2º Cooperación

2°Transistores BJT y FET en DC y AC

Equipo: #
Enlace
Contenido
1. Estructura y Características de los BJT
2. Polarizaciones del transistor BJT
4. Estructura y Características de los FET
5. Polarización del JFET
6. Amplificadores de pequeña señal con BJT y FET
7. Amplificadores de Potencia
Contenido / Indicadores de logro
1. Estructura y Características de los BJT Identifica las zonas de trabajo de
los transistores.
2. Polarizaciones del transistor BJT
Calcula, implementa y comprueba
3. El transistor BJT en conmutación Los circuitos de polarización de
los transistores BJT y FET
4. Estructura y Características de los FET
El funcionamiento en conmutación de los
5. Polarización del JFET transistores BJT.

6.Amplificadores de pequeña señal con BJT y El funcionamiento de los amplificadores de

FET señales con BJT Y FET.
2.7 Amplificadores de Potencia
El funcionamiento de los amplificadores de
Explica la estructura y diferentes tipos de
potencia
transistores BJT y FET.
Identifica las clases de amplificadores de
potencia.
2.1 Estructura y Características de los BJT

4. Configuración en base común

5. Acción amplificadora del transistor
6. Configuración en emisor común
7. Configuración en colector común
3.4 Configuración en base común

15. a. Dada αcd de 0.998, determine IC

si IE = 4 mA.
 (a) Ic=aIE=(0.998)(4 mA)= 3.992 mA
b. Determine αcd si IE = 28 mA e IB = 20
mA. (b) IE=IC+IB -> Ic= IE – IB = 2.8 mA – 0.02 mA= 2.78 mA
c. Encuentre IE si IB = 40 µA y αcd = adc = = = 0.993
0.98.
(c) Ic = bIB = () IB = (40 uA)= 1.96 mA

IE = = = 2mA
3.5 Acción amplificadora del transistor
18. Calcule la ganancia de voltaje (Av
= VL/Vi) para la red de la figura 3.12
si la resistencia interna de la fuente
es de 100 Ω en serie con Vi.
 Ii = = = 1.67 mA

IL = li = 1.67 mA
VL = ILR = (1.67 mA)(5 k ) = 8.35 V
Ii pnp IL
E C
+ + Av = = = 41.75
B
Ri Ro
Vi = 200 mV R VL
20 Ω
5
– –
k
Ω
100 k Ω
3.6 Configuración en emisor común
26. a. Dado que = 0.987,
αcd
determine el valor correspondiente de
ꞵcd.
b. Dada ꞵcd = 120, determine el valor
correspondiente de α.
c. Dado que ꞵcd = 180 e IC = 2.0 mA,
determine IE e IB.  (a) = = 75.92

(b) = = = 0.992

(c) = = 11.11 µA
3.7 Configuración en colector común
28. Se aplica un voltaje de
entrada de 2 V rms (medido
de la base a tierra) al circuito
de la figura 3.21. Suponiendo  
que el voltaje del emisor sigue =
al voltaje de la base con
exactitud y que Vbe (rms) = 0.1
V, calcule la amplificación de
voltaje del circuito (Av = Vo/Vi)
y la corriente del emisor para
RE = 1 kΩ.
2.2 Polarizaciones del transistor BJT
3. Configuración de polarización fija
4. Configuración de polarización de emisor
5. Configuración de polarización por medio del divisor de voltaje
6. Configuración de realimentación del colector
4.3 Configuración de polarización
fija
1. Para la configuración de
polarización fija de la figura 4.108,
determine:  =
a. IBQ.
b. ICQ ICQ
=
c. VCEQ
d. VC.
VC
+
e. VB. VB

f. VE IB Q _
VCEQ

VE
4.4 Configuración de polarización de
emisor
6. Para el circuito de polarización
estabilizado por emisor de la figura
4.112, determine:
a. IBQ
b. ICQ.

c.V CEQ. IC Q
d. VC. + VC
VB
e. VB. VCEQ
I BQ _
f. VE. VE
4.5 Configuración de polarización por medio del
divisor de voltaje
12. Para la configuración (a)
polarización
de por medio del divisor de
voltaje de la figura 4.115, determine:
a. IBQ
b. ICQ.

c.V CEQ.
d. VC. IC Q VC
VB +
e. VE. VCEQ
IB Q
f. VB VE
4.6 Configuración de realimentación del
colector
22. Para la configuración de
realimentación del colector de la
figura 4.119, determine:
a. IB
b. IC
c. VC.
VC
d. VeE.
IB IC
2.4 Estructura y Características de los FET
6.3 Características de transferencia
7. MOSFET tipo empobrecimiento
8. MOSFET tipo enriquecimiento
6.11 CMOS
6.2 Construcción y características de los JFET
11. Dados IDSS = 9 mA y Vp = -3.5 V,
determine ID cuando:
a. VGS = 0 V.
b. VGS = -2 V.
c. VGS = -3.5 V.
d. VGS = -5 V.
6.7 MOSFET tipo empobrecimiento
29. Dados ID = 4 mA con VGS = -2 V,
determine IDSS si Vp = -5 V.

𝑉 𝐺𝑆 2
𝐼  𝐷 =𝐼 𝐷𝑆𝑆𝑆 (1− )
𝑉𝑃
𝐼𝐷 4 𝑚𝐴
𝐼  𝐷𝑆𝑆 = 2= = 11.11 𝑚𝐴
(1− 𝑉 𝐺𝑆 ⋰ 𝑉 𝑃 ) (1− ( −2 𝑉 ) ⋰ (− 5 𝑉 ) )2
6.8 MOSFET tipo enriquecimiento
36. Dados k = 0.4 x 10-3 A/V2 e
ID(encendido) = 3 mA con VGS(encendido) = 4 V,
determine VT.
6.11 CMOS
43. Investigue la lógica CMOS en la
biblioteca local o en la biblioteca de
su escuela, y describa las diversas
aplicaciones y las ventajas básicas
del método.
2.5 Polarización del JFET
2. Configuración de polarización fija
3. Configuración de autopolarización
4. Polarización por medio del divisor de voltaje
5. Configuración en compuerta común
7.2 Configuración de polarización fija
5. Determine VD para la configuración
de polarización fija de la figura 7.84.

VD
7.3 Configuración de autopolarización
8. Para la red de la figura 7.86,
determine:

a.V GSQ y IDQ.

b. VDS, VD, VG, y VS.

IDQ

VGSQ
7.4 Polarización por medio del divisor de voltaje
14. Para la red de la figura 7.91, VD =
9 V. Determine:
a. ID. 18 V

b. VS y VDS. ID

c. VG y VGS. 2 kΩ
750 kΩ
d. VP + VD = 9 V
VG IDSS = 8 mA
VDS
+
–
VGS – VS

91 kΩ
0.68 kΩ
7.5 Configuración en compuerta común
*15. Para la red de la figura 7.92,
determine:
a. IDQ y VGSQ.
b. VDS y VS.

ID Q

VDSQ
2.6 Amplificadores de pequeña señal BJT
FET
4. Modelo re del transistor 2. Modelo del JFET de señal pequeña
3. Configuración de polarización fija
5.Configuración de polarización fija
4. Configuración de autopolarización
en emisor común
5. Configuración del divisor de voltaje
6.Polarización por medio del divisor 6. Configuración del JFET en compuerta común
de voltaje 7. Configuración del JFET en fuente-seguidor
7.Configuración de polarización en 8. Los MOSFET tipo empobrecimiento
emisor común 10.Configuración por realimentación de drenaje
del E-MOSFET
11.Configuración del divisor de voltaje del E-
MOSFET
12. Diseño de redes de amplificación con
FET
8.15 Configuración en cascada
5.4 Modelo re del transistor
5. En la configuración en base común
de la figura 5.18, se aplica una señal
de ca de 10 mV, y el resultado es una
corriente de ca de 5 mA. Si α = 0.980,
determine:
a. Zi
b.Vo si RL = 12 kΩ
IIii Ie Ic IIoo
c. Av = Vo/Vi
+ +
d. Zo con ro = ∞Ω
V ro Voo
Vii Zii Zoo V
e. Ai = Io/Ii Z Z

f. Ib. – –
5.5 Configuración de polarización fija en emisor
común
9. Para la red de la figura 5.150:
a. Determine Zi y Zo 12 V

b. Encuentre Av.
c. Repita la parte (a) con ro = 20 kΩ. 2.2 kΩ

d. Repita la parte (b) con ro = 20 kΩ. 220 kΩ II oo

Vo
o

Vi Zoo
Z
i
Ii  60
Ii ro  40 kΩ
Zi
Zi
5.6 Polarización por medio del divisor de voltaje
12. Para la red de la figura 5.153:
a. Determine re.
b. Calcule Zi y Zo. VCC  16 V

c. Encuentre Av.
3.9 kΩ
d.Repita las partes (b) y (c) con ro = 39 kΩ IIoo

25 kΩ. 1
Voo
V
1 Zoo
Vi μF μF
Vi  100
IIii ro  50 kΩ

4.7 kΩ
Zii
Z
1.2 kΩ 10
μF
5.7 Configuración de polarización en emisor
común
15. Para la red de la figura 5.156:
a. Determine re.
b. Encuentre Zi y Ze. 20 V

c. Calcule Av. 2.2 kΩ

IIoo
390 kΩ
d. Repita las partes (b) y (c) con re Voo
V
2
=0 kΩ.
Vii  140
V ro  100 kΩ
IIii

1.2 kΩ Zoo
Zii
Z
8.2 Modelo del JFET de señal pequeña
1. Calcule gm para un JFET cuyos
parámetros de dispositivo son IDSS =
15 mA y Vp = -5 V.
8.3 Configuración de polarización
fija
17. Determine Zi, Zo y Av para la red
de la figura 8.73 si IDSS = 10 mA, Vp
= -4 V y rd = 40 kΩ.
18 V

1.8 kΩ

Vo

Vi
Zo
1 MΩ
Zi –
1.5 V
+
8.4 Configuración de autopolarización
19. Determine Zi, Zo y Av para la red
de la figura 8.74 si yfs = 3000 µs y yos
= 50 µs.
12 V

3.3 kΩ

Vo

Vi
Zo

Zi 10 MΩ
1.1 kΩ 20 μF
8.5 Configuración del divisor de voltaje
23. Determine Zi, Zo y Av para la red
de la figura 8.76 si Vi = 20 mV.

20 V

2 kΩ
82 MΩ
Vo

IDSS  12 mA
Vi VP  −3 V
rd  100 kΩ
Zi
11 MΩ Zo
RS CS
610 Ω
2.7 Amplificadores de
Potencia
2. Amplificador clase A alimentado en serie
3. Amplificador clase A acoplado por transformador
4. Operación de un amplificador clase B
5. Circuitos del amplificador clase B
6. Distorsión de un amplificador
7. Disipación de calor de un transistor de potencia
12.10 Análisis por computadora
12.2 Amplificador clase A alimentado en
serie
1. Calcule la potencia de entrada
y salida para el circuito
de la figura
12.35. La señal de entrada
produce
una corriente de base de 5 mA rms.
12.3 Amplificador clase A acoplado por
transformador
5. Un amplificador clase A acoplado
por transformador utiliza un
transformador 25:1 para excitar una
carga de 4 Ω. Calcule la carga de ca
efectiva (vista por el transistor
conectado al lado donde se tiene
mayor número de vueltas del
transformador).
12.4 Operación de un amplificador clase B
12. Para un amplificador clase B que
proporciona una señal pico de 22 V a
una carga de 8 Ω y una fuente de
alimentación VCC = 25 V, determine:
a. La potencia de entrada.
b. La potencia de salida.
c. La eficiencia del circuito.
12.5 Circuitos del amplificador clase B
16. Para el amplificador de potencia
clase B de la figura 12.36, calcule:
a. Po(ca) máxima.
b. Pi(cd) máxima.
c. %η máxima
d.Potencia máxima disipada por
ambos transistores.