Anogic Team

INSTITUTO TECNOLÓGICO DE ORIZABA
DEPARTAMENTO DE INGENIERÍA ELÉCTRICA-ELECTRÓNICA

(ÁREA ELECTRÓNICA)
Es particularmente importante observar que todas las ecuaciones anteriores son ¡solo para
el dispositivo! Estas no cambian con cada configuración de red, siempre y cuando el dispositivo se
encuentre en la región activa. La red sólo define el nivel de corriente y el voltaje asociado de
operación por medio de su propio conjunto de ecuaciones.
Una forma fácil de polarizar un FET es mediante el empleo de dos fuentes de alimentación
VDD y VGG, pero evidentemente no es la más adecuada por tener que utilizar dos fuentes y porque
además las características de todo FET ofrecen variaciones entre sus valores máximos y mínimos.
Por estas razones, se procura emplear circuitos cuya polarización sea válida para transistores FET
del mismo tipo, pero con diferencias en sus características.
En general, cualquier forma de polarización ha de conseguir hacer positivo al drenador

frente al surtidor o fuente, y negativa a la fuente frente a la misma terminal, para un FET de canal n.
Las formas elementales son las que se expresan a continuación.
2.2 Configuración de polarización fija.
Esta se muestra en la figura 2.2.1, la cual es una de las pocas configuraciones a FET que
pueden resolverse directamente tanto con un método matemático como con un gráfico.
VDD
RD
D Vo
C2
G
Vi
C1
RG S
VGG
Figura 2.2.1 Configuración de polarización fija.
M. C. Fernando Vera Monterrosas 33


La configuración de la figura 2.2.1 incluye los niveles de ac Vi y Vo y los capacitores de
acoplamiento (C1 y C2). Hay que recordar que los capacitores de acoplamiento son “circuitos
abiertos” para el análisis dc. La resistencia RG está presente para asegurarse que Vi aparezca en la
entrada del amplificador a FET, para el análisis de ac. Para el análisis en dc,
IG ≅ 0A
y VRG = I G RG = (0 A)RG = 0 V
La caída de voltaje de cero volts a través de RG permite reemplazar VG por un corto circuito
equivalente, tal como aparece en la figura 2.2.2.
VDD
RD
G VDS
VGS
S
VGG
Figura 2.2.2 Configuración de polarización fija para el análisis en dc.
Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff en la malla compuerta (G) – fuente (S) se tiene,
VGG + VGS = 0
y VGS = −VGG Ec. 2.2.1
Debido a que VGG es una fuente fija de dc, el voltaje VGS es de magnitud fija, de aquí el
nombre “configuración de polarización fija”.


El nivel resultante de corriente de drenaje ID lo controla la ecuación de Shockley,
2
 V 
I D = I DSS 1 − GS 
 V 
 ( P )GS 
y ya que VGS resulta una cantidad fija para esta configuración, su magnitud y signo se pueden
sustituir con facilidad en la ecuación de Shockley, además de calcular el nivel resultante de VD.
El voltaje del drenaje a la fuente de la sección de salida puede calcularse aplicando la ley de
voltaje de Kirchhoff como sigue,
− VDD + RD I D + VDS = 0
y VDS = VDD − RD I D Ec. 2.2.2
Del diagrama de la figura 2.2.2,
VS = 0 V Ec. 2.2.3
VDS = VD − VS
o VD = VDS + VS = VDS + 0 V
y VD = VDS Ec. 2.2.4
Además, VGS = VG − VS
o VG = VGS + VS = VGS + 0 V
y VG = VGS Ec. 2.2.5
Este es uno de los pocos casos en que una solución matemática es muy directa para una
configuración a FET.
En la figura 2.2.3 se muestra un análisis grafico que hubiera requerido una gráfica de la
ecuación de Shockley. La curva de transferencia puede trazarse con un nivel satisfactorio de
precisión utilizando los cuatro puntos definidos en la tabla 1.3.1 del capítulo anterior.


/ -/ 01 I DSS
/ -/ 0
Bnqqhdmsd cd cqdm` cnq

/ -/ / 7
/ -/ / 5 0.3VP, 0.5IDSS
/ -/ / 3
0.5VP, 0.25IDSS
/ -/ / 1
/
,6 ,5 ,4 ,3 ,2 ,1 ,0 /
U Unks` id bnl ot dqs` et dmsd
O
Figura 2.2.3 Gráfica de la ecuación de Shockley.
En la figura 2.2.4, el nivel de VGS es de – VGG; el nivel de ID simplemente debe estar

determinado en esta línea vertical. El punto donde se interceptan ambas curvas es la solución común
para la configuración, y se conoce como el punto de operación estable.
/ -/ 01 I DSS
/ -/ 0
Red
/ -/ / 7
(
Q VGS , I DQ Q
)
/ -/ / 5 0.3VP, 0.5IDSS
Dispositivo
/ -/ / 3
0.5VP, 0.25IDSS
/ -/ / 1
/
,6 ,5 ,4 ,3 ,2 ,1 ,0 /
U Unks` id bnl ot dqs` et dmsd
O
Figura 2.2.4 Gráfica de la solución para la configuración de polarización fija.


Ejemplo 2.2.1: Para el circuito de la figura 2.2.5 determine:
a) VGSQ , b) I DQ , c) VDS , d ) VD , e) VG , f ) VS .
IDSS = 10 mA
G VP = -8 V
+
VGS – S
Figura 2.2.5 FET canal n en configuración de polarización fija para el ejemplo 2.2.1.
Solución por el método matemático:
a) VGSQ = −VGG = −2 V
2
 V  − 2V 
2
b) I DQ = I DSS 1 − GS  = 10 mA1 −  = 5.625 mA

 VP   − 8 V 
c) VDS = VDD − RD I D = 16 V − (5.625 mA)(2 kΩ ) = 4.75 V
d) VD = VDS = 4.75 V
e) VG = VGS = −2 V
f) VS = 0 V


Solución por el método gráfico:
Los puntos a graficar de acuerdo con la ecuación de Shockley se muestran en la tabla

2.2.1.
Tabla 2.2.1 Puntos para graficar la curva de transferencia para VP = - 8 V e IDSS = 10 mA.
VGS VGS (Volts) ID ID (mA)
0 0 IDSS 10
0.3 VP - 2.4 0.5 IDSS 5
0.5 VP - 4.0 0.25 IDSS 2.5
VP -8.0 0 0
Puesto que VGSQ = −VGG = −2 V para cualquier valor de ID, se tiene como resultado la
gráfica de la figura 2.2.6.
/ -/ 0 IDSS
/ -/ / 8
/ -/ / 7
/ -/ / 6
/ -/ / 5 Q
/ -/ / 4
/ -/ / 3
/ -/ / 2
/ -/ / 1
/ -/ / 0
/
,7 ,6 ,5 ,4 ,3 ,2 ,1 ,0 /
VP Unks` id bnl ot dqs` et dmsd
Figura 2.2.6 Solución gráfica para el FET canal n en configuración de polarización fija del ejemplo 2.2.1.
a) VGSQ = −VGG = −2 V
b) I DQ = 5.6 mA


c) VDS = VDD − RD I D = 16 V − (5.6 mA)(2 kΩ ) = 4.8 V
d) VD = VDS = 4.8 V
e) VG = VGS = −2 V
f) VS = 0 V
2.3 Configuración de autopolarización por resistencia de fuente.
La configuración de autopolarización elimina la necesidad de dos fuentes de dc. El voltaje

de control de la compuerta a la fuente ahora lo determina el voltaje a través de la resistencia RS, que
se conecta en la terminal de la fuente de la configuración como se muestra en la figura 2.3.1.
VDD
RD ID
G
+ VGS
– S
RG
RS
Figura 2.3.1 FET canal n en configuración de autopolarización.
IG = 0A
y VRG = I G RG = (0 A)RG = 0 V


La corriente a través de RS es la corriente de la fuente IS, pero IS = ID y
V RS = I D R S
Para la malla compuerta – fuente de la figura 2.3.1 se tiene que
− VRG − VGS − VRS = 0
y VGS = −VRS
o VGS = − I D RS Ec. 2.3.1
VGS es una función de la corriente de salida ID, y no fija en magnitud, como ocurrió para la
configuración de polarización fija. El principal inconveniente radica en que la variación de la curva
de transferencia de un FET a otro provoca variaciones importantes del punto Q, como se muestra en
la gráfica de la figura 2.3.2, donde la curva inferior corresponde a los valores mínimos y la superior
a los máximos de los garantizados por el fabricante, para un mismo tipo de FET: luego, cualquiera
comprendida entre ellas será válida.
/ -/ 01
/ -/ 0
/ -/ / 7 RS
/ -/ / 5
Q2
/ -/ / 3
Q1
/ -/ / 1
/
,7 ,6 ,5 ,4 ,3 ,2 ,1 ,0 /
Unks` id bnl ot dqs` et dmsd
Figura 2.3.2 Curvas de transferencia de un FET canal n máxima y mínima.


La recta de polarización está determinada por el valor de RS, así en la gráfica de la figura
2.3.3, RS1 < RS 2 < RS 3 , y cada valor de RS determina una recta de polarización (de carga) y, por
tanto, puntos de operación Q distintos.
/ -/ 01
/ -/ 0
RS1
RS2
/ -/ / 7
R S3 Q1
/ -/ / 5
Q2
/ -/ / 3
Q3
/ -/ / 1
/
,0/ ,7 ,5 ,3 ,1 /
Figura 2.3.3 Puntos de operación de un FET canal n con diferentes valores de RS.
La ecuación 2.3.1 (ecuación de la recta de carga) está definida por la configuración de la

red, y la ecuación de Shockley relaciona las cantidades de entrada y de salida del dispositivo. Ambas
ecuaciones relacionan las mismas dos variables, y permiten tanto una solución matemática como
gráfica.
Puede conseguirse una solución matemática mediante la simple sustitución de la ecuación

2.3.1 en la ecuación de Shockley como se muestra a continuación:
2 2 2
 V   − I D RS   I R 
I D = I DSS 1 − GS  = I DSS 1 −  = I DSS 1 + D S 
 VP   VP   VP 
 I R 
2

I D = I DSS 1 + 2 D S +  D S 
I R

 VP  VP  
 


2
I D RS I R 
I D = I DSS + 2 I DSS + I DSS  D S 
VP  VP 
2
   
ID
2
(I DSS ) RS R
 + I D  2 I DSS S − 1 + I DSS = 0
 VP   VP 
Puede resolverse la ecuación cuadrática y obtener la solución adecuada de ID.
La secuencia anterior define el método matemático. El método gráfico requiere que primero
se establezcan la características de transferencia del dispositivo. Debido a que la ecuación 2.3.1
define una línea recta en la misma grafica, primero se identifican dos puntos sobre la grafica que se
localizan sobre la línea y simplemente se dibuja una línea recta entre ambos puntos. La condición
más obvia de aplicación es ID = 0 A, ya que da por resultado VGS = – IDRS = 0 V. El segundo punto
para la ecuación 2.3.1 requiere de la selección de un nivel de VGS o de ID y calcular el valor
correspondiente de la otra cantidad. Los niveles resultantes de ID y de VGS después definirán otro
punto sobre la línea recta y permitirán un dibujo real de dicha línea. Suponga, por ejemplo, que
selecciona un nivel de ID igual a la mitad del nivel de saturación, esto es,
I DSS
ID =
2
luego,
I DSS RS
VGS = − I D RS = −
2
La figura 2.3.4 muestra la gráfica de transferencia del dispositivo así como la recta de carga
a partir de los dos puntos analizados con anterioridad, el punto de operación se encuentra en la
intersección de ambas. Los valores estáticos de ID y de VGS pueden entonces determinarse y
utilizarse para encontrar las otras cantidades de interés.


/ -/ 01 IDSS
/ -/ 0
/ -/ / 7
I DSS
/ -/ / 5
2
Q
/ -/ / 3
/ -/ / 1
I DSS R S
−
2
/
,8 ,7 ,6 ,5 ,4 ,3 ,2 ,1 ,0 /
VP Unks` id bnl ot dqs` et dmsd
Figura 2.3.4 Punto de operación de un FET canal n en configuración de autopolarización.
Puede calcularse el valor de VDS si se aplica la ley de voltajes de Kirchhoff al circuito de

salida, lo que da por resultado,
VRS + VDS + VRD − VDD = 0
y VDS = VDD − VRS − V RD = VDD − I S RS − I D RD
pero ID = IS
y VDS = VDD − I D (RS + RD ) Ec. 2.3.2
Además:
VS = I D RS Ec. 2.3.3
VG = 0 V Ec. 2.3.4
y VD = V DS + VS = VDD − VRD Ec. 2.3.5
A la hora de calcular el circuito de polarización se habrá de proceder eligiendo sobre la

curva de transferencia el valor de VGS correspondiente a la ID requerida para las condiciones de
diseño. Posteriormente, se busca RS de la forma:


VGS
RS = − Ec. 2.3.6
ID
Cuando se trata de situar el punto de operación en las proximidades del punto medio de la
curva, es válida la ecuación
V( P )GS
RS = − Ec. 2.3.7
I DSS
Ejemplo 2.3.1: Determine los valores de VGS e ID en el circuito de la figura 2.3.5. Además
calcule el valor de VDS.
VDD = 24 V
RD = 6.2 kΩ ID
IDSS = 10 mA
G VP = – 4 V
+ VGS
– S
RG = 1 MΩ
RS = 1.5 kΩ
Figura 2.3.5 Circuito de polarización del FET de canal n para el ejemplo 2.3.1.

2.3.1.


0 0 IDSS 10
0.3 VP - 1.2 0.5 IDSS 5
0.5 VP - 2.0 0.25 IDSS 2.5
VP -4.0 0 0
Para graficar la línea de autopolarización se usa VGS = − I D RS , la tabla 2.3.2 muestra los
dos puntos a utilizar,
Tabla 2.3.2 Puntos para graficar la recta de carga del ejemplo 2.3.1.
ID ID (mA) VGS VGS (Volts)
0 0 0 0
I DSS I DSS RS
5 − – 7.5
2 2
Al graficar los resultados obtenidos en ambas tablas se tiene como resultado la gráfica de la
figura 2.3.6.
/ -/ 0 IDSS
/ -/ / 8
/ -/ / 7
/ -/ / 6
/ -/ / 5
/ -/ / 4
/ -/ / 3
/ -/ / 2
/ -/ / 1
Q I DQ = 1.6 mA
/ -/ / 0
VP
/
,6 ,5 ,4 ,3 ,2 ,1 ,0 /
VGS Q = −2.4 V
Figura 2.3.6 Punto de operación obtenido para el ejemplo 2.3.1.


Obteniendo los demás valores de interés se tiene,
VD = VDD − I D RD = 24 V − (1.6 mA)(6.2 kΩ ) = 14.08 V
VS = I D RS = (1.6 mA)(1.5 kΩ ) = 2.4 V
VDS = VD − VS = 14.08 V − 2.4 V = 11.68 V
Ejemplo 2.3.2: Determine el intervalo de valores de RS que haga posible una polarización
de cd entre I DSS e I DSS en el circuito de la figura 2.3.5.

2 4
Primero se calculan los valores de ID que resultan de los datos anteriores.
I DSS 10 mA
I D1 = = = 5 mA
2 2
I DSS 10 mA
I D2 = = = 2.5 mA
4 4
Empleando ahora los datos de la tabla 2.3.1 se obtiene la gráfica de transferencia del FET
que se presentó en la figura 2.3.6.
Para obtener las líneas de polarización (rectas de carga) se traza una línea horizontal desde
los valores de I D1 e I D2 hasta tocar la curva de transferencia y se unen estos puntos con el punto
(0, 0). Para obtener los valores de RS se determinan los valores de VGS asociados a las ID, esto se
logra trazando rectas verticales a partir de los cruces de la curva característica con las ID hasta
cruzare el eje x, tal como se muestra en la figura 2.3.7. Finalmente se emplea la ecuación 2.3.6. para
obtener los rangos de valores de RS.


/ -/ 0
/ -/ / 8
/ -/ / 7
RS1
/ -/ / 6
/ -/ / 5
/ -/ / 4 Q1
RS 2
/ -/ / 3
/ -/ / 2
Q2
/ -/ / 1
/ -/ / 0
/
,4 ,3-4 ,3 ,2-4 ,2 ,1-4 ,1 ,0-4 ,0 ,/ -4 /
Figura 2.3.7 Puntos de operación obtenidos para el ejemplo 2.3.2.
VGSQ1 − 1.2 V
RS1 I DSS =− =− = 240 Ω
2
I D1 5 mA
VGSQ 2 − 2V
RS2 I DSS =− =− = 800 Ω
4
I D2 2.5 mA
Manteniendo los valores de RS entre 240 Ω y 800 Ω se polarizará al circuito para valores de
ID entre 2.5 mA y 5 mA, como se deseaba.
Se puede observar en la figura 2.3.7 que valores pequeños de RS acercan la recta de carga
de la red hacia el eje ID, mientras que los valores altos de RS acercan la recta de carga de la red hacia
el eje VGS.
calcule el valor de VDS.


VDD = 16 V
RD = 2.2 kΩ ID
IDSS = 9 mA
G VP = – 4.5 V
+ VGS
– S
RG = 1.8 MΩ
RS = 560 Ω
Figura 2.3.8 Circuito de polarización del FET de canal n para el ejemplo 2.3.3.

2.3.3.
Tabla 2.3.3 Puntos para graficar la curva de transferencia para VP = - 4.5 V e IDSS = 9 mA.
0 0 IDSS 9
0.3 VP - 1.35 0.5 IDSS 4.5
0.5 VP - 2.25 0.25 IDSS 2.25
VP -4.5 0 0


0 0 0 0
I DSS I DSS RS
4.5 − – 2.52
2 2
figura 2.3.9.
,2
w 0/
8 IDSS
6
2 Q I DQ = 3.2 mA
VP
/
,4 ,3-4 ,3 ,2-4 ,2 ,1-4 ,1 ,0-4 ,0 ,/ -4 /
VGS Q = −1.8 V
VS = I D RS = (3.2 mA)(560 Ω ) = 1.792 V
VDS = VD − VS = 8.96 V − 1.792 V = 7.168 V


2.4 Configuración de polarización por divisor de voltaje.
Esta configuración se muestra en la figura 2.4.1a, para el análisis en dc se redibuja el

circuito tal como se aprecia en la figura 2.4.1b.
VDD
VDD VDD VDD
RD RD
R1 R1 R1
ID
IG ≅ 0 A
VG
+ VGS IS
–
+
+ +
R2 RS R2 R2 RS
VG V RS
– – –
(a) (b)
Figura 2.4.1 a) Circuito de polarización por divisor de voltaje, b) Diagrama del circuito para su análisis en cd.
Se puede observar como la fuente VDD se separó en dos fuentes equivalentes con el único
objeto de visualizar mejor las mallas de entrada y salida del circuito. Debido a que IG ≅ 0 A,
R2VDD
VG = Ec. 2.4.1
R1 + R2
Aplicando ahora, la ley de voltaje de Kirchhoff en la malla compuerta(G) – fuente (S), se

obtiene
− VG + VGS + VRS = 0


y VGS = VG − VRS Ec. 2.4.2
además, como VRS = I S RS = I D RS , se tiene
VGS = VG − I D RS Ec. 2.4.3
Este resultado es una ecuación que todavía incluye las mismas variables que aparecen en la
ecuación de Shockley: VGS e I D . Los valores de VG y RS son fijos por la construcción de la red. La
ecuación 2.4.3 es la recta de carga, pero el origen ya no es un punto de esta.
Los dos puntos necesarios para graficar la recta se mediante el siguiente procedimiento:
a) De la ecuación 2.4.3, y haciendo I D = 0 mA ,
VGS = VG − I D RS
VGS = VG − (0 mA)RS
VGS = VG I D = 0 mA Ec. 2.4.4
b) De la ecuación 2.4.3, y haciendo VGS = 0 V ,
VGS = VG − I D RS
0 V = VG − I D R S
VG
ID = Ec. 2.4.5
RS
VGS = 0 V


Los dos puntos definidos permiten dibujar una línea recta con objeto de representar la
ecuación 2.4.3. La intersección de la línea recta con la curva de transferencia en la región a la
izquierda del eje vertical definirá el punto de operación y los niveles correspondientes de I D y VGS .
Esto se representa en la gráfica de la figura 2.4.2.

-3
x 10
8
IDSS
7
6
Q
(b)
4
VP (a)
0 VG
-6 -5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3
Figura 2.4.2 Curva de transferencia, recta de carga y punto de operación de un circuito polarizado por divisor de voltaje.
Este tipo de polarización reduce el efecto de variación del punto de operación estática
cuando varía la curva de transferencia, es decir, es más estable que el anterior. En la gráfica de la
figura 2.4.3 se puede apreciar la variación de la condición de reposo, debido a que la pendiente de la
recta es pequeña esta variación es mucho menor.
Debido a que la intersección sobre el eje vertical se calcula mediante I D = VG RS y VG está
fijo debido a la malla de entrada, los valores mayores de RS reducirán el nivel de la intersección
I D como se muestra en la figura 2.4.4. Parece muy obvio a partir de la figura 2.4.4 que:
Cuando aumentan los valores de RS dan por resultado valores menores estables de I D ,
así como valores más negativos de VGS .


,2
w 0/
7

4
1
Q1
Q2
0
/
,5 ,4 ,3 ,2 ,1 ,0 / 0 1 2 3 4
Figura 2.4.3 Punto de operación cuando varía la curva de transferencia del FET.
,2
w 0/
7
6 RS 2
5
4 Q
2 RS1
1
Q
0
RS1 > RS 2
/
,5 ,4 ,3 ,2 ,1 ,0 / 0 1 2 3 4
Figura 2.4.4 Efecto de R S sobre el punto de operación.
Una vez que se han calculado los valores estables de I DQ y de VGS Q , el análisis restante de
la red puede desarrollarse de la manera usual. Esto es,


VDS = VDD − I D (RS + RD ) Ec. 2.4.6
VD = VDS + VS = VDD − VRD = VDD − I D RD Ec. 2.4.7
VS = I D RS Ec. 2.4.8
VDD
I R1 = I R2 = Ec. 2.4.9
R1 + R2
calcule el valor de VD, VS y VDS.
VDD = 16 V
RD = 2.4 kΩ ID
R1 = 2.1 MΩ
IDSS = 8 mA
VP = – 4 V
R2 = 270 kΩ RS = 1.5 kΩ
Figura 2.4.5 Circuito de polarización del FET para el ejemplo 2.4.1.

2.4.1.


0 0 IDSS 8
0.3 VP - 1.2 0.5 IDSS 4
0.5 VP -2 0.25 IDSS 2
VP -4 0 0
El voltaje de compuerta se calcula a partir de la ecuación 2.4.1.
VG =
R2VDD
=
(270 kΩ )(16 V ) = 1.82 V
R1 + R2 2.1 MΩ + 270 kΩ
Para graficar la línea de autopolarización se usa VGS = VG − I D RS , la tabla 2.4.2 muestra los
0 0 VG 1.82
I DSS I DSS RS
4 VG − – 4.18
2 2
figura 2.4.6, en donde:
I DQ = 2.4 mA y VGS Q = −1.8 V
VS = I D RS = (2.4 mA)(1.5 kΩ ) = 3.6 V
VDS = VD − VS = 10.24 V − 3.6 V = 6.64 V


,2
w 0/
7
IDSS
6

4
Q I DQ = 2.4 mA
1
/
VP VG = 1.82 V
,4 ,3 ,2 ,1 ,0 / 0 1
Unks` id bnl ot dqs` et dmsd VGS Q = −1.8 V
VDD = 15 V
RD = 820 Ω ID
R1 = 100 MΩ
IDSS = 8 mA
VP = – 6 V
R2 = 51 MΩ RS = 750 Ω



2.4.3.
0 0 IDSS 8
0.3 VP - 1.8 0.5 IDSS 4
0.5 VP -3 0.25 IDSS 2
VP -6 0 0
VG =
R2VDD
=
(51 MΩ)(15 V ) = 5.07 V
R1 + R2 100 MΩ + 51 MΩ
Para graficar la línea de autopolarización se usa VGS = VG − I D RS , la tabla 2.4.4 muestra los
0 0 VG 5.07
I DSS I DSS RS
4 VG − 2.07
2 2
I DQ = 7.2 mA y VGS Q = −0.32 V


,2
w 0/ IDSS
7
6 Q I DQ = 7.2 mA

4
0
VGS Q = −0.32 V
/
VP VG = 5.07 V
,5 ,4 ,3 ,2 ,1 ,0 / 0 1 2 3 4 5
VD = VDD − I D RD = 15 V − (7.2 mA)(820.Ω ) = 9.1V
VS = I D RS = (7.2 mA)(0.75 kΩ ) = 5.4 V
VDS = VD − VS = 9.1V − 5.4 V = 3.7 V
2.5 Polarización del FET de canal p.
Para los FET de canal p se necesita una imagen de espejo de las curvas de transferencia y se
invierten las direcciones definidas de corriente, como se muestra en las figuras 2.5.1 a 2.5.4, para los
tipos de FET mostrados.


– VDD
RD
ID
+
VDS
+ VGS –
–
IS
RS
Figura 2.5.1 FET de canal p autopolarizado.
,2
w 0/
IDSS 3
2-4
2
1-4
0-4
Q
0
/ -4
VP
/
/ / -4 0 0-4 1 1-4 2 2-4 3
Figura 2.5.2 Curva de transferencia del FET de canal p autopolarizado.


– VDD
RD ID
R1
+
VDS
+ VGS –
–
R2
RS IS
Figura 2.5.3 FET de canal p polarizado por divisor de voltaje.
,2
w 0/
IDSS 3
2-4
2
1-4
Q
0-4
/ -4
VG VP
/
,2 ,1 ,0 / 0 1 2 3
Figura 2.5.4 Curva de transferencia del FET de canal p polarizado por divisor de voltaje.


Se observa en las configuraciones de las figuras 2.5.1 y 2.5.3 que cada voltaje de la fuente
de alimentación es un voltaje negativo que consume corriente en la dirección indicada. En particular,
se observa que continúa la notación de doble subíndice para los voltajes tal como se definió para el
dispositivo de canal n: VGS, VDS, y así sucesivamente. Sin embargo, en este caso VGS es positivo y
VDS negativo.
Debido a las similitudes entre el análisis de los dispositivos de canal n y de canal p, puede
asumirse como un dispositivo de canal n con una fuente inversa de voltaje y desarrollar el análisis
completo. Cuando se obtienen los resultados, estará correcta la magnitud de cada cantidad, aunque
la dirección de la corriente y la polarización del voltaje tendrán que invertirse. El ejemplo 2.5.1
demostrará que con la experiencia que se ha logrado a través de los dispositivos de canal n es
bastante directo el análisis de los dispositivos de canal p.
VDD = – 20 V
RD = 2.7 kΩ ID
R1 = 68 kΩ
IDSS = 8 mA
VP = 4 V
R2 = 20 kΩ
RS = 1.8 kΩ



2.5.1.
Tabla 2.5.1 Puntos para graficar la curva de transferencia para VP = 4 V e IDSS = 8 mA.
0 0 IDSS 8
0.3 VP 1.2 0.5 IDSS 4
0.5 VP 2 0.25 IDSS 2
VP 4 0 0
VG =
R2VDD
=
(20 kΩ )(− 20 V ) = −4.545 V
R1 + R2 20 kΩ + 68 kΩ
Para graficar la línea de autopolarización se usa VGS = VG + I D RS , la tabla 2.5.2 muestra los
0 0 VG – 4.545
I DSS I DSS RS
4 VG + 2.655
2 2
I DQ = 3.4 mA y VGS Q = 1.4 V


,2
w 0/ IDSS
7

4
3
I DQ = 3.4 mA
Q
2
VP
/
,4 ,3 ,2 ,1 ,0 / 0 1 2 3 4
VG = 4.545 V VGS Q = 1.4 V

VD = −VDD + I D RD = −20 V + (3.4 mA)(2.7 kΩ ) = −10.82 V
VS = − I D RS = −(3.4 mA)(1.8 kΩ ) = −6.12 V
VDS = VD − VS = −10.82 V + 6.12 V = −4.7 V
2.6 Circuitos de polarización con BJT Y FET.
Es fundamental entender que el análisis sólo requiere que primero se estudie el dispositivo
que proporcionará un voltaje o un nivel de corriente en las terminales. Luego, se calculan otras
cantidades y se debe concentrarse en las incógnitas restantes. Estos son, por lo general problemas
que resultan interesantes, debido al reto que implica encontrar la entrada y luego hallar las


cantidades importantes de cada dispositivo. Las ecuaciones y relaciones que se necesitan sólo son
las que hasta ahora se han utilizado.
Ejemplo 2.6.1: Determine los niveles de VD y VC en el circuito de la figura 2.6.1.
VCC = 16 V
2.7 kΩ
VD
82 kΩ
IDSS = 12 mA
VP = – 6 V
1 MΩ VC
β =180
24 kΩ
1.6 kΩ
Figura 2.6.1 Circuito de polarización con BJT y FET para el ejemplo 2.6.1.
VB =
(24 kΩ )(16 V ) = 3.62 V
82 kΩ + 24 kΩ
VE = VB − VBE = 3.62 V − 0.7 V = 2.92 V


VRE VE 2.92 V
IE = = = = 1.825 mA
RE RE 1.6 kΩ
I C ≅ I E = 1.825 mA
Para esta configuración en particular,
I D = IS = IC
y VD = 16 V − I D (2.7 kΩ ) = 16 V − (1.825 mA)(2.7 kΩ ) = 16 V − 4.93 V = 11.07 V
De la ecuación de Shockley,
2
 V 
I D = I DSS 1 − GS 
 VP 
se despeja VGS, lo cual queda,
 ID   mA 
VGS = VP 1 −  = (− 6 V )1 − 1.825  = −3.66 V
 
 I DSS   12 mA 
Como VG = VB y VS = VC ,
VGS = VG − VS = VB − VC ,
despejando VC
VC = VB − VGS = 3.62 V − (− 3.66 V ) = 7.28 V


Ejemplo 2.6.2: Calcular VD para el circuito de la figura 2.6.2.
VCC = 16 V
470 kΩ 3.6 kΩ
β =80
VD
IDSS = 8 mA
VP = – 4 V
2.4 kΩ
Figura 2.6.2 Circuito de polarización con BJT y FET para el ejemplo 2.6.2.

2.6.1.
0 0 IDSS 8
0.3 VP - 1.2 0.5 IDSS 4
0.5 VP -2 0.25 IDSS 2
VP -4 0 0


0 0 0 0
I DSS I DSS RS
4 − – 9.6
2 2
figura 2.6.3.
,2
w 0/
7 IDSS
5
0 Q I DQ = 1 mA
VP
/
,0/ ,8 ,7 ,6 ,5 ,4 ,3 ,2 ,1 ,0 /
Unks` id bnl ot dqs` et dmsdVGS Q = −2.6 V
Figura 2.6.3 Punto de operación de FET obtenido para el ejemplo 2.6.2.
Para el transistor bipolar,
I E ≅ I C = I D = 1 mA
entonces
I C 1 mA
IB = = = 12.5 µA
β 80


Se tiene además que,
VB = 16 V − I B (470 kΩ ) = 16 V − (12.5 µA)(470 kΩ ) = 16 V − 5.875 V = 10.125 V
VBE = VB − VE = VB − VD
de aquí,
VD = VB − VBE = 10.125 V − 0.7 V = 9.425 V
2.7 Ejemplos de diseño de circuitos de polarización con FET.
Ejemplo 2.7.1: Para el circuito de la figura 2.7.1 se especifican los valores de VDQ y de
I DQ . Calcular los valores necesarios de RD y de RS. ¿Cuáles son los valores estándar más cercanos
disponibles comercialmente?
VDD = 20 V
RD I DQ = 2.5 mA
VD = 12 V
IDSS = 6 mA
VP = – 3 V
RS
Figura 2.7.1 Circuito de polarización para el ejemplo 2.7.1.


V RD VDD − VDQ 20 V − 12 V
RD = = = = 3.2 kΩ
I DQ I DQ 2.5 mA
De la ecuación de Shockley,
2
 V 
I D = I DSS 1 − GS 
 VP 
se despeja VGS, lo cual queda,
 ID   mA 
VGS Q = VP 1 −  = (− 3 V )1 − 2.5  = −1.06 V
 
 I DSS   6 mA 
de la ecuación de la recta de carga,
VGS = − I D RS
se tiene entonces que,
VGSQ − 1.06 V
RS = − =− = 424 Ω
I DQ 2.5 mA
Los valores más cercanos disponibles comercialmente son,
RD = 3.3 kΩ
RS = 390 Ω


Ejemplo 2.7.2: Para el circuito de polarización por divisor de voltaje de la figura 2.7.2,
calcule los valores de RS si VDQ = 12 V y VGS Q = – 2 V.
VDD = 16 V
RD = 1.8 kΩ
R1 = 91 kΩ
VD = 12 V
R2 = 47 kΩ
RS
Figura 2.7.2 Circuito de polarización para el ejemplo 2.7.2.
VG =
(47 kΩ)(16 V ) = 5.45 V
47 kΩ + 91 kΩ
VDD − VD 16 V − 12 V
ID = = = 2.22 mA
RD 1.8 kΩ
VGS = VG − VS = VG − RS I D = 5.45 V − RS (2.22 mA) = −2 V
5.45 V + 2 V
RS = = 3.3525 kΩ
2..22 mA
El valor más cercano que está disponible comercialmente es de 3.3 kΩ.

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INSTITUTO TECNOLÓGICO DE ORIZABA

DEPARTAMENTO DE INGENIERÍA ELÉCTRICA-ELECTRÓNICA

En general, cualquier forma de polarización ha de conseguir hacer positivo al drenador

Las formas elementales son las que se expresan a continuación.

2.2 Configuración de polarización fija.

Figura 2.2.1 Configuración de polarización fija.

M. C. Fernando Vera Monterrosas 33

DEPARTAMENTO DE INGENIERÍA ELÉCTRICA-ELECTRÓNICA

La configuración de la figura 2.2.1 incluye los niveles de ac Vi y Vo y los capacitores de

Figura 2.2.2 Configuración de polarización fija para el análisis en dc.

y VGS = −VGG Ec. 2.2.1

M. C. Fernando Vera Monterrosas 34

DEPARTAMENTO DE INGENIERÍA ELÉCTRICA-ELECTRÓNICA

El nivel resultante de corriente de drenaje ID lo controla la ecuación de Shockley,

y VDS = VDD − RD I D Ec. 2.2.2

Del diagrama de la figura 2.2.2,

y VD = VDS Ec. 2.2.4

y VG = VGS Ec. 2.2.5

M. C. Fernando Vera Monterrosas 35

DEPARTAMENTO DE INGENIERÍA ELÉCTRICA-ELECTRÓNICA

Bnqqhdmsd cd cqdm` cnq

Figura 2.2.3 Gráfica de la ecuación de Shockley.

En la figura 2.2.4, el nivel de VGS es de – VGG; el nivel de ID simplemente debe estar

Figura 2.2.4 Gráfica de la solución para la configuración de polarización fija.

M. C. Fernando Vera Monterrosas 36

DEPARTAMENTO DE INGENIERÍA ELÉCTRICA-ELECTRÓNICA

Ejemplo 2.2.1: Para el circuito de la figura 2.2.5 determine:

Solución por el método matemático:

b) I DQ = I DSS 1 − GS  = 10 mA1 −  = 5.625 mA

c) VDS = VDD − RD I D = 16 V − (5.625 mA)(2 kΩ ) = 4.75 V

M. C. Fernando Vera Monterrosas 37

DEPARTAMENTO DE INGENIERÍA ELÉCTRICA-ELECTRÓNICA

Solución por el método gráfico:

Los puntos a graficar de acuerdo con la ecuación de Shockley se muestran en la tabla

gráfica de la figura 2.2.6.

M. C. Fernando Vera Monterrosas 38

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c) VDS = VDD − RD I D = 16 V − (5.6 mA)(2 kΩ ) = 4.8 V

2.3 Configuración de autopolarización por resistencia de fuente.

La configuración de autopolarización elimina la necesidad de dos fuentes de dc. El voltaje

Figura 2.3.1 FET canal n en configuración de autopolarización.

M. C. Fernando Vera Monterrosas 39

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La corriente a través de RS es la corriente de la fuente IS, pero IS = ID y

Para la malla compuerta – fuente de la figura 2.3.1 se tiene que

− VRG − VGS − VRS = 0

o VGS = − I D RS Ec. 2.3.1

Figura 2.3.2 Curvas de transferencia de un FET canal n máxima y mínima.

M. C. Fernando Vera Monterrosas 40

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tanto, puntos de operación Q distintos.

La ecuación 2.3.1 (ecuación de la recta de carga) está definida por la configuración de la

Puede conseguirse una solución matemática mediante la simple sustitución de la ecuación

M. C. Fernando Vera Monterrosas 41

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Puede resolverse la ecuación cuadrática y obtener la solución adecuada de ID.

M. C. Fernando Vera Monterrosas 42

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