Instituto Tecnológico de

Tlalnepantla

Subdirección Académica
Departamento de Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Manual de Prácticas

CARRERA PLAN DE NOMBRE DE LA CLAVE DE LA

MANUAL DE PRACTICAS
ESTUDIOS ASIGNATURA ASIGNATURA
ING. JOSE LUIS CEPEDA ATRISTAIN
INGENIERÍA MECATRÓNICA SATCA ELECTRÓNICA DE MTJ -1012
POTENCIA
APLICADA

PRÁCTICA LABORATORIO NOMBRE DE LA PRÁCTICA DURACIÓ

No. DE N

OSCILADORES DE RELAJACION CON

3 2 HRS
ELECTRÓNICA UJT Y PUT.

I. Objetivo de la Práctica
Identificar, conocer, describir y analizar el funcionamiento de los circuitos osciladores de
relajación a partir del uso de transistores monojuntura (UJT) y monojuntura programable
(PUT).
II. Introducción
El circuito oscilador de relajación, es un circuito de conmutación astable, que utiliza como
dispositivo electrónico base al transistor UJT o al transistor PUT, y presenta las siguientes
características:

 Circuito simple
 Tiene un rango grande de ajuste de la frecuencia de oscilación.
 Presenta una estabilidad de frecuencia muy buena.
 Como se pueden obtener diferentes formas de onda del circuito, estas se pueden aplicar
de diferentes maneras: generador de pulsos, generador de diente de sierra, circuito
sincronizador y circuito de disparo.

El transistor monojuntura (UJT) es un dispositivo electrónico de tres terminales, que tiene la

construcción básica en una barra de silicio tipo “N” ligeramente con impurezas o dopada,
teniendo está dos terminales en sus extremos, contactos ohmicos llamados base 1 y base 2, la
tercera terminal se conoce como emisor y forma una unión PN con la barra base.

Su construcción básica, su símbolo y su circuito equivalente se muestran en la figura No.3.1.

Se observa lo simple del circuito equivalente formado por dos resistencias y un diodo, en
donde la resistencia “RB1” se muestra como una resistencia variable debido a que su valor
cambia (decrece) cuando el transistor entra en conducción de una corriente (IE) entre el
emisor y la base 1.

RB1 y RB2 representan las resistencias inter-bases, que pueden tener un valor resistivo en el
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rango de 5 K a 10 K, como RB1 es un efecto resistivo variable cuya magnitud cambia con
la corriente IE, puede variar desde 5 K hasta 50  para un cambio correspondiente de la
corriente IE de 0 hasta 50 A. La unión NP se representa por un diodo.

B2
B2 B2 RB2 IB +
N VD
VBB
E E E + +
P IE RB1
B1 VE ηVBB
B1
- - - B1
Construcción Símbolo Circuito Equivalente
Figura No.3.1. Transistor Monojuntura (UJT).

La resistencia que existe entre las bases (RBB) cuando la corriente en el emisor es cero, se
obtiene por:
RBB = RB1 + RB2 ………………… (3.1)
IE=0

El funcionamiento de un UJT se representa en la grafica de la figura No.3.2, donde se

describen las características eléctricas de este dispositivo a través de la relación que existe
entre el voltaje de emisor (VE) y la corriente de emisor (IE).

Se definen dos estados críticos de operación del UJT:

 Estado de pico (VP, IP). Que cumplen con la condición de:

 Estado de valle (VV, IV). [d(VE) /d(IE)] = 0

Que determinan las regiones de operación:

 Región de Corte.
 Región de Resistencia Negativa.
 Región de Saturación.
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Figura No.3.2. Características de operación de un UJT.
Región de Corte. -

En esta región, el valor del voltaje de emisor se encuentra entre cero y el voltaje valle, por lo
que se mantiene polarizado inversamente a la unión formado por el emisor y la base 1. En
estas condiciones el UJT no conduce, ya que el voltaje en el emisor es menor al potencial o
voltaje de disparo del emisor y que de acuerdo a la figura No.3.2 es el voltaje de pico “VP”.

Dado por la siguiente ecuación y de acuerdo al circuito equivalente del UJT:

VP = VBB + VD …………………….. (3.2)

Sabemos que el voltaje “VD” de una unión “PN” en silicio varía entre 0.6V y 0.8V, se
considera como valor típico 0.7V. El UJT en esta región se comporta como un elemento
resistivo lineal entre las dos bases con valor igual a RBB.

Si el voltaje en el emisor es cero (V E=0), la barra de silicio se comporta como un divisor de

voltaje y en el efecto resistivo RB1 aparece un voltaje dado por:

RB1 VBB RB 1
VBB = ————  = ———— ……….. (3.3)
RB1 + RB2 RB1 + RB2
IE=0 IE=0

La relación intrínseca “” (stand-off) del dispositivo puede variar de 0.4 a 0.8 dependiendo
de su fabricación.

Región de Resistencia Negativa.-

Cuando se tiene que VE > VBB , la unión NP o diodo conducirá y empezará a circular una
corriente IE a través de RB1, haciendo que su valor resistivo disminuya fuertemente debido a
la recombinación que existe en esa zona, ocasionando que se presente el efecto de una
resistencia negativa (dVE/dIE < 0) y la corriente de emisor toma valores entre la corriente de
pico y la corriente de valle (IP< IE< IV). , como se observa en la figura No.3.2.

Región de saturación.-

En esta zona se tiene en el UJT una corriente de valle y un voltaje de valle, así como una
relación lineal de muy baja resistencia entre el voltaje de emisor y la corriente de emisor. Se
observa que la corriente de emisor es mayor que la corriente de valle (I E > IV) y que la curva
que relaciona el voltaje VE y la corriente IE cuando la base B2 se encuentra al aire (IB2=0) es
de tipo exponencial.

El circuito oscilador de relajación simple con un transistor UJT, se muestra en la figura

No.3.3, en donde la resistencia R debe elegirse de tal manera que se puede asegurar el
disparo y el corte del UJT, por lo que su valor debe estar en el rango que marca la ecuación
(3.4).
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Los resistores R1 y R2 no son esenciales para la oscilación, pero su presencia permite la
generación de formas de onda en las salidas V B1 y VB2. El valor de R2 debe aumentarse en
varias decenas de ohms para no perturbar el efecto de la resistencia negativa, pero
suficientemente pequeña para que la corriente de inter-base no haga conducir al UJT cuando
la corriente de emisor sea igual a cero. La función de R 1 es estabilizar la frecuencia de
oscilación cuando se presentan variaciones de la temperatura.

R R1
B2
+
E V
VB2 _
B1
C VE
R2 VB1

Figura No.3.3. Circuito Oscilador de Relajación con UJT.

V  VP V  VV
——— > R > ——— …………………….. (3.4)
IP IV

Al conectar el voltaje V, el capacitor C se empieza a cargar a través del resistor R hasta V,

en el instante en que el voltaje del capacitor V E alcanza el valor del voltaje de pico V P
(disparo), el UJT se dispara (RB1 se hace muy pequeña) y empieza a conducir permitiéndole
al capacitor descargarse a través de R2 y tierra. La descarga de C continua hasta que el voltaje
del capacitor llega al valor de VV, en ese momento el efecto resistivo RB1 vuelve a crecer y el
capacitor comienza nuevamente a cargarse, completándose un ciclo de oscilación.
El tiempo de carga “toff” del capacitor es el tiempo en el que el voltaje de salida V B1 es cero y
se puede calcular por:
1 VD 1
toff = R C ln [——— — ————— ]  R C ln [——— ] ……..… (3.5)
1  VB2 VB1 1 

El tiempo de descarga “ton” es muy corto con respecto al tiempo de carga, por lo qué se
puede despreciar cuando se considera el periodo de oscilación, por lo qué la frecuencia de
oscilación del circuito oscilador de relajación se puede obtener con la ecuación (3.6) con
bastante aproximación.
1 1
f = —— = ————————— ……………………….. (3.6)
toff R1 C ln [1 / (1 )]

Como el voltaje de pico VP tiene un coeficiente de temperatura negativo cuando el voltaje

inter-base es constante, es necesario seleccionar un valor resistivo apropiado para R 1, con el
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fin de balancear los efectos de la temperatura estabilizando al circuito. Es posible encontrar
el valor de este resistor por:
0.31 RBB
R1 = ————— ; si (R1 > R2 y RBB > R1) …….. (3.7)
 VBB

El transistor monojuntura programable “PUT”, esta construido y opera de manera diferente

al UJT, pero tienen características de V-I muy similares, por lo que su aplicación también es
similar. El PUT es un dispositivo electrónico de tres terminales y esta construido por cuatro
capas semiconductoras salteadas PNPN, las capas extremos dan las terminales de ánodo
(material P) y cátodo (material N), la terminal compuerta se conecta al material tipo N
después de la primera unión PN.

En la figura No.3.4, se muestra la construcción, el símbolo y su configuración básica de

polarización del transistor PUT.
(ánodo) +
A A A RB2
+ IA
P G G VBB
(compuerta) +
N G VAC
RB1
P
N V G
C C
C - - -
(cátodo) Símbolo
Construcción Circuito de polarización básico

Figura No.3.4. Transistor Monojuntura Programable (PUT).

El término programable se aplica porque RBB,  y VP como se definieron para el UJT pueden
controlarse por medio de los resistores R B1, RB2 y el voltaje de suministro VBB. Obsérvese en
el circuito de polarización básico, que cuando la corriente de compuerta es cero (I G=0) por el
divisor de voltaje se tiene:

RB1 VBB RB 1
VG = VBB = ————  = ———— ……… (3.8)
RB1 + RB2 RB1 + RB2
IG=0 IG=0

El potencial de disparo del PUT es.

VP = VBB + VD = VG + VD ……………..… (3.9)

Se puede ver que en este dispositivo electrónico RB1 y RB2 son resistores externos a él y es
posible ajustar  y por lo tanto el voltaje VG, controlando el nivel del voltaje pico por este
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medio.

Aunque el PUT y el UJT operan en forma similar, las corrientes de pico y de valle del PUT
son típicamente menores y su voltaje mínimo de operación también es menor.

Una vez que el PUT esta en conducción, el retiro del voltaje VG no llevará al dispositivo al
estado de no conducción, sino que para esto suceda es necesario que el voltaje entre ánodo y
cátodo (VAC) caiga suficientemente para reducir la corriente a un valor por debajo del valor
de la corriente de mantenimiento.

R A G RB2
+

C VBB
_
C1 RC RB1

Figura No.3.5. Circuito Oscilador de Relajación con PUT.

El circuito oscilador de relajación con un transistor PUT se muestra en la figura No.3.5, en

donde, en el instante en que se conecta la fuente de alimentación V BB, el capacitor C1
empezará a cargarse hacia este voltaje porque la corriente de ánodo es cero (I A=0), cuando el
voltaje del capacitor llega a ser igual al voltaje de pico V P, el dispositivo se disparará y se
establecerá una corriente IP a través del PUT, en el caso en que el valor de R sea demasiado
grande está corriente no se podrá establecer y el dispositivo no se disparará.

El tiempo “t” requerido para disparar al potencial VP está dado en forma aproximada por:

VBB RB1
t = RC1 ln [———— ] = RC1 ln [1 + —— ] …………… (3.10)
VBB  VP RB2

III. Material y Equipo

CANTIDAD DESCRIPCIÓN

1 Transistor UJT, 2N2646

1 Transistor PUT, 2N6027
1 Transistor PNP, BC328
1 Capacitor de 0.1Fd.
1 Potenciometro de 500 K
 Potenciometro de 100 K
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 Potenciometro de 5K
1 Resistor de 470,1/2 W
1 Resistor de 100,1/2 W.
2 Resistor de 2.2K, 1/2W.
1 Resistor de 10K, 1/2W.
1 Resistor de 1.5K,1/2 W
1 Resistor de 12K,1/2 W
1 Diodo 1N4007
1 Fuente de energía o poder de C.D.
1 Osciloscopio.
1 Multimetro.
1 Tablilla de conexiones (protoboard)
1 Lote de conectores tipo caimán
1 Lote de cables para conexión en la tablilla

IV. Metodología

En la tablilla de conexiones, arme el circuito oscilador de relajación con UJT de la figura No.
3.6. Primero calibre la fuente de energía de C.D. a 12 volts y el osciloscopio en un canal en
el atenuador vertical a 2v/div y en la base de tiempo a 2 ms.

2.2KΩ

500KΩ 470Ω
B2
+
E 2N2646 12V
VB2 _
B1
0.1µF VE
100Ω VB1

Figura No.3.6. Circuito Oscilador de Relajación con UJT.

Conecte la fuente de energía de C.D. al circuito y mida con el osciloscopio las señales de
salida VE, VB1 y VB2, para tres diferentes valores de resistencia (R) del potenciometro de
500K.

Buscando con el ajuste de dicho potenciómetro que en la pantalla del osciloscopio

aparezcan: 2 ciclos, 4 ciclos y 6 ciclos, en la señal de voltaje del emisor. En cada ajuste mida
R (separando del circuito una de las conexiones del potenciómetro) y los voltajes indicados,
grafíquelos en la figura No.3.7.
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VE(t) VB1(t) & VB2(t)

0 t 0 t

VE= ______; R= ________ ; VB1= _______ ; VB2 = ________

VE(t) VB1(t) & VB2(t)

0 t 0 t

VE= ______; R= ________ ; VB1= _______ ; VB2 = ________

VE(t) VB1(t) & VB2(t)

0 t 0 t

VE= ______; R= ________ ; VB1= _______ ; VB2 = ________

FiguraNo.3.7. Gráficas de las formas de onda obtenidas.

1.5KΩ 10KΩ 470Ω

+
e B2
5KΩ BC328 E 12V
b 2N2646 _
c B1 VB2

12KΩ 0.1µF VE 100Ω VB1

Figura No.3.8. Circuito oscilador de relajación usado como generador Diente de Sierra,
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VE(t) VB1(t) & VB2(t)

0 t 0 t

VE= _______; R= _______ ; VB1= _______ ; VB2 = ________

VE(t) VB1(t) & VB2(t)

0 t 0 t

VE= _______; R= _______ ; VB1= _______ ; VB2 = ________

VE(t) VB1(t) & VB2(t)

0 t 0 t

VE= _______; R= _______ ; VB1= _______ ; VB2 = ________

Figura No.3.9. Formas de onda de las señales obtenidas en el oscilador de relajación.

En la tablilla de conexiones (Proto-Board), arme el circuito de la figura No. 3.8, circuito

oscilador de relajación que proporciona una señal diente de sierra lineal.

Conecte la fuente de energía de C.D. al circuito y mida con el osciloscopio las señales de
salida VE, VB1 y VB2, para tres diferentes valores de resistencia R del potenciómetro de
500K (Buscando que aparezcan en pantalla: 2 ciclos, 4 ciclos y 6 ciclos), esto lo hace
ajustando dicho potenciómetro y observando la señal del emisor con el osciloscopio. En cada
ajuste mida el valor de R (separando del circuito una de las conexiones del potenciómetro) y
dibuje en la figura No.3.9, las formas de onda que se obtienen en todos los casos

Con este tipo de conexiones de un UJT, es posible también hacer un generador de ondas
cuadradas como el que se muestra en la figura No.3.10. Arme esté circuito en la tablilla de
conexiones.

Los anchos de cada semiciclo de la onda cuadrada se controlan con los ajustes de los
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potenciometros de 100K y de 500K ajuste dichas resistencias variables para tener tres
casos diferentes de señales de onda cuadrada (tres diferentes frecuencias: 2 ciclos, 4 ciclos y
6 ciclos), observándolas en la misma escala del osciloscopio. Medirlas y dibujarlas en la
figura No.3.11, también en cada caso mida el valor que tienen las resistencias ajustables,
separando una de sus conexiones del circuito.

Ahora vamos a utilizar un transistor PUT. Arme en la tablilla de conexiones el circuito

oscilador de relajación que se muestra en la figura No.3.12.

Mida con el osciloscopio las señales de los voltajes ánodo-cátodo (V A) , compuerta-cátodo

(VG) y cátodo (VC) , dibuje las formas de onda para tres casos diferentes de resistencia en la
figura No.6.13, al ajustar el potenciometro de 5Kmida el valor resistivo que puso en su
ajuste, separando una de las conexiones de dicho potenciómetro del circuito.

2.2KΩ 2.2KΩ

500KΩ 100KΩ 470Ω

B2
0.1µF +
E 2N2646 12V
VB2 _
B1
D VE
100Ω VB1

Figura No.3.10. Circuito Oscilador de Relajación con UJT como generador de onda
cuadradas
VE(t) VB1(t) & VB2(t)

0 t 0 t

VE= _______; R= _______ ; VB1= _______ ; VB2 = ________

VE(t) VB1(t) & VB2(t)

0 t 0 t
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VE= _______; R= _______ ; VB1= _______ ; VB2 = ________

VE(t) VB1(t) & VB2(t)

0 t 0 t

VE= _______; R= _______ ; VB1= _______ ; VB2 = ________

Figura No.3.11. Formas de onda de las señales obtenidas en el oscilador de relajación.

Ia
2.2KΩ A G 10KΩ
+

C 2N6027 12V
12KΩ _
0.1µF 100Ω
VA 5KΩ VG
VC

Figura No.3.12. Circuito Oscilador de Relajación con PUT.

VA(t) VC(t) & VG(t)

0 t 0 t

VE= _______; R= _______ ; VB1= _______ ; VB2 = ________

VA(t) VC(t) & VG(t)

0 t 0 t

VE= _______; R= _______ ; VB1= _______ ; VB2 = ________

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VA(t) VC(t) & VG(t)

0 t 0 t

VE= _______; R= _______ ; VB1= _______ ; VB2 = ________

Figura No.3.13.Formas de onda de las señales obtenidas en el oscilador de relajación.

V. Sugerencias Didácticas
Al inicio de cada práctica el docente explicará a los alumnos, el contenido de la misma, el
trabajo que debe desarrollar, los resultados que va a buscar, como se complementa en su
aprendizaje con la parte teórica de la asignatura y su aplicación en el sector industrial. Así
mismo, estará presente durante el desarrollo de la práctica, para ayudar y aclara las dudas
que surjan.

El profesor en su horario respectivo, proporcionará asesoría antes y después de cada práctica,

tanto teórica como de la forma de presentar el reporte. Les indicará a los alumnos que deben
leer la práctica antes de presentarse a realizarla en el laboratorio.

Para lograr un mejor aprendizaje sobre los temas tratados en la práctica, el alumno debe
contestar el siguiente cuestionario y presentarlo a revisión el día que va a realizar la práctica,
alumno que no presente el cuestionario contestado no podrá llevar a cabo la práctica.

CUESTIONARIO:

1.- Para el circuito de la figura No.3.3, si: V= a los tres últimos números de su número de
control en volts, = 0.6, VV = 1v, IV = 8mA y IP =10A. Determine el rango de R1 para
disparar la red.
2.- Para el transistor UJT con: VBB = 40v, = 0.65, VD = 0.7v y RB1= a los dos últimos
números de su número de control en K (IE=0). Determine lo siguiente: RB2, RBB, VP y VRB2.
3.- Diseñe un circuito oscilador de relajación como el de la figura No.3.5, con frecuencia de
oscilación de al último número de su número de control en KH Z ( en el caso de que sea cero
este número tome el siguiente número) y con voltaje en cátodo (altura del pulso) de 4.0v.
4.- Determine  y VG para un transistor PUT con VBB = 20v y RB1= 3RB2.
5.- En un oscilador de relajación con transistor PUT como el de la figura No.3.5, tiene: V BB
= 15 v, R = 20 K, C = 1.5 Fd, RK = 150 , RB1 = 12 K, RB2 = al último número de su
número de control en KΩ( en el caso de que sea cero este número tome el siguiente número),
IP = 150A, IV =6mA y VV = 1.2 v. Determine: VP, Rmax, Rmin, el periodo T, la frecuencia de
oscilación f y las formas de onda en el ánodo, en la compuerta y en el cátodo.
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VI. Anexos
El reporte de cada práctica debe estar compuesto por los siguientes puntos:
 Introducción: Describirá la finalidad de la práctica y su aplicación. Haciendo un
resumen de su contenido.
 Marco teórico: Indicará los conocimientos teóricos utilizados en el desarrollo de la
práctica, tales como: definiciones, conceptos básicos, leyes, fórmulas, ...., etc.
 Desarrollo de la práctica : Explicará el procedimiento usado, equipo y materiales que
utilizo, en que fórmulas y documentación se apoyo, para cumplir con la metodología
indicada en la práctica.
 Resultados: Registrará y explicará, por qué y cómo se dieron los resultados durante el
desarrollo de la práctica.
 Conclusiones y recomendaciones: Describirá cuáles fueron las conclusiones a las que
se llego durante el desarrollo de la práctica, cómo le ayudo para reafirmar el
conocimiento teórico-práctico, que experiencia le dejo y cómo puede hacer
investigación. Realizar sugerencias o recomendaciones, si considera necesario, sobre
el contenido de la práctica, su desarrollo, el tiempo de ejecución, de los equipos
utilizados y del desempeño del profesor.
 Bibliografía: Indicará cuales fueron los libros que uso para contestar el cuestionario y
para la elaboración del reporte de la práctica. Especificando los capítulos, temas y
paginas consultadas.
 Anexos: Debe incluir el cuestionario contestado y toda aquella documentación que
utilizo como apoyo para el desarrollo de la práctica, tales como manuales, tablas,
diagramas, fotografías, hojas técnicas, ......, etc.

BIBLIOGRAFÍA PRELIMINAR:

1) Muhammad H. Rashid, Electrónica de potencia, Pearson educación.

2) Benavent Garcia J.M., Electrónica de potencia, Alfaomega.
3) Gualda J.A., Electrónica industrial, Alfaomega-Marcombo.
4) Dewan Straughen, Power semiconductor circuits, Wiley Interscience.
5) G. Seguier, Electrónica de Potencia, Gustavo Gil.
6) Bird and King, Power electronics, Wiley.