TECNOLÓGICO NACIONAL DE MÉXICO

INSTITUTO TECNOLÓGIO DE MÉRIDA

INGENIERÍA DE MATERIALES METÁLICOS

INVESTIGACIÓN: UNIDAD 1. CONFIGURACIONES

ESTRUCTURALES

INGENIERÍA MECÁNICA

GRUPO 2M1

PERIODO AGOSTO-DICIEMBRE 2021

ALUMNO: URIBE PUGA JOSE ALEJANDRO

PROFESOR: ING. MELCHOR NARVAEZ

RODRIGUEZ
ÍNDICE
1.1. Imperfecciones cristalinas…………………………………………………………..3
1.2. Defectos lineales………………………………………………………………….….5
1.3. Defectos superficiales……………………………………………………………….8
1.4. Movimientos atómicos……………………………………………………………...12
1.5. Difusión y Mecanismos de Difusión………………………………………………13
Referencias……………………………………………………………………………….15

1.1. Imperfecciones cristalinas

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Se dice que los cristales se caracterizan porque sus átomos están situados en
posiciones fijas, pero esto no es completamente cierto, ya que los átomos se
mueven dentro de unos límites, de una posición a otra.

Son muy pocas las veces en que los cristales son perfectos. Estos contienen
varios tipos de defectos e imperfecciones que afectan a la mayoría de las
propiedades tanto físicas como mecánicas, eléctricas, electrónicas, etc. Por otra
parte, estos defectos tienen influencia sobre el comportamiento de los materiales
desde el punto de vista de ingeniería, tales como: velocidad de difusión,
conductividad en semiconductores, corrosión o comportamiento mecánico entre
otros.

Normalmente, el cristal no está compuesto por átomos idénticos situados en

posiciones análogas sobre una red tridimensional que se repite regularmente,
como se ha supuesto en el tema anterior, sino que contiene imperfecciones o
defectos que alteran la estructura de la red espacial. Esta separación de la
perfección es discreta y finita, pudiéndose considerar la red como una
superposición de imperfecciones sobre una estructura cristalina perfecta. Se
considera como imperfección cualquier desviación del modelo ideal de esferas
rígidas que se ha considerado al estudiar las agrupaciones de los sólidos. Estas
imperfecciones se clasifican según su geometría y forma: Puntuales, Lineales,
Superficiales y de Volumen

Imperfecciones puntuales

Es una interrupción muy localizada en la regularidad de la red. Los defectos son

de dimensiones atómicas y en general son debidos a: La ausencia de un átomo en
la matriz, vacancia, a la presencia de impureza (átomos de distinta naturaleza que
los que forman el cristal), o a la colocación incorrecta de un átomo en la red
cristalina, intersticio.

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Los procesos que originan este tipo de defecto suelen ser muy variados, y entre
ellos podemos mencionar:

1.- La temperatura: el aumento de esta aumenta la amplitud de vibración de los

átomos, permitiéndoles emigrar y cambiar sus posiciones en la red, produciendo
defectos puntuales.

2.- Enfriamiento rápido: manteniendo los defectos existentes a temperaturas

superiores.

3.- Procesos de deformación plástica: los movimientos relativos de planos

cristalinos generan gran cantidad de defectos tanto puntuales como de otros
órdenes.

4.- La irradiación con partículas de alta energía, produce desplazamientos

puntuales de átomos y con ellos la creación de este tipo de defectos

Cuando un átomo extraño ocupa una posición correspondiente a un átomo de la

matriz se denomina átomo de impureza substitucional, y cualquier otro átomo
extraño situado en un intersticio entre los de la red se llama átomo de impureza
intersticial. La posición que tiende a
ocupar en el hueco es función del tamaño atómico relativo de la impureza,
pequeños átomos tienden a ser impurezas de inserción, mientras que grandes
átomos son generalmente impurezas de substitución. Los átomos en posiciones
intersticiales suelen ser mayores que el hueco, y tienden a empujar a mayor
distancia a los átomos vecinos produciendo una distorsión de los planos
reticulares. Los intersticios pueden producirse por la severa distorsión local que se
presenta durante la deformación plástica, así como, por irradiación etc.

Los átomos en posiciones intersticiales suelen ser mayores que

el hueco, y tienden a empujar a mayor distancia a los átomos vecinos
produciendo una distorsión de los planos reticulares. Los intersticios
pueden producirse por la severa distorsión local que se presenta
durante la deformación plástica, así como, por irradiación etc.

Una vacante se puede crear por

desplazamientos de átomos
internos a la superficie o por
irradiación. Posteriormente otros
átomos pueden ir saltando al hueco
dejado libre, permitiendo un

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movimiento fácil de las
vacantes. La existencia de estos defectos en los sólidos es importante, pues
favorece y controla el movimiento de soluto dentro de una estructura cristalina.
1.2. Imperfecciones lineales
Al deformarse un metal plásticamente, se comprueba que el esfuerzo realizado es
muy inferior al límite elástico teórico, esto nos lleva a la conclusión de que el
deslizamiento no se produce en los átomos por un simple movimiento de una capa
de átomos con respecto a otra; si no que debe existir algún tipo de debilidad
mecánica en los cristales reales que sea la causa de que el deslizamiento se
produzca aún con la aplicación de pequeños esfuerzos.
Esta diferencia entre las fuerzas de
deformación aparente y real, se
produce por el hecho de que los
cristales reales no son perfectos, sino
que contienen defectos de línea,
dislocaciones, que implican planos
extras en la red y facilitan el
desplazamiento, produciendo una
distorsión en la red centrada alrededor
de una línea. Estas se pueden formar
de muchas maneras, en el proceso de
solidificación, por deformación
permanente, por acumulación de
vacantes o intersticios, etc., y están
presentes siempre en los cristales
reales

En general existen tres tipos de

dislocaciones. Consideremos un cristal
perfecto (a), y permitámosle que ocurra un deslizamiento a lo largo del plano
ABCD, este plano es llamado plano de deslizamiento. Supongamos que se ha
cortado el cristal por este plano y que se fuerza a desplazar la parte por encima
del corte una cantidad igual a un espaciado reticular. Este desplazamiento se
realiza paralelo al plano ABCD y al borde del cristal (b). El resultado es lo que se
conoce como una dislocación de borde. Si el desplazamiento es un giro, se
obtiene una dislocación helicoidal (c y d), por último, si el desplazamiento es
formando un ángulo con la línea AB se obtiene una dislocación mixta, mezcla una
de borde y una helicoidal (e). Se observa según lo anterior, que las dislocaciones
son alteraciones de la red cristalina en la ordenación de los planos cristalográficos,
localizándose la interfase del defecto a lo largo de una línea no necesariamente
recta, a lo largo de la cual, los átomos no guardan las posiciones y distancias que
les corresponderían en un cristal perfecto, con los átomos vecinos.

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La dislocación de borde se puede entender
como la existencia de un semiplano extra en
una parte del cristal. Como se puede
observar, alrededor del extremo del plano se
producen una zona de
tensiones de tracción y compresión, según se
esté por debajo o por encima del plano de
deslizamiento. Esto es debido a que los
átomos están a una distancia menor o mayor
que la del equilibrio, mientras que a los lados
de la dislocación la red se mantiene
esencialmente perfecta. Por convenio cuando
el semiplano extra queda por encima, se
denomina dislocación positiva y se
representa por ζ, cuando el plano está por
debajo se dice que es negativa y se representa por Т.

Las dislocaciones helicoidales no están asociadas a

ningún semiplano extra y son producidas por un
movimiento cortante de las zonas de un cristal que fueron
separadas por un corte. La zona de distorsión se produce
alrededor de la línea de dislocación extendiéndose a
varias filas de átomos. Esta deformación
produce una superficie espiral, formada por los planos
atómicos alrededor de la línea de dislocación y a través
del cristal, cuyo eje
es la propia línea de dislocación. Las dislocaciones
helicoidales pueden ser de mano derecha o de mano
izquierda según sea el sentido de giro de la espiral.

La agrupación de átomos alrededor de

una dislocación es cuando el
desplazamiento de los átomos es casi
paralelo a la línea de dislocación el
defecto es predominantemente
helicoidal, por el contrario, cuando el
desplazamiento es perpendicular la
dislocación es predominantemente de
borde. En las zonas intermedias hay
mezcla de ambas. La cantidad de cada

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tipo depende del ángulo entre la línea de dislocación y la dirección del
desplazamiento.

Las dislocaciones son de gran importancia en el comportamiento de los sólidos y

son las responsables de la deformación de
los materiales cristalinos. Una tensión cortante aplicada a ambos lados de la
dislocación permite el movimiento de la misma con gran
facilidad, este movimiento se produce sobre el plano de deslizamiento. El
resultado de la deformación es un movimiento relativo de las partes del cristal a
ambos lados del plano de deslizamiento. Cuando la dislocación ha pasado a
través del cristal se produce un cambio de
forma permanente (un escalón), habiéndose desplazado un espaciado atómico
una parte con respecto a la otra, esto ocurre para cualquier tipo de dislocación
.
Para el estudio de las dislocaciones
se utiliza el denominado vector de
Burgers (b) que representa la
dirección y cantidad del
deslizamiento asociado a la misma.
Para determinar este vector se utiliza
el denominado circuito de Burgers,
este consiste en marcar un circuito
alrededor de una línea de
dislocación, el circuito se realiza por
traslación de átomo a átomo,
desplazándose el mismo número de
escalones en cada lado del circuito.
Si no hubiera defecto el circuito
cerraría. Al existir una dislocación el
cierre no se produce y el vector de
Burgers, b será el vector que se necesita para cerrar el circuito

Nótese que en una dislocación de borde b es perpendicular a la línea de

dislocación, y paralelo al movimiento del defecto. En una dislocación helicoidal b
es paralelo a la línea de deslizamiento y perpendicular a su
movimiento.

La concentración de dislocaciones se mide como su longitud por unidad de

volumen en m-2, o por el número de líneas de dislocación que intersectan una
unidad de superficie, la unidad de medida sigue siendo m -2. La densidad de

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dislocaciones depende mucho del proceso seguido por el material en su obtención
y procesado, (tratamiento térmico, grado de deformación, etc.).

1.3. Imperfecciones superficiales

Se deben a imperfecciones localizadas en dos dimensiones, debidas a las

alteraciones en el apilamiento de los planos atómicos a través de un límite, tienen
gran importancia en el comportamiento mecánico de materiales. La existencia de
estos defectos aumenta la dificultad de movimiento de las dislocaciones, debido a
las barreras que supone la presencia de dichos defectos. Los defectos
bidimensionales más frecuentes que se suelen presentar son:

-Superficies libres: Es evidente que los átomos de la superficie de un cristal no

pueden estar sometidos a las mismas fuerzas que las del interior, ya que cada uno
de estos va a recibir las acciones de todos los átomos que los están rodeando,
mientras que los de la superficie reciben solo la energía de sus vecinos de un solo
lado por lo tanto deben tener mayor contenido de energía que los del interior. El
parámetro de la red de los átomos superficiales es ligeramente superior que el de
los átomos del interior. Esta situación lleva asociada un aumento de energía, en
forma de energía superficial del sólido. Este aumento está definido como
incremento de energía en la creación de nuevas superficies, y depende de la
orientación cristalográfica, los planos más compactos son los que tienen
asociados más baja energía superficial. El aumento de energía sé produce debido
a la rotura o falta de enlaces de un átomo en la superficie libre, con respecto a los
que tendría en el interior. Cuanto más compacto sea el plano, menos enlaces se
romperán y más serán los átomos vecinos a uno dado, y menor la diferencia de
situación y la variación de energía.

Una disminución energética se

producirá si se completan algunos
de los enlaces rotos. Por este
motivo la adsorción de átomos o
moléculas extrañas para completar
algunos enlaces tiende a
producirse, siendo casi imposible
mantener atómicamente limpia las
superficies. Como consecuencia las
propiedades superficiales como:
reactivación química, emisión
electrónica, etc. varían
grandemente según sean las
impurezas
adsorbidas.

-Defectos de apilamiento: Los defectos o fallos de apilamiento (stacking fault) son

defectos producidos en una zona local del cristal donde se interrumpe la

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secuencia normal de ordenación de planos. Este defecto se produce en
estructuras con apilamientos compactos en las que se pueden presentar
secuencias del tipo ABCABC... en estos casos, se puede producir un error en la
formación del cristal, por ejemplo, una secuencia de apilamiento ABCABABC...,
aparece un plano tipo A en vez de uno C, debido a este error en la secuencia de
apilamiento, en el cristal aparece una pequeña región hexagonal en vez de cubica
centrada en las caras. Los stacking fault interfieren en los procesos de
deformación del material.

Cada uno de estos defectos lleva asociado una energía por

unidad de superficie, siendo generalmente mayor para las fallas
extrínsecas que para las intrínsecas.

La existencia de estos defectos se ve favorecido por la formación de las

denominadas dislocaciones parciales, son denominadas así porque su vector de
Burgers no es un espaciado interatómico. En los planos compactos el movimiento
de una dislocación en una dirección de deslizamiento se ve muy dificultado por el
apilamiento de los átomos siendo más fácil el movimiento en zig-zag,
descomponiéndose una dislocación completa en dos parciales. En una red ccc por
ejemplo, se puede observar que el movimiento de una dislocación en la dirección
[110] para pasar un átomo desde la posición B1 a B2 está geométricamente muy
dificultado dado que tendría que pasar sobre los átomos de la capa A, mientras
que si el movimiento lo realiza primero a la posición C que está libre y desde aquí
a B2 el movimiento es físicamente más factible por pasar a través de los “valles”
formados en el apilamiento de los planos. A estas dislocaciones se las denomina
dislocaciones de Shockley. La energía de una dislocación es proporcional al
cuadrado de su vector de Burgers, se puede demostrar fácilmente que el
desdoblamiento de una dislocación en dos parciales conduce a un estado con un
nivel energético inferior, lo que hace que se produzcan estas formando defectos
de apilamiento. Se puede observar como una dislocación en una dirección <110>
se desdobla moviéndose los átomos del plano tipo C a posiciones tipo A,
produciendo un error de apilamiento de un espaciado atómico de espesor.

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-Límites de grano: Los sólidos cristalinos en general están formados no por un
único cristal, sino por una gran cantidad de pequeños cristales orientados al azar y
unidos entre ellos por fuerzas de enlace. Esta situación se produce en el proceso
de solidificación formándose los denominados materiales policristalinos. A cada
cristal individual se le denomina grano. Las superficies que separan cristales de
diferente orientación dentro de un agregado policristalino son zonas de defectos
en cuanto los átomos no guardan posiciones atómicas determinadas, sino que se
acoplan al hueco existente para servir de puente de enlace entre granos
adyacentes, son los denominados límites de grano. Los átomos del límite entre
dos granos (cristales) están orientados al azar, no pueden tener un acoplamiento
perfecto en cuanto a átomos vecinos; por tanto, aparece una región de transición
donde el empaquetamiento atómico es imperfecto, cuando esto ocurre los átomos
están fuera de sus posiciones de equilibrio y por tanto tendrán mayor energía
potencial que los del interior de los cristales que están en equilibrio.

Los límites de grano también son zonas

favorables de nucleación y crecimiento
de precipitados, favoreciéndose la
difusión y aumentando la resistencia
mecánica. Como consecuencia de lo
anteriormente expuesto, podemos decir
que: en un medio corrosivo el ataque es
más intenso a lo largo del límite de
grano que en el interior, por tanto, esto
nos sirve para poner de manifiesto los
granos. La fusión se inicia en los límites
de grano a menor temperatura que en
el cristal, los cambios de fase se inician
en los límites de grano, las impurezas
insolubles se van a acumular en los
límites de los granos etc. La existencia
de estos límites
tienen una influencia muy acentuada en el comportamiento del cristal. A medida
que los granos son más pequeños, más límites habrá, siendo por tanto el tamaño
de los mismos decisivo en muchos comportamientos de los sólidos.
El tamaño medio de los cristales (granos) es importante en los metales, siendo de
gran influencia en el comportamiento de los mismos. A medida que el tamaño
disminuye, aumentan
los límites existiendo más zonas de alta energía y más barreras a la deformación a
la conducción eléctrica, térmica etc. Esta influencia está también condicionada por
la temperatura.

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-Maclas: Otro tipo de defecto superficial
son las maclas, formadas por el
desplazamiento de átomos de sus
posiciones de equilibrio formando
planos de simetría en el cristal. En el
interior de los cristales la estructura es
continua y aparece cambio de
orientación solo en los bordes de grano,
en cambio en las maclas cristalinas se
aprecian cambios en dicha orientación y,
sin embargo, son un monocristal por
haberse producido el movimiento
relativo de los planos de manera
homogénea. El maclaje es un movimiento de planos de átomos en la red, paralelo
a un plano específico (de maclaje) de manera que la red se divide en dos partes
simétricas diferentemente orientadas. La cantidad de movimiento de cada plano
de átomos en la región maclada es proporcional a su distancia del plano de
maclaje, de manera que se forma una imagen especular a través del plano de
maclaje. La formación de las maclas es debida a esfuerzos cortantes que pueden
ser producidos por tratamiento térmico o procesos de deformación. Las maclas
pueden interferir con los planos de deslizamiento produciendo un aumento de
resistencia en el material. El aumento de resistencia se produce por el bloqueo de
las dislocaciones siendo el efecto tanto mayor cuanto mayor sea la energía
asociada al defecto. Las energías superficiales de los límites de grano son
superiores a las de los errores de apilamiento y de las maclas, siendo por tanto su
efecto reforzante superior a los otros defectos de tipo superficial.

1.4. Movimientos atómicos

La mecánica cuántica es la descripción del comportamiento de la materia en todos
sus detalles, y en particular, de lo que sucede a escala atómica. Las cosas a una
escala muy pequeña no se comportan como nada que hayamos visto alguna vez.
El comportamiento cuántico de los objetos atómicos (electrones, protones,
neutrones, fotones y demás) es el mismo para todos: todos son “partícula-ondas”.
Todas las cosas están hechas de átomos: pequeñas partículas que se mueven en
perpetuo movimiento, atrayéndose mutuamente cuando están a poca distancia,
pero repeliéndose al ser apretadas unas contra otras.

El movimiento de agitación es lo que se representa como calor: cuando se

aumenta la temperatura, aumenta el movimiento. Si se calienta el agua, la
agitación aumenta y aumenta el volumen entre los átomos, y si el calentamiento
continúa llega un momento en que la atracción entre las moléculas no es
suficiente para mantenerlas juntas y se disgregan separándose unas de otras: Así
es como se produce vapor a partir del agua: aumentando la temperatura.

Propiedades del vapor de agua o cualquier otro gas: para confinar un gas
debemos aplicar una presión. Evidentemente, la presión es proporcional al área, a
la densidad y a la temperatura.

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Al comprimir un gas lentamente, los átomos ganan velocidad y por lo tanto
aumenta su temperatura. Así que, en una comprensión lenta, un gas aumentará
su temperatura, y en una expansión lenta disminuirá su temperatura.

Ahora bien, supongamos que disminuimos la temperatura del agua. La agitación

de las moléculas de los átomos de agua está decreciendo continuamente. ¿Qué
sucederá? Que las moléculas se quedarán bloqueadas en una nueva estructura:
el hielo. Un punto interesante en esto es que en el material hay un lugar definido
para cada átomo. La diferencia entre sólidos y líquidos consiste en que en un
sólido los átomos están dispuestos en algún tipo de formación, llamada una red
cristalina, y no tienen una posición aleatoria a grandes distancias; la posición de
los átomos en un extremo del cristal está determinada por la de otros a millones
de átomos de distancia al otro extremo del cristal.

Aunque el hielo tenga una estructura rígida, el hielo tiene calor. Y ¿qué es el calor
en el caso del hielo? Los átomos no están en reposo. Están agitándose y
vibrando. A medida que aumentamos la temperatura, vibran con una amplitud
cada vez mayor, hasta que se salen de su sitio. Llamamos a esto fusión. A medida
que disminuimos la temperatura, la vibración disminuye cada vez más hasta que,
en el cero absoluto, se reduce a una cantidad mínima de vibración que pueden
tener los átomos, aunque no nula.

1.5 Difusión y mecanismos de difusión

La difusión puede ser definida como el mecanismo por el cual la materia es

transportada a través de ella misma. Los átomos de gases, líquidos y sólidos
están en constante movimiento y se desplazan en el
espacio con el transcurso del tiempo. En los gases, este movimiento es
relativamente veloz, como puede apreciarse por el rápido avance de los olores
desprendidos al cocinar o el de las partículas de humo. Los movimientos de los
átomos de los líquidos son, en general, más lentos que los de los gases, como se
pone en evidencia en el movimiento de las tintas que se disuelven en agua líquida.
En los sólidos, estos movimientos están restringidos, debido a los enlaces que
mantienen los átomos en las posiciones de equilibrio. Sin embargo, las vibraciones
térmicas permiten que algunos de ellos se muevan. La difusión atómica en
metales y aleaciones es particularmente importante considerando el hecho de que
la mayor parte de las reacciones en estado sólido llevan consigo movimientos
atómicos. Algunos ejemplos son la precipitación de
una segunda
fase a partir de una solución sólida, y la formación de
núcleos y crecimiento de nuevos granos en la
recristalización de un metal trabajado en frío.

Mecanismos de difusión. Existen dos mecanismos

principales de difusión atómica en una estructura
cristalina: el mecanismo de vacancias o sustitucional,

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y el mecanismo intersticial.

Mecanismo de difusión por vacantes o sustitucional: Los átomos pueden moverse

en las redes cristalinas desde una posición a otra si hay suficiente energía de
activación proporcionada por la vibración térmica de los átomos, y si hay
vacancias u otros defectos cristalinos en la estructura para que ellos los ocupen.
Las vacancias en metales y aleaciones son defectos en equilibrio, y como se dice
más arriba, siempre existe una cierta cantidad, lo que facilita la difusión
sustitucional de los átomos. A medida que aumenta la temperatura
del metal, se producen más vacancias y habrá más energía térmica disponible, por
tanto, la velocidad de difusión es mayor a temperaturas elevadas. Si un átomo
cercano a la vacancia posee suficiente energía de activación, podrá moverse
hacia esa posición, y contribuirá a la difusión propia de los átomos de cobre en la
estructura. Esa energía de activación para la auto difusión es igual a la suma de
la energía de activación necesaria para formar la vacancia y la necesaria para
moverla. En general, al incrementarse el punto de fusión del metal, la energía de
activación también aumenta debido a que son mayores las energías de enlace
entre sus átomos. La difusión por vacancias también puede darse en soluciones
sólidas. En este caso, la velocidad de difusión depende de las diferencias en los
tamaños de los átomos y de las energías de enlace.

Mecanismos de difusión intersticial. La difusión intersticial de los átomos en las

redes cristalinas tiene lugar cuando éstos se trasladan de un intersticio a otro
contiguo sin desplazar permanentemente a ninguno de los átomos de la matriz de
la red cristalina. Para que el mecanismo intersticial sea efectivo, el tamaño de los
átomos que se difunden debe ser relativamente pequeño comparado con los de la
red; por ejemplo, hidrógeno, oxigeno, nitrógeno, boro y carbono pueden difundirse
intersticialmente en la mayoría de las redes cristalinas metálicas.

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http://www.raquelserrano.com/wp-content/files/Ciencias_t2b_imperfecciones.pdf
http://cosmolinux.no-ip.org/uned/unedcurset21.html
file:///C:/Users/ALEJAN~1/AppData/Local/Temp/8_Moises_Hinojosa_La_estructur
a.pdf
https://www.frro.utn.edu.ar/repositorio/catedras/mecanica/5_anio/metalografia/3-
Difusion_en_solidos_v2.pdf
https://www.iim.unam.mx/mbizarro/Difusion%20en%20solidos.pdf
http://materias.fi.uba.ar/6713/difusion-repaso.pdf
https://es.slideshare.net/jmsv1991/movimiento-de-los-atomos
https://slideplayer.es/slide/1836217/
https://es.slideshare.net/carlairaizbarrioslopez/14-movimiento-de-tomos
http://dualmetalurgia.com/metalurgia/elementos-de-aleacion-y-defectos-
cristalinos/los-defectos-lineales-o-dislocaciones/
https://fmc0.unizar.es/people/fff/pmtsf/Defectos.pdf

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