Polarización de MOSFET

Práctica de Laboratorio #4

Limachi Loayza Helen Steffani∗ Ibarra Veizaga Shara§

, Lopez Bustos Giancarlo† Carrera de Ingenierı́a Biomédica
, Cuarite Larico Adhemar‡ Universidad Católica Boliviana ”San Pablo”
Carrera de Ingenierı́a Mecatrónica La Paz, Bolivia
§ shara.ibarra [at] ucb.edu.bo
Universidad Católica Boliviana ”San Pablo”
La Paz, Bolivia
∗ helen.limachi, † giancarlo.lopez, ‡ adhemar.cuarite [at] ucb.edu.bo

Resumen—El siguiente informe tiene como objetivo diseñar MOSFET en la región de saturación, ya que se esta diseñando
un circuito de amplificación a partir de un MOSFET, este se un amplificador de pequeñas señales, cabe mencionar que la
realizará de manera virtual como experminetal. Primeramente corriente de Drain del MOSFET es muy sensible a cambios
se generará la pequeña señal, para lo cual se hará uso del
integrado NE555 en modo astable, tal y como fue analizada mı́nimos en el voltaje Gate-Source. El MOSFET es un tran-
el anterior laboratorio, seguido a esto se obtendrá la curva sistor de efecto de campo FET, este tiene ciertas diferencias
caracterı́stica experimental del MOSFET IRF540, para luego con el transistor BJT, como la maufactira del MOSFET se
determinar el voltaje umbral y el proceso de transcondutancia, realiza en escalas más pequeñas, además, este necesita menos
este gracias a Google Colaboratory, seguidamente se obtuvo el potencia para su operación.
modelo potencial. Luego se determinó el punto de operación con
el que se trabará para realizar la amplificación de pequeñas
II. M ATERIALES Y M ÉTODOS
señales, se utilizará el punto con menor error al realizar la
distribución de errores entre la curva caracterı́stica experimental II-A. Materiales
y el modelo potencial obtenido. Luego, se procederá al diseño del
amplificador, donde se utlizará el amplificador common source, El laboratorio se realizó de manera virtual y experimental,
se realizará la polarización del MOSFET mediante mediante para la parte virtual se utilizó el simulador LTSpice XVIII,
un divisor de voltaje para luego acoplar el circuito de pequeña como también el simulador Proteus, además, para el análisis de
señal. Después de diseñar el circuito, haciendo uso del simulador datos se utilizó Google Colaboratory, el cual ejecuta códigos
LTSpice XVIII y verificando su correcto funcionamiento se
procederá a la construcción del circuito fı́sico para ası́ continuar en Python. Para la parte experimental del laboratorio, se
con la toma de datos del mismo. Finalmente, se realizará la com- utilizaron los siguientes componentes:
paración de los resultados obtenidos de forma teórica, simulada 1 Protoboard
y experimental, pues a partir de esto se obtendrá los respectivos 1 MOSFET IRF540
errores residuales de los datos obtenidos, para la obtención de este
se utilizará Google Colaboratory. Adicionalmente, se presentrá 2 Baterı́as de 9[V]
la respuesta en frecuencia del amplificador para tener una mejor 1 LM741 (AmpOp)
visualización del comportamiento del amplificador. 1 NE555 (Timer)
Index Terms—Ejemplo: MOSFET, Voltaje Umbral, Satura- 2 LM317 (Integrado)
ción, Proceso de Transconductancia, Pequeña Señal, Frecuencia.
1 Potenciómetro de 5k[Ω]
Resistores de diferentes valores
I. I NTRODUCCI ÓN Capacitores electrolı́ticos de diferentes valores
La presente práctica de laboratorio fue realizada con el Capacitores cerámicos de diferentes valores
objetivo de estudiar, comprender y aplicar los conocimientos 1 Multı́metro
adquiridos. En el mismo, se debe modelar un MOSFET para Cables de Conexión
encontrar ciertos parámetros importantes, también se debe de- Fuente de Alimentación 12[V]
finir un punto de operación para poder diseñar un amplificador Cabe mencionar que se utilizó la aplicación Spectroid, para
de pequeñas señales en base a un MOSFET. El MOSFET tiene obtener el valor de la frecuencia de la bocina. En los siguientes
tres pines, siendo Gate (G), Source(S) y Drain(D). puntos, se visualizará a detalle los pasos que se siguieron, para
También se tiene tres modos de operación para el MOSFET: obtener el amplificador en base a un MOSFET.
Sauración, Triodo, Corte, en este laboratorio se debe utilizar al
II-B. Pequeña Señal
Nosotros, Helen, Giancarlo, Shara, Adhemar, certificamos que el trabajo
presentado en este documento es de plena autorı́a nuestra y que recursos de Para la generación de la pequeña señal se utilizaron los datos
terceros son apropiadamente referenciados. y valores de componentes obtenidos en el anterior laboratorio
haciendo uso del integrado NE555 en su modo astable. La 12[V ]. Para finalizar con este punto, en la salida se obtuvo
frecuencia del oscilador se da por la siguiente ecuación: una señal cuadrada oscilante con la amplitud de la entrada,
es decir, 12[V ], por lo tanto se realizó un divisor de voltaje
1.44
f= (1) utilizando la siguiente ecuación:
(R1 + 2 · R2 ) · C1
R3
V out = · Out (7)
R4 + R3
Donde:
f representa la frecuencia de la señal en [Hz]
R1 representa la resistencia 1 en [Ω] Donde:
R2 representa la resistencia 2 en [Ω]
C1 representa el capacitor en [F ] V out representa el voltaje de salida del divisor de voltaje en
La señal generada por el NE555 tiene un ciclo de trabajo, [V ]
este se puede determinar gracias a la siguiente ecuación: Out representa el voltaje de salida del integrado NE555 en
[V ]
R1 + R2
Ciclo de trabajo = · 100 % (2) R3 representa la resistencia 3 en [Ω]
R1 + 2 · R2
R4 representa la resistencia 4 en [Ω]
Se desea obtener una señal cuadrada oscilante con una
Donde:
amplitud de 12m[V ], por lo tanto se consideró R3 = 100k[Ω],
R1 representa la resistencia 1 en [Ω]
se realizó el reemplazo en la ecuación (7) obteniendo ası́ una
R2 representa la resistencia 2 en [Ω]
R4 = 100[Ω].
Para la generación de la pequeña señal, se determinó una
frecuencia de 10k[Hz] y un ciclo de trabajo aproximado al
50 %, por lo tanto se recurrió a las ecuaciones (1) y (2).
Reemplazando en la ecuación (1) el valor de la frecuencia
ya mencionada y suponiendo una capacitancia de 68n[F ]:
1.44
10k = (3)
(R1 + 2 · R2 ) · 68n

Despejando R1 + 2 · R2 , se tiene:
1.44
(R1 + 2 · R2 ) = (4)
10k · 68n
Figura 1. Generación de pequeña señal con integrado NE555

Continuando, la ecuación (4) y el ciclo de trabajo deter-

II-C. Curva Caracterı́stica
minado previamente se reemplazó en la ecuación (2), por lo
tanto se tiene: Para poder realizar el diseño del amplificador, es importante
concer el punto de operación, pero ası́ mismo para obtener este
R1 + R2 punto de operación, se debe conocer la curva caracterı́stica del
50 % = 1.44 · 100 % (5)
10k·68n
MOSFET.
El MOSFET que se utilizó en este laboratorio es el IRF540,
el cual no estaba disponible en el simulador LTSpice XVIII,
Finalmente, de la ecuación (5) se despejó R1 +R2 , teniendo por lo tanto, se obtuvo el modelo Spice de la página Vishay,
ası́: para luego exportarlo al simulador LTSpice XVIII. Cabe
aclarar, que para diseñar el amplificador con MOSFET, este
10k · 68n
R1 + R2 = · 0.5 (6) debe estar en la región de operación saturación. Por lo tanto,
1.44 para que este en la región de operación establecida, debe
cumplirse las siguientes desigualdades:
Se obtuvo un sistema de ecuaciones de 2x2 con las ecua- VDS ≥ Vov (8)
ciones (4) y (6), resolviendo este se obtuvieron el valor de
las resistencias: R1 = 100[Ω] y R2 = 1k[Ω], para verificar se
reemplazó estos valores en las ecuaciones (1) y (2), donde se Donde:
obtuvieron valores aproximados a los mencionados, también VDS representa el voltaje Drain-Source en [V]
es necesario aclarar que se alimentó al integrado NE555 con Vov representa el voltaje Overdrive en [V]
 los voltajes determinados previamente, este procedimeinto se
VGS ≥ Vtn (9) explicará en el siguiente punto.
II-C1. Diseño del Circuito: Para la obtención de los datos
experimentales para la curva en modo de saturación del
Donde: MOSFET IRF540, se realizó el armado del circuito fı́sico,
VGS representa el voltaje Gate-Source en [V] sin embargo como se observa en la Figura 2, se necesita dos
Vtn representa el voltaje umbral en [V] fuentes de alimentación, por lo cual se diseñó un circuito de tal
Para cumplir las ecuaciones (8) y (9), primero se armó el forma que se pueda polarizar el transistor de manera correcta.
siguiente circuito en el simulador LTSpice XVIII, en el cual Para esta etapa se utilizó el simulador Proteus, para verificar
se determinó un VDS = 2[V ] y un VGS el cual va de 2[V] la obtención de los voltajes determinados en la parte virtual.
hasta 4[V] con un paso de 100m[V], como se puede ver en la Para el diseño, se utilizó el integrado LM317 el cual es un
siguiente figura: regulador de voltaje, este tiene tres pines, entrada (IN),salida
(OUT) y ajuste (ADJ). El rango de voltaje de salida es de
1.25[V] hasta 37[V] y puede proporcionar hasta 1.5[A], el
voltaje de entrada debe tener una diferencia de 3[V] a 40[V]
entre el voltaje de entrada y el voltaje de salida regulada. Para
obtener el voltaje de salida deseado, se conectan resistencias y
capacitores al integrado LM317 de la siguiente manera (Figura
3 ).

Figura 2. MOSFET en modo saturación, obtención curva caracterı́stica

Figura 3. Esquema de conexión del integrado LM317

Después de simular el circuito de la Figura 2, se determinó

Como se puede ver en la Figura 3, se tiene la forma estándar
un voltaje umbral de 3.5[V] aproximadamente, además, se
de conexión del integrado del integrado LM317, donde los
pudo ver que hasta 3.7[V], se tiene una ID = 200m[A],
capacitores ayudan a tener una señal más estable y los valores
aproximadamente, pasando este valor la corriente llega a cre-
de las resistencias varı́an dependiendo el voltaje de salida que
cer abruptamente, lo cual puede llegar a dañar el multı́metro.
se desee. En la siguiente ecuación se muestra el voltaje de
Tomado en cuenta la ecuación (9), se determinó un rango para
salida en función a las resistencias:
VGS , el cual va de 3.5[V] hasta 3.7[V] en un paso de 50m[V],
el cual es mayor al voltaje umbral aproximado. R2
V out1 = 1.25(1 + ) (11)
También, se puede citar la ecuación del voltaje overdrive, R1
el cual es:
Vov = VGS − Vtn (10)
Donde:
V out1 representa el voltaje de salida 1
Donde: R1 representa la resistencia 1 fija
Vov representa el voltaje overdrive en [V] R2 representa la resistencia 2 fija
VGS representa el voltaje Gate-Source en [V] Con ayuda de este componente se pudo realizar el diseño
Vtn representa el voltaje umbral en [V] del circuito, primeramente se analizó el voltaje drain-source,
Gracias a la ecuación (10), se determinó el valor del voltaje se determinó que el voltaje de salida del LM317 sea de 4.3[V]
overdrive, el cual tiene una valor máximo de Vov = 0.2[V ], teniendo ası́ los siguientes valores de resistencia:R2 = 5.1k[Ω]
como se puede ver el VDS = 2[V ] es mayor al Vov , por lo y R1 = 2.2k[Ω], reemplazando estos en la ecuación (11)
tanto se puede concluir que el MOSFET está en la región se determina que el voltaje de salida es aproximadamente
de operación saturación. Cabe mencionar, que se revisó el 4.41[V]. Luego se realizó un divisor de tensión, teniendo la
datasheet del MOSFET IRF540, para evitar el daño del mismo. siguiente ecuación:
Seguidamente, se implementó el circuito con los valores
determinados previamente, para ası́ obtener la curva carac- R3
V out2 = · V out1 (12)
terı́stica del MOSFET IRF540. Sin embargo, no se cuenta R4 + R3
con dos fuentes de alimentación como se ve en la Figura 2,
por lo tanto se diseñó un circuito, de tal manera de obtener
Donde:
V out2 representa el voltaje de salida 2
R3 representa la resistencia 3 variable
R4 representa la resistencia 4 fija.
A partir de la ecuación (12) se determinó los siguientes
valores de las resistencias: R3 = 5k[Ω] y R4 = 820[Ω],
realizando la operación se obtiene 3.79 [V], como ya se
mencionó la R3 no es fija, es decir es un potenciómetro de
5k[Ω], teniendo ası́ el barrido lineal deseado en el voltaje gate-
source. Cabe mencionar que en la salida del divisor de voltaje,
se conectó a un amplificador operacional LM741 realizando Figura 5. Circuito final MOSFET, armado fı́sicamente
un seguidor de voltaje con el objetivo de tener una salida más
estable.
Finalmente, para el voltaje drain-source, se utilizó otro inte-
grado LM317, para el voltaje de 2[V], se utilizó R6 = 220[Ω] Donde:
y R5 = 330[Ω]. Utilizando la ecuación (11), se puede verificar ID representa la corriente de Drain en [A]
que se obtiene los voltajes previamente mencionados, teniendo kn0 representa el proceso de transconductancia
finalmente el siguiente circuito: W, L representa el ancho y largo del MOSFET respectivamen-
te, en [µm]
VGS representa el voltaje Gate-Source en [V]
Vtn representa el voltaje umbral en [V]
Los valores mencionados son desconocidos, ya que al
obtener la curva caracterı́tica del MOSFET, solo se conoce
el VGS , VDS y la ID . Para obtener estos valores, se linealizó
la curva caracterı́stica del MOSFET, para este se partió de la
ecuación (13), la cual debe ser similar a la siguiente estructura:

y =m·x+b (14)

Donde:
y representa la variable independiente
x representa la variable dependiente
m representa la pendiente
Figura 4. Circuito diseñado armado en simulador PROTEUS b representa la intersección en el eje y
Además, para simplificar la obtención de datos, se consi-
Despues de armar el circuito en el simualdor, como se ve en deró:
la Figura 4, se verificó los datos mencionados anteriormente, W
para luego realizar el armado fı́sico a partir de este circuito, kn0 · = kn (15)
L
tomando en cuenta el número de pines de ciertos componentes
mostrados en los datasheet de los mismos para evitar daños
en los componentes. Se realizó el barrido del voltaje Gate-
Source desde 3.5[V] hasta 3.7[V], llegando a obtener los datos Luego se aplicó raı́z a la ecuación (13), teniendo ası́ la
experimentales los cuales se almacenarón en un archivo de siguiente ecuación:
extensión .txt, a partir de estos datos se llegó a obtener la r
p 1
curva caracterı́stica de MOSFET en modo saturación. ID = · kn · (VGS − Vtn ) (16)
2
En la Figura 5, se puede ver el circuito final armado
fı́sicamente.
II-C2. Determinación de kp y Vtn : Es importante conocer
Realizando la respectiva distribuación en la ecuación (16),
los valores del voltaje umbral, proceso de transconductancia,
se tiene:
el ancho y largo del MOSFET, porque para determinar el valor
de la ID , este depende de los valores mencionados, como se r r
p 1 1
puede ver en la siguiente ecuación: ID = · kn · VGS − · kn · Vtn (17)
2 2
1 0 W
ID = ·k · · (VGS − Vtn )2 (13)
2 n L
 Seguidamente, se realizó una analogı́a entre la ecuación RD representa la resisitencia de Drain en [Ω]
(17) y (14), para luego obtener la regresión lineal en Google RL representa la resisitencia de carga en [Ω]
Colaboratory y obtener el valor de la pendiente y la intersec- La ecuación más básica de la ganancia es la siguiente:
ción en el eje y. Además, gracias a la analogı́a, anteriormente
mencionada, se pudieron obtener las siguientes ecuaciones: Vout
Av = (21)
Vin
kn = 2 · m2 (18)

Donde:
Av representa la ganancia en [V/V]
b Vout representa el voltaje de salida en [V]
Vtn = − (19) Vin representa el voltaje de entrada en [V]
m
Además, la transconductancia obedece la siguiente ecua-
ción:
Finalmente, después de obtener estos valores se reemplazó
2 · ID
en la ecuación (13), para ası́ obtener nuevos valores de la ID , gm = (22)
obtenieno ası́ el modelo potencial. Vov

II-D. Diseño del Amplificador

Para realizar el diseño del amplificador se tomó en cuenta el Donde:
amplificador common source, ya que si bien un amplificador gm representa la transconductancia en [S]
de potencia tiene dos etapas, la cual amplifica voltaje y ID representa la corriente de Drain en [Ω]
corriente, es decir, utilizar amplificador common source y Vov representa el voltaje overdrive en [V]
common drain, en este laboratorio solo se utilizó el ampli- Reemplazando las ecuaciones (21) y (22) en la ecuación
ficador common source, para evitar problemas al momento de (20), se tiene la siguiente ecuación:
la implementación.
Cabe mencionar, que el amplificador common source es in- 2 · ID
Av = − · (RD ||RL ) (23)
versor, es decir, la salida respecto a la entrada del mismo tiene Vov
un desfase de -180°, ası́ mismo la ganancia del amplificador
es negativo. El diseño del mismo se detallará en los siguientes
puntos. Seguidamente, reemplazando las ecuaciones (13) y (10)
II-D1. Punto de Operación: Para determinar el punto de en la ecuación (23), se simplifican ciertos valores teniendo
operación, se graficó la curva caracterı́stica experimental y la finalmente:
curva hallada el cual pertenece al modelo potencial, depués de
determinó la distribución de errores de ambas curvas y el punto Av = −kn · (VGS − Vtn ) · (RD ||RL ) (24)
con menor error, fue tomado en cuenta para la determinación
del punto operación, el cual fue:
VGS = 3.6[V ]
ID = 0.416[A] De la ecuación (24), se conoce la mayorı́a de los valores,
VDS = 2[V ] exceptuando por RD , este valor fue calculado gracias a la
Las curvas, que demuestran que este es el punto con menor polarización del MOSFET, por lo tanto, después de obtener
error será mostrada en siguientes puntos. Cabe mencionar que este valor se determinó la ganancia del amplificador. Cabe
los valores desconocidos fueron determinados gracias a las acalarar, que a la salida del amplificador se conectó una
ecuaciones (18) y (19), estos valores fueron kn = 9.5397 y bocina de 8[Ω] y 1/2[W att], el mismo utilizado en el anterior
Vtn = 3.304[V ]. Se los menciona en este punto, ya que son laboratorio.
importantes para determinar la ganancia del amplificador, para II-D2. Polarización del MOSFET: Se polarizó al MOS-
determinar este se utilizó la siguiente ecuación: FET con un divisor de tensión, del cual se debe calcular los
valores de las resistencias del siguiente circuito:
Vout Cabe mencionar, que se utilizó en modelo Spice del MOS-
= −gm · (RD ||RL ) (20)
Vin FET IRF540, con los datos obtenidos en Google Colaboratory,
ya que el modelo Spice mencionado en la primera del informe
(obtenido de la página Vishay) no es muy preciso. Se deter-
Donde: minó utilizar un voltaje Drain-Drain VDD = 12[V ], para hallar
Vout representa el voltaje de salida en [V] el valor de las resistencias de Drain y Source, se debe aplicar
Vin representa el voltaje de entrada en [V] la ley de kirchhoff al circuito de la Figura 13, para tener una
gm representa la transconductancia en [S] mejor visualización se tiene:
 es 0[A], gracias a los efectos dieléctricos del capacitor en gate,
por lo tanto la corriente de Drain es igual a la corriente de
Source ID = IS , como la corriente de Drain ya es un valor
establecido, se tiene ID = IS = 0.416[A].
Como ya se conoce la corriente y voltaje que atraviesan las
resistencias de Drain y Source, es posible obtener el valor de
dichas resistencias, este gracias a la ley de ohm, teniendo ası́:
RD = RS = 12.0192[Ω], aproximando a un valor comercial
se tiene RD = 12[Ω], sin embargo, al no tener este valor
de resistencia se colocó una resistencia de 10[Ω] en serie con
2.2[Ω]. Después de obtener el valor de RD , se pudo calcular el
valor de la ganancia, este gracias a la ecuación (24), teniendo
ası́ Av = −13.6113[V /V ].
Para finalizar, se determinó los valores de las resistencias de
Gate RG1 y RG2 , para este primero se debe tener en cuenta
la siguiente ecuación:

Figura 6. Polarización del MOSFET a través de un divisor de tensión VGS = VG − VS (26)

Donde:
VGS representa el voltaje Gate-Source en [V]
VG representa el voltaje Gate en [V]
VS representa el voltaje Source en [V]
De la ecuación (26), solo se desconoce el valor del voltaje
Gate VG , pero este obedece la siguiente ecuación:
RG2
VG = VDD · (27)
RG1 + RG2

Donde:
VDD representa el voltaje Drain-Drain en [V]
VG representa el voltaje Gate en [V]
RG1 representa la resistencia de Gate 1 en [Ω]
RG2 representa la resistencia de Gate 2 en [Ω]
Reemplazando la ecuación (27) en la ecaución (26), se tiene:
RG2
VGS = VDD · − VS (28)
RG1 + RG2

Figura 7. Circuito polarización MOSFET, analizado por kirchhoff

Se consideró una RG2 = 1M [Ω], este gracias a que la
corriente de Drain debe ser 0[A]. Continuando, de la ecuación
Para determinar los voltajes de Drain y Source mostrados (28) el valor desconocido es la resisitencia de Gate RG1 ,
en la Figura 7, se utlizó la siguiente ecuación: entonces, realizando el correspondiente despeje y reemplazo
en la ecuación se obtuvo RG1 = 395.35k[Ω], aproximando
VDD = VD + VDS + VS (25) a una resisitencia comercial, se tiene RG1 = 390k[Ω] ,
sin embargo, para tener una mejor resuesta se conectó una
resistencia de valor 390k[Ω] en serie con una resistencia de
Donde: valor 5.1k[Ω].
VDD representa el voltaje Drain-Drain en [V] II-D3. Frecuencias de corte: Finalmente, se debe acoplar
VD representa el voltaje Drain en [V] la pequeña señal con el circuito previamente diseñado, es decir,
VS representa el voltaje Source en [V] el MOSFET polarizado. Para este se utilizó capacitancias
VDS representa el voltaje Drain-Source en [V] de acoplador, desacoplador y bypass, los valores de estas
Para cumplir la ecuación (25), se determinó VD = VS , ya capacitancias definen la frecuencia de corte y este debe estar
que el voltaje VDS = 2[V ], los valores obtenidos fueron VD = en un rango de frecuencia audible, es decir, desde 20[Hz]
VS = 5[V ]. Además, como bien se sabe, la corriente en Gate hasta 20k[Hz]. El capacitor acoplador permite pasar de AC a
DC, por el contrario, el capacitor desacoplador permite pasar
de DC a AC, es decir, estas capacitancias sirven para acoplar
y desacoplar la señal pequeña AC, y el capacitor de bypass
permite reducir la impedancia en el emisor, contrarestando la
reducción de ganancia generada por la resistencia de degene-
ración. En este caso se colocó los capacitores de valores altos,
es decir, CC1 = CC2 = CE = 4700µ[F ], este con el objetivo
de no reducir el ancho de banda del amplificador. Para verificar
si la frecuencia de corte dada por los capacitores previamente
determinados, está en el rango audible, se utilizó el simulador
LTSpice XVIII, donde se pudo verificar que este se encuentra
en un rango audible.
Figura 9. Circuito amplificador common souce, implementado
II-E. Amplificador Common Source
Después de diseñar el amplificador common source, se armó aplicación Spectroid, el cual representa la frecuencia de la
el circuito en el simulador LTSpice XVIII, como se ve en la pequeña señal.
siguiente figura: Adicionalmente, se obtuvo el diagrama de bode en el
simulador LTSpice XVIII con el objetivo de tener una mejor
visulización del amplificador common source diseñado. Se
simuló el diagrama de la salida del amplificador respecto a
su entrada, donde para obtener la ganancia en decibeles se
utilizó la siguiente ecuación:

Av [dB] = 20 · log(Av ) (30)

Figura 8. Circuito amplificador common source, armado en el simulador Donde:

LTSpice XVIII Av [dB] representa la ganancia en [dB]
Av representa la ganancia en [V/V]
Depués de simular el circuito mostrado en la Figura 8, Luego, para obtener el ancho de banda del amplificador
se verificó el correcto funcionamiento del mismo, donde se common source, se utilizó la siguiente ecuación:
obtuvo un valor muy aproximado al teórico, por lo tanto se
realizó la implementación en fı́sico. Para realizar el armado del BW = fH − fL (31)
circuito en fı́sico, se tomó en cuenta el número de pines de los
diferentes componentes del circuito mostrados en la Figura 8,
este gracias al datasheet de cada componente, ya que si no se
toma en cuenta este, los componentes llegarı́an a dañarse. Donde:
Cabe mencionar que el multı́metro mide valores en RMS, BW representa el ancho de banda en [Hz]
es por eso que se debe expresar los voltajes AC en RMS. Para fH representa la frecuencia superior en [Hz]
este se utilizó la siguiente ecuación: fL representa la frecuencia de corte en [Hz]
Cabe mencionar, que la frecuencia superior es de fH =
√
2 · Vp 20k[Hz], este gracias al lı́mite de frecuencias audibles. Tam-
VRM S = (29) bién se pudo obtener el valor de la frecuencia de corte del
2
amplificador, gracias a dicho diagrama.
II-F. Obtención de Errores
Donde:
Después de tener los datos teóricos, simulados y experimen-
VRM S representa el voltaje RMS en [V ]
tales, se calculó los errores residuales en Google Colaboratory,
Vp representa el voltaje pico en [V ]
donde se utilizó la siguiente ecuación:
Expresando el voltaje de entrada y de salida teóricos
en RMS gracias a la ecuación (29), se tiene V inRM S =
er = |Vteo − Vexp | (32)
4.24m[V ] y V outRM S = −57.75m[V ]. Finalmente, se tiene
el siguiente circuito ya implementado:
Ya realizado el armado, se midió VGS , VDS , ID , Vin , Vout ,
además se obtuvo la ganancia gracias a la ecuación (21), Donde:
finalmente se midió la frecuencia de la bocina gracias a la er representa el error residual
Vteo representa el valor teórico
Vexp representa el valor experimental
Después de obtener estos valores, se calculó los diferentes
coeficientes estadı́sticos, estos valores también se obtuvie-
ron gracias a Google Colaboratory. Finalmente, se obtuvo
el error experimental entre simulado-teórico, como también
experimental-teórico, este gracias a la siguiente ecuación:
VT eo − VExp
Eexp % = · 100 % (33)
VT eo

Donde:
Eexp % representa el error experimental porcentual Figura 10. Curvas pertenecientes al MOSFET IRF540
VT eo representa el valor teórico
VExp representa el valor experimental
III. R ESULTADOS
En la siguiente sección se presentan los datos obtenidos del
laboratorio, lo que dio lugar para realizar una discusión clara
y completa.
III-A. Curva Caracterı́stica
Primero se obtuvo la curva caracterı́stica experimetal del
MOSFET IRF540, debido a que se desconocen valores se
realizó una analogı́a entre la ecuación (14) y (17), para luego Tabla I
DATOS DE COEFICIENTES ESTAD ÍSTICOS
obtener la regresión lineal en Google Colaboratory, donde se
obtuvo la siguiente ecuación:

y = 2.1840 · x − 7.2174 (34) En la tabla I se presentan los coeficientes estadı́sticos, donde

se compararon la ID del modelo potencial y la curva experi-
mental del MOSFET, se puede ver que existe un dispersión
aceptable entre las curvas, gracias a este se podı́an haber
Como se puede ver en la ecuación (34), se tiene m = escogido diferentes puntos de operación, es decir, el más
2.1840, b = −7.2174, con un coeficiente de correlación conveniente.
porcentual de 99.6383 %, teniendo ası́ un buen ajuste hacia A continuación se presentará dos tablas, donde es posible
la curva caracterı́stica experimental. Los valores de la regre- visualizar cual de los modelos Spice fue el más apto para
sión lineal se reemplazaron en las ecuaciones (18) y (19) obtener los datos simulados.
para la obtención de las variables de Kn = 9.5397537 y
Vtn = 3.3046879[V ], las cuales fueron mencionados en puntos
anteriores.
Por último estos datos son reemplazados en la ecuación (13)
con el objetivo de obtener valores de la corriente de Drain,
tiendo ası́ la siguiente figura, donde en el eje y se graficó la
corriente de Drain y en el eje x se graficó el voltaje Gate-
Source:
En la Figura 10 se puede ver tres curvas, donde la de
color azul representa la curva caracterı́stica experimental del
MOSFET IRF540, la de color naranja representa el modelo Tabla II
DATOS COEFICIENTES ESTAD ÍSTICOS CON SU CORRESPONDIENTE
potencial y la de color verde representa la distribución de PORCENTAJE DE ERROR
errores de las curvas ya mencionadas(azul y naranja), donde
se utlizó la ecuación (32). Gracias a la curva de color verde, es
decir, la curva de distribución de errores se definió el punto de En la tabla II se observa los valores de coeficientes estadı́sti-
operación Q, el cual ya fue mencionado en puntos anteriores. cos, donde se compararon la ID del modelo Spice sacado de
Seguidamente se mostrará ciertos coeficientes estadı́sticos, la página de Vishay y el modelo potencial hallado en Google
para poder ver la dispersión de la curva caracterı́stica experi- Colaboratory.
mental y la curva del modelo potencial hallado de forma más En la tabla III se observa los valores de coeficientes es-
clara: tadı́sticos, donde se compararon la ID del modelo Spice, donde
 Tabla IV
Tabla III DATOS EXPERIMENTALES CON SU ERROR EXPERIMENTAL
DATOS DE COEFICIENTE DE DISPERSI ÓN CORRESPONDIENTE

se utilizaron los parámetros hallados en Google Colaboratory primera columna se observan las variables con las que se
y el modelo potencial hallado. trabaja, en la segunda columna los valores teóricos, en la
Como se puede ver, existe un menor error para el modelo tercera columna los datos obtenidos experimentalmente. Por
Spice, donde se utilizaron los parámetros hallados, por lo último, se observa en la cuarta columna el error entre los
tanto, este modelo fue el más apto para sacar los datos datos teóricos y experimentales. Se puede ver que los datos
simulados. son aceptables, pero claramente existen errores que pasan del
III-B. Amplificador Common Source 15 % debido a razones que se mencionaran posteriomente.
A partir del circuito diseñado, es decir, el amplificador
common source mostrado en la Figura 8, se obtuvieron los
datos experimentales, por lo tanto, se expresó los voltajes AC
teóricos y simulados en voltaje RMS, es decir los voltajes
de entrada y salida, para este se utilizó la ecuación (29).
Como se mencionó, el amplificador common source presenta
un desfase de -180 grados, debido a que es un inversor, además Tabla V
la ganancia es negativa Av = 13, 61[V /V ] y esto se puede DATOS SIMULADOS CON SU ERROR EXPERIMENTAL CORRESPONDIENTE
visualizar por medio de la siguiente figura:
En la Tabla V, se puede ver que la primera columna muestra
los parámetros, en la segunda columna los valores teóricos, en
la tercera columna los datos obtenidos del circuito armado en
el simulador LTSpice XVIII. Finalmente en la cuarta columna
se presenta el error simulado porcentual, entre los valores
teóricos y simulados. Se puede concluir que se encuentran
en un rango aceptable, este gracias a la comparación realizada
respecto a la Tabla IV.
También se determinó coeficientes de estadı́sticos, los cuales
fueron obtenidos gracias Google Colaboratory, se puede deter-
Figura 11. Amplificación de pequeña señal minar la dispersión existente entre los datos ya mencionados.
En la Tabla VI se puede ver los coeficientes estadı́sticos
En la Figura 11 se pueden ver dos curvas, la de color rojo de diferentes parámetros, mostradas en la primera columna.
representa el voltaje de entrada el cual tiene una amplitud pico ´ En general se presentan datos de un rango pequeño por
pico de 12m[V ] y la de color azul representa el voltaje de lo que se puede indicar que se tiene poca dispersión entre lo
salida el cual tiene una amplitud pico pico de −161.86m[V ], datos. Sin embargo, existe una excepción con la frecuencia del
donde se puede ver que esta amplificando con la ganancia es- oscilador, ya que como se puede ver en la Tabla VI, esta tiene
tablecida. Sin embrago, estos valores se verán en las siguientes una gran dispersión, la justificación de este será mencionada
tablas justo con sus errores porcentuales. en el siguiente punto.
A continuación, con los datos simulados, teóricos y ex- Por otro lado, es importante mencionar que para la obten-
perimentales determinados, se realizó tablas donde se puede ción de las frecuencias del oscilador experimental, se midió
ver sus errores en porcentajes, para este punto se utilizó la la frecuencia de la bocina este gracias al programa Spectroid,
ecuación (25). Por lo tanto, se presentará la siguiente tabla, la este se puede apreciar por medio de la siguiente figura:
cual contiene el error experimental porcentual entre los datos Este dato, ya fue colocado en las tablas, como también se
teóricos y experimentales. obtuvo su error experimental porcentual, error residual y los
En la Tabla IV se observa los valores obtenidos de los coeficientes estadı́sticos. Ası́ mismo con el objetivo de verificar
parámetros implicados en la amplificación de señales. En la el comportamiento del amplificador en relación a la frecuencia,
 se simuló un Diagrama de Bode en el simulador LTSpice
XVII. Dicho diagrama puede visualizarse en la siguiente
figura:

Figura 13. Respuesta en frecuencia de la ganancia del amplificador common

source

Como se puede visualizar en la figura (13) presenta un

desfase aproximado a -180º,de esa forma verificando el com-
portamiento caracterı́stico de un amplificador common source,
el cual es un inversor. La frecuencia en la que el sistema em-
pieza a amplificar correctamente parte de FL = 1.1677k[Hz],
en compensación se conoce que la frecuencia superior es
fH = 20k[Hz], este gracias al lı́mite de frecuencia audible.
De acuerdo a la ecuación (31) se determinó el ancho de banda
BW = 18, 8323k[Hz].
Finalmente gracias a la ecuación (30) se determinó el valor
de la ganancia en decibeles, el cual se presenta en la siguiente
tabla junto al ángulo de desfase con su error experimental
correspondiente.

Tabla VII
DATOS DEL D IAGRAMA DE B ODE CON SU ERROR CORRESPONDIENTE

En la tabla VII, se puede ver que lo errores porcentuales

son menores al 5 %, llegando a concluir que el modelo Spice
elegido fue el más apto.

IV. D ISCUSI ÓN

Tabla VI
C OEFICIENTES ESTAD ÍSTICOS DE LA AMPLIFICACI ÓN Primeramente los datos que se llegaron a obtener fueron de
manera teórica y simulada, para que posteriormente se llegue
a obtener los datos de manera experimental, para el armado de
los circuitos fı́sicos tanto para la contrucción de la curva del
transistor en modo saturación y para el diseño del amplificador
se aproximó los valores teóricos tanto de las resistencias como
de los capacitores a lo que son los valores comerciales más
cercanos posibles.
Para lo que es la generación de la pequeña señal se optó
por usar lo que es un circuito oscilador NE555, el cual genera
ondas cuadradas. Se usó un voltaje de 4.24 [mV] para la
entrada de manera teórica, obteniendo un valor experimental
de 4.8 [mV], comparando el valor teórico con el valor simu-
lado 4.2381 [mV] se puede apreciar un error de 0.04 % el
cual llega a ser aceptable, en este punto cabe resaltar que se
usarón los valores comerciales tanto de las resistencias como
Figura 12. Frecuencia del oscilador experimental del parlante obtenido con capacitores en el simulador y de esta forma si existe cierta
ayuda de la aplicación Spectroid
diferencia entre los valores simulados y teóricos,en cuanto al
valor experimental si llega a existir una diferencia de error el simulado 1.41 %, refiriéndose al dato del error experimental
mayor del 13.21 %, esto debido a que los valores comerciales se puede mencionar que al momento de la medición el valor
no siempre llegan a tener el valor que se muestra, obsevando el de la corriente oscilaba hasta llegar a cierto instante de tiempo
coeficiente de variación en la Tabla IV, se ve que es el mayor donde llega a presentar estabilidad, por lo cual se lo podrı́a
entre el resto de los parámetros, por cual se podrı́a decir que relacionar con el grado de error que se tiene. Además se
es el que presenta una mayor dispersión relativa. observo que el MOSFET es un elemento de potencia ya
Las gráficas de las señales de entrada y salida se pueden que se puede obtener una gran corriente con una pequeña
observar en la Figura 11, donde existe una amplificación y variación en el voltaje de gate-source. Observando las medidas
desfase de -180° de la salida respecto a la entrada, con lo cual de dispersión se puede decir que no se presenta una gran
se podrı́a concluir que se diseño el amplificador Common- dispersión entre los datos.
Source de manera correcta. Para obtener una amplificación
AGRADECIMIENTOS
de Av = −13.61, se realizó el cálculo de las resistencias y
capacitancias de manera teórica, para posteriormente imple- En este laboratorio se recibió la ayuda del ingeniero Guiller-
mentarlo para la simulación, en el cual se obtuvó un valor de mo Sahonero, quien nos guı́o en el transcurso del desarrollo
Av = −13, 5179 y de manera experimental Av = −13.54, de este laboratorio.
analizando estos valores se puede observar que tanto los datos A NEXOS
simulados y experimental presentan los siguientes errores
0.51 % y 0.68 % respectivamente, los cuales llegan a ser bajos Código de Google Colaboratory:
y muy cercanos, observando la Tabla IV se puede ver que el https://colab.research.google.com/drive/
coeficiente de variación es 0.1363 con lo cual se puede decir 1Hj2c5Ba9ljbP0U4BCY6zq7w3FCoB9CzK?usp=
que la dispersión relativa con respecto a la media entre los sharing &+#
datos es baja. Datasheet Oscilador NE555: https://www.ti.com/lit/ds/
Con respecto al voltaje de salida, el margen de error es de symlink/lm555.pdf &+#
12.55 % con el dato experimetal, 0.80 % con el dato simulado, Datasheet Amplificador LM741: comercial:http:
observando los resultados se podrı́a decir que se tiene un //pdf.datasheetcatalog.net/datasheet/texasinstruments2/
menor error con el dato simulado, estos errores presentes se lm741.pdf &+#
puede deber tanto como a la resolución del multı́metro, como Datasheet de MOSFET IRF540:https://www.vishay.com/
a la variación que existe entre los valores comerciales y los docs/91021/91021.pdf &+#
valores teóricos. Modelo Spice MOSFET IRF540:https://www.vishay.
Seguidamente se tomó también el dato del voltaje drain- com/mosfets/list/product-91021/tab/designtools-ppg/
source, teórica y experimental, donde se tiene 0.36 % del &+#
error simulado y un 20.00 % del error experimental,lo cual Datasheet LM317: https://www.ti.com/lit/ds/symlink/
puede deberse a las resistencias de drain y source que son lm317.pdf &+#
relativamente pequeñas y al buscar los valores comerciales Carpeta de drive con archivos necesarios para el código:
de las mismas se llega a tener un cierto margen de error, https://drive.google.com/file/d/1S63NB9b1aJdxJyjSlOx
donde al tener 1,2,3 [Ω] de diferencia puede influir de gran QRiEcYwOeIzK/view?usp=sharing &+#
medida con los valores esperados, en este caso se utilizó 2 Valores de capacitores y resistores de valor
resistencias en serie para obtener el valor de 12 [Ω] ya que comercial:https://es.slideshare.net/zilverback/
la potencia que caı́a en cada resistencia era muy cercano a 2 tabla-de-resistencias-y-capacitores-comerciales-reales
[Watts] y en este caso las resistencias que se tienen soportan &+#
1/4 [Watts] cada una, es por esa razón que se ponierón en serie
dichas resitencias, tambien se logró ver que conforme pasaba
el tiempo las resistencias RD y RS se calentaban esto, debido
a la potencia que se mencionó, estas observaciones son las
pueden haber generado dicho margen de error.
También se tomó el dato del voltaje gate-source, obteniendo
un error de 5.83 % de manera experimental y 0.06 % de
manera simulada, observando las medidas de dispersión se
puede decir que presentan una dispersión alta en comparación
comparación con el resto de las variables.
Finalmente se tomó el valor de la corriente de drain, tanto
de manera teórica, simulada y experimental. El valor teórico
de la corriente de colector es de 416 [mA], debido al punto
de operación el cual influyen en el circuito de amplificación,
en cuanto al valor simulado se tiene 410.1346 [mA] y el valor
experimental 442 [mA], el error experimental es del 6.25 % y