Dispositivos Electrónicos B

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Se revisarán aquí brevemente los conceptos básicos de semiconductores. Para un análisis más
profundo existe numerosa bibliografía sobre el tema en diversos textos de Física de
semiconductores.

Semiconductores intrínsecos

En los átomos aislados, es decir alejados unos de otros de modo que no hay interacción entre
ellos, los electrones externos se distribuyen energéticamente según valores discretos
determinados por las soluciones de la ecuación de Schrödinger. En un sólido cristalino, en
cambio, las interacciones entre los átomos de la red producen una distribución energética
mucho más complicada. Los niveles permitidos se acumulan en bandas de energía (bandas
permitidas) separadas por intervalos de energía prohibidos (bandas prohibidas). Dentro de cada
banda permitida los niveles energéticos se encuentran tan cerca entre sí que se pueden
considerar las bandas permitidas como continuas. Cuando x (separación entre átomos) tiende a
infinito, la energía toma valores discretos. Cuando x es muy pequeño, entonces, los niveles se
convierten en bandas de energía, como se muestra en la siguiente Figura 1. Se suele utilizar un
modelo de bandas más sencillo, en el cual las bandas se consideran planas como se ilustra en
la Figura 2.

Figura 1

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Figura 2

En un sólido cristalino a la temperatura cercana a T = 0 ºK los electrones ocuparían los niveles

de energía más bajos posibles.
La banda de mayor energía, vacía o parcialmente llena, se denomina Banda de conducción
(BC) y la siguiente de menor energía Banda de valencia (BV). En la banda de conducción los
electrones pueden aumentar su energía, por ejemplo por efecto de un campo eléctrico o por
efecto de la temperatura, pasando a niveles superiores de energía siempre que se cumpla el
principio de exclusión de Pauli. Fuera de la temperatura del cero absoluto habrá un
desplazamiento de carga que provocará una corriente eléctrica en determinadas condiciones. El
desplazamiento de cargas en el cristal debido a electrones libres se debe al movimiento de
estos dentro de las bandas de energía que están parcialmente ocupadas. Esta condición
constituye la diferencia entre los materiales sólidos, que son clasificados en tres tipos: metales,
aislantes y semiconductores.
En un aislante (ideal) el número de electrones es el suficiente como para llenar completamente
cierto número de bandas de energía. La última banda llena está separada de la próxima banda
vacía por una región de energía prohibida EG ("gap" de energía) tan ancha que es necesaria
una gran energía para excitar electrones y que puedan atravesar esta región, de modo que es
muy difícil la circulación de carga y el establecimiento de una corriente eléctrica.
En el caso de un metal, la gran concentración de átomos que existe en el sólido da origen a un
desdoblamiento de los niveles de energía que provoca la superposición de las bandas de
conducción y de valencia. Los electrones siempre pueden encontrar estados sin ocupar en su
movimiento a través de la red causando fácilmente el transporte de carga y por lo tanto el
establecimiento de una corriente eléctrica.

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En un semiconductor el ancho de la región prohibida EG es lo suficientemente pequeño como

para que exista una probabilidad apreciable a temperatura ambiente (T  300 K) que los
electrones, que ocupan estados de energía en la parte superior de la banda de valencia,
adquieran la energía necesaria, para efectuar un salto EG hasta llegar a ocupar estados
energéticos vacíos en el fondo de la banda de conducción y de esta forma iniciar un proceso de
conducción. A temperaturas cercanas al cero absoluto el semiconductor se comporta como
aislante. La Figura 3 muestra una comparación de los tres tipos de sólidos.

Figura 3

Los semiconductores básicos utilizados en dispositivos electrónicos son el Germanio (Ge), el

Silicio (Si) y el Arseniuro de Galio (GaAs). El ancho de la banda prohibida del Germanio es 0.7
eV, del Silicio es 1.12 eV y el Arseniuro de Galio 1.4 eV.
En los materiales semiconductores a la temperatura de T= 0 ºK todos los enlaces están
completos. La banda de valencia está llena y la banda de conducción está vacía de portadores,
por lo tanto en el material no hay electrones libres, Figura 4.

Figura 4
A temperaturas mayores que 0 ºK los electrones comienzan a ganar energía térmica y pueden
pasar desde la banda de valencia a la banda de conducción.

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En la banda de valencia cada nivel desocupado corresponde a la rotura de un enlace covalente,

electrón que pasó a la banda de conducción. Este enlace roto pasa a ser completado por otro
electrón. Se puede describir este mecanismo como si se desplazara el enlace roto en lugar del
electrón, y considerar al enlace roto como una carga eléctrica móvil que se denomina hueco,
Figura 5. De esta forma la corriente eléctrica en un semiconductor está formada por dos tipos
de portadores: los electrones de la banda de conducción y los huecos de la banda de valencia.

Figura 5

Consideremos la estructura de un semiconductor típico como el silicio. El silicio se encuentra en

el Grupo IV de la Tabla Periódica de elementos. Es un elemento tetravalente, es decir posee
cuatro electrones de valencia. En el cristal de silicio puro los átomos se enlazan compartiendo
sus electrones de valencia formando un tipo de enlace atómico denominado enlace covalente.
De esta forma un átomo de silicio comparte sus electrones de valencia con otros cuatro átomos
vecinos, Figura 6.

Figura 6

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En la Figura 7 se muestra un diagrama simplificado de esta situación denominado modelo de

enlace.

Figura 7

A temperaturas cercanas al cero absoluto los átomos de silicio están perfectamente enlazados
tal que el sistema puede ser representado en un diagrama de bandas de energía como el
mostrado en la Figura 4: una banda de valencia totalmente llena de electrones y una banda de
conducción vacía que están separadas por la banda prohibida de ancho EG.
Cuando aumenta la temperatura y el sistema adquiere energía suficiente (E  EG) se rompe un
enlace Silicio-Silicio, el electrón asociado al mismo queda libre, y puede desplazarse dentro de
la red cristalina transformándose en un portador de carga. Al liberarse el electrón se crea un
vacío en la estructura de enlaces y se modela como un portador de carga positiva denominado
“hueco” que se mueve en sentido contrario al electrón. Un electrón en el tope de la banda de
valencia debe tener una energía de excitación de valor mínimo EG para pasar a la banda de
conducción. El lugar dejado por el electrón se modela como un portador ficticio denominado
hueco. Estos conceptos se indican en la Figura 8 representados en los modelos de enlace y de
bandas de energía.

Figura 8

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Semiconductores intrínsecos

Cuando el semiconductor se encuentra en estado puro se denomina semiconductor intrínseco.

En un semiconductor intrínseco la concentración de electrones n es igual a la concentración de
huecos p porque por cada electrón que se encuentra en la banda de conducción hay un hueco
en la banda de valencia, Figura 8. Al producirse este proceso se dice que se generó un par
electrón-hueco. Por lo tanto, en un semiconductor intrínseco se cumple:

n = p = ni

ni se denomina concentración intrínseca de portadores y es un valor típico para cada material

semiconductor. La concentración intrínseca ni indica la cantidad de electrones y huecos libres
en el semiconductor para una dada temperatura T.
La siguiente tabla compara los valores de ni para tres semiconductores típicos. La unidad cm-3
debe ser interpretada como número de portadores por unidad de volumen (cm3)

Ge Si GaAs

ni (300ºK) 2.5x1013 cm-3 1.5x1010 cm-3 2.25x106 cm-3

Debido a que el proceso de generación intrínseca de portadores depende de la temperatura T,

para cada temperatura se llega a un equilibrio para el cual se cumple que el producto n.p es
una constante que se denomina ley de acción de masas.

n.p = ni2

A una temperatura absoluta T (en grados Kelvin) la concentración intrínseca ni se puede

determinar por la ecuación:
ni2 = K1 T3 e-EG⁄kT

K1 es un parámetro que depende del material, EG es el valor correspondiente a la energía de la

banda prohibida la temperatura T y k es la constante de Boltzmann (k = 8.62 10-5 eV/K)

Al aplicar un campo eléctrico E al material semiconductor se produce una corriente eléctrica

debida al movimiento tanto de los electrones como de los huecos. Hay que tener en cuenta que
si se pretende validar la aplicación de la segunda ley de Newton a un electrón en una red
cristalina periódica se obtiene: F = mn a donde mn se denomina masa efectiva y tiene en cuenta
todas la fuerzas actuando sobre el electrón o el hueco. La masa efectiva del electrón se suele
indicar como mn y la del hueco mp.

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Asignando a los electrones en la red periódica una masa efectiva mn podemos tratarlos como si
fuesen libres, y describir su movimiento en presencia de un campo aplicado de la misma forma
que para un electrón libre. Las propiedades de la red cristalina determinan el valor de la masa
efectiva en cada caso.

Semiconductores extrínsecos

Un semiconductor puro (intrínseco) se convierte en extrínseco cuando se le agrega a la red

cristalina cierta cantidad de impurezas (dopado) elegidas adecuadamente. Estas impurezas
crean niveles de energía permitidos en la banda prohibida aumentando la probabilidad de que
electrones y huecos se transformen en portadores de conducción a temperaturas más bajas.
Se tienen dos tipos de semiconductores extrínsecos: tipo N y tipo P. Cuando las impurezas
añadidas pertenecen al grupo V de la Tabla Periódica: Fósforo (P), Arsénico (As), Antimonio
(Sb), etc., el semiconductor se denomina de tipo N y las impurezas son donantes porque queda
un electrón libre al completar los cuatro enlaces covalentes con cuatro átomos de Si vecinos.
La Figura 9 muestra un ejemplo donde se sustituido un átomo de Silicio por uno de Arsénico
que es un elemento del Grupo V y posee cinco electrones de valencia. Cuatro electrones se
comparten con los átomos de silicio vecinos, el quinto electrón con poca excitación puede
transformarse en un electrón de conducción. El átomo de As se convierte en un ion positivo
(As+).

Figura 9

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De esta forma, en la banda de conducción se encuentran, además de los electrones

provenientes de la generación de pares electrón-hueco, un electrón por cada átomo de
impureza donadora, cuyo número se expresa por ND cm-3 . Es decir, se cumplirá que n > p o lo
que es lo mismo en un semiconductor tipo N los portadores mayoritarios serán electrones. En la
banda prohibida aparece un nivel de energía permitido (Ed) cercano a la banda de conducción,
Figura 10.

Figura 10

Cuando las impurezas añadidas pertenecen al grupo III: Aluminio (Al), Galio (Ga), Boro (B),
Indio (In), etc., el semiconductor se denomina de tipo P y las impurezas se denominan
aceptadoras. En este caso, al querer formar un enlace covalente con cuatro átomos vecinos de
Silicio queda un enlace sin completar equivalente a un hueco. Por lo tanto, en los
semiconductores de tipo P los portadores mayoritarios son los huecos y p > n, Figura 11.

Figura 11

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En la banda prohibida aparece un nivel permitido de energía (Ea) cercano a la banda de

valencia, como se ve en la Figura 12.

Figura 12

Como los niveles Ed y Ea se encuentran muy próximos a la banda de conducción (BC) y de

valencia (BV) respectivamente, con una pequeña cantidad de energía térmica podrán pasar
electrones desde Ed hacia la BC y electrones desde la BV hacia Ea. En general, a temperatura
ambiente (T= 300 K) todas las impurezas se encuentran ionizadas.
Si a un semiconductor se le agregan impurezas de los dos tipos sólo queda el efecto del exceso
de la de mayor densidad.

Neutralidad de carga

La ecuación que relaciona la concentración de portadores con la densidad de carga es la

denominada neutralidad de carga:
p + ND+ = n + NA-

La ecuación anterior implica las siguientes propiedades:

 el semiconductor es neutro eléctricamente
 al agregar impurezas en cantidad ND o NA se tienen electrones y huecos adicionales
provenientes de la ionización de las impurezas
 la carga positiva se compone de los huecos y de las impurezas donadoras ionizadas, en
tanto que la carga negativa total se compone de los electrones y las impurezas aceptoras
ionizadas.

La Figura 13 resume estas condiciones esquemáticamente.

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Figura 13

Si todas las impurezas están ionizadas a temperatura ambiente la ecuación de neutralidad de

carga anterior puede escribirse:
p + ND = n + NA

Si bien debido al dopaje ya no existe igualdad entre la cantidad de electrones y huecos:

n-p0
la ley de acción de masas se mantiene, de modo que n . p = ni2 también para un semiconductor
extrínseco. ni2 depende de cada material y es función de la temperatura como se mostró antes.

Para un material semiconductor a temperatura ambiente se deben cumplir las dos leyes:
Neutralidad de carga: p + ND = n + NA
Acción de masas: n . p = ni2
Las ecuaciones anteriores forman un sistema de dos ecuaciones con dos incógnitas. Si de la
ley de acción de masas despejamos p y reemplazamos se obtiene:
ni2/n + ND - n – NA = 0

Operando y ordenando: n2 – (ND – NA)n – ni2 = 0

Resolviendo la ecuación cuadrática y descartando el término negativo:

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ND - NA √ ND - NA 2
n= + ( ) + ni2
2 2
Procediendo en la misma forma se puede despejar p:

NA - ND √ NA - ND 2
p= + ( ) + ni2
2 2

Para los semiconductores de tipo N a temperatura ambiente (T  300 K) si suponemos que

todas las impurezas ionizadas:
n  ND, p  ni2 /ND
Aplicando el mismo criterio para un semiconductor de tipo P resulta:

p  NA, n  ni2 /NA

La concentración de electrones y huecos en el semiconductor no sólo depende de la cantidad y
tipo de impurezas adicionadas sino que tiene una dependencia con la temperatura a través de
ni, que produce generación de pares electrón-hueco adicionales.
Por ejemplo, en la Figura 14 se muestra la forma de variación de la concentración de electrones
en un semiconductor extrínseco de tipo N en función de la temperatura.

Figura 14
A temperaturas muy bajas no hay energía térmica suficiente como para que pasen electrones
desde la banda de valencia a la banda de conducción. Con el incremento de la temperatura
algunos átomos donadores pueden ionizarse, indicado en el gráfico como ionización parcial. A
temperatura cercanas al ambiente (T = 300 K) se puede considerar que todas las impurezas se
han ionizado y hay una contribución pequeña de electrones y huecos generados térmicamente.

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Por lo que en el gráfico al despreciar esta contribución se considera que la cantidad de

electrones en la banda de conducción provienen de las impurezas ionizadas.
A temperaturas elevadas domina la generación térmica a través de ni2. El semiconductor pierde
sus características extrínsecas y tiende a un comportamiento intrínseco.

Mecanismos de transporte de carga en un semiconductor

arrastre
En un semiconductor hay dos procesos por los cuales se mueven los electrones y los huecos:
o deriva
y difucion arrastre o deriva y difusión. Estos movimientos contribuyen al desplazamiento de carga y por
lo tanto permite establecer, en las condiciones adecuadas, una corriente eléctrica.
El mecanismo de arrastre de portadores se produce por la presencia de un campo eléctrico y la
difusión por una variación de la concentración de portadores o gradiente de concentración.
Si un semiconductor es sometido a la presencia de un campo eléctrico E se producirá una
fuerza (F = q E) sobre los portadores, electrones y huecos, que se moverán a una velocidad
promedio de arrastre o deriva vd.
A escala microscópica cada portador influenciado por el campo eléctrico se moverá en
respuesta al mismo pero encuentra mecanismos de dispersión en su camino por el cristal, de
modo que cada portador tendrá una velocidad resultante, Figura 15 a). Para evitar esta
situación se considera que los portadores, a escala macroscópica, se mueven a una velocidad
promedio denominada velocidad de arrastre o deriva, Figura 15 b).

Figura 15 a) Figura 15 b)

La velocidad de los portadores, electrones o huecos, para campos eléctricos débiles es

proporcional al campo a través de un parámetro denominado movilidad  del portador:

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vd
μ=
E

De esta forma, la movilidad de un portador se define como la velocidad promedio de éste por
unidad de campo eléctrico.
Las movilidades de electrones y huecos, n y p, son funciones del tipo de material, de la
concentración de impurezas y de la temperatura. Tienen diferente valor para cada tipo de
portador en un mismo material semiconductor.
La siguiente tabla compara los valores de la movilidad  para tres semiconductores típicos. La
unidad de la movilidad es cm2/Vs.

Ge Si GaAs
Movilidad n [cm2/Vs] (300ºK) 3800 1300 8500

Movilidad p [cm2/Vs] (300ºK) 1800 500 450

La densidad de corriente que resulta al aplicar un campo eléctrico E se denomina densidad de

corriente de arrastre, Ja. La densidad de corriente de arrastre es proporcional a la densidad
de carga y a la velocidad de arrastre, Figura 16.

Figura 16

Para el caso de electrones el flujo de carga negativa se mueve en sentido contrario al campo
eléctrico y teniendo en cuenta el signo negativo de la carga, la densidad de corriente de arrastre
de electrones se mueve en el mismo sentido del campo eléctrico, resultando:

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Jan = (-q n) (-n E) = q n n E

Para el caso de huecos el flujo de carga positiva se mueve en el mismo sentido del campo
eléctrico:
Jap = (-q p) (-p E) = q n p E

n y p son las movilidades para electrones y huecos respectivamente.

Si tanto los electrones como los huecos contribuyen a la corriente de arrastre, la densidad de
corriente total será la suma de las contribuciones individuales:

Ja = q (n n + p p) E
La ecuación anterior puede expresarse por:

Ja = (n + p) E =  E

La ecuación anterior refiere a la ley de Ohm microscópica en la cual  es la conductividad de la

-1
muestra semiconductora expresada en ( cm) . n refiere a la contribución de los electrones y
p a la contribución de los huecos.
La conductividad  de la muestra semiconductora queda expresada por:
 = q (n n + p p)

La resistividad  de la muestra se define como la inversa de la conductividad:

 = 1/

La resistividad en ( cm) queda expresada por:

1
ρ=
q (n μn+p μp)

Supongamos una barra semiconductora como la mostrada en la Figura 17.

Figura 17

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Podemos calcular la resistencia de la barra semiconductora a través de las siguientes

relaciones:
I 1 V
J= =σ E=
A ρ L
ρL
R=
A

Si en un semiconductor la concentración de portadores no es homogénea en todos sus puntos,

es decir, si existe un gradiente de concentración, el movimiento térmico provocará la aparición
de un mecanismo denominado difusión, Figura 18.

Figura 18

Se produce una densidad de corriente de difusión de portadores desde las regiones de

mayor a menor concentración, de forma tal que al cabo de un tiempo suficientemente grande se
alcance una situación de equilibrio en la cual la distribución de portadores se hace uniforme a
través de todo el cristal, si no se mantiene la situación que dio origen al exceso de portadores.
La densidad de corriente de difusión Jd es proporcional al gradiente de concentración de carga.
Para los electrones:
dn
Jdn = q Dn
dx
kT
Dn es la constante de difusión de electrones dada por: Dn = q
μn = VT μn

El flujo de electrones tiene el sentido de las x negativas, pero dado que la carga es negativa,
según el sentido convencional de la densidad de corriente esta apunta en el sentido de las x
positivas, Figura 19.

Figura 19

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Para los huecos:

dp
Jdp = -q Dp
dx

El signo menos para los huecos aparece porque la densidad de corriente de huecos va en el
sentido de las x negativas y la carga es positiva, Figura 20.
kT
Dp es la constante de difusión de huecos dada por: Dp = q
μp = VT μp

Figura 20

En los semiconductores pueden darse simultáneamente los mecanismos de arrastre y de

difusión para electrones y huecos:
dn
Jn = Jan + Jdn = q μn n E + q Dn
dx

dp
Jp = Jap + Jdp = q μp n E – q Dp
dx

La densidad de corriente total J queda dada por la contribución de ambas densidades de

corriente de huecos y electrones:
dn dp
J = Jn + Jp = q μn n E + q Dn + q μp p E - q Dp
dx dx

Bibliografía

Fundamentos de semiconductores, R. Pierret

Dispositivos semiconductores, J. Singh
Semiconductor physics & devices, D. Neamen
Dispositivos electrónicos para circuitos integrados, R. Muller & T. Kamins

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