Conducción Semiconductores. Teoría - Problemas - Unlocked

2 Félix Elard CASTILLO HERRERA
Conducción en Semiconductores. Teoría y Problemas 3
PREFACIO
El presente libro está diseñado para que lo usen los estudiantes de ingeniería electrónica, ingeniería eléc-
trica, ingeniería mecatrónica, ingeniería de telecomunicaciones; cuando lleven el curso de Dispositivos Elec-
trónicos.
La finalidad de esta producción intelectual es clarificar los conceptos y los fundamentos de la forma como
ocurre la corriente eléctrica en el interior de los semiconductores y que se deben a dos fenómenos: uno, es la
misma corriente que ocurre en los conductores y que se denomina corriente de desplazamiento o corriente de
arrastre; y la otra, es un fenómeno que sólo ocurre en los semiconductores y se denomina corriente de difu-
sión.
La cantidad de problemas resueltos que se muestran en este libro sirven para entender y dominar las leyes
y fórmulas que describen el comportamiento cualitativo y fundamentalmente cuantitativo de la corriente en
el interior de los semiconductores.
El autor
ÍNDICE
1. CONCEPTOS BÁSICOS ........................................................................................................................ 7
1.1. EL ELECTRÓN VOLTIO COMO UNIDAD DE ENERGÍA (eV) ........................................................... 7
1.2. EL ATOMO DE BÖHR........................................................................................................................... 7
1.3. NIVELES DE ENERGÍA DE UN ÁTOMO ............................................................................................. 8
1.4. CLASIFICACIÓN DE LOS MATERIALES ........................................................................................... 9
1.4.1. LOS AISLADORES .............................................................................................................................. 10
1.4.2. LOS CONDUCTORES ......................................................................................................................... 10
1.4.3. LOS SEMICONDUCTORES ................................................................................................................ 11
1.6. PROBLEMAS DEL CAPÍTULO ........................................................................................................... 12
2. ESTRUCTURAS SEMICONDUCTORAS ............................................................................................ 15
2.1. SEMICONDUCTORES PUROS O INTRÍNSECOS .............................................................................. 15
2.2. CONCENTRACIÓN DE PORTADORES EN UN SEMICONDUCTOR INTRÍNSECO ....................... 19
2.2.1. CONCENTRACIÓN DE ELECTRONES EN UN SEMICONDUCTOR ............................................... 20
2.2.2. CONCENTRACIÓN DE HUECOS EN UN SEMICONDUCTOR ........................................................ 20
2.3. NIVEL DE FERMI EN UN SEMICONDUCTOR INTRÍNSECO.......................................................... 21
2.4. SEMICONDUCTORES IMPUROS O EXTRÍNSECOS ........................................................................ 23
2.4.1. SEMICONDUCTORES TIPO N ........................................................................................................... 23
2.4.2. SEMICONDUCTORES TIPO P ............................................................................................................ 25
2.5. NIVEL DE FERMI EN SEMICONDUCTORES EXTRÍNSECOS ........................................................ 27
2.6. PROBLEMAS DEL CAPÍTULO ........................................................................................................... 28
3. CONDUCCIÓN EN SEMICONDUCTORES ........................................................................................ 33
3.1. LEY DE ACCIÓN DE MASAS............................................................................................................. 33
3.2. LEY DE NEUTRALIDAD ELÉCTRICA .............................................................................................. 34
3.3. CASOS PARTICULARES EN LA APLICACIÓN DE LAS LEYES ..................................................... 34

3.3.1. SEMICONDUCTOR TIPO “N” ............................................................................................................ 34
3.3.2. SEMICONDUCTOR TIPO “P” ............................................................................................................. 35
3.4. CORRIENTE DE ARRASTRE O DE DESPLAZAMIENTO ................................................................ 35
3.5. DENSIDAD DE CORRIENTE “J” ........................................................................................................ 36
3.6. VELOCIDAD DE ARRASTRE ............................................................................................................ 37
3.7. DENSIDAD DE CORRIENTE EN LOS SEMICONDUCTORES ......................................................... 38
3.8. CORRIENTE DE DIFUSIÓN ............................................................................................................... 39
3.9. VOLTAJE EQUIVALENTE DE LA TEMPERATURA ........................................................................ 42
3.10. TIEMPO DE VIDA MEDIA DE LOS PORTADORES ......................................................................... 42
3.11. ECUACIÓN DE CONTINUIDAD ........................................................................................................ 44
3.12. CASOS DE LA ECUACIÓN DE CONTINUIDAD ............................................................................... 47
3.12.1. CONCENTRACIÓN INDEPENDIENTE DE “X” Y CAMPO ELÉCTRICO NULO ............................. 47
3.12.2. CONCENTRACIÓN INDEPENDIENTE DEL TIEMPO Y CAMPO ELÉCTRICO NULO ................... 48
3.13. PROBLEMAS DEL CAPÍTULO .......................................................................................................... 51
CAPÍTULO I
1. CONCEPTOS BÁSICOS
1.1. EL ELECTRÓN VOLTIO COMO UNIDAD DE ENERGÍA (eV)
El electrón voltio es una unidad de energía muy usada en la física de semiconductores y tiene la equiva-
lencia con la unidad de energía del sistema internacional (SI) , es decir con el Joule (J), de la siguiente mane-
ra:
1 eV = 1.602 x 10-19 J (1.1)
DEMOSTRACIÓN
W
Se sabe que el voltaje, según su definición, es V  …… (1)
q
Donde W es el trabajo realizado para desplazar la carga “q”
Despejando el trabajo se tiene: W  Vq …… (2)
De la ecuación (2) podemos concluir que cuando un electrón, cuya carga es de 1.602 x 10 -19 Coulombios,
cae a través de una diferencia de potencial de un voltio entonces se desarrollará un trabajo o energía consu-
mida, por lo que denominando a dicha energía que consume el electrón como ELECTRON VOLTIO (eV) y
reemplazando en la ecuación (2) se tiene:
1 eV = (1 V)(1.602 x 10-19 C) = 1.602 x 10-19 C Lqqd
1.2. EL ATOMO DE BÖHR
El físico danés Niels Henrik David BÖHR (nació 7OCT1885 - falleció 18NOV1962), postuló en 1913
tres leyes1 para su modelo atómico, gracias a la cual en 1922 recibió el premio Nobel de física.
Dichas leyes fueron:
1
MILLMAN, Jacob – HALKIAS, Christos. DISPOSITIVOS Y CIRCUITOS ELECTRONICOS. Pág 57.
a) No son posibles todas las energías, como afirma la mecánica clásica, sino que el átomo sólamente puede
poseer ciertas energías discretas. El electrón no emite ninguna radiación mientras permanezca en los es-
tados correspondientes en estas energías discretas, y se dice que el electrón está en un estado estacionario
(no radiante).
b) Será emitida una radiación cuando tenga lugar una transición de un estado estacionario correspondiente a
una energía definida W2 a otro estado estacionario, con una energía asociada W1. La frecuencia de esta
energía radiada viene dada por
W2  W1
f 
h (1.2)
-34
Donde h es la constante de Planck cuyo valor es 6.626 x 10 J-s
c) Un estado estacionario se determina por la condición de que el momento angular del electrón en este es-
tado está cuantificado y debe ser igual a un múltiplo entero de f  h , es decir:
2
nh ; donde “n” es entero
mvr  (1.3)
2
1.3. NIVELES DE ENERGÍA DE UN ÁTOMO

Aunque es posible teóricamente calcular los diferentes estados de energía de los átomos de los elementos
químicos más sencillos, para los más complicados, estos niveles deben determinarse indirectamente median-
te la espectroscopia y otros métodos.
Sabiendo que los niveles energéticos son discretos entonces uno o varios electrones pueden estar orbitan-
do en cualquiera de estas órbitas energéticas discretas; por simplicidad vamos a suponer que dichas orbitas
son lineales y tienen los valores energéticos como se muestra en la Fig. Nº 1.1 . Cuando un electrón pasa de
un nivel energético a otro puede absorber o liberar energía y todo ello se muestra en dicha figura. El nivel
de “ionización” es el nivel energético de un átomo en la cual cualquier electrón se libera de la atracción del
núcleo de dicho átomo, es decir, el electrón ya se encuentra “libre”.
eV
260 Nivel de ionización
240
Radiación de energía
200
160
120
0
80 Absorción de energía
40
Fig. 1.1 Radiación o absorción de energía de un electrón en un átomo.
1.4. CLASIFICACIÓN DE LOS MATERIALES

Desde el punto de vista de la conducción de la corriente eléctrica, ya sea esta continua o alterna, los mate-
riales siempre se han clasificado como: aisladores, conductores y semiconductores. La definición clásica de
los conductores es que son aquellos que conducen la corriente eléctrica, mientras que los aisladores son
aquellos que no conducen la corriente eléctrica; asimismo los semiconductores son aquellos que no son ni
conductores ni aisladores.
Ahora vamos a definir a dichos materiales de una manera distinta, es decir, por intermedio de los niveles
energéticos los cuales en cualquier material están agrupados en dos bandas: de valencia y de conducción.
La banda de valencia viene a ser el conjunto de niveles energéticos de un átomo de cualquier material en el
cual los electrones que pertenecen a cualquiera de ellos siempre están ligados al núcleo del átomo, es decir,
están circulando en dichas órbitas energéticas; siendo el máximo nivel energético de la banda de valencia
EV. Mientras que la banda de conducción es el conjunto de niveles energéticos en la cual los electrones que
ocupan estos niveles se encuentran libres, es decir, han dejado las orbitas energéticas; siendo su mínimo va-
lor energético EC.
1.4.1. LOS AISLADORES
Los aisladores son aquellos materiales en los cuales hay una separación energética alrededor de 6 eV en-
tre las bandas de conducción y la banda de valencia. Dicha separación entre las dos bandas mencionadas se
conoce como la banda prohibida “EG” porque no hay ningún nivel energético que esté en esta banda. La Fig.
Nº 1.2 muestra los niveles energéticos típicos en un aislador.
En cuanto al valor de la conductividad “σ” en un aislador se tiene que a medida que aumenta la tempera-
tura entonces el valor de la conductividad aumenta porque algunos electrones ligados a unos átomos del ais-
lante pueden adquirir suficiente energía para alcanzar el nivel del ionización y ser electrones libres; con estos
portadores entonces la conductividad aumenta. La variación de la conductividad con la temperatura se
muestra en la Fig. Nº 1.3
Banda de conducción σ
Ec
Banda prohibida
6 eV
Ev
Banda de valencia
Fig. Nº 1.2 Bandas de energía en un aislador Fig. Nº 1.3 Conductividad en los aisladores
1.4.2. LOS CONDUCTORES
En contraposición con los aisladores, los conductores se caracterizan porque por muy pequeño que sea el
campo eléctrico aplicado siempre existe una corriente y ello se explica por la teoría de un mar de electrones
libres. En cuanto a la estructura de bandas los conductores se explican porque las bandas de valencia y de
conducción se traslapan lo que implica que a temperaturas ambientales e incluso a muy bajas siempre exis-
ten electrones libres; esto se muestra en la Fig. Nº 1.4.
Además la conductividad en los conductores disminuye con el aumento de la temperatura y esto se expli-
ca porque en ese mar de electrones libres, con el aumento de temperatura los núcleos de los átomos comien-
zan a vibrar lo cual permite que más electrones en su recorrido choquen con estos y así se reduce la cantidad
de portadores que pueden desplazarse, es decir, disminuye la conductividad. Esto se muestra en la Fig. Nº
1.5
Ev
Ec
Banda de valencia
Fig. Nº 1.4 Bandas de energía en un conductor Fig. Nº 1.5 Conductividad en los conductores
1.4.3. LOS SEMICONDUCTORES

Los semiconductores son unos materiales que no tenían ningún uso porque no se los podía usar ni como
aislantes ni como conductores; pero ahora todo el adelanto electrónico del que gozamos en estos días, se
basa en los semiconductores. Desde el punto de vista de la estructura de bandas, los semiconductores se ca-
racterizan porque el ancho de la banda prohibida “E G” es muy pequeña, estando alrededor de 1 eV por lo
cual a temperaturas ambientales, prácticamente algunos electrones adquieren suficiente energía para pasar a
la banda de conducción y creando al mismo tiempo en la banda de valencia huecos. Esto se observa en la
Fig. Nº 1.6
En cuanto a la conductividad “σ” esta aumenta a medida que aumenta la temperatura porque se van gene-
rando más pares electrón-huecos y con ello se aumenta la corriente eléctrica total, es decir, se aumenta la
conductividad. La Fig. Nº 1.7 muestra la relación de la conductividad con la temperatura.
Ec
EG≅ 1 eV
Ev
Banda de valencia
Fig. Nº 1.6 Bandas en un semiconductor Fig. Nº 1.7 Conductividad en los semiconductores
1.5. ALGUNAS CONSTANTES FÍSICAS ÚTILES

 Carga de un electrón: e = 1.602 x 10-19 C
 Constante de Boltzmann: K = 8.62 x 10-5 eV / ºK = 1.38 x 10-23 J / ºK
 Número de Avogadro: 6.023 x 1023 moléculas / mol (átomos / átomo gramo)
1.6. PROBLEMAS DEL CAPÍTULO

P1.1- Si la densidad del Tungsteno es de 18.8 g/cm3 y su peso atómico es 184, calcular la concentración de
electrones por volumen más conocida simplemente como “concentración de electrones” y denominada “n”
en el metal suponiendo que hay 2 electrones libres por cada átomo.
DATOS:
Número de Avogadro: 6.023 x 1023 moléculas / mol (átomos / átomo gramo)
SOLUCIÓN
Se aplica la técnica de la multiplicación de equivalencias, por lo cual la solución se obtiene partiendo de
un valor (equivalencia), en este caso será el número de Avogadro, luego a este valor inicial se le multiplica
por una equivalencia necesaria y así sucesivamente hasta que se obtengan las unidades pedidas, en donde ya
no se multiplica más. Así:
RPTA.
P1.2.- Para el Cobre si cada átomo contribuye con un electrón, se pide hallar la concentración de electro-
nes si su densidad es 8.92 g/cm3 y el peso atómico 63.5
SOLUCIÓN
RPTA
CAPÍTULO II
2. ESTRUCTURAS SEMICONDUCTORAS
Los semiconductores que más se usan en la elaboración de los dispositivos electrónicos y circuitos inte-
grados son el Germanio “Ge” y el Silicio “Si”.
El Germanio es elemento químico número 32 de la tabla periódica de los elementos2, es
un metaloide sólido duro, cristalino, de color blanco grisáceo lustroso, quebradizo, que conserva el brillo a
temperaturas ordinarias. Presenta la misma estructura cristalina que el diamante y resiste a
los ácidos y álcalis. Consta de 32 electrones de los cuales hay 2 en la primera capa orbital, 8 en la segunda,
18 en la tercera y en la cuarta capa orbital tiene 4, por lo cual su valencia es 4.
Mientras que el Silicio 3 es un elemento químico metaloide, número atómico 14 y situado en el grupo
14.Es el segundo elemento más abundante en la corteza terrestre (27,7 % en peso) después del oxígeno. Se
presenta en forma amorfa y cristalizada; el primero es un polvo parduzco, más activo que la variante cristali-
na, que se presenta en octaedros de color azul grisáceo y brillo metálico. Tiene 14 electrones de los cuales
hay 2 en la primera capa orbital, 8 en la segunda y 4 en la tercera capa orbital, por lo cual su valencia es 4 al
igual que el Germanio.
2.1. SEMICONDUCTORES PUROS O INTRÍNSECOS
La estructura cristalina de los semiconductores, ya sea de Germanio o de Silicio, se forma en base a los
átomos de dichos elementos los cuales se van uniendo por intermedio del enlace covalente, el cual consiste
en la compartición de electrones de dos átomos vecinos y formar así un cuerpo sólido semiconductor.
A temperaturas del 0 ºK, todo semiconductor es un aislante perfecto pues ningún electrón se libera de su
respectivo átomo ya que sigue ligado al núcleo orbitándolo o lo que es lo mismo está en la banda de valen-
2
http://es.wikipedia.org/wiki/germanio
3
http://es.wikipedia.org/wiki/silicio
cia. Todo esto se muestra en la figura Nº 2.1 en la cual los círculos que en su interior tienen “+4” represen-
tan a los átomos, ya sea de Germanio o Silicio, mientras que los puntitos negros representa a los electrones
que orbitan la última capa del átomo y las elipses representan a los enlaces covalentes.
Fig. Nº 2.1 Estructura semiconductora a 0 ºK
A temperaturas mayores a los 0 ºK y más aún a temperaturas como a 0 ºC (273 ºK), cualquier semicon-
ductor puede permitir la conducción de pequeñísimas corrientes pues hay algunos electrones de algunos
átomos que adquieren suficiente energía como para liberarse de su respectivo átomo convirtiéndose en un
electrón libre y por lo tanto bajo la presencia de cualquier campo eléctrico, por muy débil que este sea, apa-
rece una corriente eléctrica. El lugar del enlace covalente donde estuvo el electrón liberado se denomina
hueco.
La generación de un hueco o electrón nunca se efectúa sólo sino por pares, es decir, la creación de uno
implica la creación del otro; por ello que se cumple en todo semiconductor intrínseco que el número de
huecos por volumen es igual al número de electrones por volúmen. Es decir:
n=p (2.1)
Lo mencionado líneas arriba se puede observar en la figura Nº 2.2
Fig. Nº 2.2 Estructura semiconductora a temperaturas mayores a 0 ºK

El hueco se comporta como un portador de electricidad de efectividad comparable al electrón libre; este
mecanismo de conducción no implica electrones libres. El movimiento de un hueco implica el transporte
real de electrones de salto en salto por lo cual el hueco se movería en sentido opuesto al electrón en presen-
cia de un campo eléctrico; por ello que en el modelo de explicación de las corrientes en un semiconductor, al
hueco se le considera como carga positiva.
En la figura Nº 2.3 se puede entender el modelo para considerar al hueco como una carga positiva.
- +
- +
- +
Fig. Nº 2.3 Desplazamiento del hueco como carga positiva
En dicho gráfico se muestran 3 instantáneas de un conjunto de átomos, ya sea de Germanio o Silicio, los
cuales están representados en los círculos grandes; dentro de cada circulo está un punto en negro que signifi-
ca un electrón ligado a dichos átomos y también se muestran algunos electrones libres y estos últimos debido
al potencial aplicado se desplazan de izquierda a derecha. Mientras que hay un átomo que tienen un hueco
en la fila superior (se muestra con el punto en blanco) y después el electrón del átomo que está a la izquierda
salta a dicho hueco (lo que se indica por una flecha curva) dejando en el primer átomo mencionado un hueco
y lo que se muestra en la segunda fila. Al analizar las 3 instantáneas pareciera que el hueco se traslada de
derecha a izquierda debido al potencial aplicado, es decir, tiene el comportamiento como toda carga positiva.
Debido a la agitación térmica se están generando continuamente pares electrón-hueco; por ello que la
concentración de electrones por unidad de volumen y la concentración de huecos por volúmen cumplen con
la concentración intrínsica “ni” la siguiente relación:
n = p = ni (2.2)
2.2. CONCENTRACIÓN DE PORTADORES EN UN SEMICONDUCTOR INTRÍNSECO

Para calcular la concentración de electrones “n” en el interior de todo semiconductor, se procederá de la
siguiente manera:
(2.3)
donde
ρ : densidad de carga y por energía [ 1 / cm3- eV]
dn : número de electrones por volumen [cm-3]
dE : energía [eV]
Además de la estadística cuántica se tiene:
ρ = N(E) f(E) (2.4)
donde
N(E) : densidad de estados
f(E) : función de probabilidad de Fermi-Dirac (fracción de todos los estados de energía E
ocupados)
Reemplazando la ecuación (2.4) en (2.3) se tiene:
dn= N(E) f(E) dE (2.5)
Teniendo en cuenta que para todo metal se cumple la siguiente expresión
N(E) = γ E1/2 (2.6)
Expresión que se obtiene asumiendo que el borde inferior de la banda de conducción está en un nivel
energético 0 y además la constante γ = 6.82 x 1027
Como para un semiconductor la energía más baja en la banda de conducción es E C entonces se puede
adecuar la ecuación (2.6) para un semiconductor de la siguiente manera:
N(E) = γ (E – EC)1/2 (2.7)
y además de la física del estado sólido se tiene que:
(2.8)
Donde EF es conocida como el nivel de Fermi

2.2.1. CONCENTRACIÓN DE ELECTRONES EN UN SEMICONDUCTOR
Para hallar la concentración de electrones en un semiconductor y tomando en cuenta que a temperaturas
ambientales T = 300 °K (27 °C), KT ≅ 0.03 eV entonces como (E – EF) >> KT, podemos hacer la siguiente
simplificación en la ecuación (2.8):
≅ (2.9)
Ahora hallando la concentración de electrones a partir de la ecuación (2.5):

∫ ∫ ∫
( )
Resultando:
(2.10)
Donde , siendo las dimensiones de NC en (1/m3)

El significado de “mn” es la masa efectiva del electrón (concepto físico que se introduce para aplicar la
mecánica clásica en vez de la mecánica cuántica); mientras que “m” es la masa del electrón.
2.2.2. CONCENTRACIÓN DE HUECOS EN UN SEMICONDUCTOR
Procediendo en forma similar para los huecos se obtiene:
(2.11)
3
Donde , siendo las dimensiones de NV en (1/m )
Aquí de nuevo se tiene que “mp” es la masa efectiva del hueco (concepto físico que se introduce para
aplicar la mecánica clásica en vez de la mecánica cuántica); mientras que “m” es la masa del electrón.
DEMOSTRACIÓN
Puesto que el borde superior de la banda de valencia es E V entonces se escoge γ así:
N(E) = γ (EV – E)1/2 …..(1)
Haciendo la función de probabilidad para los huecos como
f*(E) = 1 – f(E) ….. (2)
donde f(E) es la probabilidad del electrón. Por lo que según (2) f*(E) será:
….. (3)
Puesto que (EF – E) >> KT @ T= 300 ºK entonces (3) se reduce a
≅ ….. (4)
Así:
∫ ∫ ∫ ….. (5)
….. (6)
donde: Lqqd
2.3. NIVEL DE FERMI EN UN SEMICONDUCTOR INTRÍNSECO
Tanto para hallar “n” y “p” en cualquier semiconductor interviene EF que es conocido como el nivel de
Fermi y su significado es el siguiente: El nivel del Fermi representa el estado de energía con una probabili-
dad del 50% de estar ocupado.
Además se demuestra que para un semiconductor intrínseco el nivel de Fermi se encontraría en la mitad
de la banda prohibida. Esto se muestra en la figura Nº 2.4
Banda de conducción
Ec
EF
Ev
Banda de valencia
Fig. Nº 2.4 El nivel de Fermi en un semiconductor intrínseco

DEMOSTRACIÓN
Puesto que en todo semiconductor intrínseco se cumple que n = p entonces reemplazando sus respectivas
expresiones se tiene:
….. (1)
Tomando logaritmos neperianos a ambos miembros de (1), tenemos
( ) ( )
….. (2)
Desarrollando la expresión y aplicando la propiedad de logaritmo de un producto a (2)
( ) ( ) ….. (3)
Si asumimos que mn = mp entonces NC = NV por lo que sus logaritmos son iguales; por lo tanto se elimi-
nan de ambos miembros de (3), quedando así:
( ) ( )
Quedando por fin:
Lqqd
2.4. SEMICONDUCTORES IMPUROS O EXTRÍNSECOS
Los semiconductores extrínsecos o impuros son aquellos en los que a propósito se les añade impurezas,
ya sea de valencia 3 o de valencia 5, para obtener semiconductores tipo P o semiconductores tipo N, respec-
tivamente.
2.4.1. SEMICONDUCTORES TIPO N
Son aquellos semiconductores, ya sea de Germanio o de Silicio, en los que se añaden impurezas de valen-
cia 5 (pentavalentes) como el Antimonio (Sb), Fósforo (P) o Arsénico (As), a su respectiva red cristalina.
Fig. Nº 2.5 Estructura semiconductora tipo N

En este caso, 4 de los 5 electrones, tal como se muestra en la figura Nº 2.5, son compartidos con los áto-
mos vecinos de la red cristalina del semiconductor formando los enlaces covalentes; pero el quinto electrón
y temperaturas casi ambientales se convierte en un electrón libre porque a dichas temperaturas adquiere fá-
cilmente energía suficiente para alcanzar el nivel de ionización. Dicha energía se muestra en la tabla Nº 2.1,
tanto para el Germanio como para el Silicio, el cual es muy pequeñísimo en comparación con el nivel de
energía que requiere un electrón de la red cristalina, para ser libre, que es aproximadamente a 1 eV. Esto es
la ventaja que se obtiene por introducir las impurezas pentavalentes que son más conocidas como impurezas
DONADORAS o tipo N.
Tabla Nº 2.1 Valores de energía para liberar el 5to electrón en un semiconductor tipo N
Energía necesaria para Ge Si
que el 5to electrón sea
libre, en eV 0.01 0.05
Desde el punto de vista de bandas de energía, el hecho de introducir impurezas pentavalentes en la red crista-
lina del semiconductor, hace que aparezca niveles discretos energéticos permitidos en la banda prohibida,
denominados ED que están muy cerca de la banda de conducción por lo que todos los electrones de estas
impurezas pentavalentes con poquísima energía ya pasan a la banda de conducción; todo se muestra en la
figura Nº 2.6
Ec
ED
Ev
Banda de valencia
Fig. Nº 2.6 Niveles energéticos permitidos en semiconductores tipo N

Cuando se impurifica un semiconductor con impurezas tipo N sucede además de aumentar el número de
electrones, disminuye el número de huecos respecto a los disponibles a cuando era intrínseco y esto es debi-
do a que a mayores electrones disponibles aumenta la probabilidad de la recombinación de un electrón con
un hueco, por lo que disminuyen estos últimos. Los portadores mayoritarios en un semiconductor tipo N son
los electrones y los minoritarios son los huecos.
2.4.2. SEMICONDUCTORES TIPO P
Son aquellos semiconductores, ya sea de Germanio o de Silicio, en los que se añaden impurezas de valen-
cia 3 (trivalentes) como el Boro (B), Galio (Ga) o Indio (In), a su respectiva red cristalina.
Fig. Nº 2.7 Estructura semiconductora tipo P

En este caso, 3 electrones, tal como se muestra en la figura Nº 2.7, son compartidos con los átomos veci-
nos de la red cristalina del semiconductor formando los enlaces covalentes; faltándole un electrón y en ese
enlace donde falta un electrón se crea un hueco. A temperaturas casi ambientales un electrón ligado en cual-
quier átomo vecino fácilmente puede ocupar el hueco y por la presencia de un campo eléctrico aplicado di-
cho electrón puede ocupar otro hueco en otro átomo y así sucesivamente. Estas impurezas trivalentes son
más conocidas como impurezas ACEPTADORAS o tipo P.
Desde el punto de vista de bandas de energía, el hecho de introducir impurezas trivalentes en la red crista-
lina del semiconductor, hace que aparezca niveles discretos energéticos permitidos en la banda prohibida,
denominados E A que están muy cerca de la banda de valencia por lo que muchos electrones de la banda de
valencia y con poquísima energía pueden pasar a este nivel permitido y hacer que la conducción de la co-
rriente sea más por los huecos. Todo lo manifestado se observa en la figura Nº 2.8
Ec
EA
Ev
Banda de valencia
Fig. Nº 2.8 Niveles energéticos permitidos en semiconductores tipo P

Cuando se impurifica un semiconductor con impurezas tipo P sucede además de aumentar el número de
huecos, disminuye el número de electrones respecto a los disponibles a cuando era intrínseco y esto es debi-
do a que a mayores huecos disponibles aumenta la probabilidad de la recombinación de un hueco con
unelectrón, por lo que disminuyen estos últimos.
Los portadores mayoritarios en un semiconductor tipo P son los huecos y los minoritarios son los electro-
nes.
2.5. NIVEL DE FERMI EN SEMICONDUCTORES EXTRÍNSECOS
El único parámetro que varía con la adición de impurezas, ya sean donadoras o aceptadoras, es el nivel
de Fermi “EF”.
Cuando se trata de semiconductores tipo N, el nivel de Fermi “EF” se desplaza más cerca de la banda de
conducción según la siguiente fórmula a demostrarse:
(2.12)
En forma similar, se tiene que para un semiconductor tipo P, el nivel de Fermi “E F” se desplaza más cerca
de la banda de valencia según la siguiente fórmula:
(2.13)
DEMOSTRACIÓN
Puesto que en todo semiconductor extrínseco tipo N se sabe que:
….. (1)
Haciendo n ≈ ND entonces reemplazando en (1) se tiene: ….. (2)
Despejando de (2) EF para lo cual procedemos así: , luego tomando logaritmos a ambos lados
de la ecuación
( )
( ) ….. (3)
cambiando el signo menos en (3), se tiene:

( ) ( ) ( ) ….. (4)
pasando EF al miembro izquierdo de (4) se tiene finalmente:
( ) Lqqd
P2.1.- En una muestra de Germanio (Ge) tipo N la concentración de impurezas donadoras es de 1 átomo
por cada 106 átomos de Ge. Si mn = 0.6 m para los electrones y mp = 0.5 m para los huecos. Además en el
Germanio a temperatura ambiente hay un par de electrón-hueco por cada 2x109 átomos de Germanio.
Se pide:
a) La concentración de átomos/cm3 en el Ge., conocida como N.
b) La concentración de átomos donadores.
c) La concentración intrínseca de los electrones.
d) La concentración intrínseca de los huecos.
e) El ancho de la banda prohibida (EG) a la temperatura ambiente.
f) ¿A qué distancia del borde superior de la banda de valencia está el nivel de Fermi?
DATOS:
Densidad Ge = 5.32 g/cm3 Peso atómico Ge = 72.6 K= 8.62 x 10-5 eV/°K

SOLUCIÓN:
a) Calculando la concentración de los átomos por la técnica de las equivalencias:
RPTA.
b) Para el cálculo de la concentración de átomos donadores simplemente dividimos N por 10 6. Así:

RPTA.
c) Para hallar ni simplemente dividimos N por 2x109 porque por esta cantidad de átomos se generan un
electrón o un hueco. Así: RPTA.
d) Como se cumple que en todo semiconductor n = p entonces:
RPTA.
e) Utilizando las fórmulas (2.10) y (2.11): ….. (1)
….. (2)
Ahora efectuando el producto de (1) y (2) resulta:
….. (3)
Despejando EG de (3) se tiene: ….. (4)
Tomando logaritmos neperianos a (4), tenemos: ( ) ( ) ….. (5)

Lo que efectuando operaciones e introduciendo el signo “–” al logaritmo resulta en:
….. (6)
Antes de reemplazar valores en (6) primero tenemos que hallar N V y NC . Así
… (7)
… (8)
Reemplazando (7), (8) y los valores de c) y d) en (6):
( ) RPTA.
f) Ahora utilizando la fórmula (3.1)
….. (1)
pero como no se conoce EC y lo que se pide es (EF – EV) entonces nos ayudamos con el siguiente gráfico
para relacionar EC con EV. Así:
EC
EF EG
EF-EV
EV
Se puede observar que se cumple: (E C – EF) = EG – (EF – EV) ….. (2)
Ahora arreglando (1) queda así:
….. (3)
Reemplazando (2) en (3):
( ) ( ) ….. (4)
Reemplazando valores:
( ) RPTA.
P2.2.- En una muestra de Silicio tipo “P” si se cumple que la temperatura ambiente mp= 0.6 m. Se pide:
a) Calcular la concentración de átomos de Silicio si su densidad es de 2.33 g/cm3 y su peso atómico es 28.1
b) Calcular la concentración de impurezas aceptadoras si la concentración de ella es de 1 átomo por 10 8
átomos de Silicio.
c) Calcular el nivel de Energía que separa el nivel de Fermi con el borde de la banda de valencia. Asumir
K = 8.62 x 10-5 eV/K.
d) Si se añadiera 1 átomo de impurezas por cada 5 x 1013 átomos de Silicio, ¿cuál será la distancia entre el
nivel de Fermi y la banda de valencia?
e) ¿Cuándo EF = EV , calcular la concentración de impurezas aceptadoras?
DATOS:
K = 8.62 x 10-5 eV/K.
SOLUCION
a) Calculando
b) RPTA.
c) Empleando la fórmula (3.2) entonces piden EF-EV por lo que se tiene:
….. (1) Antes de usarla, hallando primero NV, así calculando:
⁄ ⁄
y transformando en cm-3 tenemos ….. (2)

Ahora reemplazando (2) en (1):
( ) RPTA.
d) Calculando el nuevo ….. (3)
reemplazando (3) en (1)
( ) RPTA.
e) Cuando EF = EV entonces reemplazando en (1) da:
( ) RPTA.
CAPÍTULO III
3. CONDUCCIÓN EN SEMICONDUCTORES
Para realizar cálculos en el interior de los semiconductores se hacen uso de dos leyes: la ley de acción de
masas y la ley de la neutralidad eléctrica.
3.1. LEY DE ACCIÓN DE MASAS
En todo semiconductor, ya sea intrínseco o extrínseco se cumple la siguiente ley:
(3.1)
DEMOSTRACIÓN:
Si multiplicamos “p” por “n” se tiene:
….. (1)
Desarrollando (1) tenemos:
….. (2)
Según la ecuación (2) se observa que dicho producto “pn” es independiente de EF y que sólo depende del
ancho de la banda prohibida EG y la temperatura T y además como EF depende de los semiconductores in-
trínsecos como extrínsecos; entonces el producto “pn” se puede aplicar tanto a los semiconductores intrínse-
cos como extrínsecos porque la expresión (2) no depende de EF. Asimismo como (2) depende de E G y T y
estos valores no dependen si se trata de semiconductores intrínsecos o extrínsecos entonces ambos productos
en el caso intrínseco como extrínseco deben ser iguales; así:
pnintrínsecos = pnextrínsecos ….. (3)
Para el caso intrínseco se cumple:
n = p = ni …..(4)
Reemplazando (4) en el miembro izquierdo de (3), tenemos
nini = ni2 = pnextrínsecos ….. (5)
Generalizando la expresión (5) se tendrá:

pn = ni2 Lqqd
Para el concepto de temperatura ambiental T = 300 ºK (27 ºC) se tiene los valores de la concentración in-
trínseca, tanto para el Germanio como para el Silicio, en la tabla Nº 3.1
Tabla Nº 3.1 Valores de la concentración intrínseca del Germanio y Silicio a temperatura ambiente
ni Ge Si
-3 13
(cm ) 2.5 x 10 1,5 x 1010
Para cualquier temperatura distinta de la ambiental los valores de la concentración intrínseca se pueden
obtener de la siguiente expresión demostrable:
(3.2)
donde:
A0 es una constante, y
EG0 es EG a 0 ºK
También hay otra expresión que permite hallar la concentración intrínseca de cualquier semiconductor y
es la siguiente: (3.3)
donde:
nio es la concentración intrínseca del semiconductor a T o = 300 ºK, que se puede obtener de la tabla N° 3.1
3.2. LEY DE NEUTRALIDAD ELÉCTRICA
Como cada átomo es eléctricamente neutro, ya sea de la red cristalina como de las impurezas entonces,
por el principio de la conservación de la carga, debe cumplirse:
p + ND = n + NA (3.4)
Donde
ND : concentración de impurezas donadores (iones positivos cuando pierde un electrón)
NA : concentración de impurezas aceptadores (iones negativos)
3.3. CASOS PARTICULARES EN LA APLICACIÓN DE LAS LEYES
3.3.1. SEMICONDUCTOR TIPO “N”
Para un material semiconductor tipo N se cumple que NA = 0 por lo que la ley de neutralidad eléctrica se
reduce a:
n = p + ND (3.5)
donde los portadores mayoritarios son los electrones “n” y los minoritarios son los huecos “p”; pero si se
cumple además que ND >> ni entonces se puede hacer la siguiente aproximación en la ecuación (4.5), dado
que “p” es despreciable respecto a ND:
n ≈ ND (3.6)
Y por la ley de Acción de Masas se puede obtener los huecos rápidamente, así:
≅ (3.7)
3.3.2. SEMICONDUCTOR TIPO “P”
Para un material semiconductor tipo P se cumple que ND = 0 por lo que la ley de neutralidad eléctrica se
reduce a:
p = n + NA (3.8)
donde los portadores mayoritarios son los huecos “p” y los minoritarios son los electrones “n”; pero si se
cumple además que NA >> ni entonces se puede hacer la siguiente aproximación en la ecuación (4.8), dado
que “n” es despreciable respecto a NA:
p ≈ NA (3.9)
Y por la ley de Acción de Masas se puede obtener los electrones rápidamente, así:
≅ (3.10)
3.4. CORRIENTE DE ARRASTRE O DE DESPLAZAMIENTO
La conducción de corriente eléctrica, ya sea continua o alterna, que ocurre en los conductores se debe a la
presencia de electrones libres los cuales bajo la presencia de cualquier campo eléctrico, así sea este muy pe-
queño, siempre aparece una corriente; esto se debe a la teoría que en los conductores existe un “mar de elec-
trones libres”. Un fenómeno similar también ocurre con los electrones libres de los semiconductores y asi-
mismo sucede con los huecos (los cuales según el modelo adoptado también permiten conducir corriente de
electrones en forma de saltos) los cuales con la presencia de campos eléctricos, por muy pequeños que sean,
siempre se manifiestan como una corriente, ya sea de electrones y huecos.
Además de lo manifestado, en todo semiconductor existe una forma distinta de generar corriente eléctrica,
el cual no ocurre en los conductores; por lo cual para diferenciar estos dos tipos de corriente que ocurren en
todo semiconductor; al primero de ellos, es decir a la corriente que también ocurre en los conductores debido
a la presencia de un campo eléctrico, se le denomina corriente de arrastre o corriente de desplazamiento
y al otro tipo de corriente, que no ocurre en los conductores y sólo ocurre en los semiconductores, se le de-
nomina corriente de difusión.
3.5. DENSIDAD DE CORRIENTE “J”
Se sabe que se cumple la siguiente relación física:
J=σE (3.11)
Donde σ es la conductividad del material, cuyas unidades son [S/m] o [1/Ω-m]; mientras que el campo
eléctrico E tiene unidades [V/m] por lo cual las unidades de J son [A/m2]. Por ello que al campo vectorial J
se le conoce con el nombre Densidad de Corriente, es decir, cuanto de corriente circula por una sección de
área que atraviesa y modularmente se obtiene así:
(3.12)
Donde:
I es la corriente, y
A es la sección o área que es atravesada por la corriente.
Ahora, bien supóngase un trozo de conductor, tal como lo muestra la figura 3.1:
En dicho conductor se cumple que:
(3.13)
Donde Q, la carga eléctrica, se puede describir así:
(3.14)
A
l
Fig Nº 3.1 Concepto de densidad de corriente
Siendo N la cantidad de portadores que atravesarán el área, mientras que “e” es la carga de un electrón.
Así (3.14) en (3.13) resulta:
(3.15)
Ahora bien, se sabe que de lo que resulta que
(3.16)
La ecuación (3.16) en (3.15):
(3.17)
Por último la ecuación (3.17) en (3.12), da:
(3.18)
Siendo “n” la concentración de electrones; es decir, es donde V es el volumen del trozo del con-
ductor; mientras que v es la velocidad a la que se desplazan los electrones que es conocida como velocidad
de arrastre.
3.6. VELOCIDAD DE ARRASTRE
Como consecuencia de la aparición de un campo eléctrico los electrones son acelerados y la velocidad de
arrastre o de desplazamiento aumentaría indefinidamente con el tiempo si es que no existieran colisiones con
los núcleos de los átomos de la red cristalina. En cada colisión inelástica, el electrón pierde energía y alcan-
za una situación permanente que implica que los electrones se muevan con una velocidad media finita de-
nominada velocidad de arrastre.
Como en todo semiconductor hay dos tipos de portadores entonces habrá dos velocidades de arrastre, es
decir, una para los electrones y otra para los huecos.
Además como a mayor intensidad de campo eléctrico se comprueba que la velocidad de arrastre es ma-
yor, entonces se cumple tanto para los electrones como para los huecos lo siguiente:
(3.19)
Y como en toda proporcionalidad para que se convierta en una igualdad hay que introducirle una constan-
te, entonces tenemos:
(3.20)
Donde μn es denominada la movilidad de los electrones y vn es la velocidad de arrastre de los electrones.
En forma similar procediendo para los huecos, tenemos:
(3.21)
Siendo vp la velocidad de arrastre de los huecos y μp la movilidad de los huecos.
3.7. DENSIDAD DE CORRIENTE EN LOS SEMICONDUCTORES
Como en un semiconductor hay dos tipos de portadores de corriente eléctrica, como son los huecos y los
electrones, entonces a partir de la ecuación (3.18) se puede obtener la ecuación de la densidad de corriente
para un semiconductor. Así:
(3.22)
Reemplazando (3.20) y (3.21) en la ecuación (3.22) y factorizando se tiene:
( ) (3.23)
Comparando (3.23) con la ecuación modular de (3.11) se llega a la conclusión que:
( ) (3.24)
Donde σ es la conductividad del semiconductor y cumpliéndose además que:
(3.25)
Donde ρ es la resistividad del semiconductor. Además en todo semiconductor se cumple la ley de Poillet,
es decir:
(3.26)
Donde:
l es la longitud del semiconductor
A es el área del semiconductor por la que está pasando la corriente compuesta por electrones y
huecos.
R es la resistencia que presenta el semiconductor.
Una fórmula general que resulta de combinar (3.24) en (3.25) en (3.26) es la siguiente:
(3.27)
( )
3.8. CORRIENTE DE DIFUSIÓN
El transporte de cargas en un semiconductor no sólo se produce por arrastre, sino también por un meca-
nismo que no se manifiesta en los conductores. Dicho mecanismo se denomina corriente de difusión.
La concentración de huecos en un semiconductor no es uniforme y algo similar ocurre con la concentra-
ción de los electrones; sino que dichas concentraciones varía con la distancia y por lo tanto existirá una gra-
diente en la densidad de los portadores, ya sea, de electrones o huecos.
Para una superficie imaginaria en el semiconductor y como consecuencia de la energía térmica el movi-
miento de los huecos es aleatorio y por ello que un instante cualquiera crucen dicha superficie un mayor nú-
mero de huecos del lado de mayor concentración hacia el lado de menor concentración que los que cruzan en
sentido opuesto; por lo que existirá un transporte neto de carga a través de la superficie imaginaria, constitu-
yendo un nuevo tipo de corriente debido únicamente a la gradiente de concentración de los huecos en el inte-
rior del semiconductor. Algo similar ocurre con los electrones, cuando existe una gradiente de concentración
de ellos.
En este tipo de corriente para nada interviene el campo eléctrico que si caracteriza a la corriente de arras-
tre, tanto de huecos como de electrones; y como en un conductor no puede haber gradiente de concentración
de portadores entonces este tipo de corriente no puede existir en los conductores.
Para entender bien las fórmulas que se han de deducir para la corriente de difusión, hay entender bien la
fórmula (5.1) que la transcribimos a continuación: J = σ E, donde si se trata de cargas eléctricas libres posi-
tivas estás se desplazarían en el mismo sentido que el campo eléctrico presente, lo que es lo mismo que la
densidad de corriente de huecos J tendrá el mismo sentido que el campo eléctrico E; mientras que si se tra-
tan de cargas negativas libres la densidad de corriente tendrá el sentido contrario al campo eléctrico. La co-
rriente de difusión no depende del campo eléctrico presente E ya que se ha visto que sólo depende de la gra-
diente de concentración de los portadores, ya sean huecos o electrones en el interior del semiconductor; pero
como también está presente la corriente de arrastre al mismo tiempo que la corriente de difusión y ambos
fenómenos contribuyen a la corriente total en el interior del semiconductor entonces es necesario asumir el
sentido que tendría la corriente de difusión con respecto a la presencia del campo eléctrico y eso es lo mani-
festado líneas arriba de este párrafo.
Tomando en cuenta la figura Nº 3.2, se comprueba que la corriente o lo que es lo mismo la densidad de
corriente de difusión de los huecos es directamente proporcional a la gradiente de concentración de los hue-
cos; es decir, a mayor gradiente hay más corriente de difusión. Así matemáticamente se tiene:
(3.28)
El signo menos se coloca para que el módulo de J sea positivo dado que la gradiente internamente tiene
signo menos y así asegurar que la densidad de corriente de la corriente de difusión de los huecos tenga la
misma dirección que el campo eléctrico y eso se asegura cuando el valor del módulo de J es positivo.
Para convertir una proporción en una igualdad entonces se añade una constante con lo cual la ecuación
(3.28) se convierte así:
(3.29)
Donde Dp se denomina la constante de difusión de los huecos y “e” es la carga de un electrón.
p
X
E
Fig. Nº 3.2 Dirección de la corriente de difusión de los huecos
Para el caso de las 3 dimensiones entonces la ecuación (6.2) se convierte en:

(3.30)
Procediendo en forma similar para los electrones y teniendo en cuenta la figura Nº 3.3, se tiene que para
los electrones se cumple: (3.31)
n
J
X
E
Fig. Nº 3.3 Dirección de la corriente de difusión de los electrones
En la ecuación (3.31) no hay un signo menos como en la ecuación (3.30) porque con el signo menos im-
plícito que tiene la gradiente se consigue que la dirección de la densidad de corriente de los electrones sea
contrario al campo eléctrico presente en el semiconductor. Además, aquí a Dn se le denomina la constante
de difusión de los electrones.
Para el caso de las 3 dimensiones entonces la ecuación (3.31) se convierte en:
(3.32)
La densidad de corriente total de difusión debido a los dos tipos de portadores será por lo tanto:
(3.33)
3.9. VOLTAJE EQUIVALENTE DE LA TEMPERATURA

Dado que los mecanismos de Difusión y de Arrastre son fenómenos termodinámicos estadísticos, por lo
tanto las constantes que las caracterizan, como son la constante de difusión y la constante movilidad no serán
independientes; sino que según Albert Einstein están relacionados de la siguiente manera:
(3.34)
Donde a VT se le denomina como la Tensión equivalente de la temperatura, donde su expresión es:
(3.35)
Significando:
K : es la constante de Boltzman (1.38x10-23 J/ºK)
T: es la temperatura en grados Kelvin (ºK)
e: es la carga de un electrón (1.602 x 10-19 C)
Comúnmente para la temperatura ambiental (300 ºK), se tiene que VT ≈ 26 mV (3.37)
3.10. TIEMPO DE VIDA MEDIA DE LOS PORTADORES
Debido a la agitación térmica, continuamente se están generando nuevos pares electrón-huecos, mientras
que otros desaparecen debido al fenómeno de la recombinación. En promedio antes de combinarse un hueco
o un electrón existirán un tiempo τp o τnrespectivamente, denominado vida media cuyo valor aproximada-
mente es del orden de los nanosegundos (ns).
La velocidad de recombinación de los huecos por ejemplo está expresada en la siguiente fórmula; algo
similar ocurre con la velocidad de recombinación de los electrones.
(3.38)
DEMOSTRACIÓN:
Si consideramos una barra semiconductora tipo N iluminada por la luz de frecuencia adecuada. Esta ra-
diación aumentará en la misma cantidad las concentraciones de huecos y electrones.
Si hacemos lo siguiente:
Sea pno y nno las concentraciones en equilibrio sin radiación de la muestra N, y
Sea ̅̅̅̅̅ y ̅̅̅̅̅ las concentraciones en equilibrio con radiación luminosa de la muestra N. Ambas concentra-
ciones en equilibrio, ya sean con radiación o sin radiación, serán “constantes”.
Al apagar la radiación luminosa, las concentraciones volverán a su equilibrio y experimentalmente se ha
comprobado lo hacen en forma exponencial; por lo que se tendrá:
̅̅̅̅̅ ….. (1)
̅̅̅̅̅ ….. (2)

donde:
pn : es la concentración instantánea de los huecos en la barra semiconductora N
nn : es la concentración instantánea de los electrones en la barra semiconductora N
pn – pno : es la densidad de huecos inyectados o en exceso con la radiación
nn – nno : es la densidad de electrones inyectados o en exceso con la radiación
Por lo tanto, la variación de concentración de los portadores, que para este caso, lo haremos para los huecos,
será:
….. (3)
Ahora, como pno es una constante según lo manifestado arriba entonces (3) se puede arreglar así:
….. (4)
reemplazando (1) en (4), se tiene:
̅̅̅̅̅ ̅̅̅̅̅ ….. (5)
de nuevo en el miembro derecho de (5) reemplazamos el miembro izquierdo de (1) por lo que se tiene:
….. (6)
y pasando el signo menos al lado izquierdo de (6) se tiene
Lqqd
3.11. ECUACIÓN DE CONTINUIDAD

Es aquella ecuación diferencial que gobierna la concentración instantánea de huecos y electrones en el inte-
rior de cualquier semiconductor y la cual en forma general depende del tiempo y de las tres coordenadas
espaciales.
Esta ecuación se demuestra a partir del principio de la “conservación de la carga”.
Dicha expresión es la siguiente:
(3.39)
Para el caso de una dimensión, como “x”, se tiene:
(3.40)
donde τp es la vida media del hueco
DEMOSTRACIÓN:
Jp
p
da
V
S
Sea un volumen V de un semiconductor donde la concentración instantánea de los huecos depende del tiem-
po y del espacio, es decir:
p(x,y,z,t)
Además, la superficie que la encierra es “S”
Ahora, el Número total de huecos en el volumen V, es: ∫ ….. (1)
El número de huecos que varían en el volumen por unidad de tiempo será: ∫ …..(2)
El número de huecos que salen por la superficie y por unidad de tiempo, es decir, el flujo, es:
∮ ( ) … (3)
En el caso de la recombinación, si hacemos lo siguiente:
Velocidad de recombinación R …..(4)
Para el caso de la generación, si hacemos lo siguiente:
Velocidad de generación G = …..(5)
Por lo tanto, la velocidad de recombinación neta, si asumimos que la recombinación es mayor que la genera-
ción, será:
(R-G) ..… (6)
Ahora, : ∫ ..… (7)

Aplicando el principio de la conservación de la carga y asumiendo que la carga en el interior del volumen V
disminuye con el tiempo; por lo tanto la expresión sería:
Carga que disminuye = Carga que sale por la superficie + Carga que desaparece por recombinación
Matemáticamente:
∫ ∮ ( ) ∫ ..… (8)
Recordando el teorema de Leibnitz:
∫ ∫ ..… (9)
Ahora bien, recordando el teorema de Stokes:
∮ ∫ ..… (10)
Aplicando (9) en el lado izquierdo de (8) y aplicando (10) en la primera integral del lado derecho de (8). Por
lo tanto se tiene:
∫ ( ) ∫ ∫ ….. (11)
Aplicando la propiedad distributiva de la integral en el miembro derecho de (11) se tiene:
∫ ( ) ∫ ..…(12)
En (12) se tiene que debe cumplirse que los integrandos deben ser iguales, por lo que se tiene:
….. (13)
Ahora, la densidad de corriente de los huecos se debe al aporte de los dos tipos de corriente que hay en el
interior de un semiconductor, es decir, a la corriente de desplazamiento o arrastre (JAp) y a la corriente de
difusión (JDp). Matemáticamente será:
..… (14)
reemplazando (14) en (13):
( )
….. (15)
Como (R-G) es la velocidad de recombinación y tomando en cuenta (7.1) sin considerar el tipo de semicon-
ductor, es decir, sin el subíndice “n” se tiene:
….. (16)
Por último, (16) en (15), efectuando operaciones:
….. (17)
Recordando que la divergencia del gradiente es el laplaciano, por último se tiene que (17) queda así:
Lqqd
3.12. CASOS DE LA ECUACIÓN DE CONTINUIDAD
Por facilidad usando la ecuación de continuidad para una dimensión como la “x”, se tiene los siguientes
casos:
3.12.1. CONCENTRACIÓN INDEPENDIENTE DE “X” Y CAMPO ELÉCTRICO NULO
En este caso se cumple:
Ex = 0 por lo que también se cumple …. (1)
Y por ser independiente de “x” se debe cumplir:
….. (2)
Por lo que la ecuación (3.40) se reduce a:
que resulta ser la velocidad de recombinación de los huecos, es decir, la ecuación (3.38); en otras palabras,
esta expresión viene a ser un caso particular de la ecuación de continuidad, lo que reafirma la consistencia
de esta ecuación.
3.12.2. CONCENTRACIÓN INDEPENDIENTE DEL TIEMPO Y CAMPO ELÉCTRICO NULO

En esta situación se tiene que:
Ex = 0 por lo que también se cumple …. (1)
Y por ser la concentración independiente del tiempo tiene que cumplirse:
….. (2)
Con las condiciones de (1) y (2) la ecuación de continuidad se reduce a:
(3.41)
La solución de la ecuación diferencial (8.3) tiene la siguiente expresión:
(3.42)
Donde:
P(0) = p(0) – p0 (3.43)
representa la concentración inyectada en x = 0, siendo p0 la concentración en equilibrio y p(0) es el valor de
la concentración de huecos en x = 0
Lp es conocida como la longitud de difusión de los huecos y se halla así:
√ (3.44)
En la Fig. Nº 3.4 se puede observar la interpretación de los valores de la solución de la ecuación diferencial
(3.42)
P(0) P(x)
p(x)
p(o)
exponencial
P(o)
po
Concentración en equilibrio
x
X=0 dx
Fig. Nº 3.4 Interpretación de los valores de la solución de la ecuación diferencial
DEMOSTRACIÓN:
La ecuación diferencial a resolverse
….. (1)
hay que ponerla en la forma normal de una ecuación diferencial lineal con coeficientes constantes de segun-
do orden, es decir, así:
….. (2)
Por lo cual (1) se convierte en:
….. (3)
Haciendo el cambio de variable:

….. (4)
derivando (4) respecto a x, se tiene:
….. (5)
Volviendo a derivar (5) respecto a x:
( ) ….. (6)
Ahora (6) y (4) en (1), se tiene:
( ) ….. (7)
Resolviendo la nueva ecuación diferencial (7) y para ello hallamos la ecuación algebraica auxiliar de la
ecuación diferencial para obtener las raíces, es decir, así:
….. (8)
Hallando las raíces:
…. (9)
√
Por lo cual, la ecuación diferencial (7) tiene la siguiente solución:
….. (10)
Y volviendo a la variable original, es decir, tomando en cuenta (4) y (9) se tiene:
√ √
…. (11)
Ahora despejando p(x) de (11), se tiene
√ √ ….. (12)
Aplicando las condiciones físicas para hallar las constantes k1 y k2. Así por ejemplo:
Para K1 tiene que hacerse necesariamente
K1 = 0
Porque así se asegura que la concentración no puede seguir aumentando a medida que aumenta la distan-
cia; sino por el contrario tiene que ir disminuyendo con la distancia.
Entonces (12) queda:
√ ….. (13)
Para hallar K2 entonces suponemos que cuando x = 0 hay un valor de p que vamos denominar p(0); Así:
√ ….. (14)
De (14) despejando K2 se tiene:
….. (15)
Bien, (15) en (12) y teniendo en cuenta que k1 = 0 entonces se tiene:
√ ….. (16)
Por último, simplificando (16), se tiene:
√ ….. (17)
Si hacemos:
[p(0)-p0] = P(0) ….. (18)
Entonces, finalmente (17) se convierte en:
Lqqd

P3.1.- En un semiconductor de Silicio para una temperatura de 10 °C se añaden impurezas donadoras en

una concentración ND = 5x1014cm-3 y después se le añaden impurezas aceptadoras en la proporción
.Calcular:
a) La concentración de n y p antes de añadirse las impurezas aceptadoras.
b) La concentración de n y p después de añadirse las impurezas aceptadoras.
DATOS:
SOLUCIÓN:
a) entonces
Como ≅ RPTA.
Por ley de acción de masas:
≅ RPTA.
b) Como hay ambas concentraciones de impurezas entonces se tiene que usar ambas leyes, así:
Ley de acción de masas: ….. (1)
Ley de neutralidad eléctrica: ….. (2)
Resolviendo el sistema (1) y (2) se tiene: ….(3) aplicando
Baskara
√
{
Por lo tanto la solución física es: RPTA.
Para hallar “p” usamos la ley de acción de masas, así en (1):
RPTA.
P3.2.- Una muestra de Silicio a la temperatura de 27 °C se contamina con Galio con una concentración de
1.2x1014 Atómos / cm3. Si , se pide calcular:
a) La concentración intrínseca del semiconductor.
b) La concentración de huecos.
c) La concentración de electrones
Si la temperatura ahora es 127 °C, hallar:

d) La concentración intrínseca
e) La concentración de huecos.
f) La concentración de electrones.
SOLUCIÓN:
a) reemplazando en
entonces tenemos: RPTA.
b) ¿NA>>ni?. comprobando:
¡Si se cumple!
Por lo tanto, haciendo: ≅ RPTA.
c) Por ley de acción de masas: RPTA.
d) en
e) ¿NA>>ni?. comprobando:
¡Si se cumple!
f)
P3.3.- Se tiene un trozo de semiconductor que a la temperatura de 275 °K tiene una concentración de n i =
109cm-3 en la cual se añaden impurezas de Aluminio en una concentración de 1011 átomos/cm3.
Sin aplicar la consideración que NA ó ND sea >>ni , se pide calcular:
a) La concentración de huecos (2 ptos.)
b) La concentración de electrones
Aplicando la consideración que NA ó ND sea>>ni , se pide calcular:
c) La concentración de huecos
d) La concentración de electrones
El error absoluto cometido en el cálculo de la concentración de los portadores cuando se toma en cuenta
los considerandos a cuando no se los toma; por lo cual se pide:
e) El error cometido en el cálculo de los huecos.
f) El error cometido en el cálculo de los electrones
SOLUCIÓN:
No interesa el valor de la temperatura pues todos los valores se hallan para dicha temperatura simplemen-
te es un dato distractor que cuando el alumno está inseguro en sus conocimientos, este dato de la temperatura
perturba en la solución del problema.
a) Utilizando las dos leyes que gobiernan el comportamiento de las concentraciones de los portadores en el
interior de todo semiconductor, como es la ley de acción de masas y la ley de neutralidad eléctrica, así:
Por ley de acción de masas, es decir, ecuación (4.1): ….. (1)
reemplazando valores ….. (2)
Ahora, usando la ley de neutralidad eléctrica, ecuación (4.4): ….. (3)
Como sólo hay impurezas aceptadoras porque el Aluminio tiene valencia 3 entonces resulta que
ND = 0 ….. (4)
y NA = 1011 …..(5)
Reemplazando (4) y (5) en (3) se tiene: p = n+1011 ….. (6)
ahora (2) en (6) resulta en ….. (7)
aplicando Baskara a (7) se tiene:
√
{
por lo que p = 1.00009999x1011cm-3 RPTA.
b) Con la respuesta obtenida reemplazando en (2) y despejando n:
RPTA.
c) Para aplicar la forma aproximada hay que verificar que se cumpla que N A>>ni y en ingeniería como re-
gla práctica ya se considera que “una cantidad es mucho mayor que otra si mínimamente es 10 veces
más”, es decir, que se cumpla:
…… (8)
Por lo tenemos que comprobar que se cumpla (8); así:
¡Si se cumple!
Por lo cual, dado que ND = 0 y porque son los portadores minoritarios, se puede hacer en la Ley
de la Neutralidad Eléctrica, ecuación (3), lo siguiente:
≅ RPTA.
d) Con el valor obtenido anteriormente usamos la ley de acción de masas, así:
RPTA.
e) Por teoría se sabe que el error absoluto “ea” está definido así:
….. (9)
Donde:
Dt : es el valor teórico
De : es el valor experimental
También el error porcentual “e P” se calcual así: ….. (10)
Asumiendo como valor teórico el valor obtenido sin aplicar los considerando y como valor experimental
el que se obtiene con los considerandos; así:
RPTA.
En otras palabras, si se cumple que NA>>ni entonces asumir que ≅ es una forma fácil de calcular
las concentración de los portadores, habida cuenta que el error cometido es menor al 1% si se calculan
estos valores empleando las dos leyes.
f) Procediendo en forma similar para los electrones
RPTA.
P3.4.- Si para el Silicio la concentración intrínseca respecto a la temperatura está dada por la siguiente rela-
ción: , donde la temperatura T está en ºK. Entonces para una tempera-
tura de 30 °C donde se añaden impurezas donantes , se pide calcular:
a) La concentración de electrones (n)
b) La concentración de huecos (p)
SOLUCIÓN:
a) Como la temperatura está en ºC entonces hay que expresarla en ºK
T = 30 °C → T = (273+30) °K = 303 ºK ….. (1)
Calculando la concentración intrínseca para la temperatura T = 303 ºK:
….. (2)
Se cumple que Comprobando:
Donde de observa que no se cumple Planteando las dos leyes de los semiconductores
Ley de acción de masas: ….. (3)
Ley de neutralidad eléctrica …... (4)
Despejando “p” de (3) y reemplazando en (4), se tiene:
( )
….. (5)
Obteniendo de (5) la ecuación cuadrática, se tiene:
………. (6)
Aplicando Baskara a (6), así:
√
{
Por lo tanto, RPTA.
b) Con el valor de “n” conocido entonces en cualquiera de las ecuaciones (3) o (4). Por simplicidad en (3) despejan-
do “p” se tiene:
( )
RPTA.
P3.5.- Se tiene un alambre de cobre (Cu) de longitud 300 m; si cada átomo contribuye con un electrón, se
pide:
a) La concentración de los electrones.
b) La velocidad de arrastre de los electrones si J = 1,800 A/m2.
c) El voltaje a aplicarse en los extremos del alambre si se desea que la movilidad de los electrones sea de
4.5 x 10-3 m2/V-s.
DATOS:
Densidad = 8.92 g/cm3 Peso atómico Ge = 63.5
SOLUCIÓN:
a) RPTA.
b) De la ecuación (5.12) se tiene:
….. (1)
Por ser un metal se cumple p = 0 por lo cual (1) queda reducida así:
….. (2)
Despejando vn se tiene:
….. (3)
En (3) reemplazando sólo los valores en el sistema internacional para no trabajar con unidades y recordando
que 1cm3 = 10-6 m3, entonces se tiene:
RPTA.
c) De (5.13) y aplicándola para el metal se tendrá:

….. (1)
Como ….. (2). Ahora (2) en (1) se tiene: ( ) por lo cual
despejando V se tiene:
….. (2)
Reemplazando valores del sistema internacional en (2) sólo para trabajar con las cantidades se tiene:
RPTA.
P3.6.- El cobre tiene una concentración de electrones de y la conductividad eléctrica del cobre es
σ= S/cm. Si se tiene un hilo de cobre de 100 m y de diámetro cm, hallar:
a) La movilidad de los electrones libres en el cobre.
b) La resistencia de todo el hilo.
c) Si se conecta en los extremos del hilo una batería de 1 V, calcular la corriente.
d) El campo eléctrico.
e) La velocidad de arrastre de los electrones
f) ¿Cuánto tiempo demora un electrón de ir de un extremo a otro?
SOLUCIÓN:
a) Se sabe que ( ) ….. (1) Ahora por ser un metal p = 0, se tiene que
….. (2) entonces despejando µn y reemplazando valores:
RPTA.
b) Aplicando la ley de Poillet:
RPTA.
( )
c) Aplicando la ley de Ohm en todo el hilo de 100 m:
RPTA.
d) Ahora aplicando la relación entre el campo eléctrico y el voltaje:

RPTA.
e) Usando la ecuaciónv (5.10), es decir: , por lo cual:
RPTA.
f) Aplicando ahora la definición de velocidad y despejando de ella el tiempo:
s RPTA.
P3.7- Se tiene una oblea de un semiconductor cuyas dimensiones se muestran en la figura adjunta, a la cual
se le han añadido impurezas aceptadoras en una concentración de 9x10 11 cm-3. Su concentración intrínseca
para cualquier temperatura (°K) se calcula con la siguiente expresión ;
2
además las movilidades de los portadores tienen los siguientes valores: µp = 500 cm /V-s y µn = 1,300
cm2/V-s. Para la temperatura de 20 °C, se pide calcular:
a) La concentración intrínseca del semiconductor.
b) La concentración de los huecos.
c) La concentración de los electrones.
d) La conductividad de la oblea.
e) La resistencia de la oblea.
2cm
Ahora si la temperatura es de 50 °C, se pide calcular:
f) La concentración intrínseca del semiconductor.
5mm
g) La concentración de los huecos.
h) La concentración de los electrones.
i) La conductividad de la oblea. 5mm
j) La resistencia de la oblea
SOLUCIÓN:
a) Hallando el valor equivalente de la temperatura en °K para el valor de 20 °C; así:
….. (1)
Ahora con el resultado (1) calculamos ni a dicha temperatura:

RPTA.
b) ¿NA>>ni?. comprobando:
¡Si se cumple!
c) Por la ley acción de masas: RPTA.
d) Se sabe por ecuación (5.1) que la conductividad se calcula así: ( ) …..(2)
entonces reemplazando valores en (2) pero para evitar errores se usa el sistema internacional de unida-
des “SI” , así:
Por lo tanto: σ =7.21x10-3S/m = 7.21 mS/m RPTA.

e) Recordando la ley de Poillet, ecuación (5.16): …. (3); reemplazando valores:
RPTA.
( )
f) Hallando el equivalente de 50 °C en temperatura °K; por lo tanto:
ahora:
RPTA.
g) ¿NA>>ni?. comprobando:
¡Si se cumple!
h) RPTA.
i) ( ) reemplazando valores:
Por lo que: σ =7.29x10-3 S/m = 7.29 mS/m RPTA.

j) Reemplazando valores en (3):
RPTA.
( )
P3.8.- Para el siguiente circuito se tiene que el cubo de semiconductor es de silicio donde µ p = 500 cm2/V-s
y µn = 1,300 cm2/V-s donde se cumple la siguiente relación n = 103 p. Sabiendo que ni(T) se halla por la
fórmula que está en DATOS; se pide hallar:
a) El valor de la Resistencia del cubo de semiconductor para que se obtenga E = 20 V.
b) La conductividad del cubo de semiconductor σ
c) La concentración de electrones (n) en el cubo de semiconductor.
d) La concentración de huecos (p) en el cubo de semiconductor.
e) La temperatura en °C en que ocurre E = 20 V.
DATOS:
; e = 1.602 x 10-19 C
SOLUCIÓN:
a) Como en la resistencia R = 2 KΩ debe haber un voltaje E = 20 V entonces aplicando la ley de Ohm se
obtiene que la corriente que circula por ella es:
Y como la fuente de corriente proporciona 20 mA entonces por el cubo de semiconductor tiene que pa-
sar 10 mA para cumplir con la 1ra. ley de Kirchoff. Por lo cual, volviendo aplicar la ley de Ohm en el
cubo de semiconductor se tiene
RPTA.
b) Recordando la ley de Poillet: ….. (1) y sabiendo que …..(2) entonces
reemplazando (2) en (1) se tiene:
….. (3)
Reemplazando valores en (3) expresados en el Sistema Internacional para sólo trabajar con cantidades
sin unidades porque procediendo así la unidad del resultado obtenido es el S/m; así:
RPTA.
c) Como en todo semiconductor se cumple: ( ) ….. (1) y además por condición del
problema se tiene que ….. (2). Reemplazando (2) en (1) y despejan-
do n, se tiene:
….. (3)
Reemplazando valores en el sistema internacional de unidades se tiene:
RPTA.
d) Por la condición del problema se tiene:
RPTA.
e) Todo lo calculado se ha realizado para una cierta temperatura entonces para saber la misma aplicamos la
ley acción de masas para hallar el valor de la concentración intrínseca para dicha temperatura. Así
es decir, n,(T) = 1.518x1011 cm-3 ….. (4)

con el valor de (4) se reemplaza en la ecuación dada en DATOS, así:
despejando T entonces tenemos:
RPTA.
P3.9.- Para el siguiente circuito tenemos un trozo de semiconductor de forma cúbica de 1 cm. de lado. Si a
la temperatura de T = 275 ºK donde ni = 109 cm-3 se añaden impurezas de Aluminio en 1011 cm-3. Se pide:
a) La concentración de huecos.
b) La concentración de electrones.
c) La conductividad del semiconductor. R
d) La resistencia del semiconductor.
e) Calcular R si V0 = 5 V.
DATOS:
µn = 3,800 cm2/V-s; µp = 1,800 cm2/V-s
SOLUCIÓN:
a) ¿NA>>ni?. comprobando:
¡Si se cumple!
Por lo tanto, haciendo: ≅ R)PTA.
b) Por la ley acción de masas: RPTA.
c) Se sabe que ( ) entonces reemplazando valores:
( ) RPTA.
d) RPTA.
( )
e) Aplicando el divisor de tensión, entonces ( ) entonces despejando R

RPTA.
P3.10.- Una barra de Germanio tiene la forma indicada en la figura adjunta donde se tiene como datos: L =
1cm, H = W = 0.1 cm, µn = 4,000 cm2/V-s; µp = 200 cm2/V-s; si la concentración intrínseca está dada por
se pide hallar:
a) La conductividad cuando la barra es intrínseca a la temperatura ambiental.
b) La resistencia de la barra cuando es intrínseca a la temperatura ambiental.
c) ¿A qué temperatura el voltímetro marca 5 V en la barra intrínseca?
d) Si se sabe que la barra se convierte en tipo N y que tiene 10 Ω de resistencia ¿cuál es la concentración
de las impurezas a la temperatura ambiente?
e) En el caso extrínseco ¿cuál es la fracción de corriene que transportan los huecos?
+ 10 V
1 KΩ
W
+
V
L
-
SOLUCIÓN: H
a) Hallando primero el valoro de ni a la temperatura ambiental, es decir, T = 300 °K. Por lo tanto
en la expresión ….. (1)
Por fórmula se sabe ( ) ….. (2). Además como es intrínseca debe cumplirse:
…… (3) entonces reemplazando (2) en (1) se tiene ….(4)
reemplazando valores en el SI de unidades, tenemos:
( )
RPTA.
b) Por la ley de Poillet se sabe: ….. (5)
RPTA.
c) Por observación simple en el circuito y sin aplicar el divisor de tensión, para que el voltímetro marque 5
V entonces la resistencia de la barra de Germanio debe ser de 1 KΩ, por lo que se tiene: R = 1 KΩ
….. (6) y es intrínseco entonces reemplazando (4) en (5) resulta:
σ
….. (7) Por lo tanto reemplazando valores:
( ) ( )
( ) ( )
Con este valor reemplazamos en la expresión de la concentración intrínseca dada, así:
despejando la temperatura:
RPTA.
d) Por ley de acción de masas: y asumiendo por facilidad que ND>>ni entonces resulta que n = ND
….. (8) Por lo que resulta ….. (9). Además por la ley de Poillet
expresada en (5) y la ecuación (2) entonces combinando estas ecuaciones resulta en:
( ) ….. (10) Reemplazando en (10), (8) y (9). Así:
( ) ( ) y despejando ND resulta en una ecuación cuadrática:

( ) ….. (11)
En (11) todo es conocido menos NA entonces aplicando Baskara a (11) tenemos:
√
y reemplazando valores en SI, resulta ND= 0
22 -3 16 -3
1.56 x 1022 m-3
Por lo tanto, ND = 1.56 x 10 m = 1.56 x 10 cm RPTA.
e) Sabemos que: ( ) …. (12)
Para la corriente total: ( ) ( ) ….. (13)
Ahora (12) dividiendo (13) resulta: ….. (14)
Hallando “n” y “p”. Por lo tanto
y por ley de acción de masas:
Con los valores obtenidos, reemplazamos en (14), así:

RPTA.

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2 Félix Elard CASTILLO HERRERA

Conducción en Semiconductores. Teoría y Problemas 3

3.3. CASOS PARTICULARES EN LA APLICACIÓN DE LAS LEYES ..................................................... 34

1.3. NIVELES DE ENERGÍA DE UN ÁTOMO

Fig. 1.1 Radiación o absorción de energía de un electrón en un átomo.

1.4. CLASIFICACIÓN DE LOS MATERIALES

1.4.3. LOS SEMICONDUCTORES

Fig. Nº 1.6 Bandas en un semiconductor Fig. Nº 1.7 Conductividad en los semiconductores

1.5. ALGUNAS CONSTANTES FÍSICAS ÚTILES

1.6. PROBLEMAS DEL CAPÍTULO

Fig. Nº 2.1 Estructura semiconductora a 0 ºK

Fig. Nº 2.2 Estructura semiconductora a temperaturas mayores a 0 ºK

Fig. Nº 2.3 Desplazamiento del hueco como carga positiva

2.2. CONCENTRACIÓN DE PORTADORES EN UN SEMICONDUCTOR INTRÍNSECO

Donde EF es conocida como el nivel de Fermi

Ahora hallando la concentración de electrones a partir de la ecuación (2.5):

Donde , siendo las dimensiones de NC en (1/m3)

Fig. Nº 2.4 El nivel de Fermi en un semiconductor intrínseco

Fig. Nº 2.5 Estructura semiconductora tipo N

Fig. Nº 2.6 Niveles energéticos permitidos en semiconductores tipo N

Fig. Nº 2.7 Estructura semiconductora tipo P

Fig. Nº 2.8 Niveles energéticos permitidos en semiconductores tipo P

cambiando el signo menos en (3), se tiene:

2.6. PROBLEMAS DEL CAPÍTULO

Número de Avogadro: 6.023 x 1023 moléculas / mol (átomos / átomo gramo)

b) Para el cálculo de la concentración de átomos donadores simplemente dividimos N por 10 6. Así:

Tomando logaritmos neperianos a (4), tenemos: ( ) ( ) ….. (5)

y transformando en cm-3 tenemos ….. (2)

Generalizando la expresión (5) se tendrá:

Ahora bien, se sabe que de lo que resulta que

Para el caso de las 3 dimensiones entonces la ecuación (6.2) se convierte en:

3.9. VOLTAJE EQUIVALENTE DE LA TEMPERATURA

̅̅̅̅̅ ….. (2)

3.11. ECUACIÓN DE CONTINUIDAD

Ahora, : ∫ ..… (7)

3.12.2. CONCENTRACIÓN INDEPENDIENTE DEL TIEMPO Y CAMPO ELÉCTRICO NULO

Haciendo el cambio de variable:

3.13. PROBLEMAS DEL CAPÍTULO

P3.1.- En un semiconductor de Silicio para una temperatura de 10 °C se añaden impurezas donadoras en

Si la temperatura ahora es 127 °C, hallar:

c) De (5.13) y aplicándola para el metal se tendrá:

d) Ahora aplicando la relación entre el campo eléctrico y el voltaje:

Ahora con el resultado (1) calculamos ni a dicha temperatura:

Por lo tanto: σ =7.21x10-3S/m = 7.21 mS/m RPTA.

Por lo que: σ =7.29x10-3 S/m = 7.29 mS/m RPTA.

es decir, n,(T) = 1.518x1011 cm-3 ….. (4)

e) Aplicando el divisor de tensión, entonces ( ) entonces despejando R

( ) ( ) y despejando ND resulta en una ecuación cuadrática:

Con los valores obtenidos, reemplazamos en (14), así:

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