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Universidad de San Buenaventura. Cote. Torres. Laboratorio#1: Polarizacion del transistor BJT

Laboratorio #6: Polarización del transistor BJT

Luis Miguel Cote– 1155396, Angel David Torres – 1145917
miguelluismonta@gmail.com, the.angel.d.96@hotmail.com
Universidad de San Buenaventura - Cali

Resumen— en este informe se realizaron circuitos con el fin de

determinar un punto de operación para poder implementar lo teórico
visto en clase, por medio de circuitos simulados para su comprobación Tabla 1. características del diodo

I. INTRODUCCIÓN
se encuentra recopilada información de la guia de laboratorio, Transistor 2N2222
con el fin de detectar en donde se encuentra en su punto de
operación, si es zona activa, corto, y saturación, para aprender Vceo
a fijar en la recta el punto de operación, 40 V
II. MARCO TEÓRICO
Ic
CARACTERÍSTICAS TÉCNICAS DEL 800 mA
TRANSISTOR BJT 2N22A
PD
625 mW
Es fabricado en diferentes formatos, los más comunes son los
TO-92, TO-18, SOT-23, y SOT-223.
β 100 - 300
Su complemento PNP es el 2N2907. El 2N3904 es un transistor
de características similares pero que sólo puede transportar un
décimo de la corriente que el 2N2222 puede transportar; puede Identificació
usarse como reemplazo del 2N2222 en caso de señales
pequeñas [1]. n de
Terminales
Por todas esas razones, es un transistor de uso general,
frecuentemente utilizados en aplicaciones de radio por los
constructores aficionados de radios. Es uno de los transistores
oficiales utilizados en el BITX. Su versatilidad ha permitido
incluso al club de radioaficionados Norcal lanzar en 1999 un
desafío de construir un transceptor de radio utilizando
únicamente hasta 22 ejemplares de este transistor - y ningún
circuito integrado, mirando, a continuación la fig.1. se
mostrada las características importantes del transistor [1].

III. PROCEDIMIENTO

1. POLARIZACIÓN FIJA DE BASE. (SO e)

Parte teórica

Para realizar este punto de la guia de laboratorio se decía en la

guía, que se tenía que utilizar un número de beta de forma
aleatorio, entonces para que fuera lo más aleatorio posible se
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decidió utilizar una página que me lo generarál[ [2]mostrando p/472101/mod_resource/content/2/Practica%206%20Polarizacio

en la fig.tal. el pantallazo del número en cuestión que se n%20del%20transistor%20BJT.pdf ]
utilizara para el beta que es de 126.

Figura l. generación del beta de forma aleatoria Malla de entrada:

−20 + (𝑅𝐵 )(𝐼𝐵 ) + 0.7 (3)

Malla de salida:

−20 + (12𝐾)(𝐼𝐶 ) + 𝑉𝐶𝐸 (4)

Para calcular el 𝑉𝐶𝐸𝑄 se tiene en cuenta que el valor de la

fuente es el 𝑉𝐶𝐸𝑚𝑎𝑥 que es igual 20V y el 𝐼𝐶𝑚𝑎𝑥 en el 𝑉𝐶𝐸𝑚𝑎𝑥
se hace 0 por lo tanto reemplazando en la ecuación (1) se
obtiene:

20
𝑉𝐶𝐸𝑄 = = 10𝑉 (5)
2

Fuente: echaloasuerte.com [2] 𝑉𝐶𝐸𝑄 = 10𝑉 (6)

Se procedió luego hacer el calculo para sacar la recta de carga

que fue el siguiente:

-Para el cálculo del punto Q que es en la mitad de la recta, Ya teniendo el voltaje del punto Q que va en la mitad del punto
entonces teniendo eso en cuenta se puede definir que para 𝐼𝐶𝑄 y de carga, se decide ahora hacer el cálculo del 𝐼𝐶𝑚𝑎𝑥 que se dice
𝑉𝐶𝐸𝑄 serían las siguientes ecuaciones: que en la malla de entrada el 𝑉𝐶𝐸 𝑒𝑠 0, reemplazando en la
ecuación (4) se obtiene:
𝐼𝑚𝑎𝑥
𝐼𝐶𝑄 = (1)
2
−20 + (12𝐾)(𝐼𝐶𝑚𝑎𝑥 ) + (0) (7)
𝑉𝐶𝐸𝑚𝑎𝑥
𝑉𝐶𝐸 = (2)
2
(12𝐾)(𝐼𝐶𝑚𝑎𝑥 ) = 20 (8)
Ahora empezamos a sacar las ecuaciones de malla de entrada y 20
de salida, con el diseño propuesto en la guia de laboratorio que 𝐼𝐶𝑚𝑎𝑥 = 12𝐾 (9)
se muestra en la fig.2.
𝐼𝐶𝑚𝑎𝑥 = 1.7𝑚𝐴 (10)
Figura 2. Circuito de polarización fija de base
Ahora sí se puede hacer el cálculo del 𝐼𝐶𝑄 ya teniendo el 𝐼𝐶𝑚𝑎𝑥 ,
reemplazando en la ecuación (1), se obtuvo lo siguiente:

1.7𝑚𝐴
𝐼𝐶𝑄 = = 0.85𝑚𝐴 (11)
2

𝐼𝐶𝑄 = 0.85𝑚𝐴 (12)

Ahora para el cálculo del 𝐼𝐵 , ya obtenida la corriente 𝐼𝐶𝑄 se

utiliza la ecuación que relaciona la corriente de operación del
Fuente: guia de colector con el beta y la corriente de base que se muestra en la
laboratorio[https://micampusvirtual.usbcali.edu.co/pluginfile.ph ecuación (13) mostrando el siguiente procedimiento:
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19.3
𝐼𝐵 = 286𝑘
𝐼𝐶𝑄
𝐼𝐵 = (13)
𝛽
𝐼𝐵 = 67.48𝜇𝐴
0.85𝑚𝐴
𝐼𝐵 = (14)
126

0.85𝑚𝐴 Ahora calculo el 𝐼𝐵 con la ecuación de salida:

𝐼𝐵 = (15)
126
−20 + (12𝐾)(𝐼𝐶 ) + 𝑉𝐶𝐸
𝐼𝐵 = 6.74𝜇𝐴 (16)
Pero no sabemos el valor de𝑉𝐶𝐸 , entonces primero lo calculo
para encontrar 𝐼𝐶 con la ecuación que relaciona beta, con 𝐼𝐶 e
Ahora teniendo 𝐼𝐵 ya se puede calcular 𝑅𝐵 reemplazando en 𝐼𝐵
la ecuación (3):
𝐼𝐶
𝐼𝐵 =
𝛽
19.3
𝑅𝐵 = 6.74𝜇𝐴 (17)
𝐼𝐵 𝛽 = 𝐼𝐶
𝑅𝐵 = 2.86M𝝮(18)
(67.48𝜇𝐴)(126) = 𝐼𝐶

Ya con todo eso calculado se procedió hacer la recta de carga 𝐼𝐶 = 8.50𝑚𝐴(31)

para verificar que el punto de operación gráficamente se vea
justo en el medio con la tabla.1. para sacar la fig.ta. que se
muestran en la sección de resultados. −20 + (12𝐾)(𝐼𝐶 ) + 𝑉𝐶𝐸

Se necesito hacer tres tabla con el circuito de la fig.tal, con las 𝑉𝐶𝐸 =+20 − (12𝐾)(8.50𝑚𝐴)
corrientes de polarización (𝐼𝐵 ,𝐼𝐶 𝐼𝐸 ) y con los voltajes
(𝑉𝐶𝐸 𝑉𝐵𝐸 𝑉𝐶𝐵 ), y ubicar dónde está el punto de la recta de 𝑉𝐶𝐸 =−82𝑉
carga, siendo como referencia la fig.tal, que muestra la recta
de carga para determinar dónde está la operación si en zona Por último calculo la corriente 𝐼𝐸
activa, de corte o saturación, primero con el diseño del
primer circuito fig.tal. , con el 𝑅𝐵 calculado, para la primera
tabla, para la segunda con un 𝑅𝐵 10 veces más pequeños y 𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵
para la tercera tabla un diseño circuital diferente que se
mostrará más adelante su esquema. 𝐼𝐸 = 8.50𝑚𝐴 + 67.48𝜇𝐴

Para la tabla con el 𝑅𝐵 calculado hace falta calcular algunas 𝐼𝐸 = 8.50𝑚𝐴 + 67.48𝜇𝐴
variables que se calcularán a continuación:
𝐼𝐸 = 8.57𝑚𝐴

𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵 (19)
Ahora el circuito inicial se colocar una resistencia conectada
𝐼𝐸 = 0.85𝑚𝐴 + 6.74𝜇𝐴 (20) entre 𝑅𝐵 y tierra para ahora calcular: (𝐼𝐵 , 𝐼𝐶 , 𝐼𝐸 , 𝑉𝐶𝐸 , 𝑉𝐵𝐸 y
𝑉𝐶𝐵 ), como muestra la fig.tal.
𝐼𝐸 = 856.74𝜇𝐴 (21)
Figura 3. Circuito de polarización fija de base

Ahora lo siguiente fue modificar 𝑅𝐵 siendo 10 veces menos,

ahora con un 𝑅𝐵 de 286K, este se reemplaza en la ecuación
de malla de entrada:

19.3
(𝐼𝐵 ) =
286𝑘
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𝐼𝐵 = −17.66𝜇𝐴

Malla de salida:

−20 + (12𝐾)(𝐼𝐶 ) + 𝑉𝐶𝐸 (4)

Para la malla de salida se va a calcular VCE, pero no se tiene

IC, entonces se utilizó la fórmula de beta
Fuente: guia de
laboratorio[https://micampusvirtual.usbcali.edu.co/pluginfile.ph
𝐼𝑐 =𝐼𝐵 𝛽
p/472101/mod_resource/content/2/Practica%206%20Polarizacio
n%20del%20transistor%20BJT.pdf ]
𝐼𝑐 =−17.66𝜇𝐴(126)

Para la resistencia 𝑅 es 100 veces más pequeña que 𝑅𝐵 , que es 𝐼𝑐 =−2.23𝑚𝐴

28,6K, entonces para la malla de entrada se tiene que simplificar
la resistencia haciendo thevenin:
Ahora si calculo VCE
(2.86 𝑀Ω)(28.6 𝑘Ω)
𝑅𝑡ℎ =
2.86 𝑀Ω + 28.6 𝑘Ω −20 + (12𝐾)(𝐼𝐶 ) + 𝑉𝐶𝐸

𝑅𝑡ℎ = 28.32𝑘 𝑉𝐶𝐸 = 20 − (12𝐾)(−2.23𝑚𝐴)

𝑉𝐶𝐸 = 46.76𝑉

𝑅𝑡ℎ = 28.32𝑘

28.6𝐾
𝑉𝑡ℎ = 20 SIMULADO
2.86𝑀

28.6𝐾 Con lo simulado se hicieron las mismas tablas para verificación

𝑉𝑡ℎ = 20 del resultado teórico,comenzando con el primer planteamiento
2.86𝑀

𝑉𝑡ℎ = 0.2𝑉 Figura.5. Medición de corrientes del Circuito de

polarización fija de base con primer planteamiento
Con la simplificación del circuito ya puedo
encontrar los datos más fácil

Malla de entrada:

−0.2 + (28.32𝑘)(𝐼𝐵 ) + 0.7 = 0

(28.32𝑘)(𝐼𝐵 ) = −0.5

−0.5
𝐼𝐵 = 28.32𝑘
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Figura.6. Medición de corrientes del Circuito de

polarización fija de base con segundo planteamiento

Figura.6. Medición de corrientes del Circuito de

polarización fija de base con segundo planteamiento

Figura.7. Medición de voltaje base emisor del Circuito de

polarización fija de base con segundo planteamiento
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Figura.7. Medición de voltaje base emisor del Circuito de 𝑅2 ≤ 16 𝑘Ω

polarización fija de base con segundo planteamiento
𝑉𝐵 = 0.7 𝑉 + 𝐼𝐶 ∗ 𝑅𝐸
𝑉𝐵 = 0.7 𝑉 + (1 𝑚𝐴)(2 𝑘Ω)
𝑉𝐵 = 2.7 𝑉

𝑉𝐶𝐶 ∗ 𝑅2
𝑅1 = − 𝑅2
𝑉𝐵
20 𝑉(16𝑘Ω)
𝑅1 = − 16𝑘Ω
2.7 𝑉
𝑅1 = 102.52 𝑘Ω

𝑉𝐶𝐸 = 10 𝑉
−20 𝑉 + 𝐼𝐶 𝑅𝐶 + 10 𝑉 + 𝐼𝐶 ∗ 𝑅𝐸 = 0
20 𝑉 − 10 𝑉 − 2 𝑉
𝑅𝐶 =
1 𝑚𝐴
𝑅𝐶 = 8 𝑘Ω
Figura.9. Medición de voltaje base emisor del Circuito de
polarización fija de base con tercer planteamiento 𝐼𝐶 = 1 𝑚𝐴.
𝐼𝐵 = 12.5 µ𝐴.
𝐼𝐸 = 1.013 𝑚𝐴.
−𝐼2 𝑅2 + 0.7 + 𝐼𝐶 ∗ 𝑅𝐸 = 0
0.7 𝑉 + (1.013 𝑚𝐴)(2 𝑉)
𝐼2 =
16𝑘Ω
𝐼2 = 170.4 𝜇𝐴.

𝐼1 − 𝐼𝐵 − 𝐼2 = 0
𝐼1 = 12.5 µ𝐴 + 170.4 µ𝐴
𝐼1 = 182.9 µ𝐴

−20 𝑉 + 𝑉𝑅𝐶 + 𝑉𝐶𝐵 + 𝑉𝑅2 = 0

𝑉𝐶𝐵 = 20 𝑉 − (1 𝑚𝐴)(8 𝑘Ω)
− (170.4 µ𝐴)(16 𝑘Ω)
𝑉𝐶𝐵 = 9.27 𝑉

(102.52 𝑘Ω)(16 𝑘Ω)

𝑅𝐵 = 𝑅𝑡ℎ = = 13.84 𝑘Ω
102.52 𝑘Ω + 16 𝑘Ω

2. POLARIZACIÓN CON DIVISOR DE VOLTAJE. (Debe

ser simulado) (SO c) (SO k)

Parte teórica

∆𝑉𝐵𝐸 0.2
𝑅𝐸 = →
∆𝐼𝐶𝑄 0.1 ∗ 1 𝑚𝐴
𝑅𝐸 = 2 𝑘Ω

𝑅2 ≤ 0.1 ∗ 𝛽 ∗ 𝑅𝐸
𝑅2 ≤ 0.1(80)(2 𝑘Ω)
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Fuente: elaboración propia en multisim v.14

SIMULADO
Figura 7. Corriente de emisor
Figura 4. Diseño del circuito

Fuente: elaboración propia en multisim v.14

Figura 8. Corriente de 𝐼1

Fuente: elaboración propia en multisim v.14

Figura 5. Corriente de base

Fuente: elaboración propia en multisim v.14

Figura 9. Corriente de 𝐼2

Fuente: elaboración propia en multisim v.14

Figura 6. Corriente de colector

Fuente: elaboración propia en multisim v.14

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Figura 10. Voltaje base-emisor Figura 13. Voltaje base

Fuente: elaboración propia en multisim v.14

Fuente: elaboración propia en multisim v.14

IV. RESULTADOS
Figura 11. Voltaje colector-base
Tabla 1. Datos para realizar el punto de operación
Puntos de la recta Voltaje(V) Corriente (mA)

Punto del 𝐼𝑐𝑚𝑎𝑥 0 1.7

Punto Q 10 0.85

Punto del 𝑉𝑐𝑚𝑎𝑥 20 0

Fuente: elaboración propia excel

Figura 14. Demostración de punto de operación

Fuente: elaboración propia en multisim v.14
RECTA DE CARGA
2
Figura 12. voltaje colector-emisor
1.5

0.5

0
0 5 10 15 20 25
-0.5
Fuente: elaboración propia en Excel

TABLAS DEL PRIMER PUNTO:

Fuente: elaboración propia en multisim v.14

Tabla 2. Valores teóricos del circuito 1

Valor de 𝑅𝐵 2.86. 𝑀Ω
𝐼𝐵 6.75µ𝐴
𝐼𝐶 0.85𝑚𝐴
𝐼𝐸 856µ𝐴
β 126
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𝑉𝐶𝐸 10𝑉 𝐼𝐵 12.5µ𝐴

𝑉𝐵𝐸 0.7𝑉 𝐼𝐶 1𝑚𝐴
𝑉𝐶𝐵 9.8𝑉 𝐼𝐸 1.013𝑚𝐴
Zona de Activa 𝐼1 182.9µ𝐴
operación
Fuente: elaboración propia excel 𝐼2 170.4𝜇𝐴
β 80
Tabla 3. Valores teóricos del circuito 1
𝑉𝐶𝐸 10𝑉
Valor de 𝑅𝐵 286𝐾Ω
𝑉𝐵𝐸 0.7𝑉
𝐼𝐵 67.48µ𝐴
𝑉𝐶𝐵 9.27𝑉
𝐼𝐶 8.50𝑚𝐴
𝑉𝐵 2.7𝑉
𝐼𝐸 8.57𝑚𝐴
Zona de Activa
β 126
operación
𝑉𝐶𝐸 −82𝑉 Fuente: elaboración propia excel

𝑉𝐵𝐸 0.7𝑉
Tabla 5. Valores simulados
𝑉𝐶𝐵 𝑉 Valor de 𝑅𝐵 13.8413𝑘Ω
Zona de Saturación 𝐼𝐵 5.208µ𝐴
operación
Fuente: elaboración propia excel 𝐼𝐶 1.001𝑚𝐴
𝐼𝐸 1.006𝑚𝐴
Tabla 4. Valores teóricos del circuito 1
Valor de 𝑅𝐵 2.86𝐾Ω 𝐼1 169.451µ𝐴

𝐼𝐵 −17.66𝜇𝐴 𝐼2 164.243𝜇𝐴

𝐼𝐶 −2.23𝑚𝐴 β 80

𝐼𝐸 −17.66𝜇𝐴 𝑉𝐶𝐸 9.982𝑉

β 126 𝑉𝐵𝐸 615.97𝑚𝑉

𝑉𝐶𝐸 46.76𝑉 𝑉𝐶𝐵 9.365𝑉

𝑉𝐵𝐸 0.7𝑉 𝑉𝐵 2.628𝑉

𝑉𝐶𝐵 𝑉 Zona de Activa

operación
Zona de Corte Fuente: elaboración propia excel
operación
Fuente: elaboración propia excel

TABLAS DEL SEGUNDO PUNTO:

Tabla 5. Valores teóricos

Valor de 𝑅𝐵 13.84. 𝑘Ω
Tabla 1. Datos para realizar el punto de operación
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parte experimental (126) y aun así, los resultados

Puntos de la recta Voltaje(V) Corriente (mA) fueron muy parecidos.
Punto del 𝐼𝑐𝑚𝑎𝑥 0 1.7

Punto Q 10 0.85 Referencias:

Punto del 𝑉𝑐𝑚𝑎𝑥 20 0
[1] alldatasheet, «alldatasheet,» [En línea]. Available:
V. PREGUNTAS LABORATORIO https://html.alldatasheet.com/html-
pdf/526879/KINGTRONICS/1N4004/725/1/1N4004.ht
Investigue y explique por qué la ganancia de corriente β no es ml. [Último acceso: 15 mayo 2020].
la misma para todos transistores que son de la misma referencia, [2] achaloasuerte.com, «achaloasuerte.com,» [En línea].
cuál es la razón de estas variaciones. Available:
https://echaloasuerte.com/draw/5ebeb8c8a307190d905e
R//La ganancia Beta varía de un transistor a otro de forma fa86/]. . [Último acceso: 15 mayo 2020].
notable siendo estos de la misma referencia, ya que las tres [3] «www.uv.es/,» [En línea]. Available:
regiones (colector, base y emisor) que ellos poseen, no son https://www.uv.es/~esanchis/cef/pdf/Temas/A_T2.pdf.
exactamente iguales de un transistor a otro, generado así, los [Último acceso: 05 15 2020].
cambios en la ganancia que se observa en la corriente de
colector. Cabe aclarar, que la ganancia se determina a través del
cociente entre la corriente de colector y la de base. Otro factor
que influye notablemente en estas variaciones, es la
temperatura, debido a que son uniones PN las que conforman el
dispositivo semiconductor [3].

VI. CONCLUSIONES

● Para determinar que un transistor se encontraba en

zona activa, era porque su voltaje entre el colector y el
emisor equivalía al de la mitad de la fuente de
alimentación (aproximadamente). Y su corriente de
colector, era aproximadamente igual a la mitad de la
corriente máxima que podía pasar por esta rama.
● Para determinar que el transistor se encontraba en zona
de saturación, era porque el voltaje Vce tendía a cero
mientras que, la corriente de colector se acercaba a la
corriente máxima que podía pasar por esta rama
teniendo de referencia en la recta de carga,.
● Para determinar que el transistor estaba en zona de
corte, debía suceder lo contrario al caso anterior, es
decir, el voltaje Vce se acercaba al voltaje máximo que
podía haber entre los terminales de colector y emisor
(voltaje Vcc); mientras que, la corriente de colector
tendía a cero.
● En el circuito diseñado bajo la polarización fija de
base, se observó cuán inestable era ante los cambios
de temperatura, es decir, cómo el cambio de beta
afectaba a este; mientras que, en el diseñado bajo la
polarización universal, estas variaciones afectan poco.
● Los criterios de diseño para un circuito BJT con
polarización universal son eficientes debido a que, al
medir los diferentes parámetros que este circuito me
ofrece en la parte práctica, nos encontramos con que
eran muy similares a los obtenidos a partir de los
cálculos teóricos, es decir, el beta tomado
teóricamente (80) fue muy distinto al hallado en la