6 Defectos en Estructura Cristalina

Defectos en la estructura cristalina
Profesor
Patricia Rodriguez PhD.
Escuela Politécnica Nacional

Facultad de Ingeniería Mecánica
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Introducción
La estructura cristalina es un concepto teórico que permite comprender

como están formados los materiales. A partir de este concepto es posible
explicar muchas de las propiedades que exhiben los materiales, sean
estos cristalinos o amorfos. Sin embargo, muchas de estas propiedades
son profundamente sensibles a las desviaciones de la perfección
cristalina; la influencia no siempre es adversa, y con frecuencia las
características específicas de un material se diseñan a través de la
introducción de cantidades controlados de defectos particulares.
Un defecto cristalino se refiere a una irregularidad reticular que tiene una
o más de sus dimensiones del orden de un diámetro atómico. La
clasificación de las imperfecciones cristalinas con frecuencia se realiza en
función de la geometría o dimensionalidad del defecto.

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Clasificación de los defectos
Vacantes,
impurezas Cavidades, inclusiones,
Dislocaciones
precipitados
Defectos puntuales Defectos puntuales
electrónicos atómicos
Defectos Defectos de
lineales volumen
10#$% 10#$& 10#' 10#( 10(
Defectos
bidimensionales
Bordes de grano
y maclas
Rangos dimensionales de las diferentes clases de defectos

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Clasificación de los defectos
Clasificación de los defectos en una estructura cristalina de acuerdo a su dimensionalidad
OD 1D 2D 3D
Puntuales Lineales Superficiales/entre caras Volumétricos
Vacantes Dislocación Superficie Precipitados
Borde de
Impurezas Regiones
interface
con fallas
Defecto de Borde de
Frenkel grano Cavidades /
grietas
Defecto de Maclas
Schottky
Borde de
grano
Maclas
Borde anti-
fase

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Características de los sistemas cristalinos
Factor de
# de Plano de alto Dirección de alto Secuencia de
Sistema empaquetamiento
coordinación empaquetamiento empaquetamiento formación
atómico
FCC 0.74 12 111 110 ABCABC
No hay uno en
particular pero es
BCC 0.68 8 111 ABABAB
posible 1 1 0 ,
112 , 123
0001
1120
HCP 0.74 12 1120 ABABAB
1 0 1 0 +*
1011
* Estos planos están activos en algunos metales y aleaciones, o a temperaturas elevadas.

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Defectos puntuales
• Los defectos puntuales son discontinuidades de la red que involucran

uno o quizá varios átomos y alteran el ordenamiento de los átomos
circundantes.
Vacante Defecto Defecto sustitucional

intersticial pequeño
Defecto sustitucional Defecto de Defecto de

grande Frenkel Schottky

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Defectos puntuales
OD
Puntuales
Cristales no-iónicos Cristales iónicos
Vacantes Impurezas Defecto de Defecto de

Frenkel Schottky
Defecto Defecto
intersticial sustitucional

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Defectos puntuales
• Estos defectos o imperfecciones pueden ser generados en un material:

oMediante el movimiento de los átomos al ganar energía por
calentamiento.
oDurante el procesamiento del material.
oMediante la introducción de impurezas.
oIntencionalmente a través de las aleaciones.
• Los defectos puntuales se dan a nivel de las posiciones individuales de

los átomos. Los principales defectos puntuales son los siguientes:

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Defectos puntuales
Vacante:
Es el más simple de los defectos puntuales, y
ocurre cuando en una posición atómica
normalmente ocupada hace falta un átomo.
Todos los sólidos cristalinos contienen
vacantes; de hecho, no es posible crear un Micrografía que muestra una vacante en un
material que esté libre de estos defectos. plano (1 1 1) para el silicón.
Materials Science and Engineering, Callister
Termodinámicamente la presencia de
vacantes es necesaria en una estructura
cristalina, ya que su presencia aumenta la
entropía (es decir, la aleatoriedad) del cristal.

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Defectos puntuales
A temperatura ambiente aparecen muy pocas

vacantes, pero estas incrementan
exponencialmente conforme aumenta la
temperatura.
El número de vacantes en equilibrio !" para
una cantidad dada de material esta dado de Micrografía que muestra una vacante en un
acuerdo a la siguiente ecuación de Arrhenius: plano (1 1 1) para el silicón.
("
!" = !$%& −
)*

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Defectos puntuales
Donde:
! = número total de posiciones atómicas, $%&%'$#()
*+ = energía requerida para la formación de
vacantes, ,#('- . 01⁄2&'(
3 = temperatura absoluta, °5
Micrografía que muestra una vacante en un
6 = constante de Boltzman: plano (1 1 1) para el silicón.
@ Materials Science and Engineering, Callister
1.38;10=>? #AB.C. − °5 = 8.62;10=G HI#AB.C. − °5
• Para la mayoría de los metales, la fracción de

vacantes JK#J justo debajo de la temperatura de
fusión es del orden de 10=L , es decir, uno en 10000
sitios atómicos estará vacío.
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Defectos puntuales
Ejemplo:
Calcular el numero de vacantes de equilibrio por metro cúbico para el cobre a 1000°C.
La energía de formación de vacantes es 0.9 %&⁄'()*); el peso atómico y la densidad del
cobre a 1000°C es 63.5 .⁄*)/ 0 8.4 .34*5 , respectivamente.
Solución:
Para resolver este problema es necesario conocer el numero total de posiciones
atómicas en el cobre:
Se conoce que:
89: 8 6 9 <= 8.4 6.022@10BC 10D EFC
6= → =<= = 9 = 8@10BG HIJFJK3 C
;4 9 <= ;4 : 63.5 1F C F
Por lo tanto el número de vacantes en equilibrio:
PL 0.9
<L = <M@N − = 8@10BG M@N − = 2.2@10BT VHEH8IMK3 C
QR ST
8.62@10 9 1273 F

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Defectos puntuales
Defecto intersticial
Este defecto se presenta cuando los átomos ocupan
lugares que no están definidos en la estructura
cristalina, es decir, son átomos cuya posición no esta
definida por un punto de red. Los átomos que
ocupan las posiciones intersticiales pueden ser
propios de la estructura o ajenos a ella (impurezas).
Normalmente estos átomos se colocan en los
espacios intersticiales que se forman entre los
átomos originales y que dependiendo de su tamaño
puede introducir relativamente grandes distorsiones
en la red circundante.

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Defectos puntuales
Defecto sustitucional
Este tipo de defecto se introduce
cuando un átomo de la red es
reemplazado por un tipo diferente de Campo de esfuerzos
de tensión
átomo. El átomo sustitucional se aloja
en el punto de red original.
Cuando el tamaño del átomo que
ocupa la posición intersticial es
pequeño, éste introduce distorsiones
relativamente grandes de tensión en la
red circundante.

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Defectos puntuales
Defecto sustitucional
Cuando el tamaño del átomo que ocupa la
posición intersticial es grande, éste introduce
distorsiones relativamente grandes de Campo de esfuerzos
de compresión
compresión en la red circundante ya que
comparado con el tamaño del intersticio es
sustancialmente más grande. En
consecuencia, la formación de este tipo de
defecto no es altamente probable, y existe en
concentraciones muy pequeñas que son
significativamente menores que las que se
tiene para la formación de vacantes.

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Defectos puntuales
En compuestos iónicos, se pueden presentar dos

tipos de efectos cuyo objetivo es mantener la
neutralidad eléctrica del material.
Defecto de Frenkel: es una combinación de vacante
y defecto interticial, formada cuando un ion salta de
un vértice normal a un sitio intersticial, dejando una
vacante.
Defecto de Schottky: es un par de vacantes dentro
de un material con enlace iónico que se crea a fin de
mantener una carga neutra en el cristal, por lo tanto,
tanto el anion como el catión deben haber salido de
la red cristalina.

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Impurezas en sólidos
Un metal puro que consiste en un solo tipo de átomo simplemente no es

posible por lo tanto átomos ajemos al material siempre están presentes
en forma de impurezas, y algunos existen como defectos cristalinos
puntuales.
La mayoría de los metales mas conocidos no son puros sino aleaciones,
en los cuales impurezas se han agregado intencionalmente para impartir
características específicas al material.
Por lo general, la aleación se usa en metales para mejorar la resistencia
mecánica y resistencia a la corrosión. La adición de átomos de impurezas
a un metal da como resultado la formación de una solución sólida y/o
una nueva segunda fase, dependiendo de los tipos de impurezas, sus
concentraciones, y la temperatura de la aleación.

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Solución solida
Una solución sólida se forma cuando, a medida que los átomos de soluto
(es un elemento o compuesto presente en una solución en una
concentración menor) se agregan al solvente (es el elemento o
compuesto que esta presente en mayor cantidad en una solución), la
estructura cristalina se mantiene y no se forman nuevas estructuras, cuya
composición es homogénea ya que los átomos de impureza se dispersan
aleatoria y uniformemente dentro del sólido.
Los defectos puntuales de impureza se encuentran en soluciones sólidas,
de las cuales hay dos tipos:
• Solución sólida por sustitución.
• Solución sólida intersticial.
Interstitial
impurity atom
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Solución solida por sustitución
En este tipo de solución, los átomos de soluto o impureza reemplazan o

sustituyen los átomos del solvente. Para determinar si dos elementos
pueden formar una solución sólida por sustitución, es decir el grado en
que el primero se disuelve en el último, se debe considerar las reglas de
Hume-Rothery:
1. El radio atómico del soluto y del solvente no deben diferir en mas de
un 15%. Si la diferencia es mayor, los átomos del soluto crearan
deformación sustancial en la estructura y ocasionara la formación de
una nueva fase.
"$%&'(% − "$%&*+,(+
∆" = -100% ≤ ±15%
"$%&*+,(+
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2. Para que se pueda tener buena solubilidad, la estructura cristalina de

solvente y soluto deben ser las mismas.
3. Los elementos mas electropositivos al combinarse con elementos
mas electronegativos tenderán a formar intermetálicos en lugar de
soluciones solidas, por lo tanto:
∆"#$%&'()$*+&,-,.+. ≈ 0
4. La máxima solubilidad ocurre cuando el solvente y el soluto tienen la

misma valencia. En general metales con bajos valores de valencia
tienden a disolver metales con mayor valencia.

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Ejemplo:
El cobre !"# = 0.128*+ y el níquel !,- = 0.125*+ forman una
solución sólida por sustitución. Estas dos elementos son completamente
solubles entre sí en todas las proporciones. Aplicando las reglas de Hume-
Rothery se puede comprobar esto:
0123452 6012378958 <.=>?6<.=>@
1. ∆! = 012378958
:100% = <.=>@
:100% = 2.4% ≤ ±15%
2. La estructura cristalina del cobre y del níquel es FCC.
3. Las electronegatividades son D"# = 1.9 F D,- = 1.8.
4. Las valencias más comunes son +1 para el cobre (aunque a veces
puede ser +2) y +2 para el níquel.

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Solución sólida intersticial
En las soluciones sólidas intersticiales, los átomos de impurezas (soluto)

llenan los vacíos o intersticios entre los átomos del solvente. Para las
estructuras cristalinas FCC y BCC, hay dos tipos de sitios intersticiales:
• Tetraédricos: número de coordinación = 4.
• Octaédricos: número de coordinación = 6.
FCC BCC

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• Los materiales metálicos tienen factores de empaquetamiento atómico

relativamente altos, lo que significa que estas posiciones intersticiales
son relativamente pequeñas.
• En consecuencia, el diámetro atómico de un impureza intersticial
(soluto) debe ser sustancialmente menor que la de los átomos del
solvente.
• Normalmente, la concentración máxima permisible de átomos de
impurezas intersticiales es baja (menos de 10%). Incluso los átomos de
impurezas muy pequeñas son generalmente más grandes que los sitios
intersticiales, y como consecuencia, introducen esfuerzos de
compresión o de tensión en la red cristalina del solvente, en función de
su tamaño.

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Ejemplo:
Calcule el radio ! de una impureza para una estructura BCC que sea
capaz de alojarse en un sitio octaédrico sin introducir deformación en
la red cristalina.
Solución:
El sitio octaédrico esta situado en el centro de uno de los lados de la
celda. Para que la impureza no introduzca deformación en la red el
átomo debe apenas tocar los átomos adyacentes que se encuentran
en los vértices de la estructura. Se conoce que el parámetro de red en
$%
función del radio atómico es: " = & y que de acuerdo a la ubicación
de la impureza: " = ' + ' + 2!, por lo tanto:
2
!= − 1 ' = 0.155'
3

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Especificación de la composición
Con frecuencia es necesario expresar la composición de una aleación en

términos de sus elementos constituyentes. Las formas más comunes de
especificar la composición son:
• Porcentaje en peso (masa): es el peso de un elemento particular en una
aleación con respecto al peso total de la misma. Para una aleación que
contiene dos átomos hipotéticos 1 y 2, la concentración de 1 en porcentaje en
peso !" se define:
$"
!" = '100
$" + $&
Donde $" * $& representan el peso (masa) de los elementos 1 y 2. La
concentración del elemento 2 se calcula de una manera similar:
$&
!& = '100
$" + $&

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Especificación de la composición
• Porcentaje en peso atómico: se calcula en función de las moles de un

elemento en relación con las moles totales de los elementos dentro de una
aleación. El numero de moles de un elemento en particular se calcula:
%&'
!"# =
(&
Donde %&' ) (& , son la masa (gramos) y el peso atómico respectivamente
para dicho elemento.
Por lo tanto la concentración en peso atómico viene dada por:
'
!"#
*& = -100
!"# + !",
'
!",
*0 = -100
!"# + !",

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Conversión de la composición
• De porcentaje en peso a porcentaje en peso atómico:
!" % &' !' % &"

!"# = )100; !'# = )100
!" % &' + !' % &" !" % &' + !' % &"
• De porcentaje en peso atómico a porcentaje en peso:
!"# % &" #
!'
#
% &'
!" = # # )100; !' = # # )100
!" % &" + !' % &' !" % &" + !' % &'
• Se debe tomar en cuenta que:
!" + !' = 100 -!"# + !'# = 100

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Conversión de la composición
• Concentración de porcentaje en peso porcentaje a peso por unidad de

volumen:
!" !' . 3.-
!"## = (10+ ; !'## = (10+ ; % -/0+ → !"## 2 !'##
!" !' !" !' 0+
%" + %' %" + %'
• Densidad y peso atómico de una aleación binaria:

100 !"# 7 8" + !'# 7 8'
%456 = =
!" !' !"# 7 8" !'# 7 8'
+ +
%" %' %" %'
100 !"# 7 8" + !'# 7 8'

8456 = =
!" !' 100
+
8" 8'
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Defectos lineales
Dislocaciones:
Una dislocación es un defecto lineal o unidimensional que provoca una
distorsión de la red centrada a lo largo de una línea. Generalmente se
introducen en la red durante el proceso de solidificación del material o al
deformarlo. Aunque en todos los materiales existen dislocaciones,
incluyendo materiales cerámicos y polímeros, son de particular utilidad
para explicar la deformación y el endurecimiento de los materiales. Esta
deformación existe porque en el cristal se encuentran defectos que
permiten que planos atómicos deslicen respecto a otros posibilitando
esta deformación.
Se puede identificar dos tipos de dislocaciones: de borde y de tornillo.

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Defectos lineales
Dislocaciones de borde
Se puede visualizar fácilmente como un
semiplano extra de átomos en una red
cristalina. La dislocación se denomina
defecto lineal porque el lugar geométrico
de los puntos defectuosos producidos en
la red cristalina por la dislocación se
encuentra a lo largo de una línea. Esta
línea corre a lo largo de la parte superior
del semiplano extra. Los enlaces
interatómicos se distorsionan
significativamente solo en las
inmediaciones de la línea de dislocación.
5/21/18 30
Defectos lineales
Comprender el movimiento de una dislocación es clave para entender porque

las dislocaciones permiten que la deformación ocurra a un nivel de esfuerzo
mucho más bajo que en un cristal perfecto. El movimiento de dislocación es
análogo al movimiento de una oruga. La oruga tendría que ejercer una gran
fuerza para mover todo su cuerpo a la vez. En su lugar, mueve la porción
posterior de su cuerpo hacia delante una pequeña cantidad y crea una joroba.
La joroba luego se mueve hacia delante y eventualmente mueve todo el cuerpo
hacia delante en una pequeña cantidad.

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Defectos lineales
La dislocación en la mitad superior del cristal se desliza un plano a la vez

mientras se mueve hacia la derecha desde su posición inicial. En el proceso de
deslizamiento de un plano a la vez, la dislocación se propaga a través del cristal.
El movimiento de la dislocación a través del plano hace que la mitad superior
del cristal se mueva con respecto a la mitad inferior. Sin embargo, solo una
pequeña fracción de los enlaces se rompe en un momento dado. El movimiento
de esta manera requiere una fuerza mucho menor que la que se requiere para
romper todos los enlaces en el plano medio simultáneamente.

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Defectos lineales
Dislocaciones de tornillo:
El movimiento de una dislocación de tornillo
también es resultado de un esfuerzo cortante, pero
el movimiento de la línea de defecto es
perpendicular a la dirección del esfuerzo y al
desplazamiento del átomo, en lugar de ser
paralelo. Para visualizar una dislocación de tornillo,
se puede imaginar un bloque de metal con un
esfuerzo cortante aplicado en un extremo para que
el metal comience a rasgarse (imagen superior
derecha). La imagen inferior derecha muestra el
plano de átomos justo arriba del desgarro.

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Defectos lineales
Los átomos representados en la sección superior

aún no se han movido de su posición original. Los
átomos representados en la sección media se han
movido a su nueva posición en la red y han
restablecido nuevos enlaces metálicos. Los
átomos representados en la sección inferior están
en proceso de movimiento. Se puede ver que
solo una parte de los enlaces está quebrada en
un momento dado y al igual que con la
dislocación de borde, se requiere una fuerza
mucho menor para romper los enlaces de esta
manera, que romperlos todos simultáneamente a
través del plano medio.
5/21/18 34
Defectos lineales
Dislocaciones mixtas
La mayoría de las dislocaciones encontradas en los
materiales cristalinos probablemente no son ni borde
puro ni tornillo puro pues exhiben componentes de
ambos tipos; estas se denominan dislocaciones mixtas.
Los tres tipos de dislocación están representados
esquemáticamente; la distorsión de la red cristalina que
se produce lejos de las dos caras se mezcla, con diversos
grados de carácter de tornillo y borde.
(a) Representación esquemática de dislocaciones de borde, tornillo y (b) Vista superior, donde los puntos
blancos muestran las posiciones atómicas sobre el plano de deslizamiento y los puntos negros son las
posiciones atómicas bajo dicho plano. En el punto A la dislocación es de borde puro mientras que en el
punto B es de tornillo puro. Para las regiones entre estos puntos se tiene una dislocación mixta.
5/21/18 35
Defectos lineales
Modelo esquemático de una dislocación de borde DC en un red cúbica simple

formada por el plano extra de átomos ABCD.
Representación de una dislocación del tipo helicoidal.

5/21/18 36
Defectos lineales
Vector de Burgers
Es un vector ! que representa la magnitud y dirección de la distorsión de la
red cristalina que resulta del movimiento de una dislocación, sea esta de borde,
de tornillo o mixta.

5/21/18 37
Defectos lineales
• El vector de Burgers ! en una dislocación de borde es

perpendicular a la línea de la dislocación.
• El vector de Burgers ! en una dislocación de tornillo es
paralelo a la línea de la dislocación.
• La dislocación de borde se mueve in una dirección
• La dislocación de tornillo se mueve in una dirección
• El deslizamiento en una dislocación de borde ocurre en la
dirección del movimiento de la dislocación.
• El deslizamiento en una dislocación de tornillo ocurre
perpendicular a la dirección del movimiento de la dislocación.
5/21/18 38
Defectos lineales
• A pesar de que una dislocación cambia de dirección y

naturaleza dentro de un cristal (de acuerdo al tipo de
dislocación), el vector de Burgers es el mismo en todos los
puntos a lo largo de su línea.
• Para materiales metálicos, el vector Burgers para una
dislocación apunta en una dirección cristalográfica
compacta y es de una magnitud igual a un espacio
interatómico.
• El vector Burgers es un elemento teórico creado para
explicar este tipo de deformación.
• Prácticamente todos los materiales cristalinos contienen Micrografía de una aleación de titanio in la
dislocaciones que se introdujeron durante la solidificación cual las líneas oscuras son dislocaciones.
o durante la deformación plástica.
5/21/18 39
Defectos lineales

5/21/18 40
Defectos lineales
Dislocación de borde
• El proceso mediante el cual se mueve una dislocación
causando la deformación de un material se conoce
como deslizamiento.
• La dirección en la cual se mueve la dislocación
(dirección de deslizamiento), es la dirección del vector
de Burgers para las dislocaciones de borde. Durante el
deslizamiento, la dislocación de borde barre el plano
formado por el vector de Burgers y la dislocación, este Dislocación de tornillo
plano se conoce como plano de deslizamiento.
• Una dislocación de tornillo produce el mismo
resultado, sin embargo la dirección de deslizamiento
es perpendicular al vector de Burgers, aunque el
cristal se deforma en una dirección paralela a dicho
vector.
5/21/18 41
Defectos lineales
• La combinación de dirección de deslizamiento y plano de

deslizamiento se denomina sistema de deslizamiento.
• La dirección en la cual se mueve la dislocación (dirección de
deslizamiento), es la dirección del vector de Burgers para las
dislocaciones de borde. Durante el deslizamiento, la dislocación de
borde barre el plano formado por el vector de Burgers y la
dislocación, este plano se conoce como plano de deslizamiento.
• Una dislocación de tornillo produce el mismo resultado, sin
embargo la dirección de deslizamiento es perpendicular al vector
de Burgers, aunque el cristal se deforma en una dirección paralela
a dicho vector.

5/21/18 42
Defectos lineales
• Las dislocaciones se mueven a lo largo de los planos de átomos más

densos en un material, porque el esfuerzo necesario para mover la
dislocación aumenta con el espaciado entre los planos.
• Los metales FCC y BCC tienen muchos planos densos, por lo que las
dislocaciones se mueven con relativa facilidad, se debe notar que estos
materiales tienen una alta ductilidad.
• Los metales incrementan su dureza al dificultar el desplazamiento de las
dislocaciones. Esto puede implicar la introducción de obstáculos, como
átomos intersticiales o límites de grano, para "fijar" las dislocaciones.
• A medida que un material se deforma plásticamente, se producen más
dislocaciones que interferirán unas con otras e impedirán su movimiento,
de esta manera se produce el endurecimiento por trabajo en frío.
5/21/18 43
Defectos lineales
• Cuando la superficie de un material es tratada químicamente para

remover material superficial, se tiene:
oLos campos de esfuerzos simétricos creados por una dislocación de
borde producen un agujero cónico.
oUna dislocación de tornillo es el inverso del crecimiento del cristal por
lo tanto produce un agujero en espiral.
Imagen SEM de una dislocación de borde y de tornillo Imagen SEM de varias dislocaciones de tornillo

5/21/18 44
Ley de Schmid
Se pueden comprender las diferencias de

comportamiento de los metales que tienen
estructuras cristalinas distintas al examinar la
fuerza que se requiere para iniciar el proceso
de deslizamiento.
Al aplicar una fuerza unidireccional ! a un
monocristal, se puede orientar el sistema de
deslizamiento con respecto a la fuerza
aplicada definiendo los ángulos ∅ (ángulo
entre la perpendicular al plano de
deslizamiento y la fuerza aplicada) y 9
(ángulo entre la dirección de deslizamiento y
la fuerza aplicada).
5/21/18 45
Ley de Schmid
Para que la dislocación se mueva en este sistema de

deslizamiento, la fuerza aplicada debe producir una
fuerza cortante actuando en la dirección del
deslizamiento y viene dada por:
!" = ! cos '
Por lo tanto el esfuerzo se obtiene dividiendo !" para el
área del plano de deslizamiento: ( = *+),-. /
→ 1" = 2 cos ' cos 3 → 456 75 89ℎ;<7
Donde:
=
1" = *> es el esfuerzo cortante resultante en la dirección
del deslizamiento.
=
2 = es el esfuerzo unidireccional aplicado al
*+
monocristal.
5/21/18 46
Resumen de factores que afectan el
deslizamiento en las estructuras metálicas
Factor FCC BCC !

HCP "
> $. &'
Esfuerzo cortante resultante critic [psi] 50-100 5000-10000 50-10a
Numero de sistemas de deslizamiento 12 48 3b
Deslizamiento cruzado Puede ocurrir Puede ocurrir No puede ocurrir
Resumen de propiedades Ductil Resistente Relativamente frágil
a relativo al deslizamiento en planos basales.
b mediante aleación o calentamiento a temperaturas elevadas, en los metales HCP se activan
sistemas de deslizamiento adicionales, lo que permite el deslizamiento cruzado y, por tanto,
mejora su ductilidad.

5/21/18 47
Defectos superficiales
Los defectos superficiales son imperfecciones del cristal que tienen dos
dimensiones y normalmente se encuentran separando regiones del
material que tienen diferentes estructuras cristalinas y/o diferentes
orientaciones cristalográficas. Estas imperfecciones incluyen:
• Superficies externas.
• Bordes de grano.
• Bordes de fase.
• Maclas.
• Fallas de apilamiento.

5/21/18 48
2D
Superficiales
Borde de maclas Borde anti-fase Fallas de Borde de cristal

apilamiento
Cristal-Cristal Cristal-Aire (superficie)
Borde de grano Borde de interface
Angulo pequeño Angulo grande

5/21/18 49
Superficies libres:
La superficie libre o externa de cualquier material es el tipo
más común de defecto de plano. Las superficies externas se
consideran defectos debido a que sus átomos ya no tienen
el mismo número de coordinación y por lo tanto su enlace
atómico se encuentra alterado. Como resultado de ello,
estos átomos tienen un mayor estado de energía en
comparación con los átomos situados dentro del cristal, que
mantienen un número óptimo de vecinos.
La mayor energía asociada con los átomos de la superficie
de un material hace a la superficie susceptible a la erosión y
a reaccionar con elementos del ambiente.

5/21/18 50
$+,-./ 0- -$4"5-2 ./1/2*

$+,-./ 0- "1/,/2* +$30"0 0- ".-"
+$30"0 0- ".-" -$-.63" 0- -$4"5-*
-$4"5-
$% & $' & ('
"! =
-$-.63" 2+7-.8353"4* 2
+$30"0 0- ".-"
Energia superficial de algunos cristales 9*:;

<"=4 >3? ="?@ A6B C3 D6 ?- D+ =+
0.30 0.34 0.45 1.20 1.24 1.14 1.40 1.40 1.65

5/21/18 51
Bordes de grano:
Es un defecto superficial que separa dos pequeños
granos o cristales con diferentes orientaciones Borde
cristalográficas en materiales policristalinos. Dentro de grano
de la región del borde de grano, que probablemente

sea solo varias distancias atómicas de ancho, no
existe coincidencia atómica debido a la transición de
la orientación cristalina de un grano al de un grano
adyacente.
Varios grados de desalineación cristalográfica entre
granos adyacentes son posibles.

5/21/18 52
• Borde de grano de ángulo pequeño: este tipo de defecto se forma cuando en un

arreglo de dislocaciones de borde, éstas se originan en un cristal de tal manera
que dos regiones del cristal parecen desorientarse o inclinarse. Puede ocurrir un
fenómeno similar cuando una red de dislocaciones de tornillo crea un limite de
torsión en ángulo pequeño. El ángulo de desorientación ! suele ser menor a 10°.
• Borde de grano de ángulo grande: a medida que aumenta la densidad de las
dislocaciones en los bordes de grano de ángulo pequeño, aumenta el ángulo de
desorientación !, si este es mayor de 20° ya es un borde de grano de ángulo
grande.

5/21/18 53
• El espacio entre dislocaciones en el borde de

grano es inversamente proporcional al
ángulo de desorientación:
#
!=
$ !=
#
• El borde de grano es una zona estrecha en la $
cual los atomos no estan correctamente

espaciados, esto quiere decir que en
algunos sitios, los atomos estan tan cerca
unos de otros que crean una region de Grano 1 Grano 2
compression y en otras estan tan alejados

que crean una region de tension.

5/21/18 54
• Un método para controlar las propiedades de un

material es controlando el tamaño de los granos. Al
reducir su tamaño, se incrementa su numero lo que
aumenta la cantidad de bordes de grano lo que
incrementa la resistencia del material.
• Ecuación de Hall-Petch relaciona el tamaño de grano con
el esfuerzo de fluencia:
*
!" = !$ + &'( )+
Donde:
!" = esfuerzo de fluencia (esfuerzo bajo el cual el
material se deforma permanentemente).
' =diámetro promedio de los granos.
!$ , & =constantes del material.
5/21/18 55
Borde de interface:
Cuando un material esta formado por varias fases, se tiene un borde de
interface. La característica estructural más importante de la interface es la
coherencia. Si es posible ordenar las fases en ambos lados de la interfaz en la
misma red cristalina se dice que la interfaz es coherente. Las interfaces
coherentes son comunes en los sistemas reales.

5/21/18 56
Fallas de apilamiento:
Este tipo de defectos representan
un error en la secuencia de
apilamiento de los planos
compactos en las estructuras
cristalinas. La presencia de este
tipo de defectos juega un rol
importante en la plasticidad de los Falla de apilamiento
cristales. En redes cristalinas tipo Estructura cristalina tipo FCC
FCC dos posibles fallas de este tipo
son posibles, intrínseca (cuando
una capa se remueve) y extrínseca
(cuando una capa extra es
introducida). Falla de apilamiento intrínseca Falla de apilamiento extrínseca

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Borde anti-fase:
Cuando una dislocación pasa a través de un material cristalino ordenado
y coherente un borde anti-fase es creado.
Este tipo de defecto representa un estado de energía mas alto que el de
los enlaces atómicos tipo A-B. Una segunda dislocación creara el enlace
tipo A-B nuevamente.

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Borde de macla:
Este tipo de defecto es un plano que
separa dos partes de un grano que tienen
una pequeña diferencia en la orientación
cristalográfica. Estas partes de la red
parecen formar una imagen especular en
el plano del borde de macla. Estos
defectos se producen durante la
deformación o tratamiento térmico de
ciertos metales e interfieren con el
proceso de deslizamiento incrementando
la resistencia del material.

5/21/18 59
Control del proceso de deslizamiento
En un cristal perfecto, el arreglo fijo y repetido de los átomos tiene el

nivel de energía mas bajo posible dentro del cristal. Cualquier
imperfección en la red eleva la energía interna en el lugar donde se
localiza el defecto. La energía local se incrementa alrededor del defecto
porque los átomos están en compresión o tensión.
"#$
Energía !%&'
Imperfección de superficie
Al Cu Pt Fe
Energía por falla de apilamiento 200 75 95 ---
Energía por borde de macla 120 45 195 190
Energía por borde de plano 625 645 1000 780

5/21/18 60
Control del proceso de deslizamiento
Una dislocación en una red puede moverse fácilmente a través del cristal si el
esfuerzo cortante en el sistema de deslizamiento es igual al esfuerzo cortante
crítico. Sin embargo, si la dislocación encuentra a su paso una región donde los
átomos están desplazados de sus posiciones de equilibrio, se requerirá un
esfuerzo mas alto para obligar a que la dislocación se traslade mas allá de la
región local de alta energía. Por lo tanto se puede controlar la resistencia de un
material al controlar el número y tipo de imperfecciones presentes:
• Endurecimiento por deformación: se produce al incrementar el número de las
dislocaciones.
• Endurecimiento por solución solida: se produce al introducir
intencionalmente átomos sustitucionales o intersticiales en una red cristalina.
• Endurecimiento por tamaño de grano: se produce al incrementar el numero
de granos o al reducir el tamaño de los mismos.
5/21/18 61
Defectos volumétricos
Los defectos de volumen en cristales son agregados tridimensionales de

átomos o vacantes. Son normalmente introducidos durante los pasos de
procesamiento y fabricación. Este tipo de defectos tienen importantes
efectos sobre la propiedad de los sólidos cristalinos.
Es común dividirlos en cuatro clases de acuerdo a su tamaño y el efecto
de la partícula sobre la red cristalina:
• Precipitados.
• Partículas de segunda fase (dispersantes).
• Inclusiones.
• Huecos.

5/21/18 62
Precipitados:
Son pequeñas partículas que se introducen en la estructura cristalina por
efecto de una solución sólida de manera que incrementen la resistencia
de las aleaciones estructurales actuando como obstáculos al movimiento
de dislocaciones. Su eficiencia depende de su tamaño, sus propiedades
internas, y su distribución a través de la red cristalina.
Dispersantes:
Son partículas más grandes que se comportan como una segunda fase,
pero también influyen en el comportamiento de la fase primaria. Pueden
ser grandes precipitados, granos o partículas poligranulares distribuidas a
través de la microestructura.

5/21/18 63
Inclusiones:
Son partículas extrañas o grandes partículas precipitadas. Por lo general
son constituyentes indeseables en la microestructura ya que pueden
tener un efecto perjudicial sobre la resistencia de las aleaciones
estructurales pues son sitios de falla.
Huecos:
Los vacíos (o poros) son causados por gases atrapados durante la
solidificación o por condensación de vacío en el estado sólido. Son casi
siempre defectos indeseables pues disminuyen la resistencia mecánica y
promueven la fractura a pequeñas cargas.

5/21/18 64

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Defectos en la estructura cristalina

Escuela Politécnica Nacional

La estructura cristalina es un concepto teórico que permite comprender

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10#$% 10#$& 10#' 10#( 10(

Rangos dimensionales de las diferentes clases de defectos

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Vacantes Dislocación Superficie Precipitados

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FCC 0.74 12 111 110 ABCABC

* Estos planos están activos en algunos metales y aleaciones, o a temperaturas elevadas.

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• Los defectos puntuales son discontinuidades de la red que involucran

Vacante Defecto Defecto sustitucional

Defecto sustitucional Defecto de Defecto de

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Cristales no-iónicos Cristales iónicos

Vacantes Impurezas Defecto de Defecto de

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• Estos defectos o imperfecciones pueden ser generados en un material:

• Los defectos puntuales se dan a nivel de las posiciones individuales de

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A temperatura ambiente aparecen muy pocas

Escuela Politécnica Nacional

• Para la mayoría de los metales, la fracción de

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En compuestos iónicos, se pueden presentar dos

Escuela Politécnica Nacional

Un metal puro que consiste en un solo tipo de átomo simplemente no es

Escuela Politécnica Nacional

En este tipo de solución, los átomos de soluto o impureza reemplazan o

2. Para que se pueda tener buena solubilidad, la estructura cristalina de

4. La máxima solubilidad ocurre cuando el solvente y el soluto tienen la

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En las soluciones sólidas intersticiales, los átomos de impurezas (soluto)

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• Los materiales metálicos tienen factores de empaquetamiento atómico

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Con frecuencia es necesario expresar la composición de una aleación en

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• Porcentaje en peso atómico: se calcula en función de las moles de un

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• De porcentaje en peso a porcentaje en peso atómico:

!" % &' !' % &"

• De porcentaje en peso atómico a porcentaje en peso:

!" + !' = 100 -!"# + !'# = 100

• Concentración de porcentaje en peso porcentaje a peso por unidad de

• Densidad y peso atómico de una aleación binaria:

100 !"# 7 8" + !'# 7 8'

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Comprender el movimiento de una dislocación es clave para entender porque

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La dislocación en la mitad superior del cristal se desliza un plano a la vez