LECCIÓN 1

INTRODUCCIÓN A LAS PROPIEDADES DE TRANSPORTE DE LOS

SEMICONDUCTORES: TEORÍA SEMICLÁSICA

1.-INTRODUCCIÓN

Todos los dispositivos electrónicos están hechos de un tipo especial de materiales

llamados semiconductores. El origen del nombre está en el hecho de que su conductividad
eléctrica tiene valores intermedios entre los de los aislantes y los de los metales. La
resistividad de un metal es del orden de 10-6cm. Un material se considera aislante cuando su
resistividad es superior a 1010cm. Pues bien, los
semiconductores pueden tener resistividades IIB IIIB IVB VB VIB
entre 10-3 y 106cm, con la particularidad de que
dicha resistividad puede controlarse añadiendo
pequeñas cantidades de impurezas, lo que los
B C N O
convierte en materiales muy versátiles. Los
materiales semiconductores de uso corriente en la
industria electrónica son elementos como el Al Si P S
silicio (Si) o el germanio (Ge) o compuestos
binarios como el arseniuro de galio (GaAs) o el
seleniuro de zinc (ZnSe). Zn Ga Ge As Se
Si nos fijamos en el sistema periódico,
podemos ver que es lo que tienen en común estos
materiales. El silicio y el germanio pertenecen al
Cd In Sn Sb Te
grupo IVB, lo que significa que tienen cuatro
electrones en su última capa. El arseniuro de
galio (como otros compuestos III-V) está Hg Tl Pb Bi Po
formado por un elemento del grupo IIIB (tres
electrones en su última capa) y otro del grupo
VB (cinco electrones en su última capa), con lo que el número medio de electrones por átomo
sigue siendo cuatro. Igual ocurre con los
compuestos II-VI, como el sulfuro de cadmio Figura1: Los semiconductores en el sistema
(CdS) o el seleniuro de zinc (ZnSe). El hecho periódico
de que en todos ellos haya cuatro electrones
por átomo está relacionado, como veremos, con el tipo de enlace químico, que es
fundamentalmente covalente en los materiales semiconductores.

En los semiconductores binarios el enlace tiene una componente iónica tanto mayor
cuanto mas alejados en el sistema periódico se encuentran los elementos que los forman. Por
otra parte, y relacionado con lo anterior, todos estos materiales son sólidos cristalinos, es decir,
sólidos en los que los átomos están ordenados periódicamente en el espacio. Así, para
introducir las propiedades de los semiconductores, revisaremos los conceptos de estructura
cristalina y enlace químico.

2.- ESTRUCTURA CRISTALINA DE ALGUNOS

SEMICONDUCTORES

Los semiconductores del grupo IVB, como el

silicio y el germanio tienen la misma estructura
cristalina que el diamante. En dicha estructura cada
átomo se encuentra en el centro de un tetraedro
formado por otros cuatro átomos. Como veremos en el
siguiente punto, ello es debido a la naturaleza
puramente covalente del enlace químico en esos
materiales. La figura 5 muestra la estructura del
diamante (idéntica a la del Si y el Ge). Vemos que,
igual que en la estructura del cloruro sódico, los átomos están en los vértices y en los centros
de las caras de un cubo (se trata de una estructura cúbica centrada en caras). Los
semiconductores compuestos binarios III-V y muchos de los II-VI tienen una estructura
similar, que se llama estructura zinc-blenda, en la que las posiciones atómicas son las mismas
pero en la red cristalina se van alternando los átomos de cada tipo, de manera que, por
ejemplo, cada átomo de galio (en el
arseniuro de galio) siempre está en el Figura 2: Estructura cristalina del silicio
centro de un tetraedro formado por cuatro
átomos de arsénico y cada átomo de
arsénico está en el centro de un tetraedro formado por cuatro átomos de galio.

3.- ENLACE QUÍMICO Y ESTRUCTURA CRISTALINA

El concepto de enlace químico en los sólidos

describe la interacción mutua entre los electrones de
valencia de todos los átomos que forman el sólido. Los
factores que determinan la naturaleza del enlace son: la
configuración electrónica de los propios átomos
(número de electrones de la capa exterior , simetría de
los estados ocupados) el entorno del átomo en la red
cristalina (tipo, número y disposición de los próximos
vecinos). Recordemos que en los átomos aislados los
electrones se distribuyen en capas que pueden ser
ocupadas solo por un número dado de electrones.
Cuando todas las capas están ocupadas, el átomo está en
una configuración estable y no forma moléculas, es
decir, no establece enlaces con otros átomos. Es lo que
ocurre con los gases nobles, todos ellos con ocho
electrones en su capa externa. Los otros elementos
tienen de uno a siete electrones en su capa externa, distribuidos en orbitales de tipo s (con
simetría esférica) u orbitales de tipo p (con Figura 3: configuración de enlaces covalentes
simetría cilíndrica a lo largo de cada uno de entre primeros vecinos en el Si, Ge y semi-
los ejes cartesianos). Al formar enlaces estos conductores III-V y II-VI.
orbitales pueden combinarse para formar los orbitales híbridos sp, sp 2 o sp3. Recordemos la
estructura de la molécula de metano: el carbono está en el centro de un tetraedro cuyos
vértices están ocupados por sendos átomos de hidrógeno. El carbono forma cuatro enlaces
covalentes (uno con cada átomo de hidrógeno), que se originan a partir de orbitales híbridos
sp3. Cuando en un cristal, el número de próximos vecinos coincide con el número de
electrones de valencia por átomo, los electrones pueden asignarse por pares a enlaces entre
próximos vecinos. Se habla entonces de enlace por pares de electrones localizados. El enlace
químico en los semiconductores corresponde en general a lo que hemos llamado enlace por
pares de electrones localizados o enlace covalente. En los semiconductores que hemos
mencionado, la configuración de enlaces es similar a la de la molécula de metano, tal como
aparece en la figura 6: cada átomo está en el centro de un tetraedro y forma cuatro enlaces
covalentes con sendos átomos situados en los vértices del tetraedro. Cuando los dos átomos
vecinos son de la misma naturaleza, la distribución de carga electrónica en el enlace es
simétrica y se habla de enlace covalente puro. Es el caso del diamante, el silicio y el germanio.
Cuando los átomos vecinos son diferentes, existe una asimetría en la distribución de la carga
electrónica, que se desplaza hacia el átomo mas electronegativo o anión. En ese caso existe
una componente iónica en el enlace. La contribución iónica es tanto mayor cuanto mayor es
la diferencia de electronegatividad entre los átomos que componen el cristal. Así, los
semiconductores III-V (GaAs, InP, GaP,InSb, etc) son menos iónicos que los semiconductores
II-VI (CdS, CdTe, ZnSe, etc). Cuando la diferencia de electronegatividad es muy grande
(como ocurre en los compuestos I-VII, como los haluros alcalinos, NaCl, KCl, etc) el electrón
pasa a ocupar el estado vacío en la última capa del elemento mas electronegativo (el
halógeno), que queda ionizado negativamente. El elemento alcalino queda ionizado
positivamente. El enlace pasa a ser puramente iónico y el número de coordinación se hace mas
grande. En el caso del NaCl (figura 2) cada anión (negativo) se rodea de seis cationes
(positivos) y viceversa, de manera que se maximiza la energía de atracción electrostática. En el
caso del CsCl (cloruro de cesio) cada catión de cesio está en el centro de un cubo formado
por ocho aniones de cloro. En ese caso el número de coordinación es ocho. Existen otros
sólidos en los que el número de electrones por átomo es mucho menor que el número de
próximos vecinos. Por ejemplo, en el cristal de sodio, cada átomo está en el centro de un cubo
formado por otros ocho átomos. Como solo hay un electrón por átomo, no pueden formarse
enlaces covalentes. Los electrones quedan completamente deslocalizados. La atracción
electrostática entre la nube electrónica negativa y los iones positivos mantiene ligados a los
átomos. Es lo que se llama el enlace de tipo metálico.

En las próximas lecciones veremos que la naturaleza del enlace químico afecta a
muchas de las propiedades de los semiconductores. Así, en los sólidos polares, las vibraciones
de los átomos de la red dan lugar a campos eléctricos que interactúan con los electrones.
Igualmente, en los semiconductores polares las vacantes de uno u otro tipo de átomos tienen
propiedades eléctricas diferentes, comportándose como dadores o aceptores.

4.- ESTADOS ELECTRÓNICOS EN LOS SEMICONDUCTORES

Como en todos los sólidos cristalinos, los estados estacionarios de los electrones en los
semiconductores son las funciones de Bloch,
    
k = eik .r u k (r ) u k (r + R) = u k (r ) (1)

donde uk(r) es una función que tiene la periodicidad de la red de Bravais del semiconductor.
Las funciones de Bloch son también estados propios del hamiltoniano electrónico
correspondiente al potencial periódico creado por la red cristalina:
   2 2       
Hk (r ) =   + U(r ) k (r ) = E(k ) k (r ) U(r + R) = U(r ) (2)
 2m 
Las funciones de Bloch son también funciones propias del cuasi-impulso y de la velocidad.

En la lección siguiente veremos que los electrones se distribuyen en esos estados

siguiendo la estadística de Fermi-Dirac, que en el caso no degenerado se reduce a la de
Boltzmann, lo que nos permitirá determinar las concentraciones de electrones y huecos en
función de la temperatura y de la concentración de impurezas. En la situación de equilibrio
térmico, sea degenerado o no degenerado el semiconductor, no existe, obviamente, flujo neto
de carga ni de energía en el sólido.

En esta lección pretendemos construir un modelo que nos permita describir los
fenómenos de transporte, es decir, determinar los flujos netos de carga y energía que aparecen
en el semiconductor al someterlo a campos exteriores o a gradientes de temperatura.
Introduciremos el modelo semiclásico de dinámica del electrón en el sólido, que nos permitirá
establecer las propiedades más generales del transporte de carga y energía en los sólidos y
finalizaremos con el modelo de Drude, que, a través del concepto de tiempo de relajación,
permite predecir los valores de las magnitudes que cuantifican dichas propiedades de
transporte (resistividad, movilidad, etc).

5.- HIPÓTESIS DEL MODELO SEMICLÁSICO. PAQUETES DE ONDAS.

Como en cualquier modelo semiclásico, el electrón semiclásico en el sólido viene

descrito por un paquete de ondas, es decir, una combinación lineal de funciones de Bloch de la
forma:

  (k )
   i n  t
 n (r ,t) = 

g(k ) nk (r ) e (3)
k

donde n(k) es la relación de dispersión en la banda n, y g(k) solo es distinto de cero para un
intervalo de valores de k próximo a cierto k0 , |k-k0| < k. Para que el vector de ondas esté
bien definido, k debe ser pequeño comparado con las dimensiones de la primera zona de
Brillouin. Veamos como varía el paquete de ondas a lo largo del sólido, recordando las
propiedades de traslación de las funciones de Bloch:

       n(k )
 n (r + R,t) =  g(k ) nk (r ) ei(k .R  )t

 (4)
k

Considerada como función de R, el paquete de ondas es una combinación de ondas planas, con
cierto peso G(k). Por las propiedades de la transformada de Fourier, sabemos que la extensión
espacial del paquete de ondas es |R|1/| k |. Dado k que debe ser mucho menor que
dimensión de la zona de Brillouin, es decir mucho menor que 1/a donde a es el parámetro de la
red, R debe ser mucho mayor que a, es decir, el paquete de ondas debe extenderse sobre
muchas celdas unidad. En esas condiciones, sabemos que la velocidad con que se desplaza el
paquete de ondas es la velocidad de grupo, o sea:
 
   1   n (k )
v n (k ) =  =  (5)
k  k
La velocidad del paquete de ondas semiclásico resulta ser idéntica al valor propio de la
velocidad en el estado de Bloch. Por otra parte, el hamiltoniano semiclásico del paquete de
ondas en presencia de un potencial exterior, resulta ser idéntico al hamiltoniano de la
aproximación de la masa efectiva:

H = n(k) + U(r) (6)

La dinámica del electrón semiclásico viene, pues, determinada por las ecuaciones de
Hamilton correspondientes, que se reducen a la ecuación de Newton. En presencia de un
campo electromagnético rtendremos:
r
dP dk r r r r
= h = F = ( e)(E + vxB) (7)
dt dt
El movimiento semiclásico del electrón en el sólido está descrito por las mismas
ecuaciones que rigen el movimiento del electrón libre, con la salvedad de que hemos de tener
en cuenta la banda en que se encuentra, a través de la relación n(k). Así pues, la ecuación 7
permite determinar como varía el vector de ondas con el campo aplicado, y la ecuación 5,
proporciona la velocidad del electrón. Es obvio que este modelo semiclásico solo es válido,
por una parte cuando la variación de los campos aplicados solo es significativa sobre
distancias mucho mayores que el parámetro de red, y cuando el electrón permanece en la
misma banda, lo que excluye situaciones en las que los campos exteriores produzcan
transiciones entre bandas. Recordemos, por otra parte, otra particularidad del movimiento en
el sólido, y es que los estados k y k + K (donde K pertenece a la red recíproca), son
totalmente equivalentes. En consecuencia, los electrones en cada banda, por tener masas
efectivas diferentes, deben ser contemplados como partículas diferentes, por lo que la
contribución de cada banda al transporte debe calcularse independientemente. No obstante,
dado que las bandas situadas a varias unidades kT por encima del nivel de Fermi estarán
vacías, el número de bandas a considerar será siempre limitado.

6. LAS BANDAS LLENAS NO CONTRIBUYEN AL TRANSPORTE

Una banda llena está formada por electrones cuyos vectores de onda toman todos los
valores posibles en la primera zona de Brillouin. La densidad de puntos en el espacio de las
fases K3R3 es 1/43. De acuerdo con el teorema de Liouville, siempre que las partículas
obedezcan a las ecuaciones de Hamilton, la densidad de puntos representativos en el espacio
de las fases debe mantenerse constante, lo que significa que cualquier movimiento electrónico
de acuerdo con dichas ecuaciones no puede variar la configuración de una banda llena. Todo
lo más, desplazaría los puntos representativos en bloque fuera de la primera zona de Brillouin,
lo que, dada la periodicidad existente en el espacio recíproco, no cambia el estado del sólido.
Visto de otra manera: calculemos la contribución de una banda llena a la corriente eléctrica o
al flujo de energía: 
 1   1 1  n (k ) 
4 3  4  3   k
J = ( e) v d k  ( e)  d k
(8)
 
  2
 1 1  n (k )  1 1   n (k )
4  3   k 4  3  2
JE=   n ( k )d k =  d k
k

5
donde las integrales se extienden a la primera zona de Brillouin, dado que, aunque una parte
de los puntos se haya desplazado fuera de dicha zona, siempre podrán trasladarse a ella
mediante un vector de la red recíproca. Dada la simetría central de n(k) y su cuadrado,
asegurada por el teorema de Kramers, esas integrales

deben 
anularse, ya que , necesariamente:
  n (k )   n ( k )
 = 
k k
Luego la contribución de las bandas llenas al transporte de carga o energía es nula. En los
fenómenos de transporte solo participan las bandas parcialmente llenas. Los sólidos en los que
todas las bandas están completamente llenas son aislantes eléctricos, y en cuanto a su
conductividad térmica, la contribución electrónica será nula, por lo que si conducen el calor
debe ser mediante otro mecanismo (vibraciones de la red).

7. HUECOS

Consideremos una banda casi llena. Su contribución a la densidad de corriente vendrá

dada por la expresión:
 1 
J = ( e)
4 3   v d 
k (9)
k ocupado

Ahora bien, sabemos que si la banda estuviese completamente llena la contribución total sería
nula, luego:
1  1 
( e)
4 3   v d 
k
+ ( e)
4 3   v d 
k
=0
k ocupado k vacío
(10)
1  1 
3    v d k
( e) v d k   ( e)
4  kocupado 4 3 
k vacío

Esto quiere decir que la contribución de una banda casi llena a la densidad de corriente puede
escribirse como una integral extendida únicamente a los estados vacíos:
 1 
3 
J = (  e) v d k (11)
4  kvacío
La contribución de dicha banda sería la misma que en el caso en que todos los estados
ocupados estuviesen vacíos y los estados vacíos estuviesen ocupados por partículas con carga
eléctrica positiva. En muchos casos resulta conveniente utilizar esta descripción y trabajar con
estas partículas “ficticias” a las que llamaremos huecos.

6
 )Cual será la dinámica de dichas partículas? La ecuación 7 sigue siendo válida, ya que
podemos considerarla referida a la evolución de un punto representativo en el espacio de las
fases, y dicha evolución es independiente de que el estado esté ocupado o vacío. En el
equilibrio térmico, o en situaciones próximas a él, los estados vacíos estarán cerca del límite
superior de la banda, es decir, cerca de un máximo de energía, por lo la relación ε(k) y la
velocidad, en el caso de que el máximo esté en un punto de alta simetría, serán:
 
2 
   k  k0
2
  1  (k)   
 (k) =  (k 0 )  * v (k) =  = *  k  k 0  (12)
2m  k m

La aceleración sería, pues: 

 d    dk e   
a= v (k ) =  * = * (E + v xB) (13)
dt m dt m
es decir, la misma que la de una partícula con carga positiva. Como la trayectoria del estado es
independiente de que esté o no ocupado, la trayectoria del hueco sería la misma que la de un
electrón que ocupase ese estado, pero, al tratarse de una partícula con carga positiva, daría
lugar a una corriente de sentido contrario a la que crearía un electrón desplazándose en el
mismo sentido.

8. DINÁMICA DEL ELECTRÓN EN UN CAMPO ELÉCTRICO, EN AUSENCIA DE

DISPERSIÓN

Supongamos una banda, en un sólido cúbico simple, con una relación (k) que viene
dada por el modelo LCAO, 
 (k ) = E min + 2A( cos k x a + cos k y a + cos k z a) (14)
Supongamos que dicha banda está ocupada por un único electrón. En presencia de un campo
eléctrico uniforme, dirigido en la dirección del eje X, las ecuaciones 3 y 5 permiten calcular la
evolución de kx y vx en función del tiempo:
dk x
 eE x k x  eE x t
dt
 (15)
1  (k ) 2 Aa 2 Aa
vx   sin(k x a)  sin(eE x at )
 k x  
La velocidad resulta variar armónicamente, lo que indica que, en un sólido, un campo eléctrico
uniforme daría lugar a una corriente alterna de frecuencia eE xa. Aunque esta deducción se ha
hecho para una banda LCAO, la corriente sería periódica para cualquier banda, dada la
periodicidad de la relación (k) en el espacio recíproco.

9. MODELO DE DRUDE PARA SEMICONDUCTORES

Naturalmente, no es posible observar el comportamiento descrito en la sección

anterior, porque en el sólido real existen defectos que dispersan a los electrones y hacen que
los estados de Bloch no tengan un tiempo de vida infinito. Según la densidad de defectos,
impurezas o vibraciones de la red excitadas a una temperatura dada, el tiempo de vida de los
estados de Bloch, es decir, el tiempo promedio entre dos procesos de dispersión, será mas o
menos grande. El modelo más sencillo consiste en suponer que dicho tiempo promedio, al que
se llama tiempo de relajación, es independiente de la energía de los electrones. Si suponemos
que la energía ganada por el electrón entre choque y choque se pierde al siguiente choque,
siendo transferida a la red, ello equivale a introducir una fuerza disipativa proporcional a la
velocidad. La ecuación del movimiento en presencia de un campo eléctrico uniforme quedaría:
    
dv   dv eE   eE v
m* = eE   v = * * v = 
dt dt m m m
*

(16)

De la ecuación 11 se deduce que el tiempo de relajación es el tiempo promedio que duraría el

exceso de velocidad ganado por los electrones en presencia del campo eléctrico, cuando este
es anulado bruscamente. En el estado estacionario, la velocidad será constante:
 e  
v = * E = E
m (17)
Esta velocidad corresponde al exceso de velocidad que gana cada electrón al aplicar el campo
eléctrico. La constante de proporcionalidad entre la velocidad y el campo, o lo que es lo
mismo, la velocidad de los electrones en un campo eléctrico unidad, es lo que se llama la
movilidad de los electrones. Si en la banda está ocupada por n electrones o huecos por
unidad de volumen, la densidad de carga por unidad de volumen será en, y, recordando la
relación entre velocidad y densidad de carga (J=env), podremos obtener la relación entre la
densidad de corriente y el campo eléctrico, es decir, la ley de Ohm en el modelo de Drude, lo
que nos permitirá obtener la conductividad del semiconductor (:
  e   2
n
J = env = (en) * E = E  = en = e *
m m
(18)

10. EFECTO HALL

Supongamos que una muestra de semiconductor es sometida a la acción de un campo eléctrico

y un campo magnético. La ecuación del movimiento será ahora:
    
dv eE e(v xB) v
= *  (19)
dt m m
*

donde haemos supuesto que e puede positiva (huecos) o negativa (electrones). Supongamos
que el campo eléctrico aplicado está dirigido en la dirección del eje X y el campo magnético en
la dirección del eje Z. La fuerza magnética desviará a los electrones en la dirección
perpendicular a ambos (dirección del eje Y). Si la muestra es finita, los electrones tenderán a
acumularse en uno de los bordes, dejando una carga positiva no compensada en el otro, lo que
conlleva la aparición de un campo eléctrico en la dirección del eje Y, tal como muestra la
Figura 1. Dicho campo es el campo de Hall. En situación estacionaria, la aceleración es nula y,
dado que no hay componente de la
velocidad en la dirección del eje z,
tendremos las siguientes ecuaciones: 

Figura 4: efecto Hall en un conductor

 e vx
0= E x   cv y 
m
*

(20)
e vy
0 = * E y   cv x 
m 
Donde c= eB/m* es la frecuencia ciclotrónica de los electrones, es decir la frecuencia a que
gira un electrón de masa m* en la trayectoria circular que sigue en presencia de un campo
magnético B.

Despejando las componentes de la velocidad y multiplicando por (en) (densidad de carga),

obtenemos las componentes de la densidad de corriente:
e n
2
J x   c J y = * Ex
 Ex
m
(21)
e
2
n
 c J x  J y = * E y   E y
m
Supongamos que la muestra tiene unos electrodos en las caras perpendiculares al eje X, que
inyectan una corriente constante. La condición de que la muestra es finita implica que no
puede haber flujo neto de carga en la dirección del eje Y, lo que implica:
Jy=0
J x =  Ex
(22)
B
Ey = J x = RH B J x
en
Es decir, en dirección del eje X la conductividad es la misma que si no hubiese campo
magnético (no hay efecto de magnetorresistencia) y aparece un campo transversal, llamado
campo de Hall, proporcional al campo magnético y a la densidad de corriente. La constante de
proporcionalidad es el llamado coeficiente de Hall, R H = 1/en , cuyo signo es el de los
portadores de carga. Así pues, una medida simultánea de conductividad y efecto Hall permite
determinar la concentración de portadores de carga y su movilidad en un semiconductor.

11.- EFECTO DE MAGNETORRESISTENCIA

Supongamos que la muestra es infinita. En ese caso, no podemos anular ninguna

componente de la densidad de corriente. Al no haber límites, no habrá acumulación de carga y
no aparecerá campo de Hall. El efecto del campo magnético consiste en hacer que la densidad
de corriente no tenga la dirección del campo eléctrico. Para comprobarlo, basta con despejar
las densidades de corriente en función del campo eléctrico en las ecuaciones 19:
Ex   c E y
J x=
1+  c2 2
(23)
 c Ex  E y
J y=
1+  c2 2
Al ángulo que forman la densidad de corriente y el campo eléctrico se le llama ángulo de Hall,
H. Es fácil ver que tg H= c = B. Si calculamos la conductividad en presencia de campo
magnético como la relación entre el módulo de la densidad de corriente y el módulo del campo
eléctrico, es inmediato obtener:
  
J= E  (B) =
1+   2
c
2
1 +  c2  2
(24)
1 1
 (B )B0 =  (1   c2  2 ) =  (1   2 B 2 )
2 2
En este caso, se produce un efecto de magnetorresistencia, disminuyendo la conductividad al
aumentar el campo magnético. Dicho efecto es de segundo orden en B. Solo es apreciable
cuando B es del orden de la unidad.

El origen del efecto de magnetorresistencia está en que, al curvarse las trayectorias de

los electrones entre choque y choque, el recorrido libre medio en la dirección del campo
eléctrico es menor, lo que equivale a una disminución de la conductividad. En condiciones de
campo débil (B<<1), las trayectorias de los electrones son arcos de círculo. En condiciones
de campo intenso (B>>1 y los electrones completan varias órbitas ciclotrónicas entre
choque y choque.

12. CONDUCTIVIDAD EN CORRIENTE ALTERNA

En presencia de un campo eléctrico de la forma E 0eit, es fácil ver que, si buscamos en

la ecuación del movimiento soluciones de la forma v= v0eit, obtenemos:
eE0 0
v0 = *  (  )= (25)
m (1+i ) 1+i
Es decir, la conductividad pasa a ser compleja, lo que significa que hay un desfase entre el
campo eléctrico y la corriente. Dado el orden de magnitud de los tiempos de relajación, este
efecto solo se observa para frecuencias de microondas, en semiconductores en los que la
movilidad electrónica sea muy alta.

APÉNDICE A: RESONANCIA CICLOTRÓNICA

La resonancia ciclotrónica es un fenómeno de absorción resonante de microondas (o

infrarrojo lejano) que se produce cuando se hace incidir sobre un semiconductor un haz de
ondas electromagnáticas, en presencia de un campo magnético intenso. Si la frecuencia de la
radiación electromagnética es igual a la frecuencia de resonancia ciclotrónica correspondiente
al campo magnético aplicado, se observará una intensa absorción de dicha radiación por parte
del semiconductor. En el marco del modelo de Drude, la ecuación de movimiento de los
electrones sería:
r r r r r
dv eE0 ei t e(vxB) v
=  
dt m
*
m
*

r r
Buscamos soluciones armónicas v  v0ei t , y, considerando la misma geometría que en el
tratamiento del efecto Hall, obtenemos:

10
 e v0x
i v0 x = E 0 x  c v 0 y 
m
*

e v0 y
i v0 y = E 0 y + cv 0 x 
m
*

ecuación que puede convertirse fácilmente en una relación entre las componentes de la
densidad de corriente y las del campo eléctrico, multiplicando por (en) ambas ecuaciones:
e2 n
i J 0 x = * E 0 x  c J 0 y  J 0 x
m 
e2 n J 0y
i J 0 y = E 0 y + c J 0 x 
m
*

Multiplicando por el tiempo de relajación podemos simplificar aún más:
i J 0 x =  0 E 0 x  c J 0 y  J 0 x (i  1) J 0 x  c J 0 y =  0 E 0 x
i J 0 y =  0 E 0 y +  c J 0 x  J 0 y  c J 0 x  (i  1) J 0 y =  0 E 0 y

y, resolviendo el sistema lineal, obtenemos la relación entre J y E:

(1  i ) E 0 x  C E 0 y (1  i ) E 0 x   C E 0 y

J0x =  0 0
(1  i )   c 
2 2 2
1  ( c2   2 ) 2  2i
C E 0 x  (1  i ) E 0 y C E 0 x  (1  i ) E 0 y
J0 y =  0 0
(1  i )   
2
1  ( c2   2 ) 2  2i
2 2
c
Es fácil ver que la parte real de cualquiera de los términos del tensor conductividad tiene un
máximo para =C , lo que significa que se producirá un fenómeno de absorción resonante a
esa frecuencia. Este fenómeno constituye la base del método mas preciso para la medida de la
masa efectiva de los electrones o huecos en una banda. Para observar dicho fenómeno han de
producirse dos condiciones, por una parte, hemos de estar en condiciones de campo intenso (
 c   B  1 ), para que un electrón complete varias órbitas ciclotrónicas sin ser dispersado
y, por otra, la energía de que ganan los electrones al absorber las microondas ha de ser mayor
que su energía térmica media ( h c  k BT ).
En los experimentos de resonancia ciclotrónica, normalmente, la frecuencia de la
radiación electromagnética se mantiene fija y se registra la absorción de energía en función del
campo magnético aplicado.

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