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    Mapa de Transistores

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    El documento habla sobre tres tipos de transistores: UJT, JFET y MOSFET. El UJT o transistor uniuníón consta de una barra de silicio tipo N con terminales base 1 y base 2. Los JFET fueron propuestos por Schockley en 1952 y su funcionamiento se basa en el control del paso de corriente aplicando un campo a la puerta. Los MOSFET tienen una estructura de metal, óxido semiconductor donde el control de corriente se realiza a través de un contacto separado del semiconductor por una capa aislante de óxido de silicio.

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    El documento habla sobre tres tipos de transistores: UJT, JFET y MOSFET. El UJT o transistor uniuníón consta de una barra de silicio tipo N con terminales base 1 y base 2. Los JFET fueron propuestos por Schockley en 1952 y su funcionamiento se basa en el control del paso de corriente aplicando un campo a la puerta. Los MOSFET tienen una estructura de metal, óxido semiconductor donde el control de corriente se realiza a través de un contacto separado del semiconductor por una capa aislante de óxido de silicio.

    Descripción original:

    transistores

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    El documento habla sobre tres tipos de transistores: UJT, JFET y MOSFET. El UJT o transistor uniuníón consta de una barra de silicio tipo N con terminales base 1 y base 2. Los JFET fueron propuestos por Schockley en 1952 y su funcionamiento se basa en el control del paso de corriente aplicando un campo a la puerta. Los MOSFET tienen una estructura de metal, óxido semiconductor donde el control de corriente se realiza a través de un contacto separado del semiconductor por una capa aislante de óxido de silicio.

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    El nombre UJT proviene de las siglas inglesas

    de Unijunction Transistor (transistor


    uniuníón),

    UJT

    Con las que se designa un elemento Esta barra de silicio consta de un grado de
    compuesto de una barra de silicio tipo N de dopado característico que le proporciona una
    cuyos extremos se obtienen los terminales resistencia llamada resistencia interbases
    base 2 (B2) Y base 1 (BI). (RBB)

    Los transistores de efecto campo de unión


    (JFET) fueron primero propuestos por
    Schockley en 1952

    TRANSISTORES JFET

    Los JFET utilizados en circuitos integrados


    normalmente se fabrican siguiendo la
    Y su funcionamiento se basa en el control del
    tecnología planar (véase cap. XIII), según la
    paso de la corriente por el campo aplicado a
    cual el semiconductor está formado por una
    la puerta, constituida por una o varias
    capa de carácter n (capa epitaxial) depositada
    uniones p-n polarizadas en inverso.
    sobre un substrato de silicio u otro
    semiconductor

    Las siglas MOSFET corresponden a la TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO


    descripción de su estructura METAL OXIDO SEMICONDUCTOR.

    MOSFET

    En los que el control de la corriente a través


    del semiconductor se realiza mediante un Este tipo de transistores se utiliza
    contacto separado del semiconductor por una preferentemente en la electrónica digital.
    capa aislante (normalmente, óxido de silicio).

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