Electronica de Potencia

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1958

Segunda revolución electrónica


1956 Comienza la segunda revolución
El tiristor Invención del electrónica al comercializar el
1948 tiristor, rectificador tiristor por la compañía General
Invención del transistor de controlado de silicio o bien Electric Company. Hasta 1970
1900 silicio
1906 llamado por sus siglas eran utilizados exclusivamente
Creación del rectificador Fue desarrollado en los
Invención del triodo SCR. para el control de energía en
de arco de mercurio laboratorios Bell Telephone
Es un diodo de vacío que aplicaciones industriales.
Dispositivo que utiliza Laboratories por Bardeen,
tenía una rejilla de
las propiedades Brattain y Schockley. Marcó
control entre el cátodo y
rectificadoras de un la primera revolución 1949
la placa.
cátodo emisor de electrónica para los futuros Transistor de unión
1933 Rectificador de
electrones y de un ánodo avances tecnológicos. El transistor de unión
selenio, reemplazan
no-emisor de electrones, utilizado actualmente en
los rectificadores de
contenidos en una la mayoría de las
tubo de vacío de bajo
cámara que contiene voltaje en las radios y aplicaciones que había
vapor de mercurio. en los receptores de tv. sido desarrollado.

EVOLUCION DE LA ELECTRONICA DE POTENCIA

1958 Primer circuito 1975


1960. 1970 1976 1982 1990
integrado Ese mismo año Introducción de 2000
rectificadores de silicio Creación de distintos El MOSFET de potencia Transistor Motor variable
se desarrolló el primer los Invención de plantas
circuito integrado tipos de dispositivos quedó a facilidad de las bipolar Aparición del primer
microprocesado Se introdujo el solares y vehículos
transistores en una sola electrónicos: personas al ser motor de velocidad
res. transistor eléctricos Con los avances
placa. diodos de potencia, comercializado variable de A.C.
bipolar de puerta tecnológicos en el campo
tiristores, transistores correctamente.
aislada. Este de la electrónica de
bipolares de juntura de potencia se logró
potencia (BJT), dispositivo
generalmente es aprovechar la energía
MOSFET de potencia, solar al convertirla en
transistores bipolares de utilizado como
interruptor. energía eléctrica.
compuerta aislada
(IGBT) y transistores de
inducción estáticos (SIT).
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