de grandes
potencias elctricas, de conduccin unidireccional, al igual que
un diodo rectificador.
El SCR cuenta con una caracteristicas adicional para conducir.
Su terminal llamado compuerta (Gate) de control o de disparo,
en la cual se necesita una corriente capaz de producir la
conduccin del SCR. [1]
V. PROCEDIMIENTO
1. Antes de realizar cada montaje se tuvo en cuentas la
hoja de datos del dispositivo SCR (Datasheet).
2. Luego ubicamos los componentes en la protoboar para
iniciar con las conexiones.
3. Luego de terminar con las conexiones indicadas en el
circuito planteado por el profesor se realizar pruebas
de continuidad para descartar las perturbaciones que
puede que nuestro montaje no funcione.
4. Teniendo los 3 primeros pasos realizados empezamos
tomar medidas como se indicaba en cada circuito. Anlisis para encontrar R1, R2:
= 0 + 0
= + = +
VI. ANLISIS
Del informe anterior se obtuvo la corriente de compuerta la tan ( ) =
cual fue de ayuda para utilizar en el montaje de disparo 2
resistivo. + = 180
Igt=26.7uA
= sin()
1 = 10 1 = 170
2 = 170 2 = 10
= +
UNIVERSIDAD DE LA COSTA FACULTAD DE INGENIERA LABORATORIO DE ELECTRONICA III 4
=
()
=
Considerando =
2 =
1
tan ( ) = 1
2
( )
=
Considerando =
( )
=
VII. RESULTADOS
70
tan ( )
1 = 2 = 1857.3 1.8
0.1 106 (377)
10
tan ( )
2 = 2 = 2321 232 250
0.1 106 (377)
10
= tan ( ) /(0.1 106 (377) = 37.9
2
Funcionamiento:
VIII. CONCLUSIONES
IX. BIBLIOGRAFA