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Se utiliza ampliamente en los circuitos de disparo de los rectificadores

controlados por silicio y TRIACs. También, su bajo costo y sus características
han garantizado su uso en una amplia variedad de aplicaciones como
osciladores, generadores de impulsos, generadores de onda diente de sierra,
control de fase, circuitos de temporización y fuentes reguladas de voltaje o
corriente.

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TIRISTORES

• Además de los transistores, hay otro grupo muy importante de

semiconductores llamados tiristores, los cuales se emplean principalmente
como interruptores electrónicos. A su vez, dentro de los tiristores hay varios
tipos siendo los principales los SCR y los Triac; y otros, no tan utilizados
como los diac, y los GTO.

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• Los tiristores en general, son dispositivos semiconductores, igual que los

diodos y los transistores, formados por cuatro o más capas alternadas de
materiales tipo N y P que producen, por retroalimentación interna, un
efecto de engache o enclavamiento (latching), el cual los hace
extremadamente útiles en tareas de conmutación y de control de potencia
donde se emplean como interruptores en estado solido, a diferencia de los
transistores bipolares y de los FET que trabajan principalmente como
amplificadores de señal

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Tiristores

SCR (Silicon TRIAC (Triodo Otros.

para Corriente PUT. (Transistor mono unión programable)
Controled SUS- Conmutador unilateral de silicio.
Alterna)
Rectifier) SBS.- Conmutador bilateral de silicio.

DIAC (Diodo para GTO (Gate SCS (Silicon LASCR (Rectificador

Controlled Switch) controlado de silicio
Corriente Alterna). Turn-Off Thyristor).
fotoactivo).

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DIODO SHOCKLEY O DIODO DE CUATRO CAPAS. (TIRISTOR DIODO DE BLOQUEO INVERSO).

ID Corriente de fuga de polarización directa.

IR Corriente de fuga de polarización inversa.
VFDM Voltaje de polarización directo máximo.
VRR Voltaje inverso de ruptura.
IH Corriente de mantenimiento o de sostenimiento (holding).
IFAV Corriente media.

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1.- Zona directa (V > 0) Región de corte. El diodo se encuentra

en corte con unas corrientes muy bajas. En esta región se
puede modelar como una resistencia ROFF.

Región de resistencia negativa. Cuando la tensión entre ánodo

y cátodo es suficientemente alta se produce la ruptura de la
unión con un incremento muy elevado en corriente
comportándose el diodo como si fuera una resistencia negativa
debido a la realimentación positiva de su estructura.

Región de saturación o conducción. En esta región, la caída de

tensión entre ánodo y cátodo está comprendida entre 0.5V y
1.5V, prácticamente independiente de la corriente. Se
mantendrá en este estado siempre que la tensión y corriente
alcancen unos valores mínimos conocidos como niveles de
mantenimiento definidos por VH e IH.

Zona inversa (V < 0 )

Región de ruptura. El diodo puede soportar una tensión
máxima inversa VRR que superado ese valor entra en
conducción debido a fenómenos de ruptura por avalancha.
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• El SCR
• Funciona básicamente como un diodo rectificador controlado, permitiendo circular la
corriente en un solo sentido. Mientras no se aplique ninguna tensión en la compuerta del SCR
no se inicia la conducción.
• El SCR se puede modelar como 2 transistores típicos PNP y NPN, por eso se dice también
que el tiristor funciona con tensión realimentada.
Aplicaciones del SCR
• Controles del elevador.
• Circuitos de retardo de tiempo.
• Fuentes de alimentación regulada.
• Interruptores estáticos.
• Controles de motores.
• Recortadores.
• Inversores. • Cargadores de baterías.
• Circuitos de protección. • Controles de calefacción. 60
• Controles de fase.
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Rectificador controlado de silicio (SCR) en conducción

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• Una vez encendido el SCR (en conducción), cualquier acción de señal sobre la compuerta (G) no
influye en la operación (solo se permiten aplicar señales positivas) y la forma de apagar el dispositivo
es disminuyendo la tensión entre cátodo y ánodo, eliminando el efecto de avalancha o simplemente
disminuyendo la corriente de ánodo a un valor menor de la corriente de sostenimiento (IH).

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CURVAS CARACTERÍSTICAS DEL SCR

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• El tiristor (SCR) es disparado por una señal positiva aplicada a la compuerta, en el que se tienen
tres modalidades de disparo:

1. Por corriente continua.

2. Por corriente directa pulsante.

3. Por impulso o trenes de impulso.

VGF Tensión directa pico máxima admisible.

PGAV Potencia media máxima (en otras gráficas potencia

instantánea máxima).

IGFM Corriente directa máxima (en otras gráficas corriente

instantánea máxima).

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• El fabricante de dispositivos electrónicos de éste tipo, suministra las curvas características de disparo
por pulsos, éstas indican el ancho del pulso máximo permisible a distintos valores de potencia pico de
entrada en la compuerta. El pulso especificado es rectangular y el ancho de éste es a corriente
nominal del dispositivo (IA NOM).

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CIRCUITO DE DISPARO BÁSICO Y CONSTRUCCIÓN DE LA LÍNEA DE CARGA.

• Teniendo como base las curvas características de disparo del SCR, seleccionamos el punto de disparo
trazando una línea de carga en la gráfica, la selección de la línea de carga es conveniente localizarla en
el máximo punto de operación, localizándolo en el área preferente abajode la curva de disipación
máxima de potencia.
Para el disparo con corriente continua se consultará cuál
es la potencia máxima, en general VGDC << VG (t) y para
disparos con pulsos cuadrados según se vio en la gráfica
dependerá de la duración del pulso de acuerdo con la
siguiente relación: Potencia media permitida  potencia
máxima del pulso x ancho del pulso x tasa de repetición.

VG Tensión de disparo de puerta.

Vd Tensión de bloqueo directo.
IG Corriente de compuerta.
IGT Corriente de compuerta de trabajo.

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Del comportamiento del SCR dado en la curva característica VAK vs IA , observamos la relación existente
entre los parámetros de corriente de disparo (IG) y tensión ánodo - cátodo (VAK), designándole como
Característica de Disparo. La característica de disparo está dada en corriente continua, cuyos límites
en los ejes coordenados son: para el eje de las ordenadas la tensión de bloqueo directo (Vd) y para el
eje de abscisas, la corriente máxima de compuerta (IG max).
Curva Característica Dinámica de Disparo

La curva característica dinámica de

disparo, garantiza los niveles de tensión de
disparo en función del tiempo o del ángulo
de conducción, manteniendo la potencia
máxima que es posible de manejar en un
nivel de seguridad. 68

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El disparo del SCR se podrá efectuar de varios métodos

a) Disparo por corriente continua.

b) Disparo por corriente directa pulsante.
c) Disparo por impulsos o pulsos.

El método más eficiente para controlar el disparo del SCR (su encendido), es mediante la variación del ángulo
de disparo (d); llamado también: Control de ángulo de fase.

Solo se tienen dos condiciones para los dispositivos de potencia, conducción o no conducción.

a) Disparo por corriente continua.

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