Causas y Efectos de Las Imperfecciones en Los Materiales
Causas y Efectos de Las Imperfecciones en Los Materiales
Causas y Efectos de Las Imperfecciones en Los Materiales
Cintalapa
Ing. En Energias Renovables
Materia
Docente
Alumna
Actividad
Ensayo
Grado Y Grupo
3°I
Fecha
Los minerales se caracterizan, entre otras cualidades, por poseer una estructura
cristalina. Los materiales cristalinos son aquellos materiales sólidos, cuyos elementos
constitutivos se repiten de manera ordenada en las tres direcciones del espacio.
Son estos defectos cristalinos los que dan las propiedades más interesantes de la
materia, como la deformación plástica, la resistencia a la rotura, la conductividad
eléctrica, el color, la difusión, entre otras.
Causas y efectos de las imperfecciones en los materiales
Los cristales se caracterizan porque sus átomos están situados en posiciones fijas, pero
esto no es completamente cierto, ya que los átomos se mueven dentro de unos límites,
de una posición a otra.
Son muy pocas las veces en que los cristales son perfectos. Estos contienen varios tipos
de defectos e imperfecciones que afectan a la mayoría de las propiedades tanto físicas
como mecánicas, eléctricas, electrónicas, etc. Por otra parte, estos defectos tienen
influencia sobre el comportamiento de los materiales desde el punto de vista de
ingeniería, tales como: velocidad de difusión, conductividad en semiconductores,
corrosión o comportamiento mecánico entre otros.
Al ser un concepto geométrico vamos a tratar separadamente cada uno de los tipos de
imperfecciones. Según su geometría y forma se clasifican en: Puntuales, Lineales y
Superficiales.
1. Defectos puntuales. Los procesos que originan este tipo de defecto suelen ser
muy variados, y entre ellos podemos citar:
1.- La temperatura, el aumento de esta aumenta la amplitud de vibración de
los átomos, permitiéndoles emigrar y cambiar sus posiciones en la red,
produciendo defectos puntuales.
2.- Enfriamiento rápido, manteniendo los defectos existentes a
temperaturas superiores.
3.- Procesos de deformación plástica, los movimientos relativos de planos
cristalinos generan gran cantidad de defectos tanto puntuales como de
otros ordene.
4.- La irradiación con partículas de alta energía, produce desplazamientos
puntuales de átomos y con ellos la creación de éste tipo de defectos
Cuando un átomo extraño ocupa una posición correspondiente a un átomo de la
matriz se denomina átomo de impureza substitucional, y cualquier otro átomo
extraño situado en un intersticio entre los de la red se llama átomo de impureza
intersticial. La posición que tiende a ocupar en el hueco es función del tamaño
atómico relativo de la impureza, pequeños átomos tienden a ser impurezas de
inserción, mientras que grandes átomos son generalmente impurezas de
substitución
2. Defectos lineales.
La dislocación de borde se puede entender como la existencia de un
semiplano extra en una parte del cristal. Como se puede observar,
alrededor del extremo del plano se producen una zona de tensiones de
tracción y compresión, según se esté por debajo o por encima del plano de
deslizamiento. Esto es debido a que los átomos están a una distancia
menor o mayor que la del equilibrio, mientras que a los lados de la
dislocación la red se mantiene esencialmente perfecta. Por convenio
cuando el semiplano extra queda por encima, se denomina dislocación
positiva y se representa por ζ, cuando el plano está por debajo se dice que
es negativa y se representa por T
Las dislocaciones helicoidales no están asociadas a ningún semiplano extra
y son producidas por un movimiento cortante de las zonas de un cristal que
fueron separadas por un corte. La zona de distorsión se produce alrededor
de la línea de dislocación extendiéndose a varias filas de átomos. Esta
deformación produce una superficie espiral, formada por los planos
atómicos alrededor de la línea de dislocación y a través del cristal, cuyo eje
es la propia línea de dislocación
Las dislocaciones helicoidales pueden ser de mano derecha o de mano
izquierda según sea el sentido de giro de la espiral.
La agrupación de átomos alrededor de una dislocación mixta. Cuando el
desplazamiento de los átomos es casi paralela a la línea de dislocación el
defecto es predominantemente helicoidal, por el contrario cuando el
desplazamiento es perpendicular la dislocación es predominantemente de
borde. Las zonas intermedias hay mezcla de ambas. La cantidad de cada
tipo depende del ángulo entre la línea de dislocación y la dirección del
desplazamiento.
3. Defectos superficiales.
Superficies libres. Es evidente que los átomos de la superficie de un cristal
no pueden estar sometidos a las mismas fuerzas que las del interior, ya que
cada uno de estos va a recibir las acciones de todos los átomos que los
están rodeando, mientras que los de la superficie reciben solo la energía de
sus vecinos de un solo lado por lo tanto deben tener mayor contenido de
energía que los del interior. Una disminución energética se producirá si se
completan algunos de los enlaces rotos. Por este motivo la adsorción de
átomos o moléculas extrañas para completar algunos enlaces tiende a
producirse, siendo casi imposible mantener atómicamente limpia las
superficies. Como consecuencia las propiedades superficiales como:
reactivación química, emisión electrónica, etc. Varían grandemente según
sean las impurezas adsorbidas.
Defectos de apaleamiento. La energía de una dislocación es proporcional
al cuadrado de su vector de Burgers, se puede demostrar fácilmente que el
desdoblamiento de una dislocación en dos parciales conduce a un estado
con un nivel energético inferior, lo que hace que se produzcan estas
formando defectos de apilamiento
Límites de gramo. Los sólidos cristalinos en general están formados no por
un único cristal, sino por una gran cantidad de pequeños cristales
orientados al azar y unidos entre ellos por fuerzas de enlace. Esta situación
se produce en el proceso de solidificación formándose los denominados
materiales policristalinos, cada cristal individual se le denomina grano. Las
superficies que separan cristales de diferente orientación dentro de un
agregado policristalino son zonas de defectos en cuanto los átomos no
guardan posiciones atómicas determinadas, sino que se acoplan al hueco
existente para servir de puente de enlace entre granos adyacentes, son los
denominados límites de grano
BIBLIOGRAFIA
http://recursos.cnice.mec.es/biosfera/alumno/1bachillerato/cristalizacion/contenid
o1.ht
http://www.raquelserrano.com/wp-content/files/Ciencias_t2b_imperfecciones.pdf
https://es.wikipedia.org/wiki/Defecto_cristalino