Semiconductores de Potencia

9/24/2021
SEMICONDUCTORES DE POTENCIA
DIODO DE POTENCIA
Son dispositivos unidireccionales, no pudiendo circular la corriente
en sentido contrario al de conducción. El único procedimiento de
control es invertir el voltaje entre ánodo y cátodo.
En estado de conducción,
deben ser capaces de
soportar una alta intensidad
con una pequeña caída de
tensión.
En sentido inverso, deben

ser capaces de soportar una
fuerte tensión negativa de
ánodo con una pequeña
intensidad de fugas
1
9/24/2021
DIODO DE POTENCIA CARACTERÍSTICAS MAS IMPORTANTES
 CARACTERÍSTICAS ESTÁTICAS:
 Parámetros en bloqueo (polarización inversa).
 Parámetros en conducción.
 Modelo estático.
 CARACTERÍSTICAS DINÁMICAS:
 Tiempo de recuperación inverso (trr).
 Influencia del trr en la conmutación.
 Tiempo de recuperación directo.
 POTENCIAS:
 Potencia máxima disipable.
 Potencia media disipada.
 Potencia inversa de pico repetitivo.
 Potencia inversa de pico no repetitivo.
DIODO DE POTENCIA
Tiempo de recuperación inverso
2
9/24/2021
DIODO DE POTENCIA
TIPOS DE DIODOS DE POTENCIA
 DIODO DE PROPÓSITOS GENERALES: presenta altos

tiempos de recuperación inversa, y se utiliza en
aplicaciones de baja frecuencia
 DIODO SCHOTTKY:Se utilizan cuando se necesita una

caída de tensión directa muy pequeña (0.3 V típicos),
para tensiones de salida pequeñas.
 DIODO DE RECUPERACIÓN RÁPIDA:

Se utilizan en circuitos de alta frecuencia ya que
necesitan tiempo de recuperación pequeños
TRANSISTORES DE POTENCIA
3
9/24/2021
TRANSISTORES TRANSISTORES DE POTENCIA

CARACTERÍSTICAS
• Son dispositivos con tres terminales
• Uno de ellos funciona como la llave de una compuerta que abriéndose o
cerrándose hace que el transistor entre en conducción o en corte.
• Por ello un transistor tiene control de encendido y apagado
TIPOS PRINCIPALES
 BJT: Transistor Bipolar de Unión
 MOSFET: Transistor de Efecto de Campo de Metal Óxido de Silicio
 IGBT: Interruptor Bipolar de Compuerta Aislada
TRANSISTOR BJT
CARACTERÍSTICAS
 Tiene tres terminales:
 B: Base
 C: Colector
 E: Emisor
 Es un transistor controlado
por corriente
 Tiene bajas pérdidas
 Tienen tres regiones de
operación:
 Región de corte
 Región de operación
 Región de saturación
DESVENTAJAS
 Es relativamente lento
 Puede ser dañado por el
fenómeno de la segunda
avalancha
4
9/24/2021
TRANSISTOR
MOSFET
Transistor de Efecto • Es un dispositivo controlado por voltaje
de Campo Metal
• Alta impedancia de entrada
Óxido de Silicio
• Su velocidad de conmutación es muy alta
• Sus tiempos de conmutación son del orden de
nanosegundos
• Son sensibles a las descargas electrostáticas
Tres terminales:
• D: Drenador
• S: Surtidor
• G: Compuerta
TRANSISTOR
COOLMOS
Transistor de Efecto
de Campo Metal • Es una nueva tecnología de MOSFET para alto voltaje
Óxido de Silicio
• Sus perdidas en conducción son cinco veces menores
cuando menos en comparación con un MOSFET
convencional
• Es capaz de manejar de dos a tres veces más potencia de
salida
Tres terminales: • Se pueden usar en aplicaciones de hasta 2 kV
• D: Drenador
• Pueden reemplazar a todos los MOSFET convencionales
• S: Surtidor
• G: Compuerta en todas las aplicaciones sin adaptación alguna
10
5
9/24/2021
TRANSISTOR SIT
Transistor de • Dispositivo para alta potencia y alta frecuencia

Inducción Estática
• Tiempos de encendido y apagado son muy pequeños, en
forma típica de 0.25 µS
• Es un dispositivo encendido y un voltaje negativo en la
compuerta lo mantiene apagado
• Pueden operar con potencias de 100 kVA a 100 kHz o 10
VA a 10 GHz
Tres terminales: • Es más adecuado para aplicaciones de alta potencia y
• D: Drenador
alta frecuencia como amplificadores de audio, VHF /UHF
• S: Surtidor
• G: Compuerta y microondas
11
TRANSISTOR IGBT
Interruptor Bipolar • Es una combinación de las ventajas de los BJT y MOSFET

de Compuerta
• Tiene alta impedancia de entrada
Aislada
• Pocas perdidas en estado activo como los BJT
• Es un dispositivo controlado por voltaje
• Es de alta velocidad
• Tiene menores pérdidas de conmutación
Tres terminales:
• No tiene el problema de la segunda avalancha
• C: Colector
• E: Emisor
• G: Compuerta
12
6
9/24/2021
TIRISTORES
DE POTENCIA
13
TIRISTORES
• Se manejan como interruptores biestables

• Tienen menores perdidas en conducción que los
transistores
• Tienen mayores especificaciones de manejo de potencia
• Tienen menor velocidad y mayores perdidas en
conmutación que los transistores
• La mayoría de los dispositivos no tienen control de
apagado
14
7
9/24/2021
TIRISTORES Característica General
15
TIRISTORES SCR: Rectificador controlado de silicio
• La corriente solo puede fluir de ánodo a cátodo

• Entra en conducción si estando polarizado directamente se le aplica
un pulso positivo entre la compuerta y el cátodo
• No tiene control de apagado y lo hace naturalmente según el
comportamiento de la red
16
8
9/24/2021
TIRISTORES BCT: Tiristor bidireccional controlado por fase
• Se comporta como dos tiristores SCR conectados en antiparalelo

• Tiene dos compuertas
• Combina las ventajas de tener dos tiristores en un solo encapsulado
• Son adecuados en aplicaciones tales como compensadores de
potencia reactiva
• Enciende con un pulso de corriente en la compuerta asociada con la
dirección de polarización directa
• Se desactiva por el comportamiento de la red
17
TIRISTORES LASCR: Tiristor activado por luz
• Enciende por irradiación directa por luz

• Ofrece un aislamiento eléctrico completo entre la fuente de luz y el
dispositivo
18
9
9/24/2021
TIRISTORES TRIAC: Tiristor de triodo bidireccional
• Puede conducir en ambas direcciones

• Se puede considerar como dos SCR conectados en antiparalelo,
controlados por una sola compuerta
• No necesita tener dos señales de compuerta porque se puede
encender con una señal que puede ser positiva o negativa
19
TIRISTORES GTO: Tiristor apagado por compuerta
• Es un tiristor con control de apagado

• Se requiere de un pulso positivo alto para activarlo
• Un pulso negativo en la compuerta lo apaga
20
10

Semiconductores de Potencia

Cargado por

Copyright:

Formatos disponibles

Semiconductores de Potencia

Cargado por

Información del documento

Título original

Derechos de autor

Formatos disponibles

Compartir este documento

Compartir o incrustar documentos

Opciones para compartir

¿Le pareció útil este documento?

¿Este contenido es inapropiado?

Copyright:

Formatos disponibles

Semiconductores de Potencia

Cargado por

Copyright:

Formatos disponibles

9/24/2021

En sentido inverso, deben

DIODO DE POTENCIA CARACTERÍSTICAS MAS IMPORTANTES

Tiempo de recuperación inverso

 DIODO DE PROPÓSITOS GENERALES: presenta altos

 DIODO SCHOTTKY:Se utilizan cuando se necesita una

 DIODO DE RECUPERACIÓN RÁPIDA:

TRANSISTORES TRANSISTORES DE POTENCIA

 MOSFET: Transistor de Efecto de Campo de Metal Óxido de Silicio

 IGBT: Interruptor Bipolar de Compuerta Aislada

Transistor de • Dispositivo para alta potencia y alta frecuencia

Interruptor Bipolar • Es una combinación de las ventajas de los BJT y MOSFET

• Se manejan como interruptores biestables

TIRISTORES Característica General

TIRISTORES SCR: Rectificador controlado de silicio

• La corriente solo puede fluir de ánodo a cátodo

TIRISTORES BCT: Tiristor bidireccional controlado por fase

• Se comporta como dos tiristores SCR conectados en antiparalelo

TIRISTORES LASCR: Tiristor activado por luz

• Enciende por irradiación directa por luz

TIRISTORES TRIAC: Tiristor de triodo bidireccional

• Puede conducir en ambas direcciones

TIRISTORES GTO: Tiristor apagado por compuerta

• Es un tiristor con control de apagado

También podría gustarte