Semana 1 y 2
Semana 1 y 2
Semana 1 y 2
Hasta ahora, se han estudiado los componentes electrónicos pasivos que son
aquellos componentes que disipan (resistencias) o almacenan (condensadores)
la señal eléctrica.
Los componentes pasivos se fabrican a partir de materiales conductores (como
las placas de los condensadores) o aislantes (como los resistores o el
dieléctrico de los condensadores).
Sin embargo, también existen los componentes electrónicos activos (diodos y
transistores), los cuales son capaces de modificar o amplificar la señal
eléctrica.
Los componentes activos no se construyen con materiales conductores o
aislantes, sino con unos materiales llamados SEMICONDUCTORES.
¿Qué son los materiales semiconductores?
Primero debemos de recordar loa siguientes conceptos.
*Material conductor: material que permite el paso de la corriente eléctrica a su
través. Tiene una muy baja resistencia.
*Material aislante: material que impide que la corriente eléctrica los atraviese.
Presentan una altísima resistencia.
Pues bien, un material semiconductor es un material aislante que puede
comportarse como un conductor en determinadas circunstancias.En la
actualidad, los semiconductores han cobrado una enorme importancia
tecnológica, ya que han permitido la revolución de la electrónica, las
telecomunicaciones, la informática, etc.
La mayoría de dispositivos electrónicos actuales incorporan componentes o
chips fabricados con materiales semiconductores. Esto es así debido a las
importantísimas ventajas que ofrecen (reducido tamaño, pequeño consumo y
bajo precio).
Modelos matemáticos
El modelo matemático más empleado es el de Shockley (en honor a William
Bradford Shockley) que permite aproximar el comportamiento del diodo en la
mayoría de las aplicaciones. La ecuación que relaciona la intensidad de
corriente y la diferencia de potencial es:
VD
nVT
I D =I S (e −1)
Donde:
VD
nV T
I =I S e
Ejemplo 1.1
A una temperatura de 27°C(temperatura común para componentes en un
sistema de operación cerrado),determine el voltaje térmico Vt
Solución : T=273 + °C =273 + 27 = 300K
1.38∗10−23 J
( )(300)
Vt = KT K
= =25.875 mV =26 mV
q 1.6∗10−19
a) Con
I D =2 mA ,V D =0.5 ( en la curva ) y
V D 0.5V
R D= = =250 Ω
I D 2mA
b) Con I D =20 mA ,V D =0.8 ( en lacurva ) y
V 0.8V
R D= D = =40 Ω
I D 20 mA
c) c) Con v D =−10 V , I D =−I S =−1 μA ( enla curva ) y
V D 10 V
R D= = =10 M Ω
I D 1 μA
En forma de ecuación
∆Vd
rd =
∆ Id
△Id = 17 mA - 2 mA = 15 mA
0.8 V −0.7 V
=10 Ω
10 mA−0 mA
1.6.2 Circuito equivalente simplificado
En la mayoría de las aplicaciones, la resistencia rprom es suficientemente
pequeña para ser ignorada en comparación con los demás elementos de la
red. La eliminación de rprom del circuito equivalente es lo mismo que suponer
que las características del diodo son las que se muestran en la figura 1.6.3. En
realidad, esta aproximación se emplea con frecuencia en el análisis de circuitos
semiconductores como se demuestra en el capítulo 2. El circuito equivalente
reducido aparece en la misma figura. Manifiesta que un diodo de silicio
polarizado en directa en un sistema electrónico en condiciones de cd
experimenta una caída de 0.7 V a través de éste en el estado de conducción a
cualquier nivel de corriente en el diodo (dentro de valores nominales, por
supuesto).
V ( T 1 ) −V ( T 0 ) =α (T 0 −T 1 )
En las figuras 1.8.1 y 1.8.2 aparecen los datos provistos para un diodo de alto
voltaje y fugas escasas. Este ejemplo representaría la lista ampliada de datos y
características. El término rectificador se aplica a un diodo cuando se utiliza
con frecuencia en un proceso de rectificación, descrito en el capítulo 2.
Figura 1.8.2 Características terminales de un diodo de alto voltaje.
Áreas específicas de las hojas de especificaciones aparecen resaltadas en
tonos de gris, con las letras que corresponden a la siguiente descripción: A. La
hoja de datos resalta el hecho de que el diodo de silicio de alto voltaje tiene un
voltaje de polarización en inversa mínimo de 125 V con una corriente de
polarización en inversa especificada. B. Observe el amplio intervalo de manejo
de temperatura. Siempre tenga en cuenta que las hojas de datos en general
utilizan la escala en centígrados, con 200°C 392°F y –65°C = –85°F. C. El nivel
máximo de disipación de potencia está dado por PD = VDID = 500 mW = 0.5
W. El efecto de factor de variación lineal del valor nominal de potencia de 3.33
mW/°C se demuestra en la figura 1.8.2a. Una vez que la temperatura excede
de 25°C el coeficiente de potencia nominal máxima se reduce en 3.33 mW por
cada 1°C de incremento de temperatura. A una temperatura de 100°C, la cual
es el punto de ebullición del agua, el coeficiente de potencia nominal máxima
se reduce a la mitad de su valor original. Una temperatura de 25°C es típica en
el interior de un gabinete que contiene equipo electrónico en operación en una
situación de baja potencia. D. La corriente máxima sostenible es de 500 mA. La
gráfica de la figura 1.8.2 b revela que la corriente en directa a 0.5 V es
aproximadamente de 0.01 mA, pero salta a 1 mA (100 veces mayor) a
alrededor de 0.65 V. Con 0.8 V la corriente es de más de 10 mA y exactamente
arriba de 0.9 V se aproxima a 100 mA. De hecho, la curva de la figura 1.8.2 b
no se ve como las curvas de características que aparecen en las últimas
secciones. Éste es el resultado de utilizar una escala logarítmica para la
corriente y una lineal para el voltaje. Las escalas logarítmicas se utilizan a
menudo para proporcionar un intervalo más amplio de valores de una variable
en una cantidad de espacio limitada. Si se utilizara una escala lineal para la
corriente, sería imposible mostrar un intervalo de valores desde 0.01 hasta
1000 mA. Si las divisiones verticales estuvieran en incrementos de 0.01 mA, se
requerirían 100,000 intervalos iguales en el eje vertical para alcanzar 1000 mA.
Por el momento tenga presente que el nivel de voltaje a niveles de corriente
dados se puede hallar por medio de la intersección con la curva. Con valores
verticales por encima de un nivel como 10 mA, el siguiente nivel es 2 mA,
seguido por 3 mA, 4 mA y 5 mA. Los niveles de 6 mA a 10 mA se determinan
dividiendo la distancia en intervalos iguales (no la distribución verdadera, sino
lo bastante aproximada considerando las gráficas provistas). Para el siguiente
nivel serían 10 mA, 20 mA, 30 mA, etc. La gráfica de la figura 1.8.2b es una
gráfica semilogarítmica, porque sólo un eje utiliza una escala logarítmica. En el
capítulo 9 se dirá mucho sobre escalas logarítmicas. E. Los datos proporcionan
un intervalo de VF (voltajes de polarización en directa) por cada nivel de
corriente. Cuanto más alta sea la corriente en directa, mayor será la
polarización en directa aplicada. A 1 mA vemos que VF puede variar de 0.6 V a
0.68 V, pero a 200 mA puede ser tan alto como de 0.85 V a 1.00 V. En el
intervalo completo de niveles de corriente con 0.6 V a 1 mA y 0.85 V a 200 mA,
con toda certeza es una aproximación razonable utilizar 0.7 V como el valor
promedio. F. Los datos provistos revelan con claridad cómo se incrementa la
corriente de saturación en inversa con la polarización en inversa aplicada a una
temperatura fija. A 25°C la corriente de polarización en inversa máxima se
incrementa de 0.2 nA a 0.5 nA debido a un aumento del voltaje de polarización
en inversa por el mismo factor de 5; a 125°C se eleva por un factor de 2 al nivel
de 1 mA. Observe el cambio extremo de la corriente de saturación en inversa
con la temperatura en el momento en que el coeficiente de corriente máximo
cambia de 0.2 nA a 25°C a 500 nA a 125°C (a un voltaje de polarización en
inversa fijo de 20 V). Un incremento similar ocurre a un potencial de
polarización en inversa de 100 V. Las gráficas semilogarítmicas de las figuras
1.8.2c y 1.8.2d indican cómo cambia la corriente de saturación en inversa con
cambios en el voltaje en inversa y la temperatura. A primera vista la figura
1.8.2c podría indicar que la corriente de saturación en inversa es bastante
constante con cambios del voltaje en inversa. Sin embargo, en ocasiones esto
puede ser el efecto de utilizar una escala logarítmica para el eje vertical. La
corriente en realidad cambió de un nivel de 0.2 nA a un nivel de 0.7 nA en el
intervalo de voltajes que representa un cambio de casi 6 a 1. El dramático
efecto de la temperatura en la corriente de saturación en inversa se muestra
con claridad en la figura 1.8.2d. A un voltaje de polarización en inversa de 125
V la corriente de polarización en inversa se incrementa de un nivel de alrededor
de 1 nA a 25°C a aproximadamente 1 mA a 150°C, un incremento de un factor
de 1000 sobre el valor inicial. La temperatura y la polarización en inversa
aplicada son factores muy importantes en diseños sensibles a la corriente de
saturación en inversa. G. Como se muestra en la lista de datos en la figura
1.8.2e, la capacitancia de transición a un voltaje de polarización en inversa de 0
V es 5 pF a una frecuencia de prueba de 1 MHz. Observe el fuerte cambio del
nivel de capacitancia a medida que el voltaje de polarización en inversa se
incrementa. Como ya se mencionó, esta región sensible puede aprovecharse
en el diseño de 35 un dispositivo (Varactor, capítulo 16) cuya capacitancia es
sensible al voltaje aplicado. H. El tiempo de recuperación en inversa es de 3 ms
en las condiciones de prueba mostradas. Éste no es un tiempo rápido para
algunos de los sistemas de alto desempeño actuales en uso hoy en día; sin
embargo, es aceptable para varias aplicaciones de baja y media frecuencia.
Las curvas de la figura 1.8.2f indican la magnitud de la resistencia de ca del
diodo contra la corriente en directa. La sección 1.8 demuestra con claridad que
la resistencia dinámica de un diodo se reduce con un incremento de la
corriente. A medida que recorremos hacia arriba el eje de corriente de la figura
1.8.2f es evidente que si seguimos la curva, la resistencia dinámica se reducirá.
A 0.1 mA se acerca a 1 kΩ; a 10 mA, a 10 Ω, y a 100 mA, sólo 1 Ω; esto
evidentemente apoya el análisis anterior. A menos que se tenga experiencia
leyendo escalas logarítmicas, la lectura de la curva es un desafío a niveles
entre los indicados porque es una gráfica log-log. Tanto el eje vertical como el
horizontal emplean una escala logarítmica. Cuanto más nos expongamos a las
hojas de especificaciones, “más amigables” se volverán, sobre todo cuando el
impacto de cada parámetro se entiende con claridad para la aplicación
investigada.
CAPITULO II: Aplicaciones del diodo
2.1 Rectificación de media onda
Ahora ampliaremos el análisis de diodos para incluir funciones que varían con
el tiempo, como la forma de onda senoidal y la onda cuadrada. Sin duda, el
grado de dificultad se incrementará, pero una vez que se entiendan algunas
maniobras fundamentales, el análisis será directo y seguirá una ilación común.
Las más sencillas de las redes que se van a examinar con una señal que varía
con el tiempo, aparecen en la figura 2.44. Por el momento utilizaremos el
modelo ideal (note la ausencia de la etiqueta Si, Ge o GaAs) para que el
método no se empañe por la complejidad matemática adicional.
*PIV (PRV)
La capacidad de voltaje inverso pico (PIV) [o PRV (voltaje reverso pico )] del
diodo es de primordial importancia en el diseño de sistemas de rectificación.
Recuerde que no se debe exceder el valor nominal de voltaje en la región de
polarización en inversa o el diodo entrará a la región de avalancha Zener. El
valor nominal de PIV requerido para el rectificador de media onda se determina
con la figura 2.52, la cual muestra el diodo polarizado en inversa de la figura
2.44 con un voltaje máximo aplicado. Aplicando la ley de voltajes de Kirchhoff,
es obvio que el valor nominal de PIV del diodo debe ser igual a o exceder el
valor pico del voltaje aplicado. Por consiguiente,
PVI nominal ≥ Vm
Figura 2.7 Determinación del valor nominal del PIV
requerida para el rectificador de media onda.
2.2 Rectificación de onda completa
El puente rectificador de onda completa es un circuito electrónico utilizado en la
conversión de una corriente alterna en continua. Este puente rectificador está
formado por 4 diodos. Existe una configuración en donde se tiene un diodo,
esta se le conoce de media. El rectificador de onda completa, tiene 4.
Recordemos antes que nada, que el diodo, se puede idealizar como un
interruptor. Si el voltaje es positivo y mayor que el voltaje en directa, el diodo
conduce. Recordemos que el voltaje en directa de un diodo de silicio esta sobre
los 0.7V. Si el diodo esta polarizado en inversa no conduce. Gracias a esto
podemos generar dos caminos de nuestro puente rectificador de onda
completa. Uno para la primera mitad del periodo, que es positiva y otro para la
segunda, que es negativa.
Para la siguiente figura, podemos observar que para la primera mitad del
periodo, el diodo D1 denaria pasar el voltaje, mientras que el diodo D2 no. El
voltaje que pasa a través de la carga, regresa a través de la net 0 (GND), en
donde pasara por D3 debido a que D2 tiene un voltaje en el cátodo por lo que
no se polariza. Para la segunda mitad del periodo, D2 y D4 son los que
conducen para la parte negativa.
PIV La red de la figura 2.63 nos ayudará a determinar el PIV neto para cada
diodo de este rectificador de onda completa. Insertando el valor máximo del
voltaje secundario y Vm como se establece en la malla adjunta el resultado es
PIV =V secundario+ V R
PIV ≥2 Vm
Ejemplo 2.3
Determine la forma de onda de salida
para la red de la figura 2.64 y calcule el
Nivel de cd de salida
Figura 2.14 Determinación del nivel de
PIV para los diodos del rectificador de
onda completa con transformador con
derivación central.
Figura 2.15
esquema del ejemplo 2.3
Solución: