FORMATO: M-04-2015 (V. 1.

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GUÍA DE PRÁCTICA DE LABORATORIO

DATOS GENERALES:

CARRERA: INGENIERÍA EN ELECTRÓNICA DIGITAL Y TELECOMUNICACIONES

ASIGNATURA: ELECTRÓNICA II
No. de práctica
TÍTULO DE LA PRÁCTICA: Autopolarización del JFET (Fuente común) - Canal N

NOMBRES: CAMPOVERDE RAMOS MARLON PATRICIO 4

HORARIO: SABADO DE 14:00 A 16:00
A. OBJETIVOS DE LA PRÁCTICA

 Analizar el circuito de autopolarización en fuente común para el JFET.

 Verifica su comportamiento del transistor JFET y niveles de conducción.
 Grafica la Curva de Transferencia (Curva de Shockley).

B. FUNDAMENTO TEÓRICO

6.3 Configuración de Autopolarización1

La configuración de autopolarización elimina la necesidad de contar con dos fuentes de alimentación de DC. El voltaje de
control de la compuerta a la fuente lo determina ahora el voltaje a través del resistor Rs que está conectado en la terminal de
la fuente de la configuración como se muestra en la figura 6.8.

Para el análisis en DC, los capacitores pueden reemplazarse nuevamente por “circuitos abiertos” y el resistor RG por un
“corto circuito” equivalente ya que IG = 0 A. El resultado es la red de la figura 6.9 para el análisis relevante en DC.

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Teoría de Circuitos y Dispositivos Electrónicos. R.L Boylestad, L. Nashelsky. 8Edición. Capítulo 6, pág.294 -296.

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 La corriente a través de RS es la corriente de fuente IS, pero como IS = ID.

Para la malla cerrada indicada en la figura 6.9, encontramos que:

En este caso observe que VGS está en función de la corriente de salida ID y que no tiene una magnitud fija como ocurría para la
configuración de polarización fija.

La ecuación 6.10 está definida por la configuración de la red, y la ecuación de Shocley relaciona las cantidades de entrada y
salida del dispositivo. Ambas ecuaciones relacionan a las mismas dos variables lo que permite una solución matemática
simplemente al sustituir la ecuación 6.10 en la ecuación de Shockley como se muestra a continuación:

Al desarrollar el término cuadrático indicado y al reacomodar términos, se obtiene una ecuación como la siguiente:

Posteriormente es posible resolver esta ecuación cuadrática para encontrar la solución apropiada para ID.

La secuencia anterior define al método matemático. El caso del método gráfico requiere que primero establezcamos las
características de transferencia del dispositivo como se muestra en la figura 6.10. Ya que la ecuación 6.10 define una línea recta
sobre la misma gráfica, es posible identificar dos puntos sobre la gráfica que se encuentren sobre la línea y luego dibujar una
línea recta entre los dos puntos. La condición más obvia que se puede aplicar es ID = 0 A, porque se obtiene VGS = - IDRS = 0 V.
Por tanto, para la ecuación 6.10 un punto sobre la línea recta se encuentra definido por ID = 0 A y VGS = 0 V, como aparece en la
figura 6.10.

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Para el segundo punto de la ecuación 6.10 se requiere seleccionar un nivel de VGS o de ID y determinar el nivel correspondiente
de la otra cantidad utilizando la ecuación 6.10. Entonces, los niveles resultantes de ID y VGS definirán otro punto sobre la línea
recta que nos permitirá trazarla. Supongamos que se selecciona un nivel de ID igual a un medio del nivel de saturación. Esto es,

El resultado es un segundo punto para la gráfica de la línea recta como se muestra en la figura 6.11. Entonces, se traza la línea
recta definida por la ecuación 6.10 y se identifica el punto de estabilidad que se obtiene en la intersección de la gráfica de la línea
recta con la curva característica del dispositivo. Luego, puede determinarse el valor de estabilidad de ID y VGS para encontrar las
demás cantidades de interés.

El nivel de VDS puede determinarse si se utiliza la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de salida, lo que da por resultado:

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C. LISTADO DE MATERIALES Y EQUIPOS

 Transistor JFET 2N5951 Canal N (utilizar el transistor de la práctica anterior).

 Resistencias (2kΩ, 1MΩ).
 Dos fuentes regulables DC (Equipo de laboratorio).
 Protoboard.
 Multímetro.
 Cables para conexiones.
 Papel milimetrado.
 Las curvas trazadas en las prácticas 2 (curvas características) y práctica 3 (curva de transferencia de
shockley) del transistor usado en las prácticas anteriores.

D. INSTRUCCIONES PARA REALIZAR LA SIMULACIONES (PREPARATORIO)

1. Monte el circuito en el simulador Livewire (Utilice solo para la simulación el transistor 2N4092) como se
ilustra en la Figura 1.
2. Mida los voltajes en VGS, VDS, VD, VS.
3. Mida la corriente ID.
4. Llene la Tabla 1 con los datos medidos en los pasos 2 y 3.
5. Calcule teóricamente los valores de los pasos 2 y 3. No olvide que para ello el FET de la simulación tiene un
IDSS=7.8mA y un VP=-2V. Llene la Tabla 2.
6. Trace la curva de transferencia del FET de la simulación y mediante el método gráfico encuentre el
punto Q.

E. INSTRUCCIONES PARA REALIZAR LA PRÁCTICA

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 1. Monte el circuito en el protoboard como se ilustra en la Figura 1.
2. Con el multímetro mida los voltajes en VGS, VDS, VD, VS.
3. Mida con el multímetro la corriente ID.
4. Llene la Tabla 3 con los datos medidos con el multímetro en los pasos 2 y 3.
5. Calcule teóricamente los valores de los pasos 2 y 3. Utilice para ello el papel milimétrico con las curvas
trazadas en las prácticas 1 y 2 (utilice los valores de I DSS y de VP que usted encontró para su JFET real en el
laboratorio). Llene la Tabla 4.
6. Grafique nuevamente la Curva de Shockley utilizando papel milimétrico y con los valores medidos en el
laboratorio encuentre el punto Q para este circuito.
7. Mediante las ecuaciones 1 y 2, llene la Tabla 5 con los porcentajes de error de valores medidos y simulados.

8. Responda las preguntas que se encuentran en el punto de Anexos del informe

F. ACTIVIDADES A DESARROLLAR, DIAGRAMAS Y FIGURAS

Figura 1: Diagrama circuital - Polarización Fija JFET.

G. RESULTADOS OBTENIDOS

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 Parámetros
VGS(V) 2.2 V
VDS(V) 8.46 V
VG(V) 13.45 MICROV
VD(V) 10.38 V
ID(mA) 2.2 mA

Tabla 1: Tabla correspondiente a los valores simulados de la Figura1.

Parámetros
VGS(V) 1.2 V
VDS(V) 12.8 V
VG(V) 0V
VD(V) 14.01 V
ID(mA) 1.2 Ma

Tabla 2: Tabla correspondiente a los valores teóricos para la simulación de la Figura 1.

Parámetros
VGS(V) 2.57 V
VDS(V) 8.68 V
VG(V) 0
VD(V) 7.18 V
ID(mA) 2.15 mA

Tabla 3: Tabla correspondiente a los valores medidos de la Figura1.

Parámetros
VGS(V) 2.4 V
VDS(V) 7.68 V
VG(V) 0
VD(V) 7.92 V
ID(mA) 2.4 mA

Tabla 4: Tabla correspondiente a los valores teóricos para la práctica de la Figura 1.

ECUACIONES PARÁMETROS
VGS(V) VDS(V) VG(V) VD(V) ID(mA)
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 ec. 1 (%) 7.08 % 13 % 0% 9.34 % 10.41 %
ec. 2 (%) VGS(V) VDS(V) VG(V) VD(V) ID(mA)
81 % 32.9 % 0% 25 % 81.81 %

Tabla 5: Tabla de errores porcentuales de la Figura 1.

G. SIMULACIONES, CALCULOS.

Realizar los cálculos respectivos solicitados en los puntos anteriores pero diferenciándolos de cuáles son de la
simulación y su análisis matemático; y, cuáles son de la práctica y su análisis matemático.

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H. CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES

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CONCLUSIONES:

Para la obtención de una buena práctica lo primero que se debe hacer es encontrar la corriente de saturación máxima y el
voltaje de estrangulamiento del transistor JFET utilizado en la elaboración de esta práctica. Los valores de voltajes que se
impusieron en esta práctica fueron de acuerdo a la corriente que circulaba por drain y source ya que eran semejantes, esto para
obtener unas resistencias comerciales. En cuanto a la simulación de los circuitos no es muy exacta debido a que el transistor con
el que se trabajó no hay en el simulador por lo cual fue necesario cambiar algunos parámetros en el transistor virtual debido a
que estos dependen de la corriente de colector y el voltaje de estrangulamiento.

RECOMENDACIONES:

RECOMENDACIONES:

 Se debe traer todos los cálculos de voltajes y corrientes, lo único que se va hacer en el laboratorio es comparar con los
valores medidos.
 Cada circuito debe estar simulado anteriormente, para estar seguros del diseñado de nuestro circuito a la hora de
armar en el Protoboard y estos deben venir ya armados.

Teoría de Circuitos y Dispositivos Electrónicos. R.L Boylestad, L. Nashelsky. 8Edición. Capítulo 6, pág.294 -296.

J. ANEXOS

Si se sustituye la resistencia de fuente de 1kΩ por una de 10kΩ ¿Cambia el punto de operación del
transistor? ¿Por qué? Demuéstrelo gráficamente.

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