UNIVERSIDAD POLITÉCNICA SALESIANA LABORATORIO DE ELECTRÓNICA

ANALÓGICA
Fecha: 20/12/2020

APLICACIÓN DE LOS TRANSISTORES

Práctica 6
Lesly Jazmín Amagua Barrionuevo
lamagua@est.ups.edu.ec
Pablo Sebastián Freire Freire
pfreiref1@est.ups.edu.ec
Mateo André Raza Lasso
mrazal@est.ups.edu.ec

RESUMEN- En el presente trabajo ponemos a conocimiento la construcción de un circuito con un transistor del
tipo BJT, además de los detalles que su curva genera con la variación de corriente (I B) y una fuente (VC), mismas
que entregarán datos que servirán para obtener información de cálculo posterior. Además utilizar los transistores
BJT para realizar aplicaciones con motores y sensores.

PALABRAS CLAVE- Transistor, voltaje, corriente, circuito

OBJETIVOS
Objetivo general:
 Utilizar los transistores BJT para realizar aplicaciones con motores y sensores.
Objetivos específicos:
 Amplificar la señal de un sensor óptico CNY.
 Diseñar un circuito para el control de un motor.

I. MARCO TEÓRICO

1. Teoría sobre transistores

Se denomina transistor a los dispositivos electrónicos semiconductores, capaz de modificar una señal eléctrica de
salida como respuesta una de entrada, esto puede utilizarse en varios campos como amplificador, conmutador,
oscilador o rectificador de la misma. Dado sus características es común encontrarlo en relojes, lámparas, celulares,
radios, televisores y en los integrados (chips).

Fig. 1
Transistores

2. Transistores BJT
El transistor bipolar fue el primer dispositivo activo de estado sólido. Fabricado sobre un cristal de material
semiconductor, de tres capas que se contamina de manera selectiva y controlada con átomos de arsénico o fósforo
(donantes de electrones), para generar así las regiones de base, emisor y colector.
Dando como resultaos dos tipos de transistores: NPN y PNP. Como aplicaciones tenemos: analógicas:
amplificadores, seguidores de tensión; digitales: computadoras
UNIVERSIDAD POLITÉCNICA SALESIANA LABORATORIO DE ELECTRÓNICA
ANALÓGICA
Fecha: 20/12/2020

Fig. 2
Transistores NPN y PNP

3. Curva característica
Se dice característica de entrada la curva que expresa la tendencia de la corriente de base I B en función de la
tensión de base VBE. Se dice características de salida las que expresan la corriente de colector I C como una función de
la tensión VCE, mientras que manteniendo constante la IB.
Dividas en:
Saturación: Deja pasar todo el caudal de la corriente eléctrica (corriente máxima).
Corte: No deja pasar la corriente eléctrica. Se comporta como un interruptor abierto.
Región activa: Se permite el paso de un nivel de corriente variable (más o menos corriente).
Región de ruptura: La tensión VCE es demasiado elevada por lo que causa daños permanentes en el transistor,
quemándolo, dañándolo.

Fig. 3
Curva característica del BJT

II. TRABAJO PREPARATORIO

 Consultar la región activa del transistor y su funcionamiento, así como el cálculo del punto Q.

Región activa: Es una región intermedia entre las regiones de corte y saturación. En esta la corriente del colector
(IC) depende principalmente de la corriente de base (IB), de la ganancia (β)y de las resistencias del colector y emisor,
en esta región se da las variaciones de corriente. En esta región se da los valores y los comportamientos para que el
transistor se comporte como un amplificador. [ CITATION Elesf \l 12298 ]

Punto de trabajo (Q): El punto Q se encuentra siempre sobre la recta de carga en continua. Por tanto, ésta muestra
las posibles ubicaciones del mismo.
En este circuito se verifica que:
V CC −V BE
I B=
RB
Dado a las dos resistencias y una fuente que el transistor tiene.

Si tomamos como datos I CQ, IBQ y VCEQ, el punto Q se encuentra en la denominada recta de carga. Si Q se
encuentra en el limite superior el transistor esta saturado, en el límite inferior se encuentra en corte y en los puntos
intermedios en la región lineal.
UNIVERSIDAD POLITÉCNICA SALESIANA LABORATORIO DE ELECTRÓNICA
ANALÓGICA
Fecha: 20/12/2020

Fig. 4
Recta de carga Q

Si relacionamos a IC con VCE tenemos:

V CC =V CE + I C R C

Donde la recta se puede obtener:

Si VC=0
V CC
I C=
RC
Si IC=0
V CE =V CC
Esto nos da la recta con la cual podemos obtener los valores I CQ y VCEQ, el punto Q.

 ¿Cuál es la utilidad y aplicaciones del transistor en corte y saturación?

Cuando no pasa corriente por la base, se dice que el transistor está en corte, como si se tratara de un interruptor
abierto. El transistor está en saturación cuando la corriente en la base es muy alta; en ese caso se permite la
circulación de corriente entre el colector y el emisor y el transistor se comporta como si fuera un interruptor cerrado.

Las ventajas de los transistores se dan en la manera que trabajan, si tenemos un circuito simple, en este caso el
transistor se comportará como un switch. Si la luz llega al LDR la resistencia es baja. Esto hace que no haya corriente
en la base, por lo tanto, la bombilla se mantenga apagada.

Fig. 5
Transistor en corte

Si, por el contrario, no existe influencia de luz sobre el LDR la resistencia se vuelve alta. La corriente pasa por la
base haciendo que fluya corriente a los otros elementos, haciendo así que se préndala bombilla.

Fig. 6
Transistor en saturación

Dado esto podemos decir que su funcionamiento se da como -mencionado anteriormente- un switch la diferencia
es que se da de manera más rápida, puesto que cualquier cambio puede reanudar o cortar el paso de la corriente
haciendo que el aparato funcione o no.

III. MATERIALES Y EQUIPO

Software:
NI Multisim 14.2
Dentro del cual se utilizarán:
- Transistor 2N3904
- TIP 120
- CNY-70
- (10) 220 Ω
UNIVERSIDAD POLITÉCNICA SALESIANA LABORATORIO DE ELECTRÓNICA
ANALÓGICA
Fecha: 20/12/2020
- (10) 1 K Ω
- (10) 10 K Ω
- (10) 4.7 K Ω
- (10) 560 Ω
- Protoboard
- Fuente de 5 V (dc)
- Cables de conexión

IV. DESARROLLO Y PROCEDIMIENTO

Con el empleo del transistor BJT 2n3904 realizar el circuito que se muestra en el paso 1
1. Armar el circuito amplificador de corriente aplicado a un sensor óptico CNY-70 mostrado.

Fig. 7
Sensor Óptico CNY-70

Fig. 8
Sensor Óptico CNY-70 - Multisim

2. Con el multímetro medir el voltaje entre la base y el emisor, y el voltaje entre el colector y el emisor.

Fig. 9
Circuito Sensor Óptico CNY-70
UNIVERSIDAD POLITÉCNICA SALESIANA LABORATORIO DE ELECTRÓNICA
ANALÓGICA
Fecha: 20/12/2020

Fig. 10
Circuito Sensor Óptico CNY-70 - Multisim

3. Con el multímetro medir las corrientes de base, emisor y colector.

Fig. 11
Circuito Sensor Óptico CNY-70 – Multisim Multímetro

4. Armar el circuito como se muestra en la figura, con el osciloscopio y el generador de funciones.

Fig. 12
Circuito de ubicación del osciloscopio y el generador de funciones

Fig. 13
Circuito de ubicación del osciloscopio y el generador de funciones
en Multisim
5. Configurar el generador de funciones con los datos de la tabla1.
UNIVERSIDAD POLITÉCNICA SALESIANA LABORATORIO DE ELECTRÓNICA
ANALÓGICA
Fecha: 20/12/2020

V. ANALISIS Y RESULTADOS
UNIVERSIDAD POLITÉCNICA SALESIANA LABORATORIO DE ELECTRÓNICA
ANALÓGICA
Fecha: 20/12/2020

VI. CONCLUSIONES

1. Como ya hemos podido ver en el informe, se conoció la variedad de aplicaciones de los transistores y su
utilización en la composición de sistemas electrónicos, también hemos realizado la forma de utilizar, medir y conocer
las aplicaciones de los transistores así como sus materiales de composición y los instrumentos para tomas lecturas.
2. Mediante la ayuda de la gráfica podemos determinar el lugar en el que se encuentran las zonas de saturación,
corte y trabajo o activa, dándonos así a entender donde no produce conducción de corriente (corte), el punto en el que
alcanza su nivel máximo de corriente (saturación) y el punto optimo para poder realizar la amplificación o trabajo con
el transistor (activa).

VII. RECOMENDACION

1. Dado que la polaridad en los transistores se toma en cuenta, hay que tener presente para el armado de los
diferentes circuitos.

VIII. REFERENCIAS

[1 Electronica Unicrom, «Regiones Operativas del Transistor Bipolar,» s.f.. [En línea]. Available:
] https://unicrom.com/regiones-operativas-y-configuraciones-del-transistor-bipolar/#:~:text=Regi
%C3%B3n%20activa%20de%20un%20transistor,conectadas%20al%20colector%20y%20emisor..
[Último acceso: diceimbre 2020].
[2 Concepto.de, «¿Qué es un transistor?,» 25 junio 2020. [En línea]. Available:
] https://concepto.de/transistor/. [Último acceso: diciembre 2020].
[3 Electrónica Fácil, «PUNTO DE TRABAJO (Q),» s.f.. [En línea]. Available:
] https://www.electronicafacil.net/tutoriales/PUNTO-DE-TRABAJO-Q.html#:~:text=Para%20obtener
%20el%20punto%20de,%2C%20ICQ%20%3B%20VCEQ%20y%20VBEQ%20.. [Último acceso:
diciembre 2020].
[4 Recursostic, «Transistores: Transistor en corte o en saturación,» s.f. [En línea]. Available:
] http://recursostic.educacion.es/secundaria/edad/4esotecnologia/quincena4/4q2_contenidos_5b.htm.
[Último acceso: diciembre 2020].
[5 Recursostic, «Transistor,» s.f.. [En línea]. Available:
] http://recursostic.educacion.es/secundaria/edad/4esotecnologia/quincena4/guiones/transistor_conmuta
cion.htm. [Último acceso: diciembre 2020].
[6 Tecnología , «TRANSISTOR,» s.f.. [En línea]. Available:
] https://www.areatecnologia.com/TUTORIALES/EL%20TRANSISTOR.htm. [Último acceso:
diciembre].
[7 Scuolaelettrica, «CARACTERÍSTICAS DEL BJT,» s.f.. [En línea]. Available:
] https://scuolaelettrica.it/escuelaelectrica/elettronica/transi5.php#:~:text=Dicen%20caracter
%C3%ADsticas%20del%20BJT%20las,refiere%20al%20transistor%20NPN%20BCW82.. [Último
acceso: diciembre 2020].
[8 J. LeDuc, «Conceptos básicos de transistores PNP y NPN con 2N3904, 2N3906, 2N2222, 2N2907,»
] 21 diciembre 2017. [En línea]. Available: https://www.digikey.com/es/articles/transistor-
basics#:~:text=Un%20transistor%20NPN%20es%20impulsado,flujo%20del%20Emisor%20al
%20Colector.. [Último acceso: diciembre 2020].
[9 Electronica, «El Transistor de Unión Bipolar,» s.f.. [En línea]. Available:
] http://electronica.ugr.es/~amroldan/deyte/cap03.htm. [Último acceso: diciembre 2020].
UNIVERSIDAD POLITÉCNICA SALESIANA LABORATORIO DE ELECTRÓNICA
ANALÓGICA
Fecha: 20/12/2020