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    Examen Parcial EE418R Solucion

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    Diego Salazar Urbina
    El documento presenta cálculos para determinar las características de una juntura PN polarizada en directo. 1) Calcula las densidades de portadores en los semiconductores tipo P y N. 2) Determina el potencial intrínseco de la juntura. 3) Calcula la anchura de la zona de depleción y sus subdivisiones. 4) Determina el campo eléctrico máximo y el campo de ruptura en la zona de depleción.

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    Diego Salazar Urbina
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    El documento presenta cálculos para determinar las características de una juntura PN polarizada en directo. 1) Calcula las densidades de portadores en los semiconductores tipo P y N. 2) Determina el potencial intrínseco de la juntura. 3) Calcula la anchura de la zona de depleción y sus subdivisiones. 4) Determina el campo eléctrico máximo y el campo de ruptura en la zona de depleción.

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    circuitos electronicos

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    El documento presenta cálculos para determinar las características de una juntura PN polarizada en directo. 1) Calcula las densidades de portadores en los semiconductores tipo P y N. 2) Determina el potencial intrínseco de la juntura. 3) Calcula la anchura de la zona de depleción y sus subdivisiones. 4) Determina el campo eléctrico máximo y el campo de ruptura en la zona de depleción.

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    Problema 2

    k=1.381e-23;
    T=300;
    q=1.6e-19;
    X=0;
    Y=0;
    q=1.6e-19;
    ni=1.5e10;
    Es=1e-12;
    Na=(2+0.1*Y)*1e17;
    fprintf('Na = %5.3e\n',Na)
    Nd=(1+0.1*X)*1e15;
    fprintf('Nd = %5.3e\n',Nd)
    Vt=k*T/q;
    Vbi=Vt*log(Na*Nd/(ni^2));
    fprintf('Vbi = %5.3e Voltios\n',Vbi)
    wo=((2*Es/q)*(1/Na+1/Nd)*Vbi)^0.5;
    fprintf('anchura zona deplexion wo = %5.2e metros\n',wo)
    wpo=wo*Nd/(Na+Nd);
    fprintf('wpo = %5.3e metros\n',wpo)
    wno=wo-wpo;
    fprintf('wno = %5.3e metros\n',wno)
    Eomax=q*Na*wpo/Es;
    fprintf('Campo electrico Maximo = %5.2e V/cm\n',Eomax)
    Ecmax=Eomax*(1+50/Vbi)^0.5;
    fprintf('Campo Electrico de ruptura Ecmax = %5.2e V/cm \n',Ecmax)

    a) Diagrama de densidad de carga; 𝜌

    Na = 2.000e+017

    Nd = 1.000e+015

    b) Vbi = 7.124e-001 Voltios

    anchura zona deplexion wo = 9.46e-005 metros

    wpo = 4.707e-007 metros

    c) Anchura de la zona de carga espacial en el semiconductor tipo “n”


    wno = 9.413e-005 metros

    Campo electrico Maximo = 1.51e+004 V/cm

    d) Campo Electrico de ruptura Ecmax = 1.27e+005 V/cm


    Parte 3 del Examen parcial EE411Q
    Pregunta 1
    Cuando se polariza inversamente un diodo semiconductor la corriente de
    arrastre prevalece por encima de la corriente de difusión. El campo
    eléctrico aplicado arrastra algunos electrones que se forman por energía
    térmica en la zona de deplexión.

    Pregunta 2
    Debido a la polarización inversa de la juntura colector base los electrones
    salen por el colector por la acción del campo eléctrico.

    Pregunta 3

    𝐼𝐴

    1
    𝑟𝐹

    𝑉𝐴𝐾
    𝑉𝐹

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