CAPÍTULO 1

ESTRUCTURA ATÓMICA Y
MECÁNICA CUÁNTICA
1.0 INTRODUCCIÓN
Se han producido importantes avances en los campos de materiales semiconductores y dispositivos
semiconductores en las últimas cuatro décadas. Estos avances han sido en gran parte responsables
de la revolución de la información, tanto en el procesamiento como en la transmisión de inteligencia.
Los materiales utilizados en la fabricación de circuitos a gran escala se pueden clasificar como:
buenos conductores, aislantes y semiconductores. La diferencia básica entre los tres es su
resistencia al flujo de corriente, definida en términos de la resistividad del material. Los buenos
conductores, como el cobre y el aluminio, tienen una resistividad de menos de 10 ~ 3ohm-cm y se
utilizan para cableado de baja resistencia e interconexiones en circuitos eléctricos. Los aisladores
que tienen resistividades superiores a 105ohm-cm se utilizan como aisladores de circuitos y
dispositivos, y en la formación de condensadores. Entre estos dos límites de resistividades se
encuentran los materiales semiconductores: los semiconductores elementales puros, silicio y
germanio, y algunos compuestos II-VI, IV-VI y III-V, el más importante de los cuales es el arseniuro
de galio. Su resistividad de rango medio, o conductividad, no es la razón directa de la importancia de
los semiconductores. Más bien, es el grado en que sus propiedades están influenciadas por la luz, la
temperatura y, lo que es más importante, por la adición de pequeñas cantidades de impurezas
especiales. Se producen grandes cambios en la resistividad del silicio cuando se agrega una parte
de una impureza a un millón de partes de silicio. El silicio es abundante en la naturaleza en forma de
arena (sílice) y arcilla. Sin embargo, antes de que el silicio se pueda usar en dispositivos, se requiere
una purificación importante del material. A continuación, se presenta una aplicación que ilustra el uso
de los tres tipos de materiales en la formación de circuitos integrados. Los circuitos integrados se
fabrican en secciones circulares de silicio de 8 a 20 cm de diámetro conocidas como obleas. Los
componentes principales en los circuitos integrados son los transistores, condensadores y
resistencias. En el proceso de fabricación, se agregan cantidades controladas de impurezas
particulares al silicio para formar las diversas regiones de un transistor. Ciertas secciones de las
obleas se oxidan para formar dióxido de silicio, que sirve como aislante y como aislador de diferentes
partes del circuito. Después de que se forman los diversos dispositivos, un buen conductor, como el
aluminio, se deposita en la superficie para interconectar las diversas partes de los circuitos.
Finalmente, el circuito completo, con cables externos conectados, se encapsula en un paquete de
plástico o cerámica. Nuestro objetivo en este libro es estudiar, primero, algunas de las propiedades
de los semiconductores puros y aquellos semiconductores a los que se agregan impurezas. Después
de estudiar estas propiedades, investigamos la operación y las características de voltaje de corriente
de los dispositivos semiconductores, como los diodos y los transistores. Para hacer eso, debemos
considerar la estructura interna de los semiconductores, los tipos de portadores actuales y los modos
de transporte de estos portadores.
1.1 CRISTALES Y LA CELDA DE LA UNIDAD
Según la disposición interna de los átomos, un sólido se etiqueta como amorfo, cristalino o
policristalino. En los sólidos cristalinos, los átomos están dispuestos en una matriz tridimensional
ordenada que se repite en toda la estructura. Los sólidos amorfos tienen sus átomos dispuestos de
manera muy aleatoria sin patrones repetidos. Los átomos en los sólidos policristalinos están
dispuestos de tal manera que, dentro de ciertas secciones, existe algún tipo de patrón de los átomos,
pero las diferentes secciones están dispuestas aleatoriamente entre sí. La mayoría de los
semiconductores son de naturaleza cristalina. Veamos la disposición interna de los átomos de los
semiconductores en el bloque de construcción básico conocido como la celda unitaria. La disposición
dentro de las celdas unitarias de silicio y germanio se conoce como la red de diamantes porque esta
disposición es una característica del diamante. El diamante es una forma de carbono, que es un
elemento en la columna IV de la tabla periódica. En la red de diamante, que se muestra en la figura
1.1, los átomos están dispuestos dentro de un cubo que tiene la dimensión L, donde L se conoce
como la constante de red. La celda unitaria para la red de diamantes tiene un átomo en cada esquina
del cubo (8), uno en el centro de cada una de las seis caras (6) y cuatro (4) internas al cubo ubicado
a lo largo de las diagonales. De este total de 18 átomos, el átomo en cada esquina es compartido por
ocho células y cada átomo de la cara es compartido por dos células. Usaremos la información
anterior en los siguientes ejemplos para calcular la densidad de átomos y la densidad de masa de
silicio.

El

arseniuro de galio, un compuesto III-V formado a partir de galio (III) y arsénico (V), cristaliza en forma
de una celda unitaria ligeramente diferente, conocida como la Estructura de Zincblende. En esta
estructura, los átomos de Ga y As se encuentran en ubicaciones alternativas dentro de la celda
unitaria. En un estudio minucioso de la red de celdas unitarias de la figura 1.1, observamos que cada
átomo está unido a los cuatro átomos vecinos más cercanos. Esta unión de átomos, de hecho,
representa la fuerza que mantiene unidos a los átomos de la red y se conoce como enlace covalente.
Cada átomo de elementos de la Columna IV tiene cuatro electrones en su capa más externa. El
enlace covalente resulta del intercambio de electrones entre los átomos. Cuando cada átomo,
digamos A, se muestra unido a cuatro átomos vecinos, cada uno de los cuatro átomos vecinos
contribuye con un electrón al enlace con A. El átomo A, por lo tanto, contribuye con un electrón a
cada enlace, de modo que el átomo comparte dos electrones A con cada uno de los cuatro átomos.
Este tipo de enlace explica algunas propiedades físicas de estos sólidos.
1.2 ¿QUÉ ESTAMOS BUSCANDO AHORA?
Finalmente, estamos interesados en determinar la corriente en un dispositivo semiconductor en
respuesta a la aplicación de una fuente de energía, como una fuente eléctrica o una fuente de luz.
Para hacer eso, necesitamos conocer los tipos y densidades de los portadores actuales y sus
masas.
En un semiconductor, hay bandas de energía en las que pueden existir electrones y otras bandas en
las que no pueden existir. Necesitamos establecer las bases para la formación de estas bandas. La
existencia de bandas resulta de la asignación de niveles de energía específicos a un electrón en un
átomo y el consiguiente desplazamiento de estos niveles de energía al introducir el efecto de las
fuerzas que los átomos ejercen entre sí. Como resultado, cada electrón en el sólido tiene un nivel de
energía específico; Las combinaciones de estos niveles forman bandas. Antes de estudiar la
formación de bandas, presentaremos una perspectiva de las teorías que han evolucionado y han
intentado explicar las propiedades observadas experimentalmente de los materiales calentados. Los
conceptos de la mecánica clásica no explican estas propiedades ni todos los demás fenómenos que
tienen lugar en los niveles atómicos. Dichas explicaciones requirieron la evolución de la ciencia de la
Mecánica de Ondas, que trata a los electrones como partículas que tienen propiedades similares a
las ondas.
1.3 FALLA DE LA MECÁNICA CLÁSICA A NIVELES ATÓMICOS
Evolucionaron dos fenómenos observados experimentalmente que no podían explicarse por las
teorías de la mecánica clásica o newtoniana. Estos fueron: radiación de cuerpo negro y las líneas
espectrales discretas agudas emitidas por gases calentados. Primero, consideraremos las
radiaciones de cuerpo negro. Un cuerpo negro es un sólido calentado etiquetado como un radiador
ideal de ondas electromagnéticas. Cuando un sólido se calienta, emite radiación sobre una
determinada banda de frecuencias. Los átomos calentados vibran para que las amplitudes y
frecuencias de las vibraciones parezcan la antena radiante de una estación de transmisión. La
mecánica clásica predice que este sólido calentado emite radiación sobre una banda continua de
frecuencias. Sin embargo, las respuestas medidas indican que esto no es cierto. De hecho, la
radiación se produce solo en una determinada banda de frecuencias. Además, el espectro de
frecuencia de la radiación cambia a medida que varía la temperatura del sólido, como se muestra en
la figura 1.2. Un fenómeno similar ocurre cuando ciertos gases se calientan. Se observó
experimentalmente que los gases calentados emiten radiación en pequeñas cantidades discretas a
ciertas longitudes de onda espectrales discretas. De nuevo, la mecánica clásica no tenía explicación
para esto. La conclusión a la que se llegó confirmó que la mecánica clásica no podía predecir los
fenómenos que ocurren a escalas microscópicas o a niveles atómicos.
1.4 HIPÓTESIS DE PLANCK
El primer avance se produjo con el trabajo de Max Planck. La hipótesis de Planck, presentada en
1901, era que la luz se emite o se absorbe en unidades discretas de energía llamadas fotones. Los
átomos vibrantes de un cuerpo calentado emiten radiación a una frecuencia ν y la energía está
restringida a ciertos valores discretos o cuantificados, dados por
donde ν es la frecuencia de radiación y h es un factor que Planck obtuvo mediante un ajuste teórico
a los resultados experimentales. Esto se denomina constante de Planck y su valor es 6.62 X10^-34J-
s. La hipótesis de Planck confirmó que, además de la cuantificación de las ondas electromagnéticas,
la luz también puede verse como un conjunto de partículas etiquetadas como paquetes de ondas o
fotones. Esto sentó las bases para la teoría de la naturaleza dual de la luz. También allanó el camino
para explicar los niveles de energía de los electrones en un sólido, ya que consideraba que los
electrones son partículas de materia y al mismo tiempo posee propiedades ondulatorias. En este
momento, Rutherford explicó el comportamiento de los electrones como resultado de un movimiento
circular alrededor del núcleo. Siguiendo las conclusiones de la hipótesis de Rutherford y Planck,
Niels Bohr, en 1913, presentó un modelo que confirma el movimiento planetario de los electrones
alrededor de un átomo e incluyó la teoría cuántica de Planck. Ahora consideraremos las teorías de
Bohr que comienzan con su modelo clásico del átomo.
1.5 MODELO CLÁSICO DE BOHR DEL ÁTOMO
El trabajo de Rutherford comparó el núcleo de un átomo con el sol y los electrones que giran
alrededor del núcleo con los planetas que giran alrededor del sol. Bajo la influencia de las fuerzas
gravitacionales, los planetas se mueven alrededor del sol en una órbita casi circular. Bohr sugirió
que, dentro del átomo, las fuerzas gravitacionales (debido a las masas) se vuelven insignificantes en
comparación con las fuerzas electrostáticas (debido a las cargas) que controlan la órbita del electrón.
Las fuerzas eléctricas están determinadas por la Ley de Coulomb, que relaciona la fuerza ejercida
por un objeto cargado sobre otro. De acuerdo con el modelo de Bohr, utilizaremos la Ley de
Coulomb para el átomo de hidrógeno de un electrón y determinaremos una expresión para la energía
total que posee el electrón, suponiendo que esté girando en una órbita circular fija alrededor del
núcleo.
Energía del Hidrógeno Electrón
En un átomo de hidrógeno, la fuerza electrostática de atracción entre el núcleo, que consiste en el
protón, que tiene una carga + q y el electrón que tiene una carga de -q viene dada por:

donde ε0 es la permitividad del espacio libre en Faradios / metro, r es la separación entre el electrón
y el núcleo en metros, y F está en newtons. Suponemos que la masa del protón es mucho mayor que
la del electrón, de modo que el protón se fija en el centro del sistema. Para mantener el movimiento
en una órbita circular fija con radio r, la fuerza electrostática se equilibra con una fuerza centrípeta
igual y opuesta. Suponemos que la dirección de referencia positiva para la fuerza es hacia afuera, de
modo que la fuerza de atracción en la ecuación (1.2) es negativa. Debido a la presencia del núcleo
cargado positivamente, se crea un campo eléctrico a su alrededor. La intensidad del campo eléctrico,
Ꜫ, definida como la fuerza sobre una unidad de carga positiva, se dirige hacia afuera y, por lo tanto,
es positiva. De la ec. (1.2), obtenemos la expresión para Ꜫ en la ubicación del electrón como

donde, para las unidades utilizadas en la ecuación. (1.2). Ꜫ está en voltios / metro. La intensidad del
campo eléctrico se aproxima a cero cuando r se acerca al infinito. El potencial electrostático, V,
debido al campo eléctrico, está definido por

Suponiendo que la referencia para el potencial cero está en el infinito, y dado que se supone que el
sistema posee simetría esférica, determinamos la expresión para el potencial de un punto en r como

La energía potencial del electrón a una distancia r, definida como el producto del potencial en ese
punto y la carga, se convierte en
El signo negativo implica que, al mover un electrón desde el infinito a r, el trabajo negativo se realiza
en contraste con el trabajo positivo que se debe gastar para mover una carga positiva hacia el
núcleo. Esto implica que un electrón en el punto r tiene que estar restringido para evitar que se
mueva hacia el núcleo. Un bosquejo de la energía potencial se muestra en la Fig. 1.3. Observamos
que el dibujo real tiene simetría esférica, por lo que tiene la forma de un embudo. Estamos
interesados en la energía total que posee el electrón de hidrógeno, que, además de la energía
potencial, incluye la energía cinética resultante de la velocidad del electrón. A medida que se mueve
en la órbita circular, el electrón se somete a una fuerza centrípeta (mv^2 / r), que equilibra
exactamente la fuerza de atracción del núcleo, causando una aceleración angular v^2 / r. Al
establecer la magnitud de la fuerza en la ecuación. (1.2) igual a la magnitud de la fuerza centrípeta,
tenemos

Después de resolver para mv^2, la expresión de la energía cinética se convierte en

La energía total, E, del electrón es

De acuerdo con las referencias establecidas anteriormente, el electrón tiene la energía más alta
(menos negativa) a medida que su distancia desde el núcleo se aproxima al infinito.
El átomo de hidrógeno como antena radiante
Las relaciones que acabamos de derivar indican que el electrón se mueve en una órbita circular que
tiene un radio r, velocidad v y energía total E. Si se calienta un átomo de hidrógeno, el electrón
absorbe energía y se mueve a un nivel superior, correspondiente a un nuevo total energía E. Por lo
tanto, es posible que el electrón ocupe cualquier órbita, dependiendo de la energía que gana y el
radio orbital se determina a partir de la ecuación. (1.8.) Por lo tanto, de acuerdo con esta teoría
clásica, el electrón puede tomar valores continuos de energías E, dependiendo de los radios de la
órbita. Esto, sin embargo, contradice los resultados de los experimentos de difracción. La difracción
se define como la dispersión que sufren los rayos de luz cuando pasan a través de las rendijas de un
sólido. Los rayos de luz emergen desviados, formando franjas de bandas paralelas de luz, oscuridad
y color. Los experimentos de difracción, usando electrones, indicaron que los electrones solo pueden
ocupar ciertos niveles de energía discretos ya que emiten radiación solo a ciertas frecuencias
discretas. La pregunta es entonces: ¿cómo emite radiación el electrón? El movimiento de electrones
a velocidad constante da como resultado una corriente eléctrica constante. Dado que el electrón que
está orbitando alrededor de un protón está sujeto a la aceleración centrípeta, su velocidad aumenta
con el tiempo, lo que resulta en una corriente dependiente del tiempo. A partir de las leyes de la
teoría electromagnética, una corriente variable en el tiempo genera un campo magnético variable en
el tiempo. Según la ecuación de Maxwell, un campo magnético variable en el tiempo induce un
campo eléctrico dependiente del tiempo. Se generan campos electromagnéticos y ondas
electromagnéticas, lo que conduce a una radiación similar a la que emana de una antena de
transmisión de televisión o radio. Tal radiación de energía puede ser posible en una amplia banda de
frecuencias. Si el electrón de hidrógeno va a emitir radiación, debe perder energía continuamente,
girar en órbitas helicoidales más pequeñas con velocidad decreciente y acercarse más y más al
núcleo. Por lo tanto, si una carga se acelera, irradia energía y, por lo tanto, experimenta una pérdida
de energía. Este dilema, enfrentado por el modelo clásico de Bohr, lo llevó a calificarlo por su modelo
cuantificado.
1.6 MODELO CUANTIZADO DE BOHR
La teoría clásica propuesta por Bohr obviamente fracasó cuando se aplicó al átomo de hidrógeno. Al
tratar de explicar el dilema que enfrentaba, Bohr propuso un modelo que confirmaba el concepto de
cuantificación de la energía. El modelo no tenía pruebas, como se plasma en sus dos propuestas
conocidas como postulados. Su primer postulado se basó en su teoría clásica, con la excepción de
que un electrón podría permanecer en una órbita circular sin irradiar energía. Su segundo postulado
afirmó que se emite o absorbe un quantum de radiación cuando un electrón se mueve de un nivel de
energía a otro. Resumimos la sustancia del modelo de la siguiente manera:
1. Los electrones giran alrededor del núcleo solo en ciertas órbitas circulares definidas, cada órbita
corresponde a un cierto nivel de energía.
2. Estas órbitas están etiquetadas como órbitas estacionarias. Los electrones podrían permanecer en
estas órbitas estacionarias sin irradiar energía.
3. La transferencia de un electrón desde una órbita de energía más baja a una órbita de energía más
alta requiere la absorción de radiación por el átomo, mientras que una caída desde un nivel de
energía más alto a una órbita de nivel de energía más bajo produce la emisión de radiación. Esta
diferencia de energía, ya sea absorbida o emitida, es

4. Las únicas órbitas estacionarias de los electrones son aquellas para las cuales también se
cuantifica el momento angular.
Aplicando la conclusión número 4 anterior al átomo de hidrógeno único, tenemos
donde m es la masa del electrón, ν es la velocidad lineal del electrón, rn es el radio orbital para un
valor dado de n, y n se conoce como un número cuántico. Como todavía nos referimos a las órbitas
circulares del electrón, la ecuación. (1.7) se aplica. Cuando se resuelve la velocidad que da

Sustituyendo la expresión anterior por ν en la ecuación. (1.11) y resolviendo para r, obtenemos

La expresión para la velocidad se convierte en

Las órbitas electrónicas asumidas en la teoría de Bohr son circulares, de modo que las expresiones
derivadas anteriormente para la energía potencial y la energía total, Eqs. (1.6) y (1.9) son válidos. Al
sustituir la relación por r de la ecuación. (1.12), tal como se desarrolló a partir de la teoría de Bohr,
en la expresión de la energía total, E, de un electrón, como se da por la ecuación. (1.9), obtenemos
una expresión para la energía cuantificada del electrón de hidrógeno como

Si usamos unidades MKS racionalizadas, como se encuentra en el Apéndice A, para las constantes
en la ecuación. (1.14), la unidad de energía será el julio. Ahora definimos una unidad de energía
conocida como electrón-voltio, eV, donde un electrón-voltio es la energía adquirida por un electrón
cuando se eleva a través de una diferencia de potencial de un voltio. Un eV = 1.6 X 10^-19 julios.
Reemplazando todas las constantes por sus valores, la ecuación. (1.14) se convierte

donde Ε es la energía del nivel de energía permitido de la órbita discreta, que se obtiene
reemplazando η con el entero relevante. Es obvio que el electrón solo puede existir a ciertos niveles
de energía discretos. Por lo tanto, es posible que un electrón se mueva entre cualquiera de estos dos
niveles con la consiguiente liberación de radiación, pasando de un nivel de energía más alto (n más
alto) a un nivel más bajo (n más bajo). La frecuencia correspondiente de radiación se determina a
partir de la ecuación. (1.10) El electrón también se puede mover a un nivel superior.
por absorción de radiación, nuevamente de acuerdo con la ecuación. (1.10) Además de la energía,
tanto el radio orbital como la velocidad se cuantifican, como se expresa por las ecuaciones. (1.12) y
(1.13) respectivamente. Los niveles de energía permitidos en el átomo de hidrógeno, según lo
determinado por la ecuación. (1.15), generalmente se representan mediante un diagrama de nivel de
energía, como se muestra en la figura 1.4. Más tarde, Sommerfeld, siguiendo las conclusiones de
Bohr, verificó que las órbitas de los electrones no eran circulares sino elípticas. Esto fue confirmado
más tarde por otros. La hipótesis de Planck proporcionó una explicación para la discreción de la
radiación y la teoría de la luz en forma de partículas. Bohr confirmó la cuantificación de la energía, el
radio orbital y la velocidad orbital del electrón de hidrógeno. Así, el concepto cuántico se extendió a
los fenómenos que tienen lugar en dimensiones atómicas. La teoría de Bohr constituyó un gran paso
adelante en la explicación de los espectros de hidrógeno, pero no proporcionó respuestas completas.
Si bien las frecuencias de emisión predichas por Bohr, para el átomo de hidrógeno, son bastante
cercanas a las observadas experimentalmente, una debilidad importante de la teoría de Bohr es que
no puede extenderse al modelado de átomos que son más complejos que el átomo de hidrógeno. De
Broglie y Schrodinger, quienes proporcionaron las bases de la nueva ciencia de la Mecánica de
Ondas, proporcionaron respuestas más completas.
1.7 MECÁNICA DE ONDA
Los intentos de explicar el movimiento de los electrones en términos de movimiento ondulatorio
fueron motivados por las observaciones experimentales de varios científicos. Observaron que los
patrones de difracción podían observarse y registrarse fotográficamente cuando los haces de
electrones pasaban a través de los cristales. Estos resultados indicaron que los electrones tenían
características generalmente asociadas con las ondas y, por lo tanto, debían obedecer las
ecuaciones de movimiento de onda. Fue de Broglie, en 1924, quien sentó las bases de Wave
Mechanics. Confirmó la conclusión de Bohr de que la relación entre la energía de una onda y la
frecuencia era una constante, h, y postuló que el producto del momento del electrón y la longitud de
onda también era igual a esta constante. Esta constante es, nuevamente, la constante de Planck.
Esta relación entre las propiedades dinámicas del electrón, como el momento, y las propiedades de
la onda, como la longitud de onda, forman la base de la mecánica de la onda. Así,
donde h es la constante de Planck y λ es la longitud de onda de De Broglie. La longitud de onda, λ,
en metros, es la relación entre la velocidad de la luz en metros / segundo y la frecuencia en hercios y
1 / v es el período espacial de la onda. Las observaciones experimentales de otros científicos
proporcionaron pruebas concluyentes de las relaciones formuladas por de Broglie. Podría ser útil
enfatizar la generalidad de la hipótesis de De Broglie, que predijo a partir de la teoría de la
relatividad. Según su teoría, una onda hipotética se asocia con cualquier partícula tal que las
ecuaciones. (1.16a) y (1.16b) se mantienen. La magnitud de la intensidad de la onda de De Broglie,
en cualquier punto, es una medida de la probabilidad de encontrar la partícula en ese punto. En
esencia, el movimiento de la partícula se puede describir en términos de probabilidad más que en
términos de las leyes deterministas de la mecánica clásica. Esta interpretación de probabilidad y la
incertidumbre concomitante se relacionan inmediatamente con el Principio de incertidumbre de
Heisenberg, que se discutirá en breve.
La "plausibilidad" de las ecuaciones. (1.16) se puede establecer de la siguiente manera:
1. La relación Ε = hv es una expresión de la hipótesis cuántica de Planck de que la energía se
absorbe o se emite en quantums, el tamaño de un quantum es hv.
2. Un quantum de luz se etiqueta como un fotón, de modo que la energía de un fotón de luz de
frecuencia ν es hv.
3. De acuerdo con la teoría de Einstein, la materia y la energía están relacionadas por Ε = mc^2: por
lo tanto, un fotón tendría una masa de hv / c^2 y un momento hv / c o ρ = h / λ según lo dado por la
ecuación. (1.16a), donde ρ es el momento del fotón y c es la velocidad de la luz.
Queremos enfatizar, en este punto, que no estamos implicando la existencia física de ondas de
electrones. Más bien, estamos pensando en una partícula en movimiento que tiene propiedades
ondulantes asociadas a ella. De los experimentos de difracción de electrones se desprende que una
partícula tiene propiedades de onda, que muestran que los haces de electrones se comportan como
haces de luz y, por lo tanto, deben obedecer las mismas relaciones de onda que la luz. Antes de
continuar con la analogía, resumamos las teorías duales aceptadas de la luz:
a) La luz tiene propiedades tanto de partículas como de ondas.
b) La luz está compuesta de fotones. Por lo tanto, un rayo de luz consiste en partículas (es decir,
fotones), cada una de las cuales posee una energía, hv, donde ν es la frecuencia de la luz.
c) La intensidad de la luz en una ubicación es la densidad de los fotones en esa ubicación.
La analogía entre los haces de luz y de electrones se extiende de modo que el recorrido y la
difracción de una onda de luz en un medio de índice de refracción variable sea análogo al caso de
haces de electrones que viajan a través de un campo de fuerza variable. Ambos fenómenos son
matemáticamente análogos. Se encuentra que cuando, en el caso óptico, el índice de refracción
varía sobre dimensiones del mismo orden de magnitud que las longitudes de onda, las teorías
clásicas no pueden explicar los fenómenos que ocurren. Del mismo modo, la mecánica clásica falla
cuando un campo de fuerza en un material varía a lo largo de una distancia del orden de una
longitud de onda de De Broglie. La razón por la que tenemos que buscar en la teoría de ondas una
explicación de los fenómenos que ocurren a distancias atómicas es en parte el resultado del
Principio de incertidumbre de Heisenberg.
1.8 PRINCIPIO DE INCERTIDUMBRE DE HEISENBERG
El Principio de incertidumbre de Heisenberg, que se derivó de una rigurosa física matemática,
establece que se da el valor mínimo del producto de las incertidumbres en los valores de dos
cantidades, cuyo producto tiene la dimensión de acción, ML^2 / T (kg m2 / seg). por la constante de
Planck, h. Dos de estos conjuntos de cantidades son el momento y la posición, y la energía y el
tiempo. El Principio establece que el producto de las incertidumbres en el momento ρ y la posición χ
y los de la energía Ε y el tiempo t son

Un ejemplo numérico aclarará este resultado.

De acuerdo con el Principio de Incertidumbre, no tiene sentido hablar del movimiento de un electrón
en una órbita circular o elíptica porque tal afirmación implica que podemos rastrear el camino del
electrón haciendo al menos dos observaciones sucesivas de su posición. De hecho, para este
ejemplo, si la posición del electrón se determina con mucha precisión, de modo que Δχ es pequeño,
hay una falta de precisión en la incertidumbre del momento y aumenta Δp. Si el límite de Δχ es cero,
entonces la incertidumbre en el momento es infinita. Lo mejor que uno puede esperar es establecer
un patrón de probabilidad alrededor del núcleo, que muestra la región en la que hay una probabilidad
apreciable de encontrar el electrón. Por lo tanto, el Principio de incertidumbre destacó otra dificultad
con la teoría de Bohr, ya que no es posible asignar un cierto radio o momento de órbita a una
partícula. Como se mostró en el ejemplo, para los fenómenos a gran escala donde Δχ para la bala
es insignificante en comparación con las dimensiones de la bala, el Principio de incertidumbre no
plantea dificultades serias, mientras que para el electrón, la posición es indeterminada. Debido a que
la posición, la velocidad y el momento de un electrón no pueden determinarse utilizando la mecánica
clásica, uno tiene que volver a la mecánica de onda para estudiar el comportamiento del electrón.
1.9 ECUACIÓN DE SCHRODINGER
Fue Schrodinger quien, basándose en el trabajo de De Broglie, propuso por primera vez la ecuación
de onda conocida por su nombre. Él incorporó la teoría de cuantificación propuesta por Planck y la
naturaleza ondulatoria de la materia propuesta por De Broglie. Esta ecuación es tan básica para la
mecánica de ondas como las leyes de Newton para la mecánica clásica y las ecuaciones de Maxwell
para la teoría electromagnética. La ecuación de Schrodinger en estado estacionario expresa la
probabilidad de ubicar una partícula en un punto en el espacio donde la función de onda Ψ (χ, ν, z)
es una medida de esa probabilidad y viene dada por

donde m es la masa de la partícula, W es la energía potencial de la partícula y Ε es su energía total.

Esta es la ecuación de una onda y cuando se aplica a las ondas de electrones, donde m es la masa
del electrón, da una medida de la probabilidad de encontrar un electrón determinado en una
determinada ubicación. De hecho, la cantidad | Ψ |^2 dν es la probabilidad de que una partícula con
energía potencial W y energía total Ε se ubique en el volumen espacial dV en el punto resultante de
expresar Ψ en términos de x, y y z. Dicho de otra manera, | Ψ |^2 dν es la probabilidad de que una
partícula con energía potencial W se ubique dentro de dV y, si está allí, tendrá energía total E. La
función de onda puede ser una cantidad compleja y, en general, para el estado estacionario, será
una función de x, y y z. La mecánica de onda es, en efecto, la rama fundamental de la mecánica, y la
mecánica newtoniana ordinaria se deriva de ella. Por lo tanto, cuando una partícula se mueve en un
campo de fuerza, de modo que el cambio de potencial ocurre en distancias que son muy grandes en
comparación con la longitud de onda asociada con la partícula, las leyes de la mecánica newtoniana
son aplicables. Sin embargo, si el cambio en el potencial ocurre en distancias comparables a la
longitud de onda, como en el caso del potencial periódico de un cristal, entonces la mecánica
newtoniana no se aplica y la naturaleza de onda de la partícula da lugar a fenómenos
completamente nuevos que no se tienen en cuenta. Resumimos la discusión anterior como:
1. El electrón no debe considerarse como una onda sino como una partícula, con una onda hipotética
asociada de Broglie.
2. Sobre una pequeña región donde se sabe que existe el electrón, se podría establecer un paquete
de ondas de probabilidad. El paquete de ondas es una medida mecánica cuántica que se puede
suponer que está localizada en un punto dado en el espacio. Se puede decir que es análogo a una
partícula clásica que se puede ubicar en un punto dado en el espacio. El paquete de onda consiste
en la suma de funciones de onda de energía constante, Ψ, ensambladas alrededor de una
frecuencia central para que este paquete pueda localizarse en un punto dado en el espacio. En la
figura 1.5 se muestra un boceto de un paquete de ondas. En una distancia que se compara en gran
medida con la longitud de onda, el movimiento del electrón puede describirse por el movimiento del
paquete de ondas, dicho movimiento se rige por las leyes de la mecánica clásica, aunque existe
cierta incertidumbre en los valores simultáneos de posición, momento, velocidad, etc.
3. Al considerar el movimiento del electrón sobre distancias que son pequeñas en comparación con
las longitudes de onda, como dentro del paquete de ondas o alrededor del núcleo, no se debe
intentar localizar la posición del electrón a lo largo su camino en dos instantes sucesivos de tiempo.
Cualquier intento de determinar la primera posición perturbará el electrón y hará que trace un camino
diferente.
Bajo tales circunstancias, es apropiado hablar solo de la probabilidad de ubicar el electrón en cierto
punto. Esta probabilidad puede determinarse mediante una solución de la ecuación de Schrodinger.
Los cálculos en mecánica cuántica usan la función de probabilidad para determinar la posición, la
velocidad y el momento de un sistema. Como veremos más adelante, encontrar Ψ no es el resultado
final que buscamos. Esta cantidad es hipotética; Una herramienta matemática utilizada para obtener,
principalmente, las energías permitidas del sistema. Al encontrar Ψ, dos postulados son de
considerable importancia. Estos son:
Postulado 1. La función Ψ y su primera derivada son finitas, continuas y de un solo valor
Postulado 2. La probabilidad por unidad de longitud (por unidad de volumen en el caso
tridimensional) de encontrar una partícula en una posición particular y en un determinado instante de
tiempo es Ψ Ψ*, donde Ψ * es el conjugado complejo de la razón Ψ. La razón para multiplicar la
función por su conjugado complejo es que la probabilidad debe ser una cantidad real positiva,
mientras que Ψ es complejo para casos dependientes del tiempo. Si integramos ΨΨ* en todo el
sistema (volumen completo), el resultado debe ser la unidad. Por lo tanto,

donde el producto dxdydz es el volumen incremental. Esto es equivalente a decir que es cierto que
la partícula está en algún lugar del espacio.
En la siguiente sección, aplicamos la ecuación de Schrodinger a una estructura simple para ilustrar
los conceptos de la Mecánica de Ondas. Luego aplicamos la solución al estudio de los niveles de
energía en el átomo de hidrógeno.
Aplicación al pozo potencial
Asumiremos, como se muestra en la figura 1.6, que un electrón está ubicado en un pozo potencial de
tal manera que la energía potencial W es cero entre χ = 0 y χ = a, e infinito en otra parte. El pozo
unidimensional infinitamente profundo es, en cierto modo, típico del problema de la Mecánica de
Ondas que uno encuentra en el estudio de las energías de los electrones en un átomo de hidrógeno.
La energía total del electrón es cinética, ya que W = 0. Por lo tanto, el electrón rebotará entre las
paredes y, si es perfectamente elástico, asumirá un estado estable. Determinaremos una expresión
para Ψ en el pozo potencial. Aplicando la ecuación de Schrodinger en el estado estacionario ( t—>
∞) dentro de la caja unidimensional donde la energía potencial W es cero, tenemos

donde k, etiquetado como el vector de onda, o número de onda, viene dado por
La solución a la ecuación. (1.20) es

El electrón no puede penetrar fuera del pozo potencial, de modo que la función de onda es cero en χ
= 0 y en χ = a. Así,

de donde obtenemos

donde η = ± 1, ± 2, ± 3 ... Luego, estableciendo la expresión para k, que sigue a la ecuación. (1.20),
igual a ηττ / α, tenemos

donde η es un número entero. La energía correspondiente al número entero η en la ecuación. (1.23)

se convierte

La probabilidad de localizar el electrón en cualquier χ es Asen( kx)^2 o (A sin ηττχ / α) 2. Si una

partícula se encuentra en un determinado punto, o en el instante en que está allí, la ecuación. (1.24)
expresa su energía para ese número entero o número cuántico en particular, n. Las variaciones de
Ψ y | Ψ |^2 en el pozo se muestran en la Fig. 1.7. Por lo tanto, la energía se cuantifica (es decir, la
partícula puede tomar solo ciertos valores discretos de energía). La partícula pasa la mayor parte de
su tiempo en el punto en el que | Ψ |^2 es un máximo, como se ilustra en la figura.
De la ec. (1.22) y la Fig. 1.7, observamos que, en los puntos en los que Ψ = 0, para el primer ciclo de
Ψ, kx = ττ. Como k es ηττ / α, escribimos

Por lo tanto, en estos puntos, χ = a / n y como la distancia entre ceros es media longitud de onda
(una longitud de onda corresponde a la distancia espacial en un ciclo), entonces

De lo anterior, concluimos que, para satisfacer las condiciones de frontera para un estado
estacionario, la longitud de onda está relacionada con las dimensiones de la caja, como se muestra
en la ecuación. (1.26). En otras palabras, la función de onda representa una onda estacionaria
similar a la que se observa en una cuerda vibrante. La ecuación para la energía también se escribe
usando la igualdad que sigue a la ecuación. (1.20), como
Podemos relacionar la energía con el momento utilizando la expresión en la ecuación. (1.16b) y
reemplazando la longitud de onda por su equivalencia de la ecuación. (1.26) para que el momento,
p, se convierta

Como k es ηττ / α, la expresión de la energía se puede expresar como

Mediante el uso de la ecuación. (1.29) en la ec. (1.27), el momento se expresa en términos de k

como ρ = hk / 2ττ. En la figura 1.8 se muestra un bosquejo de energía versus k y ρ, donde los
puntos ilustran, solo en forma gráfica, los diversos niveles de energía permitidos.

De acuerdo con la ecuación. (1.22) y como se indicó anteriormente, η puede tomar valores enteros
positivos y negativos. La función de onda Ψ adquiere valores positivos y negativos para que

, donde ambos se refieren al mismo estado.

Para una partícula en una caja tridimensional, suponiendo las mismas restricciones en tres
dimensiones que para un caso unidimensional, esperamos una onda estacionaria de la forma.

donde x, y y z tienen cuantizaciones separadas con números cuánticos ηχ, ηy y nz correspondientes

a las dimensiones a, b y c, respectivamente. Cuando esta función de onda se sustituye en la
ecuación de Schrodinger, se obtiene una expresión para Ε.
Aplicación a un muro potencial
Esta aplicación, que se ilustra mediante la solución del siguiente ejemplo, se utiliza para determinar
la probabilidad de localizar un electrón que tenga energía E en una región de energía potencial, W,
donde W es mayor que E.
El hecho de que Ψ^2 tenga un valor distinto de cero implica que es posible que exista un electrón
con energía Ε en una región donde la energía de barrera, W, es mayor que la energía del electrón.
Este ejemplo puede modificarse para incluir una tercera región, etiquetada como Región 3, idéntica a
la Región 1 pero ubicada a la derecha de la Región 2. Se puede demostrar que es posible que una
partícula que tiene energía Ε en la Región 1 cruce a la Región 3 mientras atraviesa una barrera
potencial de energía W, donde W> E. La probabilidad de que esto ocurra es mayor si se reduce el
grosor de la Región 2. Por lo tanto, se dice que la partícula atraviesa la barrera de la Región 2. Este
concepto se aplica en el estudio del diodo Esaki, también conocido como diodo túnel, y en la
formación de contactos óhmicos. Habiendo establecido el significado y la plausibilidad de la ecuación
de Schrodinger, la usaremos en el próximo capítulo para establecer los números cuánticos y, por lo
tanto, los niveles de energía que puede tener un electrón de hidrógeno. Luego extenderemos los
resultados a la muestra de muchos electrones, como el silicio.
 Capítulo 2
BANDAS DE ENERGÍA Y
TRANSPORTADORES ACTUALES EN
SEMICONDUCTORES
2.0 INTRODUCCIÓN
Concluimos en el Capítulo 1 que, de acuerdo con el Principio de Incertidumbre, no es posible
especificar, al mismo tiempo, la ubicación o el momento de un electrón en un sólido. Este principio
señala una de las debilidades de la hipótesis de Bohr, que suponía que los electrones podían
asignarse a ciertas órbitas, lo que en esencia implicaba que su posición era conocida. Luego
decidimos que los conceptos de Mecánica de Ondas son necesarios para explicar el comportamiento
de los electrones en los sólidos. En este capítulo, aplicaremos la ecuación de Schrodinger para
obtener información sobre el átomo de hidrógeno. Luego proyectamos los resultados, con las
modificaciones necesarias, al sólido de muchos electrones. Establecemos la existencia de niveles de
energía discretos a partir de los cuales, debido a su gran número y la cercanía de estos niveles,
resultan bandas de energía. La banda de valencia más alta y la banda de conducción más baja son
de interés primordial. Estas bandas están separadas por una región en la que no pueden existir
electrones del semiconductor: esta es la banda prohibida. En cada una de estas dos bandas
superiores, se dice que existe una portadora diferente. Estos portadores son el electrón y un espacio
vacío conocido como el hueco. Usaremos la ecuación de Schrodinger para formular las condiciones
existentes en el átomo de hidrógeno.
2.1 APLICACIÓN DE LA ECUACIÓN DE SCHRODINGER AL ÁTOMO DE HIDRÓGENO
La teoría de Bohr del átomo de hidrógeno ya no es satisfactoria por dos razones principales.
Primero, se supone que el electrón gira alrededor del núcleo en una órbita dada.
Esto no es aceptable ya que implica que se conoce la posición del electrón en un momento dado y
esto viola el Principio de incertidumbre de Heisenberg. Segundo, no es posible aplicar la teoría de
Bohr a un átomo que tiene más de un electrón externo. Por lo tanto, consideraremos una solución de
mecánica cuántica, ya que no está limitada por estas limitaciones. Aplicaremos los resultados de la
solución de la ecuación de Schrodinger para determinar los posibles estados de energía del electrón
de hidrógeno y estudiar el problema de muchos electrones.
Números cuánticos
El átomo de hidrógeno se aproxima fácilmente por un núcleo de carga + q, fijado en posición, en
cuyo campo orbita el electrón. El electrón, cuando se encuentra a una distancia r del núcleo, tiene
energía potencial, dada por la ecuación. (1.6), como -q^2 /4ττε0r. La distribución de energía
potencial del átomo de hidrógeno se muestra en el esquema de la figura 2.1 (a). La distribución
potencial es, en cierto modo, similar al pozo potencial que consideramos en el Capítulo 1. La energía
potencial (negativa) es más alta en r infinito y más baja en el núcleo. Una diferencia importante entre
los dos es el límite más complejo
perfil de la distribución potencial del átomo de hidrógeno. Además, el pozo potencial es un problema
unidimensional, mientras que deseamos resolver el átomo de hidrógeno en tres dimensiones.
Procederemos con un resumen de los pasos generales en la solución de la ecuación de Schrodinger
para el átomo de hidrógeno y luego presentaremos los resultados de esta solución. Comenzamos
sustituyendo la expresión por la energía potencial en la ecuación de Schrodinger, la ecuación. (1.18),
en tres dimensiones, de modo que tenemos,

No resolveremos esta ecuación, pero describiremos los pasos involucrados en la solución. Primero,
el sistema, o el átomo de hidrógeno, consiste en un protón de carga +q y un electrón de carga -q y
masa m. La posición del protón se fija en el origen, como se muestra en la figura 2.1 (b), y el electrón
está en un punto cuyas coordenadas esféricas son (r, Θ y φ). Segundo, la ecuación. (1.18), escrito
en tres dimensiones, se transforma en el nuevo sistema de coordenadas. Tercero, el método de
separación de variables se usa para resolver la ecuación de Schrodinger. Por este método,
asumimos una solución de la forma

Cuando la solución supuesta se sustituye en la forma esférica-polar de la ecuación de Schrodinger,

resultan tres ecuaciones diferenciales separadas; una solo en r, una solo en θ y una solo en φ. En la
solución de las tres ecuaciones, y para obtener resultados físicamente aceptables, emergen tres
números cuánticos; n, l y me, conocidos como los números cuánticos principales, azimutales y
magnéticos, respectivamente. Esto es análogo al número cuántico único n, obtenido para el electrón
en el ejemplo de pozo potencial discutido en el capítulo anterior. Divaguemos brevemente para
explicar cómo se obtiene una solución para identificar las fuentes de estos números cuánticos y su
relación con las propiedades físicas del electrón y las órbitas electrónicas. Ahora consideraremos
una ecuación de Schrodinger simplificada y examinaremos los resultados. Esta ecuación es
independiente de θ y φ pero es una función de r, por lo tanto, se denomina ecuación radial. Las
soluciones a esta ecuación tienen simetría esférica. Antes de continuar, observamos que, al igual
que en el ejemplo del potencial bien discutido en el Capítulo 1, nuestro interés final no está en las
expresiones para las funciones de onda. Para este trabajo, estamos interesados en las condiciones
para las cuales las funciones de onda satisfacen la ecuación de Schrodinger y las condiciones de
frontera. La forma radial de la ecuación diferencial en Ψ tiene una serie de soluciones. La solución
más simple y básica, Ψ, expresa Ψ1 en función de r y un factor identificado como r0. Al sustituir esta
solución en la ecuación radial de Schrodinger, obtenemos expresiones para Ε y r r0 (véase el
problema 2.6). Cuando se incluyen soluciones de orden superior para Ψ, como Ψ2 y Ψ3, obtenemos
energía en función del número cuántico, n. Este número es una medida de la energía total del
electrón en un estado particular, además de ser una medida del diámetro del eje mayor de la órbita
elíptica, que es el doble del radio de la órbita circular determinada por Bohr.
El número cuántico, n, es un número entero que adquiere el valor 1, 2 y 3. Debido a la asociación de
η con la energía del electrón, los niveles de energía en η también son designados por las capas
electrónicas K, L, y M, correspondiente a η = 1,2, y 3.
Una interpretación mecánica cuántica del radio orbital del átomo de hidrógeno es que ya no es un
número fijo (y el electrón tiene una órbita fija) sino que hay un Alta probabilidad de localizar el
electrón a una distancia identificada por un número cuántico.
Otros dos números cuánticos resultan de la solución completa de las ecuaciones en cada una de θ y
φ de las ecuaciones de Schrodinger.
El número azimuthal, l, resultado de la solución de la ecuación en θ de manera que su valor
determina tanto el momento angular cuantificado como l h/ 2ΤΓ y el diámetro del eje menor de la
órbita elíptica cuantificada del electrón como

Los valores del conjunto de números cuánticos azimutales cubren el rango

En la solución de la ecuación para φ, el número cuántico orbital magnético, m (aparece, determina la

dirección del momento angular orbital, y tiene valores integrales que varían de - l a + l, incluyendo
me. La palabra magnética resulta del hecho de que un electrón en una órbita representa una carga
acelerada y, por lo tanto, una corriente eléctrica que tiene un campo magnético. La existencia de
estos tres números cuánticos fue predicha anteriormente por Sommerfeld. Más tarde, Goudsmit y
Uhlenbeck, guiados por su conocimiento de Los espectros más complicados que el del hidrógeno,
predijeron que el electrón posee un momento magnético y un momento angular bastante
independiente de su rotación en una órbita alrededor del núcleo. Además, se observó que, en un
átomo de muchos electrones, el número real de los estados cuánticos son el doble de lo predicho por
la combinación de n, l y me. Luego se postuló que el electrón, en su órbita alrededor del núcleo, gira
sobre su propio eje en dos únicos y opuestos direcciones con respecto a su momento orbital. Por lo
tanto, cada electrón puede existir en dos estados de espín. Como resultado, se incluyó un cuarto
número cuántico, etiquetado como número cuántico de giro, ms, que tiene un valor de ± 1/2. Este
giro intrínseco con respecto al momento angular orbital da como resultado la duplicación del número
de estados cuánticos. Por lo tanto, cada estado cuántico se identifica por cuatro números cuánticos,
designados por n, l , me y ms.
El principio de exclusión de Pauli
En 1925, Pauli formuló el principio de que solo puede haber dos electrones de espín opuesto en un
estado cuántico. Concluyó esto a partir de un estudio de espectros atómicos aproximadamente al
mismo tiempo que se identificó el número cuántico adicional, ms. Él, en efecto, concluyó que no más
de dos electrones pueden tener la misma distribución en espacio. Por lo tanto, cualquier estado
cuántico, identificado por los cuatro números cuánticos, no puede acomodar más de un electrón. En
realidad, los números cuánticos representan otra forma de definir la función de onda de un electrón
dado. Para cumplir con el Principio de Exclusión de Pauli, se deduce que cada electrón en el sólido,
independientemente del número de electrones, se identifica por cuatro números cuánticos. En la
Tabla 2.1 se enumeran los diversos números cuánticos junto con el número máximo de electrones
que pueden acomodarse en un átomo aislado. El lector cuestionará nuestra referencia a muchos
electrones, mientras que el origen de tres de los cuatro números cuánticos resultó de una solución
de la ecuación de Schrodinger para el modelo de un electrón. De hecho, los niveles mostrados en la
Tabla 2.1 pueden interpretarse como los posibles estados que puede tener el electrón de hidrógeno.
Además, si los resultados para el problema de muchos electrones se derivan del modelo de un solo
electrón, entonces los diversos niveles definidos por los números cuánticos n y l pueden acomodar
el número de electrones que se muestran en la tabla.

En la Tabla 2.1 se verifica fácilmente que el número máximo de electrones en una capa es 2n^2.
También es de esperar que las capas superiores η estén más alejadas del núcleo y tengan las
energías más altas. Por lo tanto, el primer nivel η contiene dos electrones, el segundo contiene ocho,
el tercero 18, y así sucesivamente. Dado que los niveles fueron asignados originalmente por estudios
espectrales, los niveles se denotan por s, p, d, f, g, etc., donde l = 0 corresponde al nivel s, l = 1 al
nivel ρ, y así sucesivamente. (La letra s se refiere a sostenido, la ρ a principal, la d a difusa, la f a
fundamental, etc.) El carbono, por ejemplo, con un número atómico de 6 (seis electrones), tiene 1s^2
2s^2 2p^2, con el primer número se refiere a la capa y el número de superíndice al número de
electrones en ese nivel en particular. El silicio tiene 1s^2 2s^2 2p^6 3s^2 3p^2 para un número
atómico de 14. El nivel 3p puede acomodar un máximo de seis electrones, pero solo hay dos,
dejando cuatro espacios vacíos en ese nivel. En la figura 2.2 se muestra una representación
esquemática de un átomo de silicio aislado, que ilustra la ubicación de los electrones en las capas.
Notamos que los niveles más bajos se llenan primero, con los niveles de energía más altos solo
parcialmente llenos de electrones.

El sólido de muchos electrones

La transición del problema de un electrón al átomo de muchos electrones no requiere nuevas
soluciones. Todo lo que debe hacerse es asignar a los electrones los niveles de energía
determinados por el modelo de un electrón. Además de esto, aparecen otros efectos como
consecuencia de tener muchos electrones alrededor del núcleo. Naturalmente, esperamos que estos
electrones ejerzan fuerzas entre sí. Si se supone que la fuerza de atracción del núcleo es cero en el
infinito y negativa en otra parte, entonces las fuerzas repulsivas ejercidas por los otros electrones
son de naturaleza positiva. Esto, por lo tanto, aumenta los valores de los niveles de energía que se
calculan utilizando el modelo de un electrón. Las fuerzas mencionadas anteriormente se deben a los
electrones del mismo átomo. Las fuerzas mencionadas anteriormente, junto con el Principio de
Exclusión, tienen los siguientes efectos:
1. Los niveles de energía calculados usando el modelo de un electrón y un cierto número cuántico η
son más bajos que los niveles reales. El número η también denota la identificación de la capa como
se muestra en la Tabla 2.1.
2. Los electrones que tienen el mismo número cuántico η pero diferentes / números no tienen todos
los mismos niveles de energía. Dentro de una capa dada, con un valor dado de n, el electrón s (/ =
0), tiene la energía más baja, el electrón ρ (/ = /) el siguiente más alto, el d más alto, y así
sucesivamente. Cuanto menor es el valor de I, más cerca penetra la función de onda en el núcleo.
Los niveles de energía están realmente deprimidos. Aquellos con alto l no penetran en el interior del
átomo en absoluto. Se encuentran en un campo de carga, en el que el núcleo está protegido por
todos los demás electrones y tienen energías que son casi como el hidrógeno. La Figura 2.3 muestra
la distribución de estos niveles esquemáticamente para un solo átomo.
3. Electrones que tienen los mismos números cuánticos η y I pero diferentes me y ms números
cuánticos con energías ligeramente diferentes que corresponden a diferentes niveles de energía.

4. Teóricamente, cada electrón en un sólido representa un estado cuántico definido por cuatro
números cuánticos y tiene niveles de energía diferentes de cualquier otro electrón.
Un modelo más completo se incluirá más adelante.
2.2 DIVISIÓN DEL NIVEL DE ENERGÍA
Vimos en la última sección que, si bien la subdivisión principal de las energías de los electrones está
determinada por el número cuántico n, cada electrón en un átomo o en un cristal completo ocupa un
estado cuántico definido por los cuatro números cuánticos y tiene su propio nivel de energía.
Como ejercicio mental, aislemos un solo átomo de un sólido y consideremos los efectos sobre los
niveles de energía a medida que otro átomo del mismo sólido se mueve desde una distancia más
lejos y más cerca del primer átomo. Originalmente, los electrones de estos dos átomos tenían niveles
de energía que eran idénticos. A medida que el segundo átomo se acerca al primer átomo, las
órbitas electrónicas más externas tienden a superponerse. Los niveles de energía de los dos átomos
se modifican ligeramente para acomodar el Principio de Exclusión. Cuando se forma un sólido a
partir de Ν átomos, en teoría, se forman Ν niveles de energía para cada nivel de energía que existe
en un átomo. Este fenómeno se conoce como división del nivel de energía, y en el espaciamiento
normal de los átomos en un sólido, se produce principalmente para los niveles de energía más altos.
Obviamente, el grado en que tiene lugar la división aumenta con la extensión de las interacciones de
los átomos. En la figura 2.4, ilustramos la división de energía mostrando los efectos de acercar cinco
átomos del mismo sólido entre sí. Notamos que los niveles de energía más altos asociados con los
números cuánticos η más altos y más alejados del núcleo se ven afectados primero cuando las
órbitas comienzan a superponerse. Los electrones en los niveles de energía más bajos están
inicialmente protegidos, pero a medida que disminuye el espacio atómico, los niveles más bajos
comienzan a dividirse.

2.3 FORMACIÓN DE LA BANDA DE ENERGÍA

Al darse cuenta de que cada átomo de silicio tiene 14 niveles de energía, correspondientes a 14
electrones, y que hay aproximadamente 1022 átomos en un centímetro cúbico, es fácil imaginar las
consecuencias de la división de los niveles de energía cuando los átomos se unen para formar un
centímetro cúbico de silicio. Por supuesto, la división (de mayor consecuencia) en el silicio tiene
lugar principalmente en los niveles 3p y 3s. El resultado de la división es la formación de bandas de
energía en el espacio atómico normal R0. Este efecto se ilustra en la figura 2.5 para un metal, un
aislante y para silicio. La energía de separación de banda se refiere al ancho de la banda prohibida
que separa las bandas de conducción y valencia.
En la Fig. 2.5, hemos mostrado las dos o tres bandas superiores. Vale la pena señalar que, en el
espacio atómico normal tanto en el aislante como en el silicio, la banda superior está separada de la
siguiente banda inferior por una región donde no existen niveles de energía del sólido. Esta región se
conoce como la banda prohibida o banda prohibida. No existe tal banda en el cobre.
La banda superior se conoce como la banda de conducción, seguida en un nivel inferior por la banda
prohibida y la banda de valencia. A la temperatura del cero absoluto, los electrones ocupan los
niveles de energía más bajos para que no haya electrones en la banda de conducción, aunque los
niveles están allí. Es evidente, a partir del ancho de la separación entre electrones y voltios, que
requiere menos energía, térmica o de otro tipo, para mover un electrón desde la banda de valencia a
la banda de conducción de silicio que se necesita para lograr lo mismo en el aislador.
Las características específicas de las bandas, incluido el ancho de la banda prohibida, la energía de
separación de banda, determinan fundamentalmente las propiedades de un material. Observamos
que, para el cobre, como se muestra en la figura 2.5 (a), las bandas de energía se superponen. Por
lo tanto, es bastante fácil para un electrón moverse en cobre; este electrón puede moverse de
niveles llenos a niveles vacíos más altos. Uno puede suministrar la energía para mover el electrón
elevando la temperatura o sometiendo el metal a una fuente de luz. (Suponemos que los niveles de
energía más bajos se ocupan primero y que la conducción solo puede ocurrir en las bandas
parcialmente llenas).

También notamos, para un aislante en la Fig. 2.5 (b), la existencia de un amplio espacio que separa
las bandas rellenas de las bandas vacías. Esta brecha prohibida, en la que no pueden existir
electrones, es la razón de la mala conductividad de los aisladores. Se requiere una gran cantidad de
energía para excitar los electrones desde los niveles llenos hasta los niveles vacíos más altos.
La estructura de la banda de silicio indica la existencia de una brecha prohibida, que es
relativamente estrecha en comparación con la de un aislante, lo que hace que el silicio sea un mejor
conductor que los aisladores porque los electrones requieren una cantidad mucho menor de energía
para moverse de las bandas inferiores llenas las bandas superiores sin relleno. Los electrones a
temperatura cero absoluto ocupan los niveles más bajos de energía de acuerdo con el Principio de
Exclusión de Pauli, de modo que cada uno está teóricamente apilado, en energía, sobre otro hasta
que todos los electrones estén acomodados. Consideremos el silicio con más detalle. El átomo tiene
1s^2 2s^2 2p^6 3s^2 3p^2, donde todos los estados hasta aquellos en el nivel 3p ( l = 1) se llenan
hasta el número máximo de electrones que pueden acomodar. El nivel 3p tiene seis estados, que
requieren seis electrones para llenar todos los estados. Solo dos de los seis estados están llenos de
electrones. A temperaturas más altas, algunos electrones se elevarán del nivel 3s a estados vacíos a
3p
 .
El proceso de formación de bandas de energía en silicio es interesante y estudiaremos la división
con más detalle considerando la representación que se muestra en la figura 2.6.
Variar el espaciamiento de los átomos, como se muestra en la figura 2.6, es obviamente un ejercicio
teórico. Sin embargo, suponemos que los átomos de silicio Ν se acercan entre sí. Con un gran
espacio atómico, los niveles de 3p en la capa Μ y todos los niveles de energía más bajos se
muestran como líneas rectas, ya que los átomos no han comenzado a influenciarse entre sí. Por
supuesto, la línea recta 3p incluye seis estados cuánticos y las líneas 3s incluyen dos estados Ν. Las
energías de los estados están muy cerca unas de otras.
A medida que se reduce el espacio, los niveles de 3p se dividen primero, seguidos de los niveles de
3s. A un espacio aún más pequeño, las dos bandas formadas por los niveles 3p y 3s se fusionan en
una sola banda que contiene ocho estados Ν. Después de esto, la nueva banda se divide en dos
bandas distintas y, en el espacio atómico normal, se forman dos bandas (conducción y valencia)
separadas por el espacio. Hay cuatro niveles de Ν en cada una de las bandas.
A temperaturas muy bajas y dado que los electrones tienden a ocupar los niveles más bajos
primero, habrá cuatro electrones Ν que llenen completamente la banda de valencia. La banda de
conducción no contiene electrones. A temperaturas más altas, los electrones serán excitados desde
la banda de valencia a la banda de conducción. A partir de los estudios de división del nivel de
energía, presentamos los siguientes resultados:
• Se forma una banda prohibida entre la banda superior y la siguiente banda inferior. Idealmente, los
estados que acomodan electrones de silicio no pueden existir en la banda prohibida.
• La banda superior es la banda de conducción y la siguiente banda inferior es la banda de valencia.
Hay muchas otras bandas debajo de la banda de valencia.
• El ancho de la banda prohibida, la energía de separación de banda Εg, depende de la constante de
red y los niveles de energía alrededor de esta banda. La constante reticular representa la separación
atómica normal.
• Los niveles bajos de energía producen bandas estrechas con un espacio amplio y los niveles altos
producen bandas anchas con un espacio estrecho.
• A la temperatura del cero absoluto, los electrones ocupan los niveles de energía más bajos
posibles.
• El ancho del intervalo de banda, Eg, disminuye con la temperatura de acuerdo con la ecuación de la
Tabla 2.2, en la que hemos mostrado los valores de Eg y la dependencia de Eg de la temperatura
para GaAs, Si y Ge.

Cabe señalar que las estructuras de banda no son modelos exactos de energías electrónicas. Para
obtenerlos, se deben hacer muchas aproximaciones y suposiciones simplificadoras. Se puede
obtener alguna prueba experimental del modelo a partir de estudios de espectros de rayos X.
Propiedades como la conductividad, los efectos magnéticos y los efectos ópticos dependen, en cierta
medida, de la presencia de átomos extraños, defectos en la red o imperfecciones, mientras que la
teoría de la banda se basa en una red hipotéticamente perfecta. Un modelo de banda que resulta de
la figura 2.6 se muestra en la figura 2.7.
DESTACAR
• Las soluciones de la ecuación de Schrodinger independiente del tiempo en r, θ y φ proporcionan
los tres números cuánticos n, l y me (respectivamente, donde η define la energía total de un
electrón en un estado cuántico particular.
• La exclusión de Pauli en principio requiere que en un átomo que contiene muchos electrones, no
pueda existir más de un electrón en un solo estado cuántico. Esto dio como resultado un cuarto
número cuántico ms para el espín de dos electrones. Por lo tanto, cada electrón está especificado
por cuatro números cuánticos.
• A medida que, en teoría, los átomos del mismo sólido se unen, las energías de los electrones más
externos se modifican. Cada nivel, como el nivel 3p, que acomoda seis electrones, se divide en
niveles estrechamente espaciados. un sólido se lleva al espaciado atómico normal, R0, los niveles
anteriores se dividen en niveles muy cercanos. Estos niveles están tan cerca el uno del otro que las
bandas se forman efectivamente. Las dos bandas superiores de semiconductores en que pueden
existir electrones son la banda de conducción y la banda de valencia. Estas dos bandas están
separadas por una banda en la que los estados están disponibles, pero no pueden existir electrones.
Esta banda es la banda prohibida.
2.4 MODELO MATEMÁTICO DE FORMACIÓN DE BANDAS
En la última sección, determinamos que un electrón en un átomo de hidrógeno puede poseer valores
discretos de energía, E, con cada nivel de energía identificado por un conjunto de cuatro números
cuánticos. No se proporcionó información sobre la preclusión de la existencia de electrones en
ciertas bandas de energía, como la banda prohibida que separa las bandas de conducción y
valencia. Tampoco se disponía de información sobre la forma de la distribución de energía en
función del número de onda k (nττ / a).
En esta sección, consideraremos un modelo matemático para la distribución de energía potencial en
una matriz de átomos y presentaremos los resultados de este modelo aproximado. La energía
potencial electrónica del átomo de hidrógeno viene dada por la ecuación. (1.6) y se representa en la
figura 2.8 (a) para un átomo y se representa en la figura 2.8 (b) para dos átomos. Suponiendo que un
cristal de hidrógeno unidimensional, la energía potencial esbozada en función de la distancia,
aparecería como se muestra en la figura 2.8 (c) con una red constante, L. La precisión
natural de la distribución de energía potencial para un conjunto de átomos es muy compleja, por lo
que la solución de la ecuación de Schrodinger para dicha distribución es muy difícil.
Modelo de Kronig-Penney
En un esfuerzo por obtener una solución matemática que confirme la formación de bandas de
energía, incluida la existencia de bandas prohibidas, Kronig y Penney utilizaron un modelo
unidimensional de la distribución de energía potencial en un sólido. El modelo que se muestra en la
figura 2.9 exhibe cierta similitud con la distribución de potencial de un electrón de la figura 2.8 (c).
Consiste en una serie regular de potenciales de pozos cuadrados. A pesar de su cruda similitud con
la figura 2.8 (c), la solución de la ecuación de Schrodinger usando este modelo describe, con
bastante precisión, los efectos que se observan en los sólidos reales. Es importante conocer los
supuestos que se hacen en el modelo y su solución. Estos son:
1. La interacción de electrones con el núcleo es de naturaleza puramente culombiana.
2. Se excluye la interacción entre electrones.
3. Se ignoran los efectos no ideales, como las colisiones con la red y la presencia de impurezas.
4. Los átomos están fijos en su posición, aunque, de hecho, los átomos pueden estar vibrando.
En el modelo de Kronig-Penney, se supone que el nivel cero de energía potencial está cerca del
núcleo y el valor pico W0 se produce a mitad de camino entre los núcleos.
Se supone que un electrón que tiene una cierta masa, m, y energía, E, existe en esta distribución de
energía potencial, que se establece por los núcleos atómicos. El problema es determinar la
distribución de los niveles de energía en función del número de onda k. Se establece una ecuación
de Schrodinger separada para cada una de las regiones χ = 0 a χ = a, donde W = 0, y χ = -α a χ = L,
donde W = W0. La distancia (a + b) se etiqueta como la red reticular L. Sujeto a las condiciones de
frontera, se obtienen dos soluciones para las funciones de onda, una para cada una de las regiones
0 <Ε <WQ y Ε> W0. Es necesario repetir aquí que nuestra información no se obtiene de las
expresiones para las funciones de onda, sino de las expresiones que resultan de aplicar las
condiciones de frontera.
y de las ecuaciones resultantes de la sustitución de las expresiones para las funciones de onda en
las dos ecuaciones de Schrodinger. Las dos soluciones importantes consisten en una expresión en
el lado izquierdo de cada una de las ecuaciones, que incluye Ε y W0, y un término en el lado derecho
de cada ecuación, dado por cos k(a + b), cuyo el valor debe estar entre -1 y +1. Ciertos valores de
energía, E, hacen que el lado izquierdo de estas ecuaciones sea mayor que 1 o menor que -1. Esos
rangos de energías dan como resultado las bandas prohibidas. Los otros rangos de energía son
aquellos que están ocupados por electrones o que podrían estar ocupados por electrones. Una
gráfica de estas dos ecuaciones se exhibe en la figura 2.10 (a). En aras de la comparación,
mostramos en la figura 2.10 (b) la distribución de energía, E, para el potencial bien discutido en el
capítulo 1. Las siguientes observaciones se pueden hacer a partir de las gráficas:
• El gráfico del modelo de Kronig-Penney muestra discontinuidades y perturbaciones en comparación
con la forma parabólica de la solución de partículas libres. Estas modificaciones son mayores en los
valores más bajos de energía. En los valores más altos de energía, la solución para este modelo es
similar a la de la partícula libre. La implicación es que cuanto mayor es la energía del electrón, menor
es la importancia del potencial periódico en el cristal.
• La gráfica del modelo K-P tiene discontinuidades en kL = ± nTT. Se puede concluir que, a los
valores de las energías correspondientes a estas discontinuidades, las ondas de electrones no
pueden propagarse en el sólido. Estos valores de k marcan los límites de las zonas de energía que
forman las bandas prohibidas.
• A valores más altos de E, el ancho de las bandas permitidas aumenta mientras que el ancho de las
bandas prohibidas se reduce.
• Los lados izquierdos de las ecuaciones que se usan para dibujar la figura 2.10 no cambian si kL
cambia en ± 2ττ. Por razones relacionadas con las masas de las partículas y que se aclararán más
adelante, es conveniente cambiar las curvas de la segunda y tercera bandas permitidas en ± 2TT / L
a lo largo del eje x. Los valores
de la segunda y tercera banda permitida para k positivo se desplazan por - 2TT / L y las de k negativa
se desplazan por 2TT / L. De esta manera, el bosquejo de la figura 2.10 se limita a la región: -ττ / L a
ττ / L, como se muestra por las curvas punteadas marcadas c ', d', e' y f', reemplazando las curvas
c, d, e, y f. Las nuevas curvas se muestran en la figura 2.11 y representan el perfil de energía para
las bandas de valencia y conducción correspondientes a η = 1,2 y 3.
Hemos mostrado en la figura 2.11 curvas de energía para tres valores de n. Obviamente, mediante el
uso de las dos ecuaciones mencionadas anteriormente, es muy posible extender los bocetos a
valores más altos de n. Sin embargo, los que se muestran en las figuras son adecuados para ilustrar
la relevancia y los beneficios del modelo de Kronig-Penney.
Es importante darse cuenta de que el modelo unidimensional de Kronig-Penney tiene un parecido
muy general con las condiciones reales existentes en un cristal. En un cristal tridimensional real, las
relaciones E-k son mucho más complicadas que las obtenidas en la figura 2.10. Sin embargo, los
resultados del modelo Kronig-Penney han exhibido dos propiedades que son extremadamente
importantes. Primero, existen bandas en las que los electrones no pueden existir y, segundo, la
forma de las curvas E-k en las ubicaciones de las bandas prohibidas indica que existe una
concavidad opuesta entre las formas de las bandas permitidas por encima y por debajo de cierta
banda prohibida. Nos referiremos a esta propiedad en relación con la masa efectiva más adelante en
este capítulo.
Semiconductores directos e indirectos
Las estructuras de banda reales de los semiconductores son mucho más complejas que las que se
muestran en la figura 2.11. Una característica distintiva de los semiconductores es la ubicación del
mínimo de energía de la banda de conducción con respecto al máximo de la banda de valencia en
los diagramas E-k. En silicio y germanio, y como se muestra en la figura 2.12 (b), el máximo de la
banda de valencia no se produce en el mínimo de la banda de conducción. El máximo de la banda
de valencia en todos los semiconductores ocurre en k = 0, mientras que el mínimo de la banda de
conducción para Si y Ge ocurre en un k diferente, lo que indica una diferencia de momento entre
estos dos puntos. En arseniuro de galio, el mínimo de la banda de conducción y el máximo de la
banda de valencia ocurren en k = 0, como se muestra en la figura 2.12 (a).
Por lo tanto, GaAs se conoce como un semiconductor de banda prohibida directa, y Si y Ge se
conocen como semiconductores de banda prohibida indirectos.
En un semiconductor de banda prohibida directa, un fotón de energía luminosa, hv, puede excitar un
electrón desde la parte superior de la banda de valencia hasta la parte inferior de la banda de
conducción. Del mismo modo, un electrón en la banda de conducción de un semiconductor directo
puede caer directamente en un estado vacío en la banda de valencia y emitir fotones de luz con
energía Ε. En semiconductores indirectos, un electrón en la banda de conducción no puede caer
directamente en la banda de valencia porque debe experimentar un cambio en la energía y un
cambio en el momento. Un fotón por sí solo no puede excitar un electrón desde la parte superior de
la banda de valencia de un semiconductor indirecto hasta la parte inferior de la banda de conducción
porque el fotón tiene suficiente energía para causar la transición, pero no posee el momento
necesario para esta transición.
Un electrón que se mueve entre la banda de valencia y la banda de conducción de un semiconductor
indirecto puede ocurrir a través de un defecto en el semiconductor o por la acción de los fonones, lo
que puede proporcionar un momento suficiente para ayudar a las transiciones indirectas.
La aplicación para la cual los semiconductores directos se vuelven importantes es el dispositivo
óptico. En este caso, GaAs es un semiconductor principal utilizado en láseres semiconductores y
diodos emisores de luz.
2.5 MODELO DE BONOS COVALENTES
En la figura 2.13 se muestra una representación que complementa el diagrama de banda de energía
conocido como modelo de enlace covalente. Este diagrama es una forma bidimensional de la
estructura reticular de diamantes que se muestra en la figura 1.1 en la que cada átomo está unido a
sus cuatro vecinos más cercanos. El enlace es el resultado del hecho de que cada átomo comparte
cuatro electrones de la órbita más externa con cuatro átomos adyacentes. Estos cuatro electrones
ocupan los niveles 3s y 3p en la representación de la banda de energía, que se muestra en la figura
2.6. En Τ = 0K, habrá 4N
líneas en la figura 2.13 (a), Ν es el número de átomos en el cristal, que normalmente llenan la banda
inferior (la banda de valencia) que se muestra en la figura 2.6 y la figura 2.7 (b).
Las líneas que se muestran en la figura representan un electrón cada una y los círculos representan
el núcleo del átomo, que incluye el núcleo y todos los demás electrones del átomo, excepto los de
las órbitas más externas, como los niveles 3s y 3p en silicio. Es interesante darse cuenta de que es
la unión covalente la que imparte dureza a los semiconductores del Grupo IV, como Ge y Si. Por
supuesto, el carbono es el material más duro. En los semiconductores III-V, como GaAs, las fuerzas
de unión representan la unión covalente además de las fuerzas iónicas, de modo que la fuerza de la
unión es alta. Esto se traduce en una energía de banda prohibida más alta y un punto de fusión más
alto en comparación con los semiconductores del Grupo IV que tienen el mismo número atómico y
constante de red.
En el espacio atómico normal, R0, y para un semiconductor en 0K, todos los electrones están unidos
a sus núcleos y se dice que ocupan sus niveles de energía más bajos posibles en el diagrama de
banda. Un aumento de la temperatura imparte energía a los electrones, y a 300K (temperatura
ambiente), muchos electrones se mueven desde la parte superior de la banda de valencia hasta el
fondo de la banda de conducción. Si la energía impartida es exactamente igual a la energía del
intervalo de banda, los electrones en la parte superior de la banda de valencia se transfieren al fondo
de la banda de conducción y poseen energía potencial Ec. Para una energía mayor que el intervalo
de banda Ε, los electrones en la parte superior de la banda de valencia se mueven hacia la banda de
conducción y adquieren energía cinética; su energía total los coloca por encima de Ec.
En Τ = 300K, aproximadamente uno de cada 10^12 electrones de silicio escapa a un enlace
covalente y se convierte en lo que se conoce como un electrón libre capaz de viajar a través de la
estructura. En el modelo de banda de energía, un electrón se libera cuando se ha movido desde la
parte superior de la banda de valencia hasta la parte inferior de la banda de conducción.
Con esto en mente, notaremos una distinción entre metales y semiconductores. La conductividad de
los metales disminuye con el aumento de la temperatura, mientras que, como veremos más
adelante, la conductividad de los semiconductores, bajo ciertas condiciones, puede aumentar con el
aumento de la temperatura.
En los metales, los electrones de conducción (libres) están distantes de su núcleo, se mueven
libremente entre los átomos y están unidos a diferentes átomos en diferentes momentos. Por lo
tanto, se dice que un metal consiste en una serie de iones positivos rodeados de órbitas electrónicas
de capa cerrada sumergidas en un gas de electrones libres. No hay una brecha prohibida que los
electrones tengan que superar. Si bien hay aproximadamente 10^10 electrones libres por cm^3 en
silicio a temperatura ambiente, un metal tendrá aproximadamente 10^20 electrones por cm^3.
2.6 PORTADORES DE CORRIENTE: ELECTRONES Y HUECOS
Una característica única de los semiconductores que resulta de su diagrama de banda de energía
particular es que existen dos tipos de portadores: electrones en la banda de conducción y huecos en
la banda de valencia. En metales, la conducción consiste únicamente en el movimiento controlado de
electrones. Entonces, ¿de dónde vienen los huecos y cómo se comportan como portadores
actuales?
El hueco
Cuando un semiconductor puro, como el silicio, que inicialmente está en Τ = 0K, adquiere energía
térmica igual o mayor que la energía de la banda prohibida, Εg, los electrones se excitan desde la
parte superior de la banda de valencia hacia la banda de conducción. Se convierten en electrones
libres. Por cada electrón que abandona la banda de valencia, se deja una vacante en el enlace
covalente dentro del cual puede moverse otro electrón en esa banda de valencia. Cuando se aplica
un campo eléctrico al silicio, los electrones en la banda de conducción adquieren velocidad en una
dirección opuesta a la del campo. Del mismo modo, los electrones en la banda de valencia, que se
movieron para llenar las vacantes, ganan velocidad. Al tener la vacante ocupada por otro electrón, la
vacante se mueve en la dirección del campo. Esta vacante es el hueco. Por lo tanto, tanto el electrón
como el hueco causan corriente eléctrica en la misma dirección con el hueco moviéndose en la
dirección del campo y el electrón cargado negativamente moviéndose opuesto a la dirección del
campo eléctrico.
Una analogía cruda es la de un estacionamiento de dos niveles donde, inicialmente, todos los autos
están dispuestos en una sola fila en la planta baja y el piso superior está completamente vacío.
Hasta que un automóvil se mueva al primer piso desde la planta baja, no puede haber movimiento de
automóviles en ninguno de los pisos ya que la planta baja está llena y el primer piso está vacío.
Cuando el carro delantero se mueve hacia arriba, todos los carros detrás del espacio que ocupaba el
carro delantero ahora pueden moverse un carro hacia adelante, haciendo que el espacio vacío se
mueva hacia atrás. El automóvil que se movió arriba está disponible para movimiento y es análogo a
nuestro electrón en la banda de conducción. La vacante que se creó en la planta baja es análoga al
hueco y se mueve en una dirección opuesta al movimiento de los automóviles.
Otra analogía está representada por los cilindros que se muestran en la figura 2.14. El cilindro
inferior de la figura 2.14 (a) está completamente lleno de líquido y el cilindro superior está vacío.
Estos cilindros representan las bandas de valencia y conducción respectivamente de silicio en cero
absoluto. En este estado, no puede haber movimiento de líquido en el cilindro inferior y, obviamente,
ninguno en el cilindro superior. Cuando se transfiere un pequeño volumen de líquido desde el cilindro
inferior al cilindro superior, existe la posibilidad de movimiento de líquido en ambos cilindros: el
pequeño volumen de líquido en la parte superior y la burbuja que queda en el cilindro inferior. Al
inclinar ambos cilindros hacia el lado derecho en la figura 2.14 (b), la gravedad obliga al líquido en el
cilindro superior a moverse hacia la derecha y la burbuja en el cilindro inferior a la izquierda. El
pequeño volumen de líquido y la burbuja se mueven en direcciones opuestas. La fuerza de la
gravedad es análoga a un campo eléctrico aplicado, el pequeño volumen es análogo al electrón libre
y la burbuja es análoga al hueco.

Descripción analítica del hueco

Una descripción más analítica del hueco se determina como:
Los electrones se excitan térmicamente desde la banda de valencia a la banda de conducción,
dejando estados vacíos en la banda de valencia. Cuando se aplica un campo eléctrico, los
electrones en la banda de conducción se aceleran, al igual que los electrones en la banda de
valencia a medida que se mueven a los estados vacíos. La densidad de corriente (amperios / m^2)
de electrones en la banda de valencia, JVB, se puede determinar sumando el movimiento de todos
los electrones en la banda de valencia como:

donde (- q) es la carga de un electrón, Vd es su velocidad de deriva, y el signo negativo indica que la

dirección de la corriente es opuesta a la dirección del movimiento (Vd) de los electrones.
Matemáticamente, también se puede afirmar que la densidad de corriente en la banda de valencia se
compone de dos componentes: la suma del movimiento de todos los electrones en una banda
completamente llena (sin vacantes) menos la corriente asociada con los electrones faltantes como ,

Como la corriente en una banda llena es cero, la corriente resultante de la disponibilidad de estados
vacíos es la corriente en la banda de valencia dada por
Debido a que la dirección de movimiento de los portadores es en respuesta a un campo eléctrico,
concluimos que el hueco tiene una carga positiva y el electrón libre tiene una carga negativa ya que
el campo eléctrico causa los huecos y los electrones para moverse en direcciones opuestas.

Energías de electrones y huecos

La generación de un par de electrones en las bandas se muestra en la figura 2.15 (a) y en la imagen
covalente se muestra en la figura 2.15 (b). En la imagen de la banda, el electrón se ha elevado en
energía, y en la ilustración del enlace covalente, el electrón es libre de deambular con su lugar
disponible para su ocupación.
En el diagrama de la banda de energía, la palabra "energía" se refiere a la energía de los electrones.
Cuando aumenta la energía del electrón, ese electrón ocupa un nivel de energía más alto en la
banda. Esto se aplica igualmente bien a los electrones de banda de conducción y banda de valencia.
Un aumento en la energía de un hueco es causado por el aumento del nivel de energía del electrón.
A medida que los electrones se mueven hacia arriba dentro de la banda de valencia, los huecos se
vuelven disponibles y se mueven hacia abajo en la banda ocupando niveles más bajos de las
energías de los electrones. Por lo tanto, un aumento en la energía de un hueco está asociado con un
movimiento hacia abajo en la banda de valencia.
Un electrón ubicado en el nivel del fondo de la banda de conducción en reposo tiene energía
potencial Ec y energía cinética cero. Del mismo modo, un hueco ubicado en la parte superior de la
banda de valencia Ev en reposo, tiene energía potencial Ev y energía cinética cero.
Los electrones ubicados por encima de Ec y los huecos por debajo de EV, como se muestra en la
figura 2.15 (c), tienen energía cinética dada por la diferencia entre su ubicación de energía y la
energía de borde de banda respectiva.

2.7 MASA EFECTIVA

Acabamos de concluir que un hueco posee una carga positiva, q, y la carga del electrón es - q donde
q = 1.6 X 10^-19 coulombs. Sin embargo, la masa del electrón en la banda de conducción y la masa
del hueco en la banda de valencia son bastante diferentes y ambas difieren de la masa de un
electrón en el vacío. La masa de una partícula se definirá como la relación entre la fuerza neta sobre
la partícula y la aceleración que experimenta la partícula. Al usar la masa de un electrón en el vacío
o en el espacio libre, uno ignora por completo el efecto del cristal en el que está inmerso el electrón.
De hecho, las fuerzas dentro del cristal son mucho mayores que la fuerza ejercida por un campo
eléctrico de la fuerza normalmente aplicada a un electrón. Las fuerzas en el cristal se conocen como
fuerzas reticulares. Para tener en cuenta las fuerzas de la red en la ecuación de movimiento,
presentamos las dos ecuaciones siguientes:
donde F es la fuerza aplicada externamente, como por el campo eléctrico, m0 es la masa de un
electrón en un espacio libre de fuerzas reticulares, y mn*
m p*
es la masa del electrón que incluye el efecto de las fuerzas en el cristal. Tal masa, mn*, se etiqueta
como la masa efectiva de un electrón y mn*
m p*
es la masa efectiva de un hueco. Ahora determinaremos expresiones y definiciones para las masas
efectivas. En el Capítulo 1, determinamos que, tanto para una partícula libre como para la partícula
en el pozo, la energía viene dada por:

donde ρ es el momento de la partícula y m0 es la masa de electrones libres. El movimiento de un

electrón en la banda de conducción de un semiconductor es análogo al de una partícula libre,
excepto que el electrón de la banda de conducción está sometido a fuerzas reticulares. En este caso,
etiquetamos esta masa como la masa efectiva de un electrón y definimos la energía como

donde mn* es la masa efectiva de un electrón y ρ está etiquetado como el momento cristalino en
referencia a las fuerzas del cristal que actúan sobre el electrón. En una operación similar a las
ecuaciones. (1.27) y (1.29), el momento también se escribe como

donde h es la constante de Planck y k es el número de onda.

La expresión de la energía de un electrón en la red se obtiene utilizando Eq. (2.9) en Eq. (2.8),

La conclusión importante es que la energía es directamente proporcional a k^2 e inversamente

proporcional a la masa efectiva de un electrón. Es obvio de la figura 2.11 que la masa efectiva no es
necesariamente constante, es una constante solo si la relación de Ε a k es puramente parabólica.
Basado en la ecuación (2.10), la masa efectiva de un electrón se define como

En un estudio detallado de la gráfica E-k de la figura 2.11 para un electrón en un campo variable, es
evidente que la segunda derivada de Ε con respecto a k es negativa cuando la curva E-k es cóncava
hacia abajo y es positiva cuando la curva es cóncava hacia arriba. Las curvas cerca del mínimo de la
banda de conducción y cerca del máximo de la banda de valencia son casi parabólicas, por lo que se
puede suponer con seguridad que la masa del electrón es constante en esas dos regiones. Sin
embargo, cerca del mínimo de la banda de conducción, la curva E-k es cóncava hacia arriba para
que la masa de un electrón sea positiva, mientras que cerca del máximo de la banda de valencia, la
curva es cóncava hacia abajo para que la masa de un electrón sea negativa. La dirección en que se
acelerará una partícula cuando se aplica un campo eléctrico está determinada por el signo de la
masa y la carga como

Un electrón de masa positiva (uno cerca del fondo de la banda de conducción) que tiene una carga
negativa se acelerará en una dirección opuesta a la del campo, de acuerdo con la ecuación. (2.12) El
movimiento de un electrón opuesto a la dirección del campo eléctrico constituye una corriente en la
dirección del campo ya que la corriente se define como opuesta a la dirección del movimiento de un
electrón. Puede considerarse un electrón (carga negativa) cerca de la parte superior de la banda de
valencia, que tiene una masa negativa, en lo que respecta a su movimiento y de acuerdo con la
ecuación. (2.12), como una partícula de carga positiva de masa positiva como los dos signos
negativos en la ecuación. (2.12) se reemplazan por un signo positivo. Por lo tanto, el electrón cerca
de la parte superior de la banda de valencia se acelera y provoca corriente en la dirección del campo
eléctrico. En conclusión, un campo eléctrico aplicado a un semiconductor acelera electrones en la
banda de conducción en una dirección opuesta al campo eléctrico y acelera partículas positivas en la
banda de valencia en la misma dirección que el campo eléctrico. El resultado es una corriente en la
dirección del campo eléctrico que consiste en electrones (masa positiva, carga negativa) que se
mueven en la banda de conducción y las partículas (masa positiva, carga positiva) que se mueven
en la banda de valencia. Estas partículas son los huecos.
Los valores aproximados de las masas efectivas de electrones mn* y huecos mp* en relación con las
masas en el vacío, se enumeran en la Tabla 2.3. Observamos en la tabla que las masas efectivas de
electrones y huecos en el arseniuro de galio son más pequeñas que las del silicio. Nos referimos a
los diagramas E-k de la figura 2.12 y observamos que la curvatura del diagrama Ε vs k, en particular
cerca del fondo de la banda de conducción en GaAs, es considerablemente mayor que en Si. En
consecuencia, y de acuerdo con la ecuación. (2.11), los electrones en GaAs tienen una masa
efectiva mucho menor que en Si.

Estas masas están etiquetadas como masas de densidad de estados efectivas. Se utiliza una
definición diferente para masas con diferentes valores para los cálculos de las movilidades de
electrones y huecos. Están etiquetados como masas de conductividad efectiva. Definiremos la
movilidad de una partícula como la relación entre la velocidad de la partícula y el campo eléctrico. En
este libro, todas las referencias de masa efectiva se referirán a la densidad de estados.
2.8 CONDUCTORES, SEMICONDUCTORES Y AISLADORES
La característica que distingue estos tres tipos de materiales es el alcance de su capacidad para
conducir corriente eléctrica. Para que tenga lugar la conducción de corriente, se deben cumplir los
siguientes requisitos:
1. Debe haber bandas de energía que estén parcialmente llenas de electrones. Como los electrones
ocupan primero las bandas más bajas, estas bandas parcialmente llenas se ubican en o cerca de la
parte superior de una banda de energía.
2. Se debe aplicar un campo eléctrico para acelerar los electrones en las bandas parcialmente
llenas. Al acelerarse, los electrones ganan energía, pero en comparación con las energías que
separan las bandas, si existe una banda prohibida, esta energía es muy pequeña.
Para que las bandas de energía se llenen parcialmente con electrones, o bien los electrones se
elevan, mediante la adquisición de energía, de una banda completamente llena a una banda
completamente vacía, o hay bandas de energía que están vacías y se superponen bandas llenas sin
la existencia de bandas prohibidas. La diferencia estructural entre los aisladores y los
semiconductores es que los aisladores tienen una banda muy ancha que separa la banda de
valencia de la banda de conducción, mientras que los semiconductores tienen una energía de
separación de banda mucho más pequeña. En los conductores, la banda superior ocupada solo está
parcialmente llena de electrones. Mostramos en la figura 2.16 la relación entre la conducción y las
bandas de valencia en los tres materiales.
A bajas temperaturas, la banda de conducción de un semiconductor está prácticamente vacía. La
aplicación de un campo eléctrico al sólido acelera los electrones en la banda de valencia y aumenta
su energía cinética. Este aumento de energía no es suficiente para mover el electrón a través de la
brecha hacia la banda de conducción. Por lo tanto, no fluye corriente. Al elevar la temperatura del
semiconductor, algunos electrones en la parte superior de la banda de valencia obtienen suficiente
energía térmica para moverse hacia la banda de conducción. Tanto los electrones en la banda de
conducción como los huecos en la valencia ahora pueden acelerarse, ganar energía cinética y, por lo
tanto, transportar una corriente cuando un campo eléctrico está aplicado. La conductividad a 300K
es pequeña, en comparación con los metales, de ahí el nombre de semiconductor.
La energía de separación de banda de un aislante, como el diamante o el dióxido de silicio, es varias
veces mayor que la de los semiconductores, como el silicio o el arseniuro de galio. Incluso a
temperaturas muy altas (lo suficientemente altas como para acercarse al punto de fusión), muy
pocos electrones adquieren suficiente energía térmica para elevarse a la banda de conducción. Por
lo tanto, la resistividad de los aisladores es muy alta y su conductividad es muy baja.
En los metales, la banda superior solo está parcialmente llena de electrones. Las bandas se llenan
parcialmente si el número de electrones no es suficiente para llenar la banda o, más comúnmente,
una banda de valencia completamente llena se superpone a una banda de conducción vacía. Un
campo eléctrico aplicado al metal a una temperatura de 300K mueve fácilmente los electrones a
niveles vacíos más altos y hace que fluya una corriente. Por lo tanto, la conductividad de los metales
es muy alta.

DESTACAR
• No existe una banda prohibida en un metal; existe una gran brecha (varios eV) en los aisladores. La
brecha es de 1.12eV en silicio y 1.41eV en arseniuro de galio.
• La masa efectiva de un electrón es inversamente proporcional a la segunda derivada de la
expresión de energía en función del vector de onda. Por lo tanto, en la parte superior de la banda de
valencia, la masa es negativa; Es positivo en la parte inferior de la banda de conducción.
• Un electrón de masa negativa y carga negativa que se somete a un campo eléctrico se acelera en
la dirección del campo eléctrico, opuesto al de un electrón de masa positiva y carga negativa. El
electrón de masa negativa y carga negativa se interpreta como un hueco, que tiene carga positiva y
masa positiva.
 Capítulo 3
SEMICONDUCTORES
INTRÍNSECOS Y EXTRÍNSECOS
3.0 INTRODUCCIÓN
Aprendimos en el último capítulo que a cada electrón en un sólido se le asigna un nivel específico de
energía y que estos niveles están tan cerca uno del otro que se fusionan en bandas de energía.
También descubrimos que estas bandas de energía que los electrones pueden ocupar están
separadas por espacios de energía prohibidos donde no puede existir ningún electrón del sólido. En
los semiconductores, las tres bandas superiores son la banda de valencia, la brecha prohibida y la
banda de conducción. En este capítulo, determinaremos expresiones para las densidades de
electrones y huecos en la banda de conducción y la banda de valencia respectivamente, para un
semiconductor en el que no se hayan introducido impurezas deliberadamente. Luego
determinaremos las densidades donde se agregan pequeñas trazas de impurezas al semiconductor.
Para poder determinar las relaciones corriente-voltaje, necesitamos explicar los procesos que hacen
que los electrones y los huecos se muevan. Los estudiaremos en el Capítulo 4.
3.1 DENSIDAD DE ESTADOS
Las densidades de electrones y huecos en las bandas de conducción y valencia, respectivamente,
dependen de dos factores. Primero, necesitamos saber la densidad de estados disponibles para la
ocupación. Luego, determinamos la probabilidad de ocupación de los diversos estados en sus
respectivos niveles de energía. La densidad de estados se refiere al número de estados de
electrones disponibles para el volumen unitario por unidad de energía en un determinado nivel de
energía. La expresión para la densidad de estados en un metal, derivada en el Apéndice C, viene
dada por

onde N(E) es la función de densidad de estados para electrones libres en un metal medido por
unidad de volumen, por unidad de energía, ubicado alrededor del nivel de energía E. Su importancia
es más clara si establecemos lo siguiente: Para obtener el número total de estados de energía por
unidad de volumen en un rango de energía dado, dE, sobre E, multiplicamos N(E) por dE. De hecho,
se convierte en un proceso de integración.
Asumiremos que la función dada por la ecuación. (3.1) es válido para semiconductores, siempre que
usemos la masa efectiva para el electrón, ya que el electrón se mueve en el potencial periódico de la
red cristalina y se puede suponer que es un electrón libre. Las densidades de electrones y huecos se
determinarán usando esta función junto con una probabilidad de ocupación de una función de
estado.
La energía Ε corresponde a un conjunto de números cuánticos y, por lo tanto, solo puede tomar
ciertos valores discretos. Un bosquejo de la distribución de estados se muestra en la figura 3.1. Esta
curva no es continua, pero se compone de un conjunto de puntos discretos con los estados
adyacentes tan cerca uno del otro que, a todos los efectos prácticos, se puede considerar con
seguridad continua. Una analogía debería ayudar a aclarar la importancia de la variación de N(E) y
E. Consideremos un estadio de forma ovalada, con asientos en todas las elevaciones alrededor del
campo, y etiquetemos su volumen como una unidad de volumen. En las elevaciones más altas, se
pueden contar más asientos alrededor del estadio para un nivel dado que en las elevaciones más
bajas. Por lo tanto, podemos decir que el número de asientos por unidad de volumen (todo el
estadio) por metro de elevación corresponde a N(E). El número de asientos por metro de elevación
en las elevaciones más altas es mayor que el número de asientos por metro de elevación en las
elevaciones más bajas. Del mismo modo, la densidad de los estados N (E) es mayor a niveles de
energía más altos.
La mecánica clásica establece que en cero absoluto todos los electrones tienen energía cero, y que
cuando un material se calienta desde cero absoluto, cada partícula absorbe una cantidad de energía
igual a kT, donde k es la constante de Boltzmann y Τ es la temperatura absoluta. Sin embargo, las
teorías de la mecánica de onda obviamente no concuerdan con las de la mecánica clásica. Primero,
solo unos pocos electrones tienen energía cero a temperatura cero. En segundo lugar, cuando el
material se calienta, solo aquellos electrones cercanos a un cierto nivel de energía, conocido como el
nivel de Fermi, pueden excitarse a niveles desocupados más altos. La importancia y relevancia del
nivel de energía de Fermi se aclarará en

la siguiente sección. Por lo tanto, cuando un material se calienta desde cero absoluto, no todos los
electrones ganan energía kT, como ocurre habitualmente. Según Wave Mechanics, solo aquellos
electrones dentro de un rango de energía del orden de kT del nivel de Fermi pueden excitarse
térmicamente. Además, en el estudio de la formación de bandas de energía, encontramos que el
sólido tiene estados de energía variable, incluso en cero absoluto, y eso se debe al Principio de
Exclusión.
3.2 FUNCIÓN DE DISTRIBUCIÓN FERMI-DIRAC
Las relaciones derivadas en el Apéndice C describen condiciones que ocurren en cero absoluto. A
medida que aumentamos la temperatura, esperamos que algunos electrones se muevan a niveles de
energía más altos y, por lo tanto, a niveles de energía previamente desocupados. La pregunta
entonces es: ¿Cuál es la distribución de los electrones con respecto a la energía a medida que la
temperatura se eleva por encima de cero, sujeto a la suposición de que la densidad de los estados
es independiente de la temperatura?
También notamos que el Principio de Exclusión de Pauli establece que un estado cuántico puede ser
ocupado por solo dos electrones que tienen espín opuesto. En cero absoluto, los electrones, por lo
tanto, ocupan los niveles de energía más bajos posibles. Debido al Principio de Exclusión de Pauli, la
distribución de electrones se rige por las estadísticas de Fermi. Las estadísticas de Fermi describen
lo que ocurre cuando la temperatura se eleva por encima de cero. Describe la probabilidad de que un
estado de energía Ε esté lleno por dos electrones de espín opuesto. La distribución de Fermi-Dirac
predice que a medida que aumenta la temperatura, un estado de energía correspondiente a la
energía Ε tendrá una mayor probabilidad de ser ocupado que a una temperatura más baja. La
función de Fermi viene dada por

donde f (E) es la probabilidad de que un estado con energía Ε esté ocupado, Ef es la energía de
Fermi, k es la constante de Boltzmann y T es la temperatura absoluta. Discutiremos en breve el
significado físico de Ef.
La expresión anterior también puede interpretarse en el sentido de que a cierta temperatura T, la
probabilidad de ocupación de un estado es menor, cuanto mayor es el nivel de energía Ε de ese
estado. Por lo tanto, los estados con niveles de energía más altos tienen menos probabilidades de
estar ocupados que los estados con niveles de energía más bajos. Como observamos de la
ecuación. (3.1) que la densidad de estados es mayor en el nivel de energía más alto, podemos
concluir que, en los niveles de energía más altos, donde los estados son más numerosos, la
probabilidad de ocupación de un estado es mucho menor que en el nivel más bajo, Estados menos
numerosos. La razón de este comportamiento aparentemente anormal resulta del hecho de que los
electrones inicialmente ocupan los estados de nivel más bajo donde el Principio de Exclusión de
Pauli asigna solo dos electrones de espín opuesto a cada estado.
Aunque Ef se define en el Apéndice C, relataremos también su importancia en este contexto. A
temperaturas cercanas al cero absoluto y para Ε <Ep, Eq. (3.2) indica que f (E) será igual a 1 y, para
Ε> Ep, f (E) será cero. Por lo tanto, en cero absoluto, Ef es la energía divisoria por debajo de la cual
todos los estados están ocupados con
electrones y por encima del cual todos los estados están vacantes. Esta es la misma definición para
EF a la que llegamos en el Apéndice C.
A medida que aumenta la temperatura, algunos electrones adquieren suficiente energía para pasar a
estados superiores a EF. La Figura 3.2 muestra la función de distribución de Fermi-Dirac para tres
temperaturas. Tenga en cuenta el redondeo de la curva en los niveles de energía más altos.
También tenga en cuenta que en Ε = EF, f (E) es siempre 1/2. Por lo tanto, podemos definir EF como
aquel nivel de energía para el cual la probabilidad de ocupación es 1/2; o podemos decir que,
durante un largo período de tiempo, la probabilidad es que la mitad de los estados se llenen en el
nivel EF.
Hemos visto de la ecuación. (3.1) que N (E) da la densidad de los estados en la energía E. En el
equilibrio térmico, la densidad de electrones, dn, que tiene energía entre Ε y Ε + dE es entonces

Al sustituir por f (E) de la ecuación. (3.2) y para N (E) de la ecuación. (3.1) y usando la masa efectiva
para un semiconductor, podemos escribir la ecuación. (3.3) como

De la ec. (3.4), entonces podemos calcular la densidad incremental de electrones libres

correspondiente a un intervalo específico de energía dE, para un nivel fijo de Fermi, y en función de
la temperatura T.
Aquí es necesario tener cuidado con la ubicación de EF en semiconductores. En un capítulo
posterior, notaremos que el nivel EF se encuentra en la banda prohibida. Luego puede cuestionar
nuestras declaraciones aquí sobre la ocupación de EF, incluso aunque está en la brecha prohibida.
La respuesta es que los estados de energía obviamente existen en la banda prohibida, pero estos
estados no acomodan los electrones del semiconductor.
Como la probabilidad de ocupación de un estado es f (E), la probabilidad de vacante de un estado se
convierte en [1 - f (E)].
En el siguiente ejemplo, ilustramos la aplicación de la función de distribución de Fermi a un metal.

3.3 DENSIDADES DEL PORTADOR

Los semiconductores se vuelven útiles solo después de que se les agregan impurezas especiales.
En su forma casi pura, y cuando no se agregan impurezas, el semiconductor se etiqueta como
intrínseco. Es extrínseco cuando se agregan impurezas seleccionadas y se dice que el
semiconductor está impregnado de impurezas.
Densidades de estados en las bandas de conducción y valencia
Inicialmente, determinaremos las expresiones para las densidades de electrones y huecos en un
semiconductor intrínseco. Asumiremos que la expresión para la densidad de estados dada por la
ecuación. (3.1) se aplica a todas las energías de banda de conducción y banda de valencia con las
masas efectivas apropiadas sustituidas.
Hay alrededor de 5 × 10^22 átomos / cm3 en silicio. A Τ = 0K, los estados cuánticos 4N en la banda
de valencia están llenos de electrones y los estados 4N en la banda de conducción están vacíos.
Estos estados se distribuyen por todas las bandas. Los estados de importancia en los dispositivos
semiconductores, como veremos más adelante, son los que están cerca de la parte superior de la
banda de valencia y los estados cerca de la parte inferior de la banda de conducción.
Para obtener las densidades de los estados cercanos a los bordes de la banda, dejamos que Ec
represente la energía electrónica mínima en la banda de conducción y Ev represente la energía
máxima del hueco en la banda de valencia. Recordamos que un aumento de la energía de un
electrón en la banda de conducción corresponde al electrón que se mueve hacia arriba en la escala
de energía en la banda de conducción. Un aumento de la energía de un hueco en la banda de
valencia, entonces, corresponde al hueco que se mueve hacia abajo en la banda de valencia. Por lo
tanto, cambiamos la variable para la integración de modo que la ecuación (3.1) se convierte en (E -
Ec) para la banda de conducción y se convierte en (Ev - E) para los estados de la banda de valencia.
Por lo tanto, las funciones para las densidades de estados en las bandas de conducción y valencia,
como se muestra en la figura 3.3, se convierten

en donde Νn(E) es el número de estados por unidad de volumen por unidad de energía en E en la
banda de conducción. La densidad correspondiente de los estados del hueco en la banda de
valencia en Ε es

Donde Νp(E) es la densidad de los estados en la banda de valencia y se supone que se encuentra
en E. Usando las expresiones anteriores, determinamos la densidad de electrones en la banda de
conducción desde
donde fc (E) viene dado por la ecuación (3.2). La densidad del hueco, que representa la densidad de
los estados vacantes, viene dada por

donde fv (E) es la probabilidad de vacante de un estado en la banda de valencia y es [1- fc (E)].

La aproximación de Boltzmann
Para simplificar la integración en las ecuaciones. (3.7) y (3.8), hacemos una suposición importante
que está relacionada con la ubicación del nivel de Fermi. Esta suposición, conocida como la
aproximación de Boltzmann, consiste en eliminar el término de unidad en el denominador de la
expresión para la función de Fermi dada por la ecuación. (3.2). En base a esta aproximación, la
ecuación. (3.2), para la probabilidad de la ocupación de un estado por un electrón, se convierte en

La razón para restringir el nivel de energía a valores mayores que Ef es que un nivel de energía Ε <
Ef en la ecuación. (3.9) hace que la probabilidad sea mayor que la unidad, lo cual no tiene sentido.
Pasemos brevemente un paréntesis para investigar la condición para la cual la aproximación de la
ecuación. (3.9) es bastante válido. Al comparar f (E) de las ecuaciones. (3.2) y (3.9) a varios valores
de (E - Ef), observamos que para (E - Ef),) = 3kT, f (E) calculado a partir de la ecuación. (3.9) difiere
de la de la ecuación. (3.2) en aproximadamente 5 por ciento y en (E - Ef),) = 4kT la diferencia es de
aproximadamente 1.8 porciento. Declararemos arbitrariamente que la ecuación. (3.9) es válido
siempre que el nivel de Fermi esté al menos 3kT por debajo de la parte inferior de la banda de
conducción donde residen todos los electrones libres.
Para niveles de energía por debajo de Ef, la probabilidad de una vacante (u ocupación del hueco) se
puede escribir a partir de la ecuación. (3.2) como
A valores de (E - Ef),) = 3kT, el término exponencial en el denominador de la ecuación (3.10) se
vuelve muy pequeño, de modo que la validez de esta ecuación se restringe a valores de (E - Ef),)>
3kT. La ecuación (3.10) se convierte en

La restricción a la ecuación (3.11) implica que el nivel de Fermi está al menos 3kT por encima de la
parte superior de la banda de valencia.
Los electrones ocupan estados en la banda de conducción y los huecos representan estados
desocupados en la banda de valencia, concluimos que la validez de la aproximación de Boltzmann
está restringida al rango de energías de Fermi que se extiende desde 3kT por encima de la parte
superior de la banda de valencia a 3kT debajo de la parte inferior de la banda de conducción.
Es posible que, en un semiconductor altamente dopado, como veremos más adelante, el nivel de
Fermi se mueva a menos de 3kT desde los bordes de la banda e incluso hacia las bandas. Se dice
que tales semiconductores son degenerados.
Concluimos que, para un semiconductor no degenerado, la ecuación de Fermi-Dirac representada
por fc para electrones y fv, para huecos respectivamente se convierte en

Expresiones para densidades de electrones y huecos

Usando las expresiones en las ecuaciones. (3.5) y (3.6) junto con las ecuaciones. (3.11) y (3.12) en
las ecuaciones (3.7) y (3.8), tenemos para electrones.

Para los huecos, la expresión es

esquemas que describen gráficamente las operaciones en las ecuaciones. (3.7) y (3.8) se muestran
en las Figs. 3.4 y 3.5 para las distribuciones de electrones y huecos en las bandas de conducción y
valencia, respectivamente, para diferentes ubicaciones de Ef.
Antes de proceder con la evaluación de la integral, aclararemos dos preguntas que un lector
interesado puede plantear. El primero se refiere a cambiar los límites de la integración. Hemos
reemplazado la parte superior de la banda de conducción por más infinito y la parte inferior de la
banda de valencia por menos infinito. La razón es para simplificar la integración. Sin embargo, el
cambio es bastante justificable ya que las funciones exponenciales fc(E) y fv(E) disminuyen tan
rápidamente a medida que nos alejamos de los bordes de la banda que las densidades de los
portadores se vuelven insignificantes a medida que nos alejamos unos kT de los bordes de la banda
de conducción y valencia. La segunda pregunta se refiere a las masas efectivas. Confirmamos al
final del Capítulo 2 que la masa efectiva, m*, es una función del nivel de energía. En las ecuaciones
(3.13) y (3.14), sin embargo, asumimos que esta masa es constante y la colocamos fuera del
integrando. La justificación es que, dado que el exponencial en las expresiones decae muy
rápidamente a medida que nos alejamos de los bordes de la banda de conducción y valencia, Ec y
Ev, nuestro interés está en las densidades de portadores sobre las porciones estrechas sobre Ec y
debajo de Ev. En estas pequeñas regiones, la masa efectiva es relativamente constante como
indicamos anteriormente.
Para integrar la ecuación. (3.13), dejamos x = (E — Ec) / kT para que la integral se convierta

La integral tiene un valor de y η se convierte en

Se obtiene una expresión similar para ρ como

 La
s expresiones para las ecuaciones η y ρ e Eqs. (3.16) y (3.17) se pueden escribir como

donde Nc y Nv están dados por

Para m en kg., k en J / K y h en J-s, N está en m^-3.

Los términos Nc y Nv se conocen como la densidad efectiva de los estados de las bandas de
conducción y valencia respectivamente. Los valores para Nc y Nv se muestran en la Tabla 3.1 donde
la diferencia entre Nc y Nv resulta de los diferentes valores de masas efectivas de electrones y
huecos. Las masas relativas de electrones y huecos se muestran en la Tabla 2.3.
Recordamos al lector que las relaciones anteriores se derivaron sujetas a la aproximación de que Ef
no estaba más cerca de las unidades de energía de 3kT ni a la banda de conducción ni a los bordes
de la banda de valencia.

Al tomar el producto de η y ρ de Eqs. (3.18) y (3.19), obtenemos el resultado interesante

Densidad del portador intrínseco

En un semiconductor intrínseco, al que no se han agregado impurezas, en Τ > 0K, la densidad de
electrones en la banda de conducción debe ser igual a la densidad de los huecos en la banda de
valencia porque por cada electrón que se excita a la conducción se crea un hueco en la banda de
valencia. Definimos esta densidad como ni y ni^2 de la ecuación. (3.22) se convierte en
La densidad de portadores intrínsecos, ni, suponiendo que las masas efectivas no cambian con la
temperatura y usando Eqs. (3.20) y (3.21) en la ecuación. (3.23), se convierte en

donde K1 es una constante independiente de la temperatura y Εg, igual a (Ec - Ev), es la energía de
banda prohibida del semiconductor. Las altas temperaturas y las brechas de banda más pequeñas
favorecen grandes valores de densidad de portadores intrínsecos. Es importante tener en cuenta que
el Τ en el exponente tiene un efecto mucho mayor que el factor Τ^3/2. Ilustraremos estos efectos en
el ejemplo 3.2.
Al sustituir las constantes en la ecuación. (3.24) y Τ = 300K, encontramos que la densidad de
portadores intrínsecos en el silicio es aproximadamente 1X 10^10 cm^-3, lo que significa que esta es
la densidad de electrones en la banda de conducción y la densidad de los huecos en la banda de
valencia. Principalmente debido a la mayor brecha de banda, la densidad de portadores intrínsecos
en arseniuro de galio a Τ = 300K es 2.49X 10^6 cm^-3.
Hay 5 × 10^22 átomos por centímetro cúbico en silicio y cada átomo tiene cuatro electrones en el
enlace covalente que representan los niveles 3s y 3p. Estos mismos niveles forman las bandas de
conducción y valencia en el silicio. Esto da como resultado una densidad de 2 Χ10^23 electrones por
cm^3 disponibles para la conducción, todos los cuales residen en la banda de valencia en Τ = 0K. A
Τ = 300K la densidad de electrones (en la banda de conducción) es 1X 10^10 cm^-3.
Aproximadamente, por lo tanto, uno de cada 10^13 de los electrones disponibles en Τ = 0K en la
parte superior de la banda de valencia se eleva a temperatura ambiente desde la parte superior de la
banda de valencia hasta la banda de conducción. Esto representa una proporción muy pequeña de
los electrones disponibles.
Al sustituir la constante K1 en la ecuación. (3.24) de las expresiones en las ecuaciones. (3.20) y
(3.21), tenemos

Observamos que la densidad intrínseca del portador es independiente de la ubicación del nivel de
Fermi y depende en gran medida de la energía del intervalo de banda, Εg, y de la temperatura. La
fuerte dependencia de la temperatura es el resultado de un término que varía rápidamente en el
exponente, ya que el número de portadores que adquieren energía térmica aumenta a medida que
más electrones que están más profundos en la banda de valencia pueden moverse hacia la banda
de conducción. Esta dependencia se ilustra en la figura 3.6. La densidad intrínseca del portador
disminuye exponencialmente con un aumento de Εg, lo que explica la muy baja conductividad de los
aisladores.
Los cálculos de la densidad intrínseca del portador se ilustran en el Ejemplo 3.2.
Ubicación del nivel de Fermi
Una suposición principal que hicimos al derivar las expresiones para las densidades de electrones y
huecos para el semiconductor intrínseco es que el nivel de Fermi está al menos a 3 kT eV de
distancia de los bordes de las bandas de conducción y valencia. Investigamos la fuerza de la validez
de esta suposición para un semiconductor intrínseco al igualar las expresiones para la densidad
intrínseca de electrones y huecos en las ecuaciones (3.18) y (3.19) y resolver para Ef, de modo que

Usamos las expresiones para Nc y Nv de la ecuación (3.20) y (3.21) para obtener

La expresión para EF se convierte en

donde (Ec + Ev) / 2 representa la mitad del intervalo de banda. El nivel de Fermi para un
semiconductor intrínseco se etiqueta Ei de modo que
Ei = EF = Ev + f-3-kT <n (^ j (3.29)
Observamos que Ei depende de la temperatura siempre que las masas efectivas de electrones y
huecos sean desiguales. El segundo término en el lado derecho de las ecuaciones (3.26) y (3.28) es
del orden de -0.01eV para silicio a temperatura ambiente. A todos los efectos prácticos, se puede
afirmar que el nivel de Fermi es intrínseco en un semiconductor, Ei está aproximadamente a medio
camino entre Ec y Ev, ya que Ec en la ecuación (3.28) viene dada por Ev + Eg de modo que (Ec + Ev) /
2 se convierte en (Ev + [Eg / 2]).
En el siguiente ejemplo, obtenemos valores de orden de magnitud para la ubicación de Ei.
DESTACADOS
• La función de densidad de estados N (E) representa el número de electrones libres en un metal por
unidad de volumen por unidad de energía en la energía E.
• La función de Fermi-Dirac f (E) representa la probabilidad de que un estado ubicado en la energía
Ε sea ocupado por un electrón. Por lo tanto, (1 – f(E)) representa la probabilidad de que exista una
vacante en la energía E.
• El nivel de energía Ef es esa energía a la que la probabilidad de ocupación es la mitad.
• El producto de fc(E) y Νn(E) dado por las ecuaciones. (3.6) y (3.5) representa el número de
electrones por unidad de volumen por unidad de energía en E.
• La densidad portadora intrínseca representa la densidad de cada uno de los electrones en la banda
de conducción y los huecos en la banda de valencia.

3.4 SEMICONDUCTORES EXTRÍNSECOS

Los semiconductores extrínsecos se forman mediante la adición de pequeñas cantidades de
impurezas seleccionadas a los semiconductores puros. Estas impurezas son elementos en la
Columna III o Columna V de la tabla periódica. La adición de tan solo un átomo de impureza a un
millón de átomos semiconductores tiene un efecto considerable en las propiedades conductoras del
semiconductor. Las dimensiones atómicas y las estructuras electrónicas de estas impurezas son
similares a las del semiconductor. El efecto de agregar la impureza es aumentar la densidad de uno
de los dos portadores y, por lo tanto, alterar considerablemente la conductividad eléctrica. Este
proceso no puede ser efectivo en buenos conductores, como el cobre, ya que la densidad de los
electrones es tan grande que difícilmente se puede cambiar mediante la adición de impurezas.
Estas impurezas también se conocen como dopantes y el proceso de agregarlas se conoce como
dopaje del semiconductor. El resultado del dopaje genera cualquiera de los dos tipos de
semiconductores extrínsecos, identificados por el tipo de portador cuya densidad aumenta. Pueden
ser de tipo N o tipo P, donde la densidad de electrones aumenta en el tipo N y la densidad del hueco
aumenta en el tipo P.
Es importante indicar aquí, un hecho que se explicará más adelante, que el semiconductor es neutral
en carga, ya sea en condición intrínseca o después de que se agregan impurezas y el
semiconductor se vuelve extrínseco.
Semiconductor de tipo N
Cuando se agregan elementos de la columna V de la tabla periódica al silicio, se produce un
semiconductor de tipo N. Los dopantes típicos de los elementos de la columna V son fósforo,
arsénico y antimonio. Estos tienen cinco electrones de valencia en su órbita más externa y se
conocen como impurezas de los donantes porque tienen un electrón en exceso de lo que se necesita
para el enlace covalente.

Cada átomo de impureza ocupa el espacio de un átomo de silicio entre, digamos, un millón de
átomos del semiconductor. Para la unión covalente con los cuatro átomos semiconductores más
cercanos, se necesitan cuatro electrones y no se requiere el quinto electrón del átomo donador en la
unión del cristal. Este electrón se convierte en un electrón libre influenciado solo por la estructura
cristalina y se dice que está ligado "libremente". Un bosquejo de la estructura resultante se muestra
en la figura 3.7.
En la imagen de la banda, los átomos donantes ocupan niveles de energía en la banda prohibida que
están ligeramente por debajo de la parte inferior de la banda de conducción.
Los electrones libres que se generan escapan intrínsecamente de un enlace covalente de
semiconductores cuando ese enlace absorbe energía térmica. Usando la imagen de la banda, el
electrón semiconductor generado intrínsecamente gana suficiente energía para saltar a través del
intervalo de banda y se libera. La energía de la banda prohibida es de aproximadamente 1.1 eV en el
silicio a Τ = 300K. La pregunta es, entonces, ¿cuánta energía se requiere para liberar un electrón de
un átomo donante?
Utilizaremos la unión de la energía del electrón de hidrógeno para obtener una estimación de la
energía de unión del electrón donador. El electrón de hidrógeno en su estado fundamental, η=1,
tiene energía dada por la relación de Bohr, la ecuación. (1.14), para ser

Se requiere una energía de 13.6eV para liberar el electrón de hidrógeno.

Para obtener una cantidad similar de energía para nuestro electrón donador, tenemos que corregir la
expresión de la energía del electrón de hidrógeno reemplazando el valor relativo de la masa del
electrón donador y la permitividad relativa del semiconductor. Porque el electrón de hidrógeno está
en el campo del núcleo de hidrógeno, mientras que el electrón donador está bajo la influencia del
campo potencial del semiconductor enrejado, esperamos que las masas sean diferentes. El electrón
donador se mueve en una red semiconductora que tiene permitividad ε r ε0 donde εr, la permitividad
relativa, tiene un valor de 11.8 para el silicio.
Usando la información anterior, obtenemos la expresión aproximada para la energía de unión de un
electrón donador, ED, en silicio para ser,

donde mn* / m0 es la masa efectiva relativa en silicio y es igual a 1.18. Se obtiene un orden de
magnitud para ED asumiendo que las masas son iguales para que ED se convierta en

Lo anterior indica que una energía de 0.1 eV es suficiente para excitar al quinto donante electrón en
la banda de conducción para que se convierta en un electrón libre dejando un átomo donador
ionizado. Por lo tanto, podemos afirmar que el nivel de energía del donante en silicio está muy cerca
del borde de la banda de conducción.
En la tabla 3.2 se enumeran valores más precisos para las energías de ionización.
En la figura 3.8 se muestra una representación de la banda de energía de la condición de los átomos
donantes en silicio, que ilustra claramente la proximidad del nivel de energía del donante a la banda
de conducción. Dado que los electrones en la impureza del donante ocupan diferentes niveles de
energía, mayor es la temperatura de la muestra (semiconductor + impureza), mayor es la energía
térmica y cuanto mayor es el número de electrones que pueden elevarse a la banda de conducción.
La diferencia importante entre este mecanismo de ionización para producir electrones donadores y el
proceso intrínseco para producir electrones es que las impurezas ionizadas son cargas fijas en la red
y no se producen huecos. Por lo tanto, se puede afirmar que a T = 300K, cada átomo donante
contribuye con un electrón libre a la banda de conducción, dejando atrás el átomo donante ionizado.
La pregunta se convierte en: ¿Es la densidad total resultante de electrones, intrínseca y donante,
igual a la suma de la densidad del donante y la densidad del portador intrínseco? La respuesta es no
y lo investigaremos en una sección posterior. Basta recordar aquí que el semiconductor es neutral en
carga.
Semiconductor de tipo P
Se dice que un semiconductor es de tipo P cuando se le agrega un elemento de la columna III de la
tabla periódica. Los dopantes comunes son: boro, aluminio, galio e indio. Los átomos de estos
dopantes tienen tres electrones en su órbita más externa y cuando un átomo dopante reemplaza a
un átomo semiconductor, en la estructura reticular, está disponible un espacio en el enlace covalente
en el que puede moverse un electrón del semiconductor. Por lo tanto, el átomo dopante acepta un
electrón. Este tipo de dopante se conoce como impureza aceptora.
El electrón que ocupa el espacio disponible en el enlace aceptor proviene de los electrones que
están en la banda de valencia del semiconductor y, una vez capturado, este electrón hace que el
átomo aceptor se ionice negativamente. En la figura 3.9 se muestra un bosquejo de la disposición de
enlace covalente resultante.
La condición para la ionización de los átomos aceptores es análoga a la de los átomos donadores.
Los átomos de los aceptores se encuentran en niveles de energía ligeramente por encima de la
banda de valencia. A temperatura ambiente, hay suficiente energía térmica para excitar electrones
de la banda de valencia al nivel del aceptor. La ausencia de un electrón desde la parte superior de la
banda de valencia genera un hueco. Por lo tanto, para cada átomo aceptor, se genera un hueco a
temperatura ambiente y el átomo aceptor se ioniza negativamente. Esta condición se ilustra en la
figura 3.10.
Así, a temperatura ambiente, cada átomo donante proporciona un electrón libre a la banda de
conducción y cada átomo receptor genera un hueco en la banda de valencia. A temperatura
ambiente, todos los átomos donantes están ionizados positivamente, cada átomo ha perdido un
electrón en la banda de conducción. De manera similar, cada átomo aceptor se ioniza negativamente
a temperatura ambiente. En la Tabla 3.2 se enumeran los resultados de cálculos más precisos de las
energías de ionización de donantes y aceptores en silicio. La energía de ionización se define como la
energía requerida para ionizar un átomo donador o aceptor.
Además de la adición controlada de impurezas donantes y aceptoras, pueden existir otras impurezas
a niveles de energía más distantes de los bordes de la banda que las impurezas controladas. Estas
impurezas están disponibles al azar y generalmente actúan como centros de generación de
recombinación o trampas. Debido a que existen alrededor de la mitad de la brecha de energía,
pueden actuar como niveles de energía en los que los electrones y los huecos se unen para
recombinarse. Más adelante se dirá más sobre las recombinaciones.
3.5 EQUILIBRIO TÉRMICO
En una sección anterior, derivamos una expresión para la densidad de portadores intrínsecos, la
densidad de electrones y la densidad de huecos, en función de la temperatura y la brecha de energía
de la banda. Llegamos a la conclusión de que a temperatura ambiente la densidad portadora
intrínseca en silicio es aproximadamente 1.0X 10^10cm^-3. Esta densidad portadora resulta de la
transferencia de electrones a la banda de conducción a medida que reciben energía térmica. La
pregunta que viene a la mente es: mientras la energía térmica esté disponible, ¿por qué la densidad
del portador no aumenta continuamente, sino que alcanza un valor fijo?
La respuesta es que a medida que los portadores se generan continuamente, y cuando no hay otra
fuente que la energía térmica, los electrones y los huecos se recombinan continuamente y los pares
de portadores desaparecen. Al moverse a través de la red, encuentran obstáculos que les hacen
perder energía y desaparecer. Por lo tanto, la tasa de generación se acompaña de la tasa de
recombinación igual y opuesta. Esta condición existe en equilibrio térmico. Por lo tanto, el equilibrio
térmico se define como el estado en el que un proceso se acompaña de un proceso igual y opuesto,
mientras el sistema se mantiene a temperatura constante y no actúa sobre él ninguna fuente externa
de energía. En el próximo capítulo, presentaremos relaciones analíticas para los procesos de
generación de portadores y recombinaciones.
3.6 DENSIDADES DE LOS PORTADORES EN SEMICONDUCTORES EXTRÍNSECOS
Cuando se trata de semiconductores dopados, nos referimos a los electrones en los
semiconductores de tipo N, los portadores más numerosos, como los portadores mayoritarios. Los
huecos en los semiconductores de tipo N son portadores minoritarios. En los semiconductores de
tipo P, los huecos son los portadores mayoritarios y los electrones son los portadores minoritarios.
Antes dijimos que la densidad de electrones, cuando los donantes se agregan al silicio, no es igual a
la suma de la densidad intrínseca de electrones y la densidad de los átomos donados ionizados.
¿Cuál es, entonces, la densidad resultante?
En una sección anterior, y antes de determinar la densidad intrínseca del portador, encontramos que
el producto de η y p, ni^2, es una constante para un determinado semiconductor a una temperatura
determinada y viene dado por np = ni^2 = NcNv exp(-Eg/kT). No hay ninguna condición en la
expresión que lo restrinja a semiconductores intrínsecos porque Eg no cambia con la concentración
de impurezas y Nc y Nv son constantes. Por lo tanto, este producto es una constante igualmente
válida para los semiconductores intrínsecos y dopados, siempre que nos refiramos a las densidades
de los portadores en el equilibrio térmico (una condición cuando no hay fuentes de energía distintas
a la energía térmica). Etiquetamos los valores extrínsecos de la densidad de electrones y huecos en
equilibrio térmico como n0 y p0 respectivamente para que podamos escribir,

Para determinar los valores de n0 y p0 para un semiconductor dopado, necesitamos otra relación que
los relaciona.
Neutralidad de carga
Consideramos el caso general cuando se agregan tanto donantes como aceptores a un
semiconductor. Suponiendo un equilibrio térmico, el material incluye partículas que tienen cargas
positivas y otras que tienen cargas negativas. Las cargas negativas están formadas por los
electrones en la banda de conducción y los átomos aceptores que están ionizados. Los huecos en la
banda de valencia y los átomos donados ionizados constituyen las cargas positivas. Dado que el
silicio intrínseco es neutro en carga y las impurezas agregadas son neutras, la mezcla resultante
también es neutral, de modo que se requiere neutralidad en la carga,

−¿ ¿ +¿¿
donde N A denota la densidad de los átomos aceptores y N D se refiere a la densidad de los
átomos donantes, suponiendo que todos estén ionizados y n0 y p0 son los valores de equilibrio
térmico de las densidades de electrones y huecos, respectivamente. Al reemplazar p0 en la
ecuación. (3.30) por su equivalencia de la ecuación. (3.31), se obtiene una ecuación cuadrática en
n0. La solución a la ecuación cuadrática está dada por la ecuación. (3.32) donde el signo positivo ha
sido seleccionado para el término debajo de la raíz cuadrada porque ese término tiene una magnitud
mayor que el primer término y n0 no puede ser negativo.

Hemos eliminado los superíndices positivos y negativos de los símbolos para las densidades de
impurezas ya que ya hemos supuesto que todos los átomos de impurezas están ionizados a
temperatura ambiente.
Para un semiconductor de tipo N, ND>>NA o NA es cero. De la ec. (3.32), encontramos que n0 para
un semiconductor de tipo N es

L
a densidad de los huecos se calcula a partir de la ecuación. (3.30) es,

Al resolver las ecuaciones. (3.30) y (3.31) simultáneamente y cuando se dan valores numéricos para
ND y NA, siempre es aconsejable obtener una ecuación cuadrática para la densidad de portadora
esperada más grande, la densidad de portadora mayoritaria esperada. El lector debe intentar
resolver la densidad de portadores minoritarios para apreciar esta precaución.
Si la densidad del donante ND es mucho mayor que ni, que es bastante común en la mayoría de los
semiconductores extrínsecos, la ecuación. (3.33) se puede simplificar de modo que

Para una densidad de donantes de 10^16 cm^-3 en silicio a Τ = 300K, donde n= 1 X 10^10cm^-3,
encontramos,
Observamos, por lo tanto, que la densidad de los portadores mayoritarios es mucho mayor que la
densidad de los portadores minoritarios.
Un complemento interesante a los resultados de esta sección se obtiene trazando la relación de la
densidad de portador mayoritario a la densidad del donante en función de la temperatura, como se
muestra en la figura 3.11.
Suponemos que se agrega una impureza de donante que tiene una densidad ND de 10^16 cm^-3 a
una muestra de silicio. A temperaturas cercanas a cero K, la densidad de electrones en la banda de
conducción es cero ya que la energía térmica a esa temperatura no es suficiente para ionizar ningún
átomo donante y ciertamente no es suficiente para excitar electrones de la banda de valencia hacia
la banda de conducción. A medida que aumenta la temperatura, algunos átomos donantes se
ionizan, perdiendo sus electrones en la banda de conducción, mientras que todavía no hay suficiente
energía para mover los electrones fuera de la banda de valencia.
Notamos que hasta aproximadamente 150K, la densidad de electrones es menor que la densidad del
donante porque no todos los átomos del donante están ionizados y muy pocos electrones han sido
excitados de la banda de valencia a la banda de conducción. La región 0-150K se conoce como la
región de congelación. A temperaturas superiores a 150 K, se supone que todos los átomos donados
se ionizan de modo que η ≈ ND. Esta concentración de electrones permanece constante en el valor
+¿¿
de ND hasta la temperatura ambiente, en la que ND>> nI El rango de η = N D = ND hasta donde nI
comienza a aumentar más allá de su valor de temperatura ambiente se conoce como la región
extrínseca. Este rango se extiende desde aproximadamente 150 a 400K. Por encima de 400K, la
densidad de portadores intrínsecos comienza a aumentar rápidamente y finalmente alcanza un valor
mayor que ND. El material comienza a volverse intrínseco nuevamente y la densidad de electrones
se vuelve mucho mayor que ND debido a la gran cantidad de electrones que se excitan térmicamente
desde la banda de valencia a la banda de conducción. Para temperaturas superiores a 400 K, la
región se denomina región intrínseca. En la región intrínseca de la figura 3.11, las densidades de los
huecos y los electrones aumentan, sin embargo, sus valores de equilibrio térmico aún están
determinados por las ecuaciones. (3.30) y (3.31).
Los cálculos de las densidades de electrones y huecos en silicio extrínseco se muestran en los
ejemplos 3.4 y 3.5.
Expresiones adicionales para n0 y p0
Hemos determinado en la Sección 3.3 que, para un semiconductor intrínseco, el nivel de Fermi Ef se
encuentra aproximadamente a medio camino entre la parte inferior de la banda de conducción y la
parte superior de la banda de valencia en (Ec + Ev) / 2. Denotamos este nivel intrínseco de Fermi con
el símbolo Ei. Como ni es útil para calcular las densidades de portadores en semiconductores
extrínsecos, encontraremos Ei útil como nivel de referencia cuando se trata de semiconductores
extrínsecos.
Por lo tanto, la ecuación (3.18) puede modificarse reemplazando Ef por Ei. y n por ni, de modo que

De manera similar, y dado que nos referimos a un semiconductor intrínseco. La ecuación (3.19) se
convierte en

Ecuaciones (3.36) y (3.37) dan

y

Reemplazar los términos en el lado izquierdo de las ecuaciones. (3.38) y (3.39) por su equivalencia
de las ecuaciones. (3.18) y (3.19), y resolviendo para η y p, tenemos

Para un semiconductor extrínseco en equilibrio térmico, n y p en las ecuaciones (3.40) y (3.41) se

han convertido en n0 y p0. En cada una de estas dos ecuaciones, las variables son las densidades
de portador de equilibrio térmico y la distancia de energía entre Ei y Ef. Por lo tanto, para un
semiconductor intrínseco, Ef está en Ei, mientras que para un semiconductor extrínseco y cuando
cambian n0 y p0, la distancia entre Ei y Ef cambia. La ubicación de Ei. con respecto a los bordes de la
banda de conducción y valencia no ha cambiado. Por lo tanto, Ei proporciona una referencia útil para
semiconductores extrínsecos.
3.7 NIVEL DE FERMI EN SEMICONDUCTORES EXTRÍNSECOS
De la ecuación. (3.40), encontramos la ubicación del nivel de Fermi en un semiconductor de tipo N,
donde , como

Para un semiconductor de tipo P, , y de la ecuación. (3.41) tenemos

Observamos a partir de las Ecs. (3.42) y (3.43) que para un semiconductor tipo N, el nivel de Fermi
es más alto que Ei y se mueve más cerca de la banda de conducción. Para un semiconductor de tipo
P, el nivel de Fermi se mueve hacia abajo hacia la banda de valencia ya que Ef es menor que Ei.
Recordamos que Ef el nivel de Fermi para un semiconductor intrínseco, está aproximadamente a
medio camino entre las bandas de conducción y valencia. Los cálculos para las ubicaciones del nivel
de Fermi en silicio extrínseco se llevan a cabo en el siguiente ejemplo.
DESTACADOS
• Al agregar cantidades controladas de impurezas a los semiconductores, las densidades de los
huecos y los electrones se pueden cambiar notablemente. Estas impurezas pueden ser elementos
de la columna V de la tabla periódica, conocidos como donantes, o pueden ser de la columna III,
conocidos como aceptores. El fósforo y el arsénico son donantes; El boro y el galio son aceptadores.
• Cuando se agregan impurezas de donantes a un semiconductor intrínseco, los portadores más
numerosos, los electrones, se denominan portadores mayoritarios y los huecos son portadores
minoritarios. Cuando se agregan impurezas de donantes y aceptadores, el que tiene la mayor
densidad determina qué transportista se convierte en la mayoría.
• Una propiedad única de los semiconductores son los grandes cambios que se realizan en las
densidades de los portadores mediante la adición de impurezas, también conocidas como dopantes.
Los cambios en las densidades del portador se traducen en cambios en la conductividad.
• Un semiconductor que ha sido dopado se conoce como semiconductor extrínseco.
• Los átomos donantes y aceptores ocupan estados de energía en la banda prohibida, los átomos
donantes están cerca de Ec y los átomos aceptores están cerca de Ev. En estos lugares, se necesita
muy poca energía para excitar un electrón donador para que entre en la banda de conducción y
también para excitar un electrón desde la banda de valencia a un nivel receptor, generando así un
hueco. Se dice que un átomo donador que pierde un electrón y un átomo receptor que gana un
electrón están ionizados.
• En los semiconductores intrínsecos, el nivel Ef de Fermi se encuentra cerca del medio del intervalo
de banda. El nivel de Fermi se mueve hacia la banda de conducción cuando se agregan los
donantes y se acerca a la banda de valencia cuando se agregan los aceptadores.
3.8 ¿CUAL SEMICONDUCTOR?
Se han utilizado tres semiconductores en la fabricación de dispositivos desde los primeros días de la
industria de los semiconductores. Son germanio, silicio y arseniuro de galio. El germanio se usó
desde el principio, pero desde la década de 1960 el silicio ha sido el semiconductor dominante. El
arseniuro de galio ha adquirido recientemente una gran importancia para ciertos dispositivos. La
comparación entre los tres arroja una luz sobre las propiedades particulares que hacen que un
semiconductor sea atractivo para la fabricación de dispositivos.
Los semiconductores se pueden clasificar en dos categorías principales: semiconductores
elementales y compuestos. Los semiconductores elementales, como el germanio y el silicio, se
clasifican en el Grupo IV de la tabla periódica de elementos y tienen cuatro electrones de valencia.
Los semiconductores compuestos están compuestos por una combinación de elementos del Grupo
III y Grupo V o elementos del Grupo II y Grupo VI. Ejemplos de semiconductores compuestos
importantes son arseniuro de galio, fosfuro de galio, fosfuro de indio y arseniuro de indio.
El germanio tiene dos cualidades atractivas distintas: en primer lugar, puede ser refinado y
procesado más fácilmente que los demás. En segundo lugar, tanto los electrones como los huecos
tienen una movilidad más alta que los portadores correspondientes en silicio, como se puede ver en
la Tabla 3.3. La mayor movilidad se traduce en una conmutación más rápida y mayores límites de
frecuencia de operación.
Una desventaja del germanio es su alta sensibilidad a la temperatura debido a su brecha de banda
relativamente estrecha, que puede causar inestabilidad en un dispositivo. Inestabilidad que se deben
a que una temperatura más alta aumenta la densidad de los electrones que se excitan hacia la
banda de conducción, lo que aumenta la corriente que produce una mayor disipación de calor, lo que
aumenta la temperatura. El problema más grave es la dificultad de introducir cantidades controladas
de impurezas en pequeñas áreas seleccionadas. Debido a esto, uno tiene que trabajar con grandes
áreas. Esto hace que los portadores tengan que tomar más tiempo para cubrir distancias dentro del
dispositivo. Este tiempo de viaje más largo significa una velocidad de conmutación más lenta.
El silicio tiene ventajas importantes que el germanio no tiene. Es abundante en la naturaleza en
forma de arena y cuarzo. Por lo tanto, el costo del material de partida es insignificante. Debido a que
el silicio tiene una brecha energética (banda prohibida) más amplia que el germanio, se puede usar a
temperaturas más altas, lo que reduce en gran medida la causa de la inestabilidad. Los dispositivos
de silicio se pueden operar de manera segura a temperaturas de aproximadamente 200 °C, mientras
que los dispositivos de germanio se limitan a una temperatura de operación segura de 80 °C. El
silicio tiene una gran ventaja de procesamiento, ya que forma un óxido estable, dióxido de silicio. El
dióxido de silicio ofrece un aislante de alta calidad y cuando se usa en el procesamiento del
dispositivo, proporciona una buena barrera para la difusión de impurezas en ciertas áreas
seleccionadas. Además, es posible operar con dimensiones muy pequeñas del orden de una micra o
menos. Conmutación más rápida y límites de frecuencia más altos son los beneficios.
Por lo tanto, el silicio es un semiconductor de alta calidad al tiempo que proporciona un aislante con
excelentes propiedades.
El arseniuro de galio tiene la mayor ventaja de una movilidad que es aproximadamente cinco veces
mayor que la del silicio, ya que una mayor movilidad se traduce en una mayor velocidad de los
portadores para un campo eléctrico fijo. Por supuesto, esta propiedad ofrece posibilidades de cambio
más rápido. Sin embargo, es más difícil de procesar y es más costoso que el silicio. Una de sus
principales aplicaciones, como veremos más adelante, es en dispositivos ópticos. Hemos enumerado
en la tabla adjunta algunas propiedades de los tres semiconductores principales.
 Capítulo 4
PROCESOS DE TRANSPORTE:
DESVIACIÓN, DIFUSIÓN Y
GENERACIÓN-RECOMBINACIÓN
4.0 INTRODUCCIÓN
En el último capítulo, identificamos electrones y huecos como los portadores actuales en un
semiconductor. Los electrones existen en la banda de conducción y los huecos están en la banda de
valencia. En un semiconductor intrínseco, en equilibrio térmico, la densidad de los electrones es igual
a la densidad de los huecos porque la tasa de generación de pares de electrones se equilibra con la
tasa de recombinación de electrones y huecos. La adición de pequeñas trazas de impurezas
controladas aumenta la densidad de un portador mientras disminuye la densidad del otro. La
densidad de electrones se mejora mediante la adición de impurezas del donante, mientras que la
adición de impurezas aceptoras aumenta la densidad de los huecos. Para determinar las
expresiones de las corrientes portadoras en términos de un voltaje aplicado y otros factores, es
necesario discutir y definir los procesos por los cuales las portadoras se mueven. El movimiento del
portador es causado por dos condiciones; La aplicación de un campo eléctrico cuya fuerza acelera
los portadores y, en segundo lugar, una diferencia de concentración del portador entre dos puntos
hace que los portadores se muevan por difusión desde regiones de alta concentración a regiones de
baja concentración. Además, los procesos de generación y recombinación de portadores afectan las
densidades resultantes de los portadores. Al considerar los efectos combinados del movimiento, la
generación y la recombinación del portador, en la distribución y el movimiento de los portadores,
podemos proceder a establecer las expresiones a partir de las cuales determinamos las relaciones
que describen el funcionamiento de los dispositivos semiconductores.
4.1 LIMITACIONES DE VELOCIDAD
n el último capítulo, derivamos relaciones para las densidades de portadores en un semiconductor
extrínseco. Cuando consideramos una barra de semiconductor, a la que se aplica un campo
eléctrico, la corriente en la barra dependerá de la densidad de los portadores, el área de la sección
transversal de la barra y la velocidad con la que se mueven los portadores. Para un semiconductor
de tipo N, donde n0 >> p0, la corriente viene dada por

La pregunta que debemos responder es: ¿Cómo determinamos la velocidad media de los
portadores? Obviamente, la velocidad depende de la aceleración, que a su vez depende de la
intensidad del campo eléctrico. Para un campo eléctrico constante, ¿cuál es la limitación a la
velocidad que los portadores pueden adquirir?
En nuestras discusiones en capítulos anteriores, supusimos que el sólido posee una red
perfectamente periódica y no tuvimos en cuenta ninguna irregularidad en él. En un metal a Τ> 0K,
los electrones están continuamente en movimiento debido a la temperatura energía que adquieren.
Si se aplica una fuerza constante a los electrones, como por un campo eléctrico, los electrones en el
cristal periódicamente perfecto se acelerarían, ganarían energía, pasarían a estados vacíos a niveles
de energía más altos dentro de la misma banda y continuaría ganando velocidad y energía.
La corriente eléctrica es proporcional al número y la velocidad de los electrones y, por lo tanto, la
corriente en un material al que se aplica un campo eléctrico, en ausencia de otros fenómenos que
puedan limitar su valor, tenderá a aumentar sin límite a medida que la velocidad aumenta. Sin
embargo, sabemos por la ley de Ohm que la corriente alcanza un valor fijo que indica una velocidad
constante. La velocidad a la que nos referimos es una velocidad media, promediada sobre las
velocidades de todos los electrones libres.
La velocidad media es constante debido a una fuerza resistiva que impide una mayor aceleración.
Esta fuerza resistiva es un resultado directo de la colisión de los electrones con los átomos o con las
regiones en la red del material que perturban el movimiento de los electrones. La colisión también
podría ser con átomos extraños.
Antes de seguir discutiendo la naturaleza o el efecto de las colisiones, presentemos la condición de
los electrones en un semiconductor cuando no están bajo la influencia de un campo eléctrico.
4.2 VELOCIDAD TÉRMICA
Los electrones y los huecos en los semiconductores están en constante movimiento debido a la
energía térmica que reciben. Como están en movimiento, no están asociados con ninguna posición
de red particular. En cualquier momento, los electrones y los huecos se mueven en direcciones
aleatorias con una velocidad aleatoria media. Esta velocidad, conocida como velocidad térmica, es
del orden de 10^7 cm / s para los electrones en silicio. Debido al movimiento en direcciones
aleatorias, la corriente resultante del movimiento de todos los portadores en cualquier dirección es
cero.
Como medida de la energía del electrón, establecemos el nivel de la energía de un electrón en
reposo para estar en la parte inferior de la banda de conducción Ec. La energía cinética de un
electrón se mide por la separación de energía por encima de Ec, como Ε - Ec. Se ha establecido que,
en el equilibrio térmico, la velocidad térmica cuadrática media del electrón está relacionada con la
temperatura por la relación*

donde mn* es la masa de conductividad efectiva del electrón libre, con su velocidad térmica media, k
es la constante de Boltzman, y Τ es la temperatura en grados Kelvin. Para silicio a Τ = 300K, esta
velocidad se ha calculado en aproximadamente 2.3 X 10^7cm / s. La energía cinética media para
todos los electrones en equilibrio térmico es E - Ec = (3/2) kT, y esto se traduce en 0.04eV a 300K,
que está ligeramente por encima del borde de la banda de conducción Ec, y para el silicio representa
aproximadamente 1/25 de la energía de la banda prohibida Eg.
Los electrones que viajan en un sólido bajo la influencia de un pequeño campo eléctrico aplicado
chocan con la red, intercambian energía con la red y comienzan de nuevo. Dependiendo de la
magnitud del campo, el electrón cede una cierta cantidad de calor a la red.
4.3COLISIONES Y DISPERSIÓN
Cuando se aplica un campo eléctrico de intensidad relativamente baja a un metal o semiconductor,
los electrones adquieren una velocidad media de acuerdo con la ley de Ohm. Esta nueva velocidad
se superpone a la velocidad térmica y su magnitud es mucho menor que la velocidad térmica media.
Este nuevo componente de velocidad se refiere a la tasa de movimiento promedio de la población de
electrones en la dirección de la fuerza del campo eléctrico. Esta velocidad se conoce como la
velocidad de deriva, Vd.
Los bocetos que comparan el movimiento aleatorio libre de campos de electrones con el movimiento
dirigido por campos se muestran en la figura 4.1.
Es importante señalar que, dado que la velocidad de deriva es, en la mayoría de los dispositivos,
mucho más pequeña que la velocidad térmica, la velocidad de deriva puede considerarse una
perturbación de la velocidad térmica.
El electrón que se mueve en un sólido, sometido a un campo eléctrico, colisiona con los átomos y
con la estructura reticular no ideal, pierde la mayor parte de su velocidad y luego repite el proceso.
Este proceso de colisión se conoce con mayor precisión como dispersión.
Es importante señalar que los cálculos de mecánica cuántica indican que no se produce dispersión y,
por lo tanto, no se produce intercambio de energía cuando un electrón viaja en una red
perfectamente periódica y estacionaria. Se produce una red no estacionaria cuando los átomos
vibran al adquirir calor.

La dispersión no se refiere solo a una colisión directa entre los electrones en movimiento y el núcleo
atómico. Es causada más por la variación en las distribuciones potenciales en el sólido cuando la
estructura cristalina no es perfectamente periódica. Tal sólido se etiqueta aperiódico. La periodicidad
es causada por tres factores, uno de los cuales es la temperatura del sólido por encima de cero. La
aperiodicidad también puede resultar de imperfecciones en el sólido y de la presencia de impurezas.
Por lo tanto, hay tres fenómenos que causan desviaciones individuales o conjuntas del potencial
periódico.
A temperaturas normales de funcionamiento, los átomos reticulares vibran alrededor de sus
posiciones de equilibrio. Estas vibraciones perturban la periodicidad y cambian el potencial periódico,
lo que genera un campo eléctrico que dispersa los portadores. Un electrón que viaja a través de la
red se dispersa, lo que provoca cambios en la magnitud y dirección de su velocidad. La dispersión
resulta tanto de colisiones con los átomos vibrantes como con el campo de potencial variable que
resulta del desplazamiento de los átomos vibrantes. Cuanto mayor es la temperatura, mayor es la
amplitud de las vibraciones atómicas, mayor es la sección transversal de dispersión, mayor es la
perturbación del campo potencial y, por lo tanto, mayor es la probabilidad de que se produzca la
dispersión.
Un segundo mecanismo que causa resultados de dispersión por la presencia de átomos de
impurezas ionizadas. Estos átomos producen un campo eléctrico que cambia la distribución potencial
en el cristal. Este tipo de dispersión es más importante a temperaturas más bajas cuando la
dispersión térmica es más débil. Cuanto mayor es la concentración de impurezas, mayor es la
probabilidad de este tipo de dispersión. Una tercera causa de dispersión, aunque menos importante
que la dispersión térmica o de impurezas, resulta de imperfecciones tales como vacantes en la
estructura cristalina y defectos cristalográficos.
Las imperfecciones de los cristales provocan un cambio en el potencial periódico y, por lo tanto,
crean un campo eléctrico. Un electrón que pasa cerca de una imperfección interactúa con el campo
dando como resultado un cambio en la dirección del movimiento. Concluimos que, a temperaturas
más bajas, la dispersión de impurezas es más dominante, mientras que, a temperaturas más altas, la
dispersión térmica (enrejada) es más efectiva.
4.4 EFECTOS DE LAS COLISIONES
Velocidad de deriva
El efecto de la dispersión, o las colisiones, sobre el movimiento de un portador es equivalente a una
fuerza de resistencia de fricción que controla la aceleración de la partícula y limita su velocidad a la
velocidad de deriva.
El movimiento de un electrón que está sujeto a un campo eléctrico, en la dirección x, obedece a la
ecuación,

donde Ꜫx es la intensidad del campo eléctrico, mn* es la masa efectiva de electrones, q es la carga
electrónica, y el segundo término en el lado derecho de la ecuación. (4.2) es la fuerza de resistencia
de fricción donde w es una constante dependiente del sólido.
El campo eléctrico no acelera el electrón continuamente porque la fuerza resistiva aumenta a medida
que aumenta la velocidad hasta el momento en que la fuerza resistiva equilibra la fuerza del campo
eléctrico hasta el estado estacionario, cuando la velocidad se convierte en la velocidad de deriva. La
velocidad de deriva se puede encontrar estableciendo el momento (fuerza X tiempo), aplicado a un
electrón durante el tiempo Tc entre colisiones, igual al momento ganado por el electrón en ese
período. En el estado estacionario, la velocidad de deriva se determina a partir de
donde Tc es el tiempo medio entre colisiones, conocido como el tiempo de dispersión medio, y la
velocidad de deriva viene dada por

Divagamos brevemente para considerar el comportamiento transitorio de la velocidad del electrón.

Para un electrón que parte del reposo en t = 0, la solución a la ecuación (4.2) es

Al comparar las ecuaciones (4.3) y (4.4), encontramos que Tc = mn* / w para que la ecuación (4.4) se
convierta en

Así, después de un cierto tiempo t > Tc, la velocidad de la partícula tendrá un valor de estado
estacionario dado por la velocidad de deriva, el signo negativo indica que la velocidad está en una
dirección opuesta a la del campo eléctrico.
Suponga que, a medida que se acelera el electrón, se elimina el campo eléctrico y en este momento
suponga que su velocidad es V0. Para esta condición, la velocidad de acuerdo con la solución de la
ecuación. (4.2) se convierte en

La constante de tiempo Tc también puede interpretarse como el factor que controla la velocidad a la
que la velocidad y la corriente decaen a cero después de que se elimina el campo. Este tiempo se
conoce como el tiempo de relajación y es del orden de 10^-15s.
El valor de estado estable de la velocidad de deriva en presencia del campo eléctrico también se
encuentra ajustando t>> Tc, en la ecuación (4.4). Este tiempo también se ha representado para
referirse a una medida del tiempo que tardan los portadores en un semiconductor en moverse y
neutralizar cargas.
El lector puede haber concluido que cuando hablamos de la velocidad de un electrón, estamos
implicando que es posible aislar la partícula. De hecho, la velocidad aquí se refiere a la media de las
velocidades de todos los electrones que están libres.
Definimos la dispersión anterior en presencia de un campo eléctrico, como el proceso de colisión
entre el campo dirigido electrón y la estructura reticular. Ahora ilustraremos esta operación en un
diagrama de banda de energía.
Colisiones e intercambios de energía
En la figura 4.2 (a), mostramos un semiconductor de tipo N con contactos metálicos unidos a ambos
extremos. En el punto A, se aplica un voltaje + V con respecto al contacto B, que está al potencial de
tierra. Estudiaremos el efecto sobre la energía de un electrón liberado del reposo en el punto B.
Antes de hacer eso, revisaremos las relaciones de energía cuando la barra sea reemplazada por un
recinto de vacío. En el terminal Β del recinto de vacío, se libera un electrón del reposo, y dado que
no hay obstáculos y, por lo tanto, no hay colisiones en el camino, el electrón acelera y golpea la
placa A. En el punto B, el electrón perdió energía potencial qV; en el impacto con el terminal A, toda
la energía potencial se convierte en energía cinética y, por lo tanto, calor en el punto A.

En el diagrama de banda de energía de la barra semiconductora de la figura 4.2 (b), un electrón

mantenido en el punto Β tiene energía potencial qV y su energía potencial cuando llega en A es cero.
Dado que la parte inferior de la banda de conducción en Ec es el nivel de la energía potencial de un
electrón en reposo, el diagrama de banda de energía para un electrón en esta ilustración muestra
una energía potencial decreciente y, por lo tanto, un nivel decreciente de Ec a medida que
avanzamos desde Β a A en la figura 4.2 (b). Esto explica la pendiente del diagrama de banda de
energía.
Un electrón liberado del reposo en el punto Β en la barra es acelerado por el campo eléctrico en la
figura 4.2 (a), adquiere energía cinética, y justo antes del punto C, su energía total no cambia a
medida que reemplaza la energía potencial que perdió por la energía cinética. Cuando colisiona con
la estructura reticular en el punto C, pierde toda la energía cinética que adquirió, su energía total es
potencial y el electrón cae al nivel Ec correspondiente al punto C. Se acelera nuevamente, colisiona
con la retícula, y vuelve al nivel inferior de Ec en el punto D. Este proceso continúa hasta que el
electrón alcanza el punto A, donde ha perdido toda la energía potencial qV que tenía en el punto B.
Esta energía potencial se ha convertido, en el camino, en calor. en la red.
4.5 MOVILIDAD
Refiriéndose a la Ec. (4.3), observamos que la velocidad de deriva de los electrones (u huecos) viene
dada por el producto de la intensidad del campo eléctrico y un factor que depende de la carga
electrónica, la masa efectiva y el tiempo de relajación del semiconductor. Llamamos a ese factor la
movilidad de una portadora, μ, de modo que para un electrón tenemos

donde Vd es la velocidad de deriva de un electrón en cm / s, μη es su movilidad en cm^2 / volt-seg y

Ꜫ es la intensidad del campo eléctrico en V / cm. El signo negativo denota que, para un electrón, la
dirección de la velocidad es opuesta a la dirección de la intensidad del campo eléctrico. Mediante el
uso de la ecuación. (4.3), en la ec. (4.7), la movilidad del electrón se convierte en

Las expresiones análogas para el movimiento del hueco son

y la movilidad del hueco es

Porque el intervalo de tiempo entre colisiones depende principalmente de temperatura y

concentración de impurezas, la movilidad depende de esos dos parámetros, así como del material a
través de la masa efectiva. Con referencia a la figura 2.12, que mostró una curvatura mucho mayor
cerca del fondo de la banda de conducción de GaAs que la de Si, la masa efectiva de un electrón en
GaAs es mucho menor que en Si. Como resultado, la movilidad de electrones en GaAs es de cuatro
a cinco veces mayor que en silicio.
El tratamiento anterior supone que el intervalo de tiempo entre colisiones es independiente de la
magnitud de la intensidad del campo eléctrico aplicado. Esto es válido siempre que la velocidad de
deriva sea mucho menor que la velocidad de saturación térmica, Vth, que es aproximadamente 10^7
cms / s para electrones en el silicio.
Los resultados experimentales de las mediciones de la velocidad de deriva de electrones y huecos
se muestran en la figura 4.3. Es bastante evidente que, a valores muy grandes de intensidad del
campo eléctrico, la velocidad de deriva se aproxima a la velocidad de saturación y, por lo tanto, la
movilidad disminuye al aumentar la intensidad del campo eléctrico.
También observamos, en la figura 4.3, la dependencia de la velocidad de deriva y, por lo tanto, la
movilidad en la región lineal, del material a través de su dependencia de las masas efectivas de los
electrones y los huecos.
Efectos de la concentración de impurezas y la temperatura en la movilidad
La dependencia de la movilidad de la concentración de impurezas, a través del tiempo de dispersión
medio Tc, resulta de la dispersión de los portadores por el efecto culombiano de las impurezas
ionizadas a medida que los portadores viajan en el sólido. La alta densidad de dopaje significa más
dispersión, velocidades de deriva más bajas y movilidad. La variación de la movilidad con la
dispersión a través de su dependencia de la concentración de impurezas y la temperatura se
muestra en la figura 4.4 y se resalta en el recuadro.
La pregunta entonces es: ¿por qué, en el recuadro de la figura 4.4, se ve que la movilidad aumenta
con un aumento de temperatura en un cierto rango de temperatura, pero disminuye con un aumento
de temperatura en otro rango de temperatura?
A bajas temperaturas, las vibraciones reticulares son tan pequeñas que a medida que aumenta la
temperatura, los portadores reciben energía térmica que aumenta su velocidad, reduciendo así el
tiempo que el electrón pasa cerca de los átomos reticulares y de impurezas. Esto reduce la sección
transversal de dispersión, lo que hace que la movilidad aumente con la temperatura.
El aumento de la movilidad con la temperatura continúa hasta que, a cierta temperatura, dominan las
vibraciones de la red y aumenta la sección transversal de dispersión, lo que aumenta la posibilidad
de colisión con la red y disminuye la movilidad con un aumento de la temperatura.
Expresiones para la movilidad
Cuando ocurren dos procesos de dispersión al mismo tiempo, el efecto combinado sobre la
movilidad se determina a partir de las probabilidades de los dos procesos. Si en un tiempo
incremental, dt, la probabilidad de dispersión por el proceso 1 es dt /T1 donde T1, son los intervalos
de tiempo entre dos colisiones y la probabilidad de dispersión por el proceso 2 es dt /T2, entonces la
probabilidad total dt /Tc es la suma de las dos probabilidades para que podamos escribir
Donde Ti y Tt (se refieren a los tiempos de colisión debido a impurezas y temperatura
respectivamente. La movilidad μ puede expresarse en términos de las movilidades debidas a
impurezas y debido a la temperatura μi y μt, respectivamente como

Esto ha demostrado que la movilidad debido a la dispersión de la red (temperatura), μt (es

proporcional a 1 / T^3/2. La movilidad causada por la dispersión de impurezas, μi, se ha determinado
que es proporcional a T^3/2 / N, donde Ν es la densidad total de impurezas (ND + NA).
Las expresiones empíricas para las movilidades de electrones y huecos en silicio en cm^2 / V-s, en
función de la densidad y temperatura de dopaje, se han derivado*, y se muestran a continuación,
donde Τ está en Κ, Τn = T / 300 y Ν está en cm^-3.

A Τ = 300Κ estas expresiones se reducen a:

Estas relaciones concuerdan bastante bien con resultados experimentales.

Los gráficos de las mediciones de la movilidad frente a la concentración de impurezas totales ( ND +
NA) a Τ = 300K, se muestran en la figura 4.5. Observamos que a niveles de concentración bajos la
movilidad es independiente de la concentración. Concluimos esta sección resumiendo los factores
que influyen en la movilidad:
1. La movilidad depende en gran medida de la temperatura y de las irregularidades en el cristal, que
pueden deberse al crecimiento del cristal o las impurezas.
2. Siempre que la velocidad de deriva sea menor que la velocidad térmica, la movilidad varía
directamente con el tiempo entre colisiones y es proporcional al mismo.
3. Si la velocidad de deriva se aproxima a la velocidad de saturación a través de un aumento de la
intensidad del campo eléctrico, la movilidad disminuye con un aumento del campo eléctrico.
4. La movilidad, por lo tanto, se ve afectada en diversos grados por: irregularidades en la estructura
reticular, temperatura, concentración de impurezas agregadas y la intensidad del campo eléctrico.
4.6 CORRIENTE DE DESPLAZAMIENTO Y CONDUCTIVIDAD
Cuando se aplica un campo eléctrico a un semiconductor, los electrones y los huecos adquieren
velocidades de deriva y el movimiento consiguiente de los portadores da como resultado una
corriente eléctrica. Esta corriente se conoce como corriente de deriva. La corriente de deriva de
electrones viene dada por:

donde A es el área de la sección transversal en cm^2, normal a la dirección del flujo de corriente, q
es la carga en culombios, η es la densidad de electrones en cm^-3, Vd es la velocidad de deriva de
electrones en cm / seg, y I está en amperios. La dirección de la corriente es opuesta a la del
movimiento de los electrones. Al reemplazar la velocidad de la ecuación (4.7) a la ecuación (4.17),
tenemos

La corriente debida al movimiento de electrones es, por lo tanto, en la misma dirección que la
intensidad del campo eléctrico. La densidad de corriente de electrones en amperios / cm^2 es

El factor de multiplicación Ꜫ se conoce como la conductividad ση para que

donde la unidad de conductividad es (ohm-cm)^-1. Análogamente, la densidad de corriente para

huecos se convierte en

La densidad de corriente de deriva tota es

La conductividad total es

La adición de pequeñas trazas de impurezas tiene efectos dramáticos en la conductividad de los

semiconductores. Ilustramos esto con un ejemplo.
4.7 RESISTIVIDAD Y RESISTENCIA
El recíproco de la conductividad, la resistividad p, tiene unidades de ohm-cm. En general, el
semiconductor es de tipo N o de tipo P. Para un semiconductor en equilibrio térmico, la resistividad
se convierte en

donde n0 y p0 son las densidades de electrones y huecos, en equilibrio térmico, respectivamente en

cm^-3. Para un semiconductor de tipo N n0 >> p0 y n ≈ ND, la ecuación (4.23) se convierte en

Para un semiconductor de tipo P, la expresión de la resistividad viene dada aproximadamente por

Usando valores de la movilidad calculada a partir de la región lineal de la Fig. 4.3, y calculando la
resistividad usando Eqs. (4.24 (a)) y (4.24 (b)), se obtiene una gráfica de la resistividad frente a la
densidad de impurezas. Los resultados se muestran en la Fig. 4.6.
DESTACADOS
• Los electrones en un semiconductor a T> 0 se mueven continuamente a una velocidad muy alta en
todas las direcciones. Esta velocidad se conoce como la velocidad térmica media. En el equilibrio
térmico, la velocidad neta de todos los electrones en cualquier dirección es cero, por lo tanto, la
corriente es cero.
• Cuando se aplica un campo eléctrico a un semiconductor, los electrones adquieren energía y una
velocidad mucho menor que la velocidad térmica media. Ahora hay una velocidad media neta
opuesta a la dirección del campo eléctrico. Esta velocidad se conoce como la velocidad de deriva.
• La razón de la velocidad de deriva limitada es la interacción eléctrica del electrón con el sólido
imperfecto.
• El factor que relaciona la velocidad con la intensidad del campo eléctrico se denomina movilidad. A
valores bajos de campo eléctrico, la velocidad aumenta linealmente con un aumento del campo que
da como resultado una movilidad relativamente constante. Así como los electrones en la banda de
conducción adquieren velocidad de deriva y movilidad, también lo hacen los electrones en la banda
de valencia.
• La movilidad también está influenciada por la temperatura y el dopaje del semiconductor. Cuanto
mayor es el dopaje, menor es la movilidad.
• La corriente resultante de un campo eléctrico aplicado, conocido como corriente de deriva, es el
producto de la intensidad del campo eléctrico y la suma de las conductividades de los huecos y
electrones. La conductividad, el recíproco de la resistividad, es el producto de la densidad del
portador, la carga del portador y la movilidad.
Ahora discutiremos brevemente y explicaremos la resistencia óhmica de metales y semiconductores
a la luz de nuestra discusión sobre los fenómenos de dispersión.
La resistencia de metales y semiconductores
La ecuación (4.6) indica que el movimiento de electrones sufre amortiguación a medida que viaja a
través de la estructura reticular. Finalmente, su velocidad se convierte en cero. Los electrones viajan
constantemente a altas velocidades, y cuando un electrón colisiona con la red o con un átomo de
impureza, pierde parte de su energía y, por lo tanto, comienza con una nueva velocidad.
Esta amortiguación de la onda de electrones en realidad es causada por cualquier perturbación en la
red periódica. Estas irregularidades en la estructura dispersan las ondas de electrones, así como la
luz se dispersa en la atmósfera. Al dispersarse, la onda de electrones se convierte de una onda
plana que viaja en cierta dirección con un cierto momento en ondas que viajan en todas las
direcciones y que no corresponden a ningún momento. El electrón ha perdido su momento.
Cuando consideramos un material específico, encontramos que su resistencia eléctrica se debe
tanto a las perturbaciones en la red sólida como a la temperatura. Por lo tanto, la resistividad de
recombinación tiene dos componentes: uno independiente de la temperatura y otro dependiente de
la temperatura.
Dado que la resistencia se puede definir como la relación del voltaje aplicado a la corriente, un
aumento de la corriente con la temperatura significa una resistencia disminuida. La corriente es
proporcional al número de portadores y a su velocidad media neta en la dirección del campo eléctrico
aplicado. En un metal, cuando aumenta la temperatura, la densidad de los electrones libres apenas
cambia debido a la densidad ya grande, pero la velocidad de deriva promedio disminuye debido al
aumento de la vibración de los átomos y las moléculas. Así, con un aumento de la temperatura,
aumenta la resistencia de un metal.
Los semiconductores, por otro lado, tienen un coeficiente de resistencia a la temperatura negativo.
Su resistencia disminuye con la temperatura. De alguna manera, esta propiedad es una ventaja de
los semiconductores; Por otro lado, es una fuente de inestabilidad. Cuando la temperatura aumenta,
la velocidad incremental de los portadores debido al campo eléctrico disminuye, pero la densidad de
los portadores (electrones y huecos libres) aumenta considerablemente. El aumento en la densidad
de los portadores más que compensa la disminución de su velocidad. Los electrones de la banda de
valencia adquieren energía térmica y se mueven hacia la banda de conducción para convertirse en
electrones libres, dejando vacantes en la banda de valencia que representan los huecos. Por lo
tanto, la corriente aumenta con un aumento de la temperatura, lo que disminuye la resistencia,
aumentando así la corriente, que luego aumenta la temperatura. Los resultados de inestabilidad y
una situación de fuga surgen, lo que provoca la destrucción del semiconductor.
Por lo tanto, observamos que las irregularidades en un material hacen que resista el flujo de
corriente y que, cuando aumenta la temperatura, las resistencias de metales y semiconductores
varían de manera opuesta.
4.8 DIFUSIÓN DE PARTÍCULAS Y CORRIENTE DE DIFUSIÓN
Difusión
El movimiento del portador de difusión en semiconductores, que produce corrientes, es causado por
la aplicación de un campo eléctrico, que causa una corriente de deriva, o por el proceso de difusión
de los portadores.
El proceso de difusión consiste en el movimiento de los portadores fuera de las regiones de altas
concentraciones de portadores hacia regiones de baja concentración de portadores. Este proceso
está bien ilustrado cuando se enciende una luz en una pequeña región cerca del centro de una barra
larga y delgada de material semiconductor. Los pares de huecos de electrones, además de los
disponibles en equilibrio térmico, se generan en el centro debido a la energía luminosa que absorbe
el semiconductor. Estos portadores en exceso se moverán aleatoriamente a la derecha y a la
izquierda de la zona de generación, lo que dará como resultado un flujo de partículas hacia afuera
del centro. Se dice que estos portadores se difunden (al igual que una gota de tinta en un vaso de
agua se mezcla rápidamente con agua).
Ilustramos este proceso considerando primero la figura 4.7 (a), que muestra una distribución de
partículas por unidad de volumen. Estamos interesados en la velocidad de movimiento de estas
partículas por unidad de área y unidad de tiempo a través de un plano en x 1 Las partículas están en
constante movimiento térmico de izquierda a derecha x 1, y de derecha a izquierda en x 1. Dado que la
densidad de las partículas es mayor a la izquierda de x 1 que a la derecha de x1, más partículas se
cruzarán en la dirección de la densidad decreciente. El flujo de partículas a través de x 1 en la
dirección positiva, viene dado por

donde F es el flujo por unidad de área, por unidad de tiempo, Ρ es la densidad de volumen de
partículas, dP / dx es el gradiente en x 1 y D está etiquetada como la constante de difusión. Para que
F tenga unidades de partículas por unidad de área por unidad de tiempo, D debe tener la dimensión
de la distancia al cuadrado por unidad de tiempo. De acuerdo con la ecuación. (4.25), y dado que la
derivada es negativa en x1, el flujo de partículas está en la dirección x positiva. En tres dimensiones,
la ecuación. (4.25) se convierte en

En el proceso de difusión de partículas en dispositivos semiconductores, el flujo consiste en el

movimiento de electrones o huecos a través de una superficie. Traduciremos la velocidad de
movimiento de los portadores a una corriente eléctrica ya que el movimiento involucra electrones o
huecos cargados. Consideramos en la figura 4.7 (b) una región de semiconductores P en la que los
electrones se inyectan a x = 0 desde un semiconductor N o se generan por una fuerte fuente de luz
enfocada en x = 0. Suponemos que no existe campo eléctrico en la muestra y que la densidad del
exceso de electrones (exceso sobre los disponibles en el semiconductor P) disminuye al aumentar x.
Debido a que el gradiente es negativo en la dirección de difusión de electrones, el flujo de electrones
(movimiento por unidad de área por unidad de tiempo) que pasa a través del plano en x 1, según lo
determinado por la ecuación. (4.26), viene dado por

donde el gradiente dn / dx tiene unidad de electrones por cm^3 por cm de longitud, Dn está en cm^2
s^-1, de modo que la unidad de Fn es electrones cm ^2s^-1. Debido a que el gradiente es negativo,
Fn representa un flujo positivo de electrones que se mueven de izquierda a derecha (aumentando x)
en la corriente de difusión x1.
Corriente de difusión
Hasta este punto, la carga del portador no se ha introducido. Para convertir la expresión a densidad
de corriente, introducimos la carga, -q coulombs para un electrón, de modo que la expresión en Eq.
(4.27) está escrito en términos de C cm^2s^-1, que tiene unidades de densidad de corriente como

Para un gradiente negativo, que indica una disminución de η con x, la densidad de corriente es
negativa. Esto es de esperarse ya que un movimiento de electrones en la dirección positiva da como
resultado una corriente en la dirección negativa. Si se inyectan huecos en una región Ν, la ecuación.
(4.27) se aplica también y se multiplica por la carga + q para obtener una expresión para la densidad
de corriente del hueco. La dirección del movimiento del hueco es en la dirección del flujo de corriente
positivo, lo que hace que Jp sea positivo, ya que dp / dx es negativo.
En general, las densidades de corriente debido a la difusión de electrones y huecos están dadas por

Cuando Jn y Jp están en amperios / cm^2, q está en coulombs, las constantes de difusión están en
cm^2s^-1 y las derivadas representan los gradientes en una dimensión . La difusión de electrones y
huecos y las direcciones de las corrientes de difusión se muestran en las Figs. 4.7 (c) y 4.7 (d).
La constante de difusión para huecos o electrones está relacionada con la movilidad por la relación
de Einstein en la ecuación. (4.30) (ver Apéndice D). A una temperatura fija, D es directamente
proporcional a μ. Esto es de esperarse ya que tanto las constantes de movilidad como de difusión
son factores en las expresiones para las corrientes de deriva y difusión, respectivamente. Por lo
tanto,

A 300K. kT / q = 0.0259 V y para μ en cm^2 / V-seg, D está en cm^2 / s. Por lo tanto, D tiene la
misma dependencia que μ tiene de la densidad de dopaje. Sin embargo, debido a kT / q, D es
proporcional a Τ ^0.5, donde la dispersión de la red es dominante, y a T ^2.5 cuando la dispersión de
impurezas es el principal fenómeno de dispersión. La aplicación de la expresión para la corriente de
difusión se muestra en el Ejemplo 4.4.
4.9 CORRIENTES DE TRANSPORTE
En este capítulo, hemos examinado los procesos que causan corrientes de transporte, es decir,
deriva y difusión. En la siguiente sección estudiaremos los mecanismos de recombinación y
generación de portadores. Al combinar las expresiones para las densidades de corriente de huecos y
electrones debido a la deriva y la difusión, tenemos las siguientes expresiones para Jn, Jp y Jt (que
representan la densidad de corriente de electrones, la densidad de corriente de hueco y la densidad
de corriente total respectivamente como:
Las unidades de los símbolos son: J en amperios / cm^2, q en coulombs, μ en cm^2 / V-s, η y p en
cm^-3, Dn y Dp en cm^2 / s y dn / dx y dp / dx están en cm^-4.
Es evidente a partir de las ecuaciones. (4.31) que para derivar relaciones para las corrientes en un
dispositivo que está sujeto a un cierto voltaje aplicado en el estado estacionario, uno necesita derivar
expresiones tanto para la distribución de intensidad del campo eléctrico como una función de la
distancia, y el espacio distribuciones de la densidad de electrones y huecos. Afortunadamente, en los
niveles actuales en los que la mayoría de los dispositivos funcionan normalmente, se descuida la
corriente de deriva de los portadores minoritarios. Nuestro énfasis estará en la corriente de difusión
de los portadores minoritarios. En la siguiente sección, estableceremos la ecuación de continuidad a
partir de la cual obtenemos expresiones para la distribución de portadores minoritarios.
4.10 RECOMBINACIÓN Y GENERACIÓN
Tasas de R-G
Hasta ahora, hemos discutido los dos procesos de movimiento del portador: deriva y difusión. Una
tercera categoría de acciones portadoras que implican una variación en las densidades de electrones
y huecos son los procesos de generación y recombinación. De hecho, son dos procesos separados
que tienen lugar simultáneamente y sus tasas son iguales solo en equilibrio térmico. Estos dos
procesos afectan indirectamente las corrientes al cambiar las densidades de los portadores
involucrados en la deriva y la difusión.
La generación es el proceso de creación de nuevos portadores, huecos y electrones. La
recombinación es la inversa de la generación, mediante la cual un electrón y un hueco desaparecen
simultáneamente.
En un semiconductor intrínseco en equilibrio térmico, los electrones y los huecos se generan
continuamente y se recombinan continuamente. Debido a que la densidad de portadores intrínsecos
está determinada únicamente por la brecha de energía y la temperatura, por lo tanto, constante bajo
condiciones dadas, la tasa de generación de pares de electrones se equilibra por la tasa igual de
recombinación. En los semiconductores extrínsecos, las densidades de los portadores están
determinadas por la densidad de impurezas y la densidad de portadores intrínsecos, por lo tanto,
también se puede afirmar que, en equilibrio térmico, las tasas de generación y recombinación son
iguales. Recordamos al lector que el equilibrio térmico es una condición en la que no se aplican
fuerzas externas (como la luz) o un campo eléctrico al semiconductor. Para semiconductores
intrínsecos y semiconductores extrínsecos no degenerados, la relación np = ni^2 es válida en
equilibrio térmico.
La pregunta es, entonces, ¿cuándo las tasas de generación y recombinación no son iguales? Para
responder a esa pregunta, señalamos que los dispositivos semiconductores funcionan normalmente
en condiciones de no equilibrio. Esto se traduce en np ≠ ni^2, lo que indica que los efectos externos
están influyendo en las densidades y las distribuciones de los portadores.
Por supuesto, la tendencia de los sistemas en condiciones de no equilibrio es volver al equilibrio. Por
ejemplo, cuando se inyectan portadores minoritarios en exceso en un extremo de una barra
semiconductora, las densidades de electrones y huecos tenderán a obtener valores de equilibrio al
hacer que la velocidad de recombinación exceda la velocidad de generación. Por lo tanto, las tasas
de generación y recombinación no están equilibradas cuando el semiconductor está perturbado, lo
que hace que la concentración de un tipo de portador supere su valor de equilibrio. Las fuerzas de la
naturaleza tienden a restaurar las condiciones a donde estaban antes de la perturbación.
Un semiconductor de tipo N tiene densidades de portador de equilibrio mayoritario y minoritario de n0
y p0 respectivamente. Si este semiconductor está expuesto a una fuente de energía que aumenta la
densidad de los portadores minoritarios, entonces el proceso de recombinación de generación actúa
para reducir la concentración de estos portadores al hacer que la tasa de recombinación exceda la
tasa de generación. Si, por otro lado, debido a la extracción de portadores, la densidad del portador
disminuye, entonces la tasa de generación excederá la tasa de recombinación hasta que se
establezca el equilibrio.
Generación directa-recombinación
Los electrones y los huecos en los semiconductores se generan cuando un electrón se desplaza
directamente de la banda de valencia a la banda de conducción debido a la absorción de energía
térmica o la exposición a la energía de la luz. Este proceso se denomina generación directa cuando
el electrón se excita directamente desde la banda de valencia a la banda de conducción, y da como
resultado un par adicional de electrones-hueco. La recombinación directa ocurre cuando un electrón
cae de la banda de conducción directamente a la banda de valencia, eliminando tanto el electrón
como un hueco. Tales procesos de generación directa-recombinación son muy poco probables en
silicio y germanio, como se discutió en la Sección 2.4, debido a la forma del diagrama E-k de la
figura 2.12. La generación de recombinación directa es el proceso común en los compuestos III-V
como el arseniuro de galio, el fosfuro de galio y el antimoniuro de indio. Esta recombinación directa
da como resultado la emisión de luz. Los bocetos que ilustran la generación directa de
recombinación se muestran en la figura 4.8a.
La generación directa de pares de electrones puede ser causada por uno o más de los siguientes
procesos: exposición a energía térmica, exposición a energía lumínica o ionización por impacto. La
ionización por impacto ocurre cuando la colisión de un electrón acelerado con un átomo transfiere
suficiente energía al átomo para causar la generación de nuevos portadores. En condiciones
favorables, puede producirse un proceso de avalancha que genera un calor excesivo que destruye el
dispositivo.
Para generar un par electrón-hueco, la cantidad de energía impartida al electrón en la banda de
valencia debe ser al menos del orden de la brecha de energía Εg. De manera similar, el proceso de
recombinación se acompaña de una liberación de luz o energía térmica del orden de la brecha
energética. En un semiconductor en equilibrio térmico, los procesos de generación y recombinación
tienen lugar continuamente y sus velocidades son iguales.
Generación-recombinación indirecta
El principal proceso de generación de recombinación (R-G) en germanio y silicio es del tipo indirecto
en el que interviene un tercero, que actúa como agente catalítico. Este tercero es un estado
localizado en la banda prohibida, que sirve como un "trampolín" entre las bandas de conducción y
valencia. Dichos estados están en niveles de energía en el que los átomos de silicio y germanio no
pueden existir. Sin embargo, están disponibles solo para átomos extraños. Los bocetos que
muestran procesos indirectos de R-G se muestran en la figura 4.8 (b). Cada uno de los procesos de
generación indirecta y recombinación ocurre en dos pasos, donde el "escalón" es un estado
localizado que tiene un nivel de energía ET cerca del medio de la banda prohibida.
La frecuencia y la ubicación de la recombinación son de naturaleza probabilística. El nivel de energía
de un centro de recombinación de impurezas se determina de la siguiente manera: una transición de
electrones de Ec al centro de recombinación ET tiene una probabilidad de ocurrencia de Pn (ET)
mientras que la probabilidad de una transición de hueco de Ev a ET es Ρp (ET). Como la
recombinación se completa con la transición de ambas partículas, la probabilidad de que ocurra tal
evento es proporcional al producto, Pn (ET) Pp (ET), de las dos probabilidades. Se encuentra que el
máximo de dicho producto ocurre a mitad de camino en el intervalo de banda en (Ec + Ev) / 2.
Hay cuatro procesos que conforman la generación y recombinación en semiconductores indirectos.
Estos se muestran en la figura 4.9, donde existe un estado localizador aceptor ligeramente por
encima de la mitad de la banda prohibida. El primer proceso es la captura de un electrón por el
estado localizado, mientras que el segundo proceso inverso, mediante el cual un electrón se mueve
del estado localizado a la banda de conducción, se conoce como emisión de un electrón.
El tercer proceso, conocido como la captura de huecos, se describe mediante la transferencia de un
electrón desde el estado localizado a la banda de valencia. Finalmente, el cuarto proceso consiste en
la transición de un electrón desde la banda de valencia al estado localizado, dejando un hueco
detrás y llamado emisión de hueco.
Los estados localizados también se conocen como centros o trampas de generación de
recombinación.
La pregunta obvia es: ¿De dónde vienen estos centros o trampas? Estas trampas ocurren debido a
imperfecciones de la red (como un átomo faltante en la estructura de la banda covalente), que
resultan de dislocaciones o defectos en la red o de la presencia de impurezas, que pueden
introducirse deliberadamente.
Las imperfecciones de la red normalmente resultan de la preparación de la muestra de
semiconductores y, por lo tanto, del proceso de fabricación. Dichos defectos pueden reducirse en
gran medida por un crecimiento de muy alta calidad o por la producción de silicio muy puro.
Las impurezas que causan trampas pueden ser inherentes al sólido, pero se introducen comúnmente
para controlar la vida útil de los portadores minoritarios. Para que las impurezas en el silicio
introduzcan centros eficientes de generación de recombinación, los niveles de energía de estas
impurezas deben estar en la vecindad inmediata del medio de la banda prohibida, en contraste con
las impurezas de la Columna III (boro) y la Columna V (fósforo), donde Los niveles de energía están
cerca de las bandas de valencia y conducción, respectivamente.
El oro y el hierro en silicio y el cobre en germanio introducen dichos centros de recombinación,
algunos arriba (aceptores) y otros debajo (donantes) en el medio de la banda prohibida, pero en
ambos casos, no más de 0.1 eV desde el medio de la banda.
Inyección de bajo nivel y recombinación
Considere un semiconductor de tipo N en equilibrio térmico donde n0 >> p0. Esto ahora está
perturbado por algún mecanismo que hace que p0 aumente en Δp. Para preservar la neutralidad, n0
también debe aumentar en Δn y Δn = Δp.
Asumiremos que Δp << n0. Dicha perturbación, que causó que el exceso de densidad de portadores
minoritarios (exceso sobre el equilibrio) fuera mucho menor que la densidad de portadores
mayoritarios, se dice que causó una inyección de bajo nivel. Esta condición de inyección de bajo
nivel es aquella en la que la mayoría de los dispositivos funcionan normalmente cuando un exceso
de portadores minoritarios es inyectado. Debido a que el cambio en n0, Δp, es tan pequeño en
comparación con n0, suponemos a todos los efectos prácticos que n0 no cambia.
Para ilustrar el concepto de inyección de bajo nivel, suponga n0 = 10^15cm^-3 en silicio, de modo
que p0= ni^2 / n0 = 10^5cm^-3. Un aumento en p0, Δp0 de 10^10cm^-3 causará un aumento en n0,
Δp0, de 10^10cm^-3, que es insignificante en comparación con n0.
La recombinación de generación es un proceso continuo, pero como la densidad del hueco se ha
incrementado a un valor mayor que su valor de equilibrio térmico, la tasa de recombinación debe
exceder la tasa de generación. Asumimos una densidad de trampa NT, ubicada en un nivel de
energía de trampa ET cerca del centro de la banda prohibida. Como el material es de tipo N, el nivel
de Fermi EF está por encima de la mitad de la brecha de energía y EF es mayor que ET Debido a que
ET <EF, la relación Fermi-Dirac predice que el nivel de ET está prácticamente lleno de electrones. El
proceso de recombinación consiste en la captura de huecos de la banda de valencia. Una vez que se
capturan los huecos, también se capturan algunos de los electrones mucho más numerosos.
Relaciones analíticas
Las expresiones son necesarias para la variación en el tiempo de las densidades de portadores en
condiciones de no equilibrio perturbadas para los procesos de generación de recombinación indirecta
típicamente más comunes. Antes de determinar las expresiones, y en parte como recordatorio,
definimos algunos términos de la siguiente manera:
n, p = electrón, densidad del hueco, cm^-3
n0, p0 = electrón en equilibrio térmico, densidad del hueco cm^-3
Δn= n - n0 = desviación de la densidad del electrón de equilibrio térmico
Δp = ρ -p0 = desviación de la densidad del hueco del valor de equilibrio térmico.
Δn y Δp pueden ser tanto positivos como negativos. Una desviación positiva implica un exceso de
portadores, mientras que una desviación negativa corresponde a un déficit de portadores.
NT = número de centros de generación-recombinación (trampas) por cm^3.
Cuando se elimina la fuente de excitación que causó la perturbación, la densidad de los huecos
tardará un tiempo en volver a su valor de equilibrio mediante el proceso indirecto de generación de
recombinación. La pregunta es: ¿De qué factores depende la tasa de cambio temporal de la
densidad del pozo?
Primero, para descartar un hueco en exceso, ese hueco debe moverse desde su ubicación en la
banda de valencia hasta ET, donde están las trampas de recombinación. Estas trampas, de densidad
NT, están llenas de electrones porque EF > ET, Por lo tanto, la tasa de descomposición de la densidad
del hueco, dp / dt, es proporcional a NT ya que cuanto mayor sea la densidad de las trampas, más
rápida se producirá la recombinación. Además, el número de huecos que se revuelven para volver a
unirse a los electrones aumenta con el número de huecos en exceso, ya que cuanto mayor sea el
número de huecos disponibles para la recombinación, más se recombinarán por unidad de tiempo y
más rápida será la velocidad de recombinación. Por lo tanto, la tasa de disminución de la densidad
del hueco es proporcional a Δp. Ambos factores pueden incluirse en una ecuación que establece

donde Κ1 es una constante de proporcionalidad (positiva) y el signo negativo indica una disminución
en la densidad del hueco debido a la recombinación. De manera similar, la expresión análoga para
electrones portadores minoritarios en un semiconductor P perturbado viene dada por
Las unidades de K1 NT. y K2NT son (seg)^-1 para que uno pueda definir las dos constantes de tiempo
como

Al usar las relaciones de la ecuación (4.34) en la ecuación. (4.33), escribimos

Aquí se debe enfatizar que las relaciones en las ecuaciones (4.35) son indirectas proceso de
generación y recombinación térmica y son:
• para portadores minoritarios
• para inyección de bajo nivel.
Vida útil del portador minoritario
Dado que las ecuaciones (4.35) representan la tasa de descomposición de los portadores
minoritarios en exceso, Δp en tip N y Δn en semiconductores de tipo P, es lógico pensar que las
constantes de tiempo Tp y Tn en representan un intervalo de tiempo medio durante el cual todos los
portadores minoritarios en exceso se han recombinado. Algunos se recombinarán en t = 0 después
de que se elimine la perturbación y otros tomarán más tiempo. En ese caso, definimos Tp y Tn como
el tiempo promedio que un operador minoritario en exceso sobrevivirá en un entorno de gran número
de portadores mayoritarios. Estos están etiquetados como las vidas de los portadores minoritarios.
Las vidas no pueden predecirse con precisión ya que dependen de la densidad de las trampas NT,
que en sí misma no es una cantidad predecible ya que varía de una muestra de semiconductor a otra
y también está sujeta a cambios durante la fabricación de dispositivos. Sin embargo, es posible
aumentar la densidad de las trampas y, por lo tanto, reducir la vida útil mediante la adición de ciertos
metales al semiconductor, como el oro en el silicio.
A ciertas concentraciones de oro, un aumento de dos órdenes de magnitud de densidad de oro
puede servir para reducir la vida útil en tres órdenes de magnitud. Las vidas en muestras típicas
pueden variar de un microsegundo a un nanosegundo. El objetivo principal de disminuir la vida útil de
los portadores minoritarios, como explicaremos en un capítulo posterior, es aumentar la velocidad de
conmutación de los semiconductores o mejorar la respuesta de alta frecuencia de los dispositivos.
DESTACADOS
• La corriente en algunos dispositivos electrónicos es estrictamente una corriente de deriva. En otros,
es una combinación de deriva y difusión. La difusión de los portadores se produce cuando la
densidad del portador en un semiconductor varía con la distancia.
• La corriente de difusión es directamente proporcional a la pendiente de la distribución de densidad
portadora. La corriente de difusión es el producto de la pendiente, la carga q, el área de la sección
transversal y la constante de difusión.
• La constante de difusión es una medida de la facilidad de difusión de los portadores y es
directamente proporcional a la movilidad.
• Mientras que los portadores se aceleran en un semiconductor, otros dos procesos también están
activos; son generación y recombinación. Los electrones y los huecos desaparecen como portadores
al recombinarse y se reponen continuamente por generación. La generación es el proceso de
transferencia de electrones desde la banda de valencia a la banda de conducción.
• Para determinar las corrientes de deriva y difusión, es necesario conocer la distribución, con la
distancia, de los portadores. La ecuación de continuidad, que se deriva en la siguiente sección, se
usa, sujeta a condiciones de frontera apropiadas, para determinar la distribución de los portadores
minoritarios en un semiconductor
4.11 LA ECUACIÓN DE CONTINUIDAD
Ahora derivaremos la ecuación de continuidad, que se utilizará para determinar expresiones para la
distribución de portadores minoritarios en un semiconductor extrínseco. Después de haber
determinado estas expresiones, podemos lidiar con las corrientes de difusión de los portadores
minoritarios.

Consideramos en la figura 4.10, una sección de un semiconductor de tipo N en el que se han

inyectado huecos portadores minoritarios en exceso y se están moviendo dentro de la sección, y
enfocamos nuestra atención en la densidad del hueco en un corte muy pequeño, Δx, de la sección.
Dado que la corriente del hueco fluye, la corriente del hueco introduce un cierto número de huecos
en χ y la corriente realiza un número determinado en (x + Δx). Además, y dentro del corte, se
produce la generación y la recombinación. Asumimos la inyección de bajo nivel (Δp<< n0) como se
discutió en la sección anterior. La densidad del hueco en el corte es p y la densidad del hueco de
equilibrio es p0.
El número de coulombs de huecos por centímetro cuadrado por segundo que fluyen hacia el corte
es Jp (x). El número de coulombs que ingresan por segundo es Jp (x) A y el número de huecos que
ingresan al segmento por segundo es Jp (x) A / q. Del mismo modo, el número de huecos que salen
del corte por segundo es Jp (x + Δx) A / q. Por lo tanto, la tasa de cambio (por segundo) de huecos
dentro del corte causada por las corrientes de huecos es la diferencia entre los dos

Debido a la recombinación dentro del corte, el número de huecos que ingresan al corte en χ es
mayor que el número de huecos que salen en χ + Δx como se muestra en la figura 4.11. Como el
número de huecos dentro del corte (pAΔx) es mayor que el valor de equilibrio (p0A Δx), el número
que se recombina, por segundo, dentro del corte es pΑΔx / τρ y el número generado p0ΑΔx / τρ Por lo
tanto, la tasa de El cambio en el número de huecos debido a la recombinación y la generación es

donde τρ es la vida útil de los huecos en el material N y el signo negativo se inserta para indicar una
disminución de ρ mientras p > p0.
Debido a la supuesta naturaleza unidimensional del flujo de portadores minoritarios, los huecos
entran y salen del corte solo a través de las caras χ y (χ + Δx). El número total de portadores
minoritarios dentro del segmento es pΑΔx. Por lo tanto, podemos escribir

En efecto, la declaración de la ecuación es: Tasa de cambio de huecos en Δχ = tasa de (generación-

recombinación) + la velocidad a la que los huecos entran en el corte menos la velocidad a la que
salen. La derivada parcial se ha utilizado para indicar una variación de p con el tiempo y la distancia.
Al dividir la ecuación anterior por ΑΔx, obtenemos la ecuación de continuidad en tres dimensiones
para huecos en semiconductores de tipo N

La expresión análoga para electrones en semiconductores de tipo P se da como

En el capítulo sobre diodos, usaremos la ecuación de continuidad, después de reemplazar la

densidad de corriente por su equivalencia de componente de difusión de la ecuación. (4.29), para
determinar las distribuciones en estado estacionario de los portadores minoritarios en las regiones
sujetas a las condiciones de frontera relevantes. Asumiremos que las corrientes de deriva de las
portadoras minoritarias son insignificantemente pequeñas en comparación con las corrientes de
difusión, y determinaremos las expresiones de las corrientes en función de la distancia. El voltaje
aplicado aparecerá en las condiciones de contorno.
Los resultados mencionados anteriormente incluyen tres propiedades de los portadores minoritarios.
Son: movilidad, difusión constante y vida útil. En la siguiente sección, describimos brevemente un
procedimiento experimental que se utilizó por primera vez para calcular estas propiedades. Nuestro
interés en este experimento radica más en las ilustraciones que proporciona de los procesos de
soporte que en la determinación detallada de las tres propiedades.
4.12 EXPERIMENTO HAYNES-SHOCKLEY
En 1951, dos investigadores de Bell Labs, Haynes y Shockley, informaron un experimento que
realizaron que les permitió medir la movilidad, la constante de difusión y la vida útil. Es importante
enfatizar nuevamente que, al determinar las relaciones corriente-voltaje de los dispositivos
semiconductores, son los procesos portadores de los portadores minoritarios los que servirán como
mecanismos de las derivaciones.
Explicaremos brevemente el experimento sin entrar en los detalles de los cálculos que siguen a los
resultados. El objetivo principal de describir el experimento en este libro es ilustrar los tres procesos
combinados de portadores que sufren los portadores minoritarios.
Como se muestra en la figura 4.11 (a), se hacen tres contactos en una barra semiconductora Ν. Los
dos contactos en A y Β se utilizan para conectar una batería en serie con una resistencia R y. La
función de la batería es establecer un campo eléctrico que hará que los portadores se desplacen en
la barra. Los huecos se mueven de izquierda a derecha. En el punto C, enfocamos los pulsos de un
haz de luz en la barra y la energía de la luz mueve más electrones desde la conducción a la banda
de valencia, generando así, en C, electrones y huecos adicionales. En el punto D, se establece un
contacto especial con la barra, que estudiaremos en el siguiente capítulo, que permite que solo se
recojan portadores minoritarios.
El haz de pulso de luz genera un pulso de electrones y huecos en C. El número de pares de huecos
de electrones generados en C, debido a la baja inyección, es tan pequeño que el número de
electrones es insignificante en comparación con los de la barra. Sin embargo, el número de huecos
es mucho mayor que los (portadores minoritarios) en la barra. El pulso de los huecos generados se
desplaza en la barra, se recoge en D, y la corriente de los huecos provoca una caída de voltaje a
través de R1 a tierra. Este voltaje a través de R 1 está conectado al terminal Y del osciloscopio y
aparece como un pulso en el osciloscopio. La escala de tiempo X del osciloscopio se sincroniza con
la sincronización del generador de pulsos de luz. En resumen, los pulsos de los huecos se generan
con luz en C y se muestran en el telescopio después de viajar en la barra.

Nuestro interés aquí está en la forma del pulso del hueco a medida que viaja de C a D. El pulso del
hueco se somete a los tres procesos portadores como se muestra en la figura 4.11 (b). El pulso se
mueve a lo largo de la barra como resultado de la deriva, su amplitud disminuye y el pulso se
ensancha debido a la difusión de huecos tanto a la derecha como a la izquierda del centro del pulso.
El área del pulso se reduce debido a la recombinación.
La intensidad del campo eléctrico en la barra se determina a partir de la fuente de voltaje y la
distancia d. El tiempo que tarda el pulso en viajar de C a D se mide en el osciloscopio para que se
calcule la velocidad de deriva promedio y, por lo tanto, se determine la movilidad.
Otros resultados de las mediciones permitieron a Haynes y Shockley calcular la constante de
difusión y la vida útil. Aunque hoy en día existen métodos más precisos para medir las propiedades
de los portadores minoritarios, el experimento ilustra explícitamente los efectos de los tres procesos
de portadores a los que están sujetos los portadores minoritarios.
 Capítulo 5
EL DIODO DE JUNTURA PN
5.0 INTRODUCCIÓN
En capítulos anteriores, hemos estudiado las propiedades de los semiconductores en condiciones de
equilibrio y no equilibrio. Se indicó que los semiconductores intrínsecos puros son de uso muy
limitado. Los semiconductores con impurezas forman la base de los dispositivos que estamos a
punto de estudiar.
Un semiconductor que ha sido impurificado con impurezas aceptoras y en cuya superficie se
difunden los átomos donantes forma una unión extremadamente interesante conocida como diodo de
unión PN. La característica de corriente-voltaje de un diodo típico se muestra en la figura 5.1.
Al estudiar de cerca esta característica, observamos las dos propiedades más importantes de los
diodos. En primer lugar, donde el voltaje es positivo, los voltajes muy pequeños, menos de un voltio,
causan grandes corrientes, mientras que cuando el voltaje es negativo, la corriente es
extremadamente pequeña. Segundo, la pendiente de la característica en el primer cuadrante es
extremadamente grande y la pendiente en el tercer cuadrante, que precede a la caída repentina, es
muy pequeña.
La primera propiedad apunta al uso del diodo como un rectificador en la conversión de voltajes
alternos (AC) a voltajes no direccionales y eventualmente a través del filtrado a voltajes directos
(DC). La segunda aplicación importante del diodo es su uso como interruptor de un cortocircuito
(bajo Va / I) en el primer cuadrante a un circuito abierto (alto Va / I en el tercer cuadrante.
El diodo de unión PN proporciona una base esencial para el estudio de los transistores de efecto de
campo bipolar y de unión.
5.1 REGIÓN DE CARGA ESPACIAL
Formación de Región
Supongamos que una losa de material Ν y una losa de material Ρ se unen de manera que sus
estructuras se alineen y se forme un solo cristal, como se muestra en la figura 5.2. En aras de la
simplicidad, suponemos que el límite (metalúrgico) entre las regiones Ρ y Ν representa una unión
escalonada o una unión abrupta. Se supone, en un cruce brusco, que la transición de la región Ρ a la
Ν tiene lugar en una distancia extremadamente pequeña. Por lo tanto, hay un cambio repentino en el
dopaje al pasar de Ρ a N.

En general, los diodos se fabrican con una región más altamente dopada que la otra, la región más
altamente dopada identificada por un superíndice plus, como P+ N y N+ P. La densidad de portadores
mayoritarios en la región más altamente dopada puede ser aproximadamente tres órdenes de
magnitud mayor que la densidad de portadora mayoritaria de la otra región.
En nuestra ilustración, utilizaremos un diodo P+ N, donde en la Fig. 5.3 (a) tenemos dos bocetos, uno
para ilustrar las densidades de los huecos en ambas regiones y otro para ilustrar las densidades de
electrones en las dos regiones. La densidad del hueco de equilibrio en la región P es p0p y en la
región N es p0n, mientras que n0p y n0n representan las densidades de electrones de equilibrio en las
regiones Ρ y Ν respectivamente.
Debido a los grandes gradientes de cargas (electrones y huecos) que existen cerca de la superficie
de contacto, los huecos se difunden de Ρ a Ν y los electrones se difunden de Ν a P. Las difusiones
se muestran en la figura 5.3 (b) para cada tipo de portador.
Suponiendo que NA y ND, en las regiones Ρ y Ν respectivamente, son cada vez mucho más grandes
que la densidad de portadores intrínsecos, entonces p0p ≈ NA y n0n ≈ ND.
Por cada electrón que abandona la región Ν, debido a la difusión a través de la superficie, se deja un
donante ionizado positivamente no compensado, y por cada hueco que abandona la región, se crea
un aceptor ionizado negativamente no compensado. Estos portadores parten de puntos cercanos a
la superficie de contacto. Como resultado, las regiones Ρ y Ν están separadas por lo que se conoce
como una región de agotamiento, una región que está agotada de huecos y electrones pero que
contiene átomos donadores positivamente ionizados en un lado y átomos aceptores ionizados
negativamente en el otro lado. Debido a que esta región consiste principalmente de impurezas
cargadas ionizadas, también se conoce como la región de carga espacial. El diodo de unión PN en
equilibrio consta de regiones Ρ y Ν neutras en carga separadas por una región de carga espacial.
Debido al alto campo electrostático producido en la región de agotamiento, las concentraciones de
portadores móviles, huecos y electrones son muy pequeñas en comparación con las
concentraciones de impurezas en la mayor parte de la región de carga espacial. Las condiciones
después del contacto se muestran en la Fig. 5.4.
 Observamos en la figura 5.4 que se ha asumido que la región de carga espacial contiene átomos de
impurezas ionizadas solamente y también asumimos que fuera de la región de agotamiento los
materiales son neutros. El lado Ν de la región de agotamiento está cargado positivamente y el lado P
está cargado negativamente, y dado que la intensidad del campo eléctrico se define como la fuerza
sobre una unidad de carga positiva, se muestra en la Fig. 5.4 que se dirige de derecha a izquierda.
Observamos en la figura que el lado N de la capa de agotamiento se extiende desde χ = 0 a χ = Xn0,
mientras que el lado P se extiende desde χ = 0 a χ = -Xp0. La línea que separa las dos regiones es
en χ = 0, que es la unión metalúrgica de las regiones Ρ y Ν. Los subíndices 0 se refieren al equilibrio
térmico.
En una sección posterior de este capítulo, se desarrollarán relaciones analíticas y se derivarán
expresiones para Vbi y para la cantidad de curvas de las bandas.
Voltaje de barrera y bandas de energía
Las cargas en la región de agotamiento causan un campo eléctrico, lo que resulta en un voltaje a
través de la región de agotamiento etiquetado como el voltaje incorporado, Vbi, y se muestra en la
figura 5.4.
El voltaje incorporado, Vbi, se acompaña de la curvatura de las bandas de energía, como se muestra
en la figura 5.5. La curvatura se explica de la siguiente manera: el voltaje entre dos puntos a y b se
define como la energía gastada o adquirida al mover una unidad de carga positiva de a a b. Si la
carga positiva está en a y b está en un voltaje más alto V, entonces se trabaja para mover la carga.
Después de llegar a b, la carga positiva ha ganado energía potencial igual a la energía gastada que
está dada por (qV), donde q es la carga en culombios del electrón.
Si un electrón se mueve de a a b, con b a un voltaje más alto, V, el electrón pierde energía potencial
de modo que en b se dice que el electrón tiene una energía potencial menor que en a. Esta energía
en b es igual a (-qV).
Como en la figura 5.4, el voltaje en xn0 es más alto que el voltaje en – xp0. por Vbi, un electrón en χ ≥
xn0 tiene menos energía potencial que un electrón en χ ≤ xp0. Observamos en la Fig. 5.5 que los
niveles de energía respectivos en la región neutral son más bajos que aquellos en la región by por
qVbi. Por lo tanto, se dice que las bandas de energía en la región Ν se doblan en relación con las de
la región Ρ.
Recordamos que los electrones residen en la banda de conducción y los huecos residen en la banda
de valencia. Además, la energía de los electrones se mide hacia arriba, mientras que la energía del
hueco se mide hacia abajo.
La presencia de cargas a ambos lados de la unión crea un campo eléctrico dirigido de Ν a P. Las
cargas positivas y negativas (iones de impurezas), que se muestran en la Fig. 5.4, se generan
porque los electrones y huecos que están asociados con ellos son dejados por difusión al otro lado.
Etiquetamos el voltaje incorporado como el potencial de contacto y también como el voltaje de
barrera.
Corrientes de deriva y difusión
Los huecos de Ρ a Ν y los electrones de Ν a Ρ continúan difundiéndose debido a los gradientes de
las densidades portadoras que dan como resultado una corriente de difusión total de Ρ a N.
Simultáneamente, el campo eléctrico en la unión obliga a los huecos a desviarse de Ν a Ρ y los
electrones a derivarse de Ρ a Ν dando como resultado una corriente de deriva total de Ν a P.
Tenemos dos corrientes, deriva y difusión, tanto para electrones como para huecos en direcciones
opuestas.
La corriente total, la suma de las dos corrientes de deriva y dos corrientes de difusión, debe ser cero.
Una corriente distinta de cero provoca la disipación de energía, lo que no es posible ya que no hay
una fuente en el diodo para proporcionar esta energía.
El estudiante puede preguntarse si la corriente de electrones total y la corriente de hueco total son
cero. La corriente de cada portador tiene que ser cero debido al siguiente razonamiento: dado que el
diodo está en equilibrio térmico, el producto np es igual a ni^2. Si suponemos que la corriente de
electrones no es cero, entonces la corriente del hueco es igual en magnitud y opuesta en dirección a
la corriente de electrones. Por lo tanto, existe una transferencia neta de electrones y huecos en la
misma dirección, lo que provoca un aumento de las densidades de ambos en una de las regiones y
viola la condición de equilibrio térmico.

5.2 RELACIONES ANALÍTICAS EN EQUILIBRIO

En esta sección, estableceremos relaciones analíticas para las condiciones en el diodo en equilibrio
térmico. Después de revisar algunos conceptos básicos en electrostática, determinaremos la
ubicación del nivel de Fermi en todo el diodo. Luego derivaremos una expresión para el voltaje
incorporado en la unión. Esto es seguido por la derivación de las relaciones analíticas para el campo
eléctrico, las distribuciones potenciales y la flexión concomitante de las bandas de energía en el
diodo.
Electrostática de la región de carga espacial
El campo eléctrico es la fuerza ejercida sobre una unidad de carga positiva. La fuerza sobre un
electrón es: -q Ꜫ donde q es la magnitud de la carga electrónica. También sabemos que la fuerza es
el negativo del gradiente de energía potencial, de modo que la fuerza que actúa sobre un electrón se
convierte en
-q Ꜫ = - (gradiente de energía potencial del electrón)
La expresión para el campo eléctrico se convierte en

donde Ε es la energía potencial del electrón. Un electrón en la banda de conducción tiene energía
potencial de Ec, la parte inferior de la banda. El gradiente de E podría ser reemplazado por el
gradiente Ec. Dado que los gradientes de Ec, Ei y Ev son iguales, elegimos usar Ei. en la ecuación.
(5.1) por razones que se harán evidentes en breve. Usando Ei, Eq. (5.1) en una dimensión se
convierte en

El potencial electrostático, φ, se define en una dimensión por

Al comparar Eqs. (5.2) y (5.3), escribimos

Finalmente, usamos la relación de Poisson en la ecuación. (5.5) para relacionar el potencial, la

energía potencial y el campo eléctrico con las constantes del diodo. La ecuación de Poisson en una
dimensión es

donde ρ es la densidad de carga de volumen, (ε = εt ε0) es la permitividad, εt es la constante

dieléctrica relativa, y también es permitividad de espacio libre.
Mediante el uso de las ecuaciones. (5.3) y (5.4) en la ecuación. (5.5) tenemos

Constancia del nivel de Fermi

En la sección anterior, concluimos que, en equilibrio térmico, la corriente neta de electrones y huecos
a través de la unión del diodo es cero. Nos referimos a la ecuación. (4.31b), y se repite aquí, para la
densidad de corriente del hueco en una dimensión
Las expresiones para la densidad del hueco, dadas por la ecuación. (3.41), y su derivada son

Al usar las expresiones en las ecuaciones (5.9) en la ec. (5.8), reemplazando Dp por µp kT /q, Ꜫ por
su equivalencia de Eq. (5.2), y estableciendo Jp = 0, tenemos

La ecuación (5.10) es simplificado de modo que

Este resultado indica que el nivel de Fermi es constante a medida que nos movemos de la región Ν a
la región Ρ. El resultado idéntico se obtiene mediante el uso de expresiones para la densidad
electrónica.
Concluimos que, en equilibrio, el nivel de Fermi debe ser constante en todo el semiconductor, como
se muestra en la figura 5.6.
Voltaje incorporado en términos de potencial de Fermi
En nuestra discusión anterior, concluimos que, en un diodo en equilibrio, se establece un campo
eléctrico y un potencial a través de la unión, y que las bandas de energía se doblan en las regiones
Ν y Ρ. También acabamos de establecer eso, mientras que Ec, Ei y Ev están doblados, el nivel de
Fermi EF es plano y no está sujeto a ninguna flexión. La pregunta es entonces: por ¿Cuánta energía
están dobladas las bandas o cuál es la magnitud del potencial a través de la unión?
El potencial se desarrolla en toda la región de carga espacial, que hemos asumido que consiste
completamente en donantes y aceptores ionizados. Explicamos esta suposición al reconocer que
hay algunos portadores que cruzan continuamente la region de agotamiento. La excepción es que su
densidad es pequeña en comparación con las densidades de las impurezas ionizadas.
Dado que los niveles de energía intrínseca, Eip en la región Ρ y Ein en la región Ν, están doblados y
el nivel de Fermi EF es constante en toda la región de carga espacial, definimos los potenciales de
Fermi en cada una de las regiones de carga neutral Ρ y Ν, φFp y φFn como

Recordamos al lector que en la región Ρ, Eip es más alto que Ef, por lo que ρ es positivo. En la región
Ν, EF está por encima de Ein, de modo que φFn es negativo. Dado que EF es constante en todo
momento, la separación potencial total entre Eip y Ein viene dada por (φFp ^ + Ι φFnΙ), que
denominamos el voltaje incorporado Vbi. Las bandas de Ec, Ei y Ev están dobladas por qVbi.
En la figura se muestra un bosquejo de las bandas de energía en equilibrio que muestra los
potenciales de Fermi. 5.6

Voltaje incorporado en términos de densidades de dopaje

Dado que las corrientes de electrones y huecos a través de la unión son cada cero, utilizamos la
ecuación. (4.31 (b)) para la corriente del hueco en una dimensión como

Al usar la relación de Einstein para reemplazar Dp, tenemos

Al integrar a través de la capa de agotamiento de -xp0, donde la densidad del hueco es p0p, a xn0,
donde la densidad del hueco es p0n, tenemos

donde el primer subíndice en p, 0, se refiere al valor de equilibrio y el segundo subíndice se refiere a

las regiones relevantes Ρ o Ν.
El término en el lado derecho de la ecuación (5.14) es el negativo del voltaje incorporado, Vbi, a
través de la capa de agotamiento, de modo que después de la integración tenemos

donde p0p es la densidad del hueco de equilibrio en la región Ρ y p0n es la densidad del hueco de
equilibrio en la región Ν. Dado que NA en Ρ y ND en Ν son cada uno mucho mayor que ni, p0p ≈ NA y
n0n ≈ ND, de modo que p0p = ni ^2/ ND, tenemos

Usando las relaciones de las ecuaciones (5.16) en la ecuación (5.15), tenemos

El voltaje incorporado Vbi, también conocido como voltaje de barrera, depende del dopaje de las
regiones Ρ y Ν y de la temperatura y la banda prohibida, a través de ni^2. El voltaje de barrera para
una unión de silicio abrupta, que tiene una banda prohibida de energía de 1.2eV, varía entre 0.7 y
1.0 volt mientras que, para una unión abrupta de arseniuro de galio, cuya energía de banda prohibida
es 1.4 eV, varía entre 1.0 y 1.4 volts.
La aparición de un voltaje cuando dos materiales están en contacto aumenta la posibilidad de
asociar este voltaje con fuentes de voltaje. Este voltaje de contacto no es una fuente de voltaje, por
lo tanto, no es una fuente de energía. Cualquier intento de medir este voltaje conectando un
voltímetro a través de los contactos externos Ρ y N proporcionará una indicación de cero voltios.
Entonces, ¿qué pasó con el voltaje de barrera Vbi? Los contactos metálicos entre los cables del
voltímetro y las regiones Ρ y Ν proporcionan un potencial de contacto igual y opuesto al voltaje de
barrera del diodo. Además, si el voltaje del diodo fuera una fuente, conectar una resistencia a través
de los terminales del diodo provocaría una corriente y se disiparía la energía. Esto es absurdo ya que
no hay fuente de energía en el circuito.
Campo eléctrico y potencial en la región de carga espacial
En esta sección, derivaremos expresiones para el campo eléctrico en la región de carga espacial,
también etiquetada como la región de agotamiento, y para los potenciales de la región. Comenzamos
con la ecuación de Poisson como se define por la ecuación. (5.7), escrito en una dimensión para el
caso general

Identificamos los límites de la región de agotamiento que se extiende desde χ = -xp0 a χ = xn0, como
se muestra en la Fig. 5.7. De χ = 0 a χ = -xp0, se incluye la porción de la región de agotamiento
extraída de la región, y de χ = 0 a χ = xn0 el balance de la región de agotamiento está en la región Ν.
Para obtener expresiones en forma cerrada, algunos supuestos simplificadores, clasificados bajo la
aproximación de agotamiento, se hacen.
Los supuestos de la aproximación de agotamiento son:
1. En la región de carga espacial de χ = -xp0 a χ = xn0,, solo existen impurezas ionizadas. La
densidad del receptor cubre la distancia χ = 0 a χ = -xp0, y de χ = 0 a χ = xn0 solo están disponibles
las impurezas de los donantes. En toda la región de agotamiento, las densidades de electrones y los
huecos son mucho más pequeños que NA y ND y se descuidan.
2. Fuera de la región de carga espacial, existen dos regiones neutras, una a cada lado de la región
de agotamiento. Incluyen electrones y huecos. La suma de todas las cargas es cero, de modo que
estas regiones se etiquetan como neutrales y el campo eléctrico es cero.
Todo el diodo, tomado como una unidad, tiene carga neutra y la carga total por unidad de área en un
lado de χ = 0 es igual en magnitud y en signo opuesto a la carga en el otro lado de χ = 0 como se
muestra en la ecuación. (5.19).

donde N-A y N+D son las densidades de las impurezas ionizadas en el lado P y el lado Ν de χ = 0 en
la región de agotamiento respectivamente.
El dopaje no es simétrico, y las relaciones de NA a ND o ND a NA en diodos prácticos tienen valores
de aproximadamente 100, por lo que podemos concluir a partir de la ecuación. (5.19) que la región
de agotamiento se extiende más profundamente en la región ligeramente dopada. La expresión para
Ꜫ(x) en el lado Ν de la región de carga espacial, sujeta a los supuestos de la aproximación de
agotamiento, se obtiene integrando la ecuación. (5.18) como

para x = xn0, Ꜫ(x) = 0, ya que estamos en el límite de la región neutral Ν. Entonces,

y la expresión para el campo eléctrico se convierte en

Para -xp0 ≤ χ ≤ 0, donde ρ = -qNA, derivamos una expresión análoga como

En χ = 0, el campo eléctrico debe ser continuo ya que no hay una region de carga en ese punto.
Obtenemos la expresión para el valor más grande de Ꜫ, Ꜫmax, de las ecuaciones. (5.20) y (5.21).
Dado que ambas expresiones tienen un máximo en χ = 0 tenemos

Una sección del diodo, la distribución de carga, la intensidad de campo eléctrico, el potencial y la
distribución de energía potencial se muestran en la Fig. 5.7 para NA >> ND. La expresión para de la
ecuación. (5.22) se usa en las ecuaciones. (5.20) y (5.21) para que se reescriban como

Determinamos una expresión para el potencial a través del lado Ρ de la capa de agotamiento
comenzando con la ecuación (5.3) en forma integral.

Al usar la ecuación. (5.23b), integrando y asumiendo arbitrariamente que el potencial cero es en χ =

-xp0 para determinar la constante de integración, tenemos
De manera similar, φn se determina usando la ecuación. (5.23 (a))

Después de la integración, y dado que el potencial es continuo en χ = 0, nosotros establecemos φn =

φp en χ = 0 para que

Aunque la ecuación anterior solo es válida para los límites mostrados, el nivel cero para φn(χ) está
en χ = -xp0. El voltaje total a través de la región de carga espacial se da al configurar χ = xn0 en la
expresión para φn de modo que
Ψ ΨW Vbl = ~ ^ (xp0 + xj = - (5.25)
donde Vbi es el voltaje total de Ρ a Ν y W es el ancho total de la capa de agotamiento. Dado que Ꜫmax
es una cantidad negativa, Vbi es una cantidad positiva. La distribución de la energía potencial total se
determina a partir de gφp y qφn.
Ancho de la región de carga espacial
Ahora obtendremos una expresión para el ancho de agotamiento total en términos de las
propiedades físicas del diodo y el voltaje incorporado.
Al usar la expresión para Ꜫmax de la ecuación. (5.22) en la ec. (5.25), y al darnos cuenta de que (xp0 +
xn0) es el ancho de la región de agotamiento, tenemos

Donde ε = εt ε0.
La expresión para xn0 de la ecuación. (5.19) se usa en la ecuación. (5.26) y la ecuación resultante se
resuelve para Xp0 como

El ancho de la región de agotamiento. W, se convierte, mediante el uso de Eqs. (5.19) y (5.27),

utilizaremos un ejemplo para ilustrar la aplicación de las expresiones y calcularemos órdenes de
magnitud típicos para las diferentes cantidades.
5.3 CONDICIONES EN EL DIODO CON VOLTAJE APLICADO
La polarización de un diodo es el proceso de conectar una fuente de voltaje (o una fuente de
corriente) entre los contactos metálicos de las regiones Ν y Ρ. El voltaje de polarización,
dependiendo de su dirección, hace que el diodo conduzca en dirección directa, como en el primer
cuadrante de las características de la figura 5.1, o en dirección inversa. En la dirección hacia
adelante, un voltaje pequeño causa una corriente grande, mientras que, en la dirección inversa, la
corriente es insignificantemente pequeña a menos que el voltaje sea tan alto que se produzca una
falla, como se muestra en el gran aumento de la corriente a un voltaje fijo determinado en el tercer
cuadrante.
La polarización directa se logra conectando el cable positivo de la fuente de voltaje al contacto de la
región Ρ y el cable negativo al contacto de la región Ν. Obviamente, se dice que un diodo tiene
polarización inversa cuando se realizan las conexiones opuestas. Determinaremos el efecto del
sesgo sobre las características de la región de carga espacial de la figura 5.4.
Cuando se aplica una polarización directa al diodo haciendo que Ρ sea positivo con respecto a N,
como se muestra en la figura 5.8, la pregunta es: ¿cómo se distribuye este voltaje a través del
diodo? Hay cinco lugares que pueden compartir el voltaje según lo determinado por las caidas
óhmicas. Los dos contactos de aluminio a cada una de las regiones Ρ y Ν tienen una resistividad
muy baja y, por lo tanto, una resistencia baja, de modo que hay caídas de voltaje insignificantes a
través de ellos. Al comparar las conductividades de las tres regiones restantes, encontramos que las
regiones neutrales tienen conductividades mucho más altas, por lo tanto, menor resistencia, en
comparación con la región de agotamiento. Las regiones neutrales tienen una gran cantidad de
portadores y la región de carga espacial está agotada de portadores, lo que hace que tenga una alta
resistencia. Por lo tanto, se puede suponer que el voltaje aplicado, a niveles de corriente normales,
aparece totalmente a través de la región de agotamiento.
El voltaje aplicado Va, se opone al voltaje incorporado, Vbi, cuando Va está conectado, para hacer Ρ
positivo con respecto a Ν y Va ayuda al voltaje incorporado cuando está conectado para hacer Ν
positivo con respecto a P. Esto es se muestra en la figura 5.8 (a), donde la conexión anterior está
etiquetada como polarización directa, y se muestra en la figura 5.8 (b), donde la última conexión se
etiqueta como polarización inversa.
Debido a que el voltaje aplicado se suma o resta del voltaje incorporado, la intensidad del campo
eléctrico debe cambiar. Esto requiere un cambio en la cantidad de carga en cada lado de la capa de
agotamiento. Los dopajes NA y ND no pueden cambiar, por lo tanto, un cambio en el ancho de la
region de agotamiento debe acompañar la aplicación de un voltaje al diodo. La aplicación de una
polarización directa reduce la intensidad del campo eléctrico, reduciendo así la carga y el ancho de la
capa de agotamiento, mientras que una polarización inversa aumenta ese ancho. Los efectos de la
polarización en las distribuciones de carga, en el campo eléctrico, en la distribución potencial y en las
bandas de energía se muestran en las figuras 5.9 y 5.10.
Como concluimos que todo el voltaje aplicado, al menos en los niveles de corriente normales,
aparece a través de la capa de agotamiento, el voltaje, Vj, a través de esta capa, se convierte en
donde Vbi es el voltaje de barrera y Va es el voltaje aplicado (siendo Va positivo para bias hacia
adelante y negativo para bias inverso).
Bias: voltaje de polarización.
La expresión para el ancho de la capa de agotamiento en la ecuación. (5.28) se modifica
reemplazando Vbi por Vj. Como

Es importante recordarle al lector que las derivaciones en este capítulo se basan en el supuesto de
que las regiones Ρ y Ν forman una unión escalonada, o una unión abrupta, en la metalurgia
perimetral.
UNTOS DESTACADOS
• Cuando un semiconductor P y un semiconductor Ν se colocan en contacto íntimo, los huecos se
difunden (se precipitan) de Ρ a Ν y los electrones se precipitan de Ν a P.
• Como resultado de la transferencia de portadores, quedan iones de donantes cargados
positivamente en el lado N de las uniones y los iones aceptores cargados negativamente se
acumulan en el lado Ρ. Toda la región que consiste en iones se conoce como la región de carga
espacial.
• La existencia de cargas positivas en un lado y cargas negativas en el otro lado provoca un campo
eléctrico dirigido de Ν a P. • El campo eléctrico actúa para forzar a los electrones a desplazarse de Ρ
a Ν y los huecos de Ν a Ρ para que se equilibre se establece que cada una de las corrientes de
huecos y electrón es cero.
• La existencia de un campo eléctrico entre -xp0 y xn0 requiere una diferencia de voltaje entre las
regiones Ρ y Ν. Este voltaje se conoce como el voltaje incorporado.
• Debido a que se forma una diferencia de voltaje entre las regiones Ρ y Ν, existe una diferencia de
energía entre ellas. Por lo tanto, se establece una colina o barrera energética a través de la región de
agotamiento.

5.4 CORRIENTES EN EL DIODO

Movimiento de portadores con voltaje de polarización aplicado
En esta sección, derivaremos la expresión para la característica de voltaje de corriente del diodo de
unión PN. Primero, analizaremos cualitativamente las corrientes a través de la unión tanto en
equilibrio como con un voltaje aplicado. Establezcamos algunas reglas sobre la ubicación y el
movimiento de los portadores:
1.Los electrones en la banda de conducción tienen energía potencial Ec y energía cinética (E - Ec),
donde es el nivel de energía ubicado por encima de Ec del electrón. La energía de los electrones se
mide hacia arriba en el diagrama de energía.
2.Los huecos en la banda de valencia tienen energía potencial Ev y energía cinética (Ev - E), donde
está el nivel de energía del hueco. La energía del hueco se mide hacia abajo en el diagrama de
energía.
3. Los electrones en Ρ y los huecos en Ν son portadores minoritarios. Se mueven a través de la
unión debido al campo eléctrico en la unión con electrones que se mueven de Ρ a Ν y huecos de Ν a
P. Estas son corrientes de deriva.
4.Los portadores principales se mueven a través de la unión, los electrones de Ν a Ρ y los huecos de
Ρ a N, debido a los grandes gradientes de concentración en la unión. Estos gradientes resultan de la
gran concentración de electrones en Ν y huecos en P, y la pequeña densidad de huecos en Ν y
electrones en P. Las corrientes resultantes de estos gradientes son corrientes de difusión.
5. Cuando los electrones y los huecos se mueven de una región a otra, a través de la región de
agotamiento, su movimiento ocurre a un nivel de energía fijo E. En este movimiento, mientras la
energía total es constante, la energía del portador cambia de potencial a cinético o viceversa.
En equilibrio térmico, cada una de las corrientes de electrones y huecos es cero. La corriente de
difusión de electrones causada por electrones que se mueven de Ν a Ρ es igual y opuesta a la
corriente de deriva de electrones causada por electrones de Ρ a N. Los mismos procesos análogos
ocurren para los huecos. En la figura 5.11 se muestra un diagrama esquemático para ilustrar los
movimientos.
Dos propiedades de las figuras en las siguientes páginas requieren mención aquí. Primero,
observamos en la figura 5.10 que la magnitud y el signo de la pendiente del diagrama de banda de
energía en la región de agotamiento son una medida de la intensidad y la dirección del campo
eléctrico, respectivamente. Notamos que el campo eléctrico se dirige de derecha a izquierda. Con
polarización directa, y como se muestra en la figura 5.12, la pendiente ha disminuido, lo que indica
una disminución en la magnitud de la intensidad del campo eléctrico en comparación con la
condición en equilibrio.
El segundo elemento es el uso de puntos rellenos y huecos para representar electrones y huecos
dispuestos en estructuras piramidales en la banda de conducción para electrones y en la banda de
valencia para huecos. Gráficamente, estos representan las distribuciones de energía de las
densidades de portadores que hemos determinado previamente analíticamente a partir del producto
de la función de densidad de estados y la distribución de Fermi-Dirac. Las distribuciones de las
densidades de los portadores representan una función de energía exponencialmente decreciente,
medida hacia arriba desde la parte inferior de la banda de conducción para electrones y medida
hacia abajo desde la parte superior de la banda de valencia para huecos.
Cuando se aplica una polarización al diodo de unión PN, suponemos que la región Ρ está fija en
energía y permitimos que los niveles de energía de la región N se muevan hacia arriba para
polarización directa y hacia abajo para polarización inversa. Dado que los niveles de Fermi en las
regiones neutrales se fijan con respecto a Ec y Ev, se aplican las relaciones para las distribuciones de
energía de los portadores y la cantidad de portadores disponibles para transferir de una región a otra
varía a medida que los niveles de energía se mueven hacia arriba o hacia abajo.
Condiciones con polarización directa
Cuando se aplica una polarización directa al diodo, el campo eléctrico en la unión se reduce y
también el voltaje a través de la unión. Si suponemos que los niveles de energía en la región
permanecen fijos, entonces los niveles de energía en la región se elevan por qVa, como se muestra
en la figura 5.12.
El número de electrones, portadores minoritarios en la región Ρ, por encima de Ec, es el mismo que
en el equilibrio. Constituyen la corriente de deriva de electrones. El número de electrones en Ν que
tienen energías por encima del Ec de la región Ρ es considerablemente mayor que el equilibrio. Estos
electrones se difundirán a P. Por lo tanto, tenemos una corriente de difusión de electrones a través
de la unión que es mayor que la corriente de deriva causada por los electrones que se mueven de Ρ
a N. De forma análoga, los huecos se difundirán de Ρ a Ν y esta corriente de difusión es mucho
mayor. que la corriente de deriva debido a huecos de Ν a P. En la figura 5.13 se muestra una
ilustración de los movimientos del portador en el diagrama de la banda de energía.

Condiciones con polarización inversa

Cuando se aplica una polarización inversa, las corrientes de deriva no cambian ya que la densidad
de los portadores minoritarios no ha cambiado. La pendiente de la distribución mayoritaria de la
densidad de portadores a través de la unión todavía es muy grande, pero las corrientes debidas a la
difusión son pequeñas debido al menor número de estos portadores, electrones en Ν y huecos en P,
que tienen energías que son mayores que la Ec de Ρ y Ev de Ν respectivamente. Esto se ilustra en la
figura 5.14. Dicho de otro modo, los electrones en Ν y los huecos en Ρ tienen una barrera de energía
más alta que superar, en comparación con las condiciones en equilibrio, de modo que la corriente
neta es negativa. Esta corriente es negativa porque está compuesta por un número mayor de
electrones que cruzan de Ρ a Ν que los que cruzan de Ν a Ρ y, de manera similar, un mayor número
de huecos que cruzan de Ν a Ρ que de Ρ a N, todos en comparación con el equilibrio.
Por lo tanto, la corriente está limitada principalmente por la disponibilidad de portadores minoritarios
generados térmicamente y, de hecho, es independiente de la polarización aplicada para una
polarización inversa aplicada de unas pocas décimas de voltio o más.
Suposiciones para la ecuación ideal del diodo
La expresión que derivaremos para la característica de voltaje de corriente del diodo se etiqueta
como ideal debido a las siguientes suposiciones que se hacen:
1. Los límites de la región de carga espacial representan una unión escalonada desde las regiones
masivas Ρ y Ν.
2.No existen portadores en la región de carga espacial, solo la atraviesan. Esta región consiste
únicamente en impurezas ionizadas.
3.En la mayor parte del diodo, fuera de la región de agotamiento, el semiconductor es neutral. Esto
es válido debido a la conductividad limitada que hace que la caída de voltaje óhmico sea
insignificantemente pequeña.
4. La operación es a una temperatura tal que todos los átomos de impurezas están ionizados.
5. Se hacen contactos óhmicos perfectos en los extremos de las regiones Ρ y Ν. Un contacto óhmico
perfecto es aquel que se supone que tiene resistencia cero y permite un flujo de corriente fácil en
ambas direcciones para que el voltaje a través del contacto sea cero. Como veremos más adelante,
la densidad portadora minoritaria en el contacto óhmico es el valor en equilibrio.
6. Cuando el diodo está polarizado hacia adelante, se supone una inyección baja. Esto significa que
a medida que los electrones de Ν y los huecos de Ρ se inyectan en la región opuesta, la densidad de
los portadores en el límite de la nueva región, donde se convierten en portadores minoritarios, es
mucho más pequeño que la densidad de equilibrio de los portadores mayoritarios en esa región.
7.No se produce recombinación o generación en la región de agotamiento, de modo que tanto la
corriente de electrones como la del hueco son constantes en esta región.
Derivaremos la ecuación del diodo determinando expresiones para las corrientes portadoras
minoritarias en cada una de las regiones neutrales. La suma de las corrientes portadoras minoritarias
en la unión constituye la corriente total.
La razón para usar los portadores minoritarios en cada región se debe a la suposición tres (el campo
eléctrico y, por lo tanto, el voltaje en las regiones neutrales es cero). Esto no es del todo cierto, como
lo determinaremos. Existe un campo eléctrico que causa, a niveles bajos de inyección, corrientes de
deriva portadoras minoritarias insignificantes pero corrientes de deriva portadoras de gran mayoría.
Por lo tanto, las corrientes portadoras minoritarias en la región neutral resultan únicamente de la
difusión. El procedimiento que seguiremos consiste en determinar expresiones para la distribución de
minorías. portadores, sujetos a las condiciones de contorno, a partir de las ecuaciones de
continuidad. Las expresiones para las corrientes portadoras minoritarias se obtendrán en función de
la distancia. Las dos corrientes portadoras minoritarias en los bordes de la capa de agotamiento se
agregarán para obtener la corriente total.
Solución de la ecuación de continuidad
Nos referimos a la ecuación de continuidad, ec. (4.36) para huecos en la región Ν, en una dimensión,
en estado estacionario y reemplace Jp por su componente de difusión, -qDp dp / dx, de modo que

donde p sea la densidad del hueco en x, p0n es la densidad del hueco de equilibrio en N, τρ es la vida
útil de los huecos en la región Ν.
Dejamos que p’ represente el exceso de densidad del hueco, (p-p0n) y la ecuación. (5.31) se
convierte

Para que las expresiones sean menos engorrosas, etiquetaremos el punto xn como nuestro nuevo
punto de referencia, x' = 0, de modo que x' = χ - xn, donde xn y -xp son los límites de región de
agotamiento con voltaje de polarización aplicado en contraste con xn0 y -xp0, que son para el
equilibrio térmico. La solución general a la ecuación. (5.32) se convierte en

donde B1 y B2 son constantes de integración y L P conocida como la longitud de difusión, esta dada
por
La longitud de difusión representa la distancia promedio que los portadores minoritarios en exceso,
huecos en este caso, difunden antes de que se recombinen. Para determinar B1 y B2, necesitamos
dos condiciones de frontera. Que son

El voltaje Vα es el voltaje aplicado y Wn es la distancia en la región desde el borde de la región de

agotamiento hasta el contacto óhmico.
En una sección posterior * indicaremos cómo llegamos a la primera condición límite. La segunda
condición límite indica que al final de la región Ν, el exceso de densidad de portadores (p-p0n) es
cero. En otras palabras, la densidad del hueco adquiere su valor de equilibrio. Esto no se debe a la
recombinación en la mayor parte de la región sino al contacto óhmico al final de la región Ν. Incluso
si el ancho de la región Ν es tan pequeño que no se produce recombinación, la densidad del hueco
en el contacto óhmico será p0n. El contacto óhmico es una superficie de tasa de recombinación muy
alta debido a la gran abundancia de electrones.
Cuando usamos las condiciones de las ecuaciones. (5.35) en la ec. (5.33), obtenemos

Antes de continuar, distingamos dos casos: Wn >> Lp y Wn >> Lp

Remplazando ρ' por (ρ —pon) y x’ por (x - xn), el exceso de densidad de huecos en la región Ν para
cada uno de los dos casos se convierte en *

El exceso de densidad de electrones en la región Ρ, con la condición de que el ancho de la región Ν

sea mucho mayor que Ln, está análogamente dado por

donde n’ es el exceso de densidad de electrones en la región Ρ, η es la densidad electrónica en la

región Ρ, y n0p es el valor de equilibrio de la densidad electrónica en la región Ρ.
Los bocetos de las distribuciones de portadores se muestran en la figura 5.15, donde pn (0) es el
valor de ρ en χ = χη (χ'= 0) y np(0) es el valor de η en χ = -xp (x''= 0). Las relaciones en las
ecuaciones. (5.37) para las portadoras minoritarias, las densidades son válidas en el equilibrio, así
como para polarización directa e inversa. Para polarización inversa, V a es negativo y de la ecuación.
(5.37) el valor de η en χ = xn es cero. Además, cero es el valor de η en χ = -xp.
Cruces que cruzan la unión
Como hemos concluido que las portadoras minoritarias causan solo una corriente de difusión, la
expresión para la densidad de corriente del hueco en Ν se convierte en

Al diferenciar las ecuaciones (5.37) y reemplazar los derivados en la ecuación (5.39), obtenemos

donde Dp, p0n y Lp se refieren a huecos en la región Ν y Wn es la longitud de la región neutral Ν. Una
derivación análoga para la densidad de corriente de electrones en el borde de la capa de transición
en la región da

donde Dn, n0p y Ln se refieren a electrones en la región Ρ, y Wp es la longitud de la región neutral Ρ.

Como hemos supuesto que las corrientes portadoras minoritarias son continuas a través de la capa
de transición, la densidad de corriente total a través de la unión, que también es la densidad de
corriente total en todo el diodo, se convierte en [JP (xn) + Jn (-xp)
La corriente del diodo se convierte
Para un diodo con polarización inversa, con Va negativo, la expresión para la corriente es / = Is,
donde Is es la corriente de saturación inversa dada por

Cuando Wn << Lp, la corriente del hueco, dada por la ecuación (5.40 (b)), es constante en toda la
región Ν. Si también se supone que el ancho de la región Ρ es mucho más pequeño que Ln,
entonces se aplica la expresión de corriente de diodo dada por la ecuación (5.43), excepto que Lp y
Ln se reemplazan por los anchos, Wn y Wp, de las regiones Ν y Ρ respectivamente.
Para un diodo P+N, NA >> ND de modo que n0p << p0n, el segundo término dentro del primer conjunto
de paréntesis en la ecuación. (5.43) y la ecuación. (5.44), se vuelve insignificantemente pequeño en
comparación con el primer término.
Los bocetos de las distribuciones de los componentes actuales se muestran en la figura 5.16.
Asumimos que no hay recombinación en la capa de agotamiento, por lo tanto, las densidades de
corriente portadoras minoritarias en χ = xn para JP y en χ = - xp para Jn tienen los mismos valores en
χ = -xp y χ = xn respectivamente. En la región donde la corriente es transportada por operadores
mayoritarios, obtenemos la densidad de corriente mayoritaria como la diferencia entre la densidad de
corriente total y la densidad de corriente del operador minoritario. La densidad de corriente total en
todo el diodo, J, está determinada por la suma de Jn y Jp en la región de agotamiento.

En el siguiente ejemplo, ilustramos la aplicación de la ecuación (5.43).

El bucle de corriente
En el análisis de las corrientes en el diodo, nos hemos concentrado en la difusión de portadores
minoritarios cuando se aplica una polarización directa al diodo. Naturalmente, el estudiante curioso
preguntará: ¿Qué les sucede a los transportistas una vez fuera de la región de agotamiento, en las
regiones neutrales, en los contactos metálicos y en el circuito exterior? Considere primero un diodo
polarizado hacia adelante con el terminal positivo del batería conectado al contacto metálico de la
región P y el terminal negativo conectado al contacto metálico de la región Ν. El contacto metálico es
una fuente abundante de electrones y, por lo tanto, el contacto metal-semiconductor es un
mecanismo para intercambiar electrones y huecos. Un dibujo del diodo que muestra el movimiento
del portador se muestra en la figura 5.17.
En el lado Ρ, el terminal positivo de la batería extrae electrones para que circulen en los cables
externos al diodo. Los electrones provienen del contacto metálico y estos son reemplazados por
otros electrones del semiconductor Ρ. Esos electrones que se llevaron del contacto de
semiconductores crearon huecos detrás de ellos. Estos huecos viajan al borde de la capa de
agotamiento donde se difunden a la región Ν. En su rápido viaje en la región Ρ, algunos de estos
huecos se recombinan con los electrones portadores minoritarios que se han difundido desde la
región N a través de la capa de agotamiento.
Los huecos que se difunden de Ρ a Ν se recombinan con los electrones suministrados por el
contacto semiconductor metal-N que se había extraído del contacto metálico en la región Ρ. Como
los electrones son portadores mayoritarios en la región Ν, solo unos pocos se recombinarán con
huecos. El resto procederá a la capa de agotamiento para difundirse a la región Ρ.
En la figura 5.16, identificamos Jn en Ρ y JP en Ν como corrientes de difusión portadoras minoritarias.
Obtuvimos la variación de Jn en Ν y JP en Ρ por un método indirecto. La pregunta ¿Cuál es el
mecanismo de conducción por el cual ocurren estas corrientes?
Nos referimos a la sección anterior sobre la ecuación ideal del diodo, en la que asumimos que la
corriente de deriva de los portadores minoritarios en las regiones neutrales era insignificante debido
a la muy baja intensidad del campo eléctrico en esas regiones cuando se supone una baja inyección.
A pesar de la muy pequeña magnitud de la intensidad del campo eléctrico, causas grandes
corrientes de deriva, Jn en Ν y JP en, de los portadores mayoritarios. Las densidades de los
portadores mayoritarios son mucho mayores que las densidades de los portadores minoritarios, de
modo que el producto de la densidad del portador mayoritario y la intensidad del campo eléctrico da
como resultado grandes corrientes de deriva.
Para una polarización inversa, los portadores que cruzan la capa de agotamiento, y como se mostró
en la figura 5.13, son electrones de Ρ a Ν y huecos de Ν a P. Esto contrasta con el diodo polarizado
hacia adelante en el que los electrones se difunden de Ν a Ρ y los huecos de Ρ a N.
Los portadores minoritarios, en polarización inversa, atraviesan la capa de agotamiento (todos caen
por la barrera muy empinada) debido al gran campo eléctrico que se establece.
De los pares de electrones-huecos generados en el lado Ρ de la capa de agotamiento, los
electrones caen en el lado Ν y los huecos migran hacia el contacto semiconductor de metal P para
encontrar los electrones que fueron transportados allí por el voltaje de polarización aplicado. Se
recombinan allí y la densidad del hueco resultante es el valor de equilibrio, mientras que, en el borde
de la capa de agotamiento, la densidad del hueco es cero. Los electrones generados en el lado P
derivan hacia la región Ν, donde migran al contacto metálico y son atraídos hacia el circuito exterior
por el terminal positivo de la batería, que ahora está conectado a la región Ν.
De manera similar, para los pares de electrones-huecos generados en el lado Ν de la capa de
agotamiento, los huecos se desplazan hacia abajo por la colina potencial a través de la capa de
agotamiento hacia el contacto en Ρ y los electrones migran hacia el contacto semiconductor Ν para
ingresar al circuito externo y moverse hacia el contacto semiconductor metal-P.
Corriente de saturación
Las características de voltaje de corriente de los diodos en la dirección directa, sujetas a la
suposición de baja inyección, y para un sesgo directo fijo, están determinadas por la magnitud de la
corriente de saturación inversa dada por la ecuación (5.44). Para dos diodos que tienen densidades
de dopaje idénticas y vidas de portador minoritario idénticas, la corriente depende de las densidades
de portador minoritario y de la movilidad de los portadores minoritarios a través de las constantes de
difusión. Para dos de estos diodos, la corriente depende del intervalo de banda de semiconductores,
la movilidad de los portadores minoritarios y la temperatura.
En la figura 5.18 se muestra una comparación de las características de los diodos de silicio,
germanio y arseniuro de galio que tienen las mismas áreas, las mismas vidas y los mismos dopajes.
La brecha de banda más pequeña del germanio da como resultado una mayor densidad de
portadores intrínsecos, por lo tanto, mayores densidades de portadores minoritarios, p0n y n0p. Esto
provoca un aumento en la corriente de saturación y, por lo tanto, un aumento en las corrientes
directa e inversa. Otra razón para la mayor corriente del diodo de germanio es la mayor movilidad de
los portadores en germanio en comparación con la del silicio, que se evidencia en la constante de
difusión más alta, D, que aparece en las ecuaciones. (5.44)
En contraste con el germanio y el silicio, el arseniuro de galio tiene un valor más pequeño de
densidad de portadores intrínsecos, por lo tanto, densidades de portadores minoritarias más bajas
mientras que tiene una movilidad mucho mayor de electrones. Es la diferencia en los espacios de
banda de los tres materiales lo que explica principalmente las diferencias en las formas de las
características de voltaje de corriente. A temperatura ambiente, la brecha de banda de germanio es
0.67eV y de silicio es 1.12eV, mientras que es 1.42eV para arseniuro de galio. Otro factor importante
que influye en la corriente del diodo es la temperatura. Un aumento de la temperatura de
funcionamiento ejerce los siguientes efectos:
• un aumento de las densidades intrínsecas de los portadores.
• una disminución de los espacios de banda de acuerdo con la Tabla 2.2.
• una disminución de la movilidad.
Los primeros dos efectos causan un aumento en la corriente, mientras que la disminución de la
movilidad disminuye la corriente. El aumento de la temperatura disminuye el valor de la exponencial
en la ecuación. (5.43), lo que resulta en una disminución de la corriente. El resultado neto de todos
los factores es tal que un aumento de temperatura tiende a aumentar la corriente. Este aumento de
corriente podría resultar en inestabilidad ya que la potencia disipada en el diodo actúa, a su vez, para
aumentar aún más la temperatura.
Condición límite en la unión
La expresión para el voltaje incorporado (voltaje de barrera), Vbi, dada por la ecuación (5.15)
relaciona las densidades de los huecos de equilibrio en ambos lados de la región de carga espacial.
Esta dependencia también se obtiene en términos de las densidades de electrones relevantes. La
ecuación (5.15) se puede reescribir como

E
sta expresión se obtuvo para las condiciones de equilibrio donde cada una de las corrientes de
hueco y electrón a través de la unión son cero, haciendo que la corriente de difusión de cada
portadora sea igual y opuesto a la corriente de deriva de ese portador a través de la unión.
Es interesante calcular utilizando los datos del Ejemplo 5.2, las magnitudes de las corrientes de
difusión en equilibrio. Las magnitudes de las densidades de corriente de difusión de huecos y
electrones a través de la región de agotamiento, suponiendo lineal Las distribuciones de huecos y
electrones son

donde W es el ancho de La región de carga espacial y los valores de las densidades de los
portadores son los que se encuentran en los bordes de la región.
DESTACADOS
• En un diodo PN en equilibrio térmico, se genera un voltaje incorporado en la unión que hace que N
sea positivo con respecto a P. En consecuencia, los componentes de deriva para cada una de las
corrientes de electrones y huecos están equilibrados por corrientes de difusión iguales y opuestas.
para que cada una de las corrientes de electrones y huecos sean cero.
• Cuando se aplica un voltaje que hace que Ρ sea positivo con respecto a N, la carga en la región de
agotamiento se reduce, el campo eléctrico se reduce, y también el voltaje a través de él. Se dice que
el diodo está polarizado hacia adelante.
• Con polarización directa, la densidad del hueco en Ν en el borde de la capa de agotamiento
aumenta y se establece un gradiente de hueco en toda la región Ν. Análogamente, los electrones en
Ρ tienen una distribución similar. Como resultado de los gradientes de huecos en Ν y electrones en
P, los huecos se difunden en Ν y los electrones se difunden en P.
• Para determinar la relación analítica de la corriente en un diodo, se requieren expresiones para el
hueco y las corrientes de difusión de electrones en el borde de las regiones Ν y Ρ respectivamente.
Las expresiones para las corrientes de difusión se obtienen a partir del conocimiento de las
distribuciones de portadores minoritarios en ambas regiones y estas distribuciones se determinan a
partir de una solución de las ecuaciones de continuidad para estos portadores.
• La suma de la corriente de difusión del hueco en el borde de la capa de agotamiento en Ν y la
corriente de difusión de electrones en el borde de la capa de agotamiento en Ρ da como resultado la
ecuación exponencial I-V.
• Cuando el voltaje que se aplica al diodo se conecta para hacer Ν positivo con respecto a Ρ
(polarización inversa), el voltaje a través de la capa de agotamiento aumenta, el campo eléctrico
aumenta y la barrera de energía aumenta, lo que dificulta a los huecos ir de Ρ a Ν y los electrones
para cruzar de Ν a P. Se hace fácil para los electrones en Ρ y los huecos en Ν cruzar a la otra
región. Por lo tanto, se produce una corriente muy pequeña, opuesta en dirección, a la corriente
causada por la polarización directo.
Es bastante evidente que las corrientes de difusión en equilibrio son muchos órdenes de magnitud
mayores que las de polarización directa para baja inyección. Se deduce que las corrientes de deriva
en equilibrio tienen valores que son mucho más grandes que las corrientes en polarización directa.
Por lo tanto, los valores de las corrientes de difusión calculados en polarización directa representan
la diferencia entre los componentes de gran difusión y deriva.
Usando los resultados y conclusiones de esta sección, verificaremos la condición de frontera que
usamos en la ecuación (5.35), es decir, que

donde p' (0) = (p (0) - p0n) es el exceso de densidad de huecos en Ν en el borde de la región de
carga espacial. La suposición de inyección de bajo nivel ha dado como resultado una corriente de
hueco a través de la unión que es la diferencia entre dos componentes de corriente de hueco grande
en equilibrio, a saber, Jn (deriva) y Jp (difusión).
La ecuación (5.15) se derivó suponiendo, en la ecuación. (5.12), que en equilibrio las corrientes de
deriva y difusión son iguales. Dado que esa suposición también es válida en polarización directa e
inversa, reemplazamos Vbi (en equilibrio) en la ecuación (5.15) por (Vbi -V) para que la ecuación
(5.15) pueda reescribirse de modo que

Dado que

de la ecuación (5.15), tenemos

El valor de la densidad del hueco en Ρ en el borde de la capa de agotamiento es, a todos los efectos
prácticos, /? 0p a baja inyección. Entonces, p (-xp) = p0p y de la ecuación (5.49)

El exceso de densidad de orificios en χ = xn, p '(0) es p (0) - p0n, por lo que podemos escribir

Se puede obtener una relación similar para los electrones en la región Ρ. En el próximo capítulo,
compararemos las características reales del diodo con las descritas por las relaciones derivadas
aquí. Luego discutiremos las causas de las desviaciones entre los dos.
Ecuación general para la distribución de huecos en la región Ν del diodo de unión PN