TECNOLÓGICO NACIONAL DE MÉXICO

INSTITUTO TECNOLÓGICO DE MORELIA

DEPARTAMENTO DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA

OPTOELECTRÓNICA
Resumen U1: Transductores Optoelectrónicos

Elaboró: Soria Guillén Sergio Iván

Profesor: Julio Jorge Márquez Luna

Morelia Mich 18 de octubre del 2021

 INDICE
I.- Introducción .......................................................................................................... iii
II.- TRANSDUCTORES FOTOELECTRICOS ........................................................ 4
2.1.-Clasificación de los sensores de luz ................................................................ 4
¿Qué son los sensores de luz ? ............................................................................ 4
Efecto Fotoeléctrico y Fotovoltaico.................................................................... 4
2.1.1.-Detectores Foto electromagnéticos............................................................... 5
1.1.1.1.-Detector de Efecto Hall ......................................................................... 5
1.1.1.2.- Celda fotoeléctrica ................................................................................ 5
1.1.1.3.-Fotomultiplicador .................................................................................. 5
2.2.- Fotorresistencia .............................................................................................. 7
1.2.1.-Caracteristicas de la fotorresistencia ........................................................ 7
2.3.- Fotodiodo........................................................................................................ 8
1.3.1.-Fotodiodo PIN ........................................................................................ 10
1.3.2.-Fotodiodo Schottky ................................................................................ 10
1.3.3.-Fotodiodo Avalancha ............................................................................. 11
1.3.4.-Caracteristicas de los fotodiodos ............................................................ 11
2.4.- Fototransistor ................................................................................................ 12
2.4.1.-Curva características del fototransistor .................................................. 13
2.4.2.- Características de un fototransistor ....................................................... 14
2.4.3.- Variantes del Fototransistor................................................................... 15
1.5.-Fototiristor ..................................................................................................... 17
1.5.1.- Foto SCR ............................................................................................... 18
1.5.2.- Foto TRIAC ........................................................................................... 18
1.6.- LED (Light Emiting Diode – Diodo Emisor de Luz) ................................... 19
1.6.1.- Proceso de Foto emisión Espontanea (LED) y foto emisión estimulada
(Laser)........................................................................................................................... 20
1.6.2.- IRLED (LED Infrarojo) ......................................................................... 22
1.6.3.- LED Ultravioleta ................................................................................... 23
1.7.- Displays ........................................................................................................ 23
1.7.1.- Display De Cristal de Liquido (LCD) ................................................... 23
1.7.2.- Displays LED ........................................................................................ 24
III.-Conclusión .......................................................................................................... 27
REFERENCIAS ....................................................................................................... 27

ii
 I.- Introducción

El presente resumen tiene como finalidad recabar la información más concreta y

adecuada acerca de los transductores fotoeléctricos , partiendo delo mas general hasta algunas
particularidades que fueron vistas en clase y estudiadas para la realización de este resumen ,
entre ellas la caracterización y aplicaciones de los mismos en la cotidianidad ,

iii
 II.- TRANSDUCTORES FOTOELECTRICOS

2.1.-Clasificación de los sensores de luz

¿Qué son los sensores de luz ?
Los Transductores Optoelectrónicos son aquellos dispositivos sensibles a la luz, esto
es, que sus propiedades atómicas se ven afectadas por la incidencia de luz sobre ellos. En un
semiconductor y de acuerdo al modelo de bandas de energía, se resumen los siguientes
puntos:
• Si se aplica energía externa (diferencia de potencial, campo eléctrico, campo
magnético, campo electromagnético, luz, calor, etc.) a un electrón de valencia,
tenderá a salir de la banda de valencia y convertirse en un electrón cargado,
es decir, los electrones han entrado en la banda de conducción.
• Entre la banda de valencia y la de conducción existe una banda prohibida en
la que no puede haber electrones.
• La energía que se necesita para hacer pasar un electrón de la banda de valencia
a la banda de conducción la puede proporcionar un fotón de energía :
𝑬𝒇𝒐𝒕𝒐𝒏 = 𝒉𝒇
Donde la energía del fotón debe ser mayor a la energía mínima para desprender un
electrón de valencia hacia la banda de conducción
𝐸𝑓𝑜𝑡𝑜𝑛 > 𝛥𝐸 𝑐𝑜𝑛 𝛥𝐸 = 𝐸𝑠 − 𝐸𝑖
donde:
• Ei = nivel energético inferior o inicial de los electrones de valencia.
• Es = nivel energético superior o excitado de los electrones que pasaron de la banda
de valencia a la banda de conducción.
• ΔE = diferencial entre los niveles energéticos superior o excitado e inicial o básico.

Dependiendo de la cantidad de energía contenida en los fotones, y que es transferida

al átomo semiconductor excitando a los electrones, será la cantidad de éstos que pasarán a la
banda de conducción, alterando las características de CONDUCTIVIDAD y por
consiguiente de RESISTIVIDAD del material semiconductor.
Efecto Fotoeléctrico y Fotovoltaico
En un elemento fotosensible de unión, si un fotón con energía: EFOTON = hf,
superior a la energía de activación del material semiconductor, incide en la unión polarizada
inversamente, se libera un par electrón-hueco y se genera una corriente eléctrica (llamada
corriente fotoeléctrica o fotocorriente) y que es proporcional a la energía luminosa que la
generó. Si se aplica más energía luminosa los electrones adquirirán mayor energía cinética
pasando más allá de la banda prohibida hacia la parte más externa del átomo semiconductor
generándose el llamado efecto fotovoltaico

4
 Si la luz de una longitud de onda adecuada (con suficientemente alta energía de
fotones) incide en el cristal semiconductor, (electrones y huecos) en el cristal aumenta, lo
que se manifiesta en el aumento de la conductividad (s) de un cristal.

2.1.1.-Detectores Foto electromagnéticos

Son sensores de luz para aplicaciones especiales como en la Física, la Química,
procesos industriales, astronomía, meteorología, etc.

1.1.1.1.-Detector de Efecto Hall

Es un material semiconductor, , que se somete de forma simultánea a la radiación
luminosa, la que se desea detectar, y a un campo magnético perpendicular a ella. Por efecto
de los fotones incidentes se crean pares electrón-hueco, los cuales sin la presencia del campo
magnético tenderían a difundirse en el cristal semiconductor recombinándose para dejar al
cristal otra vez en equilibrio. Sin embargo, al estar sometido al campo magnético los
portadores de carga se separan, los electrones de un lado y los huecos del otro. Este
dispositivo se utiliza, principalmente, para detectar luz infrarroja del orden de los 6 mm (6000
nm).

Figura 1.- Detector de Efecto Hall y su curva característica.

1.1.1.2.- Celda fotoeléctrica

Es un Fotodetector formado por una ampolla o bulbo de vidrio al vacío o con un gas
a baja presión y que en su interior cuenta con un fotocátodo y un ánodo recolector. La luz
incide sobre el fotocátodo, que es una placa metálica semicircular recubierta de un material
al cual fácilmente se le desprenden electrones, estos electrones son atraídos por el ánodo
recolector, ya que éste se encuentra polarizado positivamente, esto genera una corriente en
el ánodo que es proporcional a la luz incidente sobre el foto detector. Estas celdas
fotoeléctricas se utilizan para detectar luz no visible, tanto infrarroja como ultravioleta,
dependiendo del gas que se agregue.
1.1.1.3.-Fotomultiplicador
Es un fotodetector que utiliza el fenómeno de emisión secundaria en bulbos
convencionales, produciéndose el fenómeno de Fotomultiplicación de la siguiente manera:

5
 El dispositivo posee un fotocátodo, similar al de la celda fotoeléctrica, que al incidirle
un fotón se desprende un electrón que es guiado por un Electrodo de Enfoque hacia un primer
Dinodo también está recubierto de un material al que se le desprenden electrones cada vez
que un electrón choca con él, similar al fotocátodo. En este caso quien produce el
desprendimiento del electrón es otro electrón que posee una energía cinética suficiente para
provocar el desprendimiento de dos o más electrones. Estos electrones a su vez chocan con
un segundo Dinodo al cual se le desprenden más electrones y así sucesivamente hacia los
otros Dinodos, llamándose a este fenómeno el de Fotomultiplicación, donde un solo fotón
generó una gran cantidad de electrones que son capturados por el Ánodo recolector. El cual
entregará una corriente proporcional a la luz incidente, aumentando con ello la sensibilidad
con respecto a la celda fotoeléctrica. Se utiliza para detectar pequeñas cantidades de
radiación ultravioleta o infrarroja, dependiendo del gas que se utilice en el tubo.

Figura 2.- Diagrama de funcionamiento de un Fotomultiplicador.

Los parámetros más importantes de un Fotomultiplicador son:
• Sensibilidad.
• Ganancia.
• Voltaje del Tubo.
• Corriente de Oscuridad.
De éstos, la sensibilidad se divide en dos:
• Sensibilidad del cátodo que se refiere a la fotocorriente generada en el
Fotocátodo.
• Sensibilidad del ánodo que se refiere a la fotocorriente amplificada después
de pasar por los Dinodos.
La energía (Wmin) mínima necesaria para que un fotón logre desprender un electrón
del Fotocátodo es la siguiente :
(a Wmin también se le denomina como Emin o ΔEmin).
𝑾𝒎𝒊𝒏 = 𝒉𝒄 / 𝒍𝒄
lc es la longitud de onda de corte.
h es la constante de Planck.
c = velocidad de la luz en el vacío (3 x 108 m/s)

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 La ganancia global del Fotomultiplicador se expresa como la razón de la sensibilidad
del ánodo a la sensibilidad del cátodo. La sensibilidad global del Fotomultiplicador es la
sensibilidad del ánodo.

2.2.- Fotorresistencia
En el año de 1873 cuando Willoughby Smith descubrió como afectaba la luz al
hacerla incidir sobre el silicio. Fue hasta finales de la II Guerra Mundial cuando se llevaron
a cabo estudios más serios buscándole una aplicación práctica, llegándose a descubrir varios
materiales semiconductores cuya resistencia es muy alta en la oscuridad , pero disminuye
drásticamente con la luz.
La resistencia interna estará en función a la variación de la cantidad de portadores de
carga disponibles producidos por la luz incidente. Depende de la movilidad de dichos
portadores de carga. La variación de la resistencia interna del material semiconductor que
forma a la fotorresistencia depende de la luz incidente y del material que la compone.

Figura 3 .- Símbolo de la fotorresistencia

La mayoría de las Fotorresistencias se elaboran de la siguiente manera :

• Se toma un sustrato aislante de cerámica o vidrio.
• Se recubre, por evaporación al vacío, de una capa muy delgada del material
semiconductor fotosensible utilizado.
• Se colocan dos electrodos o pines de oro o de plata
• Se protege mediante una cápsula metálica con una cubierta de vidrio, a manera
de barniz, que la protegerán del exterior.

1.2.1.-Caracteristicas de la fotorresistencia

Resistencia De Oscuridad : Se presenta cuando ha estado sometida, al menos por 20

segundos a la oscuridad total y que se designa por Ro que va de 104 a 109 ohms.
Resistencia De Iluminación : Cuando se somete a la fotorresistencia a una
iluminación de 100 lux dando un valor de resistencia entre 10 y 5x103 ohms.
La resistencia se obtiene en base a la siguiente relación, donde A (área activa de la
fotorresistencia) y α (depende del material y de las impurezas dopantes) son factores que

7
dependen del material y del proceso de manufactura del fabricante; Ev es la iluminación en
Lux que incide sobre la fotorresistencia.
𝑹 = 𝑨 ∗ 𝑬−𝜶
𝑽

Disipación Máxima De Potencia : Es la potencia máxima que puede disipar la

fotorresistencia, entre 50 mW y 1 W.
Tensión Máxima : Es el voltaje máximo que soporta la fotorresistencia entre sus
terminales, entre algunas decenas de volts hasta un máximo de 600 volts.
Respuesta Espectral : Es la respuesta relativa de la fotorresistencia en función de la
longitud de onda de la luz incidente, pudiéndose modificar al agregar impurezas al material
semiconductor fotosensible.
Tiempos De Respuesta :
Es el tiempo que tarda en responder la Fotorresistencia al hacerle incidir luz, siendo
ésta relativamente lenta lo que impide su uso en aplicaciones de alta velocidad de respuesta
o tiempos cortos de conmutación. Está relacionada con la respuesta en frecuencia (son
inversos), por lo que, al no poder responder a tiempos pequeños, es de suponer que su
respuesta en frecuencia es muy pobre, es decir, la frecuencia máxima de respuesta será de 1
KHz como máximo.
Las fotorresistencias se utilizan como elementos de control o de encendido por medio
de la luz, pueden activar un relevador o un dispositivo similar
2.3.- Fotodiodo
El Fotodiodo es un semiconductor cuya estructura es muy similar a la de un diodo de
unión p-n., pero formando una Tercera Terminal Óptica para la cual la luz es la variable de
entrada. En este dispositivo los fotones inciden sobre la unión p-n y la energía que contienen
es transferida a los átomos del semiconductor. Produciéndose el desplazamiento de
electrones de la banda de valencia hacia la banda de conducción.

A
Figura 4 .- Símbolo del fotodiodo.

El Fotodiodo se puede polarizar directamente o inversamente, según se requiera. Si

se polariza inversamente, la corriente generada por la luz incidente será muy pequeña debido
a que la polarización inversa no produce portadores de carga en el semiconductor.

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 Figura 5.- Curva característica del fotodiodo

En la figura 5 se muestra la Curva Característica del Fotodiodo donde se observa que

en polarización inversa el Fotodiodo se comporta como una Fuente de Corriente a
iluminación constante. El Efecto de Foto conducción se produce por la absorción fotones por
parte de la estructura cristalina del material semiconductor y para que esto se dé, la energía
de los fotones deberá ser mayor a la energía necesaria para que los electrones de la banda de
valencia rompan los enlaces covalentes que mantienen unidos a los átomos del
semiconductor, llamada Energía de la Barrera de Potencial, Eg, entonces :
ésta deberá ser mayor a Eg : 𝐸𝑓 > 𝐸𝑔
donde :
• h = Constante de Planck = 6.63 x 10–34 J.s
• f = frecuencia de los fotones en Hz, que está relacionada con la longitud de
onda λ, es decir con el color de la luz, si está en el espectro visible, o bien si
es luz infrarroja o ultravioleta, mediante la siguiente relación :
𝝀𝒄 = 𝒉𝒄 / 𝑬𝒈 = 𝒉𝒄 / 𝑾𝒈
donde:
Eg o Wg es la energía de la banda prohibida del semiconductor:
𝜟𝑬 = 𝑬𝒈 = 𝑾𝒈 = 𝑬𝒔 – 𝑬𝒊
Lo que ha sucedido es que el fotón cede su energía al electrón, éste se excita y se
libera del enlace covalente pasando a la banda de conducción. Se forma el par electrón-hueco
, este fenómeno de Absorción produce exceso de portadores de carga, los cuales contribuyen
a ambos procesos de conducción o movimiento de cargas. también hay movimiento de
electrones o cargas negativas dentro de la banda de valencia, ya que los huecos dejados por
electrones que pasaron a la banda de conducción serán ocupados por lo electrones vecinos y
eventualmente por algún electrón que regrese de la banda de conducción. A todo este proceso
se le llama Recombinación De Cargas.
Existe una región para la cual la corriente del fotodiodo es constante e igual a:

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 𝒊𝒑 = 𝜷𝒊𝑳𝒊

donde:
• ip= corriente inversa del fotodiodo
• βi = Foto conductancia
𝑒𝑛 𝑚𝐴/(𝑚𝑊/𝑐𝑚2)
• Li = Intensidad Luminosa en mW/cm2
• A la Foto conductancia también se le llama Responsividad: βi = ip / Li.
Mientras que para polarización directa la corriente del fotodiodo es :
𝒊𝒑 = 𝑰𝒔(𝒆−𝑽𝒑/𝒏𝑽𝑻 – 𝟏) + 𝜷𝒊𝑳𝒊
donde:
• Is = Corriente de Saturación
• n = Coeficiente de emisión (depende del material)
• VT = Voltaje Térmico (aprox. 25 mV a temperatura ambiente)
el fotodiodo posee una zona o región de Depleción o Vaciamiento, la cual influye en
el tiempo de conmutación o de respuesta del dispositivo. Esta zona se encuentra en la unión
p-n del semiconductor que es donde se lleva a cabo el proceso de recombinación de las cargas
positivas y negativas, creando un efecto Capacitivo que es el causante de la limitación en la
frecuencia de operación o en los tiempos de conmutación.
• Si es muy angosto se tendrán tiempos de conmutación más pequeños
• Si W es muy ancho esto hace más lento el tránsito de portadores de un lado a
otro haciendo que el fotodiodo sea de lenta respuesta
1.3.1.-Fotodiodo PIN
Es una variante del fotodiodo convencional en donde se agrega un material
semiconductor intrínseco en la unión p-n del semiconductor de tal forma que los portadores
generados ópticamente se desplazarán rápidamente a las regiones n y p del dispositivo, esto
es porque el material intrínseco aporta una cantidad limitada de pares electrón-hueco que
contribuyen al proceso de recombinación.
• Los tiempos de respuesta o de conmutación típicos son de alrededor de 1 ns
(1 nano segundo = 1 x 10-9 segundos) o menos.
• Se mejora la sensibilidad con respecto al fotodiodo convencional.

1.3.2.-Fotodiodo Schottky

Para mejorar la sensibilidad del fotodiodo convencional, se agrega una fina capa de
oro sobre el material semiconductor de tal manera que se agregan algunos portadores de
carga, solo negativos ya que el oro tiene electrones libres en la banda de conducción. Con

10
esto se mejora la velocidad de conmutación y se amplía el ancho de banda espectral, inclusive
hasta el Ultravioleta.

1.3.3.-Fotodiodo Avalancha
Se pretende que algunos fotones incidentes produzcan una gran cantidad de
portadores de carga, lo cual producirá una corriente externa apreciable. se polariza
fuertemente para crear un campo eléctrico muy fuerte en la región de depleción, los
portadores de carga Primarios, generados por la luz incidente, son fuertemente acelerados
por el campo eléctrico.
Adquiriendo energía cinética suficiente que al chocar con los átomos del material
intrínseco los enlaces covalentes son destruidos y se libera una gran cantidad de electrones,
llamados portadores Secundarios. Los cuales a su vez generarán más colisiones que liberarán
más electrones que llegarán al material tipo p del otro extremo produciendo una corriente de
salida considerable. A este proceso se le llama de Avalancha o Fotomultiplicación,
aumentando con esto la sensibilidad del foto detector.
1.3.4.-Caracteristicas de los fotodiodos
Responsividad (también llamada Fotoconductancia).
• Es la relación entre la corriente de salida y la potencia óptica incidente, y está dada
en
𝐴/𝑊.
Responsividad :
𝑹 = 𝒊𝒑 /𝑷𝑳
• ip = corriente de salida
• PL = potencia luminosa incidente.
La Responsividad varía con la longitud de onda, un fotodiodo PIN, tiene una
Responsividad típica entre 0.4 y 0.6 A/W.
Eficiencia Cuántica. Es la relación entre los pares electrón-hueco primarios, creados
por los fotones incidentes, con respecto a los fotones incidentes y se expresa en porcentaje:
𝒏 = # 𝒆− 𝒄𝒓𝒆𝒂𝒅𝒐𝒔 / # 𝒇𝒐𝒕𝒐𝒏𝒆𝒔 𝒊𝒏𝒄𝒊𝒅𝒆𝒏𝒕𝒆𝒔 𝒙 𝟏𝟎𝟎%
Corriente De Oscuridad. A diferencia de la Fotorresistencia, la corriente se
incrementa alrededor de 10 % por cada °C.
Potencia Mínima Detectable. Es la relación entre la corriente de ruido y la
Responsividad:
𝑃𝑀𝐼𝑁 = 𝑖𝑁 / 𝑅
• iN = corriente de ruido
• R = Responsividad

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Tiempo De Respuesta. Es el tiempo requerido para que el Fotodiodo responda a una entrada
óptica y producir corriente externa. Está limitado por la Velocidad de Tránsito de los
portadores por la región de depleción.
El tiempo de respuesta está relacionado con el ancho de banda, BW, utilizable y se
puede aproximar con la siguiente relación:
𝑩𝑾 = 𝟎. 𝟑𝟓 / 𝒕𝒓
• tr = tiempo de respuesta
El tiempo de respuesta, tr, se puede obtener a partir de la medición de los tres tiempos
que se producen cuando a un Fotodiodo, o cualquier otro dispositivo electrónico, se le aplica
un pulso rectangular observando el pulso de salida:

Figura 6.- Tiempo de respuesta en los fotodiodos

2.4.- Fototransistor
Se crean agregando a un diodo un material tipo n para formar un Transistor npn o
bien agregando un material p para formar un Transistor pnp

Figura 7.- Construcción y símbolo de un fototransistor

El lente ayuda a concentrar la luz incidente en la unión Base-Colector, y puede ser un

lente colocado por separado o bien el mismo encapsulado transparente forma un lente. El
fototransistor puede tener o no la conexión de base hacia el exterior, de tal forma que la
corriente de colector, Ic, puede fluir en respuesta a la corriente de base IB y a la luz incidente
Li en la unión Base-Colector, para el caso del fototransistor con conexión de base o bien
como respuesta solo a la luz incidente, para el caso de un fototransistor sin conexión de base.

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 La unión Base-Colector opera en polarización inversa y funciona como un fotodiodo
que responde a la luz incidente. La unión Base-Emisor está polarizada directamente,
permitiendo que el dispositivo funcione como un transistor normal.

La corriente de colector, Ic, del fototransistor con conexión de base será :

𝑰𝒄 = 𝜷𝑰𝑳𝑰 + 𝜷𝑭𝑰𝑩
• βI = FOTOCONDUCTANCIA
• βF = GANANCIA DE CORRIENTE DE cd.
• Ic = Corriente de Colector.
• IB = Corriente de Base.
• LI = Intensidad Luminosa incidente.
Si el fototransistor tiene la conexión de la base, pero no se conecta o bien si se trata
de un fototransistor sin conexión de base, la corriente de colector, Ic, será :
𝑰𝒄 = 𝜷𝑰𝑳𝑰

Otra forma de visualizar al fototransistor es la de un fotodiodo (unión base-colector)

seguido de un transistor (unión base-emisor) que actúa como un amplificador que le da
ganancia al fotodiodo aumentando la sensibilidad del fotodetector
Vcc
C Rc
Ic
Li

Ib
B

Ie Rb

Figura 8a (izquierda) y 8b (derecha) .- Modelo del fototransistor (8a) , Control de la sensibilidad con la conexión de base y la
resistencia Rb

2.4.1.-Curva características del fototransistor

Es muy similar a la de un transistor convencional, la diferencia es que la corriente de

colector puede ser consecuencia solo de la luz incidente, para un fototransistor sin base, o de
la luz incidente más la corriente de base, para un fototransistor con conexión de base.

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 Figura 9.- Curva característica de colector de un fototransistor

2.4.2.- Características de un fototransistor

Dentro de las principales características de los Fototransistores se encuentra la Curva
de Respuesta Espectral, la cual muestra la respuesta del fototransistor a diversas longitudes
de onda:

Figura 10 .- Sensibilidad espectral del fototransistor comparada con el ojo humano

Corriente De Oscuridad. Otro factor importante en el comportamiento de los

fototransistores es la Corriente de Oscuridad, también llamada de Fuga o de Ruido, y que es
debida a la temperatura, la cual genera portadores de carga aún en ausencia de luz incidente,
esta corriente no es de gran importancia, al menos que el dispositivo tenga demasiada
corriente de fuga por envejecimiento o algún defecto en su fabricación.
Tiempos de Respuesta. Este tiempo de respuesta limita la aplicación del
fototransistor en circuito de altas frecuencias o en circuitos digitales con tiempos de
conmutación muy pequeños o altas velocidades de conmutación.

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 Figura 11.- Tiempo de respuesta de un fototransistor

El comportamiento de los fototransistores también depende de la superficie

fotosensible, un fototransistor es de más lenta respuesta para conmutar de apagado a
encendido (OFF-ON) comparado con un fotodiodo, el cual es menos sensible pero mucho
más rápido en su respuesta. Un fotodiodo conmuta en el orden de los nano segundos, nS,
mientras que el fototransistor lo hace en el orden de los micro segundos, mS o en
milisegundos, mS.
2.4.3.- Variantes del Fototransistor

2.4.3.1.-Fotodarlington
Existen variantes del fototransistor como el fototransistor Darlington llamado
simplemente como Fotodarlington , que, así como en su versión no fotoeléctrica tiene una
mayor sensibilidad y ganancia , el cual consiste de un fototransistor seguido de otro transistor
que le da ganancia a la corriente generada por el fototransistor, esto se logra encapsulando
en el mismo a ambos dispositivos.
C
C
Li

B
B

E
E

Figura 12.- Modelo equivalente y símbolo del fotodarlington.

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 2.4.3.2.-Fototransistor de Shocley

Es otra variante para obtener una mejor respuesta del fototransistor, donde se
interconectan dos transistores como se muestra en la siguiente figura :

n n

p p

Figura 13.- Construcción , modelo y símbolo del fototransistor Shocley

La curva característica muestra el comportamiento de este dispositivo en la oscuridad,

como un interruptor abierto, y en presencia de la luz, como un interruptor cerrado. Esta es
una curva muy similar a la del SCR.
Las corrientes de base de cada transistor se constituyen de las corrientes de colector
del otro transistor, como la corriente de fuga es extremadamente baja, el circuito no conduce
en ausencia de luz. En la oscuridad se necesita un voltaje más alto para llevar al dispositivo
a la conducción

Figura 14.- Curva característica del fototransistor Shocley

16
 2.4.3.3.- Foto FET

Otra variante es el Transistor de Efecto de Campo el cual se fabrica para permitir el

paso de la luz a la unión de compuerta con el fin de tener control sobre el canal de conducción
característico de este tipo de transistor, llamado FotoFET; con esto se puede tener control de
la sensibilidad del dispositivo:
+VDD

Rd
D
G
Vds

S
Rg

-Vg

Figura 15.- Modelo del foto FET

En la operación normal la compuerta (G) se polariza inversamente por medio de un

voltaje negativo a través de una resistencia de compuerta, RG, de valor elevado de varios
Mega Ohms, y que al iluminar la unión de compuerta ésta se comporta como un fotodiodo y
la corriente fotoeléctrica generada permite modificar la sensibilidad del dispositivo al
convertirse en voltaje de control. La ventaja de este dispositivo es que se puede tener control
sobre el voltaje de polarización de la compuerta a través de la luz incidente.
• Las aplicaciones de los fototransistores pueden ser muy variadas y al igual
que la fotorresistencia se utilizan como elementos de control sensibles a la luz
para alarmas, dispositivos de detección visibles o infrarrojos, contadores de
objetos, procesos industriales, arrancadores, etc.

1.5.-Fototiristor

Pertenecen a la familia de los Tiristores, los cuales se utilizan como interruptores

(switches) controlados, en este caso mediante la luz. Los tiristores más importantes y
utilizados son el SCR (Interruptor Controlado Unidireccional) y el TRIAC (Interruptor
Controlado Bidireccional), los cuales, al permitir el ingreso de luz en su interior, agregan una
terminal extra (ÓPTICA) a las ya existentes.

17
 1.5.1.- Foto SCR
Es un SCR pero que, al igual que los fotodetectores anteriores, se puede controlar
mediante la incidencia de luz y se obtiene a partir del Fototransistor de Schokley, agregando
una conexión llamada Electrodo de Control o Compuerta (Gate).

A
G FotoSCR

K
Figura 16.- Símbolo del Foto SCR

El Foto SCR actúa como un interruptor (switch), que en la oscuridad permanece

abierto y en presencia de un pulso de luz se cierra y así permanece, aunque la luz desaparezca.
La forma de abrir el Foto SCR es dejando de aplicar corriente o que ésta llegue a un valor
mínimo que no sea posible sostener la conducción o de plano abriendo el circuito.
Se puede controlar la sensibilidad del disparo del Foto SCR utilizando una resistencia
variable en la compuerta o electrodo de control (G). Los voltajes de conmutación a la luz y
en la oscuridad varían de acuerdo al valor de la resistencia de compuerta, Rg. La curva
característica es igual al del fototransistor Schokley , que ya se mencionó en la recopilación
de características de los foto transistores.
• Para activar el foto SCR se utiliza un circuito de disparo, donde el voltaje Vg,
de compuerta, activará el disparo del FotoSCR, dependiendo este punto de
disparo de la intensidad luminosa incidente y del voltaje Vg o de la corriente
Ig.
• También puede dispararse el FotoSCR únicamente con la luz desconectando
la compuerta, G.
Una vez disparado el FotoSCR éste se mantiene cerrado o activado hasta que se abre
el circuito, por ejemplo, mediante un interruptor en serie, los pulsos de disparo pueden ser
enviados por un circuito de lógica digital, un microprocesador o un microcontrolador o una
PC, etc.

1.5.2.- Foto TRIAC

Es un Interruptor Controlado de Silicio Bidireccional, es decir, que puede conducir
en ambas direcciones. En aplicaciones de corriente alterna puede conducir ambos semiciclos.
Se mejora el control sobre la potencia aplicada a una carga, pues se pueden enviar pulsos de
luz para disparar o activar el interruptor en ambos semiciclos.
La curva característica es idéntica a la del FotoSCR, solo que ahora la curva del
cuadrante I se repite en el cuadrante III de la curva característica, pues la conducción es ahora
en ambos sentidos.

18
 T1
G FotoTRIAC

T2
Figura 17.- Símbolo del Foto TRIAC

Figura 18.- Curva Característica del Foto TRIAC

El principio de operación es el mismo que en el FotoSCR.

Se tienen resistencias para estabilizar la compuerta, tanto del FotoTRIAC como del
TRIAC de potencia, es un Tiristor bidireccional que se activa con la corriente o voltaje
entregado por el FotoTRIAC y éste es activado por los pulsos de luz emitidos por el LED el
cual a su vez es alimentado por un tren de pulsos de voltaje provenientes de lógica digital,
un microprocesador, un microcontrolador, etc.

1.6.- LED (Light Emiting Diode – Diodo Emisor de Luz)

En un diodo rectificador con encapsulado esta liberación de energía solo se percibe

como calor y la energía luminosa es absorbida por el encapsulado. en los LED’s la energía
luminosa es liberada hacia el exterior y es lo que percibimos como Fotoemisión, además de
la energía calorífica liberada en forma de partículas cuánticas llamadas FONONES.
Las partículas cuánticas de luz se conocen como FOTONES. La energía luminosa
radiada puede estar en el espectro visible (aprox. entre 400 y 700 nm) para los LED, infrarroja
(IR) por arriba de los 700 nm para los IRLED o Ultravioleta (UV) por abajo de los 400 nm.
La luz infrarroja y ultravioleta no son percibidas por el ojo humano, es decir son
invisibles para nosotros.

19
 Es utilizado, sobre todo la Infrarroja, en aplicaciones especiales de detección de
objetos o personas para vigilancia o activación de alarmas o diversos dispositivos discretos.
Entonces, los LED, IRLED y UV solo se diferencian en el tipo de radiación emitida y por
supuesto en los diferentes materiales utilizados en su elaboración. El LED es un diodo
semiconductor pero que posee un encapsulado transparente que permite la emisión al exterior
de la luz generada por el LED. En algunos casos el encapsulado es totalmente transparente o
en otros posee un color acorde con la luz a emitir.

1.6.1.- Proceso de Foto emisión Espontanea (LED) y foto emisión

estimulada (Laser)

el proceso de Foto emisión Espontánea (antes de la línea punteada), el cual se produce

por la liberación de energía en forma de Fotones cuando los electrones excitados de la banda
de conducción regresan a la banda de valencia a su estado inicial o base.
También se observa la emisión Estimulada (después de la línea punteada) , que es el
proceso de emisión de luz LÁSER.

Figura 19.- Procesos.

La cual sucede cuando los fotones emitidos por la emisión espontánea estimulan la
emisión de otros fotones , llamados secundarios. Produciendo un tipo de luz coherente,
misma fase y frecuencia (por consiguiente, misma longitud de onda) que se propaga de
manera rectilínea y muy concentrada.
La longitud de onda l emitida por el LED depende básicamente de la diferencia de
los niveles energéticos excitado, Es, e inicial, Ei, de acuerdo a las siguientes
relaciones:
𝑬 = 𝒉𝒇
𝝀 = 𝒄/𝒇
𝑬 = 𝜟𝑬 = 𝑬𝒔 – 𝑬𝒊
λ = hc / DE = hc / Es - Ei
donde
• h = constante de Planck = 6.63 x 10-34 Js
• c = vel. de la luz en el vacío = 3 x 108 m/s

20
 La diferencia en los niveles energéticos DE se puede modificar mediante el uso de
distintos materiales semiconductores e impurezas. De tal forma que haciendo distintas
combinaciones de ellos se pueden tener gran cantidad de longitudes de onda emitidas, Es
decir, colores distintos en el espectro visible o luz infrarroja, que es lo más común en los
semiconductores como el Silicio (Si) y el Arseniuro de Galio (GaAs) o ultravioleta. El
voltaje de codo o de encendido varía según el material semiconductor, como se observa en
la siguiente figura:

Figura 20 .- Voltaje de encendido de acuerdo al material semiconductor del LED

De la figura anterior se observa que :

• El Germanio (Ge) y el Silicio (Si) emiten en el Infrarrojo, medio y cercano,
respectivamente.
• El Arseniuro de Galio (GaAS) emite en el infrarrojo cercano y en el visible.
• El Si y el GaAs son los materiales semiconductores más utilizados en
dispositivos electrónicos y optoelectrónicos.
Otros materiales semiconductores emiten en el espectro visible, como se puede
observar en la misma figura anterior. Entonces todos los LED’s requieren un voltaje de
encendido para comenzar a emitir luz y este voltaje deberá ser proporcionado por una fuente
de voltaje externa a través de una resistencia limitadora de corriente.
Rendimiento Cuantico :
Es la relación de los fotones emitidos con respecto a los electrones inyectados por la
polarización. Se expresa como la relación entre la Potencia Luminosa Emitida y la corriente
que la origina en W/A ó mW/mA. Hay dos tipos de rendimiento:
Rendimiento Cuántico Teórico : es la relación de los fotones totales creados con
respecto a los electrones inyectados para generarlos.
Rendimiento Cuántico Externo o Real : es la relación de los fotones emitidos al
exterior con respecto a los electrones inyectados por la polarización.
Esto se debe a que no todos los fotones generados se emiten al exterior, ya sea porque
algunos son reabsorbidos por la estructura cristalina del semiconductor o bien reflejados
internamente por el encapsulado, de tal manera que estos no salen del semiconductor.

21
 Es necesario aplicar una diferencia de potencial externa, llamada polarización directa,
para mantener el proceso de foto emisión, que de otra manera se agotaría de no existir esta
polarización externa.
Se llama polarización directa porque el borne positivo de la fuente de alimentación se
conecta al ánodo o terminal positiva del LED y el borne negativo se conecta al cátodo o
terminal negativa del LED. El material tipo N es el cátodo (K) y el material tipo P es el
ánodo (A).
• Los LED’s tendrán una caída de voltaje acorde con su voltaje de codo o de encendido,
siendo en general, este voltaje entre 1.5 y 2.5 volts, mientras que el intervalo de
corrientes recomendadas está entre 10 y 50 mA.
• El valor exacto de la caída de voltaje dependerá del tipo de material semiconductor,
la corriente que circula por él, la temperatura, la humedad, etc.

Figura 21.- Polarización del LED

1.6.2.- IRLED (LED Infrarojo)

Los LED´s Infrarrojos o IRLED´s funcionan de manera idéntica a un LED visible,

con la diferencia de que la luz emitida se encuentra en el espectro infrarrojo, el cual, por
cierto, no puede ser percibido por el ojo humano el espectro infrarrojo está por arriba de los
700 nm.
El principio básico de funcionamiento de los IRLED es el mismo de los LED´s
visibles. Se basan en el efecto de Fotoemisión o Luminiscencia donde se liberan partículas
cuánticas de luz, llamadas Fotones, cuando los electrones de la banda de conducción regresan
de manera espontánea a la banda de valencia, e igualmente liberan partículas cuánticas de
calor llamadas Fonones. Una de las aplicaciones más importantes de los IRLED´s es en
sistemas de detección de presencia o de objetos de manera discreta. Donde la luz emitida por
el IRLED al no ser percibida por el ojo, se puede aplicar a sistemas o dispositivos que activen
alguna función sin la necesidad de que el usuario se de cuenta, como en alarmas, detectores
de presencia o de movimiento. Otras aplicaciones menos sutiles son las de los baños
equipados con dispositivos modernos donde los lavamanos, papeleras, mingitorios o
excusados pueden ser activados sin la intervención directa del usuario. Solo con detectar su
presencia se pueden activar electro válvulas que hagan pasar el agua hacia el dispositivo en
cuestión o entregar cierta cantidad de papel al usuario o encender los secadores de aire
automáticos. La polarización, los circuitos de activación, las curvas de potencia óptica
emitida, patrones de radiación, etc. de los IRLED´s son similares a las de los LED´s visibles
vistos anteriormente.

22
 1.6.3.- LED Ultravioleta

Al igual que los LED IR los LED UV solo se diferencian de los LED visibles en la
longitud de onda que emiten y que depende básicamente de los materiales con que están
fabricados. El espectro ultravioleta está por debajo de los 400 nm.

1.7.- Displays

Los Display’s son dispositivos electrónicos que se utilizan como indicadores o

visualizadores numéricos o alfanuméricos y que poseen distintas configuraciones. Los más
populares son los display’s de 7 segmentos con LED’s o de cristal líquido (LCD) los cuales,
con ciertas limitantes, pueden indicar caracteres alfanuméricos. Los displays o indicadores
alfanuméricos de 7 segmentos con LED’s se forman de 7 LED’s, llamados segmentos, en
una configuración rectangular, de la misma manera que los de cristal líquido, pero con
distintas tecnologías. Una de las aplicaciones más usuales de los displays es la de mostrar el
resultado de la medición de una variable física con algún tipo de transductor o sensor
1 11

2 10

4 7

5 6

Figura 22.- Display de 7 segmentos

Si se requiriera de mostrar mas de un digito , existen diferentes displays de 7 o mas

segmentos para poder mostrar dígitos o crear palabras , estos tienen un funcionamiento
similar, algunos en catodo o anodo común , esto quiere decir que habrá una polarización ya
sea directa o inversa para su alimentación.

1.7.1.- Display De Cristal de Liquido (LCD)

Se utilizan compuestos químicos cuyas propiedades de transmisión de la luz pueden
variar al aplicarles un campo eléctrico, por medio de un voltaje de CA o de CD. Pequeños
voltajes aplicados a uno más segmentos alteran la estructura molecular del líquido, en este
caso cristal de cuarzo. En ausencia de voltaje, el fluido es transparente a la luz. Cuando se
aplica el voltaje el fluido absorbe la luz y la forma del segmento aparece a la vista del
observador en contraste con el fondo, que generalmente es gris o plata.
Por esta razón estos displays no emiten luz, por lo que necesitan de luz externa, natural
o artificial para operar, por lo que no pueden verse en la oscuridad. La gran ventaja es el
ahorro en el consumo de corriente, que es mucho menor a los displays con LED’s.

23
 Figura 23.- Construcción de un display de cristal liquido

En la construcción de un LCD se depositan electrodos transparentes en la cara interior

de los cristales, tal y como aparece en las figuras anteriores. Se necesita una señal pequeña
en AC de 3 a 7 voltios para polarizar el LCD. Tensiones mayores romperían la fina capa de
cristal líquido. La frecuencia de la tensión puede variar entre 30 y 50 Hz. Frecuencias más
bajas producen un efecto de parpadeo, frecuencias más altas producen un aumento del
consumo
1.7.2.- Displays LED

El display más popular es el de 7 segmentos con LED’s que, con ciertas limitantes
pueden indicar caracteres alfanuméricos. Los displays o indicadores alfanuméricos de 7
segmentos se forman de 7 LED’s, llamados segmentos, en una configuración rectangular. A
cada LED se le debe conectar, de manera individual, una resistencia limitadora en serie y
éstas conectarlas a una fuente de voltaje común.
Vcc
DISPLAY 7 SEG.

A B C D E F G

Figura 24.- Display de 7 segmentos y modelo

24
 Cada uno de los segmentos se conecta al circuito de polarización que corresponde,
según el carácter que se desea representar. Hay que cerrar el circuito entre Vcc y tierra. Es
evidente que entre más segmentos se enciendan, más corriente se necesitará de la fuente, por
ello se deberá calcular la corriente máxima que circulará en el momento que todos los
segmentos estén prendidos, para así calcular la fuente de voltaje de polarización y que ésta
entregue la corriente necesaria.

Figura 25 .- Arreglo de 4 displays de 7 segmentos

1.7.2.1.- Otras tecnologías

a) Display’s Alfanuméricos con LED´s.

Existe una gran variedad de formas y tipos de Displays alfanuméricos; se pueden
representar los números del 0 al 9, todas las letras del alfabeto y en algunos casos, se pueden
representar caracteres especiales.
b) Display con LED’s cuadrados, rectangulares y circulares: se utilizan para
representar caracteres alfanuméricos.
c) De Matriz o Matriciales.
• De la misma manera, existe una gran variedad de Display’s de Matriz, es decir
aquellos que se utilizan en aplicaciones especiales y que pueden representar una gran
variedad de indicadores, y que en algunos casos utilizan circuitos especiales para
controlarlos o encenderlos. Observe los siguientes ejemplos :
c.1) Arreglo de gráfica de barras: se utilizan para indicar la variación “continua” de
alguna variable física, como temperatura, velocidad, nivel, etc. mediante el encendido
consecutivo de LED’s que indican el aumento o disminución del valor de dicha variable:

25
 Figura 26a ( izquierda) y 26b (derecha).- 26a arreglo en matriz y 26b arreglo en barras

d) Display’s con otras tecnologìas.

Hay otros tipos de displays o pantallas que utilizan distintas tecnologías como :
Pantallas Fluorescentes Al Vacío (VFD). Son tubos de vacío con ánodos
recubiertos de fósforo. Cuando circula una corriente por los filamentos, éstos liberan
electrones que bombardean los ánodos ocasionando la emisión de luz.
Pantallas De Tecnología TFT (Transistor de Película Delgada) para relaciones de
contrastes más altos y tiempos de respuesta más rápidos, requeridos para visualizar imágenes
en movimiento.
Pantallas De Plasma De CD.
El principio de operación de estas pantallas está basado en la ionización del
gas neón contenido en un recipiente sellado. Cuando se aplica un voltaje elevado de CD entre
las terminales del ánodo y cátodo, el gas empieza a ionizarse, emitiendo una intensa luz color
naranja.
Lámparas Incandescentes. Están construidos a partir de filamentos individuales de
tungsteno, sellados en un recipiente de vidrio. Al aplicar una corriente a cada filamento se
calienta y emite luz blanca compuesta por los colores del espectro visible, colocando filtros
especiales es posible seleccionar uno o varios colores específicos, según sea la aplicación.

26
 III.-Conclusión

Los diferentes fototransductores o dispositivos fotoelectronicos vistos en clase y en

el presente resumen son un tema de interés , muy extenso y amplio de analizar y comprender
su funcionamiento en concreto , ya que existe una basta gama de ellos con características
diferentes para un uso en particular, hoy en día gracias al avance tecnológico en tema de la
luz y su comportamiento podemos tener al alcance muchos de estos dispositivos incluidos en
muchos de los aparatos eléctricos o electrónicos que usamos día con día; como el celular, un
control de televisor, alumbrado publico , entre muchas más , partir de un entendimiento
básico como su comportamiento grafico y su caracterización es parte importante en el estudio
de un estudiante de ingeniería ene electrónica.

REFERENCIAS

[1] J. J. M. L., «Transductores Optoelectronicos».

[2] Anonimo, «www.ecured.cu,» [En línea]. Available:

https://www.ecured.cu/Fotorresistencia.

[3] N. C. Braga, «www.incb.com.mx,» [En línea]. Available:

http://www.incb.com.mx/index.php/articulos/12-informacion-y-ideas-practicas-
ip000s/1578-los-ldrs-y-fototransistores-art271s.

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